專利名稱：薄膜晶體管基板、顯示面板、顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種薄膜晶體管基板、顯示面板、顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
請(qǐng)同時(shí)參考圖1A及圖1B，其中圖1A為公知的薄膜晶體管基板1的俯視圖，圖IB 為圖1A中沿A-A線的剖面示意圖。薄膜晶體管基板1具有一像素電極11、一儲(chǔ)存電極12、 一介電層13及一基板14。儲(chǔ)存電極12設(shè)置于基板14上，像素電極11設(shè)置于儲(chǔ)存電極12 之上，而介電層13設(shè)置于像素電極11及儲(chǔ)存電極12之間，使得像素電極11及儲(chǔ)存電極12 之間形成一儲(chǔ)存電容。 由于儲(chǔ)存電容的電容值會(huì)影響畫面品質(zhì)好壞，例如當(dāng)電容值太小時(shí)畫面容易產(chǎn)生 閃爍(flicker)及串音(cross-talk)等現(xiàn)象，因此，如何維持足夠的電容值是為必要的考 量設(shè)計(jì)。常見的做法是利用不透光的金屬作為儲(chǔ)存電極，以提高儲(chǔ)存電容值，然而不透光的 金屬將會(huì)導(dǎo)致像素的開口率下降，進(jìn)而對(duì)影像的顯示效果與品質(zhì)造成影響。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種能提高電容值及開口率的薄膜晶體管 基板、顯示面板、顯示裝置及其制造方法。 為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種薄膜晶體管基板包含多個(gè)行數(shù)據(jù)線以及多個(gè)列 掃描線。所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線定義出多個(gè)像素區(qū)域，其中每一像素區(qū)域包含至少一像 素電極、至少一儲(chǔ)存電極以及一介電層。儲(chǔ)存電極與像素電極相對(duì)而設(shè)，且儲(chǔ)存電極具有一 透光部及一非透光部。介電層設(shè)置于儲(chǔ)存電極與像素電極之間。 為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示面板包含一對(duì)向基板及一薄膜晶體管基 板。薄膜晶體管基板與對(duì)向基板相對(duì)而設(shè)，且薄膜晶體管基板具有多個(gè)行數(shù)據(jù)線及多個(gè)列 掃描線，所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線定義出多個(gè)像素區(qū)域，其中每一像素區(qū)域內(nèi)包含至少一 像素電極、至少一儲(chǔ)存電極及一介電層。儲(chǔ)存電極與像素電極相對(duì)而設(shè)，且儲(chǔ)存電極具有一 透光部及一非透光部。介電層設(shè)置于儲(chǔ)存電極與像素電極之間。 為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示裝置包含一背光模組及一顯示面板。顯示 面板是鄰設(shè)于背光模組，其中顯示面板包含一對(duì)向基板及一薄膜晶體管基板。薄膜晶體管 基板與對(duì)向基板相對(duì)而設(shè)，且薄膜晶體管基板包含至少一像素電極、至少一儲(chǔ)存電極及一 介電層。儲(chǔ)存電極與像素電極相對(duì)而設(shè)，且儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部。介電層 設(shè)置于儲(chǔ)存電極與像素電極之間。 為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種薄膜晶體管基板的制造方法包含以下步驟于 一基板上形成一儲(chǔ)存電極，其中儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素電 極于儲(chǔ)存電極之上。 為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示面板的制造方法包含以下步驟于一基板 上形成一儲(chǔ)存電極，其中儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素電極于儲(chǔ)存電極之上。 