專利名稱：電位器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電位器，特別是涉及可轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝在絕緣基板上的滑動(dòng)片在絕緣基 板上滑動(dòng)來調(diào)整電阻值的電位器。
背景技術(shù)：
以往，作為具備滑動(dòng)片的轉(zhuǎn)動(dòng)型的電位器，專利文獻(xiàn)l中所記載的電位器已為人們 所知。如圖ll、圖12所示，這種電位器具備由埋設(shè)了第一 第三端子22 24的樹脂成 形品構(gòu)成的絕緣基板20。第一、第三端子22、 24的一端22a、 24a從基板20的側(cè)面突 出來，另一端22b、 24b露出在基板20的表面。第二端子23的兩端23a、 23b分別從基 板20相反的兩側(cè)面突出來，第二端子23的中間部分露出在基板20的表面中央處，成 為圓環(huán)形的集電體23c。在基板20的上表面，略圓環(huán)形的電阻體25形成為與集電體23c 同心的圓形，電阻體25的兩端與第一、第三端子22、 24的端部22b、 24b電連接。
在基板20的中心孔21內(nèi)，轉(zhuǎn)動(dòng)自如地安裝著由圖13所示的樹脂成形品構(gòu)成的轉(zhuǎn) 軸30，在轉(zhuǎn)軸30上一體地固定有由導(dǎo)電材料制成的滑動(dòng)片31。在該滑動(dòng)片31上形成 有在電阻體25上滑動(dòng)的多個(gè)接點(diǎn)32和在集電體23c上滑動(dòng)的多個(gè)接點(diǎn)33，依據(jù)接點(diǎn) 32的轉(zhuǎn)動(dòng)位置來調(diào)整第二、第三端子23、 24之間的電阻值。在基板20上安裝著由樹脂 成形品構(gòu)成的上蓋40，覆蓋著滑動(dòng)片31和電阻體25的表面。
圖14是表示第一 第三端子22 24與電阻體25的關(guān)系的電路圖，圖15表示滑動(dòng) 片31的轉(zhuǎn)動(dòng)位置與輸出電壓比的關(guān)系。所謂輸出電壓比是指在第一端子22與第三端子 24之間加上一定電壓V13的狀態(tài)下轉(zhuǎn)動(dòng)滑動(dòng)片31時(shí)從第二端子23與第三端子24之間輸 出的電壓^與V,3之比(=V23/V13)。如圖15所示，對應(yīng)于滑動(dòng)片31的轉(zhuǎn)動(dòng)位置Q1 Q5， 輸出電壓比成比例地變化。
可是，根據(jù)這種電位器的用途，有時(shí)需要在滑動(dòng)片31的轉(zhuǎn)動(dòng)范圍內(nèi)的某個(gè)位置上 讓電阻值也就是輸出電壓比急劇變化，而在其他位置上正常地按比例變化。這種情況下， 就要準(zhǔn)備兩個(gè)輸出特性不同的電位器，雖然可依采用由開關(guān)來切換這些電位器的方法， 但是，不僅零部件數(shù)量多、電路復(fù)雜，而且因?yàn)楸仨氝M(jìn)行開關(guān)的切換操作，所以操作麻 煩。
專利文獻(xiàn)1特開2003-124009號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用一個(gè)電位器就能中途使輸出特性急劇變化的電位器。 為實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明的電位器具有在上面形成了圓弧形的電阻體的絕緣基板 和可轉(zhuǎn)動(dòng)地被安裝在該絕緣基板上并帶有在所述電阻體上滑動(dòng)而并排在所述電阻體的 寬度方向的多個(gè)接點(diǎn)的滑動(dòng)片；其特征在于在所述多個(gè)接點(diǎn)的至少一個(gè)接點(diǎn)通過的電 阻體的路徑上局部形成著無電阻體的缺口；該缺口兩側(cè)的電阻體經(jīng)高電阻部相互連接； 所述滑動(dòng)片通過所述缺口時(shí)，所述多個(gè)接點(diǎn)的至少一個(gè)接點(diǎn)接觸在電阻體上；所述滑動(dòng) 片通過所述缺口時(shí)，在所述滑動(dòng)片與所述電阻體的一端或另一端之間計(jì)量的電阻值呈階 差狀變化。
