專利名稱：配線基板和制造配線基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有配線基板主體的配線基板及其制造方法，更具 體地說(shuō)，本發(fā)明涉及如下配線基板及其制造方法，即可以減少配線 基板主體的翹曲并且使配線基板在厚度方向上的尺寸更小。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，存在一種稱為無(wú)芯基板的配線基板，其中，配線基板 在厚度方向上的尺寸更小。由于無(wú)芯基板不具有芯基板，所以與具有 芯基板的積層配線基板(由芯基板的兩個(gè)表面上的積層結(jié)構(gòu)形成的配 線基板)相比，強(qiáng)度較低并且更容易發(fā)生翹曲。存在如圖1所示的配
線基板200，該配線基板可以減少無(wú)芯基板的翹曲。 圖1是傳統(tǒng)配線基板的橫截面圖。
參考圖1，傳統(tǒng)配線基板200具有加強(qiáng)構(gòu)件202和作為無(wú)芯基板 的配線基板主體201。配線基板主體201具有電子元件連接焊盤(pán)211、 介電層212和216、導(dǎo)通孔213和217、配線圖案215、外部連接焊 盤(pán)219以及阻焊層221。
電子元件連接焊盤(pán)211具有與電子元件204(例如，半導(dǎo)體芯片) 連接的連接表面211A。電子元件連接焊盤(pán)211布置在介電層212內(nèi) 部，使得連接表面211A可以與介電層212的表面212A (介電層212 的布置有加強(qiáng)構(gòu)件202 —側(cè)的表面)幾乎齊平。
介電層212具有開(kāi)口部分225，以便露出電子元件連接焊盤(pán)211 的位于連接表面211A相反側(cè)的表面2UB的一部分。導(dǎo)通孔213設(shè) 置在開(kāi)口部分225內(nèi)。導(dǎo)通孔213的一個(gè)端部與電子元件連接焊盤(pán) 211連接。
配線圖案215具有焊盤(pán)227和配線228。焊盤(pán)227設(shè)置在介電層 212的位于表面212A相反側(cè)的表面212B上。焊盤(pán)227與配線228形成一體。焊盤(pán)227通過(guò)配線228與電子元件連接焊盤(pán)211電連接。 配線228設(shè)置在導(dǎo)通孔213的另一個(gè)端部，并且位于介電層212
的表面212B上。配線228與導(dǎo)通孔213和焊盤(pán)227形成一體，并且
與電子元件連接焊盤(pán)211和焊盤(pán)227連接。
介電層216設(shè)置在介電層212的表面212B上，以便覆蓋配線
228。介電層216具有開(kāi)口部分231，以便露出焊盤(pán)227的一部分。
導(dǎo)通孔217設(shè)置在開(kāi)口部分231內(nèi)。導(dǎo)通孔217的一個(gè)端部與焊盤(pán)
227連接。
外部連接焊盤(pán)219設(shè)置在導(dǎo)通孔217的另一個(gè)端部，并且位于 介電層216的表面216A (介電層216的位于與介電層212接觸的接 觸表面的相反側(cè)的表面)上。外部連接焊盤(pán)219與導(dǎo)通孔217形成一 體。外部連接焊盤(pán)219具有連接表面219A，外部連接端子(未示出) 布置在連接表面219A上。外部連接焊盤(pán)219通過(guò)布置在連接表面 219A上的外部連接端子(未示出)與例如母板等封裝板(未示出) 電連接。
阻焊層221設(shè)置在介電層216的表面216A (介電層216的位于 與介電層212接觸的接觸表面的相反側(cè)的表面)上，以便覆蓋連接表 面219A。阻焊層221具有開(kāi)口部分221A，以便露出連接表面219A。
加強(qiáng)構(gòu)件202為框架形狀的結(jié)構(gòu)，并且具有用于接收電子元件 204的穿通部分202A (露出形成有電子元件連接焊盤(pán)211的區(qū)域)。 通過(guò)具有粘性的樹(shù)脂(例如，環(huán)氧樹(shù)脂)將加強(qiáng)構(gòu)件202與介電層 212的表面212A結(jié)合。例如，通過(guò)蝕刻或者沖壓Cu板或者Cu合金 板形成加強(qiáng)構(gòu)件202。例如，加強(qiáng)構(gòu)件202的厚度可以為2mm。
可以通過(guò)在配線基板主體201 (即，無(wú)芯基板)上設(shè)置具有這種 構(gòu)造的加強(qiáng)構(gòu)件202來(lái)減少配線基板主體201的翹曲。
圖2至圖5示出傳統(tǒng)配線基板的制造步驟。在圖2至圖5中， 與圖l所示的傳統(tǒng)配線基板200相同的附圖標(biāo)記或符號(hào)表示相同或相 似的部件。
參考圖2至圖5，下面將描述制造傳統(tǒng)配線基板200的方法。首 先，在圖2所示的步驟中，通過(guò)已知方法在諸如Cu箔或Cu板等具有導(dǎo)電性的載體235的上表面235A上形成配線基板主體201。接下 來(lái)，在圖3所示的步驟中，去除設(shè)置在如圖2所示結(jié)構(gòu)上的載體235。 例如，通過(guò)濕法蝕刻去除載體235。
接下來(lái)，在圖4所示的步驟中，形成加強(qiáng)構(gòu)件202，將配線基板 主體201和加強(qiáng)構(gòu)件202布置為彼此相對(duì)，使得設(shè)置在配線基板主體 201上的介電層212可以面對(duì)加強(qiáng)構(gòu)件202。例如，通過(guò)蝕刻或者沖 壓Cu板或者Cu合金板形成加強(qiáng)構(gòu)件202。例如，加強(qiáng)構(gòu)件202的 厚度可以為2mm。
然后，在圖5所示的步驟中，通過(guò)具有粘性的樹(shù)脂203 (例如， 環(huán)氧樹(shù)脂)將加強(qiáng)構(gòu)件202與配線基板主體201結(jié)合。于是，制成了 配線基板200 (參考專利文獻(xiàn)JP-A-2000-323613)。
然而，在傳統(tǒng)的配線基板200中，通過(guò)在配線基板主體201 (即， 無(wú)芯基板)上設(shè)置加強(qiáng)構(gòu)件202來(lái)減少配線基板主體201的翹曲。因 此，存在配線基板200在厚度方向上的尺寸較大的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，鑒于上述問(wèn)題而做出了本發(fā)明，本發(fā)明的目的是提供一 種配線基板及其制造方法，其中該配線基板及其方法可以減少配線基 板主體的翹曲并且使配線基板在厚度方向上的尺寸制作得更小。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種配線基板，包括
配線基板主體；
第一介電層；
電子元件連接悍盤(pán)，其具有與電子元件連接的連接表面，并且 布置在所述第一介電層內(nèi)部以露出所述連接表面；
至少一個(gè)第二介電層，其層疊在所述第一介電層上；
導(dǎo)通孔和配線圖案，其設(shè)置在所述第一介電層和所述至少一個(gè) 第二介電層中，并且與所述電子元件連接焊盤(pán)電連接；以及
減少翹曲的部件，其布置在所述第一介電層內(nèi)部，用于減少所 述配線基板主體的翹曲。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了根據(jù)第一方面的配線基板，其
中，
所述電子元件連接焊盤(pán)的連接表面與所述第一介電層的一個(gè)表 面幾乎齊平，并且
所述減少翹曲的部件的位于所述電子元件連接焊盤(pán)的連接表面 一側(cè)的表面與所述第一介電層的一個(gè)表面幾乎齊平。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了根據(jù)第二方面的配線基板，其
