專利名稱：適于疊層半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體封裝通過電極及半導(dǎo)體封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝的通過電極(through-electrode)及具有該 電極的半導(dǎo)體封裝。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝一般經(jīng)過包括半導(dǎo)體芯片制造過程、電測試過程及封裝過程 的三步驟過程制造。半導(dǎo)體芯片制造過程產(chǎn)生構(gòu)成例如晶體管、寄存器及電 容器的器件的芯片。該電測試過程用電力測試半導(dǎo)體芯片并且將每個芯片分 為優(yōu)良或不良的半導(dǎo)體芯片。該封裝過程保護脆弱的半導(dǎo)體芯片不受外部侵 害和/或振動。
包括半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體封裝已經(jīng)被應(yīng)用于比如個人計算機、電視接收 器、消費電器及信息通訊機的器件。 -
半導(dǎo)體封裝技術(shù)的進步已經(jīng)產(chǎn)生了 "芯片尺寸封裝"，其為現(xiàn)有的半導(dǎo) 體芯片尺寸的100%至105%。此技術(shù)的進展還造就一種能通過堆疊多個半 導(dǎo)體芯片和/或半導(dǎo)體封裝提升數(shù)據(jù)儲存能力和數(shù)據(jù)處理速率的"疊層半導(dǎo)體 ^于裝(stacked semiconductor package )，，。
近來發(fā)展的疊層半導(dǎo)體封裝，通過在半導(dǎo)體芯片上形成通過電極并且將 多個具有通過電極的半導(dǎo)體芯片堆疊而制成。
一種高熔點金屬，例如銅， 一般用以形成在半導(dǎo)體芯片上形成的通過電極。
因此，于相鄰的半導(dǎo)體芯片上形成的通過電極，可通過低熔點金屬例如 焊料而彼此相互連接。半導(dǎo)體芯片的高熔點通過電極并不受低熔點焊料的影 響，并且彼此電性連接。
然而，由于用來電性連接各通過電極的焊料，各疊層半導(dǎo)體芯片之間可 產(chǎn)生間隙。由焊料形成的間隙大大地減少疊層半導(dǎo)體封裝的可靠性。
底膠(under-fill)材料可被注入受到焊接的半導(dǎo)體芯片之間，以消除由
于焊接過程中形成的間隙而造成的可靠性的降低。然而，無法將該底膠材料 注入先前的疊層半導(dǎo)體封裝的窄間隙。
克服上述問題并且使相鄰的各半導(dǎo)體芯片的通過電極彼此直接電性連 接是可能的。然而，由于通過電極必須在高溫和高壓下連結(jié)以使各通過電極 彼此直接電性連接，因此會造成另一問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的具體實施例提供一適合用于一疊層半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體封裝 通過電極。
根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例， 一半導(dǎo)體封裝的通過電極，包括一具有凹
槽部份的第一電極以穿過一半導(dǎo)體芯片；和一設(shè)置于該凹槽部分的第二電 極。
在該半導(dǎo)體封裝的通過電極中，第一電極包括一具有第一硬度的第一金 屬，第二電極包括一具有低于第 一硬度的第二硬度的第二金屬。
在該半導(dǎo)體封裝的通過電極中，第一電極包括一具有第一熔點的第一金 屬，第二電極包括一具有低于第 一熔點的第二熔點的第二金屬。
該半導(dǎo)體封裝的通過電極的第一電極包括銅、鋁、鋁合金或金屬合金其 中任一。
該半導(dǎo)體封裝的通過電極的第二電極包括一含有鉛(Pb)的焊料。 該半導(dǎo)體封裝的通過電極的第一電極的長度大于該半導(dǎo)體芯片的厚度。 該半導(dǎo)體封裝的通過電極的第一電極呈管狀，其一端^皮封閉。 在該半導(dǎo)體封裝的通過電極，第一電極具有一延伸到與一端相對的另一 端的第 一延伸部，第二電極具有 一對應(yīng)于第 一延伸部延伸的第二延伸部。 本發(fā)明提供一具有通過電極的半導(dǎo)體封裝。
根據(jù)本發(fā)明的一半導(dǎo)體封裝包括一半導(dǎo)體芯片，其具有一包括一電路單 元和一連接該電路單元的焊墊的半導(dǎo)體芯片體；及一通過電極，具有包括一 凹槽部份的第一電極和一設(shè)置在該凹槽部份的第二電極，以穿過該焊墊和與 該焊墊相對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片體。
在該半導(dǎo)體封裝中，第一電極包括一具有第一硬度的第一金屬，第二電 極包括一具有低于第 一硬度的第二硬度的第二金屬。
在該半導(dǎo)體封裝中，第一電極包括一具有第一熔點的第一金屬，第二電 極包括一具有低于第 一熔點的第二熔點的第二金屬。
該半導(dǎo)體封裝的第一電極包括銅、鋁、鋁合金或金屬其中任何一者，該 第二電極包括一含有鉛(Pb)的焊料。
該半導(dǎo)體封裝的第一電極的長度大于該半導(dǎo)體芯片體的厚度。
該半導(dǎo)體封裝，第一電極電性連接至該焊墊，該第一電極呈管狀，其一 端尋皮封閉。
在該半導(dǎo)體封裝中，第一電極具有一延伸一端的第一延伸部，第二電極 具有 一對應(yīng)于第 一延伸部延伸的第二延伸部。
該半導(dǎo)體封裝的焊墊，設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片體的頂面的中間部分 該半導(dǎo)體封裝的焊墊，設(shè)直于該半導(dǎo)體芯片體的頂面的一邊緣。 該半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體芯片包括一于該半導(dǎo)體芯片體上形成的絕緣膜，
以覆蓋該焊墊、第一電極及第二電極。
該半導(dǎo)體封裝的絕緣膜又包括一 能暴露出第二電極的孔口 。 該半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體芯片體包括一用以修復(fù)該電路單元的熔斷器和
一用以覆蓋并且使該熔斷器絕緣的熔斷器絕緣構(gòu)件。
該半導(dǎo)體封裝又包括一連接該通過電極的連接墊、 一設(shè)置在該連接墊上
的焊料層的基板及一設(shè)置于基板和半導(dǎo)體芯片體之間的底膠構(gòu)件。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝包括一半導(dǎo)體芯片，其具有一包括一電路單元
體芯片體； 一通過電極，其具有形成有一凹槽部份的第一電極和一設(shè)置在該 凹槽部份內(nèi)的第二電極，以穿過半導(dǎo)體芯片體的一邊緣；及一重新散布層， 其電性連接該焊墊和通過電極。
在該半導(dǎo)體封裝中，第一電極包括一具有第一硬度的第一金屬，第二電 極包括一具有低于第 一硬度的第二硬度的第二金屬。
在該半導(dǎo)體封裝中，第一電極包括一具有第一熔點的第一金屬，第二電 極包括一具有低于第 一熔點的第二熔點的第二金屬。
在該半導(dǎo)體封裝中，第一電極包括銅、鋁、鋁合金或金屬其中任意一者， 該第二電極包括一含有鉛(Pb)的焊料。
該半導(dǎo)體封裝的第一電極的長度大于該半導(dǎo)體芯片體的厚度。
在該半導(dǎo)體封裝，第一電極具有一在半導(dǎo)體芯片體的表面部分中延伸的 第 一延伸部，第二電極具有 一對應(yīng)于第 一延伸部延伸的第二延伸部。
該半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體芯片包括一于該半導(dǎo)體芯片體上形成的絕緣膜， 以覆蓋該焊墊、第一電極及第二電極。
該半導(dǎo)體封裝的絕緣膜包括一能暴露出第二電極的孔口 。
該半導(dǎo)體封裝的重新散布層又包括一金屬籽晶圖案。
在該半導(dǎo)體封裝中， 一含有和第一電極一樣的材料的連接圖案設(shè)置于該 重新散布層和焊墊之間。
