專利名稱：薄膜晶體管制造方法及具有該薄膜晶體管的顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于有源陣列有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode; AMOLED)顯示器，更明確而言，是關(guān)于制造該 AMOLED顯示器所使用的不同薄膜晶體管(Thin Film Transistor; TFT) 的方法，以及包含該等薄膜晶體管的有源陣列有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)已廣泛運(yùn)用于顯示器，其中在于有源陣列有機(jī)發(fā) 光二極管(AMOLED)顯示器中，發(fā)光部分是利用驅(qū)動(dòng)電路來驅(qū)動(dòng)發(fā)光組件 ——有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。 AMOLED驅(qū)動(dòng)電路是使用薄膜晶體管，包含 一開關(guān)薄膜晶體管(Switch Thin Film Transistor)與一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving Thin Film Transistor),其中該開關(guān)薄膜晶體管是以N型薄膜晶體管(NTFT)實(shí) 施，用于切換顯示器的次像素(sub-pixel)的開關(guān)狀態(tài)，而驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管是 以P型薄膜晶體管(PTFT)實(shí)施，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光組件(如OLED)。此外， AMOLED顯示器的外圍電路部分亦需要用到N型薄膜晶體管(NTFT)與P 型薄膜晶體管(PTFT)?，F(xiàn)有技術(shù)中，制作AMOLED驅(qū)動(dòng)電路以及外圍電路 中的薄膜晶體管所使用的多晶硅均是以標(biāo)準(zhǔn)激光結(jié)晶化法使長(zhǎng)在玻璃基板上 的非晶硅結(jié)晶化成多晶硅。之所以采用標(biāo)準(zhǔn)激光結(jié)晶化法，是因?yàn)槠矫骘@示 器適用的玻璃基板不像一般制造晶體管適用的硅晶圓如此耐高溫，必須采用溫度低于玻璃基板溫度的結(jié)晶化技術(shù)。但是，標(biāo)準(zhǔn)激光結(jié)晶化技術(shù)在觸發(fā)結(jié) 晶化過程中會(huì)因輸出激光能量差異等問題導(dǎo)致最后制成的顯示器有發(fā)光不均
勻(Mura)的現(xiàn)象。
此夕卜，AMOLED驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管是以輸出電流驅(qū)動(dòng)OLED， OLED組件 的發(fā)光結(jié)果對(duì)于驅(qū)動(dòng)電流的差異是非常敏感的。顯示區(qū)域是具有若干個(gè)次像 素(sub-pixel)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管矩陣，若各驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管間的電學(xué)特性具有 某種程度上的差異，則該區(qū)域中OLED組件的發(fā)光強(qiáng)度便產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的差異， 進(jìn)而造成人類視覺上可察覺的差別。
當(dāng)制成顯示器后，相關(guān)于驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的標(biāo)準(zhǔn)激光技術(shù)以及電流驅(qū)動(dòng) 等因素會(huì)導(dǎo)致條紋狀發(fā)光不均勻的現(xiàn)象(Stripe Mura)，造成AMOLED產(chǎn)品 的良率偏低。本發(fā)明即意在解決此問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種OLED顯示器的薄膜晶體管制造方法以制造 OLED顯示器外圍電路部分的N型與P型外圍電路薄膜晶體管以及顯示區(qū)域 部分的驅(qū)動(dòng)電路使用的開關(guān)薄膜晶體管與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。通過本發(fā)明的方 法所制造的外圍電路薄膜晶體管與開關(guān)薄膜晶體管以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管分別 具有符合其使用需求的特性。外圍電路薄膜晶體管與開關(guān)薄膜晶體管具有優(yōu) 異電學(xué)性能，例如高載流子遷移率。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管則具有良好的穩(wěn)定性， 使得最后制得的顯示器具有良好的發(fā)光均勻性。
本發(fā)明的另一目的是提供一種OLED顯示器，其包含外圍電路部分以及 顯示區(qū)域部分。外圍電路部分具有外圍電路薄膜晶體管。顯示區(qū)域部分具有 若干個(gè)次像素，各次像素包含發(fā)光組件以及用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光組件的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管以及用于切換次像素狀態(tài)的開關(guān)薄膜晶體管。本發(fā)明的OLED顯示器其 外圍電路薄膜晶體管與開關(guān)薄膜晶體管以及驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管分別具有符合使 用需求的特性。外圍電路薄膜晶體管與開關(guān)薄膜晶體管具有優(yōu)異電學(xué)性能， 例如高載流子遷移率。驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管則具有良好的穩(wěn)定性，使得最后制得 的顯示器具有良好的發(fā)光均勻性。
根據(jù)本發(fā)明， 一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的薄膜晶體管制造方 法，包含步驟有提供一基板層，該基板層具有第一區(qū)域與第二區(qū)域；于該基 板層上形成一緩沖層；通過第一結(jié)晶化制程于該緩沖層上形成第一多晶硅層； 圖形化該第一多晶硅層以于第一區(qū)域形成第一薄膜晶體管的有源區(qū)；形成第 一隔離層；通過第二結(jié)晶化制程于該第一隔離層上形成第二多晶硅層，該第 二結(jié)晶化制程不同于該第一結(jié)晶化制程；圖形化該第二多晶硅層以于第二區(qū) 域形成第二薄膜晶體管的有源區(qū)；形成第二隔離層；以及于該第二隔離層上 分別形成第一薄膜晶體管以及第二薄膜晶體管的柵極。
