專利名稱：?jiǎn)蜗嘀悄軓?fù)合開關(guān)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種執(zhí)行開關(guān)，特別是涉及一種用于低壓配電網(wǎng)上的智能復(fù)合開關(guān)。
背景技術(shù)：
由于0.4KV低壓配電網(wǎng)無(wú)功補(bǔ)償設(shè)備投資少、節(jié)能效果顯著、市場(chǎng)需求量大、涉及面 廣，所以該領(lǐng)域的無(wú)功補(bǔ)償技術(shù)和設(shè)備的推廣和應(yīng)用，歷來(lái)倍受各級(jí)政府、電力管理部門、 廣大電力用戶、設(shè)備制造廠家的高度重視和關(guān)注。此設(shè)備中特別關(guān)鍵的單元為投切開關(guān)， 過去人們用的產(chǎn)品投切響應(yīng)速度慢，易產(chǎn)生投切震蕩，投切過程中產(chǎn)生過電壓、大涌流， 觸點(diǎn)打火燒結(jié)，致使開關(guān)和電容器的使用壽命比較短，近幾年市場(chǎng)出現(xiàn)一種較先進(jìn)的投切 開關(guān)它由熔斷器、交流接觸器、熱繼電器和雙向晶閘管組成，可以實(shí)現(xiàn)過零無(wú)觸點(diǎn)投切， 投切過程無(wú)過電壓、涌流小甚至無(wú)涌流，延長(zhǎng)了電容器和開關(guān)的使用壽命，也能滿足易燃 易爆等特殊場(chǎng)合的使用要求(如煤礦、加油站等場(chǎng)合不允許開關(guān)器件有火花產(chǎn)生)。但是 價(jià)格昂貴，電路復(fù)雜，接線不便， 一般用戶難以接受。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型是針對(duì)現(xiàn)用的投切開關(guān)投切響應(yīng)速度慢，不可以頻繁操作，投切過程中產(chǎn) 生過電壓、大涌流，觸點(diǎn)打火燒結(jié)，致使開關(guān)和電容器的使用壽命比較短，而好的投切開 關(guān)又價(jià)格昂貴、使用不便的現(xiàn)狀而提供一種高性價(jià)比、使用方便的單相智能復(fù)合開關(guān)，它 具功能先進(jìn)、接線簡(jiǎn)單、配置靈活、節(jié)約成本、可配套選擇使用的優(yōu)勢(shì)。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案為 一種單相智能復(fù)合開關(guān)，其特點(diǎn)是此復(fù)合開關(guān)由時(shí)序控 制單元、快速可控硅、大功率二極管、大功率磁保護(hù)繼電器、過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊五個(gè) 單元組成，快速可控硅，大功率二極管，大功率磁保護(hù)繼電器，和過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊 四個(gè)單元并聯(lián)連接，其中快速可控硅和大功率二極管為反并聯(lián)，快速可控硅、大功率磁保 持繼電器和過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊的控制動(dòng)作信號(hào)來(lái)自于控制單元，控制單元信號(hào)來(lái)自外 部控制器。
本實(shí)用新型由于采用了電力電子、繼電器復(fù)合使用技術(shù)，不但開關(guān)性能、可靠性大 大提高，體積大大減小，而且開關(guān)的制造成本大為降低，使得該模塊容易滿足一般消費(fèi)者 的需求，降低了客戶使用門檻，還可以方便地和其它廠家的電容器配套使用，具有功能先 進(jìn)、接線簡(jiǎn)單、配置靈活、節(jié)約成本的優(yōu)點(diǎn)，是傳統(tǒng)無(wú)功補(bǔ)償回路中部分功能器件組合的理想換代產(chǎn)品。 .