該半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體芯片體包括一用以修復(fù)該電路單元的熔斷器和 一用以覆蓋該熔斷器的熔斷器絕緣構(gòu)件。
該半導(dǎo)體封裝又包括一連接至該通過電極的連接墊、 一具有設(shè)置于該連 接墊上的焊料層的基板及一設(shè)置于該基板和半導(dǎo)體芯片體之間的底膠構(gòu)件。
圖l是顯示根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的通過電極的剖面圖。
圖2是顯示具有圖1所示的通過電極的半導(dǎo)體封裝的平面圖。 圖3是沿著第2圖的I-I，線的剖面圖。
圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的平面圖。 圖5是顯示沿著圖4的II-II，線的剖面圖。
圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的平面圖。 圖7是顯示沿著圖6的III-III ，線的剖面圖。 圖8是圖7所示的'A，的部份放大圖。
圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明的 一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。 圖10是顯示在圖9所示的一絕緣層上形成的孔口的剖面圖。 圖ll是顯示具有圖l所示的通過電極的疊層半導(dǎo)體封裝的剖面圖。 圖12是顯示根據(jù)本發(fā)明的 一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的平面圖。 圖13是顯示沿著圖12的IV-1V ，線的剖面圖。
圖14是顯示在圖13所示的半導(dǎo)體封裝上形成的絕緣層的剖面圖。 圖15是顯示在圖14的絕緣層上形成的孔口的剖面圖。圖16是顯示根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
圖17是顯示根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
具體實施例方式
圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的通過電極的剖面圖。
圖1顯示一適合于堆棧數(shù)個晶片級半導(dǎo)體封裝的半導(dǎo)體封裝通過電極。 參照圖1， 一矩形的半導(dǎo)體芯片1作為說明用。半導(dǎo)體芯片1具有一
第一表面2和一位于第一表面2的相反面的第二表面3。
通過電極10,延伸穿過半導(dǎo)體芯片1。舉例而言，該通過電極10是 于垂直方向穿過半導(dǎo)體芯片1的第一表面2。該通過電極10的長度大于 半導(dǎo)體芯片l的厚度，該通過電極IO由半導(dǎo)體芯片1的第二表面3向外 突出。
根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例，通過電極10的第一端10a與半導(dǎo)體芯片 1的第一表面2共面。與通過電極10的第一端10a相反的第二端10b 由半導(dǎo)體芯片1的第二表面3向外突出。
通過電極10,具有一包括一第一電極11和一第二電極14的雙電極 結(jié)構(gòu)。
通過電極10的第一電極11,具有一于其中形成的凹槽部份12。該具 有凹槽部份12的第一電極11,舉例而言，呈管狀，其一端被封閉。該第 一電極11的長度大于半導(dǎo)體芯片1的厚度，該第一電極11由半導(dǎo)體芯片 1的第二表面3向外突出。
通過電極10的第二電極14，設(shè)置于第一電極11的凹槽部份12內(nèi)。 第二電極14可設(shè)置而填補第一電極11的凹槽部份12。
第一電極11，可包括一具有，舉例而言，第一硬度的第一金屬。第二 電極14可包括一具有低于第一電極11的第一硬度的第二硬度的第二金 屬。
或者，第一電極11可包括，舉例而言， 一具有第一熔點的第一金屬， i第二電極14可包括一具有低于第一電極11的第一熔點的第二熔點的第 二金屬。
銅、鋁、鋁合金及金屬合金等材料，可作為具有第一硬度和/或第一熔點 的第一電極11。含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有第二硬度和/或第二熔
點的第二電極14。
此時，第一電極11的第一開端10a具有一用以增加凹槽部份12的總 容積的第一延伸部lla。第二電極14具有一第二延伸部14a，其具有一與 第一延伸部lla對應(yīng)的增大區(qū)域。
圖2顯示具有圖1所示的通過電極的半導(dǎo)體封裝的平面圖。圖3是延著 圖2的I-I，線的剖面圖。
參照圖2和3,半導(dǎo)體封裝IOO包括半導(dǎo)體芯片110和通過電極120。
半導(dǎo)體芯片110,包括一半導(dǎo)體芯片體U2和一焊墊114。該半導(dǎo)體 芯片110亦可包括一具有暴露出焊墊114的孔口的鈍化膜115。
半導(dǎo)體芯片體112,舉例而言，呈一矩形。該半導(dǎo)體芯片體112，具有 一第一表面112a和一位于第一表面112a的相反面的第二表面112b。
半導(dǎo)體芯片體112,包括，舉例而言，至少一個電路單元111。各電路 單元111包括，舉例而言， 一用以儲存數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲存單元(圖中未顯示) 和一用以處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理單元(圖中未顯示)。根據(jù)本發(fā)明的具體實施例， 四個電路單元111以一矩陣的形式配置于半導(dǎo)體芯片體112上。
焊墊114,設(shè)置于半導(dǎo)體芯片體112的第一表面112a上。在本發(fā)明的 具體實施例，數(shù)個焊墊114設(shè)置于第一表面112a的中間部分。
焊墊114，電性連接至半導(dǎo)體芯片體112的電路單元111的數(shù)據(jù)儲存 單元和/或數(shù)據(jù)處理單元。
通過電極120，穿過焊墊114和與該焊墊114相對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片體 112。 一部分的通過電極120電性連接至焊墊114，該通過電極120的一端 由半導(dǎo)體芯片體112的第二表面112b向外突出一預(yù)定高度。
通過電極120,包括第一電極122和第二電極124。該通過電極120 亦可包括一金屬籽晶層(圖中未顯示)以覆蓋第一電極的一表面。該金屬 籽晶層選擇性的于第一電極122的表面形成，并通過電鍍法(plating method)形成第一電極122。
通過電極120的第一電極122，通過焊墊114和半導(dǎo)體芯片體112。
第一電極122，具有一用以接收第二電極124的凹槽部份121。該具有 凹槽部份121的第一電極122呈管狀，其一端被封閉。該通過電纟及120的
一部分第一電極122電性連接至焊墊114。 一部分的第一電極122覆蓋被 一鈍化膜圖案115暴露的焊墊114的頂面。
第二電極124,設(shè)置于第一電極122的凹槽部份121內(nèi)。 第一電極122,可包括，舉例而言， 一具有第一硬度的第一金屬。第二 電極124可包括一具有低于第一電極122的第一硬度的第二硬度的第二 金屬。銅、鉆、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一硬度的第一電極 122。含有鉛(Pb)的焊料等的材料可作為具有第二硬度的第二電極124。
或者，第一電極122,包括，舉例而言， 一具有第一熔點的第一金屬。 第二電極124可以包括一具有低于第一電極122的第一熔點的第二熔點 的第二金屬。銅、鋁、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一熔點的第一 電極122。含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第一熔點的第二熔點的 第二電極124。
