專利名稱：一種靶盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體產(chǎn)品制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種靶盤。背景技術(shù)：
在硅片的制作過(guò)程中，需要將硅片放置在靶盤中對(duì)硅片進(jìn)行離子注入。目 前，靶盤一般是壓片式靶盤，其基本結(jié)構(gòu)一般包含底座，底座可放置硅片，底 座上安裝有四個(gè)固定柱，所述固定柱分四個(gè)角分散布置在硅片外圓切點(diǎn)處，用 于對(duì)放置到底座的硅片進(jìn)行定位。所述底座上還設(shè)有一壓緊件，該壓緊件與底 座轉(zhuǎn)動(dòng)連接，通過(guò)下壓臂將放置到底座的硅片壓緊。
上述壓片式靶盤的缺點(diǎn)在于，壓片式靶盤是通過(guò)下壓臂將硅片壓緊的，在
注入過(guò)程時(shí)容易碎片，多則一盤碎7、 8片，少則3、 4片，硅片損壞較多，芯 片成品率低。此外，下壓臂伸出的部分遮蓋著硅片邊緣，導(dǎo)致靶盤注入之后有2 至3毫米左右邊緣區(qū)域得不到注入，進(jìn)一步降低了芯片成品率低。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種靶盤，以達(dá)到提高硅片芯片成品率的目的。 為達(dá)到上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型提出以下的技術(shù)方案
一種靶盤，包含底座以及安裝于底座上的固定柱，所述底座一側(cè)設(shè)有空槽， 所述空槽內(nèi)設(shè)有從硅片外側(cè)將硅片壓緊在所述固定柱上的壓緊件，所述壓緊件 將硅片與固定柱所述壓緊件包括連接桿、壓片簧、卡桿及卡桿彈性件；所述連 接桿置于空槽中，所述連接桿的兩端與底座相連，所述壓片簧與卡桿呈一角度 以連接桿為軸設(shè)于連接桿上，所述連接桿上還設(shè)有與卡桿相連的卡桿彈性件。
其中，所述卡桿呈數(shù)字"7"的形狀。
其中，所述卡桿桿體外包裹有柔性材料層。
其中，所述柔性材料層為塑膠層。
3其中，所述卡桿桿體由柔性材料制成。
其中，所述卡桿頭部設(shè)有一金屬套。 其中，所述卡桿彈性件為扭簧。
從以上技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型在原靶盤結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，于空槽處 設(shè)置一卡緊件代替壓緊件來(lái)將硅片固定。該卡緊件包含連接桿、壓片簧、卡桿 和卡桿彈性件，卡桿彈性件為卡桿提供向內(nèi)的力，卡桿以連接桿為軸轉(zhuǎn)動(dòng)，從 硅片的邊緣外側(cè)卡緊硅片，避免直接壓在硅片的正面，降低了硅片碎片的情況， 且注入時(shí)沒(méi)有盲區(qū)，全片都可以均勻注入，提高了芯片成品率。
此外，本實(shí)用新型使用靈活，搡作簡(jiǎn)單，維修方便，且其卡緊件設(shè)置在底 座的空槽處，不改變?cè)邪斜P的結(jié)構(gòu)，改造成本低，易于推廣。


圖i為本實(shí)用新型卡片式靶盤的結(jié)構(gòu)圖； 圖2為本實(shí)用新型中卡緊件的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述。 實(shí)施例一
如圖1所示，在本實(shí)施例中，靶盤包含底座1以及安裝于底座l上的固定
柱2,所述底座一側(cè)設(shè)有空槽3，所述空槽3內(nèi)設(shè)有從硅片外側(cè)將硅片壓緊在所 述固定柱上的壓緊件4，壓緊件4與固定柱2配合，將放置到底座l的硅片壓往 固定柱2，從而將硅片壓緊在底座l上。 '
如圖2所示，所述壓緊件4包括連接桿4.1、壓片簧4.2、卡桿4.3及卡桿 彈性件4.4。所述連接桿4.1置于空槽3中，兩端與底座l相連。所述壓片簧 4. 2、卡桿4. 3及卡桿彈性件4. 4均設(shè)置在連接桿4. 1上。壓片簧4. 2與卡桿4. 3 相連并可以連接桿4. 1為軸轉(zhuǎn)動(dòng)?？U彈性件4. 4向卡桿4. 3提供向底座1的 彈力。壓片簧4. 2與卡桿4. 3呈一角度設(shè)置，壓下壓片簧4. 2可以使卡桿4. 3 克服卡桿彈性件4.4的彈力作用向遠(yuǎn)離底座1的方向移動(dòng)，從而可以放置或取
4出珪片。
其中，所述卡桿彈性件4.4可以是扭簧，也可以是其它可以提供彈力的彈 性裝置。
實(shí)施例二
在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例還對(duì)卡緊件4進(jìn)行了優(yōu)化。在本實(shí)施例中， 所述卡桿4. 3可以設(shè)計(jì)成數(shù)字"7"的形狀，卡桿下部可以從空槽3向外伸出， 直至硅片外側(cè)，以將底座1上放置的硅片卡緊。從硅片外側(cè)卡緊可以減少對(duì)硅 片的正面壓力，降低碎片率。
