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液晶顯示器件的制作方法

文檔序號(hào):6900666閱讀:185來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):液晶顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件,更具體地,涉及一種可增大視角 和孔徑比的LCD器件。
背景技術(shù)
隨著信息通信的發(fā)展,顯示器件也顯著發(fā)展。顯示器件成為現(xiàn)代人不可缺 少之物。顯示器件中的液晶顯示器件包括光源和液晶(LC)面板。光源為液晶面板提供光。液晶面板利用其上施加的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶。在這種 情況下,LCD器件在液晶驅(qū)動(dòng)下通過(guò)控制透射液晶面板的光的透光率而顯示 圖像。這里,由于液晶的折射率具有各向異性,因此LCD器件具有較窄的視 角。為了增加LCD器件的視角,已將LCD器件開(kāi)發(fā)為共平面開(kāi)關(guān)模式(IPS) LCD器件,其中像素電極和公共電極交替設(shè)置以產(chǎn)生相對(duì)于基板沿水平方向 上的電場(chǎng)。圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的共平面開(kāi)關(guān)模式(IPS)液晶顯示(LCD)器件的 平面圖。參照?qǐng)D1, IPSLCD包括由在基板上彼此交叉的柵線1和數(shù)據(jù)線2限定的 多個(gè)像素、在每個(gè)像素中設(shè)置的薄膜晶體管(TFT) Tr、像素電極3和公共電 極4。這里,像素電極3的一部分和公共電極4的一部分交替設(shè)置以產(chǎn)生橫向 電場(chǎng)。IPS LCD還包括向每個(gè)像素提供公共電壓的公共線5和6。分別設(shè)置在像 素中的公共線5和6彼此電連接。這里,公共線5和6包括設(shè)置在像素兩側(cè)的 第一公共線5和第二公共線6。第一公共線5與像素電極3的一部分重疊以形 成存儲(chǔ)電容。此外,第二公共線6與公共電極4電連接以向公共電極4提供公共電壓。但是,與柵線l平行的漏光缺陷,艮卩,水平線缺陷(horizontal line defect)可產(chǎn)生在每個(gè)像素的兩側(cè)上設(shè)置的第一和第二公共線5和6。這是因?yàn)樵谛纬?LCD器件的多個(gè)工藝的液晶(LC)取向工藝期間在相對(duì)于柵線1的水平方向 執(zhí)行液晶取向工藝的情形下,由于第一和第二公共線5和6的高度差,與其他 區(qū)域相比,不能適當(dāng)定向第一和第二公共線5和6的周?chē)鷧^(qū)域。特別地,由于第二公共線6形成為與公共電極4的一部分重疊,所以第二 公共線6的高度差增加,從而水平線缺陷變得更為嚴(yán)重。此外,由于像素電極3和公共電極4設(shè)置在像素中,IPSLCD器件的孔徑 比減小。圖中附圖標(biāo)記7表示電連接TFT Tr與像素電極3的第一接觸孔,附圖標(biāo) 記8表示連接公共電極4與第二公共線6的第二接觸孔。因此,根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件不能確保視角和孔徑比,同時(shí)具有諸如 水平線缺陷的圖像質(zhì)量下降的缺陷。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種可確保視角和孔徑比的液晶顯示器件。在一個(gè)方案中, 一種液晶顯示器件包括多個(gè)像素,其包括分別產(chǎn)生不同 方向電場(chǎng)的至少第一域和第二域;設(shè)置在每個(gè)像素的第一域和第二域中的像素 電極;公共電極,其設(shè)置在每個(gè)像素的第一域和第二域中以及二者之間邊界處, 并且所述公共電極的一部分與像素電極的一部分交替設(shè)置以產(chǎn)生橫向電場(chǎng);與 對(duì)應(yīng)于邊界的位置處的公共電極電連接的接觸部分;以及公共線,其與接觸部 分電連接并設(shè)置在與設(shè)置有接觸部分的像素相鄰的相鄰像素中。