專利名稱：發(fā)光元件結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明揭露具有應(yīng)力平衡層的光電元件結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是關(guān)于一種高導(dǎo)
熱發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
習(xí)知承載藍(lán)光發(fā)光二極管的氧化鋁(sapphire)基板屬于低熱傳導(dǎo)性材料(熱傳 導(dǎo)系數(shù)約為40W/mK)，在較高電流狀況下操作時，無法有效地傳遞熱量，造成熱量累積而影 響發(fā)光二極管的可靠度。 目前市面出現(xiàn)將整片高熱傳導(dǎo)性金屬銅基板(熱傳導(dǎo)系數(shù)約為400W/mK)以電鍍 或粘貼方式與發(fā)光二極管連接，可有效地傳遞熱量。然而在移除成長基板后，內(nèi)應(yīng)力壓縮整 片金屬銅基板，造成芯片(wafer)翹曲而影響后續(xù)工藝成品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的基板為高導(dǎo)熱基板，可由銅、鋁、鉬、硅、鍺、 金屬基復(fù)合材料、銅合金、鋁合金或鉬合金組成。 本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的基板為高導(dǎo)熱基板，可由無電鍍、電鍍、或 電鑄方式形成。
本發(fā)明提供
成。
組成。
形成。
種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的應(yīng)力平衡層可由單層材料或多層材料所組 本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的應(yīng)力平衡層可由鎳、鎢、鉬、鈷、鉬、金、或銅 本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的應(yīng)力平衡層可由無電鍍、電鍍、或電鑄方式
本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的基板為高導(dǎo)熱基板，其熱膨脹系數(shù)與應(yīng)力 平衡層的熱膨脹系數(shù)相差不小于5ppm廣C。 本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中應(yīng)力平衡層的厚度不小于0.01倍且不大于 0.6倍的高導(dǎo)熱基板厚度。 本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的應(yīng)力平衡層具周期性圖案結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平衡層每一圖案
結(jié)構(gòu)寬度不小于0. 01倍光電元件的寬度，且不大于1倍光電元件的寬度。 本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平衡層厚度不小
于0. 01倍且不大于1. 5倍高導(dǎo)熱基板厚度。 本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的應(yīng)力平衡層寬度大于高導(dǎo)熱基板的寬度。
本發(fā)明提供一種光電元件結(jié)構(gòu)，其中的外延結(jié)構(gòu)其材料包含一種或一種以上的物 質(zhì)，選自鎵、鋁、銦、砷、磷及氮所構(gòu)成的群組。


圖1-5是顯示本發(fā)明實施例的光電元件制作流程圖；
圖6-9是顯示本發(fā)明另一實施例的光電元件制作流程圖；
圖10-12是顯示本發(fā)明再一實施例的光電元件制作流程圖。
圖13為習(xí)知發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
