專利名稱：：一次性可編程存儲(chǔ)器、制造及編程讀取方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域，尤其涉及一次性可編程存儲(chǔ)器、制造及編程讀取方法。
背景技術(shù)：
：目前，基于邏輯工藝的一次性可編程存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)主要采用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，利用晶體管的柵氧層的可擊穿特性來進(jìn)行數(shù)據(jù)編程。這種一次性可編程存儲(chǔ)器的每個(gè)單元都包括兩個(gè)晶體管，其中一個(gè)晶體管是用于輸入輸出的厚柵氧層晶體管，由于其柵氧層較厚，因此具有較高的耐壓性能；另一個(gè)晶體管是用于芯片內(nèi)部電路的薄柵氧層晶體管，由于其柵氧層較薄，因此很容易在較低的電壓下被擊穿。由于厚柵氧層晶體管具備選通特性，薄柵氧層晶體管具備可擊穿電容特性，因此，這種電路結(jié)構(gòu)也稱為包括一個(gè)選通晶體管和一個(gè)可擊穿電容(1T1C)的電路結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)器，由于編程電壓較高，需要選通管具有較高的耐壓性能，但由于厚柵氧層晶體管的面積相對(duì)較大，使得每個(gè)存儲(chǔ)單元的面積也比較大，因此，造成制造成本的增加和集成度的降低。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種一次性可編程存儲(chǔ)器、制造及編程讀取方法，達(dá)到提供具有存儲(chǔ)單元面積小，集成度高，能夠隨工藝的發(fā)展而進(jìn)一步提高集成度，基于現(xiàn)有邏輯工藝，無需增加特殊工藝、具有高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)穩(wěn)定性和可靠性的一次性可編程存儲(chǔ)器。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供了一種半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)器，所述半晶體管包括由多晶硅層、柵氧層、離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容；由離子注入?yún)^(qū)與重?fù)诫s區(qū)形成的二極管；所述可編程電容與所述二極管串聯(lián)連接；其中，所述離子注入?yún)^(qū)位于與其緊鄰的絕緣層上；所述多晶硅層與字線相連接，所述重?fù)诫s區(qū)與位線相連接。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)特征，所述半晶體管包括隔離溝槽，用于將所述離子注入?yún)^(qū)隔離；其中，所述隔離溝槽深入至所述絕緣層。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)特征，所述半晶體管包括所述離子注入?yún)^(qū)的摻雜濃度小于所述重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)特征，所述離子注入?yún)^(qū)包括n型或p型離子注入?yún)^(qū)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)特征，所述重?fù)诫s區(qū)包括n型或p型重?fù)诫s區(qū)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)特征，所述柵氧層與所述重?fù)诫s區(qū)之間保持預(yù)定距離。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)特征，所述絕緣層包括氧化硅層或藍(lán)寶石層。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供了一種半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)器的制造方法，包括以下步驟生成隔離溝槽，其中隔離溝槽深入至襯底上的絕緣層；在絕緣層上形成離子注入?yún)^(qū)；在離子注入?yún)^(qū)上生成柵氧層；在柵氧層上生成多晶硅層；在離子注入?yún)^(qū)內(nèi)形成重?fù)诫s區(qū)；其中，多晶硅層、薄柵氧層、離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容；離子注入?yún)^(qū)與重?fù)诫s區(qū)形成二極管；可編程電容和二極管串聯(lián)連接。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)特征，所述隔離溝槽，用于將所述離子注入?yún)^(qū)隔離；其中，所述隔離溝槽深入至所述絕緣層。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另-的摻雜濃度。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另-根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另-根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另離。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另-根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另-的編程方法，所述半晶體管包括由多晶硅層、柵氧層、離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容；由離子注入?yún)^(qū)與重?fù)诫s區(qū)形成的二極管；所述可編程電容與所述二極管串聯(lián)連接；其中，所述離子注入?yún)^(qū)位于與其緊鄰的絕緣層上；所述多晶硅層與字線相連接，所述重?fù)诫s區(qū)與位線相連接；所述編程方法包括在字線上施加第一電壓，在位線上施加第二電壓，將可編程電容擊穿形成導(dǎo)通電阻，并使二極管導(dǎo)通。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)特征，所述第一電壓與所述第二電壓的差值為能夠?qū)⑺隹删幊屉娙輷舸┑碾妷褐?。根?jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供了一種半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)器的讀取方法，所述半晶體管包括由多晶硅層、柵氧層、離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容；由離子注入?yún)^(qū)與重?fù)诫s區(qū)形成的二極管；所述可編程電容與所述二極管串聯(lián)連接；其中，所述離子注入?yún)^(qū)位于與其緊鄰的絕緣層上；個(gè)特征，所述離子注入?yún)^(qū)的摻雜濃度小于所述重?fù)诫s區(qū)個(gè)特征，所述離子注入?yún)^(qū)包括n型或p型離子注入?yún)^(qū)。個(gè)特征，所述重?fù)诫s區(qū)包括n型或p型重?fù)诫s區(qū)。-個(gè)特征，所述柵氧層與所述重?fù)诫s區(qū)之間保持預(yù)定距個(gè)特征，所述絕緣層包括氧化硅層或者藍(lán)寶石。'方面，提供了一種半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)器5所述多晶硅層與字線相連接，所述重?fù)诫s區(qū)與位線相連接；所述讀取方法包括在字線上施加第三電壓，在位線上施加第四電壓，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示可編程電容被擊穿形成電阻，二極管導(dǎo)通，輸出為邏輯"l";否則，表示可編程電容未被擊穿，輸出邏輯"o"。本發(fā)明所述的一次性可編程存儲(chǔ)器、制造及編程讀取方法，達(dá)到的有益效果如下1.由于采用半晶體管結(jié)構(gòu)，因此，該一次性可編程存儲(chǔ)單元只占用半個(gè)晶體管的面積，從而減小了存儲(chǔ)單元面積，提高了集成度；2.由于基于現(xiàn)有邏輯工藝制造，因此該一次性可編程存儲(chǔ)單元可以隨工藝特征尺寸等比例縮小，使該一次性可編程存儲(chǔ)器的集成度隨工藝的發(fā)展而進(jìn)一步提高；3.由于無需增加特殊工藝、因此該一次性可編程存儲(chǔ)單元可以直接嵌入到S0C芯片中；4.由于編程時(shí)可編程電容擊穿區(qū)域集中在離子注入?yún)^(qū)，因此保證晶體管的重?fù)诫s區(qū)不受擊穿電壓影響，因而提高了一次性編程存儲(chǔ)器的可靠性。5.由于采用絕緣層替代傳統(tǒng)體硅工藝的反型阱，并且通過絕緣層和隔離溝槽有效隔離離子注入?yún)^(qū)，不但提高了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的穩(wěn)定性和可靠性，而且進(jìn)一步減小了存儲(chǔ)單元面積。圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的視圖；視圖；視圖；視圖；視圖；視圖；視圖；視圖；視圖；次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部俯次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部俯次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部俯次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部俯次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)圖10為本發(fā)明第五實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的-圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的-圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的-圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的-圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的-圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的-圖8為本發(fā)明第四實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的-圖9為本發(fā)明第五實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的-俯視圖；圖11為本發(fā)明第六實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；圖12為本發(fā)明第七實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；圖13為本發(fā)明第八實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；圖14為本發(fā)明第九實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；圖15A為本發(fā)明第一、三、五、六、八實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的等效電路原理圖；圖15B為本發(fā)明第一、三、五、六、八實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元編程擊穿后的等效電路原理圖；圖16為本發(fā)明第一、三、五、六、八實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部示意圖；圖17A為本發(fā)明第二、四、七、九實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的電路原理圖；圖17B為本發(fā)明第二、四、七、九實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元編程擊穿后的等效電路原理圖；圖18為本發(fā)明第二、四、七、九實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部示意圖。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施例。實(shí)施例一圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖1中包括多晶硅層101、薄柵氧層102、p型離子注入?yún)^(qū)103、n型重?fù)诫s區(qū)104、淺隔離溝槽105、n型阱106和p型襯底107。多晶硅層101下接于薄柵氧層102、薄柵氧層102下接于p型離子注入?yún)^(qū)103，p型離子注入?yún)^(qū)103位于n型阱106內(nèi)，重?fù)诫s區(qū)104位于P型離子注入?yún)^(qū)103中；多晶硅層101與字線(WL，WordLine)相連接，n型重?fù)诫s區(qū)104與位線(BL，BitLine)相連接。薄柵氧層102與p型離子注入?yún)^(qū)103連接。薄柵氧層102與n型重?fù)诫s區(qū)104之間保持預(yù)定距離。其中，多晶硅層101、薄柵氧層102、p型離子注入?yún)^(qū)103形成可編程電容，p型離子注入?yún)^(qū)103與n型重?fù)诫s區(qū)104形成二極管。淺隔離溝槽105用于將p型離子注入?yún)^(qū)103隔離，其中，淺隔離溝槽105的深度大于p型離子注入?yún)^(qū)103的深度。p型離子注入?yún)^(qū)103的摻雜濃度大于n型阱106的摻雜濃度但是小于n型重?fù)诫s區(qū)104的摻雜濃度。下面介紹本發(fā)明第一實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的制造方法，具體步驟如下步驟IOIS，按照掩膜圖形生成淺隔離溝槽；步驟102S，在p型襯底上形成n阱；步驟103S，在n阱內(nèi)形成p型離子注入?yún)^(qū)；步驟104S，在p型離子注入?yún)^(qū)上生成柵氧層；步驟105S，在柵氧層上生成多晶硅層；步驟106S，在p型離子注入?yún)^(qū)內(nèi)進(jìn)行大劑量的n型離子注入形成n型重?fù)诫s區(qū)。上述步驟中，多晶硅層、柵氧層、p型離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，p型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成二極管。淺隔離溝槽的深度小于n阱的深度但大于p型離子注入?yún)^(qū)的深度，從而保證淺隔離溝槽能夠很好地隔離P型離子注入?yún)^(qū)，使得每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元之間的間距很小，從而減小一次性可編程存儲(chǔ)陣列占用的面積。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部俯視圖，圖2中，每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元包括多晶硅層201、金屬層202、接觸孔203、n型重?fù)诫s區(qū)204和p型離子注入?yún)^(qū)205。其中，多晶硅層201與字線WL1連接，與位線BL1連接的金屬層202經(jīng)接觸孔203與n型重?fù)诫s區(qū)204連接。表1為本發(fā)明第一實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的編程和讀取方法<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>表1表1中，擊穿電壓Vpp>2倍工作電壓Vdd，讀取電壓VMad《工作電壓Vdd編程過程在字線WL上施加擊穿電壓Vpp，在位線BL上施加OV電壓，即在n型重?fù)诫s區(qū)上施加OV電壓，從而將多晶硅層、薄柵氧層、p型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容擊穿，并使p型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)?。在O.13um的邏輯工藝下，擊穿電壓Vpp可選取的電壓值如6.5V，工作電壓Vdd可選取的電壓值如1.3V，讀取電壓Vread可選取的電壓值如0.8-1.3V。讀取過程在與字線WL上施加讀取電壓V，d，在位線BL上施加0V電壓，即在n型重?fù)诫s區(qū)上施加0V電壓，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示多晶硅層、薄柵氧層、p型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容被擊穿形成電阻，P型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)?，則輸出為邏輯"1";否則，表示多晶硅層、薄柵氧層、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容未被擊穿，輸出邏輯"0"。實(shí)施例二圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖3中包括多晶硅層301、薄柵氧層302、n型離子注入?yún)^(qū)303、p型重?fù)诫s區(qū)304、淺隔離溝槽305、p型阱306和p型襯底307。多晶硅層301下接于薄柵氧層302、薄柵氧層302下接于n型離子注入?yún)^(qū)303，n型離子注入?yún)^(qū)303位于p型阱306內(nèi)，p型重?fù)诫s區(qū)304位于n型離子注入?yún)^(qū)303中。多晶硅層301與字線WL相連接，p型重?fù)诫s區(qū)304與位線BL相連接。薄柵氧層302與n型離子注入?yún)^(qū)303連接。薄柵氧層302與p型重?fù)诫s區(qū)304之間保持預(yù)定距離。