在另一方案中, 一種液晶顯示器件包括包括多個(gè)像素的基板,其中每個(gè) 像素具有第一和第二域;接觸部分,其設(shè)置在多個(gè)像素的第n個(gè)像素的第一和第二域之間的邊界處;公共線,其設(shè)置在多個(gè)像素的第(n+l)個(gè)像素的一側(cè) 上并與所述接觸部分電連接;設(shè)置在包括公共線和接觸部分的基板上的介質(zhì); 第一像素電極,其以預(yù)定間隔設(shè)置在所述介質(zhì)上,并分別設(shè)置在第一和第二域 中且具有不同的斜率;第二像素電極,其電連接第一像素電極并與公共線重疊, 第二像素電極設(shè)置在介質(zhì)上;與第一像素電極交替設(shè)置的第一公共電極;第二 公共電極,其設(shè)置在第一和第二域之間的邊界處,并與接觸部分電連接;以及 第三公共電極,其將第一公共電極與第二公共電極電連接。一個(gè)或更多實(shí)施方式的詳細(xì)內(nèi)容將在附圖和以下的說(shuō)明書(shū)中描述。通過(guò)說(shuō) 明書(shū)和附圖以及權(quán)利要求書(shū)將使其他特征顯而易見(jiàn)。


圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的共平面開(kāi)關(guān)模式(IPS)液晶顯示(LCD)器件的 平面圖。圖2A是根據(jù)實(shí)施方式的LCD器件的平面視圖。 圖2B是沿圖2A的線I-I'和n-ir的橫截面視圖。 圖3A是根據(jù)另一實(shí)施方式的LCD器件的平面視圖。圖3B是沿圖3A的in-nr的橫截面視圖。圖4A-圖4C是解釋根據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施方式用于制造LCD器件的方法 的平面視圖。圖5A-圖5C是沿圖4A-圖4C的線IV-IV,和V-V,的橫截面視圖。
具體實(shí)施方式
下面將對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,所述實(shí)施例的實(shí)例示于附圖中。 雖然參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)實(shí)施方式的LCD器件,但本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不偏離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以不同形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明公開(kāi)內(nèi)容。圖2A和圖2B是解釋根據(jù)實(shí)施方式的LCD器件的視圖。圖2A是根據(jù)實(shí)施方式的LCD器件的平面視圖,以及圖2B是沿圖2A的線i-r和線n-n'的橫截面視圖。參照?qǐng)D2A和圖2B, LCD器件包括多個(gè)用于顯示圖像的像素。每個(gè)像素包括第一域Dl和第二域D2。第一域Dl和第二域D2產(chǎn)生不同 方向的電場(chǎng)。例如,第一域和第二域D1和D2產(chǎn)生對(duì)稱(chēng)方向的電場(chǎng)。因此, 設(shè)置在第一域D1和第二域D2中的液晶可以朝不同方向取向以增加視角。每個(gè)像素可通過(guò)彼此交叉的柵線101和數(shù)據(jù)線111限定在基板100上。即, 柵線101和數(shù)據(jù)線111可沿每個(gè)像素設(shè)置。例如,在柵線101和數(shù)據(jù)線111 彼此垂直交叉的情形下,每個(gè)像素可具有矩形形狀。這里,多個(gè)像素可以成網(wǎng) 格結(jié)構(gòu)設(shè)置。柵線101和數(shù)據(jù)線111通過(guò)插入在二者之間的柵介質(zhì)彼此絕緣。公共線103設(shè)置在每個(gè)像素中。