中，
所述減少翹曲的部件布置在與所述電子元件連接焊盤(pán)相同的平
面上，
所述減少翹曲的部件的厚度與所述電子元件連接焊盤(pán)的厚度幾 乎相等，并且
所述減少翹曲的部件的材料與所述電子元件連接焊盤(pán)的材料基 本上相同。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了根據(jù)第一至第三方面中任一方 面的配線基板，其中，
所述減少翹曲的部件為金屬膜。
根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供了根據(jù)第一至第四方面中任一方 面的配線基板，其中，
所述減少翹曲的部件布置在所述第一介電層中，位于所述第一 介電層的與所述電子元件連接焊盤(pán)的形成區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分的外側(cè)， 并且
所述減少翹曲的部件在平面圖中具有框架形狀。
根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提供了根據(jù)第一至第五方面中任一方 面的配線基板，其中，
所述減少翹曲的部件具有多個(gè)減少翹曲的部分，并且所述多個(gè)減少翹曲的部分彼此隔開(kāi)。
根據(jù)本發(fā)明的第七方面，提供了根據(jù)第一至第六方面中任一方 面的配線基板，還包括
阻焊層，其位于所述第一介電層的一個(gè)表面上，露出所述電子 元件連接焊盤(pán)的連接表面，并且覆蓋所述減少翹曲的部件的位于所述 電子元件連接焊盤(pán)的連接表面一側(cè)的表面。
對(duì)于本發(fā)明，由于用于減少配線基板主體翹曲的減少翹曲的部 件布置在第一介電層內(nèi)部，所以可以減少配線基板主體的翹曲，并且 與具有加強(qiáng)構(gòu)件的傳統(tǒng)配線基板相比，該配線基板在厚度方向上的尺 寸可以更小。
根據(jù)本發(fā)明的第八方面，提供了一種制造配線基板的方法，所 述配線基板包括配線基板主體；第一介電層；電子元件連接焊盤(pán)， 其具有與電子元件連接的連接表面，并且布置在所述第一介電層內(nèi)部 以露出所述連接表面；至少一個(gè)第二介電層，其層疊在所述第一介電 層上；導(dǎo)通孔和配線圖案，其設(shè)置在所述第一介電層和所述至少一個(gè) 第二介電層中，并且與所述電子元件連接焊盤(pán)電連接，
所述方法包括
電子元件連接焊盤(pán)和減少翹曲的部件形成步驟，其中在具有導(dǎo) 電性的載體上同時(shí)形成電子元件連接焊盤(pán)和用于減少配線基板主體 翹曲的減少翹曲的部件；
第一介電層形成步驟，其中在所述載體上形成第一介電層以覆 蓋所述電子元件連接焊盤(pán)和所述減少翹曲的部件；以及
載體去除步驟，其中在形成第一介電層、至少一個(gè)第二介電層 以及導(dǎo)通孔和配線圖案之后，去除所述載體。
根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供了根據(jù)第八方面的制造配線基板 的方法，其中，所述電子元件連接焊盤(pán)和所述減少翹曲的部件為金屬膜，并且 所述金屬膜由電鍍法形成。
根據(jù)本發(fā)明的第十方面，提供了根據(jù)第八或第九方面的制造配 線基板的方法，還包括
阻焊層形成步驟，其中在所述載體去除步驟之后，在所述第一 介電層的位于所述電子元件連接焊盤(pán)的連接表面一側(cè)的表面上形成 具有開(kāi)口部分的阻焊層，所述開(kāi)口部分露出所述電子元件連接焊盤(pán)的 連接表面。
通過(guò)本發(fā)明，由于在具有導(dǎo)電性的載體上同時(shí)形成電子元件連 接焊盤(pán)和用于減少配線基板主體翹曲的減少翹曲的部件，在所述載體 上形成第一介電層以覆蓋電子元件連接焊盤(pán)和減少翹曲的部件，然后 在形成第一介電層、至少一個(gè)第二介電層以及導(dǎo)通孔和配線圖案之后 去除所述載體，所以可以減少配線基板主體的翹曲。此外，由于所述 減少翹曲的部件的與所述載體接觸的表面與所述電子元件連接焊盤(pán) 的表面以及所述第一介電層的與所述載體接觸的表面齊平，所以與具 有加強(qiáng)構(gòu)件的傳統(tǒng)配線基板相比，該配線基板在厚度方向上的尺寸可 以更小。
此外，由于可以在不增加制造步驟的情況下通過(guò)同時(shí)形成電子 元件連接焊盤(pán)和減少翹曲的部件的方式形成減少翹曲的部件，所以與 具有加強(qiáng)構(gòu)件的傳統(tǒng)配線基板相比，該配線基板的成本(包括制造成 本)可以更少。
通過(guò)本發(fā)明，可以減少配線基板主體的翹曲，并且配線基板在 厚度方向上的尺寸可以更小。


圖1是傳統(tǒng)配線基板的橫截面圖。
圖2是示出傳統(tǒng)配線基板的制造步驟的視圖(No.l)。 圖3是示出傳統(tǒng)配線基板的制造步驟的視圖(No.2)。圖4是示出傳統(tǒng)配線基板的制造步驟的視圖(No.3)。 圖5是示出傳統(tǒng)配線基板的制造步驟的視圖(No.4)。 圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的橫截面圖。 圖7是圖6所示配線基板的平面圖。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的修改形式的配線基板的橫截面圖。
圖9是用于解釋另一個(gè)減少翹曲的部件的平面圖(No.l)。 圖IO是用于解釋另一個(gè)減少翹曲的部件的平面圖(No.2)。 圖ll是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖.(No,l)。
圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.2)。
圖13是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.3)。
圖14是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.4)。
圖15是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.5)。
圖16是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.6)。
圖n是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視
圖(No.7)。
圖18是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.8)。
圖19是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.9)。
圖20是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的配線基板的橫截面圖。 圖21是圖20所示配線基板的平面圖。
圖22是用于解釋另一個(gè)減少翹曲的部件的平面圖(No.l)。 圖23是用于解釋另一個(gè)減少翹曲的部件的平面圖(No.2)。圖24是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視
圖(No.l)。
圖25是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.2)。
圖26是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.3)。
圖27是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.4)。