其中，多晶硅層301、薄柵氧層302、n型離子注入?yún)^(qū)303形成可編程電容，n型離子注入?yún)^(qū)303與p型重?fù)诫s區(qū)304形成二極管。淺隔離溝槽305用于將n型離子注入?yún)^(qū)303隔離，其中，淺隔離溝槽305的深度大于n型離子注入?yún)^(qū)303的深度。n型離子注入?yún)^(qū)303的摻雜濃度大于P型阱306的摻雜濃度但是小于p型重?fù)诫s區(qū)304的摻雜濃度。下面介紹本發(fā)明第二實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的制造方法，具體步驟如下步驟201S，按照掩膜圖形生成淺隔離溝槽；步驟202S，在p型襯底上形成p阱；步驟203S，在p阱內(nèi)形成n型離子注入?yún)^(qū)；步驟204S，在n型離子注入?yún)^(qū)上生成柵氧層；步驟205S，在柵氧層上生成多晶硅層；步驟206S，在n型離子注入?yún)^(qū)內(nèi)進(jìn)行大劑量的p型離子注入形成p型重?fù)诫s區(qū)。上述步驟中，多晶硅層、柵氧層、n型離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，n型離子注入?yún)^(qū)與P型重?fù)诫s區(qū)形成二極管。淺隔離溝槽的深度小于P阱的深度但大于n型離子注入?yún)^(qū)的深度，從而保證淺隔離溝槽能夠很好地隔離n型離子注入?yún)^(qū)，使得每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元之間的間距很小，從而減小一次性可編程存儲(chǔ)陣列占用的面積。圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部俯視圖，圖4中，每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元包括多晶硅層401、金屬層402、接觸孔403、p型重?fù)诫s區(qū)404和n型離子注入?yún)^(qū)405。其中，多晶硅層401與字線WL1連接，與位線BL1連接的金屬層402經(jīng)接觸孔403與p型重?fù)诫s區(qū)404連接。表2為本發(fā)明第二實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的編程和讀取方法<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>表2表2中，擊穿電壓Vpp>2倍工作電壓Vdd，讀取電壓V，d《工作電壓V,[Cms]編程過程在與字線WL上施加OV電壓，在位線BL上施加擊穿電壓Vpp，即在p型重?fù)诫s區(qū)上施加擊穿電壓Vpp，從而將多晶硅層、薄柵氧層、n型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容擊穿，并使P型重?fù)诫s區(qū)與n型離子注入?yún)^(qū)形成的二極管正向?qū)?。讀取過程在字線WL施加電壓OV電壓，在位線BL上施加讀取電壓V，d，即在p型重?fù)诫s區(qū)上施加讀取電壓V，d，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示多晶硅層、薄柵氧層、n型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容被擊穿形成電阻，P型重?fù)诫s區(qū)與n型離子注入?yún)^(qū)形成的二極管正向?qū)?，則輸出為邏輯"l";否則，表示多晶硅層、薄柵氧層、n型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容未被擊穿，輸出邏輯"O"。實(shí)施例三圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖5中包括多晶硅層501、薄柵氧層502、p型輕摻雜漏區(qū)503、n型重?fù)诫s區(qū)504、p型離子注入?yún)^(qū)505、淺隔離溝槽506、n型阱507和p型襯底508。多晶硅層501下接于薄柵氧層502、薄柵氧層502鄰接于p型輕摻雜漏區(qū)503，p型輕摻雜漏區(qū)503、n型重?fù)诫s區(qū)504位于p型離子注入?yún)^(qū)505中，p型離子注入?yún)^(qū)505位于n型阱507中。多晶硅層501與字線(WL，WordLine)相連接，n型重?fù)诫s區(qū)504與位線(BL，BitLine)相連接。薄柵氧層502與p型離子注入?yún)^(qū)505連接。10其中，多晶硅層501、薄柵氧層502、p型輕摻雜漏區(qū)503、p型離子注入?yún)^(qū)505形成可編程電容，P型離子注入?yún)^(qū)505與n型重?fù)诫s區(qū)504形成二極管。淺隔離溝槽505用于將P型離子注入?yún)^(qū)505隔離，其中，淺隔離溝槽505的深度大于p型離子注入?yún)^(qū)505的深度。p型離子注入?yún)^(qū)505的摻雜濃度大于n型阱507的摻雜濃度但是小于n型重?fù)诫s區(qū)504的摻雜濃度。下面介紹本發(fā)明第三實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的制造方法，具體步驟如下步驟301S，按照掩膜圖形生成淺隔離溝槽；步驟302S，在p型襯底上形成n阱；步驟303S，在n阱內(nèi)形成p型離子注入?yún)^(qū)；步驟304S，在p型離子注入?yún)^(qū)上生成柵氧層；步驟305S，在柵氧層上生成多晶硅層；步驟306S，在p型離子注入?yún)^(qū)進(jìn)行小劑量的p型離子注入形成p型輕摻雜漏區(qū)；步驟307S，在柵氧層和多晶硅層的兩側(cè)形成側(cè)墻(sidewall);步驟308S，在p型離子注入?yún)^(qū)內(nèi)進(jìn)行大劑量的n型離子注入形成n型重?fù)诫s區(qū)，由于側(cè)墻的阻擋，使離子注入?yún)^(qū)與側(cè)墻接觸的區(qū)域保留部分P型輕摻雜漏區(qū)，形成P型輕摻雜漏區(qū)。上述步驟中，多晶硅層、柵氧層、p型輕摻雜漏區(qū)、p型離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，P型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成二極管。淺隔離溝槽的深度小于n阱的深度但大于P型離子注入?yún)^(qū)的深度，從而保證淺隔離溝槽能夠很好地隔離P型離子注入?yún)^(qū)，使得每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元之間的間距很小，從而減小一次性可編程存儲(chǔ)陣列占用的面積。圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部俯視圖，圖6中，每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元包括多晶硅層601、金屬層602、接觸孔603、n型重?fù)诫s區(qū)604、p型輕摻雜漏區(qū)605和p型離子注入?yún)^(qū)606。其中，多晶硅層601與字線WL1連接，與位線BL1連接的金屬層602經(jīng)接觸孔603與n型重?fù)诫s區(qū)604連接。虛線框表示的P型離子注入?yún)^(qū)606，其一部分被多晶硅層601覆蓋。表3為本發(fā)明第三實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的編程和讀取方法<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表3表3中，擊穿電壓Vpp>2倍工作電壓Vdd，讀取電壓V，d《工作電壓V,編程過程在與字線WL上施加電壓Vpp，在位線BL施加OV電壓，即在n型重?fù)诫s區(qū)上施加OV電壓。此時(shí)，p型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管結(jié)構(gòu)，使p型離子注入?yún)^(qū)被箝位在二極管開啟電壓Vth;另外，在p型離子注入?yún)^(qū)中與薄柵氧層連接的部分形成n型反型層，并且該n型反型層的電勢(shì)會(huì)由于字線WL上電壓Vpp的作用而被相應(yīng)提高，因此，p型輕摻雜漏區(qū)與薄柵氧層之間的電勢(shì)差將大于P型離子注入?yún)^(qū)與薄柵氧層之間的電勢(shì)差，因此，多晶硅層、薄柵氧層、P型輕摻雜漏區(qū)、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容將在P型輕摻雜漏區(qū)與薄柵氧層的連接部分被擊穿，P型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)?。[OMO]讀取過程在字線WL上施加電壓Vread，在位線BL上施加OV電壓，即在n型重?fù)诫s區(qū)上施加OV電壓，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示多晶硅層、薄柵氧層、P型輕摻雜漏區(qū)、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容被擊穿形成電阻，P型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)ǎ瑒t輸出為邏輯"l";否則，表示多晶硅層、薄柵氧層、P型輕摻雜漏區(qū)、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容未被擊穿，輸出邏輯"O"。