公共線103可設(shè)置在每個(gè)像素的一側(cè)上。公共線103平行于數(shù)據(jù)線111并可具有預(yù)定間隔。公共線103與將在下文描述 的第二像素電極124b重疊以形成存儲(chǔ)電容,并且其間插入介質(zhì)。該介質(zhì)可以 是柵絕緣層IIO和鈍化層120的疊層,其將在下文描述。公共線103由與柵線 101相同的材料形成并可設(shè)置在設(shè)置有柵線101的相同層中。設(shè)置與公共線103電連接的接觸部分105。接觸部分105將公共線103與 公共電極125電連接,將在下文描述。接觸部分105設(shè)置在第一域D1和第二 域D2之間的邊界上以防止LCD器件的孔徑比減小。這里,第一域D1和第二 域D2之間的邊界包括液晶分子的取向分散的向錯(cuò)區(qū)域,從而液晶不被驅(qū)動(dòng)。 因此,第一域D1和第二域D2之間的邊界作為不透光的不透射區(qū)域。從而不 透光的接觸部分105設(shè)置在每個(gè)像素的死區(qū),使得可防止孔徑比減小。在接觸部分105和公共線103設(shè)置在相同層的情形下,接觸部分105和公 共電極125可彼此電連接。因此,公共線103的階差(step difference)增加。 這里,在相對(duì)于柵線101的水平方向執(zhí)行液晶的取向工藝的情形下,由于公共 線103的階差,與其他區(qū)域相比,不能適當(dāng)定向公共線103的鄰近區(qū)域。因此, 可能產(chǎn)生平行于公共線103的漏光缺陷,即,水平線缺陷。為了防止由摩擦缺陷造成的水平線缺陷,接觸部分105與該像素相鄰的一 個(gè)像素中設(shè)置的公共線103電連接。為了通過(guò)減少接觸部分105和公共線103 之間的接觸路徑以實(shí)現(xiàn)小型簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu),該相鄰像素可以是與接觸部分105 相鄰的像素。例如,在接觸部分105設(shè)置在第n像素中的情形下,接觸部分 105可電接觸設(shè)置在與第n像素相鄰的第(n+l)像素中的公共線103。因此, 由于公共線103與第二像素電極124b形成存儲(chǔ)電容并僅設(shè)置在用于與相鄰像 素中設(shè)置的接觸部分電連接的像素的一側(cè),因此可防止產(chǎn)生由公共線103相關(guān) 的摩擦缺陷引起的水平線缺陷。另外,由于公共線103僅設(shè)置在像素的一側(cè),可以減少由公共線103占有 的像素區(qū)域。因此,可防止LCD器件的孔徑比減小。公共連接線104可設(shè)置在像素的上側(cè)和下側(cè)的至少其中之一。公共連接線 104與設(shè)置在各個(gè)像素中的公共線103彼此電連接。公共連接線104平行于柵 線101并可具有預(yù)定間隔。公共線103、接觸部分105和公共連接線104可以一體成型。薄膜晶體管(TFT) Tr設(shè)置在每個(gè)像素中。薄膜晶體管Tr包括柵極102、半導(dǎo)體圖案112、柵絕緣層110、源極122和漏極132。這里,柵極102與柵 線101電連接。源極122與數(shù)據(jù)線111電連接。因此,薄膜晶體管Tr與柵線 101和數(shù)據(jù)線111電連接。另外,半導(dǎo)體圖案112包括有源圖案112a和歐姆 接觸圖案112b。歐姆接觸圖案112b可以分別插入在有源圖案112a和源極122 之間,以及有源圖案112a和漏極132之間。在附圖中,為了提高薄膜晶體管Tr的電特性,薄膜晶體管Tr的溝道形狀 顯示為U型,這可增加溝道寬度,但溝道形狀不限制于此。產(chǎn)生電場(chǎng)的像素電極124和公共電極125設(shè)置在每個(gè)像素中以驅(qū)動(dòng)液晶。像素電極124可由能夠透光的導(dǎo)體形成。例如,像素電極124可由可透光 的氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)形成。像素電極124可包括第一像素電極124a和第二像素電極124b。第一像素電極124a以預(yù)定間隔彼此分離。