專利名稱：觸控電路雙面圖形結構的制法的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種觸控電路的制法，特別是一種以濺鍍、曝光、顯影、蝕刻等方式在
透明基板雙面布設形成觸控電路的圖形結構的制作方法。
背景技術：
觸控板(Touch Panel)，舉以坊間較為常見者，通常為電阻式及電容式的觸控板。 其中電容式觸控板內具有一觸控電路的雙面圖形結構，是利用曝光、顯影、蝕刻等黃光制 程，將透明導電材料(氧化銦錫Indium Tin 0xide， IT0)逐一堆迭在一玻璃基板(Glass Substrate)的雙面而成，包含一布設于該玻璃基板頂面的上層導電膜，以及一布設于該玻 璃基板底面的下層導電膜，且該玻璃基板周邊頂面布設一金屬線路層，而與該上層導電膜 相銜接；如此，可利用該上層及下層導電膜與人體之間所產生的電容效應，經由該金屬線路 層檢測因電容效應所產生的誘導電流，以計算其觸控位置的座標。 且知，上述觸控電路的雙面圖形結構的制作方式，傳統上是在一玻璃基板的頂面 及底面分別真空濺鍍一上層導電基材及一下層導電基材，并在該上層導電基材表面接觸 (Contact) —上光阻層，然后再于該下層導電基材表面接觸一保護層；使用一具鏤空電路 圖樣的光罩遮蔽于該上光阻層上方，并使用紫外線光通過該鏤空電路圖樣對該上光阻層進 行曝光；在該上光阻層表面接觸顯影劑以進行顯影，促使該上層導電基材裸露出一待接受 蝕刻的區(qū)域；將該上層導電基材裸露出的區(qū)域浸泡蝕刻劑以進行蝕刻，促使該上層導電基 材形成一上層導電膜，并除去該上層導電膜表面殘余的光阻，以及該下層導電基材表面的 保護層；隨后，在該下層導電基材表面接觸一下光阻層，同時于該上層導電膜表面接觸一 保護層；使用另一具鏤空電路圖樣的光罩遮蔽于該下光阻層上方，并利用該上層導電膜作 為該光罩遮蔽于該下光阻層上方的對位基準，是使用一電耦合器件(CCD)擷取該上層導電 膜的影像供光罩進行對位，并使用紫外線光通過該鏤空電路圖樣對該下光阻層進行曝光； 在該下光阻層表面接觸顯影劑以進行顯影，促使該下層導電基材裸露出一待接受蝕刻的區(qū) 域；將該下層導電基材裸露出的區(qū)域浸泡蝕刻劑以進行蝕刻，促使該下層導電基材形成一 下層導電膜，并除去該下層導電膜表面殘余的光阻，以及該上層導電基材表面的保護層。
但是，上述傳統觸控電路的雙面圖形結構的制作方式，必須先后重復進行多次黃 光制程，包括多次接觸及除去光阻層、保護層且必須重復進行多次顯影及蝕刻等步驟，并在 完成上、下層導電膜的至少兩次黃光制程后，尚需再進行一次金屬線路層的黃光制造程序， 致有耗費制程工時與材料成本的問題。此外，先前技術中涉及上述黃光制程的光電類產品， 可見于美國專利No. 20070269936、 No. 20020048730、 No. 6037005與中國專利第CN1549004 等案；然而，其中均未涉及有關雙面蝕刻的運用，因此顯然無法克服上述重復進行多次黃光 制程的問題，亟待加以改善。

發(fā)明內容
為克服先前技術中所揭的問題，本發(fā)明旨在提供一種觸控電路雙面圖形結構的制法，尤其是可對基板雙面同時進行曝光、顯影及蝕刻等步驟，以簡化觸控電路的雙面圖形結 構的布設形成程序。 為此，本發(fā)明揭露一種觸控電路雙面圖形結構的制法，包含 提供一基板，該基板雙面分別布設一第一導電基材層與一第二導電基材層； 在該第一導電基材層頂面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層； 接觸一第一光阻層于該遮擋層頂面，并接觸一第二光阻層于該第二導電基材層底 面； 對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該遮擋層隔絕 該基板雙面的紫外線； 對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸 露出一待接受蝕刻的區(qū)域；及 對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域同時進行蝕刻，促使該第一 導電基材層形成該觸控電路的一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第 二導電膜。 本發(fā)明另揭露一種觸控電路雙面圖形結構的制法，包含
提供一基板，該基板頂面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層； 在該遮擋層頂面布設一第一導電基材層，并在該基板底面布設一第二導電基材 層； 接觸一第一光阻層于該第一導電基材層頂面，并接觸一第二光阻層于該第二導電 基材層底面； 對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該遮擋層隔絕 該基板雙面的紫外線； 對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸 露出一待接受蝕刻的區(qū)域；及 對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域同時進行蝕刻，促使該第一 導電基材層形成該觸控電路的一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第 二導電膜。 本發(fā)明揭露另一種觸控電路雙面圖形結構的制法，包含