此時，第一電極122的入口具有一第一延伸部122a。第二電極124具 有一第二延伸部124a,其具有一對應(yīng)該第一延伸部122a的增大區(qū)域。
圖4是顯示一根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的平面圖。圖5
是一沿著圖4的n-ir線的剖面圖。
參照圖4和5，半導(dǎo)體封裝100包括一半導(dǎo)體芯片110和一通過電極
120。
半導(dǎo)體芯片110，包括一半導(dǎo)體芯片體112和一焊墊116。該半導(dǎo)體 芯片110亦可包括一具有暴露出焊墊116的孔口的鈍化膜115。
半導(dǎo)體芯片體112，舉例而言，為一矩形。該半導(dǎo)體芯片體112具有 一第一表面112a和一位于第一表面112a的相反面的第二表面112b。
半導(dǎo)體芯片體112包括，舉例而言，至少一電路單元111。各電^^單元 111包括，舉例而言， 一用以儲存數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲存單元(圖中未顯示)和一用 以處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理單元(圖中未顯示)。
根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，四個電路單元111是以2x2的矩陣形式配 置于半導(dǎo)體芯片112上。
焊墊116,設(shè)置于半導(dǎo)體芯片體112的第一表面112a上。在本發(fā)明 的具體實施例，數(shù)個焊墊116是以2x2的矩陣形式沿著電路單元111的 反面設(shè)置。
焊墊116，電性連接至半導(dǎo)體芯片體112的電路單元111的數(shù)據(jù)儲存
單元和/或數(shù)據(jù)處理單元。
通過電極120，穿過各焊墊116和與各焊墊116對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片體
112。 一部分的通過電極120直4妄電性連接至焊墊116,該通過電才及120的 一端是由半導(dǎo)體芯片體112的第二表面112b向外突出一預(yù)定高度。
通過電極120，具有一包括一第一電極122和一第二電極124的雙電 極結(jié)構(gòu)。該第一電極122的長度大于半導(dǎo)體芯片體112的厚度，該第一電 極122由半導(dǎo)體芯片體112的第二表面112b向外突出。
第一電極122,穿過焊墊116和半導(dǎo)體芯片體112。該第一電極122 具有一用以接收該第二電極124的凹槽部份121。具有凹槽部份121的第 一電極122呈管狀，其一端被封閉而另一端開放。通過電極120的一部分 第一電極122電性連接至該焊墊116。 一部分的第一電極122覆蓋被鈍化 膜圖案115暴露的焊墊116的頂面。
第二電極124設(shè)置于第一電極122的凹槽部份121內(nèi)。
第一電極122可包括，舉例而言， 一具有第一硬度的第一金屬。第二 電極124可包括一具有低于第一電極122的第一硬度的第二硬度的第二 金屬。銅、鉛、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一硬度的第一電極 122。含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第一硬度的第二硬度的第二電 極124。
或者，第一電極122包括，舉例而言， 一具有第一熔點的第一金屬。第 二電極124可包括一具有低于第一電極122的第一熔點的第二熔點的第 二金屬。銅、鉛、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一熔點的第一電極 122。含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第 一熔點的第二熔點的第二電 極124。
此時，第一電極122的入口具有一用以增加該凹槽部j分121的總?cè)莘e 的第一延伸部122a。第二電極124具有一第二延伸部124a,該第二延伸 部124a具有一與第一延伸部122a對應(yīng)的增大區(qū)域。
圖6是顯示一根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的平面圖。圖7 是顯示一沿著圖6的III-Iir線的剖面圖。圖8是圖7的'A，的部分放大圖。
參照圖6至8,半導(dǎo)體封裝100包括一半導(dǎo)體芯片110和數(shù)個通過電 極120。
半導(dǎo)體芯片110,包括一半導(dǎo)體芯片體112、 一焊墊114、一熔斷器117
及一熔斷器絕緣構(gòu)件118。該半導(dǎo)體芯片110亦可包括一鈍化膜115，其 具有一暴露出焊墊114的孔口。
半導(dǎo)體芯片體112,舉例而言，為一矩形。該半導(dǎo)體芯片體112具有一 第一表面112a和一位于第一表面112a的相反面的第二表面112b。
半導(dǎo)體芯片體112,包括數(shù)個電路單元111。各電路單元111包括，舉 例而言， 一用以儲存數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲存單元(圖中未顯示)和一用以處理數(shù)據(jù)的 ^t據(jù)處理單元(圖中未顯示)。根據(jù)本發(fā)明的具體實施例，四個電路單元111 是以2x2的矩陣形式配置于半導(dǎo)體芯片體112上。
焊墊114,設(shè)置于半導(dǎo)體芯片體112的第一表面112a上。在本發(fā)明 的具體實施例，數(shù)個焊墊114設(shè)置于一對相鄰的電路單元111之間。
焊墊114電性連接至半導(dǎo)體芯片體112的電路單元111的數(shù)據(jù)儲存 單元和/或數(shù)據(jù)處理單元。
熔斷器117，設(shè)置于焊墊114和電路單元111之間。數(shù)個熔斷器117 可修復(fù)該電路單元111。該熔斷器絕緣構(gòu)件118使熔斷器117絕緣。熔斷 器絕緣構(gòu)件118包括，舉例而言，有機材料。該熔斷器絕緣構(gòu)件118可選 擇性地在一對應(yīng)的熔斷器117上形成。該熔斷器絕緣構(gòu)件118可具有一實 際上與該鈍化膜圖案115共面的頂面。
通過電極120,穿過焊墊114和與各焊墊114對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片體 112。 一部分的通過電極120直接電性連接至焊墊114,該通過電極120的 一端由半導(dǎo)體芯片體112的第二表面112b向外突出一預(yù)定高度。
通過電極120,具有一包括一第一電極122和一第二電4及124的雙電 極結(jié)構(gòu)。該第一電極122的長度大于半導(dǎo)體芯片體112的厚度，該第一電 極由半導(dǎo)體芯片體112的第二表面112b向外突出。
第一電極122,穿過焊墊114和半導(dǎo)體芯片體112。該第一電極122 具有一用以接收第二電極124的凹槽部份121。該具有凹槽部份121的第 一電極122呈管狀，其一端被封閉而另一端開放。 一部分的第一電極122 直接電性連接至焊墊114。一部分的第一電極122覆蓋該-陂鈍化膜圖案115 暴露的焊墊114的頂面。
第二電極124，設(shè)置于第一電極122的凹槽部份121內(nèi)。
根據(jù)此具體實施例，暴露的第一電極122和第二電4及124的一端實際 上和鈍化膜圖案115共面。該第一電極122覆蓋該被鈍化膜圖案115暴露的焊墊114的頂面。
第一電極122可包括，舉例而言， 一具有第一硬度的第一金屬。第二 電極124可包括一具有相對低于第一電極122的第一硬度的第二硬度的 第二金屬。銅、鉛、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一硬度的第一電 極122。含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第一硬度的第二硬度的第 二電極124。