第一像素電極124a可具有相對(duì) 于柵線101具有預(yù)定斜率的條形形狀。為了允許第一域Dl和第二域D2產(chǎn)生 不同方向的電場(chǎng),分別設(shè)置在第一域D1和第二域D2的第一像素電極124a相 對(duì)于柵線101具有不同斜率。例如,分別設(shè)置在第一域D1和第二域D2中的 第一像素電極124a可彼此對(duì)稱(chēng)傾斜。第二像素電極124b與第一像素電極124a彼此電連接。第二像素電極124b 可與第一像素電極124a—體成型。第二像素電極124b的一部分與薄膜晶體管 Tr的漏極132電連接。第二像素電極124b可與公共電極103重疊,其間插入 介質(zhì)層以形成存儲(chǔ)電容。該介質(zhì)可以是柵絕緣層110和鈍化層120的疊層,其 將在下文描述。為了增加存儲(chǔ)電容,第二像素電極124b可延伸到對(duì)應(yīng)公共連 接線 104 的介質(zhì)的一部分。 在這種情況下,第二像素電極124b可具有形狀。公共電極125可由可透射光的透明導(dǎo)體形成。公共電極125包括第一公共 電極125a、第二公共電極125b和第三公共電極125c。第一公共電極125a保持預(yù)定間隔,并與第一像素電極124a交替設(shè)置。因 此,第一公共電極125a在第一域Dl和第二域D2中具有不同的斜率。例如, 設(shè)置在第一域D1和第二域D2中的第一公共電極125a可彼此對(duì)稱(chēng)傾斜。當(dāng)薄膜晶體管Tr的電信號(hào)施加到第一像素電極124a,以及公共電壓施加 到第一公共電極125a時(shí),橫向電場(chǎng)形成在第一公共電極125a和第一像素電極124a之間。在這種情況下,由于第一公共電極125a和第一像素電極124a在第 一域D1和第二域D2中具有不同的斜率,因此橫向電場(chǎng)在第一域D1和第二 域D2中具有不同的方向。例如,分別形成在第一域Dl和第二域D2中的橫 向電場(chǎng)的方向彼此對(duì)稱(chēng)。因此,該LCD器件可增加視角。第二公共電極125b設(shè)置在第一域D1和第二域D2之間的邊界處。第二公 共電極125b與接觸部分105電連接。因此,第二公共電極125b可接收來(lái)自公 共線103的公共電壓。第一像素電極124a設(shè)置在第二公共電極125b的兩側(cè)上以產(chǎn)生橫向電場(chǎng)。 由于第二公共電極125b的兩側(cè)分別對(duì)應(yīng)第一域Dl和第二域D2,因此設(shè)置在 第二公共電極125b的兩側(cè)的第一像素電極124a分別具有不同的斜率。因此, 第二公共電極125b的兩側(cè)邊可分別具有不同的斜率。另外,第二公共電極125b 可具有比第一公共電極125a更大的尺寸,從而第二公共電極125b可電接觸接 觸部分105。第三公共電極125c將第一公共電極125a與第二公共電極125b電連接。第一、第二和第三公共電極125a、 125b和125c可一體成型。另外,鈍化層120可進(jìn)一步設(shè)置在包括薄膜晶體管Tr的基板100上。鈍 化層120可由保護(hù)薄膜晶體管Tr的絕緣體形成。因此,像素電極124和公共 電極125可設(shè)置在鈍化層120上。因此,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的LCD器件提供由透明導(dǎo)體形成的像素電極 124和公共電極125以增加孔徑比。另外,像素被劃分為產(chǎn)生不同方向電場(chǎng)的至少兩個(gè)域,并且公共電極125 和公共線103允許在邊界中,g卩,兩個(gè)域之間的不透光區(qū)域中彼此電接觸,從 而視角增大并且孔徑比增加。另外,由于公共電極125與相鄰像素中設(shè)置的公共線103電連接,因此可 以防止由于公共線103的階差導(dǎo)致的摩擦缺陷所造成的水平線缺陷。圖3A和圖3B是解釋根據(jù)另一實(shí)施方式的LCD器件的視圖。圖3A是根據(jù)另一實(shí)施方式的lcd器件的平面視圖,以及圖3B是沿圖3A的線in-m,的橫截面視圖。除了修復(fù)部分不同,另一實(shí)施方式具有與前述實(shí)施方式相同的 結(jié)構(gòu)。