提供一基板，該基板底面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層； 在該基板頂面布設一第一導電基材層，并在該遮擋層底面布設一第二導電基材 層； 接觸一第一光阻層于該第一導電基材層頂面，并接觸一第二光阻層于該第二導電 基材層底面； 對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該遮擋層隔絕 該基板雙面的紫外線； 對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸 露出一待接受蝕刻的區(qū)域；及 對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域同時進行蝕刻，促使該第一 導電基材層形成該觸控電路的一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第二導電膜。 本發(fā)明揭露再一種觸控電路雙面圖形結構的制法，包含 提供一基板，該基板雙面分別布設一第一導電基材層與一第二導電基材層； 在該第二導電基材層底面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層； 接觸一第一光阻層于該第一導電基材層頂面，并接觸一第二光阻層于該遮擋層底 面； 對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該遮擋層隔絕 該基板雙面的紫外線； 對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸 露出一待接受蝕刻的區(qū)域；及 對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域同時進行蝕刻，促使該第一 導電基材層形成該觸控電路的一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第 二導電膜。 依據上述，該基板能在單一次的黃光制程中布設形成雙面導電膜的圖形結構，以 簡化觸控電路的布設制程，進而具備縮減工時與降低成本的效。 其中，該遮擋層可由可隔絕紫外線的有機材料制成，該有機材料可為樹脂層或光 阻層；或者，該遮擋層亦可由可隔絕紫外線的無機材料制成，該無機材料可為Ti02搭配Si02 或1^205搭配5102。而該第一及第二光阻層可為正光阻或負光阻，且該第一光阻層及該第二 光阻層可先、后進行曝光或同時進行曝光。 本發(fā)明亦包含于該第一光阻層進行曝光前，使用激光(Laser)于該第一光阻層上 打出至少一可供該第二光阻層曝光對位用的標記。 本發(fā)明也包含于該基板雙面進行蝕刻程序后，在該第一導電膜表面殘余的第一光 阻層與該第二導電膜表面殘余的第二光阻層上接觸去除光阻用的除光阻劑，以除去該第一 與第二導電膜表面殘余的第一及第二光阻層。 本發(fā)明揭露又一種觸控電路雙面圖形結構的制法，包含 提供一基板，該基板雙面分別布設一第一導電基材層與一第二導電基材層； 在該第一導電基材層頂面布設一可隔絕紫外線的金屬層； 接觸一第一光阻層于該金屬層頂面，并接觸一第二光阻層于該第二導電基材層底 面； 對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該金屬層隔絕 該基板雙面的紫外線； 對該基板雙面同時進行顯影，促使該金屬層及該第二導電基材層各自裸露出一待 接受蝕刻的區(qū)域； 對該金屬層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域分別或同時進行蝕刻，促使該金屬層 形成該觸控電路的一金屬線路層，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第二導電膜；
于該金屬層形成該金屬線路層而裸露該第一導電基材層后，接觸一第三光阻層于 該金屬線路層與該第一導電基材層頂面； 對該第三光阻層進行曝光及顯影，促使該第一導電基材層裸露出一待接受蝕刻的 區(qū)域；及
對該第一導電基材層裸露的區(qū)域進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電 路的一第一導電膜。 本發(fā)明續(xù)揭露一種觸控電路雙面圖形結構的制法，包含 提供一基板，該基板雙面分別布設一第一導電基材層與一第二導電基材層； 在該第二導電基材層底面布設一可隔絕紫外線的金屬層； 接觸一第一光阻層于該第一導電基材層頂面，并接觸一第二光阻層于該金屬層底 面； 對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該金屬層隔絕 該基板雙面的紫外線； 對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該金屬層各自裸露出一待 接受蝕刻的區(qū)域； 對該第一導電基材層及該金屬層裸露的區(qū)域分別或同時進行蝕刻，促使該第一導 電基材層形成該觸控電路的一第一導電膜，且該金屬層形成該觸控電路的一金屬線路層；