或者，第一電極122包括，舉例而言， 一具有第一熔點的第一金屬。第 二電極124可包括一具有低于第一電極122的第一熔點的第二熔點的第 二金屬。銅、鋁、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一熔點的第一電極 122。含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第一熔點的第二熔點的第二電 極124。
此時，第一電極122的入口具有一用以增加該凹槽部份121的總?cè)莘e 的第一延伸部122a。第二電極124具有一第二延伸部124a,其具有一與 第一延伸部122a對應(yīng)的增大區(qū)域。
圖9是顯示一根據(jù)本發(fā)明的 一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。
圖9所示的半導(dǎo)體封裝，適合經(jīng)由至少二個半導(dǎo)體封裝相互堆棧而制造
一疊層半導(dǎo)體封裝。
參照圖9,半導(dǎo)體封裝100包括一半導(dǎo)體芯片110、 一通過電極CO 及一絕緣膜130。
半導(dǎo)體芯片110,包括一半導(dǎo)體芯片體112和一焊墊114。該半導(dǎo)體 芯片110亦可包括一具有一暴露出焊墊114的孔口的鈍化膜圖案115。 半導(dǎo)體芯片體112，舉例而言，呈一矩形。
半導(dǎo)體芯片體112，具有一第一表面112a和一位于第一表面llh的 相反面的第二表面112b。
半導(dǎo)體芯片體112，包括一具有一數(shù)據(jù)儲存單元和一數(shù)據(jù)處理單元的電 路單元111。
焊墊114,設(shè)置于半導(dǎo)體芯片體112的第一表面112a。在本發(fā)明的具 體實施例，數(shù)個焊墊114設(shè)置于一對相鄰的電^各單元111之間。
焊墊114,電性連接至在半導(dǎo)體芯片體112的電路單元111的數(shù)據(jù)儲 存單元和/或數(shù)據(jù)處理單元。
通過電極120，穿過焊墊114和與各焊墊114對應(yīng)的半導(dǎo)體芯片體112。 一部分的通過電極120直接電性連接至焊墊114，該通過電極120的 一端由半導(dǎo)體芯片體112的第二表面112b向外突出一預(yù)定高度。
通過電極120，具有一包括一第一電極122和一第二電極124的雙電 極結(jié)構(gòu)。該第一電極122的長度大于半導(dǎo)體芯片體112的厚度，該第一電 極122由半導(dǎo)體芯片體112的第二表面112b向外突出。
第一電極122，穿過該焊墊114和半導(dǎo)體芯片體112。該第一電極122 具有一用以接收第二電極124的凹槽部份121。該具有凹槽部份121的第 一電極122呈管狀，其一端被封閉而另一端開放。 一部分的第一電極122 直接電性連接至焊墊114。一部份的第一電極122覆蓋該被鈍化膜圖案115 暴露的焊墊114的頂面。
第二電極124，設(shè)置于第一電極122的凹槽部份121。
第一電極122，可包括，舉例而言， 一具有第一硬度的第一金屬。第二 電極124可包括一具有低于第一電極122的第一硬度的第二硬度的第二 金屬。銅、鋁、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一硬度的第一電極 122。含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第一硬度的第二硬度的第二電 極124。
或者，第一電極122包括，舉例而言， 一具有第一熔點的第一金屬。 第二電極124可包括一具有低于第一電極122的第一熔點的第二熔點的 第二金屬。銅、鋁、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一熔點的第一電 極122。含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第一熔點的第二熔點的第 二電極124。
此時，第一電極122的入口具有一用以增加該凹槽部份121的總?cè)莘e 的第一延伸部122a。第二電極124具有一第二延伸部124a，其具有一與 第一延伸部122a對應(yīng)的增大區(qū)域。
絕緣膜130,于半導(dǎo)體芯片體112的鈍化層115上形成，以覆蓋經(jīng)由 鈍化層115暴露的通過電極120的第一電極122和第二電極124。該絕 緣膜130可為一有機膜。該絕緣膜130的厚度，小于由半導(dǎo)體芯片體112 的第二表面U2b突出的通過電極的長度。
圖IO是顯示一于圖9所示的絕緣膜形成的孔口的剖面圖。
參照圖10,覆蓋該半導(dǎo)體芯片體112的鈍化層115的絕緣膜130,具 有一孔口 132。在本發(fā)明的具體實施例，該絕緣膜130的孔口 132可選擇
性地暴露出通過電極120的第二電極124 ?；蛘撸摻^緣膜130的孑L口
132亦可暴露出第二電極124和第一電極122。
圖11是顯示一具有圖1所示的通過電極的疊層半導(dǎo)體封裝的剖面圖。 參照圖11，疊層半導(dǎo)體封裝199包括一下半導(dǎo)體封裝180、 一上半導(dǎo)
體封裝190及一基板150。該疊層半導(dǎo)體封裝199亦可包括一虛擬芯片支
撐構(gòu)件157。
下半導(dǎo)體封裝180,包括一下半導(dǎo)體芯片體181和一焊墊182。 下半導(dǎo)體封裝體181,包括一電路單元(圖中未顯示)具有一用以儲存數(shù)
據(jù)的數(shù)據(jù)儲存單元(圖中未顯示)和一用以處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理單元(圖中未
顯示)。
焊墊182,設(shè)置于下半導(dǎo)體芯片體181的頂面。在本發(fā)明的具體實施例， 數(shù)個焊墊182設(shè)置于下半導(dǎo)體芯片體181的頂面的中間部分。數(shù)個電路單 元設(shè)置于焊墊182的兩邊。
焊墊182 ，電性連接至在下半導(dǎo)體芯片體181的電路單元的數(shù)據(jù)儲存 單元和/或數(shù)據(jù)處理單元。
下通過電極185，穿過焊墊182和與焊墊182對應(yīng)的下半導(dǎo)體芯片體 181。 一部分的下通過電極185直接電性連接至焊墊182，該下通過電極 185的一端由下半導(dǎo)體芯片體181的底面向外突出。
下通過電極185，具有一包括一第一電極184和一第二電極186的雙 電極結(jié)構(gòu)。該第一電極184的長度大于該下半導(dǎo)體芯片體181的厚度，該 第一電極184由下半導(dǎo)體芯片體181的底面向外突出。
第一電極184，穿過焊墊182和下半導(dǎo)體芯片體181。該第一電極184 具有一用以接收第二電極186的凹槽部份。 一部分的第一電極184覆蓋該 焊墊182。
第二電極186,設(shè)置于第一電極184的凹槽部份。
第一電極184，可包括，舉例而言， 一具有第一硬度的第一金屬。第二 電極186可包括一具有低于第一電極184的第一硬度的第二硬度的第二 金屬。
銅、4呂，鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一硬度的第一電極184。 含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第 一硬度的第二硬度的第二電極 186。
或者，第一電極184包括，舉例而言， 一具有第一熔點的第一金屬。 第二電極186可包括一具有低于第一電極184的第一熔點的第二熔點的第 二金屬。
銅、鋁，鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一熔點的第一電極184。 含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第 一熔點的第二熔點的第二電極 186。
