專利名稱：：制造薄膜晶體管的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及制造具有改善的電流特性和高電子遷移率的薄膜晶體管的方法，其中當(dāng)通過金屬誘導(dǎo)晶化使得非晶硅薄膜晶化為多晶硅薄膜時(shí)，對(duì)非晶硅薄膜的退火條件和摻雜到非晶硅薄膜中的金屬催化劑的量進(jìn)行優(yōu)化，以減少在多晶硅薄膜晶界處分布的金屬珪化物的區(qū)域，并且其中提供氧(02)氣體或水(H20)蒸汽以在多晶硅薄膜表面上形成鈍化膜。
背景技術(shù)：
：通常，多晶硅薄膜用于有源矩陣(activematrix)液晶顯示器、有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管和太陽能電池。通常，通過晶化使得非晶硅薄膜晶化為多晶硅薄膜。各種晶化方法諸如激光晶化方法和固相晶化(SPC)方法(例如，高溫退火和使用金屬催化劑的退火)目前用于制造多晶硅薄膜。和單晶硅薄膜不同，在由非晶硅薄膜制造的多晶硅薄膜中存在表面硅懸鍵、內(nèi)部晶界和晶內(nèi)缺陷(諸如，孿晶缺陷、間隙原子、晶格空位和亞晶界)。這樣的缺陷阻礙電子和空穴在多晶硅薄膜中遷移，從而劣化使用多晶硅薄膜制造的器件(諸如晶體管)的特性。此外，在晶化期間，在多晶硅薄膜的晶界處形成金屬硅化物(例如，NiSi2)，從而阻礙電子和空穴的遷移，如圖1所示。具體地，金屬珪化物存在于薄膜晶體管溝道區(qū)的晶界處并且起到劣化器件特性(例如，漏電流特性、電子遷移率和閾值電壓特性)的缺陷的作用。因此，需要消除金屬珪化物線(metalsilicidelines)以改善薄膜晶體管的漏電流特性。已經(jīng)對(duì)氳鈍化進(jìn)行了研究以從多晶硅薄膜除去缺陷。例如，通過氫(H2)等離子體鈍化或在氫氣氛下退火來鈍化多晶硅薄膜。用于多晶硅薄膜鈍化而加入的氬與多晶硅薄膜的硅懸鍵結(jié)合。該結(jié)合電中和多晶硅薄膜并防止防礙電子和空穴在多晶硅薄膜中遷移的缺陷。然而，氫等離子體鈍化的缺點(diǎn)是等離子體可損傷多晶硅薄膜的表面，從而劣化使用多晶硅薄膜的器件的特性。氫氣氛退火可通過以下方法實(shí)施i)其中包含大量氫的氮化硅薄膜(SiNx)在多晶硅薄膜上形成并且在退火期間所述氫擴(kuò)散進(jìn)入多晶硅薄膜的方法，或ii)其中在氫氣氛下在退火期間氳擴(kuò)散"多晶硅薄膜的方法。方法ii)具有由于氫擴(kuò)散慢所導(dǎo)致的長處理時(shí)間的缺點(diǎn)。此外，當(dāng)晶體管溫度增加時(shí)，通過鈍化方法形成的Si-H鍵可容易地分裂成氫原子和硅原子，導(dǎo)致晶體管的可靠性隨使用條件發(fā)生劣化。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)方面提供制造具有改善的電流特性和高電子遷移率的薄膜晶體管的方法，通過所述方法可減少在多晶硅薄膜晶界處分布的金屬硅化物的區(qū)域。本發(fā)明的另一個(gè)方面提供制造具有改善的電流特性和高電子遷移率的薄膜晶體管的方法，其中提供02氣體或H20蒸汽以在多晶硅薄膜上形成鈍化膜'本發(fā)明的另一個(gè)方面提供制造薄膜晶體管的方法，其中采用02氣體或H20蒸汽來強(qiáng)鈍化存在于多晶硅薄膜表面上的硅懸鍵。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案提供一種制造薄膜晶體管的方法，包括在絕緣襯底上形成非晶硅薄膜，使所述非晶硅薄膜晶化以形成多晶硅薄膜，為多晶硅薄膜的表面供給氧(02)氣體或水(H20)蒸汽以在多晶硅薄膜上形成作為鈍化膜的氧化物膜(第一鈍化)，圖案化多晶硅薄膜和鈍化膜以將多晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為有源層，在多晶硅薄膜和鈍化膜上形成柵極絕緣膜，在柵極絕緣膜上形成柵電極，和將多晶硅薄膜分為與柵電^目對(duì)的溝道區(qū)以及由溝道區(qū)分隔的第一和第二區(qū)域，將p-型或n-型摻雜劑注入第一和第二區(qū)域以形成源^漏極區(qū)，在柵極和柵極絕緣膜上形成層間絕緣膜，蝕刻層間絕緣膜、柵極絕緣膜和鈍化膜以形成分別與源極和漏極區(qū)接觸的第一接觸孔和第二接觸孔，和形成通過第一和第二接觸孔分別與源極區(qū)和漏極區(qū)接觸的源電極和漏電極。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，所述方法還可包括在絕緣襯底上表面和非晶硅薄膜之間形成緩沖層。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，非晶硅薄膜可摻雜有金屬催化劑并可在600~850。C的溫度下退火5~150分鐘。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，非晶硅薄膜可在至少800。C的溫度下通過固相晶化來進(jìn)行晶化。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，非晶硅薄膜的晶化可通過退火以如下方式進(jìn)行隨著退火溫度增加，退火時(shí)間變得更短。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，非晶硅薄膜寸摻雜有濃度為ixio11~lxl0"/cm2的金屬催化劑。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，第一鈍化可通過加熱并冷卻非晶硅薄膜來進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，第一鈍化可在700~800。