實(shí)施例四圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖7中包括多晶硅層701、薄柵氧層702、n型輕摻雜漏區(qū)703、p型重?fù)诫s區(qū)704、n型離子注入?yún)^(qū)705、淺隔離溝槽706、p型阱707和p型襯底708。多晶硅層701下接于薄柵氧層702、薄柵氧層702鄰接于n型輕摻雜漏區(qū)703，n型輕摻雜漏區(qū)703、p型重?fù)诫s區(qū)704位于n型離子注入?yún)^(qū)705中，n型離子注入?yún)^(qū)705位于p型阱707中。多晶硅層701與字線WL相連接，p型重?fù)诫s區(qū)704與位線BL相連接。薄柵氧層702與n型離子注入?yún)^(qū)705連接。其中，多晶硅層701、薄柵氧層702、n型輕摻雜漏區(qū)703、n型離子注入?yún)^(qū)705形成可編程電容，n型離子注入?yún)^(qū)705與p型重?fù)诫s區(qū)704形成二極管。淺隔離溝槽705用于將n型離子注入?yún)^(qū)705隔離，其中，淺隔離溝槽705的深度大于n型離子注入?yún)^(qū)705的深度。n型離子注入?yún)^(qū)705的摻雜濃度大于p型阱706的摻雜濃度但是小于p型重?fù)诫s區(qū)704的摻雜濃度。下面介紹本發(fā)明第二實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的制造方法，具體步驟如下步驟401S，按照掩膜圖形生成淺隔離溝槽；步驟402S，在p型襯底上形成p阱；步驟403S，在p阱內(nèi)形成n型離子注入?yún)^(qū)；步驟404S，在n型離子注入?yún)^(qū)上生成柵氧層；步驟405S，在柵氧層上生成多晶硅層；步驟406S，在n型離子注入?yún)^(qū)內(nèi)進(jìn)行小劑量的n型離子注入形成n型輕摻雜漏區(qū)。步驟407S，在柵氧層和多晶硅層的兩側(cè)形成側(cè)墻(sidewall);步驟408S，在n型離子注入?yún)^(qū)內(nèi)進(jìn)行大劑量的p型離子注入形成p型重?fù)诫s區(qū)，由于側(cè)墻的阻擋，使離子注入?yún)^(qū)與側(cè)墻接觸的區(qū)域保留部分n型輕摻雜漏區(qū)，形成n型輕摻雜漏區(qū)。上述步驟中，多晶硅層、柵氧層、n型輕摻雜漏區(qū)、n型離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，n型離子注入?yún)^(qū)與p型重?fù)诫s區(qū)形成二極管。淺隔離溝槽的深度小于P阱的深度但大于n型離子注入?yún)^(qū)的深度，從而保證淺隔離溝槽能夠很好地隔離n型離子注入?yún)^(qū)，使得每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元之間的間距很小，從而減小一次性可編程存儲(chǔ)陣列占用的面積。圖8為本發(fā)明第四實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部俯視圖，圖8中，每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元包括多晶硅層801、金屬層802、接觸孔803、p型重?fù)诫s區(qū)804和n型輕摻雜漏區(qū)805和n型離子注入?yún)^(qū)806。其中，多晶硅層801與字線WLl連接，與位線BLl連接的金屬層802經(jīng)接觸孔803與p型重?fù)诫s區(qū)804連接。虛線框表示的n型離子注入?yún)^(qū)806，其一部分被多晶硅層801覆蓋。表4為本發(fā)明第四實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的編程和讀取方法<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表4表4中，擊穿電壓Vpp>2倍工作電壓Vdd，讀取電壓V，d《工作電壓V,編程過程在字線WL上施加OV電壓，在位線BL上施加電壓Vpp，即在p型重?fù)诫s區(qū)上施加擊穿電壓Vpp。此時(shí)，n型離子注入?yún)^(qū)與p型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管結(jié)構(gòu)，使n型離子注入?yún)^(qū)被箝位在Vpp-Vth;另外，在n型離子注入?yún)^(qū)中與薄柵氧層連接的部分形成p型反型層，并且該P(yáng)型反型層的電勢(shì)會(huì)由于字線WL上OV電壓的作用而被相應(yīng)降低，因此，n型輕摻雜漏區(qū)與薄柵氧層之間的電勢(shì)差將大于n型離子注入?yún)^(qū)與薄柵氧層之間的電勢(shì)差，因此，多晶硅層、薄柵氧層、n型輕摻雜漏區(qū)、n型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容將在n型輕摻雜漏區(qū)與薄柵氧層的連接部分被擊穿，此時(shí)，n型離子注入?yún)^(qū)與p型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)āＷx取過程在字線WL上施加電壓OV電壓，在位線BL上施加電壓Vread，即在p型重?fù)诫s區(qū)上施加讀取電壓V，d，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示多晶硅層、薄柵氧層、n型輕摻雜漏區(qū)、n型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容被擊穿形成電阻，n型離子注入?yún)^(qū)與p型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)?，則輸出為邏輯"l";否則，表示多晶硅層、薄柵氧層、n型輕摻雜漏區(qū)、n型離子注人區(qū)形成的可編程電容未被擊穿，無電流經(jīng)過，輸出邏輯"0"。實(shí)施例五圖9為本發(fā)明第五實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖9中包括多晶硅層901、薄柵氧層902、p型輕摻雜漏區(qū)903、n型重?fù)诫s區(qū)904、p型離子注入?yún)^(qū)905、淺隔離溝槽906、n型阱907和p型襯底908。多晶硅層901下接于薄柵氧層902、薄柵氧層902下接于p型離子注入?yún)^(qū)905之外的區(qū)域，p型輕摻雜漏區(qū)903、p型離子注入?yún)^(qū)905位于n型阱907內(nèi)，n型重?fù)诫s區(qū)904位于p型離子注入?yún)^(qū)905中，p型輕摻雜漏區(qū)903鄰接于p型離子注入?yún)^(qū)905。多晶硅層901與字線WL相連接，n型重?fù)诫s區(qū)905與位線BL相連接。薄柵氧層902鄰接于p型輕摻雜漏區(qū)903。其中，多晶硅層901、薄柵氧層902、p型輕摻雜漏區(qū)903、p型離子注入?yún)^(qū)905形成可編程電容，P型離子注入?yún)^(qū)905與n型重?fù)诫s區(qū)905形成二極管。淺隔離溝槽906用于將P型離子注入?yún)^(qū)905隔離，其中，淺隔離溝槽906的深度大于p型離子注入?yún)^(qū)905的深度。p型離子注入?yún)^(qū)905的摻雜濃度大于n型阱907的摻雜濃度但是小于n型重?fù)诫s區(qū)905的摻雜濃度。下面介紹本發(fā)明第五實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的制造方法，具體步驟如下步驟501S，按照掩膜圖形生成淺隔離溝槽；步驟502S，在p型襯底上形成n阱；步驟503S，淀積二氧化硅，形成柵氧層；步驟504S，在柵氧層上生成多晶硅層；步驟505S，在n阱內(nèi)進(jìn)行小劑量的p型離子注入形成p型輕摻雜漏區(qū)；步驟506S，在柵氧層和多晶硅層的兩側(cè)形成側(cè)墻(sidewall);步驟507S，在n阱內(nèi)進(jìn)行大劑量的n型離子注入形成n型重?fù)诫s區(qū)。步驟508S，在n阱內(nèi)形成p型離子注入?yún)^(qū)，其中，p型輕摻雜漏區(qū)位于p型離子注入?yún)^(qū)之外，n型重?fù)诫s區(qū)位于p型離子注入?yún)^(qū)之內(nèi)。上述步驟中，多晶硅層、薄柵氧層、p型輕摻雜漏區(qū)、p型離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，P型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成二極管。淺隔離溝槽的深度小于n阱的深度但大于P型離子注入?yún)^(qū)的深度，從而保證淺隔離溝槽能夠很好地隔離P型離子注入?yún)^(qū)，使得每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元之間的間距很小，從而減小一次性可編程存儲(chǔ)陣列占用的面積。