圖1是本實(shí)用新型單相智能復(fù)合開關(guān)原理圖。
具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一歩闡述本實(shí)用新型。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說明本 實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實(shí)用新型講授的內(nèi)容 之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申 請(qǐng)所附權(quán)利要求書所限定的范圍。
如圖1所示一種單相智能復(fù)合開關(guān)，輸入為I，輸出0，智能復(fù)合開關(guān)由控制單元1 快速可控硅2、大功率二極管3、大功率磁保護(hù)繼電器4、過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊5五個(gè)單 元組成，快速可控硅2、大功率二極管3、大功率磁保護(hù)繼電器4、過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊 5四個(gè)單元并聯(lián)連接，其中快速可控硅2和大功率二極管3為反并聯(lián)，快速可控硅2、大 功率磁保持繼電器4和過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊5的控制端接控制單元，i叩ut信號(hào)來(lái)自外 接的控制器。
單相智能復(fù)合開關(guān)采用國(guó)內(nèi)先進(jìn)的快速可控硅、大功率二極管、大功率磁保持繼電器 復(fù)合使用技術(shù)，既充分利用了可控硅快速導(dǎo)通和關(guān)斷并且能夠耐受大電流和大電壓沖擊的 特性，實(shí)現(xiàn)等電壓或零電壓投入，電流過零切除的功能，又利用磁保持繼電器工作狀態(tài)下 無(wú)功耗的優(yōu)點(diǎn)。避免了可控硅作為純粹開關(guān)長(zhǎng)時(shí)間通電、內(nèi)部結(jié)溫升高可能損壞的發(fā)生。 大量實(shí)踐證明國(guó)產(chǎn)晶閘管芯片KP50系列作為投切單臺(tái)20Kvar/450V以下，額定電流25. 7A 以下電容器的開關(guān)使用，其具備投切時(shí)間短(幾百微秒級(jí))，耐壓1500V以上、耐電流沖 擊940A的技術(shù)參數(shù)，完全能夠滿足要求而且綽綽有余了。所以此類開關(guān)在制造技術(shù)上是 完全可行的、使用功能是完全可以滿足的。智能復(fù)合開關(guān)除了具備同類產(chǎn)品過零觸發(fā)電路 外，還增加了過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊可控硅導(dǎo)通檢測(cè)電路和可控硅過電壓、擊穿保護(hù)電 路，保證過零觸發(fā)可控硅并且完全導(dǎo)通的前提下，再吸合磁保持繼電器，防止可控硅觸 發(fā)未導(dǎo)通情況下吸合磁保持繼電器，燒粘觸點(diǎn)造成電容器切不下來(lái)的嚴(yán)重后果。保護(hù)技術(shù) 的采用大大提高了智能復(fù)合開關(guān)使用的可靠性和安全性，這是其它同類產(chǎn)品所不具備的功 能。另外智能復(fù)合開關(guān)采用可控硅管和二極管反并聯(lián)組成的主電路(同類產(chǎn)品為雙晶閘管 反并聯(lián))使得電容兩端的電壓能動(dòng)地跟蹤電網(wǎng)的最高電壓變化而變化，有效防止雙晶閘管 反并聯(lián)造成的電容充電電壓下降，減少晶閘管誤導(dǎo)通投入電容時(shí)所產(chǎn)生的沖擊電流，保護(hù) 了電容器和開關(guān)，延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽。
權(quán)利要求1、一種單相智能復(fù)合開關(guān)，其特征在于，此復(fù)合開關(guān)由時(shí)序控制單元(1)、快速可控硅(2)、大功率二極管(3)、大功率磁保護(hù)繼電器(4)、過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊(5)五個(gè)單元組成；快速可控硅(2)，大功率二極管(3)，大功率磁保護(hù)繼電器(4)，和過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊(5)四個(gè)單元并聯(lián)連接，其中快速可控硅(2)和大功率二極管(3)為反并聯(lián)；快速可控硅(2)，大功率磁保持繼電器(4)，過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊(5)的控制動(dòng)作信號(hào)來(lái)自于時(shí)序控制單元(1)，控制單元(1)信號(hào)來(lái)自于外部控制器。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種單相智能復(fù)合開關(guān)，其特點(diǎn)是此復(fù)合開關(guān)由時(shí)序控制單元、快速可控硅、大功率二極管、大功率磁保護(hù)繼電器、過零測(cè)控過壓保護(hù)模塊五個(gè)單元組成。本實(shí)用新型采用了電力電子、繼電器復(fù)合使用技術(shù)，不但開關(guān)性能、可靠性大大提高，體積大大減小，而且開關(guān)的制造成本大為降低，使得該模塊容易滿足一般消費(fèi)者的需求，還可以方便地和其它廠家的電容器配套使用。
文檔編號(hào)H01H9/54GK201191573SQ200820058149
公開日2009年2月4日 申請(qǐng)日期2008年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月7日
發(fā)明者勁 張, 澎 張 申請(qǐng)人:南通富士特電力自動(dòng)化有限公司