C的溫度下進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，H20蒸汽可通過在700~卯O'C的溫度下氫(H2)和氧(02)的反應(yīng)(高溫燃炬技術(shù)，pyrotorchtechnique)或通it^熱去離子水到至少2(TC來制備。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，鈍化膜可具有從單個(gè)原子層至數(shù)百埃的厚度。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，所述方法可還包括在形成接觸孔的步驟之后，為源極和漏極區(qū)的上表面供給02氣體或H20蒸汽以使有源層鈍化(第二鈍化)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，第二鈍化可在200600。C的溫度下進(jìn)行。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，第一鈍化和第二鈍化可以在在線系統(tǒng)中進(jìn)行，所述在線系統(tǒng)具有多個(gè)獨(dú)立的腔室或具有包含垂直豎立腔室的垂直管爐。本發(fā)明另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明中進(jìn)行部分闡述，并JLfc一定程度上，其將通過所述描述變得顯而易見，或可通過實(shí)施本發(fā)明而了解。通過以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施方案的描述，本發(fā)明的這些和/或其它的方面和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見和更加容易理解，其中圖1是顯示存在于多晶硅薄膜晶界處的NiSi2的電子顯微照片；圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案制造薄膜晶體管的方法的流程圖3a31說明對(duì)應(yīng)于在圖2流程圖中顯示的各個(gè)步驟的工藝示意圖4說明根據(jù)本發(fā)明的方法用于實(shí)施非晶硅薄膜的晶化以形成多晶硅薄膜和多晶硅薄膜的第一鈍化的在線系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)；圖5是在圖4的在線系統(tǒng)中具有H20蒸汽供給裝置的腔室的示意截面圖6a6e是在實(shí)施例1中形成的多晶硅薄膜的顯微照片；圖7a7d是在實(shí)施例2中形成的多晶硅薄膜的顯微照片；圖8a~8e是在實(shí)施例3中形成的多晶硅薄膜的顯微照片；圖9是使用圖4的在線系統(tǒng)來晶化非晶硅薄膜期間的退火曲線；圖10a和10b是在實(shí)施例4和對(duì)比例1中形成的多晶硅薄膜的掃描電子顯賴t鏡照片；圖lla和lib是顯示在實(shí)施例4和對(duì)比例2中形成的多晶硅薄膜的UV斜率值和波長分別作為氧化時(shí)間函數(shù)而變化的圖12是顯示在實(shí)施例4中的在多晶硅薄膜上形成的鈍化膜厚度作為氧化時(shí)間函數(shù)而變化的圖13顯示在實(shí)施例4中形成的氧化物膜的電性能；和圖14a和14b顯示在實(shí)施例4和對(duì)比例1中制造的薄膜晶體管的截止電流(I。ff)和電子遷移率。具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方案，其實(shí)例在附圖中進(jìn)行說明，其中在全文中相同附圖標(biāo)記表示相同元件。下文中通過參考附圖描述實(shí)施方案來解釋本發(fā)明。圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案制造薄膜晶體管的方法的流程圖，圖3a31說明對(duì)應(yīng)于圖2流程圖中顯示的各個(gè)步驟的工藝示意圖。參考圖2，所述方法包括以下步驟形成非晶硅薄膜(SIO)，晶化非晶硅薄膜(S20)，第一鈍化(S30)，形成有源層(S40)，形成柵極絕緣膜(S50)，形成柵電極(S60)以及形成源極區(qū)和漏極區(qū)(S70)。所述方法還可包括形成緩沖層(S5)。所述方法還可包括以下步驟形成層間絕緣膜(S80),形成接觸孔(S90)，第二鈍化(SIOO),以及形成源電極和漏電極(S110)。在一個(gè)實(shí)施方案中，使非晶硅薄膜晶化以形成多晶硅薄膜，并釆用02氣體或H20蒸汽在多晶硅薄膜上形成鈍化膜。此時(shí)，鈍化膜可以是通過根據(jù)晶化溫度來氧化多晶硅薄膜而形成的氧化物膜。在另一個(gè)實(shí)施方案中，鈍化膜可在從室溫加熱至較高溫度或從較高溫度冷卻至室溫以使非晶硅薄膜晶化的過程中形成。在另一個(gè)實(shí)施方案中，在非晶硅薄膜中可摻雜能夠加速晶化的金屬催化劑以形成多晶珪薄膜，并且可優(yōu)化退火溫度和時(shí)間以減少在多晶硅薄膜晶界處沉積的金屬催化劑的金屬化合物的量。在另一個(gè)實(shí)施方案中，晶化可以與第一鈍化一起在作為退火設(shè)備的在線系統(tǒng)中進(jìn)行，所述退火設(shè)備包括多個(gè)獨(dú)立控制的腔室以提高或降低非晶硅薄膜的溫度。在另一個(gè)實(shí)施方案中，可為在線系統(tǒng)的腔室提供02氣體或H20蒸汽以使多晶硅薄膜鈍化。具體地，可為其中在晶化過程中加熱或冷卻非晶硅薄膜的腔室提供02氣體或H20蒸汽以使多晶硅薄膜鈍化。