專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法。本發(fā)明可以應(yīng)用于如下的 半導(dǎo)體器件的制造方法，即在半導(dǎo)體芯片與配線圖案之間形成倒裝 芯片結(jié)合，并且在從平面觀看的狀態(tài)下，該半導(dǎo)體器件的尺寸與半導(dǎo) 體芯片的尺寸大致相同。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件包括稱為芯片級封裝的半導(dǎo)體器件(例 如，見圖l)，在從平面觀看的狀態(tài)下，該芯片級封裝的尺寸與半導(dǎo) 體芯片的尺寸大致相同。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的剖視圖。參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)的
半導(dǎo)體器件100具有半導(dǎo)體芯片101、內(nèi)部連接端子102、樹脂層 103、配線圖案104、阻焊層106和外部連接端子107。
半導(dǎo)體芯片101具有形成為薄板狀的半導(dǎo)體基板109 (例如， 拋光或研磨)、半導(dǎo)體集成電路Hl、多個電極焊盤H2和保護(hù)膜113。 例如，半導(dǎo)體基板109是通過將形成為薄板狀的硅晶片分開而獲得的 基板。
半導(dǎo)體集成電路in布置在半導(dǎo)體基板109的前側(cè)上。半導(dǎo)體 集成電路lll由擴散層、絕緣層、導(dǎo)通部和配線等(未示出)構(gòu)成。 多個電極焊盤112布置在半導(dǎo)體集成電路111上。所述多個電極焊盤 112與布置在半導(dǎo)體集成電路111中的配線電連接。保護(hù)膜113布置 在半導(dǎo)體集成電路ill上。保護(hù)膜113是用于保護(hù)半導(dǎo)體集成電路
111的薄膜。
內(nèi)部連接端子102布置在電極焊盤112上。內(nèi)部連接端子102 的上端從樹脂層103露出。內(nèi)部連接端子102的上端與配線圖案104 連接。樹脂層103布置成覆蓋半導(dǎo)體芯片101的布置有內(nèi)部連接端子
102的表面。
配線圖案104布置在樹脂層103上。配線圖案104與內(nèi)部連接 端子102連接。配線圖案104通過內(nèi)部連接端子102與電極焊盤112 電連接。配線圖案104具有外部連接端子布置區(qū)104A,在該外部連 接端子布置區(qū)104A中布置有外部連接端子107。阻焊層106布置在 樹脂層103上，以覆蓋配線圖案104的除了外部連接端子布置區(qū)104A 以外的部分。
圖2是形成有現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體基板的平面圖。在 圖2中，C表示切塊機切割半導(dǎo)體基板110的位置(以下稱為"切割 位置C")。參考圖2，半導(dǎo)體基板IIO具有多個半導(dǎo)體器件形成區(qū) A和用于分開多個半導(dǎo)體器件形成區(qū)A的劃線區(qū)B。多個半導(dǎo)體器 件形成區(qū)A是形成有半導(dǎo)體器件100的區(qū)域。通過將半導(dǎo)體基板110 形成為薄板，并沿著切割位置C進(jìn)行切割，就形成了上述半導(dǎo)體基 板109 (見圖1)。
圖3至圖11是示出現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖。 在圖3至圖11中，與圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件100的元件相 同的元件用相同的附圖標(biāo)記表示。此外，在圖3至圖n中，A表示 多個半導(dǎo)體器件形成區(qū)(以下稱為"半導(dǎo)體器件形成區(qū)A" ) ， B表 示用于分開多個半導(dǎo)體器件形成區(qū)的劃線區(qū)(以下稱為"劃線區(qū)B")， C表示切塊刀切割半導(dǎo)體基板110的位置(以下稱為"切割位置C")。
首先，在圖3所示步驟中，在使半導(dǎo)體基板IIO形成薄板之前， 在半導(dǎo)體基板110的表面?zhèn)壬闲纬删哂邪雽?dǎo)體集成電路111、多個電 極焊盤112和保護(hù)膜113的半導(dǎo)體芯片101。此外，在形成配線圖案 104時，在半導(dǎo)體基板110上形成例如用作位置基準(zhǔn)的對準(zhǔn)圖案(未 示出)i ?？梢杂衫玟X配線在例如半導(dǎo)體基板110的劃線區(qū)B內(nèi)形 成對準(zhǔn)圖案。
接下來，在圖4所示步驟中，在多個電極焊盤112上形成內(nèi)部 連接端子102。在該階段，多個內(nèi)部連接端子102具有不同的高度。 然后，在圖5所示步驟中，把平板115壓在多個內(nèi)部連接端子102 上，使多個內(nèi)部連接端子102等高。然后，在圖6所示步驟中，形成
樹脂層103以覆蓋內(nèi)部連接端子102和半導(dǎo)體芯片101的形成有內(nèi)部 連接端子102的表面。由于樹脂層103形成在整個半導(dǎo)體基板110 上，所以包含劃線區(qū)B的整個半導(dǎo)體基板110都被樹脂層103所覆
蓋o
然后，在圖7所示步驟中，對樹脂層103進(jìn)行拋光，直到內(nèi)部 連接端子102的上表面102A從樹脂層103露出為止。此時，繼續(xù)進(jìn) 行拋光，使得樹脂層103的上表面103A與內(nèi)部連接端子102的上表 面102A基本平齊。因此，使圖7所示的結(jié)構(gòu)主體的上表面(具體為 樹脂層103的上表面103A和內(nèi)部連接端子102的上表面102A)形 成平的表面。
然后，在圖8所示步驟中，在圖7所示結(jié)構(gòu)主體的形成平表面 的上表面上形成配線圖案104。具體地說，在配線圖案104中，例如， 在圖7所示結(jié)構(gòu)主體上粘貼例如金屬箔(未示出)，然后施加抗蝕劑
