專利名稱：發(fā)光體的制作方法
技術領域：
本實用新型為一種發(fā)光體，特別指一種能改善發(fā)光體散熱效果的發(fā)光體。
背景技術：
各種光源的需求促使發(fā)光二極管的產能大增，但是制造發(fā)光二極管的廠商 多以提升發(fā)光效能的技術為優(yōu)先導向，對于其應用及制作過程的層次并沒有顯
著的貢獻。如圖l所示，傳統的發(fā)光二極管i將導電支架io沖壓成型后，將發(fā) 光芯片11置于導電支架的碗形載體ioi中，再置于適配的模具注入絕緣樹脂經 高溫長時間烘干封合成型，借封膠樹脂12固定導電支架IO及發(fā)光芯片11。
上述發(fā)光二極管1的成型過程中，必須經由導電支架IO的成型技術，及高 溫定形封膠樹脂12等制作過程，才能使發(fā)光二極管1獲得利用，但是其中導電 支架10的成型技術煩瑣，例如沖壓、拋光、電鍍等處理，造成材料、電能的浪 費，及制造廢料與電鍍污染等問題，且封膠樹脂12烘干的時間過長也不利于加 速產能。
特別是發(fā)光二極管1除單一利用外，實際的應用層面中，為應發(fā)光亮度 的需求，發(fā)光二極管的使用數量多半不只一顆，例如發(fā)光面板，是以兩個或兩 個以上發(fā)光二極管通過串/并接而提供光源，如圖2所示，將每一個發(fā)光二極 管1的導電支架10插接于適配的電路板13上，以多數個發(fā)光二極管l支持所 要達到的發(fā)光亮度。
上述公知這種單顆設計的發(fā)光二極管在使用時不僅不利于保存，易造成遺 失，其外露的導電支架IO結構過于單薄更易遭折斷或破壞，而且要增加發(fā)光亮 度時必須以單顆逐一插件方式通過電路板13串/并接，也不利于搡作。
再者，發(fā)光芯片11因技術提升及亮度的需求，使產生的功率大增而伴隨著
熱能增加，若無法有效解決散熱的問題，對于后端的應用將產生嚴重阻礙。
實用新型內容
有鑒于此，本實用新型的主要目的在于提供一種發(fā)光體，該發(fā)光體可以同 時包含兩個或兩個以上發(fā)光芯片， 一次滿足預定的發(fā)光亮度，而且制作過程簡 易快速，適于產業(yè)的利用。同時，本實用新型的發(fā)光體較公知技術具有更佳的 散熱效果，以支持大功率的后端應用。
為達到上述目的，本實用新型的技術方案是這樣實現的本實用新型的發(fā) 光體包括發(fā)光芯片、載有所述發(fā)光芯片散熱體及導電體，所述散熱體表面具有 能嵌入所述導電體的定位槽，在所述散熱體及所述定位槽的表面經氧化處理形
連接，并通過所述導電體與外部電源導通。
本實用新型的發(fā)光體可以同時包括兩個或兩個以上發(fā)光芯片以支持高亮度 及混光的需求，而且制作過程簡易快速，適于產業(yè)的利用，特別是所述發(fā)光芯 片與散熱體借實質接觸可以加強散熱的效果。


圖1為公知的發(fā)光二極管結構的剖面示意圖； 圖2為公知發(fā)光二極管的使用狀態(tài)的示意圖； 圖3為本實用新型的發(fā)光體分解立體分解示意圖； 圖4為本實用新型中第一實施例的發(fā)光體結構的剖面示意圖； 圖5為本實用新型中第二實施例的發(fā)光體結構的剖面示意圖； 圖6為本實用新型中第三實施例的發(fā)光體結構的立體示意圖。
附圖標記說明
發(fā)光二極管 1 導電支架 10
發(fā)光芯片 11 碗形載體 101
封膠樹脂 12 電路板
發(fā)光芯片 20 散熱體
導電體 22 定位槽
絕緣層 211 保護層
導電介質 30
具體實施方式
請參照圖3~圖5，本實用新型的發(fā)光體可以包括一個、或同時包括兩個或 兩個以上發(fā)光芯片20,散熱體21,以及兩個或兩個以上導電體22; 所述散熱體21可用鋁金屬為實體，具有較佳的熱傳導特性； 所述導電體22可為銅板，或銅條，根據使用環(huán)境所需而決定； 其中，散熱體21的表面具有預定要嵌入導電體22的定位槽210，操作時， 所述導電體22的形狀與尺寸兼容于散熱體21的定位槽210，直接以嵌入方式 緊迫于所述定位槽210中；