圖28是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的配線基板的制造步驟的視 圖(No.5)。
具體實(shí)施例方式
下面，將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。 (第一實(shí)施例)
圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的橫截面圖。
參考圖6，第一實(shí)施例的配線基板10具有配線基板主體21(即， 無(wú)芯基板)和減少翹曲的部件22。
配線基板主體21具有電子元件連接焊盤(pán)24、介電層25(即， 第一介電層)、導(dǎo)通孔27和33、配線圖案28、介電層31 (即，第 二介電層)、外部連接焊盤(pán)34以及阻焊層36。
電子元件連接焊盤(pán)24具有與電子元件11 (例如，半導(dǎo)體芯片) 連接的連接表面24A。電子元件連接焊盤(pán)24布置在介電層25內(nèi)部， 以使連接表面24A可以從介電層25露出來(lái)。連接表面24A構(gòu)造成與 介電層25的表面25A(介電層25的布置有電子元件11 一側(cè)的表面) 幾乎齊平。電子元件連接焊盤(pán)24可以為Au/Pd/Ni層疊膜(其中，Au 層(例如，0.05pm厚)、Pd層(例如，0.5,厚)和Ni層(例如， 5.0pm厚)從介電層25的表面25A—側(cè)按順序?qū)盈B)、Au/Pd/Ni/Cu 層疊膜、Au/Ni層疊膜或Au/Ni/Cu層疊膜。在使用Ni層作為電子元 件連接焊盤(pán)24的成分之一的情況下，Ni層的膜厚度應(yīng)當(dāng)大于其它層 的厚度。這樣，如果把Ni層的膜厚度制作得大于其它層的厚度，那么可以減少配線基板主體21的翹曲。此外，在使用容易通過(guò)電鍍法
進(jìn)行大量沉積的Cu層作為電子元件連接焊盤(pán)24的成分之一的情況 下，可以通過(guò)增加Cu層的厚度來(lái)減少配線基板主體21的翹曲。在 使用Au/Pd/Ni層疊膜作為電子元件連接焊盤(pán)24的情況下，可以通過(guò) 電鍍法形成電子元件連接焊盤(pán)24。例如，電子元件連接焊盤(pán)24的厚 度可以為5.0pm-15nm。
減少翹曲的部件22和電子元件連接焊盤(pán)24布置在介電層25內(nèi) 部。介電層25露出電子元件連接焊盤(pán)24的連接表面24A和減少翹 曲的部件22的表面22A (減少翹曲的部件22的布置有電子元件11 一側(cè)的表面)。介電層25的表面25A構(gòu)造成與電子元件連接焊盤(pán)24 的連接表面24A和減少翹曲的部件22的表面22A幾乎齊平。介電層 25具有開(kāi)口部分41，以便露出電子元件連接焊盤(pán)24的位于連接表面 24A相反側(cè)的表面24B。例如，介電層25可以是以諸如環(huán)氧樹(shù)脂或 聚酰胺樹(shù)脂等絕緣樹(shù)脂為母材的樹(shù)脂層。例如，在使用以環(huán)氧樹(shù)脂為 母材的樹(shù)脂層作為介電層25的情況下，介電層25的厚度可以為 45nm。此外，例如，可以通過(guò)激光處理方法形成開(kāi)口部分41。
導(dǎo)通孔27設(shè)置在開(kāi)口部分41內(nèi)。導(dǎo)通孔27的一個(gè)端部與電子 元件連接焊盤(pán)24連接，另一個(gè)端部與配線圖案28形成一體。因此， 導(dǎo)通孔27使電子元件連接焊盤(pán)24與配線圖案28電連接。
配線圖案28具有焊盤(pán)43和配線44。焊盤(pán)43設(shè)置在介電層25 的表面25B上。焊盤(pán)43與配線44形成一體。焊盤(pán)43通過(guò)配線44 與導(dǎo)通孔27電連接。
配線44設(shè)置在導(dǎo)通孔27的另一個(gè)端部，并且位于介電層25的 表面25B上。配線44與導(dǎo)通孔27和焊盤(pán)43形成一體。例如，具有 上述構(gòu)造的配線圖案28的厚度可以為15nm。例如，導(dǎo)通孔27和配 線圖案28的材料可以為Cu。例如，可以通過(guò)半加成法形成導(dǎo)通孔 27和配線圖案28。
介電層31設(shè)置在介電層25的表面25B上，以便覆蓋配線28。 介電層31具有開(kāi)口部分46，以便露出焊盤(pán)43的一部分。例如，介 電層31可以是以諸如環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰胺樹(shù)脂等絕緣樹(shù)脂為母材的樹(shù)脂層。例如，在使用以環(huán)氧樹(shù)脂為母材的樹(shù)脂層作為介電層31的情
況下，介電層31的厚度可以為45pm。此外，例如，可以通過(guò)激光 處理方法形成開(kāi)口部分46。
導(dǎo)通孔33設(shè)置在開(kāi)口部分46內(nèi)。導(dǎo)通孔33的一個(gè)端部與焊盤(pán) 43連接，另一個(gè)端部與外部連接焊盤(pán)34形成一體。因此，導(dǎo)通孔33 使外部連接焊盤(pán)34與焊盤(pán)43電連接。
外部連接焊盤(pán)34設(shè)置在導(dǎo)通孔33的另一個(gè)端部，并且位于介 電層31的表面31A (介電層31的位于設(shè)置有介電層25的表面的相 反側(cè)的表面)上。外部連接焊盤(pán)34具有布置外部連接端子13的端子 布置表面34A。外部連接焊盤(pán)34通過(guò)布置在端子布置表面34A上的 外部連接端子13與設(shè)置在例如母板等安裝板12上的焊盤(pán)14電連接。 外部連接焊盤(pán)34與導(dǎo)通孔33形成一體。例如，外部連接焊盤(pán)34的 厚度可以為15pm。例如，導(dǎo)通孔33和外部連接焊盤(pán)34的材料可以 為Cu。例如，可以通過(guò)半加成法形成導(dǎo)通孔33和外部連接焊盤(pán)34。
阻焊層36設(shè)置在介電層31的表面31A上，并露出外部連接焊 盤(pán)34的端子布置表面34A。阻焊層36具有開(kāi)口部分36A，以便露出 端子布置表面34A。例如，阻焊層36的材料可以是諸如環(huán)氧樹(shù)脂或 丙烯酸樹(shù)脂等感光樹(shù)脂。例如，阻焊層36的厚度可以為204m。
圖7是圖6所示配線基板的平面圖。在圖7中，與第一實(shí)施例 的配線基板IO相同的附圖標(biāo)記或符號(hào)表示相同或相似的部件。
參考圖6和圖7，減少翹曲的部件22是用于減少配線基板主體 21的翹曲的部件，并布置在介電層25的表面25A—側(cè)內(nèi)部。減少翹 曲的部件22的位于布置有電子元件11 一側(cè)的表面22A構(gòu)造成與電 子元件連接焊盤(pán)24的表面24A和介電層25的表面25A幾乎齊平。
這樣，由于用于減少配線基板主體21翹曲的減少翹曲的部件22 布置在介電層25內(nèi)部，并且減少翹曲的部件22的位于布置有電子元 件11 一側(cè)的表面22A構(gòu)造成與電子元件連接焊盤(pán)24的表面24A和 介電層25的表面25A幾乎齊平，所以可以減少配線基板主體21的 翹曲，并且與具有加強(qiáng)構(gòu)件202的傳統(tǒng)配線基板200 (見(jiàn)圖1)相比， 配線基板IO在厚度方向上的尺寸可以更小(更薄)。換言之，可以在不增加配線基板主體21的尺寸的情況下減少配線基板主體21的翹曲。
減少翹曲的部件22在平面圖中具有框架形狀。減少翹曲的部件 22的外部形狀與配線基板主體21在平面圖中的外部形狀(換言之， 介電層25在平面圖中的外部形狀)幾乎相同。減少翹曲的部件22 布置在介電層25的電子元件連接焊盤(pán)形成區(qū)域A外側(cè)的部分上，在 該電子元件連接焊盤(pán)形成區(qū)域A中形成有多個(gè)電子元件連接焊盤(pán) 24。
