專利名稱：導(dǎo)線架、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種導(dǎo)線架、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是一種具有突 出部的導(dǎo)線架、半導(dǎo)體封裝構(gòu)造及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)步與集成電路的密度不斷增加，構(gòu)裝組件的引腳愈 來(lái)愈多，使得制作體積小、速度快及高密度的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)已成趨勢(shì)，例如薄型小尺寸
封裝(Thin Small Outline Package, TSOP)或芯片上搭載導(dǎo)線架(Lead-On-Chip, LOC)等構(gòu)裝結(jié)構(gòu)，其構(gòu)裝范圍逐漸縮小，導(dǎo)致加工困難度提高，封裝良率無(wú)法提升。
圖1所示為己知半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的示意圖，此半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)主要包含多個(gè) 堆棧芯片10a、 10b、 10c、導(dǎo)線架12、引線14a、 14b、 14c、 14d及封膠體16。此 導(dǎo)線架12設(shè)有多個(gè)第一內(nèi)引腳12a、多個(gè)第二內(nèi)引腳12b及多個(gè)第一外引腳12c， 其中第一內(nèi)引腳12a設(shè)置在導(dǎo)線架12的中央?yún)^(qū)域，借以容置堆棧芯片10a、 10b、 10c。然而此現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，在封裝結(jié)構(gòu)的中引線14a、 14b、 14c、 14d 連接堆棧芯片10a、 10b、 10c至第一內(nèi)引腳12a或第二內(nèi)引腳12b時(shí)，堆棧芯片 10a、 10b、 10c越多，其引線14a、 14b、 14c、 14d的長(zhǎng)度必須加長(zhǎng)，導(dǎo)致半導(dǎo)體 封裝結(jié)構(gòu)在塑封工藝中，易造成沖線(Wire Swe印)或脫落進(jìn)而導(dǎo)致短路的現(xiàn)象。
有鑒于此，本發(fā)明針對(duì)上述的問(wèn)題，提出一種導(dǎo)線架、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其 制造方法，以有效解決上述現(xiàn)有技術(shù)的困擾。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種導(dǎo)線架、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu) 及其制造方法，導(dǎo)線架的內(nèi)引腳形成突出部，可縮短堆棧芯片的引線長(zhǎng)度。
本發(fā)明的另一目的是提供一種導(dǎo)線架、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，其半 導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)于塑封時(shí)，可抵抗封膠體的流動(dòng)所產(chǎn)生的壓力，進(jìn)而防止引線產(chǎn)生沖 線。
5本發(fā)明的再一目的是提供一種導(dǎo)線架、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，半導(dǎo) 體封裝結(jié)構(gòu)可減少短路的現(xiàn)象，進(jìn)而增加封裝良率。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明一方面的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其包含 一導(dǎo)線 架，其具有多個(gè)第一內(nèi)引腳、多個(gè)第二內(nèi)引腳及多個(gè)第一外引腳，其中每一第一內(nèi) 引腳及每一第二外引腳，包含 一第一突出部，其凸起于每一第一內(nèi)引腳上，而第 一突出部形成高度差的多個(gè)接觸面；以及一第二突出部，其凸起于每一第二內(nèi)引腳 上；多個(gè)堆棧芯片設(shè)置于第一內(nèi)引腳上并鄰設(shè)于第一突出部的一側(cè)；多個(gè)引線，其 分別電性連接相近高度的這些堆棧芯片、第一突出部的接觸面及第二突出部；以及 一封膠體，其密封堆棧芯片、第一內(nèi)引腳、第二內(nèi)引腳、第一突出部、第二突出部 及引線。