所述在線系統(tǒng)在本申請(qǐng)人在韓國提交的名為"annealingsystemforsemiconductordevice"的韓國專利申請(qǐng)No.10-2005-0017003、10-2005-0017004和10-2005-0017005中已經(jīng)7>開，本文中省略其詳述。在一個(gè)替代實(shí)施方案中，晶化、第一鈍化和第二鈍化可在垂直管爐中進(jìn)行。具體地，晶化可以通過以下步驟進(jìn)行將在絕,底上形成的非晶硅薄膜裝載到垂直管爐中，隨后加熱和冷卻；并且可以通過在垂直管爐頂上安裝的噴嘴供給02氣體或H20蒸汽以保持爐總體上在02或H20氣氛下、或通過在非晶硅薄膜上方安裝的多個(gè)噴嘴而在絕緣襯底上形成的非晶硅薄膜的表面上直接噴02氣體或H20蒸汽來進(jìn)行鈍化。垂直管爐是廣泛用于半導(dǎo)體制造工藝的系統(tǒng)，在本文中省略其詳述。參考圖3a,在步驟S5中，在絕,底10的上表面上使用絕緣材料如氧化硅來形成緩沖層12。絕緣襯底10可由單晶硅、單晶碳化硅、玻璃、石英或塑料制成。緩沖層12可以是氧化珪膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或它們的雙層結(jié)構(gòu)。緩沖層12可通過等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)或低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)形成。緩沖層12用于防止在絕緣襯底10中產(chǎn)生的濕氣或雜質(zhì)在后續(xù)步驟中擴(kuò)散ii^在絕緣襯底上形成的非晶硅薄膜。當(dāng)不存在濕氣或雜質(zhì)可從絕緣襯底10擴(kuò)散進(jìn)入非晶硅薄膜的可能性時(shí)，可不進(jìn)行步驟S5。即，在絕緣襯底10的上表面上不形成緩沖層12。參考圖3b，在步驟S10中，在絕g底10上形成非晶硅薄膜20。非晶硅薄膜20在絕緣襯底10上或緩沖層12的上表面上形成。在其中絕,底10的上表面上不形成緩沖層12的情況下，在絕,底10的上表面上直接形成非晶硅薄膜20a。非晶硅薄膜20a可通過化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積形成。參考圖3c，在步驟S30中，使非晶硅薄膜20a晶化以形成多晶硅薄膜20b。多晶硅薄膜20b通過非晶硅薄膜20a的金屬誘導(dǎo)晶化來形成。步驟20包括采用金屬催化劑摻雜非晶硅薄膜并使摻雜的非晶硅薄膜退火。通過摻雜金屬催化劑到非晶硅薄膜的上表面中實(shí)施所述摻雜。該摻雜允許金屬催化劑與非晶硅層的硅結(jié)合以形成金屬硅化物。金屬硅化物作為用于晶化的晶核(即晶種)以引起非晶硅層的晶化。金屬催化劑可選自Ni、Pd、Ti、Ag、Au、Al、Sn、Sb、Cu、Co、Mo、Tr、Ru、Rh、Cd和Pt。優(yōu)選鎳(Ni)。金屬催化劑優(yōu)選以lxlO"lxlOWcii^的濃度摻雜。如果金屬催化劑濃度太低，那么非晶硅薄膜晶化會(huì)不充分或可能需要很長時(shí)間來晶化。同時(shí)，如果金屬催化劑濃度過高，在晶化為多晶硅薄膜的期間，晶粒尺寸過度減小，這使得最終晶體管的電流特性和電子遷移率劣化。在多晶硅薄膜中存在的多余金屬催化劑也導(dǎo)致最終晶體管特性的劣化。通過退火將摻雜有金屬催化劑的非晶硅薄膜晶化為多晶硅薄膜。退火優(yōu)選在600~850。C的溫度范圍內(nèi)實(shí)施5~150分鐘。在較高的退火溫度下可設(shè)定較短的退火時(shí)間。這是由于在高退火溫度下非晶硅薄膜的晶化速率快，所以盡管退火時(shí)間短，但可實(shí)現(xiàn)非晶硅薄膜的充分的晶化。隨著退火進(jìn)行，在多晶硅薄膜晶界處存在的金屬硅化物在晶界的特定位置處分布。例如，金屬硅化物位于晶界接觸的角落。因此，在多晶硅薄膜的晶界處存在的金屬硅化物的區(qū)域減小，導(dǎo)致晶體管特性(例如，電流特性和電子遷移率)的改善。如果退火在低于600。C的溫度下實(shí)施，那么在多晶硅薄膜的整個(gè)晶界分布金屬硅化物，導(dǎo)致多晶硅薄膜特性的劣化，并且非晶硅薄膜可能會(huì)晶化不充分。同時(shí)，如果退火在高于850'C的溫度下實(shí)施，那么作為絕g底的玻璃可能發(fā)生變形。如果退火時(shí)間小于5分鐘，那么在多晶硅薄膜的整個(gè)晶界分布金屬硅化物，導(dǎo)致多晶硅薄膜特性的劣化，并且非晶硅薄膜可能會(huì)晶化不充分。同時(shí)，即使退火時(shí)間大于150分鐘，則附加的退火幾乎沒有改善晶化效果。非晶硅薄膜20a可通過固相晶化(SPC)或準(zhǔn)分子激光晶化(ELC)來進(jìn)行晶化。才艮據(jù)固相晶化，通過在600'C或更高的溫度下退火來4吏得在絕緣襯底10上形成的非晶硅薄膜20a晶化。根據(jù)準(zhǔn)分子激光晶化，在絕緣襯底10上形成的非晶硅薄膜20a通過用高能量激光輻照來瞬間熔化，冷卻以形成多晶硅薄膜20b。當(dāng)通過固相晶化使非晶硅薄膜20a晶化時(shí)，可采用通過感應(yīng)加熱的快速熱處理。在此情況下，優(yōu)選在其中可實(shí)施快速熱處理的系統(tǒng)中實(shí)施步驟S20。在步驟S20中，通過快速熱處理將在絕,底10上形成的非晶硅薄膜20a加熱到700。C或更高溫度、然后加熱到800'C或更高溫度，以使非晶硅薄膜20晶化為多晶硅薄膜20b。此后，使得在絕,底10上形成的多晶硅薄膜20b緩慢冷卻。當(dāng)加熱至600'C或更高溫度時(shí)，作為絕,底IO的玻璃可發(fā)生變形。為防止絕,底IO由于加熱而發(fā)生變形，將絕,底10裝入退火系統(tǒng)中同時(shí)置于安置器(setter)上。所述安置器支撐絕*#底10的整個(gè)下表面。