減少翹曲的部件22布置在與電子元件連接焊盤(pán)24相同的平面 上。此外，減少翹曲的部件22的厚度與電子元件連接焊盤(pán)24的厚度 大致上相等，減少翹曲的部件22的材料與電子元件連接焊盤(pán)？.4的材 料基本上相同。
這樣，由于減少翹曲的部件22布置在與電子元件連接焊盤(pán)24 相同的平面上，減少翹曲的部件22的厚度與電子元件連接焊盤(pán)24 的厚度大致上相等，減少翹曲的部件22的材料與電子元件連接焊盤(pán) 24的材料基本上相同，所以在形成電子元件連接焊盤(pán)24時(shí)，可以同 時(shí)形成電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件22。
例如，減少翹曲的部件22可以是金屬膜。在使用金屬膜作為減 少翹曲的部件22的情況下，減少翹曲的部件22可以為Au/Pd/Ni層 疊膜(其中，Au層(例如，0.05pm厚)、Pd層(例如，0.5)im厚) 和Ni層(例如，5.0nm厚)從介電層25的表面25A —側(cè)按順序?qū)?疊)、Au/Pd/Ni/Cu層疊膜、Au/Ni層疊膜或Au/Ni/Cu層疊膜。此夕卜， 在使用Ni層作為減少翹曲的部件22的成分之一的情況下，Ni層的 膜厚度應(yīng)當(dāng)大于其它層的厚度。這樣，如果把Ni層的膜厚度制作得 大于其它層的厚度，那么可以減少配線基板主體21的翹曲。此外， 在使用容易通過(guò)電鍍法進(jìn)行大量沉積的Cu層作為減少翹曲的部件22 的成分之一的情況下，可以通過(guò)增加Cu層的厚度來(lái)減少配線基板主 體21的翹曲。
這樣，通過(guò)使用金屬膜作為減少翹曲的部件22，減少翹曲的部 件22的成本(包括制造成本)可以比設(shè)置在傳統(tǒng)配線基板200上的加強(qiáng)構(gòu)件202 (見(jiàn)圖1)的成本更低，因而可以降低配線基板10的成 本。此外，通過(guò)使用金屬膜作為減少翹曲的部件22，減少翹曲的部 件22的厚度可以更薄。例如，減少翹曲的部件22的厚度可以為 5.0pm-15.(^m。此外，例如，如果配線基板主體21在平面圖中的外 部形狀為34mmx34mm，電子元件連接焊盤(pán)形成區(qū)域A在平面圖中的 外部形狀為1Ommxl0mm，那么減少翹曲的部件22的寬度Wl可以 為5.0mm。
在本實(shí)施例的配線基板中，用于減少配線基板主體21翹曲的減 少翹曲的部件22布置在介電層25內(nèi)部，并且減少翹曲的部件22的 位于布置有電子元件11 一側(cè)的表面22A構(gòu)造成與電子元件連接焊盤(pán) 24的表面24A和介電層25的表面25A幾乎齊平，因而可以減少配 線基板主體21的翹曲，并且配線基板IO在厚度方向上的尺寸可以比 具有加強(qiáng)構(gòu)件202的傳統(tǒng)配線基板200 (見(jiàn)圖1)更小。換言之，可 以在不增加配線基板主體21 (即，無(wú)芯基板)尺寸的情況下減少配 線基板主體21的翹曲。
此外，通過(guò)使用金屬膜作為減少翹曲的部件22，減少翹曲的部 件22的成本(包括制造成本)可以比設(shè)置在傳統(tǒng)配線基板200上的 加強(qiáng)構(gòu)件202 (見(jiàn)圖1)的成本更低，因而可以降低配線基板10的成 本。
應(yīng)當(dāng)注意，減少翹曲的部件22可以接地或與電源連接，并且作 為接地層或電源層。
圖8是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的修改形式的配線基板的橫截面 圖。在圖8中，與第一實(shí)施例的配線基板IO相同的附圖標(biāo)記或符號(hào) 表示相同或相似的部件。
參考圖8，除了用配線基板主體51代替設(shè)置在第一實(shí)施例的配 線基板10中的配線基板主體21以外，根據(jù)第一實(shí)施例的修改形式的 配線基板50與配線基板IO相同。
配線基板主體51與配線基板主體21的不同之處在于，除了包 括設(shè)置在第一實(shí)施例的配線基板10中的配線基板主體21的構(gòu)造以 外，還增加了阻焊層53。阻焊層53設(shè)置在介電層25的表面25A上，以便覆蓋減少翹曲 的部件22的表面22A。阻焊層53具有開(kāi)口部分53A，以便露出電子 元件連接焊盤(pán)24的連接表面24A。
具有這種構(gòu)造的配線基板50可以實(shí)現(xiàn)與第一實(shí)施例的配線基板 IO相同的效果。
如下文所述，可以通過(guò)以下方式制造根據(jù)第一實(shí)施例的修改形 式的具有上述構(gòu)造的配線基板50，即在圖18所示步驟之后，進(jìn)行 用于在介電層25的表面25A上形成阻焊層53的阻焊層形成步驟和 如圖19所示的切割步驟。
圖9和圖IO是用于解釋另一個(gè)減少翹曲的部件的平面圖。在圖 9和圖10中，與第一實(shí)施例的配線基板IO相同的附圖標(biāo)記或符號(hào)表 示相同或相似的部件。
雖然在本實(shí)施例中是將在平面圖中具有框架形狀的減少翹曲的 部件22設(shè)置在配線基板主體21和51中，但是可以用圖9所示的減 少翹曲的部件56或圖10所示的減少翹曲的部件61來(lái)代替減少翹曲 的部件22。
參考圖9，減少翹曲的部件56具有四個(gè)減少翹曲的部分57。減 少翹曲的部分57設(shè)置在與電子元件連接焊盤(pán)24相同的平面上。減少 翹曲的部分57的表面57A構(gòu)造成與電子元件連接焊盤(pán)24的表面24A 和介電層25的表面25A幾乎齊平。減少翹曲的部分57的厚度與電 子元件連接焊盤(pán)24的厚度大致上相等，減少翹曲的部分57的材料與 電子元件連接焊盤(pán)24的材料基本上相同。四個(gè)減少翹曲的部分57 排列在彼此隔開(kāi)的位置上。
這樣，由于在配線基板主體21和51中設(shè)置有減少翹曲的部件 56，該減少翹曲的部件56具有排列在彼此隔開(kāi)的位置上的多個(gè)(在 本實(shí)施例的情況下為四個(gè))減少翹曲的部分57，所以可以減小在配 線基板主體21和51內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力。
參考圖10，減少翹曲的部件61具有多個(gè)減少翹曲的部分62， 這些減少翹曲的部分的面積比如圖9所示的減少翹曲的部分57的面 積更小。減少翹曲的部分62設(shè)置在與電子元件連接焊盤(pán)24相同的平面上。減少翹曲的部分62的表面62A構(gòu)造成與電子元件連接焊盤(pán)24 的表面24A和介電層25的表面25A幾乎齊平。減少翹曲的部分62 的厚度與電子元件連接焊盤(pán)24的厚度大致上相等，減少翹曲的部分 62的材料與電子元件連接焊盤(pán)24的材料基本上相同。四個(gè)減少翹曲 的部分62排列在彼此隔開(kāi)的位置上。
在將具有這種構(gòu)造的減少翹曲的部件61設(shè)置在配線基板主體 21和51中的情況下，同樣可以減小在配線基板主體21和51內(nèi)產(chǎn)生 的應(yīng)力。
如果包含金屬膜的減少翹曲的部件22在平面圖中以框架形狀布 置，并且減少翹曲的部件22的面積大，那么會(huì)由于減少翹曲的部件 22與介電層25和31之間熱膨脹系數(shù)差異而在減少翹曲的部件22與 介電層25和31之間產(chǎn)生應(yīng)力，從而可能會(huì)在配線基板主體21和51 中引起翹曲。然而，可以通過(guò)使用減少翹曲的部件56和61來(lái)降低減 少翹曲的部件56和61與介電層25和31之間的應(yīng)力，其中減少翹曲 的部件56和61被切口狀空間(未形成減少翹曲的部件56和61的區(qū) 域)分成多個(gè)減少翹曲的部分57和62。