本發(fā)明的電位器中，在多個(gè)接點(diǎn)的至少一個(gè)接點(diǎn)通過的電阻體的路徑上局部形成無 電阻體的缺口，該缺口兩側(cè)的電阻體經(jīng)高電阻部相互連接?；瑒?dòng)片具有并排在電阻體的 寬度方向的多個(gè)接點(diǎn)，滑動(dòng)片通過缺口時(shí)，多個(gè)接點(diǎn)的至少一個(gè)接點(diǎn)通過缺口上面，其 他接點(diǎn)接觸在電阻體上。就是說，由于必然有某個(gè)接點(diǎn)接觸在電阻體上，所以滑動(dòng)片與 電阻體總是處于導(dǎo)通狀態(tài)，在滑動(dòng)片通過缺口時(shí)，就不會(huì)成為斷開的狀態(tài)。因?yàn)楦唠娮?部的電阻值比其他電阻體部分的電阻值高，所以在滑動(dòng)片通過缺口的前后，滑動(dòng)片與電 阻體的一端或另一端之間計(jì)量的電阻值就階差狀地變化。因此，在滑動(dòng)片轉(zhuǎn)動(dòng)的過程中， 能夠使電位器的輸出特性急劇變化。
作為優(yōu)選的實(shí)施方式，也可以把缺口做成橫切電阻體的全部接點(diǎn)通過的區(qū)域、而從 電阻體的內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)起與滑動(dòng)片的接點(diǎn)的排列方向成銳角地延伸的直線形的缺口， 在滑動(dòng)片的接點(diǎn)通過的路徑之外的外周側(cè)或之內(nèi)的內(nèi)周側(cè)形成高電阻部。這種情況下， 在滑動(dòng)片通過缺口的前后，產(chǎn)生高電阻部的電阻值大小的階差。由于缺口是相對滑動(dòng)片 的接點(diǎn)的排列方向傾斜的直線形，所以，在滑動(dòng)片的多個(gè)接點(diǎn)通過缺口時(shí)，其中至少一 個(gè)接點(diǎn)接觸在電阻體上，從而可以避免發(fā)生全部接點(diǎn)位于缺口上的情況(斷開狀態(tài))。 由于高電阻部形成為旁路狀而迂回在滑動(dòng)片的通過路徑的外側(cè)或內(nèi)側(cè)，所以在高電阻部 就不會(huì)因與滑動(dòng)片的滑接而引起磨損，可以做得任意窄細(xì)。也就是說，由于高電阻部的 電阻值可以任意高，所以能夠增大電阻值的階差。由于高電阻部能夠與圓弧狀電阻體同 時(shí)且用同樣的方法形成，所以不會(huì)導(dǎo)致制造成本的提高。
在形成傾斜狀的缺口的情況下，最好把該缺口的角度和寬度設(shè)定為在滑動(dòng)片的接點(diǎn) 通過該缺口時(shí)總接點(diǎn)數(shù)的半數(shù)以上的接點(diǎn)能夠接觸在電阻體上。設(shè)置曲柄狀的缺口的情 況下或者是傾斜狀缺口而其交叉角度小(接近平行于接點(diǎn)的排列方向)的情況下或者缺 口寬度較大的情況下，接點(diǎn)通過缺口時(shí)會(huì)出現(xiàn)只有總接點(diǎn)數(shù)的半數(shù)以下的接點(diǎn)接觸阻力體的情況。例如，在具有3個(gè)接點(diǎn)的滑動(dòng)片的情況下，通過缺口時(shí)有可能出現(xiàn)只有一個(gè) 接點(diǎn)接觸阻力體的情況。由于接點(diǎn)與電阻體的接觸阻力隨接觸數(shù)的減少而按指數(shù)函數(shù)增 加，所以最好有盡可能多的接點(diǎn)接觸。在該實(shí)施方式中，由于半數(shù)以上的接點(diǎn)始終接觸 阻力體，所以能夠把會(huì)導(dǎo)致滑動(dòng)噪聲的接觸阻力的增大抑制到最低限度。