(未示出)以覆蓋金屬箔，再使抗蝕劑曝光和顯影，從而在金屬箔的 與配線圖案104的形成區(qū)相對應(yīng)的部分上形成抗蝕膜(未示出)。此 后使用抗蝕膜作為掩模對金屬箔進(jìn)行蝕刻，從而形成配線圖案104
(減成法)。此后，去除抗蝕膜。曝光設(shè)備(未示出)探測形成在半 導(dǎo)體基板IIO上的對準(zhǔn)圖案(未示出)的位置，從而確定抗蝕劑的曝 光區(qū)。
然而，在圖6所示步驟中，形成樹脂層103以覆蓋整個半導(dǎo)體 基板110，使得對準(zhǔn)圖案也被樹脂層103所覆蓋，并且不能用使用 CCD照相機的便宜曝光設(shè)備(未示出)識別對準(zhǔn)圖案。因此，在具 有紅外線或X射線發(fā)射功能的昂貴曝光設(shè)備(未示出)中，樹脂層 103被透射，從而識別對準(zhǔn)圖案并使抗蝕劑曝光。
然后，在圖9所示步驟中，在樹脂層103上形成阻焊層106以 覆蓋配線圖案104的除了外部連接端子布置區(qū)104A以外的部分。然 后，在圖IO所示步驟中，從半導(dǎo)體基板IIO的背面對半導(dǎo)體基板110 拋光，并使半導(dǎo)體基板IIO形成薄板。然后，在圖ll所示步驟中， 在外部連接端子布置區(qū)104A中形成外部連接端子107。
此后，通過切割半導(dǎo)體基板110的與切割位置C相對應(yīng)的部分
的方式制成多個半導(dǎo)體器件100。在這種情況下，在圖6所示步驟中，
樹脂層103形成在半導(dǎo)體基板110的與劃線區(qū)B相對應(yīng)的部分上， 使得樹脂層103也同半導(dǎo)體基板IIO—起被切割(例如，見未經(jīng)審査 的日本專利申請公開出版物No.2002-313985)。
然而，在現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件100的制造方法中，在使用具 有紅外線或X射線發(fā)射功能的曝光設(shè)備的情況下探測對準(zhǔn)圖案的精 度不夠高，從而降低了配線圖案104相對于內(nèi)部連接端子102的形成 位置的精度。
此外，在形成抗蝕膜以便形成配線圖案104的情況下使用的具 有紅外線或X射線發(fā)射功能的曝光設(shè)備昂貴，從而增加了半導(dǎo)體器 件100的制造成本。
此外，在制造多個半導(dǎo)體器件100的情況下，樹脂層103也同 半導(dǎo)體基板110 —起被切割，并且保護(hù)膜113與形成在半導(dǎo)體基板 110上的半導(dǎo)體芯片101的粘合性不佳，使得半導(dǎo)體芯片101與保護(hù) 膜113之間的界面剝離，從而降低了半導(dǎo)體器件100的成品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施例提供了這樣一種半導(dǎo)體器件的制造方 法，這種方法能夠提高配線圖案相對于內(nèi)部連接端子的形成位置的精 度，降低半導(dǎo)體器件的制造成本，并且提高半導(dǎo)體器件的成品率。 根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法包括 半導(dǎo)體芯片形成步驟，即在半導(dǎo)體基板的多個半導(dǎo)體芯片形成 區(qū)中形成多個半導(dǎo)體芯片；
對準(zhǔn)圖案形成步驟，即在半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體芯片形成區(qū)之間
的劃線區(qū)中形成對準(zhǔn)圖案；
內(nèi)部連接端子形成步驟，即在半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上形成內(nèi) 部連接端子；
絕緣層形成步驟，即在上面形成有半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體基板上 形成具有穿通槽的絕緣層，并使穿通槽與半導(dǎo)體基板的劃線區(qū)相對； 金屬層形成步驟，即在絕緣層上形成金屬層；
配線圖案形成步驟，即基于對準(zhǔn)圖案使待與內(nèi)部連接端子電連 接的配線圖案的形成位置對準(zhǔn)，基于所述形成位置使金屬層圖案化， 從而形成配線圖案；以及
切割步驟，即在配線圖案形成步驟之后對半導(dǎo)體基板的與劃線 區(qū)相對應(yīng)的部分進(jìn)行切割。
根據(jù)本發(fā)明，在形成于半導(dǎo)體基板上的絕緣層中設(shè)置用于使形 成在劃線區(qū)中的對準(zhǔn)圖案露出的穿通槽，因此可以通過對對準(zhǔn)圖案具 有足夠高的探測精度的、使用CCD照相機的曝光設(shè)備，而不是對對 準(zhǔn)圖案沒有足夠高的探測精度的、具有紅外線或X射線發(fā)射功能的 曝光設(shè)備識別對準(zhǔn)圖案，從而可以提高配線圖案相對于內(nèi)部連接端子 的形成位置的精度。
此外，通過在形成于半導(dǎo)體基板上的絕緣層中設(shè)置用于使形成 在劃線區(qū)中的對準(zhǔn)圖案露出的穿通槽，可以通過使用便宜的CCD照 相機的曝光設(shè)備而不是使用具有紅外線或X射線發(fā)射功能的昂貴曝 光設(shè)備識別對準(zhǔn)圖案，從而可以降低半導(dǎo)體器件的制造成本。
此外，通過在形成于半導(dǎo)體基板上的絕緣層中設(shè)置用于使形成 在劃線區(qū)中的對準(zhǔn)圖案露出的穿通槽，在切割步驟中可以僅對半導(dǎo)體 基板進(jìn)行切割，并且抑制了半導(dǎo)體芯片與保護(hù)膜之間的界面剝離的情 況，從而可以提高半導(dǎo)體器件的成品率。
根據(jù)本發(fā)明，可以提高配線圖案相對于內(nèi)部連接端子的形成位 置的精度，降低半導(dǎo)體器件的制造成本，并且可以提高半導(dǎo)體器件的 成品率。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的剖視圖。 圖2是半導(dǎo)體基板的平面圖。
