專利名稱：一種晶片升降銷的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種晶片升降裝置，特別是涉及一種用于在機(jī)臺(tái)內(nèi)工 藝處理腔中提升晶片位置的晶片升降銷。
背景技術(shù)：
晶片升降銷為Wsixd機(jī)臺(tái)的工藝處理腔內(nèi)用于提升晶片的裝置，其 作用是在工藝處理前后，配合機(jī)臺(tái)機(jī)械臂的動(dòng)作將晶片從機(jī)械臂上抓出或
放回。如圖1A-1D所示，其運(yùn)動(dòng)機(jī)制為
首先，如圖1A所示，加熱器5及升降板6處于釋放位置，此時(shí)加熱 器5及晶片升降銷4都處于工藝處理腔1的底部，機(jī)械臂3將晶片2傳送 進(jìn)工藝處理腔l中。
其次，如圖1B所示，加熱器5及升降板6向上運(yùn)動(dòng)到達(dá)提升位置， 此時(shí)晶片升降銷4將晶片2頂起，使之完全脫離機(jī)械臂，機(jī)械臂縮回退出 工藝處理腔1。
第三，升降板6保持不動(dòng)，加熱器5向上運(yùn)動(dòng)至工藝處理位置，晶片 2與加熱器5完全接觸。在此過程中晶片升降銷4相對(duì)于加熱器5向下運(yùn)動(dòng)。
正常狀態(tài)下，晶片升降銷4在加熱器5中相對(duì)于后者的向下運(yùn)動(dòng)應(yīng)非 常順暢、無阻力。但是，當(dāng)工藝處理腔l所處理的晶片數(shù)量增加時(shí)，晶片 升降銷4的表面會(huì)被沉積到薄膜而變得粗糙，又因?yàn)槠渑c加熱器5之間的 配合間隙非常小，當(dāng)二者相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生摩擦力f (如圖2所示)，且 此摩擦力f隨著處理的晶片數(shù)的增加而增加。此摩擦力導(dǎo)致晶片升降銷4 無法順暢地相對(duì)于加熱器5向下運(yùn)動(dòng)。當(dāng)摩擦力f大于晶片升降銷4的重力G(如圖2所示)時(shí)，晶片升降銷4會(huì)被卡在加熱器5內(nèi)，無法自由下 落至加熱器的底部，致使加熱器5處于工藝處理位置時(shí)，晶片2的位置發(fā) 生偏移，甚至晶片2直接被晶片升降銷4頂起，仍然處在晶片升降銷4 上而未落在加熱器5上與其完全接觸(如圖3所示)，從而導(dǎo)致晶片2在 沉積時(shí)溫度異常，產(chǎn)品報(bào)廢。
為了提高產(chǎn)品的合格率，工藝處理腔需要及時(shí)更換晶片升降銷，這樣 就導(dǎo)致工藝處理腔常因需要更換晶片升降銷而提前預(yù)防維修(Prevent Maintain,以下簡稱PM)，因而增大了成本。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本實(shí)用新型的目的是通過增加加重裝置使晶片 升降銷的重量增加，確保在一個(gè)PM周期內(nèi)晶片升降銷所受的摩擦力始終 小于重力，從而保證晶片升降銷相對(duì)于加熱器能夠順暢地相對(duì)滑動(dòng)，不會(huì) 在運(yùn)動(dòng)時(shí)卡在加熱器內(nèi)。
為了達(dá)到本實(shí)用新型的上述目的及其它目的,本實(shí)用新型提出一種晶 片升降銷，其包括升降銷本體及加重裝置，該加重裝置固定于升降銷本體 的下部。
作為優(yōu)選，該加重裝置為與晶片升降銷相匹配的中空的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。 作為優(yōu)選，該加重裝置還包括固定裝置。
作為優(yōu)選，該加重裝置由固定裝置從側(cè)部固定于晶片升降銷上。 作為優(yōu)選，該固定裝置為螺釘或螺栓。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本實(shí)用新型采用了在升降銷本體的下部安裝了 加重裝置的結(jié)構(gòu)，使得在一個(gè)PM周期內(nèi)晶片升降銷在相對(duì)于散熱器向下 運(yùn)動(dòng)時(shí)，其所受的摩擦力始終小于自身重力，因而確保在一個(gè)PM周期內(nèi) 晶片升降銷相對(duì)于加熱器能夠順暢地滑動(dòng)而不被卡在加熱器內(nèi)，從而提高 了產(chǎn)品的合格率，減少了工藝處理腔的PM次數(shù)，進(jìn)而降低成本。


圖1A—圖1C為正常狀態(tài)下晶片的傳送流程示意圖;其中
圖1A為釋放位置時(shí)晶片的傳送狀況示意圖IB為提升位置時(shí)晶片的傳送狀況示意圖1C為處理位置時(shí)晶片的傳送狀況示意圖； 圖2為提升位置一處理位置期間晶片升降銷的受力示意圖； 圖3為晶片升降銷被散熱器卡住狀態(tài)的示意圖； 圖4A為本實(shí)用新型一種晶片升降銷的優(yōu)選實(shí)施例示意圖； 圖4B為圖4A中加重裝置的縱剖面示意圖； 圖4C為圖4A中加重裝置有固定裝置一側(cè)的側(cè)視圖； 圖4D為圖4A中加重裝置的俯/仰視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
