專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及不改變外部形狀就可以降低噪聲指數(shù)并增加增益的半 導(dǎo)體裝置。
將形成有GaAs FET等高頻元件的半導(dǎo)體芯片安裝在源極框架 (source frame )上并且進(jìn)行樹(shù)脂密封的半導(dǎo)體裝置被利用(例如，參考 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 )。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1 特開(kāi)昭61 - 16554號(hào)公報(bào)
圖20是示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖21是示出現(xiàn)有的半導(dǎo) 體裝置的立體圖。源極框架1在中央部具有下墊板(die pad) 2。在該 下墊板2上安裝有半導(dǎo)體芯片3。此外，直線形的柵極框架4以及漏極 框架5與源極框架1分離地設(shè)置。該柵極框架4以及漏極5分別具有焊 盤(pán)(bonding pad) 6、 7。以與源極框架1的下墊板2成同 一平面的方式 使焊盤(pán)6、 7翻轉(zhuǎn)(upset)。
此外，通過(guò)多個(gè)導(dǎo)線8將半導(dǎo)體芯片3的源極端子9和下墊板2電 連接，將半導(dǎo)體芯片3的漏極端子IO和焊盤(pán)7電連接，將半導(dǎo)體芯片3 的柵極端子11和焊盤(pán)6電連接。并且，下墊板2、焊盤(pán)6、 7、半導(dǎo)體 芯片3和多個(gè)導(dǎo)線8由模型樹(shù)脂(moldresin) 12密封。
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中，下墊板2被切割成矩形，焊盤(pán)6沿著下墊 板2的形狀被切割。由此，源極框架1和柵極框架4的間隔較窄，并且 兩者的對(duì)置面積變大。其結(jié)果是，源極框架1和柵極框架4之間的電容 變大。并且，從下面的數(shù)學(xué)式(l)、 (2)可知，存在源極框架l和柵 極框架4之間的電容Cgs增加時(shí)噪聲指數(shù)NF會(huì)增加的問(wèn)題。
<formula>formula see original document page 7</formula>
(式2)<formula>formula see original document page 8</formula>
其中，NF是噪聲指數(shù)，(o是角頻率，fr是電流增益遮斷頻率，A是常數(shù)， Cgs是源才及柵極間電容。
為了使半導(dǎo)體裝置的噪聲指數(shù)降低，改變半導(dǎo)體裝置的外部形狀， 使源極框架1和柵極框架4的間隔變大，并且減小兩者的對(duì)置面積即可。 但是，從半導(dǎo)體裝置的尺寸標(biāo)準(zhǔn)化或制造成本的方面來(lái)看，改變外部形 狀是困難的。
此外，根據(jù)下面的數(shù)學(xué)式(3)可知，為了使半導(dǎo)體裝置的增益(最 大有效增益)增加，減小源極框架1和柵極框架4之間的電容Cdg即可。 (式3)
<formula>formula see original document page 8</formula> (3)
此處，MAG是最大有效增益，k是穩(wěn)定系數(shù)，B是常數(shù)，Cdg是漏極柵 才及間電容。
為了減小Cdg,需要使柵極漏極間的電耦合變?nèi)?。這需要使柵極源 極間電容Cgs以及漏極源極間電容Cds增加。由(1 )式，當(dāng)Cgs增加 時(shí)，噪聲指數(shù)增加。因此，如果使Cds增加，能夠不增加噪聲指數(shù)且可 增力口增益。
為了使Cds增加，改變半導(dǎo)體裝置的外部形狀，使源極框架l和漏 極框架5的對(duì)置面積增加即可。但是，從半導(dǎo)體裝置的尺寸標(biāo)準(zhǔn)化或制 造成本的方面來(lái)看，改變外部形狀是困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決如上所述的課題而進(jìn)行的，其第一目的是提供一 種不改變外部形狀就能夠降低噪聲指數(shù)的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的第二目的是提供一種不改變外部形狀就能夠增加增益的 半導(dǎo)體裝置。
第一發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框架；
直線形的柵極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板 上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊 板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂， 將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中 所述下墊板在所述焊盤(pán)的附近在相對(duì)于所述柵極框架的延伸方向傾斜 的方向上^皮切割。
第二發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框架； 直線形的漏極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板 上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊 板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂， 將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中 所述漏極框架的寬度在所述焊盤(pán)處變寬。
第三發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框 架；漏極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的 半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電 連接、并且所述半導(dǎo)體芯片的漏極端子和所述焊盤(pán)將電連接；樹(shù)脂，將 所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所 述下墊板"〕"形地包圍所述焊盤(pán)的外周部。
第四發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框架； 漏極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo) 體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電連接、 并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下 墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所述焊盤(pán) "L"形地包圍所述下墊板的外周部。
第五發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框架； 漏極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo) 體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電連接、 并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下 墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所述下墊 板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分是交叉指型結(jié)構(gòu)。
第六發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框架； 漏極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)
體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電連接、 并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下 墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所述焊盤(pán) 配置在所述下墊板的上方。
