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快閃存儲器的形成方法

文檔序號:6904078閱讀:178來源:國知局
專利名稱:快閃存儲器的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路及半導(dǎo)體器件的制造工藝,尤其涉及快閃存儲器的形成方法。
背景技術(shù)
通常,用于存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器,易失
性存儲器易于在電源中斷時丟失其數(shù)據(jù),而非易失性存儲器即使在供電電源關(guān)閉后仍能保
持片內(nèi)信息。與其它的非易失性存儲技術(shù)(例如,磁盤驅(qū)動器)相比,非易失性半導(dǎo)體存儲
器具有成本低、密度大的特點。因此,非易失性存儲器已廣泛地應(yīng)用于各個領(lǐng)域,包括嵌入
式系統(tǒng),如PC及外設(shè)、電信交換機、蜂窩電話、網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)設(shè)備、儀器儀表和汽車器件,同時還
包括新興的語音、圖像、數(shù)據(jù)存儲類產(chǎn)品,如數(shù)字相機、數(shù)字錄音機和個人數(shù)字助理。 隨著集成電路制作工藝中集成度的不斷增加,提升快閃存儲器的集成密度已成為
趨勢,然而,隨著存儲單元的尺寸不斷縮小,避免漏電流以使電荷保存在存儲器單元中變得
相當(dāng)重要,但是現(xiàn)有技術(shù)制作的快閃存儲器有許多漏電會影響存儲器單元中所儲存的電
荷,其中包括PN結(jié)漏電流,晶體管亞閾值漏電,靜態(tài)漏電流等等。 現(xiàn)有快閃存儲器的制作方法,包括如下步驟,如圖1所示,首先,提供半導(dǎo)體襯底 100,所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成有隔離結(jié)構(gòu)101 ;在半導(dǎo)體襯底100上依次沉積柵介質(zhì)層 102和第一多晶硅層;在第一多晶硅層上旋涂光刻膠層(未示出),經(jīng)過曝光顯影工藝后,定 義出浮柵圖形;以光刻膠層為掩膜,沿浮柵圖形刻蝕多晶硅層和柵介質(zhì)層102至露出半導(dǎo) 體襯底IOO,形成浮柵104。 如圖2所示,在浮柵104上形成層間絕緣層106,所述層間絕緣層106的材料為氧 化硅-氮化硅-氧化硅層(ONO)或氧化硅或氮氧化硅等;然后,在層間絕緣層106及半導(dǎo)體 襯底100上形成第二多晶硅層108,所述第二多晶硅層108填充滿浮柵104之間凹槽,第二 多晶硅層108表面不平坦,在凹槽處是呈凹陷狀。 如圖3所示,用化學(xué)機械研磨法研磨第二多晶硅層108,使其表面平坦,形成平坦 化的第二多晶硅層108a。如圖3a所示,由于第二多晶硅層108a與層間絕緣層106的粘附 能力差,在經(jīng)過化學(xué)機械研磨工藝時,第二多晶硅層108a會與層間絕緣層106產(chǎn)生位錯,容 易從層間絕緣層106上剝落下來,只殘留位于浮柵104之間的第二多晶硅層108a。
如圖4所示,在平坦后的第二多晶硅層108a上形成光刻膠層(未示出),經(jīng)過曝光 顯影工藝后,定義出與浮柵位置對應(yīng)的控制柵圖形;以光刻膠層為掩膜,沿控制柵圖形刻蝕 第二多晶硅層108a至露出半導(dǎo)體襯底IOO,形成控制柵108b。如圖4a所示,由于第二多晶 硅層在化學(xué)機械研磨過程中容易從層間絕緣層上剝落2,無法刻蝕形成控制柵,或只在層間 絕緣層表面殘留部分第二多晶硅層。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種快閃存儲器的形成方法,防止研磨第二多晶硅層
3后,第二多晶硅層從層間絕緣層上剝落而無法形成控制柵。 為解決上述問題,本發(fā)明提供一種快閃存儲器的形成方法,包括提供半導(dǎo)體襯 底,所述半導(dǎo)體襯底上形成有浮柵以及位于浮柵上的層間絕緣層;在半導(dǎo)體襯底上形成多 晶硅層,所述多晶硅層覆蓋浮柵;在多晶硅層上形成研磨保護(hù)層;平坦化研磨保護(hù)層和多 晶硅層;刻蝕多晶硅層至露出半導(dǎo)體襯底,在浮柵位置的層間絕緣層上形成控制柵。