絕緣膜187,于下半導(dǎo)體封裝180的下半導(dǎo)體芯片體181的頂面形
成，以;f篁蓋i玄頂面。
上半導(dǎo)體封裝190，設(shè)置于下半導(dǎo)體封裝180的上方。
上半導(dǎo)體封裝190，包括一上半導(dǎo)體芯片體191和一焊墊192。
上半導(dǎo)體封裝體191,包括一具有一用以儲存數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲存單元(圖 中未顯示)和一用以處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理單元(圖中未顯示)的電路單元(圖中 未顯示)。該焊墊192設(shè)置于該上半導(dǎo)體芯片體191的頂面。在本發(fā)明的具 體實施例，數(shù)個焊墊192設(shè)置于該上半導(dǎo)體芯片體191的頂面的中間部分。 上半導(dǎo)體芯片體191的焊墊192設(shè)置于一與下半導(dǎo)體芯片體181的焊墊 182相對應(yīng)的位置。數(shù)個電路單元設(shè)置于該焊墊192的兩邊。
上半導(dǎo)體芯片體191的焊墊192,電性連接至該電路單元的數(shù)據(jù)儲存 單元和/或數(shù)據(jù)處理單元。
上通過電極195，穿過焊墊192和與焊墊192相對應(yīng)的下半導(dǎo)體芯片 體191。 一部分的上通過電極195直接電性連接至焊墊-192,該上通過電極 195的一端由上半導(dǎo)體芯片體191的底面向外突出。該上通過電極195穿 過下半導(dǎo)體芯片封裝180的絕緣膜187以電性連接至下通過電極185。
上通過電極195，具有一包括一第一電極194和一第二電極196的雙 電極結(jié)構(gòu)。該第一電極194的長度大于該上半導(dǎo)體芯片體191的厚度，該 第一電極194由上半導(dǎo)體芯片體191的底面向外突出。
第一電極194，穿過焊墊192和上半導(dǎo)體芯片體191。該第一電極194 具有一用以接收該第二電極196的凹槽部份。 一部分的第一電極194覆蓋 該焊墊192。
第二電極196,設(shè)置于第一電極194的凹槽部份內(nèi)。 第一電極194,可包括，舉例而言， 一具有第一硬度的第一金屬。第二 電極196可包括一具有低于第一電極194的第一硬度的第二硬度的第二
金屬。
銅、鋁、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一硬度的第一電極194。 含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第 一硬度的第二硬度的第二電極
196。
或者，第一電極194包括，舉例而言， 一具有第一熔點的第一金屬。 第二電極196可包括一具有低于第一電極194的第一熔點的第二熔點的 第二金屬。
銅、4呂，鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一熔點的第一電極194。 含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第一熔點的第二熔點的第二電極 196。
絕緣膜197，于上半導(dǎo)體封裝190的下半導(dǎo)體芯片體191的頂面形 成，以^隻蓋該頂面。
上半導(dǎo)體封裝190的上通過電極195的第一電極194，穿過于下半導(dǎo) 體封裝180的頂面形成的絕緣膜187以電性連接至下半導(dǎo)體封裝180的 下通過電極185的第二電極186。因此，該上半導(dǎo)體封裝190和下半導(dǎo)體 封裝180可經(jīng)由使用絕緣膜187而相互堆棧，而沒有該上半導(dǎo)體封裝190 和下半導(dǎo)體封裝180之間的間隙。
基板150,電性連接至下半導(dǎo)體封裝180?；?50包括一基板主體 151、一設(shè)置在該基板主體151頂面上的連接墊152、一設(shè)置在該連接墊152 上的焊料層(solder layer) 153、 一設(shè)置在和基板主體151的頂面相對的底 面上的球凸槽(ballland) 154及一放置于球凸槽154上的焊料球155。
該連接墊152電性連接至由下半導(dǎo)體芯片體181的底面突出的下通過 電極185的第一電極184。該下通過電極185的第一電極184電性連接至 設(shè)置于該連接墊152上的焊料層153。
一虛擬芯片支撐構(gòu)件157,設(shè)置于下半導(dǎo)體封裝180和基板150之 間。數(shù)個虛擬芯片支撐構(gòu)件157可沿著，舉例而言，下半導(dǎo)體封裝180的 一邊緣設(shè)置。該虛擬芯片支撐構(gòu)件157可為一假焊料球(dummy solder ball)、 一假焊凸塊(dummy bump )或一封閉回路外型虛擬支撐構(gòu)件。該虛 擬芯片支撐構(gòu)件157設(shè)置于下半導(dǎo)體封裝180和基板150之間，以穩(wěn)固地 支撐該下半導(dǎo)體封裝180。
接著， 一底膠構(gòu)件156可設(shè)置于基板150和下半導(dǎo)體封裝180之間，用以防止基板150和下半導(dǎo)體封裝180之間形成一無用空間(void space )。
圖12是顯示一根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的平面圖。圖 13是顯示一沿著圖12的IV-IV，線的剖面圖。
參照圖12和13,半導(dǎo)體封裝200包括一半導(dǎo)體芯片210、 一通過電 才及220及一重新散布層(re-distribution layer ) 230。
半導(dǎo)體芯片210，包括一半導(dǎo)體芯片體212和一焊墊214。該半導(dǎo)體 芯片210亦可包括一具有一暴露出焊墊214的孔口的鈍化膜215。
半導(dǎo)體芯片體112，舉例而言，呈一矩形。
半導(dǎo)體芯片體212具有一第一表面212a和一位于第一表面212a的 相反面的第二表面212b。
半導(dǎo)體芯片體212,包括一電^各單元211。該電路單元211又包括， 舉例而言， 一用以儲存數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲存單元(圖中未顯示)和一用以處理數(shù)據(jù) 的數(shù)據(jù)處理單元(圖充未顯示)。
焊墊214，設(shè)置于半導(dǎo)體芯片體212的第一表面212a。在本發(fā)明的具 體實施例，數(shù)個焊墊214設(shè)置于第一表面212a的中間部分。
焊墊214，電性連接至在半導(dǎo)體芯片體212的電路單元211的數(shù)據(jù)儲 存單元和/或數(shù)據(jù)處理單元。
通過電極220，穿過半導(dǎo)體芯片210的半導(dǎo)體芯片體212。該通過電 極220穿過，舉例而言，與焊墊214遠遠相隔的半導(dǎo)體芯片體212的一 邊緣。該通過電極220的一端由該半導(dǎo)體芯片體212的第二表面2Ub向 外突出。
通過電才及220,包括一第一電極222和一第二電極224。該通過電極 220亦可包括一設(shè)置于第一電極222的表面的金屬籽晶層(圖中未顯示)。當 第一電極222形成時，該金屬籽晶層可選擇性地經(jīng)由電鍍法而在該第一電 才及222的表面上形成。
第一電極222,穿過半導(dǎo)體芯片體212。該第一電極222具有一用以 接收第二電極224的凹槽部分221。 該具有凹槽部份221的第一電極 222呈管狀，其一端被封閉而另一端開放。
第二表面224，設(shè)置于第一電極222的凹槽單元221內(nèi)。
第一電極222，可包括，舉例而言， 一具有第一硬度的第一金屬。第二 電極224可包括一具有低于第一電極222的第一硬度的第二硬度的第二金屬。
銅、鋁、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一硬度的第一電極222。 含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第 一硬度的第二硬度的第二電極