另外，本發(fā)明第三實(shí)施例中，由于柵氧層未覆蓋p型離子注入?yún)^(qū)和p型輕摻雜漏區(qū)，因此，可以先淀積二氧化硅，形成柵氧層，再在n阱內(nèi)形成p型離子注入?yún)^(qū)和p型輕摻雜漏區(qū)。圖10為本發(fā)明第五實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部俯視圖，圖10中，每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元包括多晶硅層1001、金屬層1002、接觸孔1003、p型輕摻雜漏區(qū)1004、n型重?fù)诫s區(qū)1005和p型離子注入?yún)^(qū)1006。其中，多晶硅層1001與字線WL1連接，作為位線BL1的金屬層1002經(jīng)接觸孔1003與p型重?fù)诫s區(qū)1004連接。虛線框表示的P型離子注入?yún)^(qū)1006。表5為本發(fā)明第五實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的編程和讀取方法<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表5表5中，擊穿電壓Vpp>2倍工作電壓Vdd，讀取電壓V，d《工作電壓V,編程過程在字線WL上施加電壓Vpp，在位線BL上施加OV電壓，即在n型重?fù)诫s區(qū)上施加OV電壓。此時(shí)，p型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管結(jié)構(gòu)，使p型離子注入?yún)^(qū)被箝位在二極管開啟電壓Vth;另外，在p型離子注入?yún)^(qū)中與薄柵氧層連接的部分形成n型反型層，并且該n型反型層的電勢(shì)會(huì)由于字線WL上電壓Vpp的作用而被相應(yīng)提高，因此，p型輕摻雜漏區(qū)與薄柵氧層之間的電勢(shì)差將大于P型離子注入?yún)^(qū)與薄柵氧層之間的電勢(shì)差，因此，多晶硅層、薄柵氧層、P型輕摻雜漏區(qū)、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容將在P型輕摻雜漏區(qū)與薄柵氧層的連接部分被擊穿，此時(shí)，P型離子注入?yún)^(qū)和n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)?。讀取過程在字線WL上施加電壓Vread，在位線BL上施加OV電壓，即在n型重?fù)诫s區(qū)上施加OV電壓，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示多晶硅層、薄柵氧層、P型輕摻雜漏區(qū)、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容被擊穿形成電阻，P型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)ǎ瑒t輸出為邏輯"l";否則，表示多晶硅層、薄柵氧層、P型輕摻雜漏區(qū)、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容未被擊穿，輸出邏輯"O"。實(shí)施例六圖11為本發(fā)明第六實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖11中包括多晶硅層1101、薄柵氧層1102、p型離子注入?yún)^(qū)1103、n型重?fù)诫s區(qū)1104、淺隔離溝槽1105、絕緣層1106和p型襯底1107。多晶硅層1101下接于薄柵氧層1102、薄柵氧層1102下接于p型離子注入?yún)^(qū)1103，p型離子注入?yún)^(qū)1103位于絕緣層1106上，重?fù)诫s區(qū)1104位于p型離子注入?yún)^(qū)1103中；多晶硅層1101與字線WL相連接，n型重?fù)诫s區(qū)1104與位線BL相連接。薄柵氧層1102與p型離子注入?yún)^(qū)1103連接。薄柵氧層1102與n型重?fù)诫s區(qū)1104之間保持預(yù)定距離。其中，多晶硅層1101、薄柵氧層1102、p型離子注入?yún)^(qū)1103形成可編程電容，p型離子注入?yún)^(qū)1103與n型重?fù)诫s區(qū)1104形成二極管。淺隔離溝槽1105直接連接到絕緣層1106，從而可靠地隔離p型離子注入?yún)^(qū)1103，其中，p型離子注入?yún)^(qū)1103的摻雜濃度小于n型重?fù)诫s區(qū)1104的摻雜濃度。絕緣層1106可以通過絕緣體上硅(SOI，SiliconOnInsulator)工藝或者藍(lán)寶石上硅(SOS，SiliconOnS即phire)工藝制造，采用諸如二氧化硅、藍(lán)寶石等具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料來制造絕緣層。由于絕緣層1106具有良好的絕緣特性，因此無須在襯底1107上制造反型阱，從而進(jìn)一步減小存儲(chǔ)單元的面積，另外，采用絕緣層替代傳統(tǒng)體硅工藝的反型阱，從而能夠避免體硅工藝性能上的劣勢(shì)，如栓鎖效應(yīng)等。16對(duì)于采用藍(lán)寶石上硅工藝制造絕緣層的一次性可編程存儲(chǔ)器，由于藍(lán)寶石的具有極強(qiáng)的穩(wěn)定性，不易受如輻射、高溫高壓等各種惡劣外部環(huán)境的影響，因此，極大地提高一次性可編程存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的穩(wěn)定性和可靠性。下面介紹本發(fā)明第六實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的制造方法，具體步驟如下步驟601S，按照掩膜圖形生成淺隔離溝槽；其中，淺隔離溝槽深入至絕緣層；步驟602S，在絕緣層上形成p型離子注入?yún)^(qū)；步驟603S，在p型離子注入?yún)^(qū)上生成柵氧層；步驟604S，在柵氧層上生成多晶硅層；步驟605S，在p型離子注入?yún)^(qū)內(nèi)進(jìn)行大劑量的n型離子注入形成n型重?fù)诫s區(qū)。上述步驟中，多晶硅層、柵氧層、p型離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，p型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成二極管。淺隔離溝槽至上而下直接連接到絕緣層，從而可靠地隔離p型離子注入?yún)^(qū)，使得每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元之間的間距很小，從而減小一次性可編程存儲(chǔ)陣列占用的面積。實(shí)施例六的局部俯視圖與圖2相同。表6為本發(fā)明第六實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的編程和讀取方法<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>表6表6中，擊穿電壓Vpp>2倍工作電壓Vdd，讀取電壓VMad《工作電壓V,編程過程在字線WL上施加擊穿電壓Vpp，在位線BL上施加0V電壓，即在n型重?fù)诫s區(qū)上施加OV電壓，從而將多晶硅層、薄柵氧層、p型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容擊穿，并使p型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)?。讀取過程在字線WL上施加讀取電壓V，d，在位線BL上施加OV電壓，即在n型重?fù)诫s區(qū)上施加OV電壓，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示多晶硅層、薄柵氧層、p型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容被擊穿形成電阻，P型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)ǎ瑒t輸出為邏輯"1";否則，表示多晶硅層、薄柵氧層、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容未被擊穿，輸出邏輯"O"。實(shí)施例七圖12為本發(fā)明第七實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖12中包括多晶硅層1201、薄柵氧層1202、n型離子注入?yún)^(qū)1203、p型重?fù)诫s區(qū)1204、淺隔離溝槽1205、絕緣層1206和p型襯底1207。多晶硅層1201下接于薄柵氧層1202、薄柵氧層1202下接于n型離子注入?yún)^(qū)1203，n型離子注入?yún)^(qū)1203位于絕緣層1206上，P型重?fù)诫s區(qū)1204位于n型離子注入?yún)^(qū)1203中。多晶硅層1201與字線WL相連接，p型重?fù)诫s區(qū)1204與位線BL相連接。薄柵氧層1202與n型離子注入?yún)^(qū)1203連接。薄柵氧層1202與p型重?fù)诫s區(qū)1204之間保持預(yù)定距離。其中，多晶硅層1201、薄柵氧層1202、n型離子注入?yún)^(qū)1203形成可編程電容，n型離子注入?yún)^(qū)1203與p型重?fù)诫s區(qū)1204形成二極管。