可選的,所述研磨保護(hù)層是光刻膠層、正硅酸乙酯膜層或硼磷硅玻璃與富硅玻璃 的堆疊層。 可選的,形成光刻膠層的方法是旋涂法或化學(xué)氣相沉積法。所述光刻膠層的厚度 為500納米 2000納米。 可選的,形成正硅酸乙酯膜層的方法為化學(xué)氣相沉積法。所述正硅酸乙酯的厚度 為500 ±矣 2000埃。 可選的,形成氧化絕緣膜層的方法為化學(xué)氣相沉積法。所述氧化絕緣膜層的厚度 為2000 ±矣 5000埃。 可選的,硼磷硅玻璃與富硅玻璃的堆疊層中富硅玻璃位于多晶硅層上,硼磷硅玻
璃位于富硅玻璃上。形成硼磷硅玻璃和富硅玻璃的方法為化學(xué)氣相沉積法。所述硼磷硅玻
璃的厚度為3000埃 6000埃,富硅玻璃的厚度為200埃 1000埃。 可選的,平坦化研磨保護(hù)層和多晶硅層的方法為化學(xué)機械研磨法。 與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有以下優(yōu)點在多晶硅層上形成研磨保護(hù)層,對多晶硅
層產(chǎn)生壓應(yīng)力,加強其與層間絕緣層之間的粘附力,后續(xù)平坦化多晶硅層的過程中,多晶硅
層不會從層間絕緣層上剝落下來,提高后續(xù)形成控制柵的質(zhì)量。


圖1至圖4是現(xiàn)有工藝形成快閃存儲器的示意圖;圖3a是現(xiàn)有工藝形成快閃存儲器過程中多晶硅層產(chǎn)生剝落的示意圖;圖4a是現(xiàn)有工藝形成的快閃存儲器控制柵上產(chǎn)生缺陷的電鏡圖;圖5是本發(fā)明形成快閃存儲器的具體實施方式
流程圖;圖6a至圖6d是本發(fā)明形成快閃存儲器的第一實施例示意圖;圖7a至圖7d是本發(fā)明形成快閃存儲器的第二實施例示意圖;圖8a至圖8e是本發(fā)明形成快閃存儲器的第三實施例示意圖;圖9a至圖9d是本發(fā)明形成快閃存儲器的第四實施例示意圖;圖10是采用本發(fā)明工藝形成的快閃存儲器多晶硅層與層間絕緣層相接面的電鏡圖。
具體實施例方式
本發(fā)明在多晶硅層上形成研磨保護(hù)層,對多晶硅層產(chǎn)生壓應(yīng)力,加強其與層間絕 緣層之間的粘附力,后續(xù)平坦化多晶硅層的過程中,多晶硅層不會從層間絕緣層上剝落下 來,提高后續(xù)形成控制柵的質(zhì)量。 圖5是本發(fā)明形成快閃存儲器的具體實施方式
流程圖。如圖5所示,執(zhí)行步驟S11, 提供半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底上形成有浮柵以及位于浮柵上的層間絕緣層;執(zhí)行步驟S12,在半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層,所述多晶硅層覆蓋浮柵;執(zhí)行步驟S13,在多晶硅層上 形成研磨保護(hù)層;執(zhí)行步驟S14,平坦化研磨保護(hù)層和多晶硅層;執(zhí)行步驟S15,刻蝕多晶硅 層至露出半導(dǎo)體襯底,在浮柵位置的層間絕緣層上形成控制柵。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。
實施例一 圖6a至圖6d是本發(fā)明形成快閃存儲器的第一實施例示意圖。如圖6a所示,提供 半導(dǎo)體襯底200,所述半導(dǎo)體襯底200可以是硅、絕緣體上硅、外延硅或硅鍺等;半導(dǎo)體襯底 200內(nèi)形成有隔離結(jié)構(gòu)201,所述隔離結(jié)構(gòu)201可以是淺溝槽隔離或局部氧化隔離,形成隔 離結(jié)構(gòu)201的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的技術(shù)。 在半導(dǎo)體襯底200上形成柵介質(zhì)層202,所述柵介質(zhì)層的材料可以是氧化硅或氧 化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)等。傳統(tǒng)形成柵介質(zhì)層202的工藝是熱氧化法,在高溫環(huán)境 下,將半導(dǎo)體襯底200暴露在含氧環(huán)境中,所述工藝通常在爐管中實現(xiàn);通常形成的柵介質(zhì) 層202的厚度都在幾十埃左右。 用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)在柵介質(zhì)層202上形成第一多晶硅層。用旋涂法 在第一多晶硅層上涂覆第一光刻膠層(未示出),對第一光刻膠層進(jìn)行曝光及顯影工藝,定 義出浮柵圖形;以第一光刻膠層為掩膜,沿浮柵圖形用干法刻蝕法刻蝕第一多晶硅層和柵 介質(zhì)層202至露出半導(dǎo)體襯底200,形成浮柵204。 如圖6b所示,用化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體襯底200及浮柵204上形成層間絕緣層 206,所述層間絕緣層206的材料為氧化硅_氮化硅_氧化硅層(ONO)或氧化硅或氮氧化硅 等;刻蝕層間絕緣層206,保留浮柵204表面的層間絕緣層206 ;然后,用低壓化學(xué)氣相沉積 在層間絕緣層206及半導(dǎo)體襯底200上形成第二多晶硅層208,且第二多晶硅層208填充滿 浮柵204之間凹槽,因此第二多晶硅層208表面不平坦,在凹槽處是呈凹陷狀。
