專利名稱：一種太陽(yáng)能集光模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能集光模塊，特別是涉及一種以微結(jié)構(gòu)將太陽(yáng)光折射至一特
定位置而進(jìn)行集光的太陽(yáng)能集光模塊。
背景技術(shù)：
在能源短缺的情況下，油價(jià)屢創(chuàng)新高，而京都議定書在碳減量上的規(guī)定，使得新能 源和節(jié)能的綠色建筑成為大家注目焦點(diǎn)。在新能源中，目前商業(yè)化的首推太陽(yáng)能發(fā)電。由 于太陽(yáng)能模塊廠如雨后春筍般地成立，硅晶片供不應(yīng)求，價(jià)格頻頻高漲，結(jié)果不利于太陽(yáng)能 的普及，對(duì)太陽(yáng)能模塊廠商也造成經(jīng)營(yíng)壓力。 美國(guó)專利US 7190531揭露一種太陽(yáng)能集光系統(tǒng)，使用菲涅爾透鏡(FresnelLens)
將陽(yáng)光集中于太陽(yáng)能芯片上，此系統(tǒng)通常需搭配一太陽(yáng)追蹤系統(tǒng)執(zhí)行，使太陽(yáng)能芯片永遠(yuǎn)
面對(duì)陽(yáng)光，增加收光效果。但此系統(tǒng)的厚度太大也笨重，應(yīng)用范圍有限。 美國(guó)專利US 6971756揭露一種輻射能收集與轉(zhuǎn)換裝置，利用反射鏡集光，陽(yáng)光照
射到各反射鏡后，會(huì)反射到太陽(yáng)能芯片上，隨著反射鏡和太陽(yáng)能芯片的位置不同，反射鏡的
傾斜角度也不同。但是，此系統(tǒng)仍需要光線追蹤系統(tǒng)的配合執(zhí)行，依然有系統(tǒng)笨重應(yīng)用局限
的缺點(diǎn)。 美國(guó)專利US 6619282揭露一種太陽(yáng)能集光裝置，利用水作為導(dǎo)光物，并利用結(jié)構(gòu) 模塊來(lái)局限光線角度，將光線導(dǎo)引至側(cè)面，此裝置雖然能大幅地減少整體的厚度，但在執(zhí)行 上，需要持續(xù)加水以維持功效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種太陽(yáng)能集光模塊，利用在基板表面上形成微結(jié)構(gòu)，使 入射集光模塊的陽(yáng)光折射或全反射至太陽(yáng)能芯片的比例增加，提高太陽(yáng)能芯片的使用效率。 本發(fā)明的太陽(yáng)能集光模塊的一較佳實(shí)施例包括一導(dǎo)光基板以及至少一個(gè)太陽(yáng)能
芯片。導(dǎo)光基板包括一第一表面、一第二表面以及多個(gè)側(cè)面，其中該第一表面相向于該第二
表面，該側(cè)面鄰接于該第一表面與該第二表面，一微結(jié)構(gòu)形成于該第一或第二表面上。該太
陽(yáng)能芯片設(shè)置于接近該多個(gè)側(cè)面的至少其中之一的位置上，陽(yáng)光先穿透第一表面，然后到
達(dá)該第二表面，并由該微結(jié)構(gòu)將陽(yáng)光折射或全反射至該側(cè)面，而由該太陽(yáng)能芯片所吸收。 在上述的較佳實(shí)施例中，導(dǎo)光基板是以透光性材料制成。 在上述的較佳實(shí)施例中，該多個(gè)側(cè)面上形成一微結(jié)構(gòu)，增加集光效率。 在上述的較佳實(shí)施例中，該第一表面具有抗反射功能的微納米結(jié)構(gòu)。 在上述的較佳實(shí)施例中，該第一表面具有斥水性功能的微納米結(jié)構(gòu)。 在上述的較佳實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)的形狀為平行的長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，平行于該等側(cè)面中
的至少其中之一，且該長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)的剖面為三角形。太陽(yáng)能芯片設(shè)于與長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)平行的
該側(cè)面上。
在上述的較佳實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)為金字塔型的突起或圓形的突起。 在上述的較佳實(shí)施例中，該太陽(yáng)能芯片可由硅或周期表上III或V族的材料制成。 在上述的較佳實(shí)施例中，該太陽(yáng)能芯片與該側(cè)面的距離小于lmm。 在上述的較佳實(shí)施例中，微結(jié)構(gòu)也可形成于第一表面上。 根據(jù)本發(fā)明的一方面，本發(fā)明的太陽(yáng)能集光模塊利用在基板表面上形成微結(jié)構(gòu)， 使入射集光模塊的陽(yáng)光折射或全反射至太陽(yáng)能芯片的比例增加，提高太陽(yáng)能芯片的使用效率。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明通過(guò)使用單層鍍膜的微納米結(jié)構(gòu)，有別于已知結(jié)