進(jìn)一步，所述卡桿4. 3頭部還可以設(shè)置一個(gè)金屬套4. 3. 1，從而起到更好的 固定作用，還可以直接撥動(dòng)該金屬套4. 3. 1來(lái)張開卡桿4. 3。
進(jìn)一步，還可以在所述卡桿4. 3的桿體4. 3. 2外包裹有柔性材料層，甚至 卡桿4. 3的桿體4. 3. 2由具有一定硬度的柔性材料制成，例如硬橡膠等等，以 增加卡桿4. 3與硅片之間的柔韌性，避免卡桿4. 3過(guò)硬而磨損硅片。
其中，上述柔性材料可以采用塑膠或塑料等柔性材料。 工作過(guò)程
1、 裝片時(shí)，壓下壓片簧4.2，卡桿4.3克服卡桿彈性件4.4的彈力作用松 開，裝入硅片?？U4.3在卡桿彈性件4.4的彈力作用下自動(dòng)將硅片推入并壓 緊。
2、 取片時(shí)，壓下壓片簧4.2，卡桿4.3克服卡桿彈性件4.4的彈力作用松 開，取出硅片。
3、 靶盤整盤裝完之后即可進(jìn)行注入操作。
在本實(shí)用新型中，卡桿4. 3以連接桿4. 1為軸轉(zhuǎn)動(dòng)，從硅片的邊緣外側(cè)卡 緊硅片，避免直接壓在硅片的正面，降低了硅片碎片的情況，且注入時(shí)沒(méi)有盲 區(qū)，全片都可以均勻注入，提高了芯片成品率。此外，本實(shí)用新型使用靈活，操作簡(jiǎn)單，維修方便，且其卡緊件設(shè)置在底 座的空槽處，不改變?cè)邪斜P的結(jié)構(gòu)，改造成本低，易于推廣。
以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和 詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是， 對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以 做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型 專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1、一種靶盤，包含底座以及安裝于底座上的固定柱，所述底座一側(cè)設(shè)有空槽，其特征在于所述空槽內(nèi)設(shè)有從硅片外側(cè)將硅片壓緊在所述固定柱上的壓緊件，所述壓緊件包括連接桿、壓片簧、卡桿及卡桿彈性件；所述連接桿置于空槽中，所述連接桿的兩端與底座相連，所述壓片簧與卡桿呈一角度以連接桿為軸設(shè)于連接桿上，所述連接桿上還設(shè)有與卡桿相連的卡桿彈性件。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種靶盤，其特征在于，所述卡桿呈數(shù)字"7" 的形狀。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種靶盤，其特征在于，所述卡桿桿體外包裹有 柔性材料層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種靶盤，其特征在于，所述柔性材料層為塑膠層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種靶盤，其特征在于，所述卡桿桿體由柔性材 料制成。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的一種靶盤，其特征在于，所述卡桿 頭部設(shè)有一金屬套。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的一種靶盤，其特征在于，所述卡桿 彈性件為扭簧。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種靶盤，包含底座以及安裝于底座上的固定柱，所述底座一側(cè)設(shè)有空槽，所述空槽內(nèi)設(shè)有從硅片外側(cè)將硅片壓緊在所述固定柱上的的壓緊件，所述壓緊件包括連接桿、壓片簧、卡桿及卡桿彈性件；所述連接桿橫貫于空槽間，所述壓片簧與卡桿呈一角度以連接桿為軸設(shè)于連接桿上，所述連接桿上還設(shè)有與卡桿相連的卡桿彈簧。所述卡桿呈數(shù)字“7”的形狀。在本實(shí)用新型中，卡桿以連接桿為軸轉(zhuǎn)動(dòng)，從硅片的邊緣外側(cè)卡緊硅片，避免直接壓在硅片的正面，降低了硅片碎片的情況，且注入時(shí)沒(méi)有盲區(qū)，全片都可以均勻注入，提高了芯片成品率。此外，本實(shí)用新型使用靈活，操作簡(jiǎn)單，維修方便，且其卡緊件設(shè)置在底座的空槽處，不改變?cè)邪斜P的結(jié)構(gòu)，改造成本低，易于推廣。
文檔編號(hào)H01L21/67GK201247756SQ200820095690
公開日2009年5月27日 申請(qǐng)日期2008年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月21日
發(fā)明者李泉水 申請(qǐng)人:深圳深愛(ài)半導(dǎo)體有限公司