圖3是示出現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第一步)。 圖4是示出現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第二步)。 圖5是示出現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第三步)。 圖6是示出現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第四步)。
圖7是示出現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第五步)。 圖8是示出現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第六步)。 圖9是示出現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第七步)。 圖10是示出現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第八步)。
圖11是示出現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第九步)。
圖12是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖13是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第一步)。
圖14是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第二步)。
圖15是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的視圖(第三步)。
圖16是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第四步)。
圖17是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第五步)。
圖18是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第六步)。
圖19是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第七步)。
圖20是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第八步)。
圖21是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第九步)。
圖22是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第十步)。
圖23是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第十一步)。
圖24是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第十二步)。
圖25是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第十三步)。
圖26是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第十四步)。
圖27是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第十五步)。
圖28是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第十六步)。
圖29是示出對準(zhǔn)圖案的實例的視圖(圖17所示半導(dǎo)體器件的 平面圖)。
圖30是示出對準(zhǔn)圖案的另一個實例的視圖(第一實例)。 圖31是示出對準(zhǔn)圖案的其他實例的視圖(第二實例)。 圖32是示出對準(zhǔn)圖案的其他實例的視圖(第三實例)。 圖33是半導(dǎo)體基板的平面圖。
圖34是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖35是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第一步)。
圖36是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第二步)。
圖37是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第三步)。
圖38是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第四步)。
圖39是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第五步)。
圖40是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第六步)。
圖41是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的
視圖(第七步)。
圖42是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第八步)。
圖43是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第九步)。
圖44是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的
視圖(第十步)。
圖45是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第十一步)。