為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示裝置的制造方法包含以下步驟于一基板 上形成一儲(chǔ)存電極，其中儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素電極于儲(chǔ) 存電極之上。 承上所述，依據(jù)本發(fā)明的一種薄膜晶體管基板、顯示面板、顯示裝置及其制造方 法，是將儲(chǔ)存電極與像素電極相對(duì)而設(shè)，使得儲(chǔ)存電極的透光部及非透光部分別與像素電 極形成一儲(chǔ)存電容。本發(fā)明利用透光部以提高儲(chǔ)存電容值，相對(duì)地非透光部的面積可縮小， 進(jìn)而可提高像素的開口率。


圖1A為一種公知薄膜晶體管基板的示意圖； 圖1B為圖1A的A-A線的剖面圖2為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板的示意圖3A為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板的一像素區(qū)域的示意圖3B為圖3A的B-B線的剖面圖4A及圖4B為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板的像素區(qū)域的變化
態(tài)樣示意圖5為依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板的制造方法的流程圖6A至圖6C為圖5的薄膜晶體管基板的制造示意圖7為圖5的形成儲(chǔ)存電極的制造方法的流程圖8A至圖8E為圖7的薄膜晶體管基板的制造流程示意圖9為圖5的形成儲(chǔ)存電極的另一種制造方法的流程圖；以及
圖10A至圖10F為圖9的薄膜晶體管基板的制造流程示意圖。
主要元件符號(hào)說明
1、2:薄膜晶體管基板 12、22 :儲(chǔ)存電極 14、23 :基板 242 :第二絕緣層
221 :透光部
Dl^ DL邁:數(shù)據(jù)線 Sl^ SLn :掃描線
11、21 :像素電極
13、24 :介電層
241 :第一絕緣層
14、23 :基板 222 :非透光部 D丄、D2、D3、D4
:透光導(dǎo)電層 L3:圖案化光致抗蝕劑層 Ls:第二圖案化光致抗蝕劑層 TF1\ :薄膜晶體管
!^:非透光導(dǎo)電層 L4:第一圖案化光致抗蝕劑層 M:半色調(diào)網(wǎng)點(diǎn)光掩模 Sll S13 :薄膜晶體管基板的制造方法的步驟
Slll S114、S121 S126 :儲(chǔ)存電極的制造方法的步驟
Vd:數(shù)據(jù)電壓
具體實(shí)施例方式
以下將參照相關(guān)圖式，說明依本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管基板、顯示面板、顯 示裝置及其制造方法，其中相同的元件將以相同的參照符號(hào)加以說明。 圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種薄膜晶體管基板2的示意圖。薄膜晶體管基板2 包含多個(gè)行數(shù)據(jù)線Dl^ DLm及多個(gè)列掃描線Sl^ SLn，所述數(shù)據(jù)線Dl^ DLm與所述掃描 線Sl^ SLn定義出多個(gè)像素區(qū)域，其中每一像素區(qū)域包含至少一像素電極21及至少一儲(chǔ) 存電極22。 請(qǐng)參照?qǐng)D3A所示，為簡(jiǎn)化說明，于此是以數(shù)據(jù)線Dl^及掃描線Sl^及其所構(gòu)成的像 素區(qū)域?yàn)槔f明。數(shù)據(jù)線Dl^及掃描線Sl^鄰設(shè)于像素電極21，且數(shù)據(jù)線Dl^是提供一數(shù)據(jù) 電壓Vd予一薄膜晶體管TFTp并與像素電極21電性連接。像素電極21與掃描線S1^的距 離D工及像素電極21與數(shù)據(jù)線Dl^的距離D2分別約大于或等于3. 5微米，以避免耦合電容 效應(yīng)過大而導(dǎo)致串音(cross talk)問題產(chǎn)生。 請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D3B所示，其是為圖3A的薄膜晶體管基板2中沿B-B線的剖面圖，薄膜晶 體管基板2包含一像素電極21及一儲(chǔ)存電極22。儲(chǔ)存電極22與像素電極21相對(duì)而設(shè)，儲(chǔ) 存電極22具有一透光部221及一非透光部222。本實(shí)施例中，儲(chǔ)存電極22設(shè)置于一基板23 之上，而像素電極21設(shè)置于儲(chǔ)存電極22之上，儲(chǔ)存電極22與像素電極21形成一儲(chǔ)存電容。