參照?qǐng)D4A，本實(shí)用新型提供一種晶片升降銷4，其包括升降銷本 體41，該升降銷本體為如圖所示的圖釘形狀，當(dāng)然其也可以是用于提升 晶片的任意結(jié)構(gòu)，不限于本實(shí)施例的表示；用于增加升降銷重力的加重裝 置42，為了達(dá)到加重的目的，該加重裝置42固定于升降銷本體41的下 部，其位置不會(huì)影響加熱器的上升，即當(dāng)升降銷4相對(duì)于加熱器5上下 運(yùn)動(dòng)時(shí)不會(huì)與加熱器5接觸，該加重裝置42的數(shù)量和材料可根據(jù)需要確 定，本實(shí)施例使用一個(gè)加重裝置42，該加重裝置42可以是任何適合的形 狀，例如圓柱形，方形，環(huán)形等等，在本實(shí)施例中，該加重裝置42為中 空的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，套在升降銷本體41上，該加重裝置42可以采用任何適合 的方式固定于升降銷本體41的下部，在本實(shí)例中，采用一個(gè)固定裝置421 將加重裝置從側(cè)部固定于升降銷本體41上，當(dāng)然該固定裝置也可以是兩 個(gè)或更多。該固定裝置421可以為任何具有固定功能的元件，本實(shí)施例中 采用的是螺栓。當(dāng)然固定方式也可以是其他合適的方式，例如粘接、焊接 等等。
圖4B-4D為圖4A中加重裝置42的示意圖。從以上附圖可以看到本 實(shí)施例一種晶片升降銷4的加重裝置42的結(jié)構(gòu)為環(huán)狀的中空結(jié)構(gòu)，為了 與升降銷本體41相匹配，該加重裝置42的內(nèi)環(huán)面的直徑d與升降銷本體 41的外徑基本相同，為了節(jié)省材料，加重裝置42的外壁優(yōu)選為與內(nèi)壁平 行的圓柱狀。當(dāng)然，在不影響其與升降銷本體41相匹配的前提下，其外 壁可為任何適合的形狀。
當(dāng)然，本實(shí)用新型還可有其他實(shí)施例，在不背離本實(shí)用新型之精神及 實(shí)質(zhì)的情況下，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本實(shí)用新型作出各種相 應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求 的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種晶片升降銷，包括升降銷本體，其特征在于，還包括加重裝置，該加重裝置固定于升降銷本體的下部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片升降銷，其特征在于，該加重裝 置的結(jié)構(gòu)為與晶片升降銷相匹配的中空的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種晶片升降銷，其特征在于，該加 重裝置還包括固定裝置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶片升降銷，其特征在于，該加重裝 置由固定裝置從側(cè)部固定于晶片升降銷上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種晶片升降銷，其特征在于，該固定裝 置為螺釘或螺栓。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于在機(jī)臺(tái)內(nèi)工藝處理腔中提升晶片位置的晶片升降銷，其包括升降銷本體及加重裝置，該加重裝置固定于升降銷本體的下部。采用本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)，可以確保在一個(gè)PM周期內(nèi)晶片升降銷相對(duì)于加熱器能夠順暢地滑動(dòng)而不被卡在加熱器內(nèi)，從而提高了產(chǎn)品的合格率，減少了工藝處理腔的PM次數(shù)，進(jìn)而降低成本。
文檔編號(hào)H01L21/67GK201199519SQ20082011420
公開日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2008年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月23日
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