專利名稱：新型高壓二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種二極管。
技術(shù)背景-
現(xiàn)有的高壓二極管，其芯片采用12層較高電阻率的芯片組成，體
積大，正向通態(tài)電壓降高。特別我國微波爐生產(chǎn)行業(yè)通常的是12KV/0. 5A 的高壓二極管，該器件的實際反向電壓在20—22KV之間，正向電壓降 在10—12V之間，因而器件的正向功耗功率在5—6W。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)合理，正向通態(tài)電壓降低的新 型高壓二極管。
本實用新型的技術(shù)解決方案是
一種新型高壓二極管，包括管體、芯片，其特征是芯片為8層低
電阻率芯片形式。
管體的剖面長度為9.5mm，高度為5mm。
本實用新型結(jié)構(gòu)合理，產(chǎn)品具有高度的的抗反向浪涌能力，極低 的正向通態(tài)電壓降，特別適宜在微波爐等髙壓大電流工作環(huán)境的高 壓二極管器件的生產(chǎn)。采用本實用新型高壓二極管同樣使用在微波 爐生產(chǎn)行業(yè)。只采用6KV/0.5A設(shè)計.其中器件的正向通態(tài)電壓只有 5—6V;器件的正向功耗功率不到3W.大幅度降低器件的工作結(jié)溫。
3提高了器件的工作可靠性。同時采用低壓設(shè)計也大幅度節(jié)約了芯片 數(shù)量，降低了生產(chǎn)成本。

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以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明。 圖1是本實用新型一個實施例的結(jié)構(gòu)示圖。
具體實施方式
一種新型高壓二極管，包括管體1、芯片2，芯片為8層低電阻率 芯片形式。管體的剖面長度為9.5mm，高度為5mm。
權(quán)利要求1、一種新型高壓二極管，包括管體、芯片，其特征是芯片為8層低電阻率芯片形式。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型高壓二極管，其特征是管體的剖面長度為9.5mm，高度為5mm。
專利摘要本實用新型公開了一種新型高壓二極管，包括管體、芯片，芯片為8層低電阻率芯片形式。本實用新型結(jié)構(gòu)合理，產(chǎn)品具有高度的抗反向浪涌能力，極低的正向通態(tài)電壓降，特別適宜在微波爐等高壓大電流工作環(huán)境的高壓二極管器件的生產(chǎn)。
文檔編號H01L29/66GK201282145SQ20082018626
公開日2009年7月29日 申請日期2008年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月17日
發(fā)明者王志敏 申請人:王志敏