因此,省略與前述實(shí)施方式相同的部件的描述。參照?qǐng)D3A和圖3B,LCD器件包括含產(chǎn)生不同方向電場(chǎng)的第一域D1和第 二域D2的像素,設(shè)置在該像素中用以產(chǎn)生橫向電場(chǎng)的像素電極124和公共電 極125,以及設(shè)置在第一域Dl和第二域D2之間的邊界處接觸公共電極125 的接觸部分105。接觸部分105與設(shè)置在該像素和相鄰像素中的公共線103電 連接。公共電極125包括與像素電極124交替設(shè)置的第一公共電極125a,設(shè)置 在第一域Dl和第二域D2之間的邊界處并與接觸部分105電連接的第二公共 電極125b,以及將第一公共電極125a與第二公共電極125b電連接的第三公 共電極125c。由于第二公共電極125b和公共線103通過(guò)設(shè)置在邊界中,即第一域Dl 和第二域和D2之間的不透光區(qū)域中的接觸部分105彼此電連接,因此防止孔 徑比降低。設(shè)置在彼此鄰近的像素中的公共線103通過(guò)公共連接線104彼此電連接。 這里,公共線103和公共連接線104可一體成型。公共連接線104平行于柵線101并可設(shè)置在像素上方或下方,或者上方及 下方。公共連接線104可包括修復(fù)部分106,其與第一公共電極125a重疊,其 中插入柵絕緣層110或者由柵絕緣層110和鈍化層120組成的疊層。因此,修 復(fù)部分106可設(shè)置在像素上方或下方,或者像素上方及下方。這里,在第二公共電極125b和接觸部分105之間產(chǎn)生接觸缺陷的情形下, 在修復(fù)部分106上執(zhí)行修復(fù)工藝以將第一公共電極125a與修復(fù)部分106電連 接。例如,修復(fù)工藝通過(guò)激光輻射執(zhí)行。因此,公共電極125和公共線103 彼此電連接。S卩,在第二公共電極125b和接觸部分105之間產(chǎn)生接觸缺陷的 情形下,在修復(fù)部分106上執(zhí)行修復(fù)工藝以防止LCD器件產(chǎn)生黑點(diǎn)缺陷。圖4A到圖4C是解釋用于根據(jù)再一實(shí)施方式制造LCD器件的方法的示意圖。圖4A到圖4C是解釋用于根據(jù)再一實(shí)施方式制造LCD器件的平面視圖, 以及圖5A到圖5C是沿圖4A到圖4C的線IV-IV,和V-V,的橫截面視圖。參照?qǐng)D4A和圖5A,其中限定有多個(gè)像素的基板100提供給LCD器件。 每個(gè)像素可劃分為至少第一域Dl和第二域和D2。基板100可由可透射光的透明材料形成。例如,基板i00可以由玻璃或塑料形成。導(dǎo)電層形成在基板100上,然后蝕刻該導(dǎo)電層以形成柵線101、柵極102、 公共線103和接觸部分105。導(dǎo)電層可由沉積方法形成??捎糜趯?dǎo)電層的材料的實(shí)例包括金屬。通過(guò)在 導(dǎo)電層上形成預(yù)定圖案的光刻膠圖案以及使用光刻膠圖案作為蝕刻掩模蝕刻 導(dǎo)電層,執(zhí)行對(duì)導(dǎo)電層的蝕刻。柵極102可形成在每個(gè)像素中。柵線101和柵極102可一體成型。接觸部分105可形成在第一域Dl和第二域D2之間的邊界處,其是不透 光區(qū)域,以防止孔徑比減小。公共線103可形成在每個(gè)像素的一側(cè)上。公共線103與設(shè)置在相鄰像素中 的接觸部分105電連接。因此,防止在后續(xù)工藝期間出現(xiàn)摩擦缺陷。另外,可進(jìn)一步形成電連接設(shè)置在多個(gè)像素中的公共線103的公共連接線 104。公共線103、接觸部分105和公共連接線104可一體成型。其后,柵絕緣層110形成在包括柵線101、柵極102、公共線103和接觸 部分105的基板100上。柵絕緣層110可利用化學(xué)氣相沉積(CVD)形成。柵 絕緣層110可由氧化硅層、氮化硅層和這些層的疊層形成。參照?qǐng)D4B和圖5B,半導(dǎo)體圖案112形成在對(duì)應(yīng)柵極102的那部分柵絕緣 層110上。為了形成半導(dǎo)體圖案112,非晶硅層和包括雜質(zhì)的非晶硅層順序形成在柵 絕緣層110上。