作為優(yōu)選的實(shí)施方式，缺口也可以是橫切電阻體的全部接點(diǎn)通過的區(qū)域而從電阻體 的內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)延伸為曲柄狀的缺口，在滑動(dòng)片的接點(diǎn)通過的路徑之外的外周側(cè)或之 內(nèi)的內(nèi)周側(cè)形成高電阻部。這種情況下，與設(shè)置傾斜狀缺口的情況一樣，也可以避免發(fā) 生全部的接點(diǎn)都處于缺口上的情況(斷開狀態(tài))，由于高電阻部的電阻值可以很高，所 以能夠增大電阻值的階差，不會(huì)導(dǎo)致制造成本的提高。
不限定于如上所述的那樣缺口與旁路狀的高電阻部的組合，也可以把缺口形成在電 阻體的內(nèi)周側(cè)緣部、外周側(cè)緣部或?qū)挾确较蛑虚g位置，而把高電阻部形成在滑動(dòng)片的接 點(diǎn)通過的路徑上。這種情況下，由于不必把旁路狀的高電阻部形成在接點(diǎn)的通過區(qū)域之 外，所以絕緣基板可以小型化。而且，為了使滑動(dòng)片的至少一個(gè)接點(diǎn)穩(wěn)定地通過高電阻 部，必須使高電阻部與滑動(dòng)片的接點(diǎn)的半徑方向的位置對正。作為缺口的形成位置，既 可以是例如電阻體的內(nèi)周部或外周部的挖缺部，也可以把孔設(shè)置在電阻體的途中。
如上所述，按照本發(fā)明，由于在滑動(dòng)片的至少一個(gè)接點(diǎn)通過的電阻體的路徑上局部 形成無電阻體的缺口，且經(jīng)高電阻部使缺口兩側(cè)的電阻體相互連接，從而在滑動(dòng)片通過 缺口時(shí)滑動(dòng)片與電阻體的一端或另一端之間計(jì)量的電阻值階差狀地變化，所以，只用一 個(gè)電位器就能夠使輸出特性中途急劇變化。由于在滑動(dòng)片通過缺口時(shí)多個(gè)接點(diǎn)中的至少 一個(gè)接點(diǎn)接觸在電阻體上，所以能夠防止在滑動(dòng)片通過缺口時(shí)成為斷開的狀態(tài)。


圖1是用于本發(fā)明的電位器的絕緣基板的第一實(shí)施例的平面圖2是圖1所示的絕緣基板的電阻體的局部放大圖3是接點(diǎn)數(shù)與接觸阻力的關(guān)系圖4是表示第一實(shí)施例的滑動(dòng)片的轉(zhuǎn)動(dòng)位置與輸出電壓比的關(guān)系的輸出特性圖5是電阻體的第二實(shí)施例的局部放大圖6是絕緣基板的第三實(shí)施例的平面圖7是絕緣基板的第四實(shí)施例的平面圖8是絕緣基板的第五實(shí)施例的平面圖9是絕緣基板的第六實(shí)施例的平面圖IO是表示第六實(shí)施例的滑動(dòng)片的轉(zhuǎn)動(dòng)位置與輸出電壓比的關(guān)系的輸出特性圖11是現(xiàn)有技術(shù)的電位器的斷面圖12是用于圖11所示的電位器的絕緣基板的平面圖13是用于圖11所示的電位器的轉(zhuǎn)動(dòng)體和滑動(dòng)片的平面圖14是表示第一 第三端子與電阻體的關(guān)系的電路圖15是表示現(xiàn)有技術(shù)的電位器的滑動(dòng)片的轉(zhuǎn)動(dòng)位置與輸出電壓比的關(guān)系的輸出特 性圖。
符號說明
10 絕緣基板 12 14端子
13c 集電體
15 電阻體
16 缺口
17 高電阻部
30 轉(zhuǎn)動(dòng)體
31 滑動(dòng)片
32、 32a 32c 接點(diǎn)
