專利名稱：電泳顯示設備及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電泳顯示設備，更具體來說，涉及電泳顯示設備及其制 造方法。
背景技術：
本發(fā)明分別要求2008年9月23日提交的韓國專利申請No. 10-2008-0093003禾[l 2008年10月27日提交的韓國專利申請No. 10-2008-0105413的優(yōu)先權，此處以引證的方式并入其全部內(nèi)容。
直到最近，顯示設備通常包括液晶顯示(LCD)設備、等離子顯示 面板(PDP)以及有機電致發(fā)光顯示器(OLED)。然而，為了滿足消費 者的需求，引入了各種顯示設備。
具體來說，要求顯示設備具有重量輕、外形薄、效率高以及全色彩 運動圖像顯示的屬性。為了滿足這些屬性，提出了一種電泳顯示設備。 電泳顯示設備利用帶電顆粒向陽極或陰極移動的現(xiàn)象。電泳顯示設備在 對比度、響應時間、全色彩顯示、成本、移動性等方面具有優(yōu)勢。不同 于LCD設備，電泳顯示設備不需要偏振器、背光單元、液晶層等。因此， 電泳顯示設備在生產(chǎn)成本方面具有優(yōu)勢。
圖1是例示了根據(jù)相關技術的電泳顯示設備的驅(qū)動方法的截面圖。 在圖1中，相關技術的電泳顯示設備1包括第一基板11、第二基板36以 及夾在其間的墨層57。墨層57包括囊63，各個囊63都在其中具有多個 染白顆粒59和多個染黑顆粒61 。染白顆粒59和染黑顆粒61分別通過縮 聚反應(condensation polymerization reaction)被充以負電荷禾n正電荷。
在第一基板11的下面并且在各個像素區(qū)(未示出)中設置有連接到 薄膜晶體管(未示出)的多個像素電極28。各個像素電極28都具有正電
壓或負電壓。當將囊形成為具有各種尺寸時，執(zhí)行過濾處理以獲得具有
7統(tǒng)一尺寸的囊。
當對墨層54施加正或負電壓時，囊63中的染白顆粒59和染黑顆粒 61根據(jù)所施加電壓的極性而移動。當染黑顆粒61向上移動時，顯示黑色。 當染白顆粒59向上移動時，顯示白色。
圖2是相關技術的電泳顯示設備的示意性截面圖。在圖2中，相關 技術的電泳顯示設備1包括第一基板11、第二基板36以及夾在其間的墨 層57。墨層57被設置在第五粘接層51與第六粘接層53之間。第五粘接 層51和第六粘接層53中的每一個都由透明材料形成。在第六粘接層53 的下面設置公共電極55以與墨層57相對。墨層57包括囊63，并且各個 囊63都在其中具有多個染白顆粒59和多個染黑顆粒61 。染白顆粒59和 染黑顆粒61分別被充以負電荷和正電荷。
第二基板36可以由透明塑料或玻璃形成，第一基板11可以由不透 明的不銹鋼形成。第一基板n也可以由透明塑料或玻璃形成。在第二基 板36的整個表面下面形成具有紅(R)、綠(G)以及藍(B)色子濾色 器的濾色器層40。在第一基板ll上，形成選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未 示出)。選通線與數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)P。在選通線與數(shù)據(jù)線的 交叉部分處形成薄膜晶體管(TFT) Tr。將TFT Tr設置在各個像素區(qū)P 中。TFTTr包括柵極14、柵絕緣層16、包括有源層18a和歐姆接觸層18b 的半導體層18、源極20以及漏極22。柵極和源極分別連接到選通線和 數(shù)據(jù)線，并且柵絕緣層i6覆蓋柵極14。半導體層18設置在柵絕緣層16 上并且與柵極14交疊。源極20和漏極22設置在半導體層18上并且彼 此相隔開'。
在TFTTr上面形成包括漏接觸孔27的鈍化層26。漏接觸孔27露出 漏極22的一部分。在鈍化層26上并且在各個像素區(qū)P中設置像素電極 28。像素電極28通過漏接觸孔27連接到漏極22。像素電極28可以由例 如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電材料形成。
具有上述元件的電泳顯示設備1利用環(huán)境光(例如，自然光或房間 電燈)作為光源。電泳顯示設備1可以通過根據(jù)施加給像素電極28的電 壓極性感應囊63中的染白顆粒59和染黑顆粒61的位置變化來顯示圖像。
8圖3A到3E是示出相關技術的電泳顯示設備的制造工序的截面圖。 將限定有多個像素區(qū)的區(qū)域稱為顯示區(qū)，并將顯示區(qū)的外圍處的區(qū)域稱 為非顯示區(qū)。
在圖3A中，在第一載體基板5 (例如玻璃基板)的正面和背面上分 別形成第一粘接層7和第二粘接層9。將第一金屬薄膜基板11和第二金 屬薄膜基板13分別粘接在第一粘接層7的外表面和第二粘接層9的外表 面。
接著，在第一金屬薄膜基板11的整個表面上形成絕緣層(未示出)。 在絕緣層上形成彼此交叉以限定像素區(qū)P的選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線 (未示出)。在像素區(qū)P中形成連接到選通線和數(shù)據(jù)線的TFTTr。盡管未 示出，在非顯示區(qū)中，形成連接到選通線的柵焊盤電極和連接到數(shù)據(jù)線 的數(shù)據(jù)焊盤電極。
通過涂敷有機絕緣材料在TFT Tr上面形成鈍化層26。對鈍化層26 進行構(gòu)圖以形成露出各像素區(qū)P中的TFTTr的漏極(未示出)的漏接觸 孔27、露出柵焊盤電極的柵焊盤接觸孔(未示出)、以及露出數(shù)據(jù)焊盤電 極的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔(未示出)。
通過沉積透明導電材料，在鈍化層26上形成透明導電材料層(未示 出)。對透明導電材料層進行構(gòu)圖，以形成通過漏接觸孔接觸TFT Tr的 漏極的像素電極28、通過柵焊盤接觸孔接觸柵焊盤電極的柵輔助焊盤電 極(未示出)、以及通過數(shù)據(jù)焊盤接觸孔接觸數(shù)據(jù)焊盤電極的數(shù)據(jù)輔助焊 盤電極(未示出)?？梢詫⒌谝唤饘俦∧せ?1 (其中形成有例如TFTTr、 像素電極28等的陣列元件，并且層疊有第一粘接層7、第一載體基板5、 第二粘接層9以及第二金屬薄膜基板13)稱為電泳顯示設備的陣列基板 22。
接著，在圖3B中，在第二載體基板30 (例如玻璃基板)的正面和 背面上分別形成第三粘接層32和第四粘接層34。將第一透明基板36和 第二透明基板38分別粘接在第三粘接層32的外表面和第四粘接層34的 外表面。第一透明基板36和第二透明基板38均可以是柔性的。
在第一透明基板36上形成包括順序設置的紅(R)色子濾色器40a、
9綠(G)色子濾色器40b以及藍(B)色子濾色器40c的濾色器層40。紅 (R)色子濾色器40a、綠(G)色子濾色器40b以及藍(B)色子濾色器 40c均對應于陣列基板22中的像素區(qū)P?？梢詫⒌谝煌该骰?6 (其中 形成有濾色器層40，并且層疊有第三粘接層32、第二載體基板30、第四 粘接層34以及第二透明基板38)稱為電泳顯示設備的濾色器基板42。 在濾色器基板42上，可以進一步形成與子濾色器40a、 40b以及40c的 邊界區(qū)相對應的黑底(未示出)。該黑底包圍各像素區(qū)P。
在圖3C中，將電泳膜65粘接在陣列基板22上。電泳膜65包括第 五粘接層51和第六粘接層53、公共電極55以及墨層57。將墨層57設 置在第五粘接層5i與第六粘接層53之間，并且將公共電極55設置在第 六粘接層53上以與墨層57相對。墨層57包括多個囊63，并且各個囊 63都在其中具有多個染白顆粒59和多個染黑顆粒61。染白顆粒59和染 黑顆粒61分別通過縮聚反應被充以負電荷和正電荷。將第五粘接層51 設置成與像素電極28相對，使得墨層57位于公共電極55與像素電極28 之間。