224。
或者，第一電極222包括，舉例而言， 一具有第一熔點的第一金屬。第 二電極224可包括一具有低于第一電極222的第一熔點的第二熔點的第 二金屬。
銅、鉆、鋁、合金及金屬合金等材料可作為具有第一熔點的第一電極 222。含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第一熔點的第二熔點的第二電 極224。
此時，第一電極222的入口具有一用以增加該凹槽部份221的總?cè)莘e 的第一延伸部222a。第二電極224具有一第二延伸部224a,其具有一與 第一延伸部222a對應(yīng)的增大區(qū)域。
重新散布層230,配置在半導(dǎo)體芯片體212的第一表面212a的鈍化 層215上。該重新散布層230將設(shè)置于半導(dǎo)體芯片體212的中間部分的焊 墊214與沿著半導(dǎo)體芯片體212的一邊緣設(shè)置的通過電極220連接。在平 面圖上看來，該重新散布層230呈一線形。
根據(jù)本發(fā)明的具體實施例， 一金屬籽晶層232可配置于該重新散布層 230和半導(dǎo)體芯片體212之間。該金屬籽晶層232插設(shè)于半導(dǎo)體芯片體 212和重新散布層230之間，經(jīng)由電鍍法形成該重新散布層230。
該金屬籽晶層232具有和重新散布層230 —樣的形狀和尺寸。
銅、鉆、金及金屬合金等材料可用作重新散布層。
連接圖案234配置于該重新散布層230和焊墊214之間。該連接圖案 234 具有一設(shè)置于實際上與該鈍化膜圖案215的頂面共面的頂面上。該連 接圖案234實際上含有和通過電極220的第一電極222 —樣的材料。
重新散布層230,可包括一能選擇性暴露出通過電極220的第二電極 224的孔口 231。
圖M是顯示一于圖13所示的半導(dǎo)體封裝上形成的絕緣層237的剖面圖。
參照圖14, 一絕緣膜237于半導(dǎo)體封裝100的半導(dǎo)體芯片體212的 第一表面212a上方形成。該通過電極220的一端和重新散布層230被絕
緣膜237的覆蓋。在本發(fā)明的具體實施例，絕緣膜237包括，舉例而言， 有機材料。
圖15是顯示如圖14所示的絕緣層形成的孔口的剖面圖。
參照圖15，半導(dǎo)體封裝200的半導(dǎo)體芯片體212又包括一在第一表面 212a上的孔口 238，選擇性地暴露出通過電極220的第二電極224 。
圖16是顯示一根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。除 了熔斷器和熔斷器絕緣構(gòu)件的外，根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封 裝，其部件實質(zhì)上與先前說明的圖15 —樣。因此，將省略該相同部件的說 明。圖13中的附圖標記和部件名稱將用來指稱圖16的相同部件。
參照圖16,半導(dǎo)體封裝200包括一半導(dǎo)體芯片210和一通過電極
220。
半導(dǎo)體芯片210包括一半導(dǎo)體芯片體212、 一焊墊214、一熔斷器219a 及一熔斷器絕緣構(gòu)件21%。該半導(dǎo)體芯片210亦可包括一具有一能暴露出 焊墊214的孔口的鈍化膜215。
半導(dǎo)體芯片體212包括，舉例而言， 一電路單元(圖中未顯示)。該電路 單元又包括，舉例而言， 一用以儲存數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲存單元(圖中未顯示)和一 用以處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理單元(圖中未顯示)。在本發(fā)明的具體實施例中，數(shù) 個電路單元設(shè)置于半導(dǎo)體芯片體212的一邊緣部分。
半導(dǎo)體芯片體212,舉例而言，呈一矩形。該半導(dǎo)體芯片體2U具有一 第一表面212a和一位于第一表面212a的相反面的第二表面2Ub。
焊墊214設(shè)置于，舉例而言，半導(dǎo)體芯片體212的第一表面21h的 一邊緣。
焊墊214，電性連接至半導(dǎo)體芯片體212的電路單元的數(shù)據(jù)儲存單元和 /或數(shù)據(jù)處理單元。
熔斷器219a，設(shè)置于該焊墊214和通過電極220之間。數(shù)個熔斷器 219a可修復(fù)該電路單元211。熔斷器絕緣構(gòu)件21%可防止重新散布層 230和熔斷器219a短路。該熔斷器絕緣構(gòu)件219b含有，舉例而言，有機 材料。該熔斷器絕緣構(gòu)件219b可選擇性地在與熔斷器219a對應(yīng)的一位置 上形成。該熔斷器絕緣構(gòu)件219b具有一實質(zhì)上與鈍化膜215共面的頂面。 圖17是顯示一根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例的半導(dǎo)體封裝的剖面圖。 參照圖17，半導(dǎo)體封裝200包括一下半導(dǎo)體封裝280、 一上半導(dǎo)體封
裝290及一基板300。該半導(dǎo)體封裝200亦包括一虛擬芯片支撐構(gòu)件357。 下半導(dǎo)體封裝280,包括一下半導(dǎo)體芯片體281和一焊墊282。 下半導(dǎo)體芯片體281 ，包括一具有一用以儲存數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)儲存單元(圖
中未顯示)和一用以處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理單元(圖中未顯示)的電路單元(圖中
未顯示)。
焊墊282，設(shè)置于下半導(dǎo)體芯片體281的頂面。在本發(fā)明的具體實施 例，數(shù)個焊墊282設(shè)置于下半導(dǎo)體芯片體281的頂面的中間部份。
焊墊282電性連接至下半導(dǎo)體芯片體281的電路單元的數(shù)據(jù)儲存單元 和/或數(shù)據(jù)處理單元。
下通過電極285,穿過與該焊墊282遠遠相隔的下半導(dǎo)體芯片體281。 一部^f分的下通過電極285由下半導(dǎo)體芯片體281的底面向外突出。
下通過電極285,具有一包括一第一電極284和一第二電極286的雙 電極結(jié)構(gòu)。該第一電極284的長度大于該下半導(dǎo)體芯片體281的厚度，該 第一電極284由下半導(dǎo)體芯片體281的底面向外突出。
第一電極284穿過下半導(dǎo)體芯片體281。該第一電極284具有一用以 接收第二電極286的凹槽部份。
第二電極286設(shè)置于第一電極284的凹槽部份內(nèi)。
第一電極284可包括，舉例而言， 一具有第一硬度的第一金屬。第二 電極286可包括一具有低于第一電極284的第一硬度的第二硬度的第二 金屬。
銅、鋁、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一硬度的第一電極284。 含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有第二硬度的第二電極286。
或者，第一電極284包括，舉例而言， 一具有第一熔點的第一金屬。第 二電極286可包括一具有低于第一電極284的第一熔點的第二熔點的第 二金屬。
銅、鋁、鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一熔點的第一電極284。 含有鉛(Pb)的悍料等材料可作為具有低于第一熔點的第二熔點的第二電極 286。
一重新散布層288將設(shè)置于下半導(dǎo)體芯片體281的中間部分上的焊墊 282與設(shè)置于下半導(dǎo)體芯片體281的一邊緣上的通過電極285電性連接。 該重新散布層288具有一孔口以暴露出通過電極285的第二電極286。
一絕緣膜287,于下半導(dǎo)體封裝280的下半導(dǎo)體芯片體281的頂面上
形成，以覆蓋該頂面。