淺隔離溝槽1205直接連接到絕緣層1206，從而可靠地隔離n型離子注入?yún)^(qū)1203。n型離子注入?yún)^(qū)1203的摻雜濃度小于p型重?fù)诫s區(qū)1204的摻雜濃度。絕緣層1206可以通過絕緣體上硅工藝或者藍(lán)寶石上硅工藝制造，采用諸如二氧化硅、藍(lán)寶石等具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料來制造絕緣層。由于絕緣層1206具有良好的絕緣特性，因此無須在襯底1207上制造反型阱，從而進(jìn)一步減小存儲(chǔ)單元的面積，另外，采用絕緣層替代傳統(tǒng)體硅工藝的反型阱，從而能夠避免體硅工藝性能上的劣勢(shì)，如栓鎖效應(yīng)等。對(duì)于采用藍(lán)寶石上硅工藝制造絕緣層的一次性可編程存儲(chǔ)器，由于藍(lán)寶石的具有極強(qiáng)的穩(wěn)定性，不易受如輻射、高溫高壓等各種惡劣外部環(huán)境的影響，因此，極大地提高一次性可編程存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的穩(wěn)定性和可靠性。下面介紹本發(fā)明第二實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的制造方法，具體步驟如下步驟701S，按照掩膜圖形生成淺隔離溝槽；其中，淺隔離溝槽深入至絕緣層；步驟702S，在絕緣層上形成n型離子注入?yún)^(qū)；步驟703S，在n型離子注入?yún)^(qū)上生成柵氧層；步驟704S，在柵氧層上生成多晶硅層；步驟705S，在n型離子注入?yún)^(qū)內(nèi)進(jìn)行大劑量的p型離子注入形成p型重?fù)诫s區(qū)。上述步驟中，多晶硅層、柵氧層、n型離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，n型離子注入?yún)^(qū)與P型重?fù)诫s區(qū)形成二極管。淺隔離溝槽至上而下直接連接到絕緣層，從而可靠地隔離n型離子注入?yún)^(qū)，使得每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元之間的間距很小，從而減小一次性可編程存儲(chǔ)陣列占用的面積。實(shí)施例七的局部俯視圖與圖4相同。表7為本發(fā)明第二實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的編程和讀取方法vWL<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表7表7中，擊穿電壓Vpp>2工作電壓Vdd，讀取電壓V，d《工作電壓V,編程過程在字線WL上施加OV電壓，在位線BL上施加擊穿電壓Vpp，即在p型重?fù)诫s區(qū)上施加擊穿電壓Vpp，從而將多晶硅層、薄柵氧層、n型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容擊穿，并使p型重?fù)诫s區(qū)與n型離子注入?yún)^(qū)形成的二極管正向?qū)?。讀取過程在字線WL上施加電壓OV電壓，在位線BL上施加讀取電壓V，d，即在p型重?fù)诫s區(qū)上施加讀取電壓V，d，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示多晶硅層、薄柵氧層、n型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容被擊穿形成電阻，p型重?fù)诫s區(qū)與n型離子注入?yún)^(qū)形成的二極管正向?qū)ǎ瑒t輸出為邏輯"l";否則，表示多晶硅層、薄柵氧層、n型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容未被擊穿，輸出邏輯"O"。實(shí)施例八圖13為本發(fā)明第八實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖13中包括多晶硅層1301、薄柵氧層1302、p型輕摻雜漏區(qū)1303、n型重?fù)诫s區(qū)1304、p型離子注入?yún)^(qū)1305、淺隔離溝槽1306、絕緣層1307和p型襯底1308。多晶硅層1301下接于薄柵氧層1302、薄柵氧層1302鄰接于p型輕摻雜漏區(qū)1303，p型輕摻雜漏區(qū)1303、n型重?fù)诫s區(qū)1304位于p型離子注入?yún)^(qū)1305中，p型離子注入?yún)^(qū)1305位于絕緣層1307上。多晶硅層1301與字線WL相連接，n型重?fù)诫s區(qū)1304與位線BL相連接。薄柵氧層1302下接于P型離子注入?yún)^(qū)1305。其中，多晶硅層1301、薄柵氧層1302、p型輕摻雜漏區(qū)1303、p型離子注入?yún)^(qū)1305形成可編程電容，P型離子注入?yún)^(qū)1305與n型重?fù)诫s區(qū)1304形成二極管。淺隔離溝槽1306直接連接到絕緣層1307，從而可靠地隔離p型離子注入?yún)^(qū)1305，其中，p型離子注入?yún)^(qū)1305的摻雜濃度小于n型重?fù)诫s區(qū)1304的摻雜濃度。絕緣層1307可以通過絕緣體上硅(SOI，SiliconOnInsulator)工藝或者藍(lán)寶石上硅(SOS，SiliconOnS即phire)工藝制造，采用諸如二氧化硅、藍(lán)寶石等具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料來制造絕緣層。由于絕緣層1307具有良好的絕緣特性，因此無須在襯底1308上制造反型阱，從而進(jìn)一步減小存儲(chǔ)單元的面積，另外，采用絕緣層替代傳統(tǒng)體硅工藝的反型阱，從而能夠避免體硅工藝性能上的劣勢(shì)，如栓鎖效應(yīng)等。對(duì)于采用藍(lán)寶石上硅工藝制造絕緣層的一次性可編程存儲(chǔ)器，由于藍(lán)寶石的具有極強(qiáng)的穩(wěn)定性，不易受如輻射、高溫高壓等各種惡劣外部環(huán)境的影響，因此，極大地提高一次性可編程存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的穩(wěn)定性和可靠性。下面介紹本發(fā)明第一實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的制造方法，具體步驟如下步驟801S，按照掩膜圖形生成淺隔離溝槽；其中，淺隔離溝槽深入至絕緣層；步驟802S，在絕緣層上形成p型離子注入?yún)^(qū)；步驟803S，在p型離子注入?yún)^(qū)上生成柵氧層；步驟804S，在柵氧層上生成多晶硅層；步驟805S，在p型離子注入?yún)^(qū)進(jìn)行小劑量的p型離子注入形成p型輕摻雜漏區(qū)；步驟806S，在柵氧層和多晶硅層的兩側(cè)形成側(cè)墻(sidewall);步驟807S，在p型離子注入?yún)^(qū)內(nèi)進(jìn)行大劑量的n型離子注入形成n型重?fù)诫s區(qū)，由于側(cè)墻的阻擋，使離子注入?yún)^(qū)與側(cè)墻接觸的區(qū)域保留部分P型輕摻雜漏區(qū)，形成P型輕摻雜漏區(qū)。上述步驟中，多晶硅層、柵氧層、p型輕摻雜漏區(qū)、p型離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，P型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成二極管。淺隔離溝槽至上而下直接連接到絕緣層，從而可靠地隔離P型離子注入?yún)^(qū)，使得每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元之間的間距很小，從而減小一次性可編程存儲(chǔ)陣列占用的面積。實(shí)施例八的局部俯視圖與圖6相同。表8為本發(fā)明第一實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的編程和讀取方法<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>表8表8中，擊穿電壓Vpp>2倍工作電壓Vdd，讀取電壓VMad《工作電壓V,編程過程在字線WL上施加電壓Vpp，在位線BL上施加OV電壓，即在n型重?fù)诫s區(qū)上施加OV電壓。此時(shí)，p型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管結(jié)構(gòu)，使p型離子注入?yún)^(qū)被箝位在二極管開啟電壓Vth;另外，在p型離子注入?yún)^(qū)中與薄柵氧層連接的部分形成n型反型層，并且該n型反型層的電勢(shì)會(huì)由于字線WL上電壓Vpp的作用而被相應(yīng)提高，因此，p型輕摻雜漏區(qū)與薄柵氧層之間的電勢(shì)差將大于P型離子注入?yún)^(qū)與薄柵氧層之間的電勢(shì)差，因此，多晶硅層、薄柵氧層、P型輕摻雜漏區(qū)、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容將在P型輕摻雜漏區(qū)與薄柵氧層的連接部分被擊穿，此時(shí)，P型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)?。