結(jié)果，絕,底10可經(jīng)受通過感應(yīng)加熱短時(shí)間而在800。C或更高溫度下的退火而沒有任何變形。在步驟S20中，通過在非晶硅薄膜上表面上形成單層或多層覆蓋層(未顯示)、在覆蓋層上形成金屬催化劑層、隨后退火以使金屬催化劑擴(kuò)散進(jìn)入非晶硅薄膜，可使非晶硅薄膜晶化為多晶硅薄膜。該過程被稱作"超晶粒硅(SGS)晶化"。根據(jù)SGS晶化，通過改變?yōu)榉蔷Ч璞∧ぬ峁┑慕饘俅呋瘎┑牧?，可控制多晶硅薄膜的晶粒尺寸。SGS晶化是用于非晶硅晶化的通用工藝，因此本文省略其詳述。參考圖3d，在步驟S30中，為多晶硅薄膜20b的表面提供H2O蒸汽，以在多晶硅薄膜20b的表面上形成鈍化膜30a。鈍化膜30a可以是通過使用02氣體或H20蒸汽來氧化多晶硅薄膜20b的表面所形成的氧化硅膜。多晶硅薄膜20b的表面氧化減小了在多晶硅薄膜20b的表面上存在的懸鍵的數(shù)目。此外，在鈍化膜30a的形成期間，02氣體或H20蒸汽擴(kuò)散i^V多晶硅薄膜以在多晶硅薄膜內(nèi)部形成Si-H和/或Si-0鍵，因此，阻礙多晶硅薄膜20b表面上和內(nèi)部的電子和空穴遷移的陷阱位點(diǎn)(trapsites)的密度降低。另一方面，在形成多晶硅薄膜的過程中，也可適用步驟S30。即，在晶化之后，在非晶硅薄膜加熱期間加入的02氣體或H20蒸汽與存在于非晶硅薄膜表面上作為金屬催化劑的Ni反應(yīng)，從而減小殘留在多晶硅薄膜內(nèi)部的金屬催化劑的量并且氧化NiSi2，這阻止在^Mt期間最終晶體管中的電子或空穴的遷移。這種氧化改善晶體管的操作特性。H20蒸汽可通過加熱去離子水到至少20。C并且優(yōu)選至少IOO'C或通過在700~卯0。C的溫度下使得氳(H2)和氧(02)反應(yīng)(pyrotorch技術(shù))來產(chǎn)生。當(dāng)加熱去離子水到100。C或更低時(shí)，使用超聲波來供給1120蒸汽。優(yōu)選通過水蒸汽合成來產(chǎn)生H20蒸汽。用于水蒸汽合成而提供的氫和氧的比例為1:12:1。在高溫下產(chǎn)生的H20蒸汽是純的并具有良好品質(zhì)，并且在供給蒸汽的薄膜上表面上不留下水痕。02氣體以純的形式進(jìn)行直接供給?？梢酝ㄟ^在步驟S20中從高溫冷卻至室溫的期間為多晶硅薄膜20b供給02氣體或H20蒸汽來進(jìn)行步驟S30。即，步驟S30可以在冷卻期間在400800。C的溫度下進(jìn)行。或者，可以通過在步驟S20中在從室溫加熱至高溫以及感應(yīng)退火(inductionannealing)期間為多晶硅薄膜20b供給02氣體或H20蒸汽來進(jìn)行步驟S30。即，步驟S30可在加熱期間在700~800。C的溫度下和在感應(yīng)退火期間在850。C或更高的溫度下進(jìn)行。根據(jù)加工溫度和時(shí)間，鈍化膜30a可具有從單個(gè)原子層至數(shù)百埃的厚度。如果鈍化膜30a的一部分在單原子層水平以下(即鈍化膜30a部分鈍化)，那么鈍化膜30a的特性可能不均一。如果鈍化膜30a的厚度高于數(shù)百埃的水平，需要長的處理時(shí)間。因此，優(yōu)選限制鈍化膜30a的厚度低于數(shù)百埃的水平。參考圖3e，在步驟S40中，將多晶硅薄膜20b圖案化為具有預(yù)定區(qū)域的有源層20。實(shí)施圖案化以使得有源層20具有根據(jù)薄膜晶體管的期望設(shè)計(jì)的區(qū)域和形狀。鈍化膜30a與多晶硅薄膜20b—起進(jìn)行圖案化以具有對(duì)應(yīng)于有源層20的形狀。有源層20在后續(xù)步驟中分成第一區(qū)域、第二區(qū)域和溝道區(qū)。參考圖3f，在步驟S50中，在有源層20和鈍化膜30以及絕,底10上形成柵極絕緣膜40。柵極絕緣膜40通過化學(xué)氣相沉積或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來形成。柵極絕緣膜40由氧化物或氮化物形成并具有約ioooA的厚度。如果需要，步驟S40和S50可以以相反的次序進(jìn)行。在此情況下，有源層的形成使得柵極絕緣膜在襯底整個(gè)表面上形狀不連續(xù)。參考圖3g，在步驟S60中，在柵極絕緣膜40上形成柵電極50。更具體地，柵電極50可通it^柵極絕緣膜40的整個(gè)上表面上形成柵電極膜并蝕刻?hào)烹奙或使用圖案化光刻膠剝離柵電皿來形成。通過干或濕蝕刻可將柵電極膜圖案化為柵電極50。有源層20分為與柵電極50相對(duì)的溝道區(qū)21a以及由溝道區(qū)21a分隔的第一和第二區(qū)域22a和23a。柵電極50是金屬層或不同金屬層的疊層。金屬層由鋁(A1)、鋁合金如鋁-釹(Al-Nd)、鉻或鉬(Mo)構(gòu)成。柵電極50形成為約2000~3000A的厚度。參考圖3h，在步驟S70中，將摻雜劑注入有源層20的第一和第二區(qū)域22a和23a以分別形成源極區(qū)22和漏極區(qū)23。摻雜劑可以是p-型或n-型。p-型摻雜劑可選自硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)及其混合物。n-型摻雜劑可以是磷(P)。參考圖3i，在步驟S80中，在柵極絕緣膜40和柵電極50的整個(gè)表面上形成層間絕緣膜60。通過化學(xué)氣相沉積或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積形成層間絕緣膜60。層間絕緣膜60由氧化物或氮化物形成。參考圖3j，在步驟S卯中，蝕刻層間絕緣膜60、柵極絕緣膜40和鈍化膜30的預(yù)定部分以形成接觸孔70a(70b和70c)。形成接觸孔70a以暴露源極區(qū)22和漏極區(qū)23的部分上表面。