構(gòu)的多層鍍膜，如此可得到較寬的視角以及較低的成本，而且制成溫度低，適合于塑料基
材，制程不需要真空環(huán)境，基材不需要作前處理，結(jié)構(gòu)附著性高并且具有較高的抗污性。 另外，本發(fā)明的太陽(yáng)能集光模塊與已知的側(cè)光式的背光模塊比較，已知的側(cè)光式
的背光模塊將設(shè)于導(dǎo)光板側(cè)邊的光源的光線經(jīng)由導(dǎo)光板導(dǎo)向?qū)Ч獍宓恼?，而作為一種面
光源，已知的側(cè)光式的背光模塊除了導(dǎo)光板之外，還有安裝于導(dǎo)光板底部的反射板、以及安
裝于導(dǎo)光板上方的擴(kuò)散片、棱鏡片等擴(kuò)散光線的組件，但本發(fā)明的太陽(yáng)能集光模塊，光線是
由導(dǎo)光基板的正面進(jìn)入，經(jīng)由微結(jié)構(gòu)將光線反射至側(cè)邊的太陽(yáng)能芯片，并未安裝反射板及
擴(kuò)散板等組件，另外背光模塊的微結(jié)構(gòu)為不連續(xù)的結(jié)構(gòu)，而本發(fā)明為了提高集光效率，微結(jié)
構(gòu)為連續(xù)的結(jié)構(gòu)。


為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)
施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下 圖1是本發(fā)明的太陽(yáng)能集光模塊的示意圖； 圖2是本發(fā)明的太陽(yáng)能集光模塊的導(dǎo)光基板的示意圖； 圖3A是圖2的導(dǎo)光基板的構(gòu)造的放大圖； 圖3B是圖3A中的微結(jié)構(gòu)的剖面為三角形的長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)中，在剖面的三角形的角 度A與B相等的情況下，角度A、 B的變化與太陽(yáng)能芯片收光效率的圖；
圖4是表示在圖3B的角度A = 80度的情況下，角度B的變化與太陽(yáng)能芯片收光 效率的圖； 圖5為在本發(fā)明的導(dǎo)光基板的第一表面上所形成的微納米結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖6是表示微結(jié)構(gòu)形成于第一表面上，在角度A = 80度的情況下，角度B的變化
與太陽(yáng)能芯片收光效率的圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明
10 導(dǎo)光基板 12 第一表面 14 第二表面 15 納米結(jié)構(gòu)層 152 三維結(jié)構(gòu) 16 側(cè)面 17 金屬層
5
18 微結(jié)構(gòu)
20 太陽(yáng)能芯片
100 太陽(yáng)能集光模塊
具體實(shí)施例方式圖1為本發(fā)明的太陽(yáng)能集光模塊的一實(shí)施例的示意圖。 太陽(yáng)能集光模塊100包括一導(dǎo)光基板10以及至少一個(gè)太陽(yáng)能芯片20。 圖2表示導(dǎo)光基板10的一實(shí)施例的示意圖。導(dǎo)光基板10包括一第一表面12、一
第二表面14以及四個(gè)側(cè)面16。第一表面12與第二表面14相向設(shè)置，而四個(gè)側(cè)面16相鄰
于第一表面12與第二表面14。太陽(yáng)能芯片20是設(shè)置于靠近四個(gè)側(cè)面16的其中一個(gè)側(cè)面，
如圖1所示。 導(dǎo)光基板10是使用透光性的材料制成，陽(yáng)光穿透第一表面12，然后到達(dá)第二表面 14，如圖2所示，在第二表面14上形成一連續(xù)式的微結(jié)構(gòu)18，到達(dá)第二表面14的陽(yáng)光由微 結(jié)構(gòu)18折射及全反射后，由太陽(yáng)能芯片20所吸收。要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中，該連續(xù)式 的微結(jié)構(gòu)18是形成在第二表面14上，然而，該連續(xù)式的微結(jié)構(gòu)18也可以形成在第一表面 12上，同樣也能將陽(yáng)光折射或全反射至該側(cè)面16，使用者可以依不同的需求將該微結(jié)構(gòu)18 形成在第一表面12或第二表面14上，在此并不以本實(shí)施例為限。 為了增加陽(yáng)光入射導(dǎo)光基板10的光量，在本實(shí)施例中，可以在第一表面12上形