讀取過程在字線WL上施加電壓Vread，在位線BL上施加OV電壓，即在n型重?fù)诫s區(qū)上施加OV電壓，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示多晶硅層、薄柵氧層、P型輕摻雜漏區(qū)、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容被擊穿形成電阻，P型離子注入?yún)^(qū)與n型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)?，則輸出為邏輯"l";否則，表示多晶硅層、薄柵氧層、P型輕摻雜漏區(qū)、P型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容未被擊穿，輸出邏輯"O"。實(shí)施例九圖14為本發(fā)明第九實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖14中包括多晶硅層1401、薄柵氧層1402、n型輕摻雜漏區(qū)1403、p型重?fù)诫s區(qū)1404、n型離子注入?yún)^(qū)1405、淺隔離溝槽1406、絕緣層1407和p型襯底1408。多晶硅層1401下接于薄柵氧層1402、薄柵氧層1402鄰接于n型輕摻雜漏區(qū)1403，n型輕摻雜漏區(qū)1403、p型重?fù)诫s區(qū)1404位于n型離子注入?yún)^(qū)1405中，n型離子注入?yún)^(qū)1405位于絕緣層1407上。多晶硅層1401與字線WL相連接，p型重?fù)诫s區(qū)1404與位線BL相連接。薄柵氧層1402下接于n型離子注入?yún)^(qū)1405。其中，多晶硅層1401、薄柵氧層1402、n型輕摻雜漏區(qū)1403、n型離子注入?yún)^(qū)1405形成可編程電容，n型離子注入?yún)^(qū)1405與p型重?fù)诫s區(qū)1404形成二極管。淺隔離溝槽1406直接連接到絕緣層1407，從而可靠地隔離n型離子注入?yún)^(qū)1405。n型離子注入?yún)^(qū)1405的摻雜濃度小于P型重?fù)诫s區(qū)1404的摻雜濃度。絕緣層1407可以通過絕緣體上硅工藝或者藍(lán)寶石上硅工藝制造，采用諸如二氧化硅、藍(lán)寶石等具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)材料來制造絕緣層。由于絕緣層1407具有良好的絕緣特性，因此無須在襯底1408上制造反型阱，從而進(jìn)一步減小存儲(chǔ)單元的面積，另外，采用絕緣層替代傳統(tǒng)體硅工藝的反型阱，從而能夠避免體硅工藝性能上的劣勢(shì)，如栓鎖效應(yīng)等。對(duì)于采用藍(lán)寶石上硅工藝制造絕緣層的一次性可編程存儲(chǔ)器，由于藍(lán)寶石的具有極強(qiáng)的穩(wěn)定性，不易受如輻射、高溫高壓等各種惡劣外部環(huán)境的影響，因此，極大地提高一次性可編程存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的穩(wěn)定性和可靠性。下面介紹本發(fā)明第二實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的制造方法，具體步驟如下步驟901S，按照掩膜圖形生成淺隔離溝槽；其中，淺隔離溝槽深入至絕緣層；步驟902S，在絕緣層上形成n型離子注入?yún)^(qū)；步驟903S，在n型離子注入?yún)^(qū)上生成柵氧層；步驟904S，在柵氧層上生成多晶硅層；步驟905S，在n型離子注入?yún)^(qū)內(nèi)進(jìn)行小劑量的n型離子注入形成n型輕摻雜漏區(qū)。步驟906S，在柵氧層和多晶硅層的兩側(cè)形成側(cè)墻(sidewall);步驟907S，在n型離子注入?yún)^(qū)進(jìn)行大劑量的p型離子注入形成p型重?fù)诫s區(qū)，由于側(cè)墻的阻擋，使離子注入?yún)^(qū)與側(cè)墻接觸的區(qū)域保留部分n型輕摻雜漏區(qū)，形成n型輕摻雜漏區(qū)。上述步驟中，多晶硅層、柵氧層、n型輕摻雜漏區(qū)、n型離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，n型離子注入?yún)^(qū)與p型重?fù)诫s區(qū)形成二極管。淺隔離溝槽至上而下直接連接到絕緣層，從而可靠地隔離n型離子注入?yún)^(qū)，使得每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元之間的間距很小，從而減小一次性可編程存儲(chǔ)陣列占用的面積。實(shí)施例九的局部俯視圖與圖8相同。表9為本發(fā)明第九實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的編程和讀取方法v亂vBL是否進(jìn)行編程編程選WL/選BLovV'pp是選WL/不選BLovov否不選WL/選BLvpp或高阻V'pp否22<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>表9表9中，擊穿電壓Vpp>2倍工作電壓Vdd，讀取電壓VMad《工作電壓V,編程過程在字線WL上施加OV電壓，在位線BL上施加電壓Vpp，即在p型重?fù)诫s區(qū)上施加擊穿電壓Vpp。此時(shí)，n型離子注入?yún)^(qū)與p型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管結(jié)構(gòu)，使n型離子注入?yún)^(qū)被箝位在Vpp_Vth;另外，在n型離子注入?yún)^(qū)中與薄柵氧層連接的部分形成p型反型層，并且該P(yáng)型反型層的電勢(shì)會(huì)由于字線WL上OV電壓的作用而被相應(yīng)降低，因此，n型輕摻雜漏區(qū)與薄柵氧層之間的電勢(shì)差大于n型離子注入?yún)^(qū)與薄柵氧層之間的電勢(shì)差，因此，多晶硅層、薄柵氧層、n型輕摻雜漏區(qū)、n型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容將在n型輕摻雜漏區(qū)與薄柵氧層的連接部分被擊穿，此時(shí)，n型離子注入?yún)^(qū)與p型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)āＷx取過程在字線WL上施加電壓OV電壓，在位線BL上施加電壓Vread，即在p型重?fù)诫s區(qū)上施加讀取電壓V，d，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示多晶硅層、薄柵氧層、n型輕摻雜漏區(qū)、n型離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容被擊穿形成電阻，使n型離子注入?yún)^(qū)與p型重?fù)诫s區(qū)形成的二極管正向?qū)ǎ瑒t輸出為邏輯"l";否則，表示多晶硅層、薄柵氧層、n型輕摻雜漏區(qū)、n型離子注人區(qū)形成的可編程電容未被擊穿，輸出邏輯"0"。圖15A為本發(fā)明第一、三、五、六、八實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的等效電路原理圖，圖15中包括串聯(lián)連接的二極管1501和電容1502，其中，二極管1501與位線BL連接，電容1502與字線WL連接。圖15B為本發(fā)明第一、三、五、六、八實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元編程擊穿后的等效電路原理圖，圖中包括串聯(lián)連接的二極管1501和電阻1503，其中，當(dāng)圖15A中的電容1502在編程電壓的作用下被擊穿后，形成電阻1503。電流I沿字線WL到位線BL的方向流動(dòng)。圖16為本發(fā)明第一、三、五、六、八實(shí)施例中n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部示意圖，圖16中包括多個(gè)n型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元、字線WL1、字線WL2、字線WL3、位線BL1、位線BL2、位線BL3，每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元與一條字23線和一條位線連接。位于圖中央的分別連接字線WL2、位線BL2的一次性可編程存儲(chǔ)單元已經(jīng)被編程擊穿，因此，圖中以電阻串聯(lián)二極管的等效電路來表示該一次性可編程存儲(chǔ)單元。圖17A為本發(fā)明第二、四、七、九實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元的電路原理圖，圖17A中包括串聯(lián)連接的二極管1701和電容1702，其中，二極管1701與位線BL連接，電容1702與字線WL連接。圖17B為本發(fā)明第二、四、七、九實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元編程擊穿后的等效電路原理圖，圖17B中包括串聯(lián)連接的二極管1701和電阻1703，其中，當(dāng)圖17A中的電容702在編程電壓的作用下被擊穿后，形成電阻1703。電流I沿位線BL到字線WL的方向流動(dòng)。