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)實(shí)施例說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
實(shí)施例1
本實(shí)施例的電位器由用樹脂成形品制成的絕緣基板10、具有滑動(dòng)片31的樹脂成形 品制成的轉(zhuǎn)軸30和用樹脂成形品制成的上蓋40構(gòu)成。其中，由于基板10以外的構(gòu)成 與圖13記載的現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)一樣，所以標(biāo)注同樣的符號，并省略重復(fù)說明。
如圖1所示，基板10帶有中心孔11，并且埋設(shè)有第一 第三端子12 14。第一、 第三端子12、 14的一個(gè)端部12a、 14a從基板10的側(cè)面突出來，另一個(gè)端部12b、 14b 在基板10的表面上露出來。第二端子13的兩端部13a、 13b從基板10相面對的側(cè)面突 出來，中央部作為圓環(huán)狀的集電體13c在基板10的表面中央部露出來。在基板10的上 面，形成有局部缺失的略圓環(huán)狀(馬蹄形)的電阻體15，與集電體13c呈同心圓狀，電 阻體15的兩端與第一、第三端子12、 14的兩端部12b、 14b電氣連接。
具備由導(dǎo)電材料制成的滑動(dòng)片31的轉(zhuǎn)軸30轉(zhuǎn)動(dòng)自如地被安裝在基板10的中心孔
11中(參照圖ll)，在滑動(dòng)片31上形成有在電阻體15上滑動(dòng)的多個(gè)接點(diǎn)32和在集電 體13c上滑動(dòng)的多個(gè)接點(diǎn)33。該實(shí)施例中，在電阻體15上滑動(dòng)的接點(diǎn)32的個(gè)數(shù)是3 個(gè)，這些接點(diǎn)32沿電阻體15的寬度方向(電阻體15的法線方向)排成一列。
如圖2所示，在形成在基板10的上面的電阻體15的中間部，形成有相對滑動(dòng)片31 的接點(diǎn)的排列方向呈銳角并從電阻體15的內(nèi)周側(cè)起延伸的直線狀的切口或缺口 16，橫 切全部接點(diǎn)32的通過路徑。為使圖簡化，圖2上把電阻體15表示為直線帶狀。在缺口 16的外周側(cè)形成有以缺口 16為中間連接其兩側(cè)的電阻體15的旁路狀的高電阻部17。 高電阻部17與電阻體的材料相同且同時(shí)形成，其寬度d小于電阻體15的寬度，所以高 電阻部17的單位長度的電阻值大于電阻體15的單位長度的電阻值。缺口 16的角度e 和寬度W被設(shè)定為，在滑動(dòng)片31的接點(diǎn)32通過缺口 16時(shí)其總接點(diǎn)數(shù)的半數(shù)以上接點(diǎn) 能夠接觸在電阻體15上的角度和寬度。也就是說，在接點(diǎn)數(shù)為3個(gè)的情況下，要把缺 口 16的角度e和寬度W設(shè)定得至少2個(gè)以上的接點(diǎn)32接觸在電阻體15上。
用圖2來說明缺口 16與各接點(diǎn)32 (32a 32c)的位置關(guān)系，滑動(dòng)片31從轉(zhuǎn)動(dòng)位置 Pl轉(zhuǎn)動(dòng)到P5。在轉(zhuǎn)動(dòng)位置Pl，沿半徑方向并排的3個(gè)接點(diǎn)32a 32c全都接觸在轉(zhuǎn)動(dòng)方 向的上游側(cè)的電阻體15上；在轉(zhuǎn)動(dòng)位置P2，只有外側(cè)的接點(diǎn)32a在缺口 16上，而其他 接點(diǎn)32b、 32c在上游側(cè)的電阻體15上；進(jìn)而，在轉(zhuǎn)動(dòng)位置P3，只有中央的接點(diǎn)32b 在缺口16上，外側(cè)的接點(diǎn)32a接觸在下游側(cè)的電阻體15上，內(nèi)側(cè)的接點(diǎn)32c接觸在上 游側(cè)的電阻體15上。