在包括散熱體21及所屬定位槽210的表面預先經氧化處理而構成預定厚度 的絕緣層211,散熱體21若為鋁金屬，則絕緣層211為氧化鋁(Aluminiumoxide ); 發(fā)光芯片20載于所述散熱體21上,并與散熱體21實質接觸加強散熱效果。 如圖4所示，為本實用新型中第一實施例的發(fā)光體結構的剖面示意圖，發(fā) 光芯片20位于導電體22之間的散熱體21上，該發(fā)光芯片21的電極接點(圖 未表示)與導電體22之間以導電介質30構成電性連接，并在包括發(fā)光芯片20 及連接的導電介質30表層以膠或樹脂連續(xù)涂布有保護層23,再通過導電體22 與外部電源導通后點亮發(fā)光芯片20產生光源。
參閱圖5，為本實用新型中第二實施例的發(fā)光體結構的剖面示意圖，發(fā)光 芯片20置于其中之一的導電體22上方，使發(fā)光芯片20的一個電極接點與該導 電體22直接接觸導電，發(fā)光芯片20的另一個電極接點與另一導電體22以導電 介質30構成電性連接。
圖6為本實用新型中第三實施例的發(fā)光體結構的立體示意圖，散熱體21
13 21 210 23
為柱狀，兩個或兩個以上發(fā)光芯片20分布在散熱體21的表面，通過導電介質
30構成串聯再連結于嵌入在定位槽210的導電體22,這樣的發(fā)光體可以作為燈 芯，提供廣角的光源。
相較于公知技術，本實用新型的發(fā)光體可以同時包括兩個或兩個以上發(fā)光 芯片以支持高亮度及混光的需求，而且制作過程簡易快速，適于產業(yè)的利用， 特別是所述發(fā)光芯片與散熱體借實質接觸可以加強散熱的效果。
以上所述，僅為本實用新型的較佳實施例而已，并非用于限定本實用新型 的保護范圍。
權利要求1、一種發(fā)光體，其特征在于，其包括發(fā)光芯片、載有所述發(fā)光芯片的散熱體及導電體，所述散熱體表面具有能嵌入所述導電體的定位槽，在所述散熱體及所述定位槽的表面經氧化處理形成有絕緣層；所述發(fā)光芯片與所述導電體之間以導電介質構成電性連接，并通過所述導電體與外部電源導通。
2、 如權利要求i所述的發(fā)光體，其特征在于，所述散熱體為鋁，所述導電 體為銅。
3、 如權利要求l或2所述的發(fā)光體，其特征在于，所述導電體的形狀與尺 寸與所述散熱體的定位槽相容，所述導電體直接緊迫嵌入所述定位槽中。
4、 如權利要求2所述的發(fā)光體，其特征在于，所述絕緣層為氧化鋁。
5、 如權利要求l或2所述的發(fā)光體，其特征在于，所述發(fā)光芯片及連接的 所述導電介質表層連續(xù)涂布有保護層。
6、 如權利要求5所述的發(fā)光體，其特征在于，所述保護層為膠或樹脂。
7、 如權利要求1或2所述的發(fā)光體，其特征在于，所述散熱體呈柱狀。
8、 如權利要求l或2所述的發(fā)光體，其特征在于，所述發(fā)光芯片直接置于 所述其中之一的導電體上方并直接電性連接，所述發(fā)光芯片與所述另一導電體 由導電介質構成電性連接。
專利摘要本實用新型公開了一種發(fā)光體，包括發(fā)光芯片、載有所述發(fā)光芯片的散熱體及導電體，所述散熱體表面具有能嵌入導電體的定位槽，包括散熱體及所屬定位槽的表面經氧化處理形成有絕緣層；所述發(fā)光芯片與所述導電體之間以導電介質構成電性連接，并通過所述導電體與外部電源導通。借發(fā)光芯片與散熱體的實質接觸而加強散熱效果，并且制作過程簡易快速，適于產業(yè)利用。
文檔編號H01L23/367GK201185193SQ20082000784
公開日2009年1月21日 申請日期2008年3月19日 優(yōu)先權日2008年3月19日
發(fā)明者黃巧恩 申請人:黃巧恩