在源極區(qū)22上形成第一接觸孔70b，在漏極區(qū)23上形成第二接觸孔70c。參考圖3k,在步驟S100中，通過接觸孔70a為源極區(qū)22和漏極區(qū)23提供02氣體或H20蒸汽，以鈍化構(gòu)成溝道區(qū)的多晶硅薄膜(第二鈍化)。在步驟S100中，短時(shí)間提供02氣體或H20蒸汽以鈍化構(gòu)成溝道區(qū)的有源層20。02氣體或H2O蒸汽通過接觸孔70b和70c擴(kuò)散i^有源層，并且隨著時(shí)間的推移來鈍化位于柵電極下的溝道區(qū)。在步驟S100中，通過鈍化移除在有源層20表面上存在的硅懸鍵。在步驟S100中，在200600。C的溫度下進(jìn)行第二鈍化。如果第二鈍化在低于200。C的溫度下進(jìn)行，那么有源層的表面可能會(huì)鈍化不充分。如果第二鈍化的溫度過高，在有源層的表面上形成氧化物膜，從而增加在后續(xù)步驟中形成的有源層與源電極和漏電極之間的電阻。此外，在過高鈍化溫度下，由硼硅酸鹽制成的襯底收縮。該收縮使得不能進(jìn)一步實(shí)施隨后步驟。步驟S70之后可進(jìn)行步驟SIOO，以實(shí)現(xiàn)更好的鈍化作用。步驟SIOO也可與活化摻雜劑的步驟同時(shí)進(jìn)行。參考圖31，在步驟S110中，形成通過接觸孔70a與源極區(qū)22和漏極區(qū)23接觸的電極70(72和73)。形成源電極72和漏電極73以分別與有源層的源極區(qū)22和漏極區(qū)23電接觸。源電極72和漏電極73通過在層間絕緣膜60的上表面上沉積導(dǎo)電材料如鋁并且圖案化該導(dǎo)電材料來形成。下面，將說明根據(jù)本發(fā)明方法的具體的實(shí)施方案。通過以下實(shí)施例，更具體地說明在絕緣襯底上形成的非晶硅薄膜的晶化和多晶硅薄膜的第一鈍化。首先，用于實(shí)施非晶硅薄膜的晶化和第一鈍化的系統(tǒng)如下所述。圖4說明用于實(shí)施非晶硅薄膜的晶化和第一鈍化的在線系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。圖5是在圖4的在線系統(tǒng)中具有H20蒸汽供給裝置的腔室的示意截面圖。13在以下實(shí)施例中，使用本本申請(qǐng)人提交的退火系統(tǒng)，如前所述。參考圖4，在線系統(tǒng)包括用于裝載半導(dǎo)體器件的裝載部分100，鄰近裝載部分100的加熱部分200,加工部分300,冷卻部分400和卸載部分500。通過裝載部分100將半導(dǎo)體器件裝入加熱部分200，并且將經(jīng)歷晶化和鈍化的半導(dǎo)體器件通過卸載部分500從冷卻部分400卸載。加熱部分200和冷卻部分400均包括溫度獨(dú)立控制的三個(gè)室。具體地，加熱部分200包括第一腔室210、第二腔室220和第三腔室230;冷卻部分400包括第四腔室410、第五腔室420和第六腔室430。加工部分300包括加工腔室，在該腔室中通過使用磁芯和感應(yīng)線圏的感應(yīng)加熱短時(shí)間以將待退火的包括絕,底的非晶硅薄膜的溫度均勻提高。將絕g底裝入退火系統(tǒng)同時(shí)置于安置器上，這使絕緣襯底的變形最小化。當(dāng)然，根據(jù)在非晶硅薄膜晶化中的退火溫度，可省略加工部分300。參考圖5，構(gòu)成加熱部分200和冷卻部分400的每個(gè)腔室可包括外殼201、在外殼201內(nèi)部的絕,底10上安裝的噴嘴204、用于為噴嘴204供給蒸汽的蒸汽發(fā)生器205，和用于為蒸汽發(fā)生器205供給H2氣體和02氣體的氣體供給單元206。該腔室結(jié)構(gòu)適用于多晶硅薄膜的鈍化。外殼201具有用于退火的空間。在外殼201中在預(yù)定溫度下退火絕緣襯底。外殼201包括用于轉(zhuǎn)移絕緣襯底10的輥202和用于提高內(nèi)部溫度的加熱器203。在轉(zhuǎn)移絕,底10的區(qū)域上方安裝噴嘴204，為絕,底的整個(gè)表面均勻地供給H20蒸汽。為了高效供給H20蒸汽，噴嘴204包括對(duì)應(yīng)于絕,底區(qū)域而分布的多個(gè)噴孔。蒸汽發(fā)生器205包括其中H2氣體與02氣體在700~卯0。C下反應(yīng)以產(chǎn)生H20蒸汽的空間。蒸汽發(fā)生器205通過管道為噴嘴204供給H20蒸汽。蒸汽發(fā)生器205可選自本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的高溫燃炬系統(tǒng)和高溫(pyrogenic)H20蒸汽發(fā)生器。氣體供給單元206包括用于為蒸汽發(fā)生器205供給H2氣體和02氣體的管和多個(gè)控制閥。氣體供給單元206可具有適合于氣體供給的結(jié)構(gòu)，本文中省略其詳述。氣體供給單元206可包括H2氣體和02氣體儲(chǔ)存罐?；蛘?，可設(shè)計(jì)氣體供給單元206以通過管從外部來接收H2氣體和02氣體。氣體供給單元206僅僅是說明性的并可具有各種結(jié)構(gòu)。如果必要，氣體供給單元206可僅僅供給02氣體。下面，給出非晶硅薄膜晶化的說明。在以下實(shí)施例中，使用圖4的系統(tǒng)來使非晶硅薄膜晶化。非晶硅薄膜穿過其溫度i殳置為預(yù)定退火溫度的加熱部分200和冷卻部分400。非晶珪薄膜的晶化也可在廣泛用于半導(dǎo)體制造工藝的垂直管爐中進(jìn)行。實(shí)施例實(shí)施例1在不同溫度下使非晶硅薄膜晶化以形成多晶硅薄膜。為清楚觀察非晶硅薄膜依賴于溫度的晶化，隨著退火溫度升高，減少退火時(shí)間。