圖46是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制造步驟的 視圖(第十二步)。
具體實施例方式
接下來，將基于附圖描述本發(fā)明的實施例。 (第一實施例)
圖12是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。參考圖 12，第一實施例的半導(dǎo)體器件io具有半導(dǎo)體芯片n、內(nèi)部連接端
子12、絕緣層13、配線圖案14、阻焊層16和外部連接端子17。
半導(dǎo)體芯片11具有半導(dǎo)體基板21、半導(dǎo)體集成電路22、多
個電極焊盤23和保護(hù)膜24。半導(dǎo)體基板21是用于形成半導(dǎo)體集成
電路22的基板。半導(dǎo)體基板21呈薄板狀。半導(dǎo)體基板21的厚度T,
可以設(shè)置為例如100(im至30(^m。半導(dǎo)體基板21是例如通過使呈薄
板狀的硅晶片分開而獲得的基板。
半導(dǎo)體集成電路22布置在半導(dǎo)體基板21的前側(cè)上。半導(dǎo)體集
成電路22由形成在半導(dǎo)體基板21上的擴散層(未示出)、堆疊在半
導(dǎo)體基板21上的絕緣層(未示出)、布置在堆疊的絕緣層中的導(dǎo)通
部(未示出)以及配線等(未示出)構(gòu)成。
所述多個電極焊盤23布置在半導(dǎo)體集成電路22上。電極焊盤
23與布置在半導(dǎo)體集成電路22中的配線(未示出)電連接?？梢允?br> 用例如鋁作為電極焊盤23的材料。
保護(hù)膜24布置在半導(dǎo)體集成電路22上。保護(hù)膜24是用于保護(hù) 半導(dǎo)體集成電路22的薄膜?？梢允褂美鏢iN膜或PSG膜作為保護(hù) 膜24。
內(nèi)部連接端子12布置在電極焊盤23上。內(nèi)部連接端子12是用 于使半導(dǎo)體集成電路22與配線圖案14電連接的裝置。內(nèi)部連接端子 12的高度H!可以設(shè)置為例如10pm至6(^m?？梢允褂美缃鹜裹c、 鍍金膜、或者由通過非電鍍法形成的鎳膜和覆蓋該鎳膜的金膜構(gòu)成的 金屬膜作為內(nèi)部連接端子12。可以通過例如結(jié)合法或電鍍法形成金 凸點。
絕緣層13布置成覆蓋半導(dǎo)體芯片ll和內(nèi)部連接端子12的除了 內(nèi)部連接端子12的上表面12A以外的部分。內(nèi)部連接端子12的上 表面12A從絕緣層13露出。絕緣層13的上表面13A與內(nèi)部連接端 子12的上表面12A基本平齊?？梢允褂美缇哂姓承缘钠瑺罱^緣層 (例如，非導(dǎo)電膜(NCF， Non Conductive Film))或膏狀絕緣層(例 如，非導(dǎo)電膏(NCP， Non Conductive Paste))作為絕緣層13。絕 緣層13的厚度T2可以設(shè)置為例如10inm至60nm。
配線圖案14布置在絕緣層13的上表面13A上，以便與內(nèi)部連 接端子12的上表面12A接觸。配線圖案14通過內(nèi)部連接端子12與 半導(dǎo)體集成電路22電連接。配線圖案14具有布置外部連接端子17 的外部連接端子布置區(qū)14A。可以使用例如銅作為配線圖案14的材 料。配線圖案14的厚度可以設(shè)置為例如12nm。
阻焊層16布置在絕緣層13上，以便覆蓋配線圖案14的除了外 部連接端子布置區(qū)14A以外的部分。
外部連接端子17布置在配線圖案14的外部連接端子布置區(qū)14A 中。外部連接端子17是與布置在例如母板等安裝基板(未示出)中 的焊盤電連接的端子?？梢允褂美绾噶贤裹c作為外部連接端子17。
另外，如下文所述，因為考慮到在切割半導(dǎo)體基板31的情況下 切割位置C與切塊刀35的位置偏差，所以在半導(dǎo)體器件10外圍部 分的半導(dǎo)體芯片11與絕緣層13之間的邊界處產(chǎn)生階梯部分，并且即 使當(dāng)切割位置C與切塊刀35存在位置偏差時，由于在穿通槽26的
壁面與切塊刀35之間設(shè)置有單側(cè)間隙W2，所以保證僅切割半導(dǎo)體基
板31而不會使切塊刀35與絕緣層13接觸(見圖27和圖28)。
圖13至圖28是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的制 造步驟的視圖，圖29是示出對準(zhǔn)圖案的實例的視圖(圖17所示的半 導(dǎo)體器件的平面圖)。此外，圖30至圖32是示出對準(zhǔn)圖案的其他實 例的視圖，圖33是半導(dǎo)體基板的平面圖。在圖13至圖32中，與第 一實施例的半導(dǎo)體器件10的元件相同的元件用相同的附圖標(biāo)記表 示。此外，在圖16至圖32中，A表示多個半導(dǎo)體器件形成區(qū)(以下 稱為"半導(dǎo)體器件形成區(qū)A" ) ， B表示用于分開多個半導(dǎo)體器件形 成區(qū)的劃線區(qū)(以下稱為"劃線區(qū)B" ) ， C表示切塊刀切割半導(dǎo)體 基板31的位置(以下稱為"切割位置C")。
首先，在圖13所示步驟中，在支撐主體25的上表面25A上形 成金屬層33。在下面圖22所示的步驟中，蝕刻金屬層33以形成配 線圖案14。具體地說，制備銅箔作為金屬層33，并且將該銅箔粘貼 在支撐主體25的上表面25A上。金屬層33的厚度Ts可以設(shè)置為例 如10pm。可以使用例如帶(例如菱形花紋帶)、樹脂板或金屬板作 為支撐主體25。此外，可以使用光學(xué)透明材料和光學(xué)不透明材料中 的任一種作為支撐主體25。