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明另一方面的導(dǎo)線架，其具有多個(gè)第一內(nèi)引 腳、多個(gè)第二內(nèi)引腳及多個(gè)第一外引腳，其中每一第一內(nèi)引腳具有一第一突出部凸 起于每一第一內(nèi)引腳上，而第一突出部形成高度差的多個(gè)接觸面；以及一第二突出 部凸設(shè)于每一第二內(nèi)引腳上。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明又一方面的半導(dǎo)體封裝方法，包含提供一 導(dǎo)線架，其具有多個(gè)第一內(nèi)引腳、多個(gè)第二內(nèi)引腳及多個(gè)第一外引腳，而第一內(nèi)引 腳及第二內(nèi)引腳上分別形成一第一突出部及一第二突出部，第一突出部形成高度差 的多個(gè)接觸面；設(shè)置多個(gè)堆棧芯片于第一內(nèi)引腳，并鄰設(shè)于第一突出部的一側(cè)；電 性連接多個(gè)引線至相近高度的堆棧芯片、第一突出部的接觸面及第二突出部；以及 密封堆棧芯片、第一內(nèi)引腳、第二內(nèi)引腳、第一突出部、第二突出部及引線。
為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明再一方面的導(dǎo)線架制造方法，包含加工成 型一導(dǎo)線架，使導(dǎo)線架形成多個(gè)第一內(nèi)引腳、多個(gè)第二內(nèi)引腳及多個(gè)第一外引腳， 而第一內(nèi)引腳及第二內(nèi)引腳上分別形成一第一突出部及一第二突出部，第一突出部 形成高度差的多個(gè)接觸面。


圖1所示為己知半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2a及圖2b所示分別為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的上視圖及側(cè) 視圖。
圖3所示為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4a至圖4c所示為根據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖2a及圖2b所示分別為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的上視圖及側(cè) 視圖。于此實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)100包含一導(dǎo)線架110、多個(gè)堆棧芯片120a、 120b、 120c、多個(gè)引線130a、 130b、 130c、 130d及一封膠體140，其中導(dǎo)線架110 具有多個(gè)第一內(nèi)引腳U2a、多個(gè)第二內(nèi)引腳112b及多個(gè)第一外引腳112c;—第一 突出部116a凸出于每一第一內(nèi)引腳112a上以形成高度差的多個(gè)接觸面118; —第 二突出部116b凸起于每一第二內(nèi)引腳112b上；堆棧芯片120a、 120b、 120c設(shè)置 于第一內(nèi)引腳112a上并鄰設(shè)于第一突出部116a的一側(cè)；引線130a、 130b、 130c、 130d電性連接相近高度的堆棧芯片120a、 120b、 120c、第一突出部116a的接觸面 118與第二突出部116b;以及封膠體140密封堆棧芯片120a、 120b、 120c、第一 內(nèi)引腳112a、第二內(nèi)引腳112b、第一突出部116a、第二突出部116b及引線130a、 130b、 130c、 130d。另外， 一膠體150黏著于堆棧芯片120a、 120b、 120c之間并 借以固設(shè)堆棧芯片120a、 120b、 120c。
根據(jù)上述，當(dāng)堆棧芯片的數(shù)量越多，其第一內(nèi)引腳上的第一突出部可依據(jù)堆 棧芯片的高度增加，因此，引線的長(zhǎng)度可縮短，尤其當(dāng)半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)于灌模工序 時(shí)，較短的引線可抵抗封膠體的流動(dòng)所產(chǎn)生的壓力，所以引線不易產(chǎn)生沖線(wire swe印)或脫落；此外，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)是可減少短路的現(xiàn)象，借以提升良率。
于另一較佳的實(shí)施例中，第一突出部116a可為階梯狀(請(qǐng)參閱圖2b所示)， 或如圖3所示，第一突出部200可為一直立狀結(jié)構(gòu)，換言之，凡導(dǎo)線架的內(nèi)引腳是 以不同的結(jié)構(gòu)凸出，借以縮短所連接的引線長(zhǎng)度，皆于在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)，故 不在此詳述。
于一較佳的實(shí)施例中，每一堆棧芯片的高度分別對(duì)齊第一突出部的每一接觸 面，如此引線能以最短的長(zhǎng)度電性連接第一內(nèi)引腳的第一突出部或第二內(nèi)引腳的第 二突出部；此外，于另一較佳的實(shí)施例中，第一內(nèi)引腳的第一突出部與第二內(nèi)引腳