用旋涂法在第二多晶硅層208上形成研磨保護(hù)層210,所述研磨保護(hù)層210為光刻 膠,厚度為500納米 2000納米,具體可以是500納米UOOO納米、1500納米或2000納米 等。對以光刻膠為材料的研磨保護(hù)層210進(jìn)行甩干和烘干工藝。 本實施例中,由于在第二多晶硅層208上形成了以光刻膠為材料的研磨保護(hù)層 210,對第二多晶硅層208產(chǎn)生壓應(yīng)力,使第二多晶硅層208與層間絕緣層206之間的粘附 力加強。 如圖6c所示,用化學(xué)機械研磨法平坦化研磨保護(hù)層210和第二多晶硅層208至預(yù)
定厚度,并使第二多晶硅層208表面平坦,形成平坦化的第二多晶硅層208a。 由于第二多晶硅層208與層間絕緣層206之間的粘附力加強了,在用化學(xué)機械研
磨法平坦化第二多晶硅層208后,第二多晶硅層208來不會發(fā)生位錯而從層間絕緣層206
上剝落下來。 如圖6d所示,在平坦后的第二多晶硅層208a上旋涂第二光刻膠層(未示出),經(jīng) 過曝光顯影工藝后,定義出與浮柵位置對應(yīng)的控制柵圖形;以第二光刻膠層為掩膜,沿控制 柵圖形用干法刻蝕法刻蝕第二多晶硅層208a至露出半導(dǎo)體襯底200,形成控制柵208b。
實施例二 圖7a至圖7d是本發(fā)明形成快閃存儲器的第二實施例示意圖。如圖7a所示,提供 半導(dǎo)體襯底300,所述半導(dǎo)體襯底300可以是硅、絕緣體上硅、外延硅或硅鍺等;半導(dǎo)體襯底
5300內(nèi)形成有隔離結(jié)構(gòu)301,所述隔離結(jié)構(gòu)301可以是淺溝槽隔離或局部氧化隔離,形成隔 離結(jié)構(gòu)301的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的技術(shù)。 在半導(dǎo)體襯底300上形成柵介質(zhì)層302,所述柵介質(zhì)層的材料可以是氧化硅或氧 化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)等。傳統(tǒng)形成柵介質(zhì)層302的工藝是熱氧化法,在高溫環(huán)境 下,將半導(dǎo)體襯底300暴露在含氧環(huán)境中,所述工藝通常在爐管中實現(xiàn);通常形成的柵介質(zhì) 層302的厚度都在幾十埃左右。 用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)在柵介質(zhì)層302上形成第一多晶硅層。用旋涂法 在第一多晶硅層上涂覆第一光刻膠層(未示出),對第一光刻膠層進(jìn)行曝光及顯影工藝,定 義出浮柵圖形;以第一光刻膠層為掩膜,沿浮柵圖形用干法刻蝕法刻蝕第一多晶硅層和柵 介質(zhì)層302至露出半導(dǎo)體襯底300,形成浮柵304。 如圖7b所示,用化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體襯底300及浮柵304上形成層間絕緣層 306,所述層間絕緣層306的材料為氧化硅_氮化硅_氧化硅層(ONO)或氧化硅或氮氧化硅 等;刻蝕層間絕緣層306,保留浮柵304表面的層間絕緣層306 ;然后,用低壓化學(xué)氣相沉積 在層間絕緣層306及半導(dǎo)體襯底300上形成第二多晶硅層308,且第二多晶硅層308填充滿 浮柵304之間凹槽,因此第二多晶硅層308表面不平坦,在凹槽處是呈凹陷狀。
用化學(xué)氣相沉積法在第二多晶硅層308上形成研磨保護(hù)層310,所述研磨保護(hù)層
310為正硅酸乙酯,厚度為500埃 2000埃,具體可以是500埃、1000埃、1500埃或2000埃等。 本實施例中,由于在第二多晶硅層308上形成了以正硅酸乙酯為材料的研磨保護(hù) 層310,對第二多晶硅層308產(chǎn)生壓應(yīng)力,使第二多晶硅層308與層間絕緣層306之間的粘 附力加強。 如圖7c所示,用化學(xué)機械研磨法平坦化研磨保護(hù)層310和第二多晶硅層308至預(yù)