雖然在上述實(shí)施例中，通過(guò)線性切口將減少翹油的部件56和61 分成多個(gè)減少翹曲的部分57和62，但是可以利用弧形切口或曲線切 口將減少翹曲的部件56和61分成多個(gè)減少翹曲的部分57和62。這 樣，與通過(guò)線性切口將減少翹曲的部件56和61分成多個(gè)減少翹曲的 部分57和62相比，通過(guò)利用弧形切口或曲線切口將減少翹曲的部件 56和61分成多個(gè)減少翹曲的部分57和62，可以效果更好地減少配 線基板主體21和51中的翹曲。
應(yīng)當(dāng)注意，減少翹曲的部件56和61可以接地或與電源配線連 接，并且作為接地層或電源層。
雖然在上述實(shí)施例的配線基板主體21和51中，將一個(gè)介電層 31 (第二介電層)層疊在介電層25 (第一介電層)上，但是可以將 兩個(gè)或者更多個(gè)介電層31 (第二介電層)層疊在介電層25 (第一介 電層)上，并且可以在兩個(gè)或者更多個(gè)層疊的介電層31上設(shè)置用于 使電子元件連接焊盤(pán)24與外部連接盤(pán)34電連接的導(dǎo)通孔和配線圖案。
圖11至圖19是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的配線基板的制造 步驟的視圖。在圖11至圖19中，與第一實(shí)施例的配線基板IO相同 的附圖標(biāo)記或符號(hào)表示相同或相似的部件。此外，如下文所述，圖
ll至圖19中所示的附圖標(biāo)記C表示對(duì)形成在載體71上的如圖19所 示結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割的切割位置(以下稱為"切割位置C")。
參考圖11至圖19，下面將描述第一實(shí)施例的配線基板10的制 造方法。首先，在圖11所示的步驟中，在載體71的上表面71A上 形成具有開(kāi)口部分72A和72B的抗蝕膜72，該載體具有多個(gè)形成配 線基板10的配線基板形成區(qū)域B。此時(shí)，形成開(kāi)口部分72A，以便 使載體71的與電子元件連接焊盤(pán)24的形成區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分中的上 表面71A露出。此外，形成開(kāi)口部分72B，以便使載體71的與減少 翹曲的部件22的形成區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分中的上表面71A露出。可以 使用金屬板(例如，Cu板)或金屬箔(例如，Cu箔)作為具有導(dǎo)電 性的載體71。
接下來(lái)，在圖12所示的步驟中，通過(guò)電鍍法在載體71的從開(kāi) 口部分72A露出的部分中的表面71A上形成電子元件連接焊盤(pán)24， 并且在載體71的從開(kāi)口部分72B露出的部分中的表面71A上形成減 少翹曲的部件22。也就是說(shuō)，通過(guò)電鍍法，在載體71的上表面71A 上同時(shí)形成電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件22 (電子元件連 接焊盤(pán)和減少翹曲的部件的形成步驟)。在本階段，減少翹曲的部件 22與設(shè)置在相鄰配線基板形成區(qū)域B中的減少翹曲的部件22形成一 體。如下文所述，沿著切割位置C對(duì)圖12所示的減少翹曲的部件22 進(jìn)行切割，并通過(guò)圖19所示的步驟將其分成圖6所示的減少翹曲的 部件22。
電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件22可以由如下層疊膜 制成Au/Pd/Ni層疊膜(其中，Au層(例如，0.05nm厚)、Pd層 (例如，0.5(am厚)和Ni層(例如，5.0pm厚)按順序?qū)盈B)、Au/Pd/Ni/Cu 層疊膜、Au/Ni層疊膜或Au/Ni/Cu層疊膜。在使用Ni層作為電子元 件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件22的成分之一的情況下，Ni層的膜厚度應(yīng)當(dāng)大于其它層的厚度。這樣，如果把Ni層的膜厚度制作得 大于其它層的厚度，那么可以減少配線基板主體21的翹曲。此外，
在使用容易通過(guò)電鍍法進(jìn)行大量沉積的Cu層作為電子元件連接焊盤(pán) 24和減少翹曲的部件22的成分之一的情況下，可以通過(guò)增加Cu層 的厚度來(lái)減少配線基板主體21的翹曲。
在使用Au/Pd/Ni層疊膜作為電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲 的部件22的情況下，通過(guò)將具有導(dǎo)電性的載體71作為饋電層的電解 電鍍法，在載體71的從開(kāi)口部分72A和72B露出的部分中的上表面 71A上按順序沉積并生長(zhǎng)Au層(例如，0.05)im厚)、Pd層(例如， 0.5(im厚)和Ni層(例如，5.0pm厚)，由此同時(shí)形成電子元件連 接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件22。
這樣，由于通過(guò)電鍍法同時(shí)形成電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹 曲的部件22，所以不必單獨(dú)進(jìn)行形成減少翹曲的部件22的步驟和單 獨(dú)制備用于制造減少翹曲的部件22的材料，因而可以降低具有減少 翹曲的部件22的配線基板IO的成本(包括制造成本)。
此外，由于通過(guò)電鍍法形成電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的 部件22，所以減少翹曲的部件22的厚度可以更薄。例如，減少翹曲 的部件22的厚度可以為5.0|im-15pm。
接下來(lái)，在圖13所示的步驟中，去除抗蝕膜72。接下來(lái)，在圖 14所示的步驟中，在載體71的上表面71A上形成介電層25，以便 覆蓋電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件22 (第一介電層形成步 驟)，然后在介電層25中形成使電子元件連接焊盤(pán)24的表面24B 的一部分露出的開(kāi)口部分41。例如，介電層25可以是以諸如環(huán)氧樹(shù) 脂或聚酰胺樹(shù)脂等絕緣樹(shù)脂為母材的樹(shù)脂層。此外，例如，可以通過(guò) 激光處理方法形成開(kāi)口部分41。
接下來(lái)，在圖15所示的步驟中，同時(shí)形成導(dǎo)通孔27和配線圖 案28。例如，導(dǎo)通孔27和配線圖案28的材料可以為Cu。例如，在 導(dǎo)通孔27和配線圖案28的材料為Cu的情況下，可以通過(guò)半加成法 形成導(dǎo)通孔27和配線圖案28。例如，配線圖案28的厚度可以為 15,。接下來(lái)，在圖16所示的步驟中，通過(guò)進(jìn)行與前述圖14和圖15 所示步驟相同的方法，形成具有開(kāi)口部分46的介電層31 (第二介電 層)、導(dǎo)通孔33和外部連接焊盤(pán)34。例如，介電層31可以是以諸 如環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰胺樹(shù)脂等絕緣樹(shù)脂為母材的樹(shù)脂層。此外，例如， 可以通過(guò)激光處理方法形成開(kāi)口部分46。在圖16所示的步驟中，同 時(shí)形成導(dǎo)通孔33和外部連接焊盤(pán)34。例如，導(dǎo)通孔33和外部連接 焊盤(pán)34的材料可以為Cu。例如，在導(dǎo)通孔33和外部連接焊盤(pán)34的 材料為Cu的情況下，可以通過(guò)半加成法形成導(dǎo)通孔33和外部連接 焊盤(pán)34。例如，外部連接焊盤(pán)34的厚度可以為15pm。