儲(chǔ)存電極22的非透光部222設(shè)置于透光部221之上，并相互接觸，當(dāng)然，透光部 221亦可設(shè)置于非透光部222之上，在此并不加以限制。其中透光部221的材質(zhì)包含銦錫氧 化物(IT0)、銦鋅氧化物(IZ0)、鋁鋅氧化物(AZ0)、鎵鋅氧化物(GZO)或氧化鋅(ZnO)，而非 透光部222的材質(zhì)包含銅、鋁、鉬、銀、鉻、鈦、鴇或其組合。 薄膜晶體管基板2更包含一介電層24，其是設(shè)置于儲(chǔ)存電極22與像素電極21之 間，介電層24至少包含一第一絕緣層241及一第二絕緣層242。于本實(shí)施例中，介電層24 是以包含第一絕緣層241及第二絕緣層242為例，其中第一絕緣層241的材質(zhì)包含氧化硅、 氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化釩、氧化釕或氧化銥，而第二絕緣層242的材質(zhì)包 含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化鋁或氧化鉭。 請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D3A，需特別說明的是，透光部221的面積是可小于或等于像素電極21 的面積，且透光部221的長度與寬度均小于或等于像素電極21的長度與寬度。本實(shí)施例中， 當(dāng)透光部221及像素電極21投影至同一平面，透光部221與部分像素電極21重迭。由于 儲(chǔ)存電容值與儲(chǔ)存電極的面積成正比且儲(chǔ)存電容值與一液晶電容值在不同的應(yīng)用下需不 同的設(shè)計(jì)比例，因此，通過調(diào)整透光部221與非透光部222的面積大小，將可控制儲(chǔ)存電容 值與液晶電容值的比例。由于本實(shí)施例中，儲(chǔ)存電容值的控制主要由儲(chǔ)存電極22中的透光 部221貢獻(xiàn)，而非透光部222的主要功能為與透光部電性連接以提供儲(chǔ)存電極一共同電壓 訊號(hào)，因此，相較于公知的儲(chǔ)存電極12，非透光部222的面積僅需大于足夠提供共同電壓訊 號(hào)予非透光部的面積即可，同時(shí)亦可維持足夠的儲(chǔ)存電容值大小，進(jìn)而提高像素的開口率。
由于考慮節(jié)能需求為未來的重要趨勢(shì)，開口率的增加在面板設(shè)計(jì)過程的考量將更 加重要。以下請(qǐng)參照?qǐng)D4A及圖4B以說明增加開口率的實(shí)施態(tài)樣。如圖4B所示，與上述實(shí) 施例不同的是，像素電極21以及儲(chǔ)存電極22的透光部221可同時(shí)與數(shù)據(jù)線Dl^部分重合。 而再如圖4A所示，與前述實(shí)施例不同的是，僅有像素電極21與數(shù)據(jù)線Dk部分重合。承上 述，如此一來將能有效的增加開口率。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D4A所示，其中兩相鄰像素區(qū)域中的儲(chǔ)存電極22的透光部221相距一 距離D3，而兩相鄰像素區(qū)域的像素電極21之間相距一距離D4，其中距離D4小于等于距離D3， 且距離D3與距離D4的范圍均大于等于2微米，而在優(yōu)選實(shí)施例中，距離D4為3到3. 5微米。
另外，在本實(shí)施例中，儲(chǔ)存電極22的非透光部221的邊界仍然位于像素電極21的 內(nèi)，也就是儲(chǔ)存電極22的透光部221的長度與寬度均小于等于像素電極21的長度與寬度。
另外，依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種顯示面板，例如是為一液晶顯示面板，其是具 有一對(duì)向基板及一薄膜晶體管基板。薄膜晶體管基板與對(duì)向基板相對(duì)而設(shè)，其中薄膜晶體 管基板包含一像素電極及一儲(chǔ)存電極。儲(chǔ)存電極與像素電極相對(duì)而設(shè)，儲(chǔ)存電極具有一透 光部及一非透光部。由于薄膜晶體管基板的特征已詳述于上，故不再贅述。