定厚度,并使第二多晶硅層308表面平坦,形成平坦化的第二多晶硅層308a。 由于第二多晶硅層308與層間絕緣層306之間的粘附力加強了,在用化學(xué)機械研
磨法平坦化第二多晶硅層308后,第二多晶硅層308來不會發(fā)生位錯而從層間絕緣層306
上剝落下來。 如圖7d所示,在平坦后的第二多晶硅層308a上旋涂第二光刻膠層(未示出),經(jīng) 過曝光顯影工藝后,定義出與浮柵位置對應(yīng)的控制柵圖形;以第二光刻膠層為掩膜,沿控制 柵圖形用干法刻蝕法刻蝕第二多晶硅層308a至露出半導(dǎo)體襯底300,在形成控制柵308b。
實施例三 圖8a至圖8e是本發(fā)明形成快閃存儲器的第三實施例示意圖。如圖8a所示,提供 半導(dǎo)體襯底400,所述半導(dǎo)體襯底400可以是硅、絕緣體上硅、外延硅或硅鍺等;半導(dǎo)體襯底 400內(nèi)形成有隔離結(jié)構(gòu)401,所述隔離結(jié)構(gòu)401可以是淺溝槽隔離或局部氧化隔離,形成隔 離結(jié)構(gòu)401的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的技術(shù)。 在半導(dǎo)體襯底400上形成柵介質(zhì)層402,所述柵介質(zhì)層的材料可以是氧化硅或氧 化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)等。傳統(tǒng)形成柵介質(zhì)層402的工藝是熱氧化法,在高溫環(huán)境 下,將半導(dǎo)體襯底400暴露在含氧環(huán)境中,所述工藝通常在爐管中實現(xiàn);通常形成的柵介質(zhì) 層402的厚度都在幾十埃左右。 用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)在柵介質(zhì)層402上形成第一多晶硅層。用旋涂法
6在第一多晶硅層上涂覆第一光刻膠層(未示出),對第一光刻膠層進(jìn)行曝光及顯影工藝,定 義出浮柵圖形;以第一光刻膠層為掩膜,沿浮柵圖形用干法刻蝕法刻蝕第一多晶硅層和柵 介質(zhì)層402至露出半導(dǎo)體襯底400,形成浮柵404。 如圖8b所示,用化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體襯底400及浮柵404上形成層間絕緣層 406,所述層間絕緣層406的材料為氧化硅_氮化硅_氧化硅層(0N0)或氧化硅或氮氧化硅 等;刻蝕層間絕緣層406,保留浮柵404表面的層間絕緣層406 ;然后,用低壓化學(xué)氣相沉積 在層間絕緣層406及半導(dǎo)體襯底400上形成第二多晶硅層308,且第二多晶硅層408填充滿 浮柵404之間凹槽,因此第二多晶硅層408表面不平坦,在凹槽處是呈凹陷狀。
用化學(xué)氣相沉積法在第二多晶硅層408上形成研磨保護(hù)層410,所述研磨保護(hù)層 410為氧化絕緣膜,具體可以是氧化硅等;厚度為2000埃 5000埃,具體可以是2000埃、 3000 ±矣、4000 ±矣或5000 ±矣等。 如圖8c所示,用回蝕法刻蝕研磨保護(hù)層410至在第二多晶硅層408的凹陷部分形 成側(cè)墻410a。 本實施例中,由于以氧化絕緣膜為材料的側(cè)墻410a在第二多晶硅層408的凹陷部 分對第二多晶硅層408產(chǎn)生壓應(yīng)力,使第二多晶硅層408與層間絕緣層406之間的粘附力 加強。 如圖8d所示,用化學(xué)機械研磨法平坦化側(cè)墻410a和第二多晶硅層408至預(yù)定厚
度,并使第二多晶硅層308表面平坦,形成平坦化的第二多晶硅層408a。 由于第二多晶硅層408與層間絕緣層406之間的粘附力加強了,在用化學(xué)機械研
磨法平坦化第二多晶硅層408后,第二多晶硅層408來不會發(fā)生位錯而從層間絕緣層406
上剝落下來。 如圖8e所示,在平坦后的第二多晶硅層408a上旋涂第二光刻膠層(未示出),經(jīng) 過曝光顯影工藝后,定義出與浮柵位置對應(yīng)的控制柵圖形;以第二光刻膠層為掩膜,沿控制 柵圖形用干法刻蝕法刻蝕第二多晶硅層408a至露出半導(dǎo)體襯底400,在形成控制柵408b。