主要元件符號說明21 - 成長基板22 - 外延結(jié)構(gòu)23 - 第一電性半導(dǎo)體層24 - 有源層25 - 第二電性半導(dǎo)體層26 - 第二電性接觸層27 - 反射層28 - 應(yīng)力平衡層29 - 高導(dǎo)熱基板30 - 第一電性接觸層31 - 第一電極32 - 切割道33 - 具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平衡層34 - 光致抗蝕劑60 - 次載體62 - 焊料64 - 電性連接結(jié)構(gòu)100、200、300 發(fā)光二極管晶粒
600 發(fā)光裝置 602 電路 a 應(yīng)力平衡層厚度 b 高導(dǎo)熱基板厚度 c 具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平衡層的每一圖案結(jié)構(gòu)寬度 d 光電元件寬度 e 具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平衡層厚度 f 應(yīng)力平衡層寬度 g 高導(dǎo)熱基板寬度
具體實施例方式
本發(fā)明揭露一種具有應(yīng)力平衡層的光電元件結(jié)構(gòu)及其制造方法。為了使本發(fā)明的 敘述更加詳盡與完備，可參照下列描述并配合圖1至圖13的圖式。 實施例一 本發(fā)明的光電元件結(jié)構(gòu)以發(fā)光二極管為例，其結(jié)構(gòu)與制造方法如第1-5圖所示。
圖1所示，包含一成長基板21，其材料可為砷化鎵、硅、碳化硅、藍(lán)寶石、磷化銦、磷 化鎵、氮化鋁或氮化鎵等。接著，于成長基板21上形成外延結(jié)構(gòu)22。外延結(jié)構(gòu)22是藉由一 外延工藝所形成，例如有機(jī)金屬氣相沉積外延法(M0CVD)、液相外延法(LPE)或分子束外延 法(MBE)等外延工藝。此外延結(jié)構(gòu)22至少包含一第一電性半導(dǎo)體層23，例如為一n型磷化 鋁鎵銦(AlxGai—x)ylni—yP層或一n型氮化鋁鎵銦(AlxGai—x)ylni—yN層；一有源層24，例如為磷
化鋁鎵銦(Al^a卜x)ylni—yP或氮化鋁鎵銦(Al,Ga卜》yln卜yN所形成的多重量子井結(jié)構(gòu)；以及
一第二電性半導(dǎo)體層25，例如為一 p型磷化鋁鎵銦(AlxGai—x) yln卜yP層或一 p型氮化鋁鎵銦 (AlxGai—x)ylni—yN層。另夕卜，本實施例的有源層24可由例如同質(zhì)結(jié)構(gòu)、單異質(zhì)結(jié)構(gòu)、雙異質(zhì)結(jié)
構(gòu)、或是多重量子井結(jié)構(gòu)所堆疊而成。 接著，于外延結(jié)構(gòu)22上形成一第二電性接觸層26及一反射層27 。第二電性接觸層 26的材料可為氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(IndiumOxide)、氧化錫(Tin Oxide)、 氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc0xide)、氧化鎂(Magnesium Oxide)或氮化 鈦(Titanium Nitride)等。反射層27可為金屬材料，例如銀，鋁，鈦，鉻，鉬，金等。
接著，將具有反射層27的外延結(jié)構(gòu)以成長基板21在上，反射層27在下的方式置 入化學(xué)槽內(nèi)進(jìn)行電化學(xué)沉積法(electro chemical exposition)，例如電鍍，電鑄；或無電 化學(xué)沉積法(electroless chemical exposition)工藝，例如無電鍍；以于反射層27的下 形成一應(yīng)力平衡層28，其材料可選自鎳、鎢、鉬、鈷、鉬、金、或銅。形成結(jié)構(gòu)如第2圖所示。 當(dāng)應(yīng)力平衡層反射率較高時，可作為反射層，則反射層27可省略。 如圖3所示，再將具有應(yīng)力平衡層28的結(jié)構(gòu)置入另一化學(xué)槽內(nèi)進(jìn)行另一次電 化學(xué)沉積法(electro chemical exposition)，例如電鍍，電鑄；或無電化學(xué)沉積法 (electroless chemical exposition)工藝，例如無電鍍；以于應(yīng)力平衡層28的下形成一 高導(dǎo)熱基板29，以成為一晶片(wafer)結(jié)構(gòu)。其中高導(dǎo)熱基板材料可選自銅、鋁、鉬、硅、鍺、 鎢、金屬基復(fù)合材料、銅合金、鋁合金、或鉬合金等。高導(dǎo)熱基板的材料選擇原則為其熱膨脹 系數(shù)與外延結(jié)構(gòu)22的熱膨脹系數(shù)相差不小于5ppm廣C 。而應(yīng)力平衡層厚度a最佳條件為不 小于0. 01倍且不大于0. 6倍高導(dǎo)熱基板厚度b，即0. 01b《a《0. 6b。