上半導(dǎo)體封裝290,設(shè)置于下半導(dǎo)體芯片體280上方。 上半導(dǎo)體封裝290，包括一上半導(dǎo)體芯片體291和一焊墊292。 上半導(dǎo)體芯片體291，包括一電路單元(圖中未顯示)具有一用以儲存數(shù)
據(jù)的數(shù)據(jù)儲存單元(圖中未顯示)和一用以處理數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)處理單元(圖中未
顯示)。
焊墊292,設(shè)置于上半導(dǎo)體芯片體291的頂面上。在本發(fā)明的具體實 施例，數(shù)個焊墊292設(shè)置于上半導(dǎo)體芯片體291的頂面的中間部分上。該 上半導(dǎo)體芯片體291的焊墊292設(shè)置于一與下半導(dǎo)體芯片體281的焊墊 282相對應(yīng)的位置。
焊墊292，電性連接至在上半導(dǎo)體芯片體291的電路單元的數(shù)據(jù)儲存 單元和/或數(shù)據(jù)處理單元。
上通過電極295,穿過上半導(dǎo)體芯片291。 一部分的上通過電極295 由下半導(dǎo)體芯片體291的底面向外突出。該上通過電極295電性連接至下 通過電才及285。
上通過電極295，具有一包括一第一電極294和一第二電極296的雙 電極結(jié)構(gòu)。該第一電極294的長度大于該上半導(dǎo)體芯片體291的厚度，該 第一電極294由上半導(dǎo)體芯片體291的底面向外突出。
第一電極294，穿過上半導(dǎo)體芯片體291。該第一電極294具有一用 以接收第二電極296的凹槽部份。
第二電極296,設(shè)置于第一電極294的凹槽部份。
第一電極294可包括，舉例而言， 一具有第一硬度的第一金屬。第二 電極296可包括一具有低于第一電極294的第一硬度的第二硬度的第二 金屬。
銅，鋁，鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一硬度的第一電極294。 含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有第二硬度的第二電極296 。
或者，第一電極294包括，舉例而言， 一具有第一熔點的第一金屬。 第二電極296可包括一具有低于第一電極294的第一熔點的第二熔點的 第二金屬。
銅，鉛，鋁合金及金屬合金等材料可作為具有第一熔點的第一電極294。含有鉛(Pb)的焊料等材料可作為具有低于第 一熔點的第二熔點的第二電極
296。
一絕緣膜297,于上半導(dǎo)體封裝290的上半導(dǎo)體芯片體291的頂面形 成以4隻蓋i亥頂面。
上半導(dǎo)體封裝290的上通過電極295的第一電才及294,穿過下半導(dǎo)體 封裝280的頂面形成的絕緣膜287,以電性連接下半導(dǎo)體封裝280的下通 過電極285的第二電極286。因此，該上半導(dǎo)體封裝290和下半導(dǎo)體封裝 280可經(jīng)由使用絕緣膜287而相互堆棧，而沒有上半導(dǎo)體封裝2卯和下半 導(dǎo)體封裝280之間的一間隙。
基板300,與下半導(dǎo)體封裝280電性連接。該基板300包括一基板主 體351、 一設(shè)置于基板主體351的頂面上的連接墊352、 一設(shè)置于該連接 墊352上的焊料層353 、 一設(shè)置于與基板主體351的頂面相反的底面上 的球凸槽354及一放置于球凸槽354上的焊料球355。
連接墊352，電性連接至該由該下半導(dǎo)體芯片體的底面突出的下通過電 極285的第一電極384。下通過電極285的第一電極284電性連接至設(shè) 置于該連接墊352上的焊料層353。
一虛擬芯片支撐構(gòu)件357,插設(shè)于下半導(dǎo)體封裝280和基板350之 間。數(shù)個虛擬芯片支撐構(gòu)件357可設(shè)置于下半導(dǎo)體封裝280的中間部分 上。該虛擬芯片支撐構(gòu)件357可為一假焊料球、假焊凸塊或封閉回路外型 虛擬支撐構(gòu)件。該虛擬芯片支撐構(gòu)件357插設(shè)于下半導(dǎo)體封裝280和基板 300之間，以穩(wěn)固地支撐該下半導(dǎo)體封裝280。
接著， 一底膠構(gòu)件356可插設(shè)于基板300和下半導(dǎo)體封裝280之間， 以防止在基板300和下半導(dǎo)體封裝280之間形成無用空間。
如上所述，該穿過半導(dǎo)體芯片體的通過電極，可和一具有第一硬度和/ 或第 一熔點的第 一金屬和一具有低于第 一硬度和/或第 一熔點的第二硬度和/ 或第二熔點的第二金屬一起形成，其可使數(shù)個半導(dǎo)體封裝輕易地堆棧。
雖然本發(fā)明較佳具體實施例主要作為說明用，那些熟悉本技術(shù)的人將察 覺到各種修改、增加及替換，而沒有偏離揭示于申請專利范圍中的范圍和精 神，均有其可能性。
本申請在此要求于2007年8月16曰提出申請的韓國專利申請第 10-2007-0082437號的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部內(nèi)容合并于本申請中作為參考。
權(quán)利要求
1.一種經(jīng)由一介于第一表面和位于半導(dǎo)體芯片反面的第二表面之間的半導(dǎo)體芯片而形成的半導(dǎo)體封裝通過電極，該半導(dǎo)體封裝通過電極包括一第一電極，具有形成在其中的凹槽部分以穿過該半導(dǎo)體芯片；及一第二電極，設(shè)置于該第一電極的凹槽部分內(nèi)，其中設(shè)置在該第一電極內(nèi)的第二電極，在該半導(dǎo)體芯片的第一表面被暴露，及其中該半導(dǎo)體芯片的第二表面被該第一電極封閉。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝通過電極，其中該第一電極包括一具 有第 一硬度的第一金屬，該第二電極包括一具有低于該第一硬度的第二硬度 的第二金屬。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝通過電極，其中該第一電極包括一具 有第一熔點的第一金屬，該第二電極包括一具有低于該第一熔點的第二熔點 的第二金屬。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝通過電極，其中該第一電極包括銅、 鋁、鋁合金及金屬合金其中任意一者。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝通過電極，其中該第二電極包括一焊料。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝通過電極，其中該第一電極的長度大 于該半導(dǎo)體芯片的厚度。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝通過電極，其中該第一電極呈管狀， 其一端被封閉。
8. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝通過電極，其中該第一電極具有一第 一延伸部，其延伸至與該半導(dǎo)體芯片第二表面相反的該第一表面中，該第二 電極具有一第二延伸部，其對應(yīng)于在該半導(dǎo)體芯片的第一表面中的第 一延伸 部而延伸。
9. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝通過電極，其中一金屬籽晶層于該第 一電極的外表面上形成。
10. —種半導(dǎo)體封裝，包括一半導(dǎo)體芯片，具有包括一電路單元和一連接至該電路單元的焊墊的半 一通過電極，具有在其中形成一凹槽部分的第一電極和一設(shè)置于該凹槽 部分內(nèi)的第二電極，其中該通過電極穿過該焊墊和與該焊墊對應(yīng)的該半導(dǎo)體芯片體的區(qū)域。
11. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電極包括一具有第一 硬度的第一金屬，第二電極包括一具有低于該第一硬度的第二硬度的第二金 屬。
12. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電極包括一具有第一 熔點的第一金屬，第二電極包括一具有低于該第一熔點的第二熔點的第二金屬。
13. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝， 其中該第一電極包括銅、鋁、鋁合金及金屬合金其中任意一者， 其中該第二電極包括一焊料。
14. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電極的長度大于該半 導(dǎo)體芯片體的厚度。
15. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電極呈管狀，并且在 該半導(dǎo)體芯片的第一表面處開放，在該半導(dǎo)體芯片的第二表面處封閉，其中 該第一電極電性連接至在該開放端的焊墊。
16. 如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電極具有一延伸該開 放端的第 一延伸部，該第二電極具有 一對應(yīng)于該第 一延伸部延伸該第二電極 的第二延伸部。
17. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝，其中該焊墊設(shè)置在該半導(dǎo)體芯片 體的頂面的中間部分。
18. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝，其中該焊墊設(shè)置在該半導(dǎo)體芯片 體的表面的邊緣。
19. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝，其中該半導(dǎo)體芯片還包括一于該 半導(dǎo)體芯片體上形成的絕緣膜以覆蓋該焊墊、第一電極及第二電極。
20. 如權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體封裝，其中該絕緣膜還包括一暴露出第 二電極的孔口 。
21. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝，其中該半導(dǎo)體芯片體還包括一用 以修復(fù)該電路單元的熔斷器和一用以覆蓋并且使該熔斷器絕緣的熔斷器絕 緣構(gòu)件。
22. 如權(quán)利要求IO所述的半導(dǎo)體封裝，還包括 一基板，具有連接墊；一焊料層，設(shè)置在該連接墊上；及一底膠構(gòu)件，設(shè)置于該基板和半導(dǎo)體芯片體之間，其中該通過電極穿過該焊料層連接至該連接墊。
23. 如權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體封裝，還包括一虛擬芯片支撐構(gòu)件，其 設(shè)置于該基板和半導(dǎo)體芯片體之間以穩(wěn)固地支撐該半導(dǎo)體芯片體。
24. 如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體封裝，其中該虛擬芯片支撐構(gòu)件包括一 假焊料球、 一假焊凸塊及一封閉回路外型虛擬支撐構(gòu)件其中任意一者。
25. —種半導(dǎo)體封裝，包括一半導(dǎo)體芯片，具有半導(dǎo)體芯片體，該半導(dǎo)體芯片體包括一電路單元和 一設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片體的中間部分以連接至該電路單元的焊墊；一通過電極，具有在其中形成有凹槽部分的第一電極和一設(shè)置于凹槽部 分內(nèi)的第二電極；及一重新散布層，于該半導(dǎo)體芯片體的一表面上形成，并且使該焊墊和通 過電極電性連接，其中該通過電極，穿過該半導(dǎo)體芯片體的一邊緣部分。
26. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中該重新散布層具有一暴露出 第二電極的孔口 。
27. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電極包括一具有第一 硬度的第 一金屬，該第二電極包括一具有低于該第 一硬度的第二硬度的第二金屬。
28. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電極包括一具有第一 熔點的第一金屬，該第二電極包括一具有低于該第一熔點的第二熔點的第二 金屬。
29. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電極包括銅、鉆、鋁 合金及金屬合金其中任意一者，該第二電極包括一焊料。
30. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電極的長度大于該半 導(dǎo)體芯片體的厚度。
31. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中該第一電極具有一延伸該通過電極的第一端的第一延伸部，該第二電極具有一對應(yīng)于該第一延伸部延伸 的第二延伸部。
32. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中該半導(dǎo)體芯片還包括一于該 半導(dǎo)體芯片體上形成的絕緣膜以覆蓋該焊墊、第一電極及第二電極。
33. 如權(quán)利要求32所述的半導(dǎo)體封裝，其中該絕緣膜包括一暴露出該第 二電才及的孑L口 。
34. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中該重新散布層還包括一金屬 籽晶圖案。
35. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中一含有和該第一電極一樣的 材料的連接圖案設(shè)置于該重新散布層和焊墊之間。
36. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，其中該半導(dǎo)體芯片體還包括一用 以修復(fù)該電路單元的熔斷器和一用以覆蓋該熔斷器的熔斷器絕緣構(gòu)件。
37. 如權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體封裝，還包括 一基板，具有連接墊；一焊料層，設(shè)置于該連接墊上；及一底膠構(gòu)件，設(shè)置于該基板和半導(dǎo)體芯片體之間，其中該通過電極穿過焊料層連接至該連接墊。
38. 如權(quán)利要求37所述的半導(dǎo)體封裝，還包括一虛擬芯片支撐構(gòu)件，其 設(shè)置于該基板和半導(dǎo)體芯片體之間，以穩(wěn)固地支撐該半導(dǎo)體芯片體。
39. 如權(quán)利要求38所述的半導(dǎo)體封裝，其中該虛擬芯片支撐構(gòu)件包括一 假焊料球、 一假焊凸塊及一封閉回路外型虛擬支撐構(gòu)件其中任意一者。
全文摘要
本發(fā)明揭示一包括適合于一疊層半導(dǎo)體封裝的通過電極以及一具有該電極的半導(dǎo)體封裝。該半導(dǎo)體封裝通過電極包括一具有凹槽部分的第一電極以穿過一半導(dǎo)體芯片。一第二電極配置于該第一電極的凹槽內(nèi)。該半導(dǎo)體封裝通過電極的第一電極包括一具有第一硬度的第一金屬，該第二電極包括一具有低于第一硬度的第二硬度的第二金屬。該通過電極穿過該半導(dǎo)體芯片體，并且可以由具有第一硬度和/或第一熔點的第一金屬和具有低于第一硬度和/或第一熔點的第二硬度和/或第二熔點的第二金屬形成。該通過電極能使數(shù)個半導(dǎo)體封裝輕易地堆棧。
文檔編號H01L23/482GK101369566SQ20081021092
公開日2009年2月18日 申請日期2008年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月16日
發(fā)明者徐敏碩 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司