該非晶硅層和包含雜質(zhì)的非晶硅層可通過(guò)CVD形成。其后, 蝕刻非晶硅層和包含雜質(zhì)的非晶硅層以形成對(duì)應(yīng)柵極102的有源圖案112a, 以及暴露對(duì)應(yīng)溝道區(qū)的有源圖案112a的一部分的歐姆接觸圖案112b。因此, 可形成包括有源圖案112a和歐姆接觸圖案112b的半導(dǎo)體圖案112。設(shè)置在半導(dǎo)體圖案112的兩端的源極122和漏極132分別形成。同時(shí),與 柵線101交叉的數(shù)據(jù)線111形成。這里,彼此交叉的柵線101和數(shù)據(jù)線111 可限定像素。為了形成源極122、漏極132和數(shù)據(jù)線111,在包括半導(dǎo)體圖案112的基 板IOO上形成導(dǎo)電層。其后,刻蝕該導(dǎo)電層以形成設(shè)置在具有插入溝道的半導(dǎo) 體圖案112上的源極122和漏極132以及數(shù)據(jù)線111。數(shù)據(jù)線111和源極122可一體成型。因此,薄膜晶體管Tr、柵線101、數(shù)據(jù)線111、公共線103、接觸部分105 以及公共連接線104可形成在基板100上。參照?qǐng)D4C和圖5C,鈍化層120形成在包括薄膜晶體管Tr的基板100上。 鈍化層120可以是有機(jī)層、無(wú)機(jī)層,或這些層的疊層??捎糜谟袡C(jī)層的材料的 實(shí)例包括丙烯酸基樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、聚芳醚 樹(shù)脂、雜環(huán)聚合物樹(shù)脂、聚對(duì)二甲苯樹(shù)脂、苯環(huán)丁烯基樹(shù)脂以及聚丙烯腈 (polyacrynitril)樹(shù)脂。無(wú)機(jī)層的實(shí)例包括氧化硅層、氮化硅層和這些層的疊 層。這里,在鈍化層120是有機(jī)層的情形下,鈍化層120可使用狹縫涂覆、噴 涂或旋涂形成。另一方面,在鈍化層120是無(wú)機(jī)層的情形下,鈍化層120可通 過(guò)CVD形成。其后,暴露漏極132的一部分的第一接觸孔形成在鈍化層120中。同時(shí), 蝕刻鈍化層120和柵極110以形成暴露接觸部分105的第二接觸孔。通過(guò)第一接觸孔與漏極132電連接的像素電極124以及通過(guò)第二接觸孔與 接觸部分105電連接的公共電極125形成在鈍化層120上。為了形成像素電極124和公共電極125,透明導(dǎo)電層形成在鈍化層120上。 該透明導(dǎo)電層可通過(guò)沉積方法形成??捎糜谕该鲗?dǎo)電層的材料的實(shí)例包括ITO 和IZO。蝕刻該透明導(dǎo)電層以形成像素電極124和公共電極125。像素電極124包括第一像素電極124a和第二像素電極124b。第一像素電 極124a以預(yù)定間隔設(shè)置,分別對(duì)應(yīng)第一域D1和第二域D2,并具有不同的斜 率。第二像素電極124b電連接第一像素電極124a。此夕卜,第二像素電極124b 與公共線103重疊,并設(shè)置在鈍化層120上以形成存儲(chǔ)電容。公共電極125包括與第一像素電極124a交替設(shè)置的第一公共電極125a, 設(shè)置在第一域Dl和第二域D2之間的邊界處并與接觸部分105電連接的第二 公共電極125b,以及將第一公共電極125a與第二公共電極125b電連接的第 三公共電極125c。另外,公共連接線104可進(jìn)一步包括與第二像素電極124b的一部分重疊 的圖3A和圖3B的修復(fù)部分106。在公共電極125和接觸部分105之間產(chǎn)生 接觸缺陷的情形下,可在修復(fù)部分106上進(jìn)一步實(shí)施用于將公共電極125與公共線103連接的修復(fù)工藝。其后,定向?qū)?未示出)可進(jìn)一步形成在包括像素電極124和公共電極 125的基板100上。為了形成定向?qū)樱ㄏ驑?shù)脂層形成在基板上,然后在該定 向樹(shù)脂層上執(zhí)行定向工藝。定向工藝可利用光定向方法或摩擦方法實(shí)施。