接著如圖4所示，藉由激光剝離技術(shù)、蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械研磨工藝等方式部份 或完全移除成長基板21后，裸露出外延結(jié)構(gòu)22的第一電性半導(dǎo)體層23的表面。 一般于 移除成長基板后，高導(dǎo)熱基板與外延結(jié)構(gòu)之間的內(nèi)應(yīng)力會壓縮整片高導(dǎo)熱基板，造成晶片 結(jié)構(gòu)翹曲而影響后續(xù)工藝成品率。應(yīng)力平衡層的形成可降低高導(dǎo)熱基板與外延結(jié)構(gòu)之間 的內(nèi)應(yīng)力，抑制晶片結(jié)構(gòu)翹曲現(xiàn)象。接下來，再于第一電性半導(dǎo)體層23裸露出的表面上形 成第一電性接觸層30。第一電性接觸層30的材料可為氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、 氧化銦(Indium Oxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅 (Zinc Oxide)、氧化鎂(Magnesium Oxide)、氮化鈦(Titanium Nitride)、鍺金(Ge/Au)、鍺 金鎳(Ge/Au/Ni)或鉻鋁(Cr/Al)所形成的薄膜，并可選擇性地于薄膜上以蝕刻工藝形成 特定圖案。接著，利用熱蒸鍍(Thermal Ev即oration)、電子束蒸鍍(E-beam)或離子濺鍍 (Sputtering)等方法，于第一電性接觸層30的特定圖案間形成一第一電極31。若第一電 性接觸層30為連續(xù)薄膜層未形成特定圖案，第一電極31則可直接形成于第一電性接觸層 30之上，其材料可為金錫合金或金銦合金。于此實施例中，高導(dǎo)熱基板29可作為第二電極。 接著蝕刻多道切割道32，再沿著切割道將發(fā)光二極管切割成具有高導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管晶粒IOO，如圖5所示。
實施例二 本發(fā)明的另一實施例所形成的光電元件結(jié)構(gòu)以發(fā)光二極管為例，結(jié)構(gòu)與制造方法 則如圖1及圖6-9所示。其中外延結(jié)構(gòu)與實施例一相同，如圖1所示。如圖6所示，將具有反 射層27的外延結(jié)構(gòu)以成長基板21在上，反射層27在下的方式置入化學(xué)槽內(nèi)進(jìn)行電化學(xué)沉 積法(electro chemical d印osition)，例如電鍍，電鑄；或無電化學(xué)沉積法(electroless chemical exposition)工藝，例如無電鍍；以于反射層的下形成一應(yīng)力平衡層33，再利用 黃光，蝕刻等工藝使應(yīng)力平衡層形成一具周期性圖案的結(jié)構(gòu)。其材料可選自鎳、鎢、鉬、鈷、 鉬、金或銅。當(dāng)應(yīng)力平衡層反射率較高時，可作為反射層，則反射層27可省略。
如圖7所示，再將具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平衡層33的結(jié)構(gòu)置入另一化學(xué)槽內(nèi)進(jìn) 行另一次電化學(xué)沉積法(electro chemical d印osition)，例如電鍍，電鑄；或無電化學(xué) 沉積法(electroless chemical exposition)工藝，例如無電鍍；使得具周期性圖案結(jié)構(gòu) 的應(yīng)力平衡層的間隔處及下方形成一高導(dǎo)熱基板29，以成為一晶片(wafer)結(jié)構(gòu)。