在圖3D中，將濾色基板42粘接到陣列基板22以形成面板。將濾色 基板42設置成與電泳膜65相對。
在圖3E中，將具有第一粘接層7和第二粘接層9以及第二金屬薄膜 基板13的第一載體基板5從第一金屬薄膜基板11分離開。而且，將具 有第三粘接層32和第四粘接層34以及第二透明基板38的第二載體基板 30從第一透明基板36分離幵。結(jié)果，可以獲得電泳顯示設備l。
然而，相關技術的電泳顯示設備的上述制造工序存在缺點。該制造 工序非常復雜。即，陣列基板需要進行以下工序?qū)⒌谝缓偷诙辰訉?粘接在第一載體基板的正面和背面上、將第一和第二金屬薄膜基板粘接 在第一和第二粘接層上、以及在粘接在第一粘接層上的第一金屬薄膜基 板上形成陣列元件(例如TFT或像素電極)。此外，濾色基板需要進行以 下工序?qū)⒌谌偷谒恼辰訉诱辰釉诘诙d體基板上、將第一和第二透 明基板粘接在第三和第四粘接層上、以及在第一透明基板上形成濾色器 層。此外，需要將不必要的元件，例如第--和第二載體基板，從面板分離掉。
再者，當分離不必要的元件(例如第一和第二載體基板，在電泳顯 示設備的制造工序中需要它們，但是在電泳顯示設備的最終產(chǎn)品中不需 要)時，存在外應力。結(jié)果，在陣列基板與濾色基板之間存在未對準問 題，導致顯示圖像質(zhì)量劣化。
再者，在粘接和分離工序期間，在由相對低硬度材料(諸如塑料) 形成的第一透明基板上存在刮擦損害。該刮擦也會導致顯示圖像質(zhì)量劣 化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種電泳顯示設備及其制造方法，其能夠基本上 克服因相關技術的局限和缺點帶來的一個或更多個問題。
僅以介紹的方式，在本發(fā)明的一個方面中， 一種制造電泳顯示設備 的方法，該方法包括以下步驟在具有顯示區(qū)、非顯示區(qū)和切割部分的 基板上形成柵極、選通線、數(shù)據(jù)線以及具有半導體層、源極和漏極的薄 膜晶體管，在所述顯示區(qū)中限定有多個像素區(qū)，所述非顯示區(qū)位于所述 顯示區(qū)的外圍，所述切割部分位于所述非顯示區(qū)的外區(qū)，所述選通線與 所述數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定所述像素區(qū)，所述薄膜晶體管連接到所述選 通線和所述數(shù)據(jù)線；在所述基板的包括所述柵極和所述選通線的整個表
面上形成柵絕緣層；在所述薄膜晶體管的上面形成鈍化層；在所述鈍化 層上在各個像素區(qū)中形成像素電極，該像素電極連接到所述薄膜晶體管 的所述漏極；在所述切割部分中形成對準標記；將包括粘接層、具有帶 電顆粒的墨層、公共電極以及基膜的電泳膜粘接在所述像素電極上，所 述墨層設置在所述粘接層與所述基膜之間，所述粘接層位于所述像素電 極上，所述帶電顆粒包括白色的被充以負電荷的子顆粒和黑色的被充以 正電荷的子顆粒；使用所述對準標記在所述基膜上形成濾色器層，所述 濾色器層對應于所述顯示區(qū)，所述對準標記是用于對所述濾色器層與所 述像素區(qū)進行對準的；以及在所述濾色器層上并且與所述顯示區(qū)相對應 地形成鈍化片，其中所述形成所述對準標記的步驟與以下步驟之一同時
ii執(zhí)行所述形成所述選通線的步驟、所述形成所述數(shù)據(jù)線的步驟以及所 述形成所述像素電極的步驟。
在另一方面中， 一種電泳顯示設備包括位于基板上的選通線，所 述基板具有限定有多個像素區(qū)的顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)的外圍的非顯 示區(qū)；位于所述基板上的所述非顯示區(qū)中的柵焊盤電極，該柵焊盤電極 連接到所述選通線的端部；位于所述基板的包括所述選通線的整個表面 上的柵絕緣層；位于所述選通線上并與所述選通線交叉以限定所述像素 區(qū)的數(shù)據(jù)線；薄膜晶體管，其包括連接到所述選通線的柵極、位于所述 柵絕緣層上且對應于所述柵極的半導體層、連接到所述數(shù)據(jù)線且設置在 所述半導體層上的源極、以及與所述源極隔開且設置在所述半導體層上 的漏極；位于所述柵絕緣層上的所述非顯示區(qū)中且連接到所述數(shù)據(jù)線的 端部的數(shù)據(jù)焊盤電極；位于所述薄膜晶體管上面且包括漏接觸孔、柵焊 盤接觸孔以及數(shù)據(jù)焊盤接觸孔的鈍化層，所述鈍化層在所述顯示區(qū)中具 有第一厚度并且在所述非顯示區(qū)中具有小于所述第一厚度的第二厚度， 所述漏接觸孔、柵焊盤接觸孔以及數(shù)據(jù)焊盤接觸孔分別露出所述漏極、 所述柵焊盤電極以及所述數(shù)據(jù)焊盤電極，所述鈍化層包括具有有機絕緣 材料層和無機絕緣材料層的雙層結(jié)構(gòu)，并且所述顯示區(qū)中的所述有機絕 緣材料層比所述非顯示區(qū)中的所述有機絕緣材料層更厚；位于各個像素 區(qū)中的鈍化層上的像素電極，該像素電極通過所述漏接觸孔接觸所述漏 極；位于所述像素電極上且對應于所述顯示區(qū)的電泳膜；位于所述電泳 膜上的濾色器層；以及位于所述濾色器層上的鈍化片。
在又一方面中，一種電泳顯示設備包括位于基板上的選通線，所 述基板具有限定有多個像素區(qū)的顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)的外圍的非顯 示區(qū)位于所述基板上的所述非顯示區(qū)中的柵焊盤電極，該柵焊盤電極 連接到所述選通線的端部；位于所述基板的包括所述選通線的整個表面 上的柵絕緣層；位于所述選通線上并與所述選通線交叉以限定所述像素 區(qū)的數(shù)據(jù)線；薄膜晶體管，其包括連接到所述選通線的柵極、位于所述
柵絕緣層上且對應于所述柵極的半導體層、連接到所述數(shù)據(jù)線且設置在 所述半導體層上的源極、以及與所述源極隔開且設置在所述半導體層上的漏極；位于所述柵絕緣層上的所述非顯示區(qū)中且連接到所述數(shù)據(jù)線的 端部的數(shù)據(jù)焊盤電極；位于所述薄膜晶體管上面且包括漏接觸孔、柵焊 盤接觸孔以及數(shù)據(jù)焊盤接觸孔的鈍化層，所述鈍化層在所述顯示區(qū)中具 有第一厚度并且在所述非顯示區(qū)中具有小于所述第一厚度的第二厚度， 所述漏接觸孔、所述柵焊盤接觸孔以及所述數(shù)據(jù)焊盤接觸孔分別露出所 述漏極、所述柵焊盤電極以及所述數(shù)據(jù)焊盤電極，所述鈍化層在所述顯 示區(qū)中包括具有第一無機絕緣材料層、有機絕緣材料層以及第二無機絕 緣材料層的三層結(jié)構(gòu)；位于各個像素區(qū)中的鈍化層上的像素電極，該像 素電極通過所述漏接觸孔接觸所述漏極；位于所述像素電極上且對應于 所述顯示區(qū)的電泳膜；位于所述電泳膜上的濾色器層；以及位于所述濾 色器層上的鈍化片。
應當理解，上述一般描述和下述詳細描述是示例性和說明性的，且 旨在提供所要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。


附圖被包括在本說明書中以提供對本發(fā)明的進一步理解，并結(jié)合到 本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式， 且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中