于該金屬層形成該金屬線路層而裸露該第二導電基材層后，接觸一第三光阻層于 該金屬線路層與該第二導電基材層底面； 對該第三光阻層進行曝光及顯影，促使該第二導電基材層裸露出一待接受蝕刻的 區(qū)域；及 對該第二導電基材層裸露的區(qū)域進行蝕刻，促使該第二導電基材層形成該觸控電 路的一第二導電膜。 依據上述，該金屬線路層可與第一導電膜或第二導電膜同時形成，而使得該基板 雙面的圖形結構能以較少次的黃光制程中布設完成，以簡化觸控電路的布設制程，進而具 備縮減工時與降低成本的效。 其中，該第一及第二光阻層可為正光阻或負光阻，該第一光阻層及該第二光阻層 可先、后進行曝光或同時進行曝光。 本發(fā)明亦包含于該第一光阻層進行曝光前，使用激光于該金屬層上打出至少一可 供該第二光阻層曝光對位用的標記。 本發(fā)明也包含于該基板雙面進行蝕刻程序后，接觸去除光阻用的除光阻劑，以除 去該金屬線路層、該第一與第二導電膜表面殘余的光阻。


圖1為本發(fā)明圖2為本發(fā)明
意圖；圖3為本發(fā)明圖4為本發(fā)明圖5為本發(fā)明圖6為本發(fā)明圖7為本發(fā)明圖8為本發(fā)明
-實施例中在第一導電基材層頂面接觸遮擋層的剖視圖； -實施例中使用激光于該第一光阻層上打出曝光對位用標記的示
-實施例中接觸第二光阻層于第二導電基材層底面的剖視圖； -實施例中對第一光阻層進行曝光的剖視圖； -實施例中對第二光阻層進行曝光的剖視圖； -實施例中對基板雙面同時進行顯影后的剖視圖； -實 例中對基板雙面同時進行蝕刻后的剖視圖； -實施例的觸控電路的剖視 圖9為本發(fā)明次一實施例中接觸第一及第二光阻層于基板雙面的剖視圖；
圖10為圖9的基板接受曝光、顯影及蝕刻后的剖視圖； 圖11為本發(fā)明另一實施例中接觸第一及第二光阻層于基板雙面的剖視圖；
圖12為圖11的基板接受曝光、顯影及蝕刻后的剖視圖； 圖13為本發(fā)明再一實施例中接觸第一及第二光阻層于基板雙面的剖視圖；
圖14為圖13的基板接受曝光、顯影及蝕刻后的剖視圖； 圖15為本發(fā)明又一實施例中在第一導電基材層頂面接觸金屬層的剖視圖；
圖16為本發(fā)明又一實施例中使用激光于該第一光阻層與金屬層上打出曝光對位 用標記的示意實施例中接觸第二光阻層于第二導電基材層底面的剖視圖； 實施例中對第一光阻層進行曝光的剖視圖； 實施例中對第二光阻層進行曝光的剖視圖； 實施例中對基板雙面同時進行顯影后的剖視圖； 實施例中對基板雙面同時進行蝕刻后的剖視圖； 實施例中除去基板雙面的光阻后的剖視圖； 實施例中接觸第三光阻層于金屬線路層與第一導電基材層頂
實施例中對第三光阻層進行曝光的剖視實施例中再次對基板進行蝕刻后的剖視圖； 實施例的觸控電路的剖視實施例中接觸第一及第二光阻層于基板雙面的剖視17為本發(fā)明又一:圖18為本發(fā)明又一:圖19為本發(fā)明又一:圖20為本發(fā)明又一:圖21為本發(fā)明又一:圖22為本發(fā)明又一:圖23為本發(fā)明又一
面的剖視圖^圖24為本發(fā)明又一:圖25為本發(fā)明又一
圖；圖26為本發(fā)明又一:圖27為本發(fā)明又一:圖28為本發(fā)明續(xù)一:圖29為圖28的基柩
具體實施例方式
以下就本發(fā)明觸控電路雙面圖形結 的制法所能產生的功效，配合附圖以較佳實 施例詳細說明如下 請參閱圖l，揭示出本發(fā)明一實施例的剖視圖，說明本發(fā)明的觸控電路雙面圖形結 構的制法，包含下列步驟 (1)將一透明基板l擺放于一濺鍍設備內，以真空濺鍍的方式在該基板l頂面布設 形成一第一導電基材層21 (如圖1所示)，同時于該基板1底面布設形成一第二導電基材層 22 ;該基板1可為玻璃、膠膜或膠殼，該第一導電基材層21與該第二導電基材層22可由透 明的導電材料制成，該透明的導電材料可以是選用氧化銦錫(IT0)或其他導電材料。
(2)在該第一導電基材層21頂面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層3(如圖l所示)， 并經由烘烤而使該遮擋層3完全附著于該第一導電基材層21頂面；該遮擋層3可由可隔絕 紫外線的有機材料制成，且該有機材料可為樹脂層或光阻層；或者，該遮擋層3亦可由可隔 絕紫外線的無機材料制成，且該無機材料可為Ti02搭配Si02或Ta205搭配Si02。
(3)接觸一第一光阻層41于該遮擋層3頂面(如圖2所示)，并經由烘烤而使該第一光阻層41完全附著于該遮擋層3頂面。 (4)使用激光在該第一光阻層41上打出至少一可供曝光對位用的標記411 (如圖 2所示)，且該標記411可為十字型。 (5)接觸一第二光阻層42于該第二導電基材層22底面(如圖3所示)，并經由烘 烤而使該第二光阻層42完全附著于該第二導電基材層22底面；該第一與第二光阻層41、 42可為正光阻(Positive Photoresist)或負光阻(NegativePhotoresist)，在本實施上是 舉以正光阻為例。 (6)使用一具有鏤空電路圖樣61的第一光罩6 (如圖4所示)，遮蔽于該第一光阻 層41上方，并使用一紫外線燈提供紫外線光，通過該鏤空電路圖樣61對該第一光阻層41 實施照射，以進行該第一光阻層41的曝光程序，期間通過該遮擋層3隔絕照射該第一光阻 層41的紫外線光，以避免該紫外線光影響該第二光阻層42。 (7)使用另一具有鏤空電路圖樣71的第二光罩7(如圖5所示)，遮蔽該第二光 阻層42，并利用該第一光阻層41上的標記411作為該第二光罩7與該第二光阻層42的對 位基準；使用一影像對比器(例如CCD)辨識并擷取該標記411，以控制該第二光罩7進行 對位，進而校正該第二光罩7鄰近于該第二光阻層42的位置；使用該紫外線燈提供紫外線 光，通過該鏤空電路圖樣71對該第二光阻層42實施照射，以進行該第二光阻層42的曝光 程序，期間通過該遮擋層3隔絕照射該第二光阻層42的紫外線光。上述第一與第二光阻層 41、42可先、后進行曝光或同時進行曝光。 (8)在該第一光阻層41與該第二光阻層42表面接觸顯影劑，以同時對該基板1雙 面進行顯影程序，致使該第一光阻層41與該第二光阻層42接受曝光的區(qū)域受到該顯影劑 溶解(如圖6所示)，而使該遮擋層3及該第二導電基材層22各自裸露出一待接受蝕刻的 區(qū)域。 (9)將該基板1浸泡于蝕刻用的蝕刻劑中，以同時對該基板1雙面進行蝕刻程序， 致使該遮擋層3及該第二導電基材層22裸露的區(qū)域受到該蝕刻劑溶解(配合圖6及圖7 所示)，且該遮擋層3裸露的區(qū)域內部的第一導電基材層21亦受到該蝕刻劑溶解，促使該第 一導電基材層21形成該觸控電路20的一第一導電膜211，且該第二導電基材層22形成該 觸控電路20的一第二導電膜221。 (10)在該第一導電膜211表面殘余的第一光阻層410與該第二導電膜221表面殘 余的第二光阻層420上接觸去除光阻用的除光阻劑(如圖7所示)，以同時除去該第一與第 二導電膜211、221表面殘余的第一及第二光阻層410、420 (如圖8所示)，隨后可除去殘余 的遮擋層30，以完全裸露該第一導電膜211與該第二導電膜221。 依據上述可知，使用可隔絕紫外線的材料制成的遮擋層3，隔絕該基板1雙面的紫 外線，避免該基板1雙面的紫外線光相互干擾，以確保在經過二次曝光后，該基板1雙面的 光阻層41、42的曝光品質，并利用激光于光阻層41表面形成的標記411，作為曝光時的對位 基準；如此，該基板1雙面的導電膜圖形結構能在單一次的黃光制程中布設形成，換言之， 本發(fā)明的第二面曝光無需等待第一面導電膜形成即可進行，故可簡化觸控電路20的布設 制程，進而具備縮減工時與降低成本之效。 此外，上述步驟(4)中的激光標記411，亦可在步驟(3)與步驟(5)的第一光阻層 41與第二光阻層42同時接觸、附著后，再于該第一光阻層41上激光形成即可，藉此，可使第一光阻層41與第二光阻層42同時形成以縮短制程時間。 請參閱圖9，揭示出本發(fā)明另一實施例的剖視圖，說明本發(fā)明的觸控電路雙面圖形 結構的制法，是在該基板1頂面接觸該可隔絕紫外線的遮擋層3，并在該遮擋層3頂面布設 該第一導電基材層21，同時在該基板1底面布設該第二導電基材層22 ;該第一光阻層41接 觸于該第一導電基材層21頂面，該第二光阻層42接觸于該第二導電基材層22底面；如此， 經由曝光及顯影而使該第一及第二導電基材層21、22各自裸露出一待接受蝕刻的區(qū)域，并 經由蝕刻而使該第一導電基材層21形成該第一導電膜211 (如圖10所示)，且該第二導電 基材層22形成該第二導電膜221，其余步驟是類似于上述圖1至圖8所揭露的實施例。
請參閱圖ll，揭示出本發(fā)明另一實施例的剖視圖，說明本發(fā)明的觸控電路雙面圖 形結構的制法，是在該基板1底面接觸該可隔絕紫外線的遮擋層3，并在該基板1頂面布 設該第一導電基材層21，同時在該遮擋層3底面布設該第二導電基材層22 ;該第一光阻層 41接觸于該第一導電基材層21頂面，該第二光阻層42接觸于該第二導電基材層22底面； 如此，經由曝光及顯影而使該第一及第二導電基材層21、22各自裸露出一待接受蝕刻的區(qū) 域，并經由蝕刻而使該第一導電基材層21形成該第一導電膜211 (如圖12所示)，且該第 二導電基材層22形成該第二導電膜221，其余步驟是類似于上述圖1至圖8所揭露的實施 例。 請參閱圖13，揭示出本發(fā)明再一實施例的剖視圖，說明本發(fā)明的觸控電路雙面圖 形結構的制法，是在該基板1雙面分別布設該第一與第二導電基材層21、22，并在該第二導 電基材層22底面接觸該可隔絕紫外線的遮擋層3 ;該第一光阻層41接觸于該第一導電基 材層21頂面，該第二光阻層42接觸于該遮擋層3底面；如此，經由曝光及顯影而使該第一 導電基材層21及該遮擋層3各自裸露出一待接受蝕刻的區(qū)域，并經由蝕刻而使該第一導電 基材層21形成該第一導電膜211 (如圖14所示)，且該第二導電基材層22形成該第二導電 膜221，其余步驟是類似于上述圖1至圖8所揭露的實施例。 請參閱圖15，揭示出本發(fā)明又一實施例的剖視圖，說明本發(fā)明的觸控電路雙面圖 形結構的制法，包含下列步驟 (1)將一透明基板la擺放于一濺鍍設備內，以真空濺鍍的方式在該基板la頂面布 設形成一第一導電基材層21a(如圖15所示)，同時于該基板la底面布設形成一第二導電 基材層22a;該基板la可為玻璃、膠膜或膠殼，該第一與第二導電基材層21a、22a可由透明 的導電材料制成，該透明的導電材料可以是選用氧化銦錫或其他導電材料。