也就是說，兩側(cè)的接點(diǎn)32a、 32c跨接在位于缺口 16兩側(cè)的電阻 體15上。在轉(zhuǎn)動(dòng)位置P4，只有內(nèi)側(cè)的接點(diǎn)32c在缺口 16上，其他接點(diǎn)32a、 32b在下 游側(cè)的電阻體15上；進(jìn)而，在轉(zhuǎn)動(dòng)位置P5， 3個(gè)接點(diǎn)32a 32c全都移到了下游側(cè)的電 阻體15上。如上所述，隨著滑動(dòng)片31轉(zhuǎn)動(dòng)，3個(gè)接點(diǎn)32a 32c順次越過電阻體15的 缺口16，此時(shí)，由于2個(gè)以上的接點(diǎn)始終接觸在電阻體15上，所以可以無需擔(dān)心成為 斷開狀態(tài)，同時(shí)能夠抑制接觸阻力的增大。
圖3示出接點(diǎn)的接觸數(shù)與接觸阻力的關(guān)系，由圖3可知，隨著接點(diǎn)數(shù)減少，接觸阻 力呈指數(shù)函數(shù)地增大。即，接觸數(shù)為2個(gè)的情況下，與3個(gè)相比能夠抑制接觸阻力的增 大，但是在l個(gè)的情況下接觸阻力大幅度增加，有可能產(chǎn)生滑動(dòng)噪聲。如果像上面所述 的那樣形成斜方向的缺口 16，而始終有2個(gè)接點(diǎn)接觸在電阻體15上，就能夠降低接觸 阻力，而得到所希望的輸出特性。
圖4表示滑動(dòng)片31的轉(zhuǎn)動(dòng)位置與輸出電壓比(=V23/V13)的關(guān)系。如圖1所示，在 區(qū)域A，對應(yīng)于滑動(dòng)片31的轉(zhuǎn)動(dòng)位置，第二端子13與第三端子14之間的電阻值按比例 減少，所以輸出電壓比也按比例減少。由于第二端子13與第三端子14之間的電阻值被
加上經(jīng)由了高電阻部17的電阻值，所以輸出電壓比相對較高。在區(qū)域B，如上所述，由 于接點(diǎn)32通過缺口 16，所以經(jīng)由了高電阻部17的電阻值與不經(jīng)由了高電阻部17的電 阻值之間產(chǎn)生階差，輸出電壓比急劇減少。在區(qū)域B，輸出電壓比也以一定斜率下降， 而該區(qū)域?qū)?yīng)于如圖2的位置P3所示的兩接點(diǎn)32a、 32c跨接在兩側(cè)的電阻體15上的 狀態(tài)。在區(qū)域C，電阻值比區(qū)域A低高電阻部17的阻值量，所以輸出電壓比低，同時(shí)， 由于電阻體15的寬度與區(qū)域A相同，從而輸出電壓比與區(qū)域A按相同的斜率成比例地 減少。這樣，就得到了在轉(zhuǎn)動(dòng)過程中，輸出電壓比急劇變化，而在其他區(qū)域按比例變化 的輸出特性。
在上述實(shí)施例中，將缺口 16形成在電阻體15的大體中間處(Q3)，但是也可以處 于圖1中的電阻體15的Q1 Q3之間或Q3 Q5之間的任一位置，另外，還可以把缺口 16設(shè)置在轉(zhuǎn)動(dòng)方向的多個(gè)地方?？傊趫D4的輸出特性中，也可以把其階差設(shè)置在轉(zhuǎn) 動(dòng)位置Q1 Q3之間或Q3 Q5之間，還可以設(shè)置在多個(gè)地方。
在上述實(shí)施例中，將連接缺口 16兩側(cè)的電阻體15的高電阻部17設(shè)置在接點(diǎn)32的 移動(dòng)軌跡外側(cè)，但是如果在電阻體15的內(nèi)側(cè)有空間的話，也可以設(shè)置在接點(diǎn)32的移動(dòng) 軌跡的內(nèi)側(cè)。無論是哪種情況下，由于接點(diǎn)32不在高電阻部17上滑動(dòng)，所以，可以把 高電阻部17的寬度形成得任意細(xì)，并能夠使該電阻值比電阻體15的電阻值任意高?？?之，能夠增大輸出特性的階差。