實施例四 圖9a至圖9d是本發(fā)明形成快閃存儲器的第四實施例示意圖。如圖9a所示,提供 半導(dǎo)體襯底500,所述半導(dǎo)體襯底500可以是硅、絕緣體上硅、外延硅或硅鍺等;半導(dǎo)體襯底 500內(nèi)形成有隔離結(jié)構(gòu)501,所述隔離結(jié)構(gòu)501可以是淺溝槽隔離或局部氧化隔離,形成隔 離結(jié)構(gòu)501的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的技術(shù)。 在半導(dǎo)體襯底500上形成柵介質(zhì)層502,所述柵介質(zhì)層的材料可以是氧化硅或氧 化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)等。傳統(tǒng)形成柵介質(zhì)層502的工藝是熱氧化法,在高溫環(huán)境 下,將半導(dǎo)體襯底500暴露在含氧環(huán)境中,所述工藝通常在爐管中實現(xiàn);通常形成的柵介質(zhì) 層502的厚度都在幾十埃左右。 用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)在柵介質(zhì)層502上形成第一多晶硅層。用旋涂法 在第一多晶硅層上涂覆第一光刻膠層(未示出),對第一光刻膠層進(jìn)行曝光及顯影工藝,定 義出浮柵圖形;以第一光刻膠層為掩膜,沿浮柵圖形用干法刻蝕法刻蝕第一多晶硅層和柵 介質(zhì)層502至露出半導(dǎo)體襯底500,形成浮柵504。 如圖9b所示,用化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體襯底500及浮柵504上形成層間絕緣層 506,所述層間絕緣層506的材料為氧化硅_氮化硅_氧化硅層(ONO)或氧化硅或氮氧化硅等;刻蝕層間絕緣層506,保留浮柵504表面的層間絕緣層506 ;然后,用低壓化學(xué)氣相沉積
在層間絕緣層506及半導(dǎo)體襯底500上形成第二多晶硅層508,且第二多晶硅層508填充滿
浮柵504之間凹槽,因此第二多晶硅層508表面不平坦,在凹槽處是呈凹陷狀。 用化學(xué)氣相沉積法在第二多晶硅層508上形成研磨保護(hù)層510,所述研磨保護(hù)層
510為富硅玻璃511和硼磷硅玻璃512的堆疊層,其中,先用化學(xué)氣相沉積法在第二多晶
硅層508上形成富硅玻璃511,然后用化學(xué)氣相沉積法在富硅玻璃511上形成硼磷硅玻璃
512。 在第二多晶硅層508和硼磷硅玻璃512之間形成富硅玻璃511,是為了防止硼磷硅 玻璃512滲透入第二多晶硅層508中,造成污染,影響后續(xù)形成的控制柵的性能。
本實施例中,富硅玻璃511的厚度為200埃 1000埃,具體可以是200埃、400埃、 500埃、800?;?000埃等。硼磷硅玻璃512的厚度為3000埃 6000埃,具體可以是3000 ±矣、4000 ±矣、5000 ±矣或6000 ±矣等。 本實施例中,由于在第二多晶硅層508上形成了以富硅玻璃511和硼磷硅玻璃512 的堆疊層為材料的研磨保護(hù)層510,對第二多晶硅層508產(chǎn)生壓應(yīng)力,使第二多晶硅層508 與層間絕緣層506之間的粘附力加強。 如圖9c所示,用化學(xué)機械研磨法平坦化研磨保護(hù)層510和第二多晶硅層508至預(yù)
定厚度,并使第二多晶硅層508表面平坦,形成平坦化的第二多晶硅層508a。 由于第二多晶硅層508與層間絕緣層506之間的粘附力加強了,在用化學(xué)機械研
磨法平坦化第二多晶硅層508后,第二多晶硅層508來不會發(fā)生位錯而從層間絕緣層506
上剝落下來。 如圖9d所示,在平坦后的第二多晶硅層508a上旋涂第二光刻膠層(未示出),經(jīng) 過曝光顯影工藝后,定義出與浮柵位置對應(yīng)的控制柵圖形;以第二光刻膠層為掩膜,沿控制 柵圖形用干法刻蝕法刻蝕第二多晶硅層508a至露出半導(dǎo)體襯底500,在形成控制柵508b。