的第二突出部的水平高度相同，則引線能以最短的長(zhǎng)度連接第一內(nèi)引腳的第一突出 部與第二內(nèi)引腳的第二突出部。
于一較佳的實(shí)施例中，接觸面的數(shù)量與堆棧芯片的數(shù)量相同，如此半導(dǎo)體封 裝結(jié)構(gòu)可以控制到最低的封裝高度。于上述實(shí)施例中，導(dǎo)線架是一體成型的結(jié)構(gòu)， 而導(dǎo)線架是選自濕式蝕刻、干式蝕刻、鑄造、沖剪或成型步驟，使導(dǎo)線架上形成第 一突出部及第二突出部。圖4a至4c所示為根據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。首先， 如圖4a所示，加工成型一導(dǎo)線架110，使導(dǎo)線架110形成多個(gè)第一內(nèi)引腳112a、 多個(gè)第二內(nèi)引腳112b及多個(gè)第一外引腳112c，而第一內(nèi)引腳112a及第二內(nèi)引腳 112b上形成一第一突出部116a及一第二突出部116b，而第一突出部116a形成高 度差的多個(gè)接觸面118;接著，如圖4b所示，設(shè)置多個(gè)堆棧芯片120a、 120b、 120c 于第一內(nèi)引腳112a上，并鄰設(shè)于第一突出部116a的一側(cè)；其次，如圖4c所示， 電性連接多個(gè)引線130a、 130b、 130c、 130d至相近高度的堆棧芯片120a、 120b、 120c、第一突出部116a的接觸面118或第二突出部116b;最后，請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D2b 所示，提供一封膠體140密封堆棧芯片120a、 120b、 120c、第一內(nèi)引腳112a、第 二內(nèi)引腳112b、第一突出部116a、第二突出部116b及引線130a、 130b、 130c、 130d。
于上述實(shí)施例中，導(dǎo)線架是一體成型的結(jié)構(gòu)，而導(dǎo)線架是選自濕式蝕刻、干 式蝕刻、鑄造、沖剪或成型步驟，使導(dǎo)線架上形成第一突出部及第二突出部。
再者， 一上膠步驟將一膠體黏著于堆棧芯片之間，而膠體可為膠帶、DAF膠等， 借以固定堆棧芯片。
綜合上述，本發(fā)明提供一種導(dǎo)線架、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，導(dǎo)線架 的內(nèi)引腳形成突出部，可縮短堆棧芯片的引線長(zhǎng)度；其次，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)可于塑 封時(shí)，防止引線產(chǎn)生沖線及減少短路的現(xiàn)象，因此可有效增加半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的良。
以上所述的實(shí)施例僅是說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使熟悉本技 術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，當(dāng)不能以其限定本發(fā)明 的專利范圍，即凡是根據(jù)本發(fā)明所揭示的精神所作出的種種等同的改變或替換，仍 應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包含一導(dǎo)線架，其具有多個(gè)第一內(nèi)引腳、多個(gè)第二內(nèi)引腳及多個(gè)第一外引腳，其中每一該第一內(nèi)引腳及每一該第二外引腳，包含一第一突出部，其凸起于每一該第一內(nèi)引腳上，而該第一突出部形成高度差的多個(gè)接觸面；以及一第二突出部，其凸起于每一該第二內(nèi)引腳上；多個(gè)堆棧芯片，其設(shè)置于這些第一內(nèi)引腳上并鄰設(shè)于該第一突出部的一側(cè)；多個(gè)引線，其分別對(duì)應(yīng)電性連接相近高度的這些堆棧芯片、該第一突出部的這些接觸面或該第二突出部；以及一封膠體，其密封這些堆棧芯片、這些第一內(nèi)引腳、這些第二內(nèi)引腳、該第一突出部、該第二突出部及這些引線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu) 梯狀或一直立狀結(jié)構(gòu)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu) 分別對(duì)齊該第一突出部的這些接觸面。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu) 二突出部的水平高度相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu) 的結(jié)構(gòu)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu) 與這些堆棧芯片的數(shù)量相同。