接下來，在圖14所示步驟中，在形成于支撐主體25的上表面 25A上的金屬層33的上表面33A上形成絕緣層13?？梢允褂镁哂姓?性的片狀絕緣樹脂(例如，非導(dǎo)電膜(NCF， Non Conductive Film)) 或膏狀絕緣樹脂(例如，非導(dǎo)電膏(NCP， Non Conductive Paste)) 作為絕緣層13。在使用具有粘性的片狀絕緣樹脂作為絕緣層13的情 況下，通過將片狀絕緣樹脂粘貼在圖13所示結(jié)構(gòu)主體的金屬層33 的上表面33A上來形成絕緣層13。此外，在使用膏狀絕緣樹脂作為 絕緣層B的情況下，通過印刷的方法將膏狀絕緣層13形成在圖13 所示結(jié)構(gòu)主體的金屬層33的上表面33A上，然后預(yù)烘烤絕緣層13， 使絕緣層13部分固化。這種部分固化的絕緣層13具有粘性。絕緣層 13的厚度丁4可以設(shè)置為例如20pm至100pm。
然后，在圖15所示步驟中，通過例如切塊處理的方式對圖14
所示結(jié)構(gòu)主體的絕緣層13和金屬層33進(jìn)行預(yù)切割，從而形成穿通槽 26。穿通槽26布置在使劃線區(qū)B在下面所述的圖20所示步驟中露 出的位置，布置在半導(dǎo)體基板31中的對準(zhǔn)圖案27形成在劃線區(qū)B 中。
因此，通過在金屬層33和絕緣層13中布置與形成有對準(zhǔn)圖案 27的劃線區(qū)B相對應(yīng)的穿通槽26，即使半導(dǎo)體芯片11與絕緣層13 在圖19的步驟中粘貼在一起之后，也可以從半導(dǎo)體器件10的前側(cè)(形 成半導(dǎo)體集成電路22的那側(cè))識別對準(zhǔn)圖案27。
然后，在圖16所示步驟中，制備具有多個半導(dǎo)體器件形成區(qū)A 和用于分開多個半導(dǎo)體器件形成區(qū)A的劃線區(qū)B的半導(dǎo)體基板31(見 圖33)。半導(dǎo)體基板31呈薄板狀，沿著切割位置C對半導(dǎo)體基板 31進(jìn)行切割，從而形成了上述半導(dǎo)體基板21 (見圖12)?？梢允褂?例如硅晶片作為半導(dǎo)體基板31。半導(dǎo)體基板31的厚度T3可以設(shè)置 為例如500(im至775,。
然后，在圖17所示步驟中，通過已知技術(shù)在半導(dǎo)體基板31的 與半導(dǎo)體器件形成區(qū)A相對應(yīng)的前側(cè)形成具有半導(dǎo)體集成電路22、 電極焊盤23和保護(hù)膜24的半導(dǎo)體芯片11 (半導(dǎo)體芯片形成步驟)。 可以使用例如鋁作為電極焊盤23的材料。同樣，可以使用例如SiN 膜或PSG膜作為保護(hù)膜24。
此外，在圖n所示步驟中，在劃線區(qū)B中形成對準(zhǔn)圖案27 (對 準(zhǔn)圖案形成步驟)。例如在形成配線圖案時通過曝光設(shè)備識別對準(zhǔn)圖 案27，該對準(zhǔn)圖案是一種用作位置基準(zhǔn)的標(biāo)記。如圖29所示，在例 如半導(dǎo)體基板31的劃線區(qū)B的半導(dǎo)體器件10的對角位置中形成對 準(zhǔn)圖案27。此外，可以在例如半導(dǎo)體器件10的四角形成對準(zhǔn)圖案27。
對準(zhǔn)圖案27可以具有例如如圖29所示的圓柱形，但還可以具 有如圖30所示的四棱柱形、如圖31所示的在從平面上看時呈矩形的 四棱柱形、如圖32所示的排列成十字形的四個四棱柱形等，并且可 以具有除了圖29至圖32所示形狀以外的其他形狀，只要對準(zhǔn)圖案具 有能夠被曝光設(shè)備或粘貼設(shè)備所識別的形狀即可。此外，可以使用例 如單層的鋁層、銅層或鈦層，或者通過堆疊這些層中的至少兩種獲得
的層作為對準(zhǔn)圖案27。此外，劃線區(qū)B的寬度可以設(shè)置為例如0.2mm。 在這種情況下，對準(zhǔn)圖案27可以呈例如圓柱形(例如，直徑為 O.lmm)。因此，通過在同一步驟中形成電極焊盤23和對準(zhǔn)圖案27， 可以減少制造步驟，從而可以降低半導(dǎo)體器件10的制造成本。另外， 可以在不同步驟中形成電極焊盤23和對準(zhǔn)圖案27。
然后，在圖18所示步驟中，在布置在多個半導(dǎo)體器件形成區(qū)A 中的多個電極焊盤23上分別形成內(nèi)部連接端子12 (內(nèi)部連接端子形 成步驟)。可以使用例如金凸點、鍍金膜、或者由通過非電鍍法形成 的鎳膜和形成在該鎳膜上的金膜構(gòu)成的金屬膜作為內(nèi)部連接端子 12?？梢酝ㄟ^例如結(jié)合法形成金凸點。另外，在圖18所示步驟中形 成的多個內(nèi)部連接端子12的高度是不同的。
然后，在圖19所示步驟中，將絕緣層13粘貼在半導(dǎo)體芯片11 上，使得支撐主體25 (圖15所示的結(jié)構(gòu)主體)的形成有金屬層33 和絕緣層13的表面與半導(dǎo)體基板31 (圖18所示的結(jié)構(gòu)主體)的形 成有多個半導(dǎo)體芯片11的表面相對。在這種情況下，絕緣層13粘貼 在半導(dǎo)體芯片11上，并且圖15所示結(jié)構(gòu)主體的穿通槽26使圖18 所示結(jié)構(gòu)主體的劃線區(qū)B露出。在對準(zhǔn)劃線區(qū)B與穿通槽26時，可 以通過粘貼設(shè)備識別對準(zhǔn)圖案27，并且可以參考對準(zhǔn)圖案27進(jìn)行劃 線區(qū)B與穿通槽26的對準(zhǔn)。通過參考對準(zhǔn)圖案27將圖15所示的結(jié) 構(gòu)主體粘貼在圖18所示的結(jié)構(gòu)主體上，可以提高穿通槽26相對于劃 線區(qū)B的位置的精度。
這里，對準(zhǔn)圖案27被支撐主體25所覆蓋，所以當(dāng)支撐主體25 由光學(xué)透明材料制成時，可以使用沒有特殊功能的粘貼設(shè)備；而當(dāng)支 撐主體25由光學(xué)不透明材料制成時，則需要具有紅外線或X射線發(fā) 射功能的特殊粘貼設(shè)備。
在粘貼在一起之后，在對圖19所示的結(jié)構(gòu)主體加熱的狀態(tài)下， 沿著箭頭方向按壓支撐主體25，金屬層33的上表面33A與多個內(nèi)部 連接端子12的上表面12A接觸，金屬層33在內(nèi)部連接端子12上彎 曲。此外，通過加熱圖19所示的結(jié)構(gòu)主體而使絕緣層13固化。彎曲 之后的絕緣層13的厚度丁2可以設(shè)置為例如10nm至60pm。