(2)將該基板la擺放于另一濺鍍設備內，以真空濺鍍的方式在該第一導電基材層 21a頂面布設一可隔絕紫外線的金屬層5 (如圖15所示)。 (3)接觸一第一光阻層41a于該金屬層5頂面(如圖16所示)，并經由烘烤而使 該第一光阻層41a完全附著于該金屬層5頂面。 (4)使用激光于該第一光阻層41a與該金屬層5上打出至少一可供曝光對位用的 標記51 (如圖16所示)，且該標記51可為十字型。 (5)接觸一第二光阻層42a于該第二導電基材層22a底面(如圖17所示)，并經 由烘烤而使該第二光阻層42a完全附著于該第二導電基材層22a底面；該第一與第二光阻 層41a、42a可為正光阻或負光阻，在本實施上同樣舉以正光阻為例。 (6)使用一具有鏤空電路圖樣61a的第一光罩6a(如圖18所示)，遮蔽該第一光阻層41a，并使用一紫外線燈提供紫外線光，通過該鏤空電路圖樣61a對該第一光阻層41a 實施照射，以進行該第一光阻層41a的曝光程序，期間通過該金屬層5隔絕照射該第一光阻 層41a的紫外線光，以避免該紫外線光影響該第二光阻層42a。 (7)使用另一具有鏤空電路圖樣71a的第二光罩7a(如圖19所示)，遮蔽該第二 光阻層42a，并利用該金屬層5上的標記51作為該第二光罩7a與該第二光阻層42a的對位 基準；使用一影像對比器辨識并擷取該標記51，以控制該第二光罩7a進行對位，進而校正 該第二光罩7a鄰近于該第二光阻層42a的位置；使用該紫外線燈提供紫外線光，通過該鏤 空電路圖樣71a對該第二光阻層42a實施照射，以進行該第二光阻層42a的曝光程序，期間 通過該金屬層5隔絕照射該第二光阻層42a的紫外線光。上述第一與第二光阻層41a、42a 可先、后進行曝光或同時進行曝光。 (8)在該第一光阻層41a與該第二光阻層42a表面接觸顯影劑，以同時對該基板 la雙面進行顯影程序，致使該第一與第二光阻層41a、42a接受曝光的區(qū)域受到該顯影劑溶 解(如圖20所示)，而使該金屬層5及該第二導電基材層22a各自裸露出一待接受蝕刻的 區(qū)域。 (9)將該基板la浸泡于蝕刻用的蝕刻劑中，以分別或同時對該基板la雙面進行 蝕刻程序，致使該金屬層5及該第二導電基材層22a裸露的區(qū)域受到該蝕刻劑溶解(如圖 21所示)，促使該金屬層5形成一觸控電路20a (配合圖27所示)的一金屬線路層52，而裸 露該第一導電基材層21a，且該第二導電基材層22a形成該觸控電路20a的一第二導電膜 221a。 (10)在該金屬線路層52表面殘余的第一光阻層410a與該第二導電膜221a表面 殘余的第二光阻層420a上接觸去除光阻用的除光阻劑(如圖21所示)，以同時除去該等殘 余的第一及第二光阻層410a、420a，以完全裸露該金屬線路層52、第一導電基材層21a與第 二導電膜221a(如圖22所示)。 (11)接觸一第三光阻層43于該金屬線路層52與該第一導電基材層21a頂面(如 圖23所示)，并經由烘烤而使該第三光阻層43完全附著于該金屬線路層52與該第一導電 基材層21a頂面。 (12)使用又一具有鏤空電路圖樣81的第三光罩8 (如圖24所示)，遮蔽于該第三 光阻層43上方，并使用一紫外線燈提供紫外線光，通過該鏤空電路圖樣81對該第三光阻層 43實施照射，以進行該第三光阻層43的曝光程序。 (13)在該第三光阻層43表面接觸顯影劑以進行顯影程序，致使該第三光阻層430 接受曝光的區(qū)域受到該顯影劑溶解(如圖25所示)，而使該第一導電基材層21a裸露出一 待接受蝕刻的區(qū)域。 (14)接觸一第四光阻層44于該第二導電膜221a與基板la底面(如圖25所示)， 并經由烘烤而使該第四光阻層44完全附著于該第二導電膜221a與基板la底面，以保護第 二導電膜221a。 (15)將該基板la浸泡于蝕刻用的蝕刻劑中以再次進行蝕刻程序，致使該第一導 電基材層21a裸露的區(qū)域受到該蝕刻劑溶解(如圖26所示)，促使該第一導電基材層21a 形成該觸控電路20a(配合圖27所示)的一第一導電膜211a。 (16)利用除光阻劑接觸該金屬線路層52與第一導電膜211a表面殘余的第三光阻層430，并利用除光阻劑接觸該第二導電膜221a與基板la底面的第四光阻層44，以完全裸
露該金屬線路層52、第一導電膜211a與第二導電膜221a(如圖27所示)。 如此，該第一導電膜211a及該第二導電膜221a是分別形成于該基板la雙面，且
該金屬線路層52是形成于該第一導電膜211a的雙端邊的頂面；藉此，具有降低該第一導電
膜211a與金屬線路層52間的阻抗的優(yōu)點。 依據上述可知，該金屬線路層52可與第二導電膜221a同時形成，而使該基板la 雙面的圖形結構能以較少次的黃光制程中布設形成雙面導電膜與金屬線路層，以簡化觸控 電路20a的布設制程，進而具備縮減工時與降低成本之效。 請參閱圖28，揭示出本發(fā)明續(xù)一實施例的剖視圖，說明本發(fā)明的觸控電路雙面圖 形結構的制法，是在該第二導電基材層22a底面布設該可隔絕紫外線的金屬層5，該第一光 阻層41a接觸于該第一導電基材層21a頂面，該第二光阻層42a接觸于該金屬層5底面， 并使用激光于該第二光阻層42a與該金屬層5上打出至少一可供曝光對位用的標記51 ;如 此，經由曝光及顯影而使該第一導電基材層21a及該金屬層5各自裸露出一待接受蝕刻的 區(qū)域，并經由蝕刻而使該第一導電基材層21a形成該第一導電膜212a (如圖29所示)，且該 金屬層5形成該金屬線路層52，而裸露該第二導電基材層22a，再對該第二導電基材層22a 進行一次黃光制程，促使該第二導電基材層22a形成該第二導電膜222a，其余步驟是類似 于上述圖15至圖27的實施例。 