其中高 導(dǎo)熱基板材料可選自銅、鋁、鉬、硅、鍺、鎢、金屬基復(fù)合材料、銅合金、鋁合金、鉬合金等。其 中具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平衡層的每一圖案結(jié)構(gòu)寬度c不小于0. 01倍的高導(dǎo)熱光電元 件寬度d，且不大于1倍的高導(dǎo)熱光電元件的寬度，即0. Old《c《d。周期性圖案結(jié)構(gòu)的 應(yīng)力平衡層厚度e最佳條件為不小于0. 01倍且不大于1. 5倍的高導(dǎo)熱基板層厚度b，即 0. 01b《e《1. 5b。 接著，如圖8所示，利用激光剝離技術(shù)、蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械研磨工藝等方式部 份或完全移除成長基板21。成長基板21移除后，裸露出外延結(jié)構(gòu)22的第一電性半導(dǎo)體 層23的表面，再于其上形成第一電性接觸層30。第一電性接觸層30的材料可為氧化銦錫 (Indium Tin Oxide)、氧化銦(Indi咖0xide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化鋅(Zinc0xide)、氧化鎂(Magnesium Oxide)、氮化鈦(Titanium Nitride)、鍺 金(Ge/Au)、鍺金鎳(Ge/Au/Ni)或鉻鋁(Cr/Al)所形成的薄膜，并可選擇性地于薄膜上以蝕 刻工藝形成特定圖案。再分別于第一 電性接觸層30上表面形成一第一 電極31 ，于此實施例 中，高導(dǎo)熱基板29可作為第二電極。其中第一電極的材料可為金錫合金或金銦合金。在此 實施例中，亦可于第一電性接觸層30上表面及/或下表面形成一粗糙面。接著蝕刻多道切 割道32，再沿著切割道將發(fā)光二極管切割成具有高導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管晶粒200，如圖9 所示。 實施例三 本發(fā)明的再一實施例所形成的光電元件結(jié)構(gòu)以發(fā)光二極管為例，結(jié)構(gòu)與制造方法 則如圖l-2及圖10-12所示。其中外延結(jié)構(gòu)與制造方法與實施例一相同，如圖l-2所示。 再如圖10所示，于應(yīng)力平衡層28下方形成多道間隔距離為g的光致抗蝕劑34，再將此結(jié) 構(gòu)置入另一化學(xué)槽內(nèi)進(jìn)行另一次電化學(xué)沉積法(electro chemical d印osition)，例如電 鍍，電鑄；或無電化學(xué)沉積法(electroless chemical exposition)工藝，例如無電鍍，以 于應(yīng)力平衡層28的下多道光致抗蝕劑間形成一高導(dǎo)熱基板29，最后成為一晶片(wafer) 結(jié)構(gòu)。其中高導(dǎo)熱基板材料可選自銅、鋁、鉬、硅、鍺、鎢、金屬基復(fù)合材料、銅合金、鋁合金、 或鉬合金等。接著如圖11所示，藉由激光剝離技術(shù)、蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械研磨工藝等方式 部份或完全移除成長基板21后，裸露出外延結(jié)構(gòu)22的第一 電性半導(dǎo)體層23的表面，再于其上形成第一電性接觸層30。第一電性接觸層30的材料可為氧化銦錫(Indium Tin Oxide)、氧化銦(IndiumOxide)、氧化錫(Tin Oxide)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide)、氧化 鋅(ZincOxide)、氧化鎂(Magnesium Oxide)、氮化鈦(Titanium Nitride)、鍺金(Ge/Au)、 鍺金鎳(Ge/Au/Ni)或鉻鋁(Cr/Al)所形成的薄膜，并可選擇性地于薄膜上以蝕刻工藝形成 特定圖案。接著，利用熱蒸鍍(Thermal Ev即oration)、電子束蒸鍍(E-beam)或離子濺鍍 (Sputtering)等方法，于第一電性接觸層30的特定圖案間形成一第一電極31。若第一電 性接觸層30為連續(xù)薄膜層未形成特定圖案，第一電極31則可直接形成于第一電性接觸層 30之上，其材料可為金錫合金或金銦合金。