然后，在圖20所示步驟中，去除圖19所示的支撐主體25。由 于穿通槽26設(shè)置在劃線區(qū)B上，所以可以從半導(dǎo)體器件10的前側(cè) (形成半導(dǎo)體集成電路22的那側(cè))識別對準(zhǔn)圖案27。也就是說，不 需要對準(zhǔn)圖案27的識別精度降低的、具有X射線或紅外線發(fā)射功能 的昂貴的特殊曝光設(shè)備，而是可以用使用CCD照相機的便宜曝光設(shè) 備，從而可以高精度地識別對準(zhǔn)圖案27。
然后，在圖21所示步驟中，將抗蝕劑施加在金屬層33上，然 后使該抗蝕劑曝光并顯影，從而在金屬層33的與配線圖案14形成區(qū) 相對應(yīng)的部分上形成抗蝕膜36。曝光設(shè)備探測對準(zhǔn)圖案27的位置， 從而確定抗蝕膜36的曝光區(qū)。
然后，在圖22所示步驟中，使用抗蝕膜36作為掩模對金屬層 33進(jìn)行蝕刻，去除金屬層33的在圖21中未形成抗蝕膜36的部分， 從而形成了配線圖案14 (配線圖案形成步驟)。如圖20至圖22所 示，本實施例示出了通過減成法形成配線圖案14的實例。
然后，在圖23所示步驟中，去除圖22所示的抗蝕膜36。此后， 對配線圖案14進(jìn)行粗糙化處理?？梢酝ㄟ^黑化處理或粗糙化蝕刻處 理中的任何方法進(jìn)行配線圖案14的粗糙化處理。粗糙化處理是用于 改善配線圖案14與形成在配線圖案14側(cè)表面和上表面上的阻焊層 16之間的附著性的處理。
因為在形成于半導(dǎo)體基板31上的絕緣層13中布置用于露出形 成在劃線區(qū)B中的對準(zhǔn)圖案27的穿通槽26，所以可以通過使用CCD 照相機的曝光設(shè)備高精度地識別對準(zhǔn)圖案27，從而可以提高配線圖 案14相對于內(nèi)部連接端子12的形成位置的精度。此外，可以通過使 用便宜CCD照相機的曝光設(shè)備而不是使用具有紅外線或X射線發(fā)射 功能的昂貴曝光設(shè)備識別對準(zhǔn)圖案27，從而可以降低半導(dǎo)體器件的 制造成本。
然后，在圖24所示步驟中，形成阻焊層16以覆蓋絕緣層13和 配線圖案14的除了劃線區(qū)B與外部連接端子布置區(qū)14A以外的部 分。
然后，在圖25所示步驟中，從半導(dǎo)體基板31的背面對半導(dǎo)體
基板31進(jìn)行拋光或研磨，從而使半導(dǎo)體基板31形成薄板狀。在使半
導(dǎo)體基板31形成薄板狀的過程中，可以使用例如背面研磨機。在形 成薄板狀之后，半導(dǎo)體基板31的厚度T6可以設(shè)置為例如100pm至 300pm。
然后，在圖26所示步驟中，在配線圖案14的外部連接端子布 置區(qū)14A中形成外部連接端子17。因而，在多個半導(dǎo)體器件形成區(qū) A中形成了與半導(dǎo)體器件IO相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)主體。
然后，在圖27所示步驟中，沿著切割位置C僅對半導(dǎo)體基板 31的與劃線區(qū)B相對應(yīng)的部分進(jìn)行切割(切割步驟)。通過例如切 塊的方式切割半導(dǎo)體基板31。這里，切塊刀35的寬度Wt可以設(shè)置 為小于或等于劃線區(qū)B的寬度。此外，例如，考慮了由切塊設(shè)備引 起的切割位置C與切塊刀35的位置偏差，即使切割位置C與切塊刀 35存在位置偏差，但在穿通槽26的壁面與切塊刀35之間設(shè)置有單 側(cè)間隙W2，從而保證僅切割半導(dǎo)體基板31而不會使切塊刀35與絕 緣層13接觸。切塊刀35的寬度W!可以設(shè)置為例如0.04mm。此外， 穿通槽26的壁面與切塊刀35之間的間隙的寬度W2可以設(shè)置為例如 0.08隨。
然后，在圖28所示步驟中，完成了對半導(dǎo)體基板31的切割， 并且制成了多個半導(dǎo)體器件10。另外，如上文所述，因為考慮到在 切割半導(dǎo)體基板31時切割位置C與切塊刀35的位置偏差，所以在 半導(dǎo)體器件10的外圍部分的半導(dǎo)體芯片11與絕緣層13之間的邊界 處產(chǎn)生階梯部分，并且即使切割位置C與切塊刀35存在位置偏差， 但在穿通槽26的壁面與切塊刀35之間設(shè)置有單側(cè)間隙W2，從而保 證僅切割半導(dǎo)體基板31而不會使切塊刀35與絕緣層13接觸。
根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，在形成在半導(dǎo)體基板 31上的絕緣層13中布置用于使形成在劃線區(qū)B中的對準(zhǔn)圖案27露 出的穿通槽26，因此可以通過對對準(zhǔn)圖案27具有足夠高的探測精度 的、使用CCD照相機的曝光設(shè)備，而不是使用對對準(zhǔn)圖案27沒有足 夠高的探測精度的、具有紅外線或X射線發(fā)射功能的曝光設(shè)備識別 對準(zhǔn)圖案27，從而可以提高配線圖案14相對于內(nèi)部連接端子12的
形成位置的精度。
此外，通過在形成在半導(dǎo)體基板31上的絕緣層13中布置用于
使形成在劃線區(qū)B中的對準(zhǔn)圖案27露出的穿通槽26，可以通過使用 便宜CCD照相機的曝光設(shè)備而不是使用具有紅外線或X射線發(fā)射功 能的昂貴曝光設(shè)備識別對準(zhǔn)圖案27，從而可以降低半導(dǎo)體器件10的 制造成本。
此外，通過在形成于半導(dǎo)體基板31上的絕緣層13中布置用于 使對劃線區(qū)B露出的穿通槽26，在切割步驟中僅對半導(dǎo)體基板31進(jìn) 行切割，并且抑制了半導(dǎo)體芯片11與保護(hù)膜24之間的界面剝離的情 況，從而可以提高半導(dǎo)體器件IO的成品率。
(第二實施例)