在以下各組的溫^L/時(shí)間條件下實(shí)施非晶硅薄膜的退火:600'C/150分鐘(實(shí)施例la)、650'C/80分鐘(實(shí)施例lb)、700'C/20分鐘(實(shí)施例lc)、750。C/10分鐘(實(shí)施例Id)和800。C/5分鐘(實(shí)施例le)。以相同濃度(2xl013/cm2)摻雜金屬催化劑。實(shí)施例2在該實(shí)施例中，使非晶硅薄膜晶化不同時(shí)間周期，同時(shí)保持退火溫度恒定，以形成多晶硅薄膜。具體地，非晶硅薄膜在700'C下退火5分鐘(實(shí)施例2a)、10分鐘(實(shí)施例2b)、20分鐘(實(shí)施例2c)和40分鐘(實(shí)施例2d)。以相同濃度(2xl013/cm2)摻雜金屬催化劑。實(shí)施例3在該實(shí)施例中，通過以不同濃度摻雜金屬催化劑同時(shí)保持退火溫度和時(shí)間恒定來晶化非晶硅薄膜。具體地，以下不同濃度摻雜金屬催化劑5xl0"/cm2(實(shí)施例3a)、2xl012/cm2(實(shí)施例3b)、2xl013/cm2(實(shí)施例3c)、6xl0"cm2(實(shí)施例3d)和5xl015/cm2(實(shí)施例3e)。在相同溫度(750。C)下退火摻雜非晶硅薄膜相同時(shí)間(5分鐘)以形成多晶硅薄膜。在實(shí)施例1-3中在不同晶化條件下退火非晶硅薄膜之后獲得的結(jié)果評(píng)價(jià)如下。蝕刻每個(gè)多晶硅薄膜。觀察蝕刻后薄膜的晶界形態(tài)。當(dāng)蝕刻一般的多晶硅薄膜時(shí)，在多晶硅薄膜晶界處存在的金屬硅化物也被蝕刻，并因此觀察到晶界.因此，如果蝕刻之后在多晶硅薄膜中沒有觀察到晶界，那么在晶界處不存在金屬硅化物。圖6a6e是在實(shí)施例1即實(shí)施例la、實(shí)施例lb、實(shí)施例lc、實(shí)施例ld和實(shí)施例le中形成的多晶硅薄膜的顯微照片。所述照片顯示在多晶硅薄膜晶界處存在的金屬硅化物分布在晶界的特定位置，例如，隨著退火溫度升高，金屬硅化物位于其中晶界接觸的角落。由于金屬珪化物沿著通過在600'C的溫度下退火形成的多晶硅薄膜的晶界分布，所以在一定程度上觀察到晶界。然而，即使在此情況下，金屬硅化物沒有沿多晶硅薄膜的晶界進(jìn)行均勻分布。在通過在800。C的溫度下退火形成的多晶硅薄膜中幾乎沒有觀察到晶界。即，金屬硅化物以點(diǎn)的形式出現(xiàn)在多晶硅薄膜的特定位置處?？傊?，隨著退火溫度提高，金屬硅化物位于多晶硅薄膜中晶界的特定位置。圖7a~7d是在實(shí)施例2即實(shí)施例2a、實(shí)施例2b、實(shí)施例2c和實(shí)施例2d中形成的多晶硅薄膜的顯微照片。所述照片顯示在多晶硅薄膜晶界處存在的金屬硅化物分布在晶界的特定位置，例如，隨著退火時(shí)間增加，金屬硅化物位于其中晶界接觸的角落。由于金屬珪化物沿著通過退火5分鐘形成的多晶硅薄膜的晶界分布，所以在一定程度上觀察到晶界。然而，即使在此情況下，金屬^^化物沒有沿多晶硅薄膜的晶界均勻分布。在通過退火40分鐘形成的多晶硅薄膜中幾乎沒有觀察到晶界。即，金屬硅化物以點(diǎn)的形式出現(xiàn)在多晶硅薄膜的特定位置處?？傊?，隨著退火時(shí)間增加，金屬珪化物位于多晶硅薄膜中晶界的特定位置。圖8a~8d是在實(shí)施例3即實(shí)施例3a、實(shí)施例3b、實(shí)施例3c和實(shí)施例3d中形成的多晶硅薄膜的顯微照片。所述照片顯示在多晶硅薄膜晶界處存在的金屬硅化物分布在晶界的特定位置，例如，隨著金屬催化劑摻雜濃度的降低，金屬硅化物位于其中晶界接觸的角落。在使用5xl()H/ci^的相對(duì)低濃度金屬催化劑而形成的多晶硅薄膜中幾乎沒有觀察到晶界，這是由于金屬硅化物分布在多晶硅薄膜中晶界的特定位置。相反，發(fā)現(xiàn)使用5xl0"/ci^的相對(duì)高濃度的金屬催化劑，則金屬硅化物分布在多晶硅薄膜的整個(gè)晶界中。然而，即使在此情況下，金屬硅化物沒有沿多晶硅薄膜的晶界均勻分布。即，隨著金屬催化劑濃度降低，金屬硅化物以點(diǎn)的形式出現(xiàn)在多晶硅薄膜的特定位置處。這些結(jié)果表明隨著金屬催化劑濃度降低，形成的金屬硅化物的量相對(duì)小。下面，給出鈍化非晶硅薄膜的說明。圖9是使用圖4的在線系統(tǒng)在非晶硅薄膜鈍化期間的退火曲線。在實(shí)施例4中，依次進(jìn)行加熱、感應(yīng)退火和冷卻(圖9)以在鈍化之前使非晶硅薄膜晶化。在實(shí)施例4中，將作為金屬催化劑的Ni摻雜進(jìn)入非晶硅薄膜的表面用于快速晶化。摻雜與第一鈍化在在線系統(tǒng)的相同腔室中一起實(shí)施。第一鈍化也可以在在線系統(tǒng)的不同腔室中依次進(jìn)行。另一方面，通過本領(lǐng)域公知方法進(jìn)行晶化和鈍化之外的步驟。表1顯示在實(shí)施例4和對(duì)比例1和2中用于第一鈍化的溫度條件。表l中所有溫度以攝氏度表示。<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>如表1所示，在實(shí)施例4中，加熱腔室設(shè)置兩個(gè)不同溫度，冷卻腔室設(shè)置三個(gè)不同溫度，感應(yīng)退火溫度設(shè)置為850"。在加熱、感應(yīng)退火和冷卻期間供給1120蒸汽，以與多晶硅薄膜的鈍化一起實(shí)施非晶硅薄膜的晶化。在對(duì)比例1和2中，改變?cè)趯?shí)施例4中的溫度和H20蒸汽供給條件。實(shí)施例4第一腔室210、第二腔室220和第三腔室230的溫度分別"^殳置為700'C、700。C和750。C。加工部分300的加工腔室設(shè)置為850。C的溫度。第四腔室410、第五腔室420和第六腔室430的溫度分別設(shè)置為750。C、600。