于此實施例中，高導(dǎo)熱基板29可作為第二電極。 接著蝕刻多道切割道32，再沿著切割道將發(fā)光二極管切割成具有高導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管 晶粒300，如圖12所示。本實施例與其他實施例不同的處在高導(dǎo)熱基板層29的寬度g小于 應(yīng)力平衡層28寬度f，即g < f。高導(dǎo)熱基板寬度愈寬，其所受熱膨脹的內(nèi)應(yīng)力就愈大，但 又須在允許寬度范圍內(nèi)傳遞熱量，故設(shè)計使高導(dǎo)熱基板層的寬度g小于應(yīng)力平衡層寬度f 。
此外，上述的實施例一至三所揭示的發(fā)光二極管晶粒100-300更可以進(jìn)一步地與 其他元件組合連接以形成一發(fā)光裝置(light-emitting a卯a(chǎn)ratus)。第13圖為習(xí)知的 發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖，如圖13所示， 一發(fā)光裝置600包含一具有至少一電路602的次載體 (sub-mount) 60 ;至少一焊料62 (solder)位于上述次載體60上，藉由此焊料62將上述發(fā)光 二極管晶粒100黏結(jié)固定于次載體60上并使發(fā)光二極管晶粒100的基板29與次載體60上 的電路602形成電連接；以及，一電性連接結(jié)構(gòu)64，以電性連接發(fā)光二極管晶粒100的電極 31與次載體60上的電路602 ;其中，上述的次載體60可以是導(dǎo)線架(leadframe)或大尺寸 鑲嵌基底(mounting substrate)，以方便發(fā)光裝置600的電路規(guī)劃并提高其散熱效果。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技 藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
8
權(quán)利要求
一光電元件，其制造方法包含提供成長基板，其具有第一平面及第二平面；形成外延結(jié)構(gòu)于該成長基板的第一平面上，其至少具有n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及p型半導(dǎo)體層；形成金屬反射層于該外延結(jié)構(gòu)之上；以電化學(xué)沉積法或無電化學(xué)沉積法形成應(yīng)力平衡層于該金屬反射層與該外延結(jié)構(gòu)相對的一側(cè)；以電化學(xué)沉積法或無電化學(xué)沉積法形成高導(dǎo)熱基板于該應(yīng)力平衡層與該外延結(jié)構(gòu)相對的一側(cè)，其中該應(yīng)力平衡層可降低該高導(dǎo)熱基板與該外延結(jié)構(gòu)之間的內(nèi)應(yīng)力，且該高導(dǎo)熱基板與該外延結(jié)構(gòu)的熱膨脹系數(shù)相差不小于5ppm/℃；移除該成長基板，以暴露該外延結(jié)構(gòu)的一表面；形成電極于該外延結(jié)構(gòu)暴露的該表面上，其中該電極與該外延結(jié)構(gòu)形成電連結(jié)；由上至下自該外延結(jié)構(gòu)蝕刻至該高導(dǎo)熱基板，以形成多道切割道；以及沿著該切割道切割以形成該光電元件。
2. 如權(quán)利要求1所述的光電元件制造方法，其中形成該應(yīng)力平衡層與該高導(dǎo)熱基板的 電化學(xué)沉積法可為電鍍或電鑄。
3. 如權(quán)利要求1所述的光電元件制造方法，其中形成該應(yīng)力平衡層與該高導(dǎo)熱基板的 無電化學(xué)沉積法可為無電鍍。
4. 如權(quán)利要求1所述的光電元件制造方法，其中形成該多道切割道的方法還包括黃光 或顯影工藝。