7. —種導(dǎo)線架，包含 多個(gè)第一內(nèi)引腳；一第一突出部，其凸起于每一該第一內(nèi)引腳上，而該第一突出部形成高度差 的多個(gè)接觸面；多個(gè)第二內(nèi)引腳；一第二突出部，其凸設(shè)于每一該第二內(nèi)引腳上；以及 多個(gè)第一外引腳。一內(nèi)引腳、這些第二內(nèi)引腳、該第 ，其特征在于該第一突出部是一階 ，其特征在于這些堆棧芯片的高度 ，其特征在于該第一突出部與該第 ，其特征在于該導(dǎo)線架是一體成型 ，其特征在于這些接觸面的數(shù)量是
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一突出部是一階 梯狀或一直立狀結(jié)構(gòu)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)線架，其特征在于該第一突出部與該第二突出部 的水平高度相同。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)線架，其特征在于該導(dǎo)線架是一體成型的結(jié)構(gòu)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)線架，其特征在于該第一突出部及該第二突出部 是以濕式蝕刻、干式蝕刻、鑄造、沖剪或成型步驟所形成。
12. —種半導(dǎo)體封裝方法，包含提供一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架具有多個(gè)第一內(nèi)引腳、多個(gè)第二內(nèi)引腳及多個(gè)第一外 引腳，而每一該第一內(nèi)引腳及每一該第二內(nèi)引腳上分別形成一第一突出部及一第二突出部，該第一突出部具有高度差的多個(gè)接觸面；設(shè)置多個(gè)堆棧芯片于這些第一內(nèi)引腳，并鄰設(shè)于該第一突出部的一側(cè)； 電性連接多個(gè)引線至相近高度的這些堆棧芯片、該第一突出部的這些接觸面及該第二突出部；以及密封這些堆棧芯片、這些第一內(nèi)引腳、這些第二內(nèi)引腳、該第一突出部、該第二突出部及這些引線。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于該第一突出部及該第 二突出部是以濕式蝕刻、干式蝕刻、鑄造、沖剪或成型步驟所形成。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于這些堆棧芯片的高度 分別對(duì)齊該第一突出部的這些接觸面。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于該第一突出部與該第 二突出部的水平高度相同。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征在于還包含一上膠步驟將 一膠體黏著于堆棧芯片之間。
17. —種導(dǎo)線架制造方法，包含加工成型一導(dǎo)線架，使該導(dǎo)線架形成多個(gè)第一內(nèi)引腳、多個(gè)第二內(nèi)引腳及多個(gè) 第一外引腳，而每一該第一內(nèi)引腳及每一該第二內(nèi)引腳上分別形成一第一突出部及 一第二突出部，該第一突出部形成高度差的多個(gè)接觸面。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于該第一突出部及該 第二突出部是以濕式蝕刻、干式蝕刻、鑄造、沖剪或成型步驟所形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的導(dǎo)線架制造方法，其特征在于該第一突出部與該第 二突出部的水平高度相同。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)第一內(nèi)引腳、多個(gè)第二內(nèi)引腳、多個(gè)第一外引腳、多個(gè)堆棧芯片、一封膠體及引線，其中每一第一內(nèi)引腳上凸起一第一突出部，并形成具有高度差的多個(gè)接觸面，而每一第二內(nèi)引腳上凸起于第二突出部，如此，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的引線連接堆棧芯片、第一內(nèi)引腳、第二內(nèi)引腳的長(zhǎng)度可以縮短并于塑封時(shí)，防止引線產(chǎn)生沖線或短路的現(xiàn)象。此外，本發(fā)明亦揭露一種導(dǎo)線架、半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101621050SQ20081012790
公開(kāi)日2010年1月6日 申請(qǐng)日期2008年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月2日
發(fā)明者陳錦弟 申請(qǐng)人:力成科技股份有限公司