實(shí)施例2
圖5是第二實(shí)施例中的電阻體15的局部放大圖。該實(shí)施例中，在電阻體15上，形 成有橫切全部接點(diǎn)通過的區(qū)域的曲柄狀的缺口 50。在滑動(dòng)片31的接點(diǎn)32通過的路徑外 面的外周側(cè)上，設(shè)置有連接缺口 50兩側(cè)的電阻體15的高電阻部51。具體地說，缺口 50的內(nèi)側(cè)開口部50a和外側(cè)部50b形成在圓周方向上不同的位置處，其間連接著通路部 50c。通路部50c的半徑方向方向上形成在電阻體15的寬度方向中央，使之對應(yīng)于滑動(dòng) 片31的中央的接點(diǎn)32b。
在轉(zhuǎn)動(dòng)位置Pl，并排在半徑方向上的3個(gè)接點(diǎn)32a 32c置于轉(zhuǎn)動(dòng)方向的上游側(cè)的 電阻體15上；在轉(zhuǎn)動(dòng)位置P2，外側(cè)的2個(gè)接點(diǎn)32a、 32b在缺口 50上，內(nèi)側(cè)的接點(diǎn)32c 處在上游側(cè)的電阻體15上。另外，在轉(zhuǎn)動(dòng)位置P3，只有中央的接點(diǎn)32b處在缺口 50 上，外側(cè)的接點(diǎn)32a處在下游側(cè)的電阻體15上，內(nèi)側(cè)的接點(diǎn)32c處在上游側(cè)的電阻體 15上；在轉(zhuǎn)動(dòng)位置P4，內(nèi)側(cè)的2個(gè)接點(diǎn)32b、 32c處在缺口50上，外側(cè)的接點(diǎn)32a處 在下游側(cè)的電阻體15上。另外，在轉(zhuǎn)動(dòng)位置P5， 3個(gè)接點(diǎn)32a 32c都在下游側(cè)的電阻
體15上移動(dòng)。如上所述，在滑動(dòng)片31的接點(diǎn)32a 32c通過缺口 50期間，至少一個(gè)接 點(diǎn)始終處在電阻體15上，所以能夠防止成為斷開的狀態(tài)。
實(shí)施例3
圖6表示的是第三實(shí)施例中的絕緣基板10。該實(shí)施例中，切口構(gòu)成的缺口60形成 在電阻體15的內(nèi)周緣，在滑動(dòng)片31的外側(cè)的接點(diǎn)32a通過的路徑上形成有連接缺口 60 兩側(cè)的電阻體15的高電阻部61。高電阻部61的寬度比電阻體15的寬度窄。圖6的虛 線表示滑動(dòng)片31的3個(gè)接點(diǎn)32a 32c的移動(dòng)路徑，內(nèi)側(cè)的2個(gè)接點(diǎn)32b、 32c通過缺 口60時(shí)，外側(cè)的接點(diǎn)32a始終接觸在高電阻部61上，所以無需擔(dān)心成為斷開狀態(tài)。接 點(diǎn)數(shù)并不限于3個(gè)，也可以是2個(gè)或4個(gè)以上。缺口60的形狀是任意的，也可以是第 一實(shí)施例那樣的相對接點(diǎn)的排列方向傾斜延伸的形狀。
實(shí)施例4
圖7表示的是第四實(shí)施例中的絕緣基板10。該實(shí)施例中，切口構(gòu)成的缺口70形成 在電阻體15的外周緣，在缺口 70的內(nèi)周側(cè)形成有連接兩側(cè)的電阻體15的狹窄的高電 阻部71。圖7的虛線表示滑動(dòng)片31的3個(gè)接點(diǎn)32a 32c的移動(dòng)路徑，外側(cè)的2個(gè)接點(diǎn) 32a、 32b通過缺口 70時(shí)，內(nèi)側(cè)的接點(diǎn)32c始終接觸在高電阻部71上，所以無需擔(dān)心成 為斷開狀態(tài)。
實(shí)施例5