5. —光電元件，其制造方法包含 提供成長基板，其具有第一平面及第二平面；形成外延結(jié)構(gòu)于該成長基板的第一平面上，其至少具有n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及p型半 導(dǎo)體層；形成金屬反射層于該外延結(jié)構(gòu)之上；以電化學(xué)沉積法或無電化學(xué)沉積法形成應(yīng)力平衡層于該金屬反射層與該外延結(jié)構(gòu)相 對的一側(cè)；利用蝕刻工藝使該應(yīng)力平衡層形成具周期性圖案的結(jié)構(gòu)，其中該具周期性圖案結(jié)構(gòu)的 應(yīng)力平衡層的每一圖案結(jié)構(gòu)寬度不小于0. 01倍該光電元件的寬度，且不大于1倍該光電元件的寬度；以電化學(xué)沉積法或無電化學(xué)沉積法形成高導(dǎo)熱基板于該具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平 衡層與該外延結(jié)構(gòu)相對的一側(cè)，其中該具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平衡層可降低該高導(dǎo)熱基 板與該外延結(jié)構(gòu)之間的內(nèi)應(yīng)力；移除該成長基板，以暴露該外延結(jié)構(gòu)的一表面；形成電極于該外延結(jié)構(gòu)暴露的該表面上，其中該電極與該外延結(jié)構(gòu)形成電連結(jié)； 由上至下自該外延結(jié)構(gòu)蝕刻至該高導(dǎo)熱基板，以形成多道切割道；以及 沿著該切割道切割形成該光電元件。
6. 如權(quán)利要求5所述的光電元件制造方法，其中形成該具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平衡 層與該高導(dǎo)熱基板的電化學(xué)沉積法可為電鍍或電鑄。
7. 如權(quán)利要求5所述的光電元件制造方法，其中形成該具周期性圖案結(jié)構(gòu)的應(yīng)力平衡 層與該高導(dǎo)熱基板的無電化學(xué)沉積法可為無電鍍。
8. —光電元件，其制造方法包含 提供成長基板，其具有第一平面及第二平面；形成外延結(jié)構(gòu)于該成長基板的第一平面上，其至少具有n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層及p型半 導(dǎo)體層；形成金屬反射層于該外延結(jié)構(gòu)之上；以電化學(xué)沉積法或無電化學(xué)沉積法形成應(yīng)力平衡層于該金屬反射層與該外延結(jié)構(gòu)相 對的一側(cè)；形成多道光致抗蝕劑于該應(yīng)力平衡層的下方；以電化學(xué)沉積法或無電化學(xué)沉積法形成高導(dǎo)熱基板于該應(yīng)力平衡層的下方且無該光 致抗蝕劑覆蓋的區(qū)域，使得該高導(dǎo)熱基板的寬度小于該應(yīng)力平衡層的寬度，且該應(yīng)力平衡 層可降低該高導(dǎo)熱基板與該外延結(jié)構(gòu)之間的內(nèi)應(yīng)力；移除于該應(yīng)力平衡層的下方多道光致抗蝕劑；移除該成長基板，以暴露該外延結(jié)構(gòu)的一表面；形成電極于該外延結(jié)構(gòu)暴露的該表面上，其中該電極與該外延結(jié)構(gòu)形成電連結(jié)； 由上至下自該外延結(jié)構(gòu)蝕刻至該高導(dǎo)熱基板，以形成多道切割道；以及 沿著該切割道切割形成該光電元件。
9. 如權(quán)利要求8所述的光電元件制造方法，其中形成該應(yīng)力平衡層與該高導(dǎo)熱基板的 電化學(xué)性沉積法可為電鍍或電鑄。
10. 如權(quán)利要求8所述的光電元件制造方法，其中形成該應(yīng)力平衡層與該高導(dǎo)熱基板 的無電化學(xué)性沉積法可為無電鍍。
全文摘要
本發(fā)明揭示一具有應(yīng)力平衡層的光電元件結(jié)構(gòu)及其制造方法。此光電元件結(jié)構(gòu)包含高導(dǎo)熱基板，應(yīng)力平衡層位于高導(dǎo)熱基板之上，金屬反射層位于應(yīng)力平衡層之上，及外延結(jié)構(gòu)位于金屬反射層之上。
文檔編號H01L33/00GK101740674SQ20081017799
公開日2010年6月16日 申請日期2008年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月26日
發(fā)明者許嘉良, 黃建富 申請人:晶元光電股份有限公司