圖1是例示了根據(jù)相關技術的電泳顯示設備的驅(qū)動方法的截面圖2是相關技術的電泳顯示設備的示意性截面圖3A到3E是示出相關技術的電泳顯示設備的iU造工序的截面圖4A到4H是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的電泳顯示設備的一 個像素區(qū)的制造工序的截面圖5A到5H是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的電泳顯示設備的柵 焊盤區(qū)的制造工序的截面圖6A到6H是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的電泳顯示設備的數(shù) 據(jù)焊盤區(qū)的制造工序的截面圖7A到7C是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的電泳顯示設備的制
13造工序的平面圖8A到8C是分別示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的電泳顯示設備
在像素區(qū)、柵焊盤區(qū)以及數(shù)據(jù)焊盤區(qū)中的鈍化層的制造工序的截面圖9A到9C是分別示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的電泳顯示設備 在像素區(qū)、柵焊盤區(qū)以及數(shù)據(jù)焊盤區(qū)中的鈍化層的制造工序的截面圖IOA到IOC是分別示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于形成電泳顯 示設備的濾色器層的對準標記的位置的截面圖；以及
圖IIA到IIC是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電泳顯示設 備的制造工序的截面圖；以及
圖12A到12C是分別用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電泳顯示設 備在像素區(qū)、柵焊盤區(qū)以及數(shù)據(jù)焊盤區(qū)中的鈍化層的制造工序的截面圖。
具體實施例方式
下面將詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，在附圖中示例出了其示例。 在電泳顯示設備中，膜型墨層和濾色器層均形成在形成有TFT的陣 列基板上。
圖4A到4H是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的電泳顯示設備的一 個像素區(qū)的制造工序的截面圖，圖5A到5H是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實 施方式的電泳顯示設備的柵焊盤區(qū)的制造工序的截面圖。圖6A到6H是 示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的電泳顯示設備的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)的制造工 序的截面圖，圖7A到7C是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的電泳顯示 設備的制造工序的平面圖。形成有像素電極、TFT等的像素區(qū)P包括形 成有TFT的開關區(qū)TrA和形成有存儲電容器的存儲區(qū)StgA。將像素區(qū)P 限定在顯示區(qū)DA中。將形成有柵焊盤電極的柵焊盤區(qū)GPA和形成有數(shù) 據(jù)焊盤電極的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA限定在顯示區(qū)的外圍處的非顯示區(qū)中。
在圖4A、 5A以及6A中，在絕緣基板101 (例如玻璃基板或塑料基 板)上沉積第一金屬材料，以形成第一金屬層(未示出)。第一金屬材料 包括鋁(Al)、 Al合金(AlNd)、銅(Cu)、 Cu合金、鉻(Cr)以及鈦(Ti) 合金中的一種。利用掩模工序?qū)Φ谝唤饘俨牧蠈舆M行構(gòu)圖，以形成選通
14線(未示出)、開關區(qū)TrA中的柵極103、存儲區(qū)StgA中的第一存儲電 極105以及柵焊盤區(qū)GPA中的柵焊盤電極107。掩模工序包括形成光刻 膠(PR)層的步驟、使用掩模對PR層進行曝光的步驟、對曝光后的PR 層進行顯影以形成PR圖案的步驟、對第一金屬材料層進行蝕刻以形成期 望的金屬圖案的步驟以及剝離PR圖案的步驟。選通線沿某個方向延伸， 并且柵極103連接到選通線。第一存儲電極105可以是選通線的一部分。 當將公共線(未示出)形成為平行于選通線時，第一存儲電極105可以 是公共線的一部分。將柵焊盤電極107連接到選通線的一端。選通線、 柵極103、第一存儲電極105以及柵焊盤電極107均可以具有雙層結(jié)構(gòu)。 該雙層結(jié)構(gòu)可以是層疊的AlNd/鉬層或?qū)盈B的Ti合金/Cu層。在圖4A、 5A以及6A中示出了具有單層結(jié)構(gòu)的選通線、柵極103、第一存儲電極 105以及柵焊盤電極107。
參照圖7A，通過對第一金屬層的構(gòu)圖工序，在對準標記區(qū)CA (其 將通過切割工序被去除)中形成對準標記191。對準標記191用于對濾色 器層與像素區(qū)P進行精確對準。將形成有柵焊盤電極107 (圖5A的)和 數(shù)據(jù)焊盤(未示出)的非顯示區(qū)定位在顯示區(qū)DA(其中設置有像素區(qū)P) 與對準標記區(qū)CA之間。在與柵焊盤區(qū)GPA相鄰的第一切割區(qū)CA、與 數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA相鄰的第二切割區(qū)CA以及與第一切割區(qū)相對的第三切 割區(qū)CA中形成對準標記191。將對準標記191定位在切割線的外區(qū)。由 于濾色器層包括紅、綠以及藍色子濾色器，對準標記區(qū)CA的第一到第 三切割區(qū)各包括至少一個對準標記191。也可以在另一工序中形成對準標 記191。
在圖4B、5B以及6B中，通過沉積諸如氧化硅(Si02)和氮化硅(SiNx) 的無機絕緣材料，在包括選通線、柵極103、第一存儲線105以及柵焊盤 電極107的整個表面上形成柵絕緣層U0。接著，在柵絕緣層110上順序 地形成本征非晶硅的本征非晶硅層(未示出)和摻雜非晶硅的摻雜非晶 硅層(未示出)。利用掩模工序?qū)Ρ菊鞣蔷Ч鑼雍蛽诫s非晶硅層進行構(gòu)圖， 以形成本征非晶硅的有源層115a和摻雜非晶硅的摻雜非晶硅圖案115b。 有源層115a和摻雜非晶硅圖案115b對應于柵極103。在圖'4C、 5C以及6C中，在有源層115a、摻雜非晶硅圖案115a (圖 4B的)以及柵絕緣層IIO上沉積第二金屬材料，以形成第二金屬層(未 示出)。第二金屬材料包括鉬(Mo)、銅(Cu)、鈦(Ti)合金以及A1合 金(AlNd)中的一種。第二金屬層可以是雙層或三層結(jié)構(gòu)。例如，第二 金屬層的雙層結(jié)構(gòu)可以是層疊的Ti合金/Cu，第二金屬層的三層結(jié)構(gòu)可以 是層疊的Mo/AlNd/Mo。在圖4C、 5C以及6C中示出了具有單層結(jié)構(gòu)的 第二金屬層。
對第二金屬層(未示出)進行構(gòu)圖，以形成數(shù)據(jù)線(未示出)、開關 區(qū)TrA中的源極120、開關區(qū)TrA中的漏極122、存儲區(qū)StgA中的第二 存儲電極124以及數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA中的數(shù)據(jù)焊盤電極126。數(shù)據(jù)線與選 通線交叉以限定像素區(qū)P。將源極120和漏極122設置在開關區(qū)TrA中 的摻雜非晶硅圖案115b上并且使其彼此隔開。將源極120連接到數(shù)據(jù)線， 并將第二存儲電極124連接到漏極122。將數(shù)據(jù)焊盤電極126設置在柵絕 緣層110上，并連接到數(shù)據(jù)線的一端。