接下來(lái)，在圖17所示的步驟中，通過(guò)已知方法在介電層31的 表面31A上形成具有開(kāi)口部分36A的阻焊層36，其中開(kāi)口部分36A 露出外部連接焊盤(pán)34的端子布置表面34A (阻焊層形成步驟)。因 此，在載體71的與多個(gè)配線基板形成區(qū)域B相對(duì)應(yīng)的部分中形成相 當(dāng)于多個(gè)配線基板10的結(jié)構(gòu)。阻焊層36的材料可以是諸如環(huán)氧樹(shù)脂 或丙烯酸樹(shù)脂等感光樹(shù)脂。例如，阻焊層36的厚度可以為20pm。
接下來(lái)，在圖18所示的步驟中，去除圖17所示的載體71 (載 體去除步驟)。更具體地說(shuō)，例如，如果載體71為Cu板或Cu箔， 那么通過(guò)蝕刻法去除載體71。
接下來(lái)，在圖19所示的步驟中，沿著切割位置C對(duì)圖18所示 的結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割，并將其分成多個(gè)配線基板10，因而制成了多個(gè)配 線基板10。在這種情況下，對(duì)形成一體的多個(gè)減少翹曲的部件22進(jìn) 行切割，并將其分成多個(gè)減少翹曲的部件22。例如，可以采用切塊 設(shè)備來(lái)切割圖18所示的結(jié)構(gòu)。
通過(guò)根據(jù)本實(shí)施例的配線基板制造方法，在具有導(dǎo)電性的載體 71上同時(shí)形成電子元件連接焊盤(pán)24和用于減少配線基板主體21翹 曲的減少翹曲的部件22，然后在載體71上形成介電層25以便覆蓋 電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件22，再形成導(dǎo)通孔27和33、 配線圖案28、介電層31、外部連接焊盤(pán)34以及阻焊層36，再去除 載體71，由此可以減少配線基板主體21的翹曲，并且因?yàn)闇p少翹曲 的部件22布置在介電層25內(nèi)部，使得減少翹曲的部件22的與載體71接觸的表面22A可以與電子元件連接焊盤(pán)24的與載體71接觸的 表面24A和介電層25的表面25A幾乎齊平，所以與具有加強(qiáng)構(gòu)件 202的傳統(tǒng)配線基板200 (見(jiàn)圖1)相比，配線基板IO在厚度方向上 的尺寸可以更小。
由于同時(shí)形成電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件22，所以 可以在不增加制造工序的步驟數(shù)量的情況下形成減少翹曲的部件 22，因而與具有加強(qiáng)構(gòu)件202的傳統(tǒng)配線基板200相比，配線基板 IO的成本(包括制造成本)可以更低。 (第二實(shí)施例)
圖20是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的配線基板的橫截面圖，圖21 是圖20所示配線基板的平面圖。在圖20和圖21中，與第一實(shí)施例 的配線基板IO相同的附圖標(biāo)記或符號(hào)表示相同或相似的部件。
參考圖20和圖21，除了用減少翹曲的部件81來(lái)代替設(shè)置在第 一實(shí)施例的配線基板10中的減少翹曲的部件22以外，根據(jù)第二實(shí)施 例的配線基板80與配線基板IO相同。
減少翹曲的部件81為用于減少配線基板主體21翹曲的部件， 并且布置在介電層25的表面25A —側(cè)的內(nèi)部。減少翹曲的部件81 的位于布置有電子元件11 一側(cè)的表面81A構(gòu)造成與電子元件連接焊 盤(pán)24的表面24A和介電層25的表面25A幾乎齊平。
這樣，由于用于減少配線基板主體21翹曲的減少翹曲的部件81 布置在介電層25內(nèi)部，并且減少翹曲的部件81的位于布置有電子元 件11 一側(cè)的表面81A構(gòu)造成與電子元件連接焊盤(pán)24的表面24A和 介電層25的表面25A幾乎齊平，所以可以減少配線基板主體21的 翹曲，并且與具有加強(qiáng)構(gòu)件202的傳統(tǒng)配線基板200 (見(jiàn)圖l)相比， 配線基板80在厚度方向上的尺寸可以更小(更薄)。換言之，可以 在不增加配線基板主體21的尺寸的情況下減少配線基板主體21的翹 曲。
減少翹曲的部件81在平面圖中具有框架形狀。減少翹曲的部件 81的外部形狀構(gòu)造成小于配線基板主體21的外部形狀。減少翹曲的 部件81布置在介電層25的位于電子元件連接焊盤(pán)形成區(qū)域A外側(cè)的部分中，在該電子元件連接焊盤(pán)形成區(qū)域中形成有多個(gè)電子元件連
接焊盤(pán)24，并且這些電子元件連接焊盤(pán)與介電層25的外邊緣隔開(kāi)一 定距離。例如，如果配線基板主體21的外部形狀為34mmx34mm， 電子元件連接焊盤(pán)形成區(qū)域A的外部形狀為10mmxl0mm，那么減少 翹曲的部件81的寬度W2可以為5.0mm。在這種情況下，例如，從 介電層25的外邊緣到減少翹曲的部件81的距離D可以為0.5mm。
減少翹曲的部件81布置在與電子元件連接焊盤(pán)24相同的平面 上。此外，減少翹曲的部件81的厚度與電子元件連接焊盤(pán)24的厚度 大致上相等，減少翹曲的部件81的材料與電子元件連接焊盤(pán)24的材 料基本上相同。
這樣，由于減少翹曲的部件81布置在與電子元件連接焊盤(pán)24 相同的平面上，減少翹曲的部件81的厚度與電子元件連接焊盤(pán)24 的厚度大致上相等，減少翹曲的部件81的材料與電子元件連接焊盤(pán) 24的材料基本上相同，所以在形成電子元件連接焊盤(pán)24時(shí)，可以同 時(shí)形成電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件81。
例如，減少翹曲的部件81可以是金屬膜。減少翹曲的部件81 可以為Au/Pd/Ni層疊膜(其中，Au層(例如，0.05pm厚)、Pd層 (例如，0.5pm厚)和Ni層(例如，5.0pm厚)從介電層25的表面 25A —側(cè)按順序?qū)盈B)、Au/Pd/Ni/Cu層疊膜、Au/Ni層疊膜或Au/Ni/Cu 層疊膜。此外，在使用Ni層作為減少翹曲的部件81的成分之一的情 況下，Ni層的膜厚度應(yīng)當(dāng)大于其它層的厚度。這樣，如果把Ni層的 膜厚度制作得大于其它層的厚度，那么可以減少配線基板主體21的 翹曲。此外，在使用容易通過(guò)電鍍法進(jìn)行大量沉積的Cu層作為減少 翹曲的部件81的成分之一的情況下，可以通過(guò)增加Cu層的厚度來(lái) 減少配線基板主體21的翹曲。
這樣，通過(guò)使用金屬膜作為減少翹曲的部件81，減少翹曲的部 件81的成本(包括制造成本)可以比設(shè)置在傳統(tǒng)配線基板200上的 加強(qiáng)構(gòu)件202 (見(jiàn)圖1)的成本更低，因而可以降低配線基板80的成 本。此外，通過(guò)使用金屬膜作為減少翹曲的部件81，減少翹曲的部 件81的厚度可以更薄。例如，減少翹曲的部件81的厚度可以為5.0μm-15.0μm。
此外，由于具有上述構(gòu)造的減少翹曲的部件81的側(cè)向表面(減 少翹曲的部件81的沒(méi)有從配線基板80的側(cè)向表面露出的側(cè)向表面) 被介電層25覆蓋，所以可以防止配線基板80外側(cè)與減少翹曲的部件 81之間短路。