成具有抗反射功能的微納米結(jié)構(gòu)。此外，由于本發(fā)明的導(dǎo)光基板io可以應(yīng)用于窗戶或百
葉窗上，為了避免雨水附著在第一表面12上，因此也可以在第一表面12上形成斥水性的 微納米結(jié)構(gòu)；或是在第一表面12上涂布斥水性材料，例如是聚偏氟乙烯(polyvinylidene fluoride)、聚砜(polysulfone)、含聚合無(wú)水物的反應(yīng)改質(zhì)劑(reactivity modifying agent)、聚硅氧橡膠、丙烯腈_ 丁二烯_苯乙烯共聚物(Acrylonitrile-Butadiene-Styren e， ABS)，聚四氟乙烯(PTFE)，以達(dá)到斥水性的功能。 在第二表面14的微結(jié)構(gòu)18可以是如圖2所示連續(xù)式的多條長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，而其剖 面為三角形，如此一來(lái)，部分的陽(yáng)光會(huì)被反射至平行于該長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面16，而太陽(yáng)能芯 片20則設(shè)置于靠近與該長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)平行的側(cè)面16，如此可增加被太陽(yáng)能芯片20吸收的陽(yáng) 光。當(dāng)然，在此結(jié)構(gòu)下，太陽(yáng)能芯片20可設(shè)置于與該長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)平行的兩相向的側(cè)面16上， 并不限于只設(shè)置于一側(cè)面16。同理，形成在第二表面14的多條長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，剖面為三角形 的微結(jié)構(gòu)18也可以形成在第一表面12上，其中該長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)平行于側(cè)面16，而太陽(yáng)能芯片 20則設(shè)于與該長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)平行的兩相向的側(cè)面16上，其作用如上，在此不予贅述。
圖3A為圖2的導(dǎo)光基板的構(gòu)造的放大圖。圖3B表示圖3A中剖面為三角形的長(zhǎng) 條狀結(jié)構(gòu)中，在剖面的三角形中，以三角形頂點(diǎn)作垂直線延伸，劃分為角度A與角度B，在角 度A與B相等的情況下，角度A、B的變化與太陽(yáng)能芯片收光效率(％)的圖。要注意的是， 此處所指的收光效率，乃是將陽(yáng)光入射至導(dǎo)光基板10的光量視為100%，經(jīng)過(guò)微結(jié)構(gòu)18的 折射或全反射集光至該側(cè)面16的光量百分比。在本實(shí)施例中，所使用的導(dǎo)光基板尺寸為 240X180X3mm，太陽(yáng)能芯片為240X3mm。另外該長(zhǎng)條狀微結(jié)構(gòu)高度為25 y m。從圖3B可 看出，在角度A與B相等的情況下，角度A與B皆為80度時(shí)可得到較佳的收光效率。
圖4是表示在角度A = 80度的情況下，角度B的變化與太陽(yáng)能芯片收光效率(％ )的圖。從圖4可以看出，當(dāng)角度B為40度或70度時(shí)，可得到很好的收光效率。 另外，微結(jié)構(gòu)的形狀并不限于平行的長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，也可以是金字塔型的突起，如此
陽(yáng)光可以平均地向四個(gè)側(cè)面16照射，而可在四個(gè)側(cè)面16上安裝太陽(yáng)能芯片20。 微結(jié)構(gòu)除了可以形成于第二表面14之外，也可以形成于第一表面12，當(dāng)陽(yáng)光照射
至第一表面12時(shí)，微結(jié)構(gòu)使陽(yáng)光產(chǎn)生大角度的折射，因此，折射后的陽(yáng)光照射至第二表面
14時(shí)，容易產(chǎn)生全反射，增加太陽(yáng)能芯片20的收光效率。此外，當(dāng)微結(jié)構(gòu)形成于第一表面
12時(shí)，就不需要在第一表面12上形成抗反射或斥水性的微納米結(jié)構(gòu)，而是可以在第一表面