然后，通過干刻工序去除源極120與漏極122之間的摻雜非晶硅圖 案115a的露出部分，使得通過源極120和漏極122的空間露出有源層115a 的一部分。在源極120和漏極122的下面形成歐姆接觸層115c。有源層 115a和歐姆接觸層115c構(gòu)成半導體層115。
另一方面，如果在形成選通線和柵極103的工序中沒有形成對準標 記191 (圖7A的)，則可以在形成數(shù)據(jù)線、源極120以及漏極122的工 序中在柵絕緣層110上形成對準標記191。在此情況下，也將對準標記定 位在對準標記區(qū)CA的第一到第三切割區(qū)中。
盡管半導體層U5和源極120以及漏極122是通過彼此不同的掩模
工序來形成的，但是它們可以通過一道掩模工序來形成。更具體來說， 在柵絕緣層110上順序地形成本征非晶硅層、摻雜非晶硅層以及第二金 屬層。然后，采用折射曝光法或半色調(diào)曝光法，利用一道掩模工序?qū)υ?柵絕緣層110上順序形成的本征非晶硅層、摻雜非晶硅層以及第二金屬 層進行構(gòu)圖，以形成具有不同厚度的PR圖案。使用PR圖案作為蝕刻掩 模，對本征非晶硅層、摻雜非晶硅層以及第二金屬層進行蝕刻。在此情況下，在數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)焊盤電極的下面具有其中每一個均由與半導體層 相同的材料形成的半導體圖案。此外，當在該工序中形成對準標記時， 在對準標記的下面也有半導體圖案。
在圖4D、 5D以及6D中，通過涂敷諸如感光亞克力和苯并環(huán)丁烯 (BCB)的有機絕緣材料，在數(shù)據(jù)線、源極120和漏極122、第二存儲電 極124以及數(shù)據(jù)焊盤電極126上形成鈍化層130。鈍化層130具有平坦上 表面。采用折射曝光法或半色調(diào)曝光法，利用掩模工序?qū)︹g化層130進 行構(gòu)圖，以形成漏接觸孔132、柵焊盤接觸孔134以及數(shù)據(jù)焊盤接觸孔 136。漏接觸孔132、柵焊盤接觸孔134以及數(shù)據(jù)焊盤接觸孔136分別露 出漏極122、柵焊盤電極107以及數(shù)據(jù)焊盤電極126。此外，像素區(qū)P中 的鈍化層130具有第一厚度tl，而包括柵焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA 的非顯示區(qū)NA (圖7A的)中的鈍化層130具有比第一厚度tl小的第二 厚度t2。使用步進型曝光裝置(stepper type exposing apparatus),可以通 過包括空白照射(blank shot)的兩道掩模工序?qū)︹g化層130進行構(gòu)圖。 鈍化層130由有機絕緣材料形成，以將寄生電容降至最小并獲得平坦上 表面。例如，寄生電容可能會在第一存儲電極105與像素電極之間以及 第二存儲電極124與像素電極之間產(chǎn)生。
如上所提及的，顯示區(qū)DA中的鈍化層130與非顯示區(qū)NA中的鈍 化層130存在厚度差。顯示區(qū)DA中的鈍化層130的第一厚度tl大于非 顯示區(qū)NA中的鈍化層130的第二厚度t2 (tl>t2)。另一方面，柵輔助焊 盤電極和數(shù)據(jù)輔助焊盤電極將形成在鈍化層130上，并分別通過柵焊盤 接觸孔134和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔136接觸柵焊盤電極107和數(shù)據(jù)焊盤電極 126。為了在柵輔助焊盤電極和數(shù)據(jù)輔'助焊盤電極中的每一個與外部驅(qū)動 電路基板(未示出)之間進行連接，執(zhí)行帶式自動焊接(TAB)工序。 在此情況下，柵輔助焊盤電極和數(shù)據(jù)輔助焊盤電極中的每一個都通過包 括導電球(未示出)的各向異性導電膜(ACF)接觸載帶封裝(TCP)膜。 柵輔助焊盤電極和數(shù)據(jù)輔助焊盤電極中的每一個的深度越大，ACF中的 導電球的直徑就越大。不幸的是，相鄰柵焊盤接觸孔或相鄰數(shù)據(jù)焊盤接 觸孔中的導電球可能會彼此接觸，從而導致存在電短路問題。當包括柵
17焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA的非顯示區(qū)NA中的鈍化層130具有相對 較小的厚度時，ACF中的導電球具有相對較小的直徑，使得可以防止電 短路問題。此外，通過增大顯示^ DA中的鈍化層130的厚度，可以將 例如在像素電極與第二存儲電極124之間感應的寄生電容降至最小。因 此，在本發(fā)明中，顯示區(qū)DA中的鈍化層130的第一厚度tl大于非顯示 區(qū)NA中的鈍化層130的第二厚度t2 (tl>t2)。
當鈍化層130具有由諸如感光亞克力或BCB的有機絕緣材料形成的 單層結(jié)構(gòu)時，如上所述，由于其光敏性質(zhì)，在有機絕緣材料層上直接執(zhí) 行掩模工序中的曝光工序。然而，鈍化層130可以具有雙層結(jié)構(gòu)或三層 結(jié)構(gòu)，如圖8A到8C以及9A到9C所示。圖8A到8C是分別示出根據(jù) 本發(fā)明的第二實施方式的電泳顯示設備在像素區(qū)、柵焊盤區(qū)以及數(shù)據(jù)焊 盤區(qū)中的鈍化層的制造工序的截面圖，圖9A到9C是分別示出根據(jù)本發(fā) 明的第三實施方式的電泳顯示設備在像素區(qū)、柵焊盤區(qū)以及數(shù)據(jù)焊盤區(qū) 中的鈍化層的制造工序的截面圖。
在圖8A到8C中，當鈍化層130具有雙層結(jié)構(gòu)時，層疊有機絕緣材 料層130a和無機絕緣材料層130b。在圖9A到9C中，當鈍化層130具 有三層結(jié)構(gòu)時，層疊第一無機絕緣材料層130a、有機絕緣材料層130b以 及第二無機絕緣材料層130c。有機絕緣材料層包括感光亞克力和BCB中 的一種，并且無機絕緣材料層包括氧化硅和氮化硅中的一種。
例如，在圖9A到9C中，鈍化層130具有無機絕緣材料的上層。由 于無機絕緣材料不具有光敏性質(zhì)，掩模工序中的曝光和顯影工序不能直 接在無機絕緣材料層上執(zhí)行。在此情況下，在無機絕緣材料層上形成具 有光敏性質(zhì)的PR材料的PR層(未示出)，并且通過折射曝光工序或半 色調(diào)曝光工序?qū)R層進行曝光和顯影，以在顯示區(qū)DA中形成第一 PR 圖案(未示出)并在非顯示區(qū)NA中形成第二PR圖案(未示出)，該第 二PR圖案的厚度小于第一PR圖案。然后，使用第一和第二PR圖案作 為構(gòu)圖掩模，對無機絕緣材料的第二無機絕緣材料層130c、有機絕緣材 料層130b以及無機絕緣材料的第一無機絕緣材料層130a進行構(gòu)圖，以 露出柵焊盤電極107和數(shù)據(jù)悍盤電極126。接著，通過灰化工序去除非顯示區(qū)NA中的第二 PR圖案，使得露出第二無機絕緣材料層130C的位于
第二 PR圖案下面的部分。對第二無機絕緣材料層130c的露出部分進行 蝕刻，便得非顯示區(qū)NA中的鈍化層130具有由第一無機絕緣材料層130a 和有機絕緣材料層130b形成的雙層結(jié)構(gòu)。即，完全去除非顯示區(qū)NA中 的第二無機絕緣材料層130c，并且有機絕緣材料層130b具有減小的厚度。