圖8表示的是第五實(shí)施例中的絕緣基板10。該實(shí)施例中，由孔構(gòu)成的缺口80形成 在電阻體15的寬度方向中間部，在缺口 80的寬度方向的兩側(cè)形成有兩支高電阻部81。 圖8的虛線表示滑動(dòng)片31的3個(gè)接點(diǎn)32a 32c的移動(dòng)路徑，中央的接點(diǎn)32b通過缺口 80時(shí)，兩側(cè)的接點(diǎn)32a、 32c始終接觸在高電阻部81上，所以無需擔(dān)心成為斷開狀態(tài)。
實(shí)施例6
圖9表示的是第六實(shí)施例中的絕緣基板10。該實(shí)施例中，與第一實(shí)施例一樣，在電 阻體15的中間部形成有相對滑動(dòng)片31的接點(diǎn)的排列方向呈銳角延伸的直線形的缺口 90，橫切全部接點(diǎn)32a 32c的通過路徑。缺口 90的傾斜角度為從背面看第一實(shí)施例時(shí) 的缺口傾斜角度。在缺口90的外周側(cè)，形成有連接缺口90兩側(cè)的電阻體15的旁路狀 的高電阻部91。
在第六實(shí)施例中，如圖9所示，作為輸出特性的設(shè)定裝置，除缺口90和旁路狀的 高電阻部91之外，還形成有底電極部92和蜿蜓高電阻部93、 94。
底電極部92被配置在電阻體15與基板10之間，例如把電極材料被覆在基板10上 而形成。被覆了底電極部92之后，形成電阻體15，覆蓋住底電極部92。在形成有該底 電極部92的部分，由于被底電極部92短路，所以電阻值不變。
蜿蜒高電阻部93、 94與電阻體15的材料相同，而且同時(shí)形成，其寬度小于電阻體 15的寬度，所以單位長度的電阻值大于電阻體15的單位長度的電阻值，將其曲折蜿蜒 而進(jìn)一步提高電阻值。形成該蜿蜒高電阻部93、 94就能夠提高整體電阻值。還可以使 用更高電阻的材料作為蜿蜒高電阻部93、 94材料，將電阻值提升得更高。
圖10表示第六實(shí)施例中的滑動(dòng)片31的轉(zhuǎn)動(dòng)位置與輸出電壓比(=V12/V1:i)的關(guān)系。 這里的輸出電壓比表示在第一端子12與第三端子14之間加上一定電壓Vu的狀態(tài)下， 在轉(zhuǎn)動(dòng)滑動(dòng)片31時(shí)從第一端子12與第二端子13之間輸出的電壓V^與電壓V,3的比 (=V2/V3)。
首先，如圖10所示，滑動(dòng)片31的接點(diǎn)32a 32c處在轉(zhuǎn)動(dòng)位置Ql時(shí)，蜿蜒高電阻 部93、94已經(jīng)使轉(zhuǎn)動(dòng)位置Q1的輸出電壓比達(dá)到了規(guī)定高度的值。相反，在轉(zhuǎn)動(dòng)位置Q5， 蜿蜒高電阻部93、 94使輸出電壓比不會(huì)達(dá)到這以上的高度?；瑒?dòng)片31的接點(diǎn)32a 32c 處在底電極部92上時(shí)，由于底電極部92使之短路，所以如圖10所示，輸出電壓比幾 乎不變，呈平坦的輸出特性。
本發(fā)明的電位器并不限定于上述的實(shí)施方式，在其宗旨的范圍內(nèi)，可以有種種變更。 例如，集電體可以不是完全的圓環(huán)形，也可以是缺失一部分的略圓環(huán)狀?；瑒?dòng)片的接點(diǎn) 數(shù)不限于3個(gè)，也可以是2個(gè)或4個(gè)以上。在上述的實(shí)施例中，用與電阻體同樣的材料 來形成高電阻部，但是也可以使用與電阻體不同的材料來形成高電阻部。這種情況下， 輸出特性的階差就可以任意設(shè)定。不限于像實(shí)施例那樣具有在電阻體上滑動(dòng)的接點(diǎn)和在 集電體上滑動(dòng)的接點(diǎn)的電位器，例如也可以是將滑動(dòng)片可轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝在第二端子上的電 位器。這種情況下，滑動(dòng)片與第二端子的安裝部成為導(dǎo)電部。
權(quán)利要求