C和450'C。通過裝栽部分100將其上形成有非晶硅薄膜的絕M底裝栽進(jìn)入第一腔室210。使絕,底依次通過第一、第二和第三腔室，同時(shí)加熱。由于這種加熱，絕緣襯底的變形得到最小化，并且使非晶硅薄膜在鈍化之前晶化。使絕緣襯底通過第四、第五和第六腔室，同時(shí)冷卻。然后，通過卸載部分500將冷卻的絕,底移出。在實(shí)施例4中，為第三腔室230、加工部分300、第四腔室410、第五腔室420和第六腔室460提供1120蒸汽，以氧化多晶硅薄膜的表面。結(jié)果，在多晶硅薄膜上形成作為氧化物膜的鈍化膜。鈍化膜在高于700。C的溫度下形成o通過供給1120蒸汽在多晶硅薄膜上形成氧化物膜所需要的時(shí)間("氧化時(shí)間"(T氣化))分為5、15、30和60分鐘。此后，進(jìn)行后續(xù)步驟來制造薄膜晶體管。對(duì)比例1除了沒有為所有腔室提供H20蒸汽之外，重復(fù)實(shí)施例4的工序。結(jié)果，在非晶硅薄膜上沒有形成鈍化膜。對(duì)比例2除了第一腔室210、第二腔室220、第三腔室230、加工部分300、第四腔室410、第五腔室420和第六腔室430分別"^殳定為較低溫度，即670。C、700°C、700'C、700'C、800"、700"、550。C和400。C以外，重復(fù)實(shí)施例4的工序。通過供給H20以在硅薄膜表面上形成氧化物膜所需要的氧化時(shí)間分為5、15和30分鐘。將在實(shí)施例4和對(duì)比例1和2中制造的多晶硅薄膜和薄膜晶體管的特性進(jìn)#^價(jià)。結(jié)晶度評(píng)價(jià)多晶硅薄膜的結(jié)晶度與硅薄膜的結(jié)晶狀態(tài)相關(guān)，其是薄膜晶體管的電子和空穴遷移率的間接度量。通過使用掃描電子顯微鏡觀察多晶硅薄膜的結(jié)構(gòu)，評(píng)價(jià)多晶硅薄膜的晶化度。圖10a和10b是在實(shí)施例4和對(duì)比例1中形成的多晶硅薄膜的掃描電子顯微鏡圖像。圖像顯示在實(shí)施例4中形成的多晶硅薄膜的結(jié)晶度優(yōu)于在對(duì)比例1中形成的多晶硅薄膜。具體地，在對(duì)比例l的多晶硅薄膜中觀察到作為通常固相晶化^微結(jié)構(gòu)的固有特性的孿晶缺陷和晶界內(nèi)的細(xì)小亞晶粒，而在實(shí)施例4中形成的多晶硅薄膜中缺陷數(shù)目減小，形成單個(gè)的晶粒，晶界清晰，并且晶間孿晶缺陷消失。UV斜率值和波長變化的評(píng)價(jià)測(cè)量每個(gè)多晶硅薄膜的UV斜率值和波長的變化以評(píng)價(jià)作為鈍化膜的氧化物膜在多晶硅薄膜表面上的形成.圖lla和lib是在實(shí)施例4和對(duì)比例2中形成的多晶硅薄膜的UV斜率值和波長分別作為氧化時(shí)間函數(shù)的圖。參考圖lla，在實(shí)施例4中形成的多晶硅薄膜的UV斜率值增加，并且多晶硅薄膜的波長隨著氧化時(shí)間增加而縮短。多晶硅薄膜的波長隨著氧化時(shí)間增加而向較短波長偏移表明結(jié)晶度和多晶硅薄膜與覆蓋氧化物膜之間異質(zhì)界面的形成得到改善。氧化進(jìn)行長時(shí)間(60分鐘)之后，多晶硅薄膜的UV斜率值減小，表明由氧化物膜形成所導(dǎo)致的多晶硅薄膜厚度降低。根據(jù)這些結(jié)果可知，在實(shí)施例4的多晶珪薄膜上充分地形成氧化物膜，并且在多晶硅薄膜和氧化物膜之間形成新界面。具體地，氧化之后5分鐘，實(shí)施例4的多晶硅薄膜的UV斜率值和波長存在顯著變化。由這些結(jié)果得出以下結(jié)論氧化時(shí)間優(yōu)選設(shè)定為5分鐘或更長。參考圖llb，盡管增加氧化時(shí)間，但是沒有觀察到在對(duì)比例2中形成的多晶硅薄膜的UV斜率值和波長變化。這些結(jié)果表明，在多晶硅薄膜上沒有充分形成作為鈍化膜的氧化物膜。鈍化膜厚度評(píng)價(jià)圖12是顯示在實(shí)施例4中的多晶硅薄膜上形成的鈍化膜厚度變化作為氧化時(shí)間函數(shù)的圖。參考圖12，隨著氧化時(shí)間增加，鈍化膜變得較厚。考慮到通過多晶硅薄膜的UV斜率值和波長變化的評(píng)價(jià)中所得結(jié)果而得出氧化時(shí)間優(yōu)選設(shè)定為5分鐘或更長的結(jié)論，優(yōu)選鈍化膜具有至少50A的厚度。鈍化膜電性能評(píng)價(jià)圖13顯示在實(shí)施例4中形成的鈍化膜的電性能。使用7jC銀探針在lMHz的頻率下和25mV的OSC下測(cè)量鈍化膜的電性能。發(fā)現(xiàn)鈍化膜具有3.9F/cm的介電常數(shù)和5xl0"/cii^的界面陷阱密度，表明鈍化膜是良好介電材料。薄膜晶體管的表征圖14a和14b是顯示在實(shí)施例4和對(duì)比例1中制造的薄膜晶體管的截止電流(I截止，I。ff)和電子遷移率的圖。每個(gè)圖還包括其中使用氫氟酸(HF)(分離條件，splitcondition)從實(shí)施例4的多晶硅薄膜的表面移除鈍化膜的晶體管薄膜的結(jié)果。參考圖14a，實(shí)施例4的薄膜晶體管具有1.6pA/nm的截止電流(I。ff)，其低于對(duì)比例1的薄膜晶體管的截止電流(44pA/nm)。晶體管的截止電流(分離條件)高于在實(shí)施例4中制造的晶體管的截止電流。認(rèn)為其原因是當(dāng)除去氧化物膜時(shí)多晶硅薄膜的界面受到氫氟酸的損傷。參考圖14b,實(shí)施例4的薄膜晶體管具有64cm2/Vs的載流子遷移率，其高于對(duì)比例1的薄膜晶體管的載流子遷移率(52cm2/Vs)。晶體管的遷移率(62.33cmVVs)(分離條件)低于在實(shí)施例4中制造的晶體管的遷移率。