具有上述雙層結(jié)構(gòu)或上述三層結(jié)構(gòu)的鈍化層130旨在改善將要形成 在鈍化層130上的像素電極與鈍化層130之間的粘合強度，并改善TFTTr 的性質(zhì)。由于有機絕緣材料與導電材料之間的粘合強度比有機絕緣材料 與無機絕緣材料之間以及無機絕緣材料與導電材料之間的粘合強度都要 小，所以通過位于有機絕緣材料層與導電材料層之間的無機絕緣材料層， 改善了導電材料的像素電極與鈍化層130之間的粘合強度。此外，當有 源層115a (其一部分在源極120與漏極122之間被露出)接觸有機絕緣 材料層時，界面性質(zhì)很差，使得TFTTr的性質(zhì)會劣化。因此，為了防止 TFTTr的性質(zhì)劣化，可以在鈍化層130的底層設置與有源層115a具有極 好的界面性質(zhì)的無機絕緣材料層。
在圖4E、 5E以及6E中，在鈍化層130上沉積例如氧化銦錫(ITO) 或氧化銦鋅azo)的透明導電材料，以形成透明導電材料層(未示出)。 在沉積透明導電材料之前，可以在鈍化層130上沉積諸如Mo的不透明 金屬材料作為第三金屬材料。在此情況下，在鈍化層130上形成雙層結(jié) 構(gòu)導電材料層。當在選通線形成步驟和數(shù)據(jù)線形成步驟期間未形成用于 對濾色器層進行對準的對準標記時，通過對第三金屬材料層進行構(gòu)圖來 形成對準標記。如果未形成不透明金屬材料的第三金屬材料層并且對準 標記由透明導電材料形成時，難以使用透明導電材料的對準標記以對濾 色器層進行對準。
另一方面，像素電極可以包括不透明金屬材料的單層結(jié)構(gòu)。在此情 況下，在與像素電極相同的層上并由與其相同的材料形成對準標記。由 于將對準標記定位在鈍化層上，在利用對準標記對濾色器層進行對準的
方面具有優(yōu)勢。
接著，對雙層或三層結(jié)構(gòu)的導電材料層進行構(gòu)圖，以形成各像素區(qū)P中的像素電極140、柵焊盤區(qū)GPA中的柵輔助焊盤電極142以及數(shù)據(jù) 焊盤區(qū)DPA中的數(shù)據(jù)輔助焊盤電極144。像素電極140、柵輔助焊盤電 極142以及數(shù)據(jù)輔助焊盤電極144分別通過漏接觸孔132、柵焊盤接觸孔 134以及數(shù)據(jù)焊盤接觸孔136接觸漏極122、柵焊盤電極107以及數(shù)據(jù)焊 盤電極126。
當在選通線形成步驟和數(shù)據(jù)線形成步驟期間未形成用于對濾色器層 進行對準的對準標記時，通過在像素電極構(gòu)圖工序期間對不透明材料的 第三金屬材料進行構(gòu)圖，在對準標記區(qū)CA中在鈍化層130上形成對準 標記。
圖10A到IOC是分別示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于形成電泳顯 示設備的濾色器層的對準標記的位置的截面圖。圖IOA示出了在選通線 形成步驟期間形成的對準標記的位置，圖10B示出了在數(shù)據(jù)線形成步驟 期間形成的對準標記的位置，圖10C示出了在像素電極形成步驟期間形 成的對準標記的位置。
在圖IOA中，當在選通線形成步驟期間形成對準標記191時，將對 準標記191定位在基板101上并由柵絕緣層110覆蓋。在圖10B中，當 在數(shù)據(jù)線形成步驟期間形成對準標記191時，將對準標記191定位在柵 絕緣層110上并由鈍化層130覆蓋。在圖10C中，當在像素電極形成步 驟期間形成對準標記191時，將對準標記191定位在鈍化層130上。圖 10A到10C示出了單層的對準標記191。然而，當選通線、數(shù)據(jù)線以及 像素電極140具有雙層或三層結(jié)構(gòu)時，對準標記191也具有雙層或三層 結(jié)構(gòu)。
在圖4F、 5F、 6F以及7B中，將電泳膜167粘接在像素電極140上。 電泳腠167對應于顯示區(qū)DA。電泳膜167包括由透明且柔性的材料(如 聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET))形成的基膜150、位于基膜150下面的 公共電極153、位于公共電極153下面的墨層163以及位于墨層163下面 的粘接層165。當將電泳膜167粘接在像素電極140上時，墨層163位于 公共電極153與像素電極140之間，并且粘接層165與像素電極140相 對。公共電極153由透明導電材料形成。墨層163包括多個囊160，各個囊160都在其中具有多個染白顆粒156和多個染黑顆粒158?？梢酝ㄟ^縮 聚反應對染白顆粒156和染黑顆粒158分別充以負電荷和正電荷。
電泳膜167可以具有與上述結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)。例如，墨層163可以 僅有染白顆粒156和染黑顆粒158中的一種。盡管未示出，當墨層1,63 僅有染白顆粒156和染黑顆粒158中的一種時，可以在鈍化層130上在 與像素電極相同的層上形成公共電極?！熠啵c圖4F所示的結(jié)構(gòu)不同，不 將公共電極153形成在墨層163的整個表面上。在此情況下，像素電極 具有多個條形，并且公共電極也具有多個條形。將公共電極的條與像素 電極的條交替設置。在選通線形成步驟期間形成平行于選通線的公共線， 在鈍化層130和柵絕緣層110中形成露出公共線的一部分的公共接觸孔。 公共電極通過公共接觸孔接觸公共線。
電泳膜167具有約300微米到500微米的整體厚度。當形成有對準 標記191的層與電泳膜167的頂層之間的臺階差超過500微米時，使用 用于對將要形成在電泳膜167上的濾色器層進行對準的對準標記191有 些困難。
在圖4G、 5G、 6G以及7C中，通過涂敷紅色光阻(color resist), 在顯示區(qū)DA中在電泳膜167的基膜150上形成紅濾色器層(未示出)。 例如，通過旋涂法涂敷紅色光阻。在對紅濾色器層與對準標記191進行 精確對準之后，通過具有透射光的透射區(qū)和阻擋光的阻擋區(qū)的掩模工序， 對紅濾色器層進行曝光和顯影，以形成紅(R)子濾色器170a。紅(R) 子濾色器170a對應于一些像素區(qū)P。由于紅色光阻是負型的，紅濾色器 層中被光照射過的部分保留在基膜150上，而紅濾色器層的未照射光的 部分被去除。
接著，通過與紅(R)子濾色器170a形成工序相同的工序，在基膜 150上形成綠(G)子濾色器170b和藍(B)子濾色器170c。紅(R)子 濾色器170a、'綠(G)子濾色器170b以及藍(B)子濾色器170c順序地 重復。紅(R)子濾色器170a、綠(G)子濾色器170b以及藍(B)子濾 色器170c均設置在各像素區(qū)P中。
濾色器層170可以包括紅(R)子濾色器170a、綠(G)子濾色器
21170b和藍(B)子濾色器170C以及白(W)子濾色器。通過對無色光阻 進行涂敷和構(gòu)圖，形成白，(W)子濾色器。在此情況下，在矩陣形的四
個像素區(qū)中設置紅(R)、綠(G)、藍(B)以及白(W)子濾色器。還 可以通過噴墨裝置來形成子濾色器。利用噴墨裝置，可以在沒有用于形 成各子濾色器的構(gòu)圖工序的情況下將子濾色器形成在各像素區(qū)P中。
在形成濾色器層170之前，可以在各像素區(qū)P的邊界區(qū)處形成黑底 (未示出)。黑底可以對應于選通線和數(shù)據(jù)線。在基膜150上涂敷黑樹脂 層，或者在基膜150上沉積基于黑色的金屬材料層?；诤谏慕饘俨?料層可以由鉻(Cr)形成。對黑樹脂層或基于黑色的金屬材料層進行構(gòu) 圖，以形成黑底。