如此，該第一及第二導電膜212a、222a是分別形成于該基板la雙面，且該金屬線 路層52是形成于該第二導電膜222a的雙端邊的底面；藉此，具有降低該第二導電膜222a 與金屬線路層52間的阻抗的優(yōu)點。 依據上述可知，該金屬線路層52可與第一導電膜212a同時形成，而使該基板la 雙面的圖形結構能以較少次的黃光制程中布設形成雙面導電膜與金屬線路層，以簡化觸控 電路20a的布設制程，進而具備縮減工時與降低成本之效。 其中，上述步驟(4)中的激光標記51，亦可在步驟(3)與步驟(5)的第一光阻層 41a與第二光阻層42a同時接觸、附著后，再以激光形成于金屬線路層52即可，藉此，可使第 一光阻層41與第二光阻層42同時形成以縮短制程時間。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，對本發(fā)明而言僅僅是說明性的，而非限制性 的。本專業(yè)技術人員理解，在本發(fā)明權利要求所限定的精神和范圍內可對其進行許多改變， 修改，甚至等效，但都將落入本發(fā)明的保護范圍內。
權利要求
一種觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于，包含以下步驟提供一基板，該基板雙面分別布設一第一導電基材層與一第二導電基材層；在該第一導電基材層頂面接觸一隔絕紫外線的遮擋層；接觸一第一光阻層于該遮擋層頂面，并接觸一第二光阻層于該第二導電基材層底面；對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該遮擋層隔絕該基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸露出一待接受蝕刻的區(qū)域；及對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域同時進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電路的一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第二導電膜。
2. 根據權利要求1所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述遮擋層是 由隔絕紫外線的有機材料制成。
3. 根據權利要求2所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述有機材料 是為樹脂層或光阻層。
4. 根據權利要求1所述觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述遮擋層是由 隔絕紫外線的無機材料制成。
5. 根據權利要求4所述觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述無機材料是 為Ti02搭配Si02或Ta205搭配Si02。
6. 根據權利要求1所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述第一光阻 層及該第二光阻層是為正光阻或負光阻。
7. 根據權利要求1所述觸的控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述方法還包含，在該第一光阻層進行曝光前，使用激光在該第一光阻層上打出至少一供該第二光阻層 曝光對位用的標記。
8. 根據權利要求1所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述第一光阻 層及該第二光阻層是先、后進行曝光或同時進行曝光。
9. 根據權利要求1所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述方法還包 含，在該基板雙面進行蝕刻程序后，在該第一導電膜表面殘余的第一光阻層與該第二導電 膜表面殘余的第二光阻層上接觸去除光阻用的除光阻劑，以除去該第一與第二導電膜表面 殘余的第一及第二光阻層。
10. —種觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于，包含以下步驟 提供一基板，該基板頂面接觸一隔絕紫外線的遮擋層；在該遮擋層頂面布設一第一導電基材層，并在該基板底面布設一第二導電基材層； 接觸一第一光阻層于該第一導電基材層頂面，并接觸一第二光阻層于該第二導電基材 層底面；對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該遮擋層隔絕該基 板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸露出 一待接受蝕刻的區(qū)域；及對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域同時進行蝕刻，促使該第一導電 基材層形成該觸控電路的一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第二導 電膜。
11. 根據權利要求10所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述遮擋層 是由隔絕紫外線的有機材料制成。