由上所述可顯見，根據(jù)本發(fā)明這些方面的方法，在多晶硅薄膜晶界處沉積和分布金屬珪化物的區(qū)域可減小。因此，可總體上均勻地形成多晶硅薄膜，并且最終薄膜晶體管的電流特性和電子遷移率可得到改善。此外，根據(jù)本發(fā)明的這些方面的方法，提供02氣體或1120蒸汽以鈍化多晶硅薄膜。結(jié)果，在多晶硅薄膜表面上存在的硅懸鍵強(qiáng)烈鈍化，使得可實(shí)現(xiàn)最終的薄膜晶體管的特性改善(例如，改善的電流特性和高的電子遷移率)。此外，根據(jù)本發(fā)明這些方面的方法，非晶硅薄膜的晶化可以與鈍化一起進(jìn)行，這減少工藝步驟數(shù)目和處理時(shí)間。雖然已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施方案，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解可在本實(shí)施方案中做出改變而不脫離本發(fā)明的原理和精神，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物所限定。權(quán)利要求1.一種制造薄膜晶體管的方法，包括在絕緣襯底上形成非晶硅薄膜，使所述非晶硅薄膜晶化以形成多晶硅薄膜，向所述多晶硅薄膜的表面供給氧(O2)氣體或水(H2O)蒸汽以在所述多晶硅薄膜上形成作為鈍化膜的氧化物膜(第一鈍化)，圖案化所述多晶硅薄膜和所述鈍化膜以將所述多晶硅薄膜轉(zhuǎn)化為有源層，在所述多晶硅薄膜和所述鈍化膜上形成柵極絕緣膜，在所述柵極絕緣膜上形成柵電極，并將所述多晶硅薄膜分為與所述柵電極相對(duì)的溝道區(qū)以及由所述溝道區(qū)分隔的第一和第二區(qū)域，將p-型或n-型摻雜劑注入所述第一和第二區(qū)域以形成源極/漏極區(qū)，在所述柵電極和所述柵極絕緣膜上形成層間絕緣膜，蝕刻所述層間絕緣膜、所述柵極絕緣膜和所述鈍化膜，以形成分別與所述源極區(qū)和漏極區(qū)接觸的第一接觸孔和第二接觸孔，和形成通過所述第一和第二接觸孔分別與所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)接觸的源電極和漏電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述絕緣襯底的上表面和所述非晶硅薄膜之間形成緩沖層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非晶硅薄膜摻雜有金屬催化劑并在600~850。C的溫度下退火5~150分鐘。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非晶硅薄膜的晶化通過退火以如下方式進(jìn)行隨著所述退火溫度增加，所述退火時(shí)間變得較短。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非晶硅薄膜在至少800。C的溫度下通過固相晶化進(jìn)行晶化。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非晶硅薄膜摻雜有濃度為lx1011~lxl016/cm2的金屬催化劑。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一鈍化通過加熱和冷卻所述非晶硅薄膜來進(jìn)行。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述第一鈍化在700~800。C的溫度下進(jìn)行。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述H20蒸汽通過在700~卯O'C的溫度下進(jìn)行氫(H2)和氧(02)的反應(yīng)(高溫燃炬技術(shù))或通過加熱去離子7JC到至少20'C來產(chǎn)生。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鈍化膜具有單原子層至數(shù)百埃的厚度。11.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，還包括在形成所述接觸孔的步驟之后，向所述源極和漏極區(qū)域的上表面供給02氣體或H20蒸汽以鈍化所述有源層(第二鈍化)。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二鈍化在200600。C的溫度下進(jìn)行。13.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其中所述第一鈍化和所述第二鈍化在在線系統(tǒng)中進(jìn)行，所述在線系統(tǒng)具有多個(gè)獨(dú)立的室或具有包含垂直豎立腔室的垂直管爐。全文摘要公開了一種制造具有改善的電流特性和高電子遷移率的薄膜晶體管的方法。根據(jù)所述方法，當(dāng)非晶硅薄膜通過金屬誘導(dǎo)晶化而晶化為多晶硅薄膜時(shí)，可優(yōu)化非晶硅薄膜的退火條件和摻雜到非晶硅薄膜中的金屬催化劑的量，以減少在多晶硅薄膜晶界處分布的金屬硅化物的區(qū)域。此外，提供氧(O₂)氣體或水(H₂O)蒸汽以在多晶硅薄膜的表面上形成鈍化膜。文檔編號(hào)H01L21/336GK101471265SQ20081018913公開日2009年7月1日申請(qǐng)日期2008年12月29日優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日發(fā)明者樸旺濬,李政珉,李秀京,柳成龍,申東勛,薰金,金亨駿申請(qǐng)人:微傳科技有限公司