在圖4H、 5H以及6H中，在濾色器層170的上面設置具有透明且柔 性性質(zhì)的塑料材料的鈍化片180。在顯示區(qū)DA的外圍處沿非顯示區(qū)NA 形成密封圖案(未示出)。將鈍化片180粘接到基板101上，使得鈍化片 180覆蓋顯示區(qū)DA。鈍化片180露出柵輔助焊盤電極142和數(shù)據(jù)輔助焊 盤電極144。
接著，盡管未示出，沿切割線切割基板101，以去除形成有對準標 記191的部分CA。該部分是非顯示區(qū)NA的外區(qū)。將ACF (未示出)粘 接到柵輔助焊盤電極142和數(shù)據(jù)輔助焊盤電極144上，并且該ACF與電 連接到外部驅(qū)動電路基板(未示出)的TCP (未示出)相粘接。通過上 述經(jīng)調(diào)整的工序，獲得了根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示設備。
圖IIA到IIC是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電泳顯示設
備的制造工序的截面圖。
在圖11A中，在基板101上形成TFTTr、用于對濾色器層進行對準 的對準標記191、鈍化層130 (其在顯示區(qū)DA和非顯示區(qū)NA處的厚度 不同)、各像素區(qū)P中的像素電極140。由于已經(jīng)說明了各元件的詳細制 造步驟，因此略去其說明。在圖IIA中，在形成選通線(未示出)和TFT Tr的柵極(未示出)的步驟中形成對準標記191。
在圖11B中，將包括粘接層165、墨層163、公共電極153以及基膜 150的電泳膜167粘接在形成有像素電極140的基板101上。電泳膜167對應于顯示區(qū)DA。在圖11B中，墨層163包括多個囊160，并且各個囊 160都在其中具有多個染白顆粒156和多個染黑顆粒158?？梢酝ㄟ^縮聚 反應對染白顆粒156和染黑顆粒158分別充以負電荷和正電荷。然而， 墨層163 '可以僅有染白顆粒156和染黑顆粒]58中的一種。在此情況下， 省去電泳膜167中的公共電極153，而在基板101上形成公共電極?？梢?在鈍化層'130上在與像素電極相同的層上形成公共電極。像素電極具有 多個條形，并且公共電極也具有多個條形。將公共電極的條與像素電極 的條交替設置。
在圖11C中，利用對準標記191在電泳膜167上形成包括順序地重 復的紅(R)、綠(G)以及藍(B)子濾色器的濾色器層170。濾色器層 170可以包括紅(R)、綠(G)和藍(B)子濾色器以及白(W)子濾色 器。在矩陣形的四個像素區(qū)中設置紅(R)、綠(G)、藍(B)以及白(W) 子濾色器。
接著，在濾色器層170上形成鈍化片180，然后通過沿切割線進行 切割，去除基板101的形成有對準標記191的部分。將ACF (未示出) 粘接到柵輔助焊盤電極142和數(shù)據(jù)輔助焊盤電極144上，并且將該ACF 與電連接到外部驅(qū)動電路基板(未示出)的TCP (未示出)相粘接。通 過上述經(jīng)調(diào)整的工序，獲得了根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示設備100。
在電泳顯示設備的上述制造工序中，不需要在相關技術的電泳顯示 設備的制造工序中必需的載體基板。此外，不需要用于粘接載體基板的 粘接層。因此，降低了生產(chǎn)成本。
此外，由于將濾色器層直接形成在電泳膜上，所以不需要用于濾色 器層的基板。在此情況下，由于根據(jù)本發(fā)明的電泳顯示設備(其中濾色 器層直接位于電泳膜上)的未對準范圍(約2微米)小于相關技術的電 泳顯示設備(其中濾色器層形成在另一基板)的未對準范圍(約5微米)， 因此在對準性質(zhì)方面具有優(yōu)勢。
再者，由于不需要針對不必要的元件的分離工序，可以避免例如刮 擦的問題。
此外，由于鈍化層在顯示區(qū)和非顯示區(qū)處存在厚度差，可以避免電短路問題并且可以使寄生電容降至最小。
圖12A到12C是分別用于說明根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電泳顯示設 備在像素區(qū)、柵焊盤區(qū)以及數(shù)據(jù)焊盤區(qū)中的鈍化層的制造工序的截面圖。
由于只有覆蓋TFT的鈍化層存在差別，所以將說明集中在該鈍化層的制
造工序上。
參照圖12A到12C，鈍化層130具有雙層結(jié)構(gòu)。盡管圖8A到8C示 出了具有雙層結(jié)構(gòu)的鈍化層130，但是在層疊順序方面存在差別。在圖 8A到8C中，像素區(qū)P (圖8A的)中的鈍化層130 (圖8A的)具有有 機絕緣材料的第一層130a (圖8A的)和層疊在第一層130a (圖8A的) 上的無機絕緣材料的第二層130b(圖8A的)，而像素區(qū)P、柵焊盤區(qū)GPA 以及數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA中的鈍化層130具有無機絕緣材料的第一層130d 和層疊在第一層130d上的有機絕緣材料的第二層130e。例如，第一層 130d可以由氧化硅(Si02)或氮化硅(SiNx)形成，并且第二層130e可 以由苯并環(huán)丁烯(BCB)或感光亞克力形成。
在圖8A到8C中的電泳顯示設備中，去除柵焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊 盤區(qū)DPA中的鈍化層130的由無機絕緣材料形成的第二層130b，使得柵 焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA中的鈍化層130具有有機絕緣材料的第一 層130a的單層結(jié)構(gòu)。因此，柵焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA中的鈍化 層130的厚度小于其在像素區(qū)P中的厚度。然而，在圖12A到12C中的 電泳顯示設備中，鈍化層130不僅在像素區(qū)P中而且在柵焊盤區(qū)GPA和 數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA中具有雙層結(jié)構(gòu)。在此情況下，柵焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊 盤區(qū)DPA中的鈍化層130的由有機絕緣材料形成的第二層130e的厚度小 于其在像素區(qū)P中的厚度。另一方面，可以將柵焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊盤 區(qū)DPA中的鈍化層130的第二層130e完全去除，使得柵焊盤區(qū)GPA和 數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA中的鈍化層130具有無機絕緣材料的單層結(jié)構(gòu)。
當鈍化層130具有作為無機絕緣材料的下層的第一層130d和作為有 機絕緣材料的上層130e的第二層130e的雙層結(jié)構(gòu)時，不存在用于對鈍 化層130進行構(gòu)圖的PR層。在沒有PR層的情況下，通過對第二層130e 進行曦光和顯影，直接對鈍化層130進行構(gòu)圖。這是因為有機絕緣材料
24的第二層130e是光敏性的。