再者，依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種顯示裝置，其例如是為一液晶顯示裝置，其是 具有一背光模組及一顯示面板。顯示面板是鄰設(shè)于背光模組，其中顯示面板包含一對(duì)向基 板及一薄膜晶體管基板。薄膜晶體管基板與對(duì)向基板相對(duì)而設(shè)，其中薄膜晶體管基板包含 一像素電極及一儲(chǔ)存電極。儲(chǔ)存電極與像素電極相對(duì)而設(shè)，儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非 透光部。由于薄膜晶體管基板的特征已詳述于上，故不再贅述。 接著，請(qǐng)參考圖5所示，依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的薄膜晶體管基板的制造方法是 包含步驟Sll至步驟S13。請(qǐng)參照?qǐng)D5及圖6A至圖6C以進(jìn)一步說明本實(shí)施例的薄膜晶體 管基板2的制造方法，其中圖6A至圖6E為薄膜晶體管基板的制造流程圖。
如圖6A所示，步驟Sll為于一基板23上形成一儲(chǔ)存電極22，其中儲(chǔ)存電極22具 有一透光部221及一非透光部222。 如圖6B所示，步驟S12為于儲(chǔ)存電極22上形成一介電層24。其中介電層24包含 一第一絕緣層241及一第二絕緣層242。 如圖6C所示，步驟S13為形成一像素電極21于儲(chǔ)存電極22之上。 在此需特別說明的是，步驟Sll中，在形成儲(chǔ)存電極22的同時(shí)亦形成一薄膜晶體
管之一柵極于基板23 (圖未示)，也就是說儲(chǔ)存電極22與薄膜晶體管的柵極位于同一層。
以下請(qǐng)參照?qǐng)D7及圖8A至圖8E，以更詳細(xì)的說明儲(chǔ)存電極的制造流程(即步驟Sll)。如
圖7所示，步驟Sl更包含步驟Slll至步驟S114，圖8A至圖8E為儲(chǔ)存電極的制造方法的制
造流程示意圖。 請(qǐng)同時(shí)參考圖7及圖8A，步驟Slll為于基板23上形成一透光導(dǎo)電層L"
如圖8A所示，步驟S112為于透光導(dǎo)電層1^上形成一非透光導(dǎo)電層L2。其中透光 導(dǎo)電層及非透光導(dǎo)電層L2形成的順序亦可對(duì)調(diào)，在此并不加以限制。
如圖8B所示，步驟S113為于非透光導(dǎo)電層L2上形成一圖案化光致抗蝕劑層L3。 于本實(shí)施例中，是于非透光導(dǎo)電層L2上涂布一光致抗蝕劑層(圖未顯示)，并利用半色調(diào) 網(wǎng)點(diǎn)光掩模M(Halftone mask)技術(shù)對(duì)非透光導(dǎo)電層L2進(jìn)行曝光與顯影工藝，以形成圖案 化光致抗蝕劑層L3。值得一提的是，圖案化光致抗蝕劑層L3亦可利用狹縫型光掩模(Slit mask)技術(shù)對(duì)非透光導(dǎo)電層L2進(jìn)行曝光與顯影工藝而形成。 如圖8C所示，步驟SI 14為蝕刻部分透光導(dǎo)電層及非透光導(dǎo)電層L2以形成透光 部221及非透光部222。于本實(shí)施例中，首先對(duì)圖案化光致抗蝕劑層L3以外的部分，意即透 光導(dǎo)電層及非透光導(dǎo)電層L2周圍未受圖案化光致抗蝕劑層L3覆蓋的部分，進(jìn)行蝕刻工 藝，以蝕刻透光部221及非透光部222周圍的部分，接著蝕刻圖案化光致抗蝕劑層L3及部分非透光部222，以形成透光部221及非透光部222。 圖9顯示儲(chǔ)存電極的另一種制造方法的流程圖。如圖9所示，步驟Sll更包含步
驟S121至步驟S126，圖10A至圖10F為儲(chǔ)存電極的制造方法的制造流程示意圖。 如圖10A所示，步驟S121為于基板23上形成一非透光導(dǎo)電層L" 如圖10A所示，步驟S122為于非透光導(dǎo)電層1^上形成一第一圖案化光致抗蝕劑層
L4。于本實(shí)施例中，于非透光導(dǎo)電層1^部分表面上涂布一光致抗蝕劑層(圖未顯示)，對(duì)光
致抗蝕劑層進(jìn)行曝光與顯影工藝，以形成第一圖案化光致抗蝕劑層L4。 如圖10B所示，步驟S123為蝕刻部分非透光導(dǎo)電層L2以形成非透光部222。于本
實(shí)施例中，對(duì)第一圖案化光致抗蝕劑層L4及非透光導(dǎo)電層L2進(jìn)行蝕刻工藝，以形成非透光