圖34是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖。在圖34 中，與第一實施例的半導(dǎo)體器件10的元件相同的元件用相同的附圖 標(biāo)記表示。參考圖34，除了布置由金屬種晶層42和金屬膜43制成 的配線圖案41來代替布置在第一實施例的半導(dǎo)體器件10中的配線圖 案14.以外，第二實施例的半導(dǎo)體器件40的構(gòu)造方式與半導(dǎo)體器件 IO相似?？梢允褂美玢~層作為金屬種晶層42。此外，金屬種晶層 42的厚度丁7可以設(shè)置為例如0.5pm至l.Opm。可以使用例如銅作為 金屬膜43。此外，金屬膜43的厚度Tg可以設(shè)置為例如10pm至20pm。
圖35至圖46是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的制 造步驟的視圖。在圖35至圖46中，與第二實施例的半導(dǎo)體器件40 的元件相同的元件用相同的附圖標(biāo)記表示。
參考圖35至圖46描述第二實施例的半導(dǎo)體器件40的制造方法。 首先，在圖35所示步驟中，在支撐主體25的上表面25A上形成絕 緣層13?？梢允褂美鐜?例如菱形花紋帶)、樹脂板或金屬板作 為支撐主體25。此外，可以使用光學(xué)透明材料和光學(xué)不透明材料中 的任一種作為支撐主體25。
可以使用具有粘性的片狀絕緣樹脂(例如，非導(dǎo)電膜(NCF， Non Conductive Film))或膏狀絕緣樹脂(例如，非導(dǎo)電膏(NCP，
Non Conductive Paste))作為絕緣層13。在使用具有粘性的片狀絕 緣樹脂作為絕緣層13的情況下，通過將片狀絕緣樹脂粘貼在支撐主 體25的上表面25A上形成絕緣層13。此外，在使用膏狀絕緣樹脂作 為絕緣層13的情況下，通過印刷方法將膏狀絕緣層13形成在支撐主 體25的上表面25A上，然后預(yù)烘烤絕緣樹脂，使絕緣樹脂部分固化。 這種部分固化的絕緣樹脂具有粘性。絕緣層13的厚度丁4可以設(shè)置為 例如20pm至lOOjam。
接下來，在圖36所示步驟中，通過例如切塊處理的方式對圖35 所示結(jié)構(gòu)主體中的絕緣層13進(jìn)行預(yù)切割，從而形成穿通槽26。穿通 槽26布置在使形成在半導(dǎo)體基板31中的劃線區(qū)B在下面所述的圖 38所示步驟中露出的位置。
因此，通過在絕緣層13中布置與形成有對準(zhǔn)圖案27的劃線區(qū)B 相對應(yīng)的穿通槽26，即使在半導(dǎo)體芯片11與絕緣層13在圖37步驟 中粘貼在一起之后，也可以從半導(dǎo)體器件40的前側(cè)(形成半導(dǎo)體集 成電路22的那側(cè))識別對準(zhǔn)圖案27。
然后，通過進(jìn)行與在第一實施例中描述并在圖16至圖18中示 出的步驟相似的處理形成圖18所示的結(jié)構(gòu)主體。在該階段，多個內(nèi) 部連接端子12的高度是不同的。
然后，在圖37所示步驟中，將絕緣層13粘貼在半導(dǎo)體芯片11 上，使得支撐主體25 (圖36所示的結(jié)構(gòu)主體)的形成有絕緣層13 的表面與半導(dǎo)體基板31 (圖18所示的結(jié)構(gòu)主體)的形成有多個半導(dǎo) 體芯片11的表面相對。在這種情況下，絕緣層13粘貼在半導(dǎo)體芯片 11上，圖36所示結(jié)構(gòu)主體的穿通槽26使圖18所示結(jié)構(gòu)主體的劃線 區(qū)B露出。在對準(zhǔn)劃線區(qū)B與穿通槽26時，可以用粘貼設(shè)備識別對 準(zhǔn)圖案27，并且可以參考對準(zhǔn)圖案27進(jìn)行劃線區(qū)B與穿通槽26的 對準(zhǔn)。通過參考對準(zhǔn)圖案27將圖36所示的結(jié)構(gòu)主體粘貼在圖18所 示的結(jié)構(gòu)主體上，可以提高穿通槽26相對于劃線區(qū)B的位置精度。
這里，對準(zhǔn)圖案27被支撐主體25覆蓋，所以當(dāng)支撐主體25由 光學(xué)透明材料制成時，可以使用沒有特殊功能的粘貼設(shè)備；而當(dāng)支撐 主體25由光學(xué)不透明材料制成時，則需要具有紅外線或X射線發(fā)射
功能的特殊粘貼設(shè)備。
在粘貼在一起之后，在加熱圖37所示的結(jié)構(gòu)主體的狀態(tài)下，沿
著箭頭方向按壓支撐主體25，使絕緣層13的上表面13A與多個內(nèi)部 連接端子12的上表面12A基本上平齊。此外，通過對圖37所示的 結(jié)構(gòu)主體加熱使絕緣層13固化。固化之后的絕緣層13的厚度丁2可 以設(shè)置為例如10pm至60pm。
然后，在圖38所示步驟中，去除圖37所示的支撐主體25。在 去除支撐主體25之后絕緣層13殘留在內(nèi)部連接端子12的上表面 12A上時，通過干式處理和濕式處理去除殘留在上表面12A上的絕 緣層13，使得內(nèi)部連接端子12的上表面12A從絕緣層13露出。
然后，在圖39所示步驟中，通過例如非電解電鍍法形成金屬種 晶層42以覆蓋圖38所示結(jié)構(gòu)主體的上表面(絕緣層13的上部13A 以及穿通槽26的壁面和底面)。金屬種晶層42與內(nèi)部連接端子12 電連接?？梢允褂美玢~層作為金屬種晶層42。金屬種晶層42的厚 度丁7可以設(shè)置為例如0.5pm至l.Opm。
然后，在圖40所示步驟中，形成抗蝕膜44,該抗蝕膜具有用于 使穿通槽26的底面露出的開口部分44A。
然后，在圖41所示步驟中，通過蝕刻僅去除金屬種晶層42的 設(shè)置在開口部分44A下部的部分。因此，通過僅去除金屬種晶層42 的設(shè)置在開口部分44A下部的部分，可以從半導(dǎo)體器件40的前側(cè)通 過穿通槽26識別形成在劃線區(qū)B上的對準(zhǔn)圖案27。在這種情況下， 當(dāng)使用銅層作為金屬種晶層42時，需要由例如鋁層形成對準(zhǔn)圖案27， 以便對準(zhǔn)圖案27不會被蝕刻所去除。