例如, 定向?qū)涌删哂衅叫杏跂啪€101的方向性。在使用摩擦工藝實(shí)施定向工藝的情形下,公共線103設(shè)置在像素的至少一 側(cè)上,從而防止產(chǎn)生由于公共線103的高度差引起的摩擦缺陷,并由此防止漏 光缺陷,例如,防止產(chǎn)生水平線缺陷。其后,執(zhí)行將上基板粘接到其上已經(jīng)形成有定向?qū)拥幕宓墓に?,在基?和上基板之間形成液晶層的工藝,以及組裝外部箱體的工藝以制造LCD器件。 這里,粘接工藝和液晶層形成工藝的順序可以改變,并不限制于該實(shí)施例的順 序。因此,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,在邊界處,S卩,第一域D1和第二域D2 之間的不透光區(qū)域形成公共電極125和公共線103之間的接觸,以防止孔徑比 減小。另外,由于公共線103僅設(shè)置在每個(gè)像素的一側(cè),并且與相鄰像素中的公 共電極125電連接,因此防止孔徑比減小以及可防止發(fā)生由摩擦缺陷導(dǎo)致的水 平線缺陷。本說(shuō)明書(shū)中"一個(gè)實(shí)施方式"、"實(shí)施方式"、"實(shí)施例"等等的任何參 考意指實(shí)施方式相關(guān)描述的特定的部件、結(jié)構(gòu)或特征包括在本發(fā)明的至少一個(gè) 實(shí)施方式中。在本說(shuō)明書(shū)中的不同位置處出現(xiàn)的所述短語(yǔ)不需要都指同一實(shí)施 方式。而且,當(dāng)描述任意實(shí)施方式相關(guān)的特定部件、結(jié)構(gòu)或特征時(shí), 一般認(rèn)為 在本領(lǐng)域的技術(shù)人員范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)其他實(shí)施方式相關(guān)的特征、結(jié)構(gòu)或特征。雖然參照多個(gè)所示的實(shí)施例描述了實(shí)施方式,但應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域的技術(shù)人 員可以設(shè)計(jì)落入在本公開(kāi)內(nèi)容的精神和范圍內(nèi)的許多其他修改的實(shí)施方式。更 具體地,在本公開(kāi)內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)部件和/或設(shè)置可以進(jìn) 行不同的變形和修改。除部件和/或設(shè)置的修改和變形外,對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員 來(lái)說(shuō)選擇使用也將顯而易見(jiàn)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件,包括多個(gè)像素,其包括分別產(chǎn)生不同方向的電場(chǎng)的至少第一域和第二域;設(shè)置在每個(gè)像素的所述第一域和第二域中的像素電極;設(shè)置在每個(gè)像素的第一域和第二域中以及二者之間的邊界處的公共電極,并且所述公共電極的一部分與所述像素電極的一部分交替設(shè)置以產(chǎn)生橫向電場(chǎng);與在對(duì)應(yīng)所述邊界的位置處的公共電極電連接的接觸部分;以及公共線,其與所述接觸部分電連接并設(shè)置在與設(shè)置有所述接觸部分的像素相鄰的相鄰像素中。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述公共線的至 少一部分與所述像素電極重疊,并在二者之間插入有介質(zhì)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,進(jìn)一步包括與公 共線彼此電連接的公共連接線,所述公共線設(shè)置在彼此相鄰的像素中。