12. 根據權利要求10所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述遮擋層 是由隔絕紫外線的無機材料制成。
13. 根據權利要求IO所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述方法還 包含，在該第一光阻層進行曝光前，使用激光在該第一光阻層上打出至少一供該第二光阻 層曝光對位用的標記。
14. 一種觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于，包含以下步驟 提供一基板，該基板底面接觸一可隔絕紫外線的遮擋層；在該基板頂面布設一第一導電基材層，并在該遮擋層底面布設一第二導電基材層； 接觸一第一光阻層于該第一導電基材層頂面，并接觸一第二光阻層于該第二導電基材 層底面；對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該遮擋層隔絕該基 板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸露出 一待接受蝕刻的區(qū)域；及對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域同時進行蝕刻，促使該第一導電 基材層形成該觸控電路的一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第二導 電膜。
15. 根據權利要求14所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述遮擋層 是由隔絕紫外線的有機材料制成。
16. 根據權利要求14所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述遮擋層 是由隔絕紫外線的無機材料制成。
17. 根據權利要求14所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述方法還 包含，在該第一光阻層進行曝光前，使用激光在該第一光阻層上打出至少一供該第二光阻 層曝光對位用的標記。
18. —種觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于，包含以下步驟 提供一基板，該基板雙面分別布設一第一導電基材層與一第二導電基材層； 在該第二導電基材層底面接觸一隔絕紫外線的遮擋層；接觸一第一光阻層于該第一導電基材層頂面，并接觸一第二光阻層于該遮擋層底面； 對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該遮擋層隔絕該基 板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸露出 一待接受蝕刻的區(qū)域；及對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域同時進行蝕刻，促使該第一導電 基材層形成該觸控電路的一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第二導電膜。
19. 根據權利要求18所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述遮擋層 是由隔絕紫外線的有機材料制成。
20. 根據權利要求18所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述遮擋層 是由隔絕紫外線的無機材料制成。
21. 根據權利要求18所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述方法還 包含，在該第一光阻層進行曝光前，使用激光在該第一光阻層上打出至少一供該第二光阻 層曝光對位用的標記。
22. —種觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于，包含以下步驟 提供一基板，該基板雙面分別布設一第一導電基材層與一第二導電基材層； 在該第一導電基材層頂面布設一可隔絕紫外線的金屬層；接觸一第一光阻層于該金屬層頂面，并接觸一第二光阻層于該第二導電基材層底面； 對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該金屬層隔絕該基 板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該金屬層及該第二導電基材層各自裸露出一待接受 蝕刻的區(qū)域；及對該金屬層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域進行蝕刻，促使該金屬層形成該觸控電路 的一金屬線路層，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第二導電膜。
23. 根據權利要求22所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述第一光 阻層及該第二光阻層是為正光阻或負光阻。
24. 根據權利要求22所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述方法還 包含，在該第一光阻層進行曝光前，使用激光在該金屬層上打出至少一供該第二光阻層曝 光對位用的標記。