然后，在圖42所示步驟中，去除圖41所示的抗蝕膜44。然后， 在圖43所示步驟中，將抗蝕劑施加在金屬種晶層42的上表面42A 上，然后使該抗蝕劑曝光并顯影，從而形成具有與配線形成區(qū)相對應(yīng) 的開口部分45A的抗蝕膜45。曝光設(shè)備(未示出)探測形成在劃線 區(qū)B中的對準(zhǔn)圖案27的位置，從而確定抗蝕劑的曝光區(qū)。
因為在形成于半導(dǎo)體基板31上的絕緣層13中布置用于使形成 在劃線區(qū)B中的對準(zhǔn)圖案27露出的穿通槽26，所以可以高精度地識
別對準(zhǔn)圖案27，從而可以提高抗蝕劑曝光區(qū)相對于內(nèi)部連接端子12
的位置精度。
此外，通過在形成于半導(dǎo)體基板31上的絕緣層13中布置用于 使形成在劃線區(qū)B中的對準(zhǔn)圖案27露出的穿通槽26，可以通過使用 便宜CCD照相機的曝光設(shè)備而不是使用具有紅外線或X射線發(fā)射功 能的昂貴曝光設(shè)備識別對準(zhǔn)圖案27，從而可以降低半導(dǎo)體器件40的 制造成本。
然后，在圖44所示步驟中，通過使用金屬種晶層42作為饋電 層的電解電鍍法在開口部分45A中形成金屬膜43。金屬膜43與金屬 種晶層42電連接?？梢允褂美玢~作為金屬膜43。此外，金屬膜43 的厚度T8可以設(shè)置為例如10|im至20pm。
然后，在圖45所示步驟中，去除圖44所示的抗蝕膜45。然后， 在圖46所示步驟中，通過蝕刻去除金屬種晶層42的未形成金屬膜 43的區(qū)域，從而形成由金屬種晶層42和金屬膜43制成的配線圖案 41 (配線圖案形成步驟)。如圖39至圖46所示，本實施例示出了通 過半加成法形成配線圖案41的實例。
然后，通過進(jìn)行與在第一實施例中描述并在圖24至圖28中示 出的步驟相似的處理制成圖34所示的半導(dǎo)體器件40。
根據(jù)本實施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，由于通過半加成法形 成配線圖案41，所以可以提高配線圖案41的尺寸精度。另外，本實 施例的半導(dǎo)體器件40的制造方法可以獲得與第一實施例的半導(dǎo)體器 件10的制造方法相似的效果。
雖然上文己經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但是本發(fā)明 不限于上述這些實施例，而是可以在不脫離本發(fā)明范圍的情況下對上 述這些實施例進(jìn)行各種修改和替換。
本發(fā)明可以應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的制造方法，在這種制造方法中， 制成了半導(dǎo)體芯片與配線圖案之間的倒裝芯片結(jié)合，并且在從平面觀
看的狀態(tài)下，該半導(dǎo)體器件的尺寸與半導(dǎo)體芯片的尺寸大致相同。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括半導(dǎo)體芯片形成步驟，在半導(dǎo)體基板的多個半導(dǎo)體芯片形成區(qū)中形成多個半導(dǎo)體芯片；對準(zhǔn)圖案形成步驟，在半導(dǎo)體基板的半導(dǎo)體芯片形成區(qū)之間設(shè)置的劃線區(qū)中形成對準(zhǔn)圖案；內(nèi)部連接端子形成步驟，在半導(dǎo)體芯片的電極焊盤上形成內(nèi)部連接端子；絕緣層形成步驟，在上面形成有半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體基板上形成具有穿通槽的絕緣層，并使穿通槽處于與半導(dǎo)體基板的劃線區(qū)相對的狀態(tài)；金屬層形成步驟，在絕緣層上形成金屬層；配線圖案形成步驟，基于對準(zhǔn)圖案使待與內(nèi)部連接端子電連接的配線圖案的形成位置對準(zhǔn)，基于所述形成位置使金屬層圖案化，從而形成配線圖案；以及切割步驟，在配線圖案形成步驟之后對半導(dǎo)體基板的與劃線區(qū)相對應(yīng)的部分進(jìn)行切割。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在同一步驟中形成對準(zhǔn)圖案和半導(dǎo)體芯片的電極焊盤。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法， 其中，所述絕緣層形成步驟包括在支撐主體上形成絕緣層；在絕緣層中形成穿通槽；把絕緣層粘貼在半導(dǎo)體芯片上，使得支撐主 體的形成有絕緣層的表面與半導(dǎo)體基板的形成有半導(dǎo)體芯片的表面 相對;然后從絕緣層上去除支撐主體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在支撐主體上順序形成金屬層和絕緣層；在絕緣層中形 成穿通槽；把絕緣層粘貼在半導(dǎo)體芯片上，使得支撐主體的形成有金 屬層和絕緣層的表面與半導(dǎo)體基板的形成有半導(dǎo)體芯片的表面相對； 然后去除支撐主體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法， 其中，在所述絕緣層形成步驟中，基于對準(zhǔn)圖案進(jìn)行穿通槽的 位置與半導(dǎo)體基板的劃線區(qū)的位置之間的對準(zhǔn)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體器件的制造方法，在該方法中，在半導(dǎo)體基板的劃線區(qū)中形成對準(zhǔn)圖案，在形成于半導(dǎo)體基板上的絕緣層中布置用于使劃線區(qū)露出的穿通槽。基于對準(zhǔn)圖案對配線圖案的形成位置進(jìn)行對準(zhǔn)，使金屬層圖案化，從而形成配線圖案。
文檔編號H01L21/78GK101393848SQ20081016120
公開日2009年3月25日 申請日期2008年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月18日
發(fā)明者町田洋弘 申請人:新光電氣工業(yè)株式會社