部222。 如圖IOC所示，步驟S124為于基板23及非透光部222上形成一透光導(dǎo)電層L1Q
如圖IOC所示，步驟S125為于透光導(dǎo)電層上形成一第二圖案化光致抗蝕劑層 L5。 如圖10D所示，步驟S126為蝕刻部分透光導(dǎo)電層1^以形成透光部221。于本實(shí)施 例中，對(duì)第二圖案化光致抗蝕劑層L5及透光導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻工藝，以形成透光部221。
以上透光部221及非透光部222形成的順序(即步驟S121至步驟S123及步驟 S124至步驟S126)亦可對(duì)調(diào)，在此并不加以限制。 另外，依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例一種顯示面板的制造方法包含以下步驟于一基板 上形成一儲(chǔ)存電極，其中儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素電極于儲(chǔ) 存電極之上。其中，顯示面板的制造方法更包含以下步驟將一對(duì)向基板與基板相對(duì)而設(shè)； 以及將一液晶層設(shè)置于基板及對(duì)向基板之間。由于薄膜晶體管基板的制造方法已詳述于 上，故不再贅述。 再者，依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的一種顯示裝置的制造方法包含以下步驟于一基 板上形成一儲(chǔ)存電極，其中儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部；以及形成一像素電極于 儲(chǔ)存電極之上。其中，顯示裝置的制造方法更包含以下步驟將一對(duì)向基板與基板相對(duì)而 設(shè)；將一液晶層設(shè)置于基板及對(duì)向基板之間；以及將一背光模組鄰設(shè)于基板。由于薄膜晶 體管基板的制造方法已詳述于上，故不再贅述。 綜上所述，依據(jù)本發(fā)明的一種薄膜晶體管基板、顯示面板、顯示裝置及其制造方
法，是將儲(chǔ)存電極與像素電極相對(duì)而設(shè)，其中儲(chǔ)存電極的透光部及非透光部與像素電極形
成一儲(chǔ)存電容，由于儲(chǔ)存電極的面積增加，進(jìn)而可提高儲(chǔ)存電容值。另外，由于可通過透光
部來使得儲(chǔ)存電容值提高，因此非透光部的面積可縮小，進(jìn)而可提高像素的開口率。 以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對(duì)其
進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于后附的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
一種薄膜晶體管基板，包含多個(gè)行數(shù)據(jù)線；以及多個(gè)列掃描線，與所述數(shù)據(jù)線定義出多個(gè)像素區(qū)域，其中每一像素區(qū)域內(nèi)包含至少一像素電極，至少一儲(chǔ)存電極，與該像素電極相對(duì)而設(shè)，該儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部，及一介電層，設(shè)置在該儲(chǔ)存電極與該像素電極之間。
2. 如權(quán)利要求1的薄膜晶體管基板，其中該非透光部設(shè)置在該透光部之上，并相互接觸。
3. 如權(quán)利要求l的薄膜晶體管基板，其中該透光部設(shè)置在該非透光部之上，并相互接觸。
4. 一種顯示面板，包含 一對(duì)向基板；以及一薄膜晶體管基板，與該對(duì)向基板相對(duì)而設(shè)，該薄膜晶體管基板具有多個(gè)行數(shù)據(jù)線 及多個(gè)列掃描線，所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線定義出多個(gè)像素區(qū)域，其中每一像素區(qū)域內(nèi)包 含至少一像素電極，至少一儲(chǔ)存電極，與該像素電極相對(duì)而設(shè)，該儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部，及 一介電層，設(shè)置在該儲(chǔ)存電極與該像素電極之間。
5. 如權(quán)利要求4的顯示面板，其中該儲(chǔ)存電極設(shè)置于一基板之上，而該像素電極設(shè)置 在該儲(chǔ)存電極之上。