第七發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框架； 漏極框架，與所述下墊板分離；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多 個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電連接、并且將所 述半導(dǎo)體芯片的漏極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所 述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所述漏極框架配置 在所述下墊板的下方。
第八發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框架； 漏極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo) 體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電連接、 并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下 墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所述下墊 板在所述焊盤(pán)的下方延伸。
第九發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框架； 漏極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo) 體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電連接、 并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下 墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所述下墊 板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分向下方延伸。
第十發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框架； 直線形的柵極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板 上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊 板電連接、并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂， 將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中 所述柵極框架的寬度在所述焊盤(pán)處變寬。
第十一發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框 架；柵極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的 半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電 連接、并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將
所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所 述下墊板"^"形地包圍所述焊盤(pán)的外周部。
第十二發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框 架；柵極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的 半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電 連接、并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將 所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所 述焊盤(pán)"L"形地包圍所述下墊板的外周部。
第十三發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框 架；柵極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的 半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電 連接、并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將 所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所 述下墊板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分是交叉指型結(jié)構(gòu)。
第十四發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框
架；柵極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的 半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電 連接、并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將 所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所 述焊盤(pán)配置在所述下墊板的上方。
第十五發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框 架；柵極框架，與所述下墊板分離；安裝在所述下塾板上的半導(dǎo)體芯片； 多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電連接、并且將 所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、 所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所述柵極框架配 置在所述下墊板的下方。
第十六發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框 架；柵極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的 半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電 連接、并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將 所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所 述下墊板在所述焊盤(pán)的的下方延伸。 第十七發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于，具有具有下墊板的源極框 架；柵極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的 半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電 連接、并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將 所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，其中所 述下墊板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分向下方延伸。
根據(jù)笫 一發(fā)明，不改變外部形狀就能夠降低半導(dǎo)體裝置的噪聲指 數(shù)。根據(jù)第二-第十七發(fā)明，不改變外部形狀就能夠增加增益。


圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖2是示出本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖3是示出本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖4是示出本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖5是示出本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖6是示出本發(fā)明實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖7是示出本發(fā)明實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置的立體圖。 圖8是示出本發(fā)明實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置的立體圖。 圖9是示出本發(fā)明實(shí)施方式9的半導(dǎo)體裝置的立體圖。 圖IO是示出本發(fā)明實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置的立體圖。 圖11是示出本發(fā)明實(shí)施方式11的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖12是示出本發(fā)明實(shí)施方式12的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖13是示出本發(fā)明實(shí)施方式13的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖14是示出本發(fā)明實(shí)施方式14的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖15是示出本發(fā)明實(shí)施方式15的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖16是示出本發(fā)明實(shí)施方式16的半導(dǎo)體裝置的立體圖。 圖17是示出本發(fā)明實(shí)施方式17的半導(dǎo)體裝置的立體圖。 圖18是示出本發(fā)明實(shí)施方式18的半導(dǎo)體裝置的立體圖。 圖19是示出本發(fā)明實(shí)施方式19的半導(dǎo)體裝置的立體圖。 圖20是示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖21是示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的立體圖。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施方式1
圖1是示出本發(fā)明實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的平面圖。源極框架1
在中央部具有下墊板2。在該下墊板2上安裝有半導(dǎo)體芯片3。在半導(dǎo) 體芯片3上形成GaAs FET等高頻元件。此外，直線形的柵極框架4以 及漏極框架5與源極框架1分離地設(shè)置。該4冊(cè)極框架4和漏才及框架5分 別具有焊盤(pán)6、 7。
此外，由多個(gè)導(dǎo)線8將半導(dǎo)體芯片3的源極端子9和下墊板2電連 接，將半導(dǎo)體芯片3的漏極端子10和焊盤(pán)7電連接，將半導(dǎo)體芯片3 的柵極端子11和焊盤(pán)6電連接。并且，下墊板2、焊盤(pán)6、 7、半導(dǎo)體 芯片3和多個(gè)導(dǎo)線8由模型樹(shù)脂12 (樹(shù)脂)密封。
在本實(shí)施方式中，對(duì)于下墊板2來(lái)說(shuō)，在焊盤(pán)6的附近，在相對(duì)于 柵極框架4的延伸方向傾斜的方向上^皮切割。即，對(duì)于下墊板2來(lái)說(shuō)， 在焊盤(pán)6的附近，向遠(yuǎn)離柵極框架4的方向被切割。并且，對(duì)于焊盤(pán)6 來(lái)說(shuō)，在下墊板2的附近，與下墊板2的沿傾斜方向切割的部分平行地 -故切割。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和柵極框架4的間隔變大，使兩 者的對(duì)置面積減小。因此，由于能夠使源極框架1和柵極框架4之間的 電容減小，所以不改變外部形狀就能夠使半導(dǎo)體裝置的噪聲指數(shù)降低。
實(shí)施方式2
圖2是示出本發(fā)明實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的平面圖。漏極框架5 的寬度在焊盤(pán)7處變大。并且，下墊板2和焊盤(pán)7對(duì)置的部分分別在相 對(duì)于漏極框架5延伸方向的傾斜方向上^皮切割。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1 相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和漏極框架5的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和漏極框架5之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就能夠使半導(dǎo)體裝置的噪聲指數(shù)降低。其他效果與實(shí)施方式 1相同。
實(shí)施方式3
圖3是示出本發(fā)明實(shí)施方式3的半導(dǎo)體裝置的平面圖。漏極框架5
的寬度在焊盤(pán)7處變大。并且，下墊板2和焊盤(pán)7對(duì)置的部分被階梯狀 地切割。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和漏極框架5的對(duì)置面積比實(shí)施 方式2進(jìn)一步增大。因此，能夠使增益進(jìn)一步增加。其他效果與實(shí)施方 式1相同。
實(shí)施方式4
圖4是示出本發(fā)明實(shí)施方式4的半導(dǎo)體裝置的平面圖。下墊板2成 "〕"形包圍焊盤(pán)7的外周部。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和漏極框架5的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和漏極框架5之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。其他效果與實(shí)施方式l相同。
實(shí)施方式5
圖5是示出本發(fā)明實(shí)施方式5的半導(dǎo)體裝置的平面圖。焊盤(pán)7成"L" 形包圍下墊板2的外周部。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和漏極框架5的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和漏極框架5之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。其他效果與實(shí)施方式l相同。
實(shí)施方式6
圖6是示出本發(fā)明實(shí)施方式6的半導(dǎo)體裝置的平面圖。下墊板2和 焊盤(pán)7對(duì)置的部分是交叉指型(inter-digital)結(jié)構(gòu)。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方 式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和漏極框架5的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和漏極框架5之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。其他效果與實(shí)施方式l相同。
實(shí)施方式7
圖7是示出本發(fā)明實(shí)施方式7的半導(dǎo)體裝置的立體圖。焊盤(pán)7配置 在下墊板2的上方。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和漏極框架5的對(duì)置面積增大。
因此，由于能夠使源極框架1和漏極框架5之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。其他效果與實(shí)施方式l相同。
實(shí)施方式8