12上涂布斥水性材料，以達(dá)到斥水性的功能。 在第一表面12形成的微結(jié)構(gòu)可以是如圖2所示連續(xù)式剖面為三角形的多條長(zhǎng)條 狀結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參考圖6，圖6是表示微結(jié)構(gòu)形成在第一表面12時(shí)，在角度A = 80度的情況下， 角度B的變化與太陽(yáng)能芯片收光效率(％ )的圖。當(dāng)然，在本實(shí)施例中，所使用的導(dǎo)光基板 尺寸為240X 180X3mm，該長(zhǎng)條狀微結(jié)構(gòu)高度為25 y m，皆與圖3與圖4所使用的尺寸相同。 從圖6可以看出，當(dāng)角度B為20度或30度時(shí)，可得到很好的收光效率。
將陽(yáng)光入射至導(dǎo)光基板10的光量視為100%，如未進(jìn)行任何集光作用(即 導(dǎo)光基板上直接裝設(shè)等面積的太陽(yáng)能芯片)，則單位面積太陽(yáng)能芯片的收光效率為 100+(240X180);而圖6的實(shí)施例中，當(dāng)B = 20度時(shí)，太陽(yáng)能芯片收光效率為8. 81 % ，則 單位面積的太陽(yáng)能芯片收光效率為8. 81+ (240X3)，試比較二者可得知本實(shí)施所使用的太 陽(yáng)能集光模塊可使單位面積太陽(yáng)能芯片收光效率有效增加為5. 28倍，說(shuō)明了本案所提出 的太陽(yáng)能集光模塊可以有效的集光并導(dǎo)入至側(cè)面，使位于側(cè)面的太陽(yáng)能芯片能有良好單位 面積太陽(yáng)能芯片收光效率。 在圖6中，微結(jié)構(gòu)是形成于第一表面12上，此時(shí)，第二表面14為一平面，并未形成 微結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，微結(jié)構(gòu)也可以同時(shí)形成于第一表面12與第二表面14上，以達(dá)成良好的集光 效果。詳細(xì)的說(shuō)，除了在第一表面12上有形成微結(jié)構(gòu)外，在第二表面14上也會(huì)形成另一微 結(jié)構(gòu)，當(dāng)陽(yáng)光先穿透第一表面12，然后到達(dá)第二表面14，會(huì)由位于第一表面12與第二表面 14上的該些微結(jié)構(gòu)將陽(yáng)光折射或反射至該側(cè)面16上，而被太陽(yáng)能芯片20所吸收。
微結(jié)構(gòu)的形狀并不限定于本實(shí)施例的形狀，只要可有效地將光線反射或折射而增 加太陽(yáng)能芯片的收光效率者皆可，例如在第二表面14形成金字塔型的突起或圓形的突起， 而太陽(yáng)能芯片設(shè)置的位置也可配合微結(jié)構(gòu)的形狀，例如在本實(shí)施例中，由于微結(jié)構(gòu)是剖面 為三角形的長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，會(huì)有較多的光線會(huì)被導(dǎo)引至與長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)平行的面上，因此可將 太陽(yáng)能芯片設(shè)置于該等面上(兩個(gè)面)，會(huì)有較佳的收光效率。若使用圓形突起，則在每個(gè) 方向上的集光效率是大致相等的，因此太陽(yáng)能芯片就可同時(shí)設(shè)置于四個(gè)側(cè)面上。
此外，關(guān)于可以在第一表面12上所形成的抗反射或斥水性的微納米結(jié)構(gòu)是以單 層膜形成，其結(jié)構(gòu)如圖5所示，在導(dǎo)光基板IO上形成納米結(jié)構(gòu)層15，在納米結(jié)構(gòu)層15的上 方形成一金屬層17。納米結(jié)構(gòu)層15為截面積呈上小下大的三維結(jié)構(gòu)152連續(xù)分布而形成， 三維結(jié)構(gòu)152的周期為100 600nm(周期的定義為此一三維結(jié)構(gòu)152最高點(diǎn)至下一個(gè)三維 結(jié)構(gòu)152最高點(diǎn)的距離)，高度為100 750nm。金屬層17的材質(zhì)為金、銀、鋁、鎳、銅、鉻、 氧化錫或氧化銦錫，其厚度小于150nm。 微納米結(jié)構(gòu)層15的制作方法可如下利用半導(dǎo)體微影蝕刻技術(shù)將三維結(jié)構(gòu)152形 成于一滾筒外緣，作為模仁。另外再提供一具有透光性的高分子塑料基材，并在其表面涂布uv膠，使該透光性的高分子塑料基材與前述模仁緊密貼合，并于緊密貼合部位照射uv光，
使UV膠硬化成形，最后脫模，就形成了具有三維結(jié)構(gòu)152的一微納米結(jié)構(gòu)層15。由于微納 米結(jié)構(gòu)層15的三維結(jié)構(gòu)152之間具有許多空隙，僅有小面積接觸到水滴，附著力較小，加上 水滴會(huì)因自己的內(nèi)聚力而聚集，而使得微納米結(jié)構(gòu)層15具有斥水性的功能。如欲要有抗反 射功能，則可以在微納米米結(jié)構(gòu)層15上再行鍍上一金屬層17以提升光穿透率并降低內(nèi)面 反射率。此外，金屬層17表面可再加鍍硬膜(hard coating)保護(hù)層(圖5未示出)。