6. 如權(quán)利要求4的顯示面板，其中該非透光部設(shè)置在該透光部之上，并相互接觸。
7. 如權(quán)利要求4的顯示面板，其中該透光部設(shè)置在該非透光部之上，并相互接觸。
8. —種顯示裝置，包含 一背光模組；以及一顯示面板，鄰設(shè)于該背光模組，該顯示面板具有一對(duì)向基板及一薄膜晶體管基板，該 薄膜晶體管基板與該對(duì)向基板相對(duì)而設(shè)，該薄膜晶體管基板具有多個(gè)行數(shù)據(jù)線及多個(gè)列掃 描線，所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線定義出多個(gè)像素區(qū)域，其中每一像素區(qū)域內(nèi)包含至少一像素電極，至少一儲(chǔ)存電極，與該像素電極相對(duì)而設(shè)，該儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部，及 一介電層，設(shè)置在該儲(chǔ)存電極與該像素電極之間。
9. 如權(quán)利要求8的顯示裝置，其中該非透光部設(shè)置在該透光部之上，并相互接觸。
10. 如權(quán)利要求8的顯示裝置，其中該透光部設(shè)置在該非透光部之上，并相互接觸。
11. 一種薄膜晶體管基板的制造方法，包含以下步驟于一基板上形成一儲(chǔ)存電極，其中該儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部；以及 形成一像素電極在該儲(chǔ)存電極之上，其中于形成一像素電極在該儲(chǔ)存電極上之前更包 含一步驟在該儲(chǔ)存電極上形成一介電層。
12. 如權(quán)利要求11的制造方法，其中在該基板上形成該儲(chǔ)存電極是包含以下步驟 在該基板上形成一透光導(dǎo)電層；在該透光導(dǎo)電層上形成一非透光導(dǎo)電層； 在該非透光導(dǎo)電層上形成一圖案化光致抗蝕劑層；以及 蝕刻部分該透光導(dǎo)電層及該非透光導(dǎo)電層以形成該透光部及該非透光部。
13. 如權(quán)利要求12的制造方法，其中在該基板上形成圖案化光致抗蝕劑層是利用半色 調(diào)網(wǎng)點(diǎn)光掩模技術(shù)對(duì)該光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光與顯影工藝。
14. 如權(quán)利要求11的制造方法，其中在該基板上形成該儲(chǔ)存電極是包含以下步驟 在該基板上形成一非透光導(dǎo)電層；在該非透光導(dǎo)電層上形成一第一圖案化光致抗蝕劑層； 蝕刻部分該非透光導(dǎo)電層以形成該非透光部； 在該基板及該非透光部上形成一透光導(dǎo)電層； 在該透光導(dǎo)電層上形成一第二圖案化光致抗蝕劑層；以及 蝕刻部分該透光導(dǎo)電層以形成該透光部。
15. 如權(quán)利要求11的制造方法，其中在該基板上形成該儲(chǔ)存電極是包含以下步驟 在該基板上形成一透光導(dǎo)電層；在該透光導(dǎo)電層上形成一第一圖案化光致抗蝕劑層； 蝕刻部分該透光導(dǎo)電層以形成該透光部； 在該基板及該透光部上形成一非透光導(dǎo)電層； 在該非透光導(dǎo)電層上形成一第二圖案化光致抗蝕劑層；以及 蝕刻部分該非透光導(dǎo)電層以形成該非透光部。
全文摘要
本發(fā)明提供薄膜晶體管基板、顯示面板、顯示裝置及其制造方法。一種薄膜晶體管基板包含多個(gè)行數(shù)據(jù)線以及多個(gè)列掃描線。所述數(shù)據(jù)線與所述掃描線定義出多個(gè)像素區(qū)域，其中每一像素區(qū)域包含至少一像素電極、至少一儲(chǔ)存電極以及一介電層。像素電極與儲(chǔ)存電極彼此相對(duì)而設(shè)，儲(chǔ)存電極具有一透光部及一非透光部。介電層設(shè)置于儲(chǔ)存電極與像素電極之間。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101728398SQ200810174618
公開日2010年6月9日 申請(qǐng)日期2008年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月28日
發(fā)明者吳政哲, 吳炳升, 林必立, 王志誠 申請(qǐng)人:奇美電子股份有限公司