1.一種電位器，具有在上表面形成了圓弧形的電阻體的絕緣基板，和可轉(zhuǎn)動(dòng)地被安裝在該絕緣基板上并帶有在所述電阻體上滑動(dòng)而并排在所述電阻體的寬度方向的多個(gè)接點(diǎn)的滑動(dòng)片；其特征在于在所述多個(gè)接點(diǎn)的至少一個(gè)接點(diǎn)通過的所述電阻體的路徑上，局部形成有無電阻體的缺口；在該缺口兩側(cè)的電阻體經(jīng)高電阻部相互連接；所述滑動(dòng)片通過所述缺口時(shí)，所述多個(gè)接點(diǎn)的至少一個(gè)接點(diǎn)接觸在電阻體上；所述滑動(dòng)片通過所述缺口時(shí)，在所述滑動(dòng)片與所述電阻體的一端或另一端之間計(jì)量的電阻值呈階差狀變化。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電位器，其特征在于所述缺口是橫切電阻體的全部 接點(diǎn)通過的區(qū)域、而從所述電阻體的內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)起相對所述滑動(dòng)片的接點(diǎn)的排列 方向成銳角地延伸的直線形的缺口；在所述滑動(dòng)片的接點(diǎn)通過的路徑之外的外周側(cè)或 之內(nèi)的內(nèi)周側(cè)形成所述高電阻部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電位器，其特征在于所述缺口的角度和寬度被設(shè)定 為，在所述滑動(dòng)片的接點(diǎn)通過所述缺口時(shí)，總接點(diǎn)數(shù)的半數(shù)以上的接點(diǎn)能夠接觸在所 述電阻體上的角度和寬度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電位器，其特征在于所述缺口是橫切所述電阻體的全部接點(diǎn)通過的區(qū)域而從所述電阻體的內(nèi)周側(cè)或外周側(cè)起延伸為曲柄狀的缺口；在所述滑動(dòng)片的接點(diǎn)通過的路徑之外的外周側(cè)或之內(nèi)的內(nèi)周側(cè)形成所述高電阻部。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電位器，其特征在于所述缺口形成在所述電阻體的 內(nèi)周側(cè)緣部、外周側(cè)緣部或?qū)挾确较蛑虚g位置；所述高電阻部形成在所述滑動(dòng)片的接點(diǎn)通過的路徑上。
全文摘要
提供一種用一個(gè)電位器就能中途使輸出特性急劇變化的電位器，該電位器具有在上面形成了略圓弧形的電阻體(15)的絕緣基板(10)和可轉(zhuǎn)動(dòng)地被安裝在該絕緣基板上并帶有在電阻體上滑動(dòng)的多個(gè)接點(diǎn)(32a～32c)的滑動(dòng)片(31)；在多個(gè)接點(diǎn)的至少一個(gè)接點(diǎn)通過的電阻體的路徑上局部形成無電阻體的缺口(16)，該缺口兩側(cè)的電阻體(15)經(jīng)高電阻部(17)相互連接?；瑒?dòng)片通過缺口時(shí)，多個(gè)接點(diǎn)的至少一個(gè)接點(diǎn)接觸在電阻體上；滑動(dòng)片通過缺口時(shí)，在滑動(dòng)片與電阻體的一端或另一端之間計(jì)量的電阻值呈階差狀變化。
文檔編號H01C10/32GK101345106SQ200810135839
公開日2009年1月14日 申請日期2008年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月13日
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