對(duì)于本實(shí)施例的配線基板，用于減少配線基板主體21翹曲的減 少翹曲的部件81布置在介電層25內(nèi)部，并且減少翹曲的部件81的 位于布置有電子元件11 一側(cè)的表面81A構(gòu)造成與電子元件連接焊盤(pán) 24的表面24A和介電層25的表面25A幾乎齊平，因而可以減少配 線基板主體21的翹曲，并且與具有加強(qiáng)構(gòu)件202的傳統(tǒng)配線基板200 (見(jiàn)圖1)相比，配線基板80在厚度方向上的尺寸可以更小。換言 之，可以在不增加配線基板主體21的尺寸的情況下減少配線基板主 體21的翹曲。
此外，通過(guò)使用金屬膜作為減少翹曲的部件81，減少翹曲的部 件81的成本(包括制造成本)可以比設(shè)置在傳統(tǒng)配線基板200上的 加強(qiáng)構(gòu)件202 (見(jiàn)圖1)的成本更低，因而可以降低配線基板80的成 本。
應(yīng)當(dāng)注意，可以把前文所述并且在圖8中示出的阻焊層53設(shè)置 在介電層25的表面25A上，其中該介電層設(shè)置在根據(jù)本實(shí)施例的配 線基板80上。
圖22和圖23是用于解釋另一個(gè)減少翹曲的部件的平面圖。在 圖22和圖23中，與第二實(shí)施例的配線基板80相同的附圖標(biāo)記或符 號(hào)表示相同或相似的部件。
雖然在本實(shí)施例中，將在平面圖中具有框架形狀的減少翹曲的 部件81設(shè)置在配線基板主體21中，但是如下文所述，可以用圖22 所示的減少翹曲的部件85或圖23所示的減少翹曲的部件87來(lái)代替 減少翹曲的部件81。
參考圖22，減少翹曲的部件85布置在介電層25的位于電子元 件連接焊盤(pán)形成區(qū)域A外側(cè)的部分內(nèi)，在該電子元件連接焊盤(pán)形成 區(qū)域中形成有多個(gè)電子元件連接焊盤(pán)24，并且這些電子元件連接焊盤(pán)與介電層25的外邊緣隔開(kāi)一定距離。減少翹曲的部件85具有多個(gè) (在本實(shí)施例的情況下為四個(gè))減少翹曲的部分86。減少翹曲的部 分86設(shè)置在與電子元件連接焊盤(pán)24相同的平面上。減少翹曲的部分 86的表面86A構(gòu)造成與電子元件連接焊盤(pán)24的表面24A和介電層 25的表面25A幾乎齊平。減少翹曲的部分86的厚度與電子元件連接 焊盤(pán)24的厚度大致上相等，減少翹曲的部分86的材料與電子元件連 接焊盤(pán)24的材料基本上相同。多個(gè)減少翹曲的部分86排列在彼此隔 開(kāi)的位置上。
這樣，由于在配線基板主體21中設(shè)置有具有多個(gè)(在本情況中 為四個(gè))減少翹曲的部分86的減少翹曲的部件85，并且這些減少翹 曲的部分排列在彼此隔開(kāi)的位置上，所以可以減小在配線基板主體 21內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力。
參考圖23，減少翹曲的部件87布置在介電層25的位于電子元 件連接焊盤(pán)形成區(qū)域A外側(cè)的部分內(nèi)，在該電子元件連接焊盤(pán)形成 區(qū)域中形成有多個(gè)電子元件連接焊盤(pán)24，并且這些電子元件連接焊 盤(pán)與介電層25的外邊緣隔開(kāi)一定距離。減少翹曲的部件87具有多個(gè) 減少翹曲的部分88，這些減少翹曲的部分的面積比如圖22所示的減 少翹曲的部分86的面積更小。減少翹曲的部分88設(shè)置在與電子元件 連接焊盤(pán)24相同的平面上。減少翹曲的部分88的表面88A構(gòu)造成 與電子元件連接焊盤(pán)24的表面24A和介電層25的表面25A幾乎齊 平。減少翹曲的部分88的厚度與電子元件連接焊盤(pán)24的厚度大致上 相等，減少翹曲的部分88的材料與電子元件連接焊盤(pán)24的材料基本 上相同。多個(gè)減少翹曲的部分88排列在彼此隔開(kāi)的位置上。
在將具有這種構(gòu)造的減少翹曲的部件87設(shè)置在配線基板主體 21中的情況下，同樣可以減小在配線基板主體21內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力。
圖24至圖28是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的配線基板的制造 步驟的視圖。在圖24至圖28中，與第二實(shí)施例的配線基板80相同 的附圖標(biāo)記或符號(hào)表示相同或相似的部件。
參考圖24至圖28，將在下文描述第二實(shí)施例的配線基板80的 制造方法。首先，在圖24所示的步驟中，在載體71的上表面71A上形成具有開(kāi)口部分93A和93B的抗蝕膜93，其中該載體具有導(dǎo)電 性并且具有形成配線基板80的多個(gè)配線基板形成區(qū)域E。此時(shí)，形 成開(kāi)口部分93A，以便使載體71的與電子元件連接焊盤(pán)24的形成區(qū) 域相對(duì)應(yīng)的部分中的上表面71A露出。此外，形成開(kāi)口部分93B， 以便使載體71的與減少翹曲的部件81的形成區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分中的 上表面71A露出?？梢允褂媒饘侔?例如，Cu板)或金屬箔(例如， Cu箔)作為具有導(dǎo)電性的載體71。
接下來(lái)，在圖25所示的步驟中，通過(guò)電鍍法在載體71的從開(kāi) 口部分93A露出的部分中的表面71A上形成電子元件連接焊盤(pán)24， 并且在載體71的從開(kāi)口部分93B露出的部分中的表面71A上形成減 少翹曲的部件81 (電子元件連接焊盤(pán)和減少翹曲的部件的形成步 驟)。也就是說(shuō)，通過(guò)電鍍法，在載體71的上表面71A上同時(shí)形成 電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件81。減少翹曲的部件81布 置在配線基板形成區(qū)域E的位于切割位置F內(nèi)側(cè)的部分中，并且與 形成在另一配線基板形成區(qū)域E中的減少翹曲的部件81分開(kāi)。
這樣，由于減少翹曲的部件81布置在配線基板形成區(qū)域E的位 于切割位置F內(nèi)側(cè)的部分中，并且形成在多個(gè)配線基板形成區(qū)域E 中的減少翹曲的部件81與形成在其他配線基板形成區(qū)域E中的減少 翹曲的部件81彼此分開(kāi)，所以如下文所述，在圖28所示的步驟中不 必切割比介電層25、 31和阻焊層36更難切割的金屬膜(減少翹曲的 部件81)，因而可以提高配線基板80的生產(chǎn)率。
電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件81可以由如下層疊膜 制成Au/Pd/Ni層疊膜(其中，Au層(例如，0.05pm厚)、Pd層 (例如，0.5pm厚)和Ni層(例如，5.0pm厚)按順序?qū)盈B)、Au/Pd/Ni/Cu 層疊膜、Au/Ni層疊膜或Au/Ni/Cu層疊膜。在使用Ni層作為電子元 件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件81的成分之一的情況下，Ni層的 膜厚度應(yīng)當(dāng)大于其它層的厚度。這樣，如果把Ni層的膜厚度制作得 大于其它層的厚度，那么可以減少配線基板主體21的翹曲。此外， 在使用容易通過(guò)電鍍法進(jìn)行大量沉積的Cu層作為電子元件連接焊盤(pán) 24和減少翹曲的部件81的成分之一的情況下，可以通過(guò)增加Cu層的厚度來(lái)減少配線基板主體21的翹曲。
在使用Au/Pd/Ni層疊膜作為電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲 的部件81的情況下，通過(guò)將具有導(dǎo)電性的載體71作為饋電層的電解 電鍍法，在載體71的從開(kāi)口部分93A和93B露出的部分中的上表面 71A上按順序沉積并生長(zhǎng)Au層(例如，0.05pm厚)、Pd層(例如， 0.5pm厚)和Ni層(例如，5.0pm厚)，由此同時(shí)形成電子元件連 接焊盤(pán)24和減少翹曲的部件81。