艮口，使用掃描型曝光單元(未示出)，對具有第一層130d和第二層 130e的雙層結(jié)構(gòu)的鈍化層130執(zhí)行折射曝光工序和半色調(diào)曝光工序，或 者使用步進型曝光單元(未示出)，對具有第一層130d和第二層130e的 雙層結(jié)構(gòu)的鈍化層130執(zhí)行包括空白照射的雙步曝光工序。然后，對鈍 化層130的第二層130e進行顯影，使得包括像素區(qū)P的顯示區(qū)中的鈍化 層130的第二層BOe具有第一厚度tl，并且包括柵焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊 盤區(qū)DPA的非顯示區(qū)中的鈍化層130的第二層130e具有小于第一厚度tl 的第二厚度t2。此外，通過去除第二層130e，露出第一層130d中覆蓋像 素區(qū)P中的漏極122、柵焊盤區(qū)GPA中的柵焊盤電極107以及數(shù)據(jù)焊盤 區(qū)DPA中的數(shù)據(jù)焊盤電極126中的每一個的部分。然后，對第一層130d 中露出的部分進行蝕刻，使得形成貫穿第一層130d分別露出漏極122、 柵焊盤電極107以及數(shù)據(jù)焊盤電極126的漏接觸孔132、柵焊盤接觸孔 134以及數(shù)據(jù)焊盤接觸孔136。在此情況下，鈍化層130不僅在像素區(qū)P 中而且在柵焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA中都具有第一層130d和第二 層130e的雙層結(jié)構(gòu)。
另一方面，當非顯示區(qū)中的鈍化層130具有單層結(jié)構(gòu)時，在折射曝 光工序或半色調(diào)曝光工序之后，需要對具有不同厚度的第二層130e進行 單道干刻工序。
艮口，對在像素區(qū)P中具有第一厚度tl并且在柵焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù) 焊盤區(qū)DPA中具有第二厚度t2的第二層130e進行干刻，使得完全去除 柵焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA中的第二層130e，并且像素區(qū)P中的 第二層130e具有減小的厚度。結(jié)果，像素區(qū)P中的鈍化層130.具有雙層 結(jié)構(gòu)，而柵焊盤區(qū)GPA和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)DPA中的鈍化層130具有單層結(jié)構(gòu)。
由于后面的工序與參照圖8A到8C進行說明的工序基本相同，因此 省去對后面工序的說明。
對于本領域技術人員而言很明顯，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的 條件下，可以在本發(fā)明中做出各種修改和變型。因而，本發(fā)明在落入所 附權利要求及其等同物的范圍內(nèi)的條件下旨在涵蓋本發(fā)明的修改和變型。
2權利要求
1、一種制造電泳顯示設備的方法，該方法包括以下步驟在具有顯示區(qū)、非顯示區(qū)和切割部分的基板上形成柵極、選通線、數(shù)據(jù)線以及具有半導體層、源極和漏極的薄膜晶體管，在所述顯示區(qū)中限定有多個像素區(qū)，所述非顯示區(qū)位于所述顯示區(qū)的外圍，所述切割部分位于所述非顯示區(qū)的外區(qū)，所述選通線與所述數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定所述像素區(qū)，所述薄膜晶體管連接到所述選通線和所述數(shù)據(jù)線；在所述基板的包括所述柵極和所述選通線的整個表面上形成柵絕緣層；在所述薄膜晶體管的上面形成鈍化層；在所述鈍化層上在各個像素區(qū)中形成像素電極，該像素電極連接到所述薄膜晶體管的所述漏極；在所述切割部分中形成對準標記；將包括粘接層、具有帶電顆粒的墨層、公共電極以及基膜的電泳膜粘接在所述像素電極上，所述墨層設置在所述粘接層與所述基膜之間，所述粘接層位于所述像素電極上，所述帶電顆粒包括白色的被充以負電荷的子顆粒和黑色的被充以正電荷的子顆粒；使用所述對準標記在所述基膜上形成濾色器層，所述濾色器層對應于所述顯示區(qū)，所述對準標記是用于對所述濾色器層與所述像素區(qū)進行對準的；以及在所述濾色器層上并且與所述顯示區(qū)相對應地形成鈍化片，其中所述形成所述對準標記的步驟與以下步驟之一同時執(zhí)行的所述形成所述選通線的步驟、所述形成所述數(shù)據(jù)線的步驟以及所述形成所述像素電極的步驟。
2、 根據(jù)權利要求1所述的方法，該方法還包括在所述形成所述鈍化 片的步驟之后去除所述切割部分。
3、 根據(jù)權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟 在所述非顯示區(qū)中在所述基板上形成柵焊盤電極；以及在所述非顯示區(qū)中在所述柵絕緣層上形成數(shù)據(jù)焊盤電極， 其中所述柵焊盤電極和所述數(shù)據(jù)焊盤電極分別連接到所述選通線的 端部和所述數(shù)據(jù)線的端部。
4、 根據(jù)權利要求3所述的方法，其中所述鈍化層包括露出所述漏極 的漏接觸孔、露出所述柵焊盤電極的柵焊盤接觸孔以及露出所述數(shù)據(jù)焊 盤電極的數(shù)據(jù)焊盤接觸孔。
5、 根據(jù)權利要求4所述的方法，其中所述鈍化層包括具有有機絕緣 材料層和無機絕緣材料層的雙層結(jié)構(gòu)，所述顯示區(qū)中的所述有機絕緣材 料層比所述非顯示區(qū)中的所述有機絕緣材料層更厚。
6、 根據(jù)權利要求5所述的方法，其中所述形成所述像素電極的步驟包括以下步驟形成通過所述柵焊盤接觸孔接觸所述柵焊盤電極的柵輔 助焊盤電極和通過所述數(shù)據(jù)焊盤接觸孔接觸所述數(shù)據(jù)悍盤電極的數(shù)據(jù)輔 助焊盤電極。
7、 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述對準標記包括位于三個側(cè)邊的第--、第二以及第三子對準標記。
8、 根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述對準標記的位置是以下位置中的一種直接位于所述基板上、直接位于所述柵絕緣層上以及直接位于所述鈍化層上。
9、 一種電泳顯示設備，該電泳顯示設備包括位于基板上的選通線，所述基板具有限定有多個像素區(qū)的顯示區(qū)和 位于所述顯示區(qū)的外圍的非顯示區(qū)；位于所述基板上的所述非顯示區(qū)中的柵焊盤電極，該柵焊盤電極連接到所述選通線的端部；位于所述基板的包括所述選通線的整個表面上的柵絕緣層； 位于所述選通線上并與所述選通線交叉以限定所述像素區(qū)的數(shù)據(jù)線；薄膜晶體管，其包括連接到所述選通線的柵極、位于所述柵絕緣層 上且對應于所述柵極的半導體層、連接到所述數(shù)據(jù)線且設置在所述半導 體層上的源極、以及與所述源極隔開且設置在所述半導體層上的漏極；位于所述柵絕緣層上的所述非顯示區(qū)中且連接到所述數(shù)據(jù)線的端部 的數(shù)據(jù)焊盤電極；位于所述薄膜晶體管上面且包括漏接觸孔、柵焊盤接觸孔以及數(shù)據(jù) 焊盤接觸孔的鈍化層，所述鈍化層在所述顯示區(qū)中具有第一厚度并且在 所述非顯示區(qū)中具有小于所述第一厚度的第二厚度，所述漏接觸孔、柵 焊盤接觸孔以及數(shù)據(jù)焊盤接觸孔分別露出所述漏極、所述柵焊盤電極以 及所述數(shù)據(jù)焊盤電極，所述鈍化層包括具有有機絕緣材料層和無機絕緣 材料層的雙層結(jié)構(gòu)，并且所述顯示區(qū)中的所述有機絕緣材料層比所述非顯示區(qū)中的所述有機絕緣材料層更厚；位于各個像素區(qū)中的鈍化層上的像素電極，該像素電極通過所述漏接觸孔接觸所述漏極；位于所述像素電極上且對應于所述顯示區(qū)的電泳膜；位于所述電泳膜上的濾色器層；以及位于所述濾色器層上的鈍化片。 .