根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示器具有外圍電路部分以及顯示區(qū)域部分。顯示 區(qū)域部分具有若干個(gè)次像素，各次像素包含發(fā)光組件以及用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光組件 的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，并包含開關(guān)薄膜晶體管。該OLED顯示器包含一基板層； 一第一薄膜晶體管形成于該基板層上，其包含一第一緩沖層形成于該基板層 上， 一第一多晶硅層形成的有源區(qū)設(shè)置于該緩沖層上， 一第一柵極絕緣層覆 蓋于有源區(qū)上以及一第一柵極設(shè)置于該第一柵極絕緣層上；以及一第二薄膜 晶體管形成于該基板層上，其包含一第二緩沖層形成于該基板層上， 一第二 多晶硅層形成的有源區(qū)設(shè)置于該緩沖層上， 一第二柵極絕緣層覆蓋于有源區(qū) 上以及一第二柵極設(shè)置于該第二柵極絕緣層。該第一多晶硅層與該第二多晶 硅層具有不同的晶粒特性，且該第一柵極絕緣層與該第二柵極絕緣層具有同的厚度。


圖1顯示一有源陣列有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)顯示器110的基本電 路結(jié)構(gòu)示意圖2顯示圖1中的次像素的基本電路結(jié)構(gòu)示意圖3至圖12分別顯示根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示器TFT制造方法流程步 驟的剖面示意圖13顯示通過FE-RTA結(jié)晶化法形成的多晶硅晶粒結(jié)構(gòu)；以及
圖14顯示ELA結(jié)晶化法形成的多晶硅晶粒結(jié)構(gòu)；以及
圖15顯示包含根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示器的電子裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照所圖式詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容。
圖1顯示一有源陣列有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)顯示器110的基本電 路結(jié)構(gòu)。該OLED顯示器110包含有控制電路140、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160、掃 描線驅(qū)動(dòng)電路180以及一顯示面板200。該顯示面板200具有若干個(gè)次像素 210，各像素210與一條數(shù)據(jù)線(D1至Dn) 165以及一條掃描線(Sl至Sn) 187 連接，從而構(gòu)成一矩陣。次像素210經(jīng)由數(shù)據(jù)線165與掃描線187接收數(shù)據(jù) 線驅(qū)動(dòng)電路160的影像數(shù)據(jù)信號(hào)以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路180的開關(guān)/尋址信號(hào)。 該數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路160以及該掃描線驅(qū)動(dòng)電路180是由控制電路140加以控 制。 '
次像素的電路設(shè)計(jì)可包含多個(gè)薄膜晶體管，但一般而言至少具有一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光組件以及一開關(guān)薄膜晶體管用于切換該次像素的狀
態(tài)，如圖2所示。圖2顯示圖1中的次像素210的基本電路結(jié)構(gòu)示意圖。各 次像素210包含一發(fā)光組件212，如OLED，以及用以驅(qū)動(dòng)該發(fā)光組件212 的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管214,其一般是由PTFT實(shí)施。該次像素210并包含一般是 由NTFT實(shí)施的開關(guān)薄膜晶體管216以及一電容器218。該開關(guān)薄膜晶體管 216的柵極電學(xué)連接至對(duì)應(yīng)的掃描線187，其漏極則電學(xué)連接至對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線 165，其源極則與該電容器218的一端以及驅(qū)動(dòng)膜薄晶體管214的柵極連接。 該電容器218的另一端與該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管214的源極連接并接至電壓源 Vdd。該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管214與該發(fā)光組件212連接。此電路結(jié)構(gòu)的操作為 此項(xiàng)技藝中所泛知者，同時(shí)也非本發(fā)明的重點(diǎn)，故在此不予贅述。
如前所述，為避免顯示區(qū)域發(fā)光不均勻現(xiàn)象，對(duì)顯示面板中各次像素的 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的一致性要求相當(dāng)嚴(yán)格。相對(duì)而言，開關(guān)薄膜晶體管用于切 換次像素的開關(guān)狀態(tài)，與外圍電路所使用的薄膜晶體管同樣對(duì)于電學(xué)性能要 求較高。換言之，對(duì)于有源陣列OLED顯示器而言，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的需求 與包含開關(guān)薄膜晶體管與外圍電路薄膜晶體管的需求不同，而本發(fā)明是提供 一種技術(shù)，可于同一制程中制得符合不同需求的薄膜晶體管。
本發(fā)明是于同一玻璃基板上分不同區(qū)域同時(shí)制造用于OLED顯示器外圍 電路所需要使用的N型薄膜晶體管(NTFT)、 P型薄膜晶體管(PTFT)、OLED 顯示器顯示區(qū)域所需要使用的開關(guān)晶體管(Switch TFT， 一般以NTFT實(shí)施) 以及OLED顯示器顯示區(qū)域用以驅(qū)動(dòng)發(fā)光組件的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(Driving TFT， 一般以PTFT實(shí)施)。為便于敘述，外圍電路所需要使用的N型