本發(fā)明的微納米結(jié)構(gòu)使用單層鍍膜，有別于已知結(jié)構(gòu)的多層鍍膜，如此可得到較 寬的視角以及較低的成本，而且制成溫度低，適合于塑料基材，制程不需要真空環(huán)境，基材 不需要作前處理，結(jié)構(gòu)附著性高并且具有較高的抗污性。 另外，本發(fā)明的太陽(yáng)能集光模塊與已知的側(cè)光式的背光模塊比較，已知的側(cè)光式 的背光模塊將設(shè)于導(dǎo)光板側(cè)邊的光源的光線經(jīng)由導(dǎo)光板導(dǎo)向?qū)Ч獍宓恼妫鳛橐环N面 光源，已知的側(cè)光式的背光模塊除了導(dǎo)光板之外，還有安裝于導(dǎo)光板底部的反射板、以及安 裝于導(dǎo)光板上方的擴(kuò)散片、棱鏡片等擴(kuò)散光線的組件，但本發(fā)明的太陽(yáng)能集光模塊，光線是 由導(dǎo)光基板的正面進(jìn)入，經(jīng)由微結(jié)構(gòu)將光線反射至側(cè)邊的太陽(yáng)能芯片，并未安裝反射板及 擴(kuò)散板等組件，另外背光模塊的微結(jié)構(gòu)為不連續(xù)的結(jié)構(gòu)，而本發(fā)明為了提高集光效率，微結(jié) 構(gòu)為連續(xù)的結(jié)構(gòu)。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技 藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，包括一導(dǎo)光基板，包括一第一表面、一第二表面以及多個(gè)側(cè)面，其中該第一表面相向于該第二表面，該側(cè)面鄰接于該第一表面與該第二表面，一微結(jié)構(gòu)形成于該第二表面上；以及至少一個(gè)太陽(yáng)能芯片，設(shè)置于接近該多個(gè)側(cè)面的至少其中之一的位置上，陽(yáng)光先穿透該第一表面，然后到達(dá)該第二表面，并由該微結(jié)構(gòu)將陽(yáng)光折射或反射至該側(cè)面，而由該太陽(yáng)能芯片所吸收。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該導(dǎo)光基板是以透光性材料 制成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該微結(jié)構(gòu)的形狀為平行的長(zhǎng) 條狀結(jié)構(gòu)，平行于該多個(gè)側(cè)面中的至少其中之一，且該長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)的剖面為三角形。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該太陽(yáng)能芯片是設(shè)于與該長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)平行的該側(cè)面上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該微結(jié)構(gòu)為金字塔型的突起 或圓形的突起。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該太陽(yáng)能芯片可由硅或周期 表上III或V族的材料制成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該太陽(yáng)能芯片與該側(cè)面的距 離小于lmm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該第一表面涂布斥水性材 料，該斥水性材料可為聚偏氟乙烯、聚砜、含聚合無(wú)水物的反應(yīng)改質(zhì)劑、聚硅氧橡膠、丙烯 腈_ 丁二烯_苯乙烯共聚物、聚四氟乙烯。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該第一表面具有一微納米結(jié) 構(gòu)，其包括一納米結(jié)構(gòu)層，形成于該導(dǎo)光基板上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該微納米結(jié)構(gòu)層為多個(gè)截面 積呈上小下大的三維結(jié)構(gòu)連續(xù)分布而形成，其中，該多個(gè)三維結(jié)構(gòu)的周期為100 600nm， 高度為100 570nm。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該微納米結(jié)構(gòu)還包括一金屬 層，形成于該納米結(jié)構(gòu)層上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該金屬層的材質(zhì)為金、銀、 鋁、鎳、銅、鉻、氧化錫或氧化銦錫。
13. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該金屬層的厚度小于 150歷。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該微納米結(jié)構(gòu)還包括一硬 膜保護(hù)層，鍍于該金屬層的表面。
15. —種太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，包括一導(dǎo)光基板，包括一第一表面、一第二表面以及多個(gè)側(cè)面，其中該第一表面相向于該第 二表面，該側(cè)面鄰接于該第一表面與該第二表面， 一微結(jié)構(gòu)形成于該第一表面上；以及至少一個(gè)太陽(yáng)能芯片，設(shè)置于接近該多個(gè)側(cè)面的至少其中之一的位置上，陽(yáng)光先穿透 該第一表面，然后到達(dá)該第二表面，并由該微結(jié)構(gòu)將陽(yáng)光折射或反射至該側(cè)面，而由該太陽(yáng)能芯片所吸收。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該導(dǎo)光基板是以透光性材 料制成。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該微結(jié)構(gòu)的形狀為平行的 長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，平行于該多個(gè)側(cè)面中的至少其中之一，且該長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)的剖面為三角形。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該太陽(yáng)能芯片設(shè)于與該長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)平行的該側(cè)面上。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該微結(jié)構(gòu)為金字塔型的突起或圓形的突起。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該太陽(yáng)能芯片可由硅或周 期表上III或V族的材料制成。
21. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該太陽(yáng)能芯片與該側(cè)面的 距離小于lmm。
22. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該第一表面涂布斥水性材 料，該斥水性材料可為聚偏氟乙烯、聚砜、含聚合無(wú)水物的反應(yīng)改質(zhì)劑、聚硅氧橡膠、丙烯 腈_ 丁二烯_苯乙烯共聚物、聚四氟乙烯。
23. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的太陽(yáng)能集光模塊，其特征在于，該第二表面上具有另一微 結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能集光模塊，包括一導(dǎo)光基板以及至少一個(gè)太陽(yáng)能芯片。導(dǎo)光基板包括一第一表面、一第二表面以及多個(gè)側(cè)面，其中該第一表面相向于該第二表面，該側(cè)面鄰接于該第一表面與該第二表面，一微結(jié)構(gòu)形成于該第二或第一表面上。該太陽(yáng)能芯片設(shè)置于接近該多個(gè)側(cè)面的至少其中之一的位置上，陽(yáng)光先穿透第一表面，然后到達(dá)該第二表面，并由該微結(jié)構(gòu)將陽(yáng)光折射或全反射至該側(cè)面，而由該太陽(yáng)能芯片所吸收。并有部分太陽(yáng)光會(huì)穿透第二表面。此太陽(yáng)能集光模塊亦可由多層上述的導(dǎo)光基板堆疊構(gòu)成，穿透第二表面的太陽(yáng)光，可由下一層導(dǎo)光基板再將部分光線折射至側(cè)面的太陽(yáng)能芯片，以此提高太陽(yáng)能芯片的收光效率。該多層導(dǎo)光基板的微結(jié)構(gòu)可以相同，亦可以不同。
文檔編號(hào)H01L31/052GK101740652SQ200810177688
公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月24日
發(fā)明者林暉雄, 游家瑋, 鮑友南 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院