25. 根據權利要求22所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述第一光 阻層及該第二光阻層是先、后進行曝光或同時進行曝光。
26. 根據權利要求22所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于，所述方法還包含于該金屬層形成該金屬線路層而裸露該第一導電基材層后，接觸一第三光阻層于該金 屬線路層與該第一導電基材層頂面；對該第三光阻層進行曝光及顯影，促使該第一導電基材層裸露出一待接受蝕刻的區(qū) 域；及對該第一導電基材層裸露的區(qū)域進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該觸控電路的 一第一導電膜。
27. 根據權利要求26所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于，還包括所述 第一導電膜形成后，利用除光阻劑除去該金屬線路層與第一導電膜表面殘余的光阻。
28. 根據權利要求22所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述金屬層 及該第二導電基材層裸露的區(qū)域是分別或同時進行蝕刻。
29. 根據權利要求22所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于，還包括所述 第二導電膜形成后，接觸一保護用第四光阻層于該第二導電膜與基板底面。
30. 根據權利要求26所述觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述第一導電 膜及該第二導電膜是分別形成于該基板雙面，且該金屬線路層是形成于該第一導電膜的端 邊頂面。
31. —種觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于，包含以下步驟 提供一基板，該基板雙面分別布設一第一導電基材層與一第二導電基材層； 在該第二導電基材層底面布設一隔絕紫外線的金屬層；接觸一第一光阻層于該第一導電基材層頂面，并接觸一第二光阻層于該金屬層底面； 對該第一光阻層進行曝光，并對該第二光阻層進行曝光，期間通過該金屬層隔絕該基 板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，促使該第一導電基材層及該金屬層各自裸露出一待接受 蝕刻的區(qū)域；及對該第一導電基材層及該金屬層裸露的區(qū)域進行蝕刻，促使該第一導電基材層形成該 觸控電路的一第一導電膜，且該金屬層形成該觸控電路的一金屬線路層。
32. 根據權利要求31所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述方法還 包含，在該第一光阻層進行曝光前，使用激光在該金屬層上打出至少一供該第二光阻層曝 光對位用的標記。
33. 根據權利要求31所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述第一光 阻層及該第二光阻層是先、后進行曝光或同時進行曝光。
34. 根據權利要求31所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于還包含 于該金屬層形成該金屬線路層而裸露該第二導電基材層后，接觸一第三光阻層于該金屬線路層與該第二導電基材層底面；對該第三光阻層進行曝光及顯影，促使該第二導電基材層裸露出一待接受蝕刻的區(qū) 域；及對該第二導電基材層裸露的區(qū)域進行蝕刻，促使該第二導電基材層形成該觸控電路的 一第二導電膜。
35. 根據權利要求31所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述第一導 電基材層及該金屬層裸露的區(qū)域是分別或同時進行蝕刻。
36. 根據權利要求34所述的觸控電路雙面圖形結構的制法，其特征在于所述第一導 電膜及該第二導電膜是分別形成于該基板兩面，且該金屬線路層是形成于該第二導電膜的 端邊底面。
全文摘要
一種觸控電路雙面圖形結構的制法，包含提供雙面分別布設第一導電基材層與第二導電基材層的基板，在第一導電基材層頂面接觸隔絕紫外線的遮擋層；接觸第一光阻層于該遮擋層頂面，接觸第二光阻層于該第二導電基材層底面；對該第一、第二光阻層進行曝光，期間通過該遮擋層隔絕基板雙面的紫外線；對該基板雙面同時進行顯影，使該第一導電基材層及該第二導電基材層各自裸露出待接受蝕刻的區(qū)域；對該第一導電基材層及該第二導電基材層裸露的區(qū)域同時進行蝕刻，使該第一導電基材層形成該觸控電路的一第一導電膜，且該第二導電基材層形成該觸控電路的一第二導電膜。據此，可對該基板雙面同時進行曝光、顯影及蝕刻，以簡化觸控電路的布設程序。
文檔編號H01L21/00GK101726888SQ20081017157
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月27日 優(yōu)先權日2008年10月27日
發(fā)明者劉振宇, 劉正平, 李祿興, 王凈亦 申請人:宸鴻光電科技股份有限公司