10、根據(jù)權利要求9所述的電泳顯示設備，其中所述電泳膜包括位 于所述像素電極上的粘接層、位于所述粘接層上的具有帶電顆粒的墨層、 位于所述墨層上的公共電極、以及位于所述公共電極上的基膜。
11、 根據(jù)權利要求10所述的電泳顯示設備，其中所述帶電顆粒包括位于多個囊中的每一個囊中的白色的被充以負電荷的子顆粒和黑色的被 充以正電荷的子顆粒。
12、 根據(jù)權利要求9所述的電泳顯示設備，該電泳顯示設備還包括 位于所述顯示區(qū)中且位于所述基板上的第一存儲電極；以及 位于所述顯示區(qū)中且位于所述柵絕緣層上的第二存儲電極。
13、根據(jù)權利要求9所述的電泳顯示設備，該電泳顯示設備還包括位于所述鈍化層上的所述非顯示區(qū)中的柵輔助焊盤電極，所述柵輔 助焊盤電極通過所述柵焊盤接觸孔接觸所述柵焊盤電極；位于所述鈍化層上的所述非顯示區(qū)中的數(shù)據(jù)輔助焊盤電極，所述數(shù) 據(jù)輔助焊盤電極通過所述數(shù)據(jù)悍盤接觸孔接觸所述數(shù)據(jù)焊盤電極；以及將外部驅(qū)動電路連接到所述柵輔助焊盤電極和所述數(shù)據(jù)輔助焊盤電極中的至少一個的導電球。
14、 一種電泳顯示設備，該電泳顯示設備包括位于基板上的選通線，所述基板具有限定有多個像素區(qū)的顯示區(qū)和 位于所述顯示區(qū)的外圍的非顯示區(qū)；位于所述基板上的所述非顯示區(qū)中的柵焊盤電極，該柵焊盤電極連 接到所述選通線的端部；位于所述基板的包括所述選通線的整個表面上的柵絕緣層；位于所述選通線上并與所述選通線交叉以限定所述像素區(qū)的數(shù)據(jù)線；薄膜晶體管，其包括連接到所述選通線的柵極、位于所述柵絕緣層 上且對應于所述柵極的半導體層、連接到所述數(shù)據(jù)線且設置在所述半導 體層上的源極、以及與所述源極隔開且設置在所述半導體層上的漏極；位于所述柵絕緣層上的所述非顯示區(qū)中且連接到所述數(shù)據(jù)線的端部 的數(shù)據(jù)焊盤電極；位于所述薄膜晶體管上面且包括漏接觸孔、柵焊盤接觸孔以及數(shù)據(jù) 焊盤接觸孔的鈍化層，所述鈍化層在所述顯示區(qū)中具有第一厚度并且在 所述非顯示區(qū)中具有小于所述第一厚度的第二厚度，所述漏接觸孔、所 述柵焊盤接觸孔以及所述數(shù)據(jù)焊盤接觸孔分別露出所述漏極、所述柵焊 盤電極以及所述數(shù)據(jù)焊盤電極，所述鈍化層在所述顯示區(qū)中包括具有第 一無機絕緣材料層、有機絕緣材料層以及第二無機絕緣材料層的三層結(jié) 構(gòu)；位于各個像素區(qū)中的鈍化層上的像素電極，該像素電極通過所述漏 接觸孔接觸所述漏極；位于所述像素電極上且對應于所述顯示區(qū)的電泳膜； 位于所述電泳膜上的濾色器層；以及 位于所述濾色器層上的鈍化片。
15、根據(jù)權利要求14所述的電泳顯示設備，其中所述電泳膜包括位 于所述像素電極上的粘接層、位于所述粘接層上的具有帶電顆粒的墨層、 位于所述墨層上的公共電極、以及位于所述公共電極上的基膜。
16、 根據(jù)權利要求15所述的電泳顯示設備，其中所述帶電顆粒包括 位于多個囊中的每一個囊中的白色的被充以負電荷的子顆粒和黑色的被 充以正,電荷的子顆粒。
17、 根據(jù)權利要求14所述的電泳顯示設備，該電泳顯示設備還包括位于所述顯示區(qū)中且位于所述基板上的第一存儲電極；以及 位于所述顯示區(qū)中且位于所述柵絕緣層上的第二存儲電極。.
18、 ,根據(jù)權利要求14所述的電泳顯示設備，該電泳顯示設備還包括位于所述鈍化層上的所述非顯示區(qū)中的柵輔助焊盤電極，所述柵輔 助焊盤電極通過所述柵焊盤接觸孔接觸所述柵焊盤電極；位于所述鈍化層上的所述非顯示區(qū)中的數(shù)據(jù)輔助焊盤電極，所述數(shù)據(jù)輔助焊盤電極通過所述數(shù)據(jù)焊盤接觸孔接觸所述數(shù)據(jù)焊盤電極；以及 將外部驅(qū)動電路連接到所述柵輔助焊盤電極和所述數(shù)據(jù)輔助焊盤電 極中的至少一個的導電球。
19、 根據(jù)權利要求14所述的電泳顯示設備，其中所述鈍化層在所述非顯示區(qū)中包括具有所述第一無機絕緣材料層和所述有機絕緣材料層的 雙層結(jié)構(gòu)。
全文摘要
電泳顯示設備及其制造方法。本發(fā)明提供了一種制造電泳顯示設備的方法，該方法包括以下步驟在具有顯示區(qū)、非顯示區(qū)和切割部分的基板上形成柵極、選通線、數(shù)據(jù)線以及具有半導體層、源極和漏極的薄膜晶體管；在所述基板的整個表面上形成柵絕緣層；在所述薄膜晶體管的上面形成鈍化層；在所述鈍化層上在各個像素區(qū)中形成像素電極；在所述切割部分中形成對準標記；將電泳膜粘接在所述像素電極上；使用所述對準標記，在所述基膜上形成濾色器層；以及在所述濾色器層上并且與所述顯示區(qū)相對應地形成鈍化片，其中所述形成所述對準標記的步驟與所述形成所述選通線的步驟、所述形成所述數(shù)據(jù)線的步驟以及所述形成所述像素電極的步驟中的一個同時執(zhí)行。
文檔編號H01L21/84GK101685233SQ200810177129
公開日2010年3月31日 申請日期2008年12月5日 優(yōu)先權日2008年9月23日
發(fā)明者權五楠, 李鍾權 申請人:樂金顯示有限公司