圖8是示出本發(fā)明實(shí)施方式8的半導(dǎo)體裝置的立體圖。漏極框架5 配置在下墊板2的下方。并且，不設(shè)置漏極框架5的焊盤(pán)7,漏極框架 5和半導(dǎo)體芯片3的漏極端子IO被引線接合。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和漏極框架5的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和漏極框架5之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。其他效果與實(shí)施方式l相同。
實(shí)施方式9
圖9是示出本發(fā)明實(shí)施方式9的半導(dǎo)體裝置的立體圖。下墊板2在 焊盤(pán)7的下方延伸。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和漏極框架5的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和漏極框架5之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。其他效果與實(shí)施方式l相同。
實(shí)施方式10
圖IO是示出本發(fā)明實(shí)施方式10的半導(dǎo)體裝置的立體圖。下墊板2 和焊盤(pán)7對(duì)置的部分向下方延伸。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和漏極框架5的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和漏極框架5之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。其他效果與實(shí)施方式l相同。
實(shí)施方式ll
圖11是示出本發(fā)明實(shí)施方式11的半導(dǎo)體裝置的平面圖。柵極框架 4的寬度在焊盤(pán)6處變寬。并且，下墊板2和焊盤(pán)6對(duì)置的部分分別在 相對(duì)于柵極框架4的延伸方向傾斜方向上被切割。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式 1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和柵極框架4的對(duì)置面積增大。
因此，由于能夠使源極框架1和柵極框架4之間的電容增大，所以不改
變外部形狀就可以增加增益。
實(shí)施方式12
圖12是示出本發(fā)明實(shí)施方式12的半導(dǎo)體裝置的平面圖。柵極框架 4的寬度在焊盤(pán)6處變大。并且，下墊板2和焊盤(pán)6對(duì)置的部分被階梯 狀地切割。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和柵極框架4的對(duì)置面積比實(shí)施 方式2進(jìn)一步增大。因此，能夠使增益進(jìn)一步增加。
實(shí)施方式13
圖13是示出本發(fā)明實(shí)施方式13的半導(dǎo)體裝置的平面圖。下墊板2 成"^"形包圍焊盤(pán)6的外周部。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和柵極框架4的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和柵極框架4之間的電容增大，所以不改變外部形狀就可以增加增益。
實(shí)施方式14
圖14是示出本發(fā)明實(shí)施方式14的半導(dǎo)體裝置的平面圖。焊盤(pán)6成 "L"形包圍下墊板2的外周部。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和柵極框架4的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和柵極框架4之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。
實(shí)施方式15
圖15是示出本發(fā)明實(shí)施方式15的半導(dǎo)體裝置的平面圖。下墊板2 和焊盤(pán)6對(duì)置的部分是交叉指型結(jié)構(gòu)。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式l相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和柵極框架4的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和柵極框架4之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。
實(shí)施方式16
圖16是示出本發(fā)明實(shí)施方式16的半導(dǎo)體裝置的立體圖。焊盤(pán)6配 置在下墊板2的上方。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和柵極框架4的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和柵極框架4之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。
實(shí)施方式17
圖17是示出本發(fā)明實(shí)施方式17的半導(dǎo)體裝置的立體圖。柵極框架 4配置在下墊板2的下方。并且，不設(shè)置柵極框架4的焊盤(pán)6,柵極框 架4和半導(dǎo)體芯片3的柵極端子11被引線接合。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1 相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和柵極框架4的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和柵極框架4之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。
實(shí)力在方式18
圖18是示出本發(fā)明實(shí)施方式18的半導(dǎo)體裝置的立體圖。下墊板2 在焊盤(pán)6的下方延伸。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式1相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和柵極框架4的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和柵極框架4之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。
實(shí)施方式19
圖19是示出本發(fā)明實(shí)施方式19的半導(dǎo)體裝置的立體圖。下墊板2 和焊盤(pán)6對(duì)置的部分延伸到下方。其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式l相同。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠使源極框架1和柵極框架4的對(duì)置面積增大。 因此，由于能夠使源極框架1和柵極框架4之間的電容增大，所以不改 變外部形狀就可以增加增益。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；直線形的柵極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述下墊板在所述焊盤(pán)的附近在相對(duì)于所述柵極框架的延伸方向傾斜的方向上被切割。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述焊盤(pán)在所述下墊板的附近與所述下墊板的在傾斜方向切割的部分平行地一皮切割。
3. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；直線形的漏極框架，具有與所述下墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所 述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述 半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述漏極框架的寬度在所述焊盤(pán)處變寬。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述下墊板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分分別在相對(duì)于所述漏極框架的延伸方向傾殺牛的方向上纟皮切割。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述下墊板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分被階梯狀地切割。
6. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；漏極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且所述半導(dǎo)體芯片的漏極端子 和所述焊盤(pán)將電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述下墊板形地包圍所述焊盤(pán)的外周部。
7. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有具有下墊板的源極框架；漏極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述焊盤(pán)"L"形地包圍所述下墊板的外周部。
8. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；漏極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述下墊板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分是交叉指型結(jié)構(gòu)。
9. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；漏極框架，具有與所述下塾板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述焊盤(pán)配置在所述下墊板的上方。
10. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；漏極框架，與所述下墊板分離；安 裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極 端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端子和所述焊 盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多 個(gè)導(dǎo)線密封，所述漏極框架配置在所述下墊板的下方。
11. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；漏極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述下墊板在所述焊盤(pán)的下方延伸。
12. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；漏極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的漏極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述下墊板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分向下方延伸。
13. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；直線形的柵極框架，具有與所述下 墊板分離的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所 述半導(dǎo)體芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述 半導(dǎo)體芯片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述柵極框架的寬度在所述焊盤(pán)處變寬。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述下墊板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分分別在相對(duì)于所述柵極框架的延伸方向傾在牛的方向上祐:切割。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述下墊板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分被階梯狀地切割。
16. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；柵極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述下墊板"3"形地包圍所述焊盤(pán)的外周部。
17. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；柵極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述焊盤(pán)"L"形地包圍所述下墊板的外周部。
18. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；柵極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述下墊板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分是交叉指型結(jié)構(gòu)。
19. 一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；柵極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述焊盤(pán)配置在所述下墊板的上方。
20. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；柵極框架，與所述下墊板分離；安 裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體芯片的源極 端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端子和所述焊 盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯片和所述多 個(gè)導(dǎo)線密封，所述柵極框架配置在所述下墊板的下方。
21. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有具有下墊板的源極框架；柵極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述下墊板在所述焊盤(pán)的的下方延伸。
22. —種半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具有具有下墊板的源極框架；柵極框架，具有與所述下墊板分離 的焊盤(pán)；安裝在所述下墊板上的半導(dǎo)體芯片；多個(gè)導(dǎo)線，將所述半導(dǎo)體 芯片的源極端子和所述下墊板電連接，并且將所述半導(dǎo)體芯片的柵極端 子和所述焊盤(pán)電連接；樹(shù)脂，將所述下墊板、所述焊盤(pán)、所述半導(dǎo)體芯 片和所述多個(gè)導(dǎo)線密封，所述下墊板和所述焊盤(pán)對(duì)置的部分向下方延伸。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種不改變外部形狀就可以降低噪聲指數(shù)的半導(dǎo)體裝置。源極框架(1)具有下墊板(2)。直線形的柵極框架(4)具有與下墊板(2)分離的焊盤(pán)(6)。在下墊板(2)上安裝半導(dǎo)體芯片(3)。通過(guò)多個(gè)導(dǎo)線(8)電連接半導(dǎo)體芯片(3)的源極端子(9)和下墊板，并且電連接半導(dǎo)體芯片(3)的柵極端子(11)和焊盤(pán)(6)。由樹(shù)脂(12)密封下墊板(2)、焊盤(pán)(6)、半導(dǎo)體芯片(3)和多個(gè)導(dǎo)線(8)。下墊板(2)在焊盤(pán)(6)附近相對(duì)于柵極框架(4)的延伸方向傾斜的方向上被切割。
文檔編號(hào)H01L23/488GK101364584SQ200810129848
公開(kāi)日2009年2月11日 申請(qǐng)日期2008年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月10日
發(fā)明者吉田直人, 川島慶一, 細(xì)見(jiàn)剛 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社