圖18為本發(fā)明第二、四、七、九實(shí)施例中p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)陣列的局部示意圖，圖18中包括多個(gè)p型半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)單元、字線WLl、字線WL2、字線WL3、位線BL1、位線BL2、位線BL3，每個(gè)一次性可編程存儲(chǔ)單元與一條字線和一條位線連接。位于圖中央的分別連接字線WL2、位線BL2的一次性可編程存儲(chǔ)單元已經(jīng)被編程擊穿，因此，圖中以電阻串聯(lián)二極管的等效電路來表示該一次性可編程存儲(chǔ)單元。上述本發(fā)明實(shí)施例中，第一、二、六、七實(shí)施例通過多晶硅層、薄柵氧層、離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，通過離子注入?yún)^(qū)與重?fù)诫s區(qū)形成與可編程電容串聯(lián)的二極管；第三、四、五、八、九實(shí)施例通過多晶硅層、薄柵氧層、輕摻雜漏區(qū)、離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容，通過離子注入?yún)^(qū)與重?fù)诫s區(qū)形成與可編程電容串聯(lián)的二極管，利用可編程電容被擊穿時(shí)形成導(dǎo)通電阻，未擊穿時(shí)仍為絕緣電容的特性以及二極管的正向?qū)ㄅc反向關(guān)閉的特性，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)單元面積只占用半個(gè)晶體管面積，集成密度高，能夠隨工藝特征尺寸的縮小而以相同比例縮小，無需增加特殊工藝、可靠性高的一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器。另外，上述本發(fā)明實(shí)施例中，第六、七、八、九實(shí)施例利用絕緣體上硅或藍(lán)寶石上硅工藝中的絕緣層代替?zhèn)鹘y(tǒng)體硅工藝中的反型阱，大大提高了一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的穩(wěn)定性和可靠性。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所作的任何修改、變更、組合、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。權(quán)利要求一種半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)器，其特征在于，所述半晶體管包括由多晶硅層、柵氧層、離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容；由所述離子注入?yún)^(qū)與重?fù)诫s區(qū)形成的二極管；所述可編程電容與所述二極管串聯(lián)連接；其中，所述離子注入?yún)^(qū)位于與其緊鄰的絕緣層上；所述多晶硅層與字線相連接，所述重?fù)诫s區(qū)與位線相連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次性可編程存儲(chǔ)器，其特征在于，所述半晶體管包括隔離溝槽，用于將所述離子注入?yún)^(qū)隔離；其中，所述隔離溝槽連接至所述絕緣層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次性可編程存儲(chǔ)器，其特征在于，所述半晶體管包括所述離子注入?yún)^(qū)的摻雜濃度小于所述重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次性可編程存儲(chǔ)器，其特征在于，所述離子注入?yún)^(qū)包括n型或p型離子注入?yún)^(qū)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次性可編程存儲(chǔ)器，其特征在于，所述重?fù)诫s區(qū)包括n型或p型重?fù)诫s區(qū)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次性可編程存儲(chǔ)器，其特征在于，所述柵氧層與所述重?fù)诫s區(qū)之間保持預(yù)定距離。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一次性可編程存儲(chǔ)器，其特征在于，所述絕緣層包括氧化硅層或藍(lán)寶石層。8.—種半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)器的制造方法，其特征在于，包括以下步生成隔離溝槽；在絕緣層上形成離子注入?yún)^(qū)；在所述離子注入?yún)^(qū)上生成柵氧層；在所述柵氧層上生成多晶硅層；在所述離子注入?yún)^(qū)內(nèi)形成重?fù)诫s區(qū)；其中，所述多晶硅層、所述柵氧層、所述離子注入?yún)^(qū)形成可編程電容；所述離子注入?yún)^(qū)與所述重?fù)诫s區(qū)形成二極管；所述可編程電容和所述二極管串聯(lián)連接。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述隔離溝槽，用于將所述離子注入?yún)^(qū)隔離；其中，所述隔離溝槽深入至所述絕緣層。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入?yún)^(qū)的摻雜濃度小于所述重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述離子注入?yún)^(qū)包括n型或p型離子注入?yún)^(qū)。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述重?fù)诫s區(qū)包括n型或p型重?fù)诫s區(qū)。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述柵氧層與所述重?fù)诫s區(qū)之間保持預(yù)定距離。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述絕緣層包括氧化硅層或者藍(lán)寶石。15.—種半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)器的編程方法，其特征在于，所述半晶體管包括由多晶硅層、柵氧層、離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容；由所述離子注入?yún)^(qū)與重?fù)诫s區(qū)形成的二極管；所述可編程電容與所述二極管串聯(lián)連接；其中，所述離子注入?yún)^(qū)位于與其緊鄰的絕緣層上；所述多晶硅層與字線相連接，所述重?fù)诫s區(qū)與位線相連接；所述編程方法包括在所述字線上施加第一電壓，在所述位線上施加第二電壓，將所述可編程電容擊穿形成導(dǎo)通電阻，并使所述二極管導(dǎo)通。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的編程方法，其特征在于，所述第一電壓與所述第二電壓的差值為能夠?qū)⑺隹删幊屉娙輷舸┑碾妷褐怠?7.—種半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)器的讀取方法，其特征在于，所述半晶體管包括由多晶硅層、柵氧層、離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容；由所述離子注入?yún)^(qū)與重?fù)诫s區(qū)形成的二極管；所述可編程電容與所述二極管串聯(lián)連接；其中，所述離子注入?yún)^(qū)位于與其緊鄰的絕緣層上；所述多晶硅層與字線相連接，所述重?fù)诫s區(qū)與位線相連接；所述讀取方法包括在所述字線上施加第三電壓，在所述位線上施加第四電壓，檢測(cè)靈敏放大器是否有電流，如果是，則表示所述可編程電容被擊穿形成電阻，所述二極管導(dǎo)通，輸出為邏輯"l";否則，表示所述可編程電容未被擊穿，輸出邏輯"O"。全文摘要本發(fā)明公開了半晶體管結(jié)構(gòu)的一次性可編程存儲(chǔ)器、制造及編程讀取方法，所述半晶體管包括由多晶硅層、柵氧層、離子注入?yún)^(qū)形成的可編程電容；由離子注入?yún)^(qū)與重?fù)诫s區(qū)形成的二極管；所述可編程電容與所述二極管串聯(lián)連接；其中，所述離子注入?yún)^(qū)位于緊鄰的絕緣層上；所述多晶硅層與字線相連接，所述重?fù)诫s區(qū)與位線相連接。利用可編程電容被擊穿時(shí)形成導(dǎo)通電阻，未擊穿時(shí)仍為絕緣電容的特性以及二極管的正向?qū)ㄅc反向關(guān)閉的特性，實(shí)現(xiàn)具有存儲(chǔ)單元面積小，集成度高，能夠隨工藝的發(fā)展而進(jìn)一步提高集成度，基于現(xiàn)有邏輯工藝，無需增加特殊工藝、具有高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)穩(wěn)定性和可靠性的一次性可編程存儲(chǔ)器。文檔編號(hào)H01L27/12GK101752388SQ20081023992公開日2010年6月23日申請(qǐng)日期2008年12月15日優(yōu)先權(quán)日2008年12月15日發(fā)明者朱一明,蘇如偉申請(qǐng)人:北京芯技佳易微電子科技有限公司