這樣，由于通過(guò)電鍍法同時(shí)形成電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹 曲的部件81，所以不必單獨(dú)進(jìn)行形成減少翹曲的部件81的步驟和單 獨(dú)制備用于制造減少翹曲的部件81的材料，因而可以降低具有減少 翹曲的部件81的配線基板80的成本(包括制造成本)。
此外，由于通過(guò)電鍍法形成電子元件連接焊盤(pán)24和減少翹曲的 部件81，所以減少翹曲的部件81的厚度可以更薄。例如，減少翹曲 的部件81的厚度可以為5.0lam-15pm。
接下來(lái)，在圖26所示的步驟中，去除抗蝕膜93。接下來(lái)，在圖 27所示的步驟中，通過(guò)進(jìn)行與前面在第一實(shí)施例中描述并且在圖14 至圖18中示出的步驟相同的步驟，形成圖27所示的結(jié)構(gòu)(多個(gè)配線 基板80形成一體的結(jié)構(gòu))。
接下來(lái)，在圖28所示的步驟中，沿著切割位置F對(duì)圖27所示 的結(jié)構(gòu)進(jìn)行切割，并將其分成多個(gè)配線基板80，因而制成了多個(gè)配 線基板80。
通過(guò)根據(jù)本實(shí)施例的配線基板制造方法，在介電層25的位于切 割位置F內(nèi)側(cè)的部分中布置減少翹曲的部件81，并且形成在多個(gè)配 線基板形成區(qū)域E中的減少翹曲的部件81與形成在其他配線基板形 成區(qū)域E中的減少翹曲的部件81彼此分開(kāi)，所以在圖28所示的步 驟中僅需要切割比金屬膜(減少翹曲的部件81)更容易切割的介電 層25、 31和阻焊層36，因而可以提高配線基板80的生產(chǎn)率。
本實(shí)施例的配線基板80的制造方法可以實(shí)現(xiàn)與根據(jù)第一實(shí)施例 的配線基板10的制造方法相同的效果。
雖然在上文中詳細(xì)地描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是本發(fā)明不限于這些具體實(shí)施例，而是在不脫離權(quán)利要求書(shū)所限定的本發(fā)明精 神或范圍的情況下，可以進(jìn)行各種變型和修改。
本發(fā)明可以應(yīng)用于配線基板及其制造方法，其中該配線基板及 其方法可以減少配線基板主體的翹曲并且使配線基板在厚度方向上 的尺寸制作得更小。
權(quán)利要求
1. 一種配線基板，包括配線基板主體；第一介電層；電子元件連接焊盤(pán)，其具有與電子元件連接的連接表面，并且布置在所述第一介電層內(nèi)部以露出所述連接表面；至少一個(gè)第二介電層，其層疊在所述第一介電層上；導(dǎo)通孔和配線圖案，其設(shè)置在所述第一介電層和所述至少一個(gè)第二介電層中，并且與所述電子元件連接焊盤(pán)電連接；以及減少翹曲的部件，其布置在所述第一介電層內(nèi)部，用于減少所述配線基板主體的翹曲。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其中，所述電子元件連接焊盤(pán)的連接表面與所述第一介電層的一個(gè)表 面幾乎齊平，并且所述減少翹曲的部件的位于所述電子元件連接焊盤(pán)的連接表面 一側(cè)的表面與所述第一介電層的一個(gè)表面幾乎齊平。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的配線基板，其中， 所述減少翹曲的部件布置在與所述電子元件連接焊盤(pán)相同的平面上，所述減少翹曲的部件的厚度與所述電子元件連接焊盤(pán)的厚度幾 乎相等，并且所述減少翹曲的部件的材料與所述電子元件連接焊盤(pán)的材料基 本上相同。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其中， 所述減少翹曲的部件為金屬膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其中，所述減少翹曲的部件布置在所述第一介電層中，位于所述第一 介電層的與所述電子元件連接焊盤(pán)的形成區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分外側(cè)，并 且所述減少翹曲的部件在平面圖中具有框架形狀。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其中， 所述減少翹曲的部件具有多個(gè)減少翹曲的部分，并且 所述多個(gè)減少翹曲的部分彼此隔開(kāi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，還包括阻焊層，其位于所述第一介電層的一個(gè)表面上，露出電子元件 連接焊盤(pán)的連接表面，并且覆蓋所述減少翹曲的部件的位于電子元件 連接焊盤(pán)的連接表面一側(cè)的表面。
8. —種制造配線基板的方法，所述配線基板包括配線基板主 體；第一介電層；電子元件連接焊盤(pán)，其具有與電子元件連接的連接表面，并且布置在所述第一介電層內(nèi)部以露出所述連接表面；至少一 個(gè)第二介電層，其層疊在所述第一介電層上；導(dǎo)通孔和配線圖案，其 設(shè)置在所述第一介電層和所述至少一個(gè)第二介電層中，并且與所述電 子元件連接焊盤(pán)電連接， 所述方法包括電子元件連接焊盤(pán)和減少翹曲的部件形成步驟，其中在具有導(dǎo) 電性的載體上同時(shí)形成電子元件連接焊盤(pán)和用于減少配線基板主體 翹曲的減少翹曲的部件；第一介電層形成步驟，其中在所述載體上形成第一介電層以覆 蓋所述電子元件連接焊盤(pán)和減少翹曲的部件；以及載體去除步驟，其中在形成所述第一介電層、至少一個(gè)第二介 電層以及導(dǎo)通孔和配線圖案之后，去除所述載體。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造配線基板的方法，其中， 所述電子元件連接焊盤(pán)和所述減少翹曲的部件為金屬膜，并且 所述金屬膜由電鍍法形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造配線基板的方法，還包括 阻焊層形成步驟，其中在所述載體去除步驟之后，在所述第一 介電層的位于所述電子元件連接焊盤(pán)的連接表面一側(cè)的表面上形成 具有開(kāi)口部分的阻焊層，所述開(kāi)口部分露出所述電子元件連接焊盤(pán)的 連接表面。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種配線基板和制造配線基板的方法，所述配線基板(10)包括配線基板主體(21)，其具有介電層(25)，即第一介電層；電子元件連接焊盤(pán)，其具有與電子元件(11)連接的連接表面(24A)，并且布置在介電層(25)內(nèi)部；介電層(31)，即第二介電層，其層疊在介電層(25)上；以及導(dǎo)通孔(27、33)和配線圖案(28)，其設(shè)置在所述介電層(25、31)上，并且與電子元件連接焊盤(pán)(24)電連接，其中在介電層(25)內(nèi)部布置有減少翹曲的部件(22)，該部件(22)用于減少配線基板主體(21)的翹曲。
文檔編號(hào)H01L23/498GK101436578SQ20081018091
公開(kāi)日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月14日
發(fā)明者中村順一, 宮本隆春 申請(qǐng)人:新光電氣工業(yè)株式會(huì)社