圖10是采用本發(fā)明工藝形成的快閃存儲器多晶硅層與層間絕緣層相接面的電鏡 圖。如圖IO所示,由于本發(fā)明在對第二多晶硅層進(jìn)行化學(xué)機械研磨工藝前,先于其表面形 成研磨保護(hù)層,對第二多晶硅層產(chǎn)生壓應(yīng)力,加強其與層間絕緣層之間的粘附力,使后續(xù)平 坦化第二多晶硅層的過程中,第二多晶硅層不會產(chǎn)生位錯,第二多晶硅層與層間絕緣層之 間的相接面1沒有剝落現(xiàn)象產(chǎn)生。 雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上,但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動與修改,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種快閃存儲器的形成方法,其特征在于,包括提供半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底上形成有浮柵以及位于浮柵上的層間絕緣層;在半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層,所述多晶硅層覆蓋浮柵;在多晶硅層上形成研磨保護(hù)層;平坦化研磨保護(hù)層和多晶硅層;刻蝕多晶硅層至露出半導(dǎo)體襯底,在浮柵位置的層間絕緣層上形成控制柵。
2. 如權(quán)利要求1所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,所述研磨保護(hù)層是光刻膠 層、正硅酸乙酯膜層、氧化絕緣膜層或硼磷硅玻璃與富硅玻璃的堆疊層。
3. 如權(quán)利要求2所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,形成光刻膠層的方法是旋 涂法。
4. 如權(quán)利要求3所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,所述光刻膠層的厚度為500 納米 2000納米。
5. 如權(quán)利要求2所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,形成正硅酸乙酯膜層的方 法為化學(xué)氣相沉積法。
6. 如權(quán)利要求5所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,所述正硅酸乙酯膜層的厚 度為500埃 2000埃。
7. 如權(quán)利要求2所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,形成氧化絕緣膜層的方法 為化學(xué)氣相沉積法。
8. 如權(quán)利要求5所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,所述氧化絕緣膜層的厚度 為2000 ±矣 5000埃。
9. 如權(quán)利要求2所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,硼磷硅玻璃與富硅玻璃的 堆疊層中富硅玻璃位于多晶硅層上,硼磷硅玻璃位于富硅玻璃上。
10. 如權(quán)利要求9所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,形成硼磷硅玻璃和富硅玻 璃的方法為化學(xué)氣相沉積法。
11. 如權(quán)利要求io所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,所述硼磷硅玻璃的厚度為3000埃 6000埃,富硅玻璃的厚度為200埃 1000埃。
12. 如權(quán)利要求1所述快閃存儲器的形成方法,其特征在于,平坦化研磨保護(hù)層和多晶 硅層的方法為化學(xué)機械研磨法。
全文摘要
一種快閃存儲器的形成方法,包括提供半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底上形成有浮柵以及位于浮柵上的層間絕緣層;在半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅層,所述多晶硅層覆蓋浮柵;在多晶硅層上形成研磨保護(hù)層;平坦化研磨保護(hù)層和多晶硅層;刻蝕多晶硅層至露出半導(dǎo)體襯底,在浮柵位置的層間絕緣層上形成控制柵。本發(fā)明改善了多晶硅層從層間絕緣層上剝落的情況。
文檔編號H01L21/28GK101770954SQ20081020818
公開日2010年7月7日 申請日期2008年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月29日
發(fā)明者常建光, 蔣莉, 蔡孟峰 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
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