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述公共連接線 包括與所述公共電極重疊的修復(fù)部分,并在二者之間插入有介質(zhì)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述像素電極的 和所述公共電極的每一個(gè)均由透明導(dǎo)體形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件,其特征在于,進(jìn)一步包括彼此 重疊的所述像素電極和所述公共線形成的存儲(chǔ)電容,并在二者之間插入有介 質(zhì)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件,其特征在于,分別設(shè)置在所述 第一域和第二域中的像素電極彼此對(duì)稱(chēng)傾斜。
8. —種液晶顯示器件,包括包括多個(gè)像素的基板,其中每個(gè)像素具有第一域和第二域;接觸部分,其設(shè)置在多個(gè)像素的第n個(gè)像素的第一域和第二域之間的邊界處;公共線,其設(shè)置在所述多個(gè)像素的第(n+l)個(gè)像素的一側(cè)上并與所述接 觸部分電連接;設(shè)置在包括所述公共線和所述接觸部分的基板上的介質(zhì);第一像素電極,其以預(yù)定間隔設(shè)置在所述介質(zhì)上,并分別設(shè)置在所述第一 域和第二域中且具有不同的斜率;第二像素電極,其電連接所述第一像素電極并與所述公共線重疊,該第二 像素電極設(shè)置在所述介質(zhì)上;與所述第一像素電極交替設(shè)置的第一公共電極;第二公共電極,其設(shè)置在所述第一域和第二域之間的邊界處,并與所述接 觸部分電連接;以及第三公共電極,其將所述第一公共電極與所述第二公共電極電連接。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器件,其特征在于,進(jìn)一步包括 與所述公共線垂直設(shè)置的柵線;與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線,該數(shù)據(jù)線平行于所述公共線;以及 設(shè)置在所述像素中的薄膜晶體管,其與所述柵線和所述數(shù)據(jù)線電連接,并 與所述第二像素電極電連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件,其特征在于,提供電連接分別 設(shè)置在彼此相鄰像素中的公共線的公共連接線,并且所述公共連接線與所述柵 線平行。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述公共連接 線包括與所述公共電極的一部分重疊的修復(fù)部分,并在二者之間插入有所述介 質(zhì)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器件,其特征在于,所述公共線和所 述接觸部分一體成型。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器件,其特征在于,分別設(shè)置在所述 第一域和第二域中的所述第一像素電極彼此對(duì)稱(chēng)傾斜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示器件。該液晶顯示器件包括像素,該像素包括產(chǎn)生不同方向電場(chǎng)的至少兩個(gè)域。設(shè)置在所述域之間的邊界處的接觸部分將公共線與公共電極電連接。該公共線設(shè)置在與所述像素相鄰的像素中,從而視角和孔徑比都可增加。
文檔編號(hào)H01L21/84GK101403836SQ20081016169
公開(kāi)日2009年4月8日 申請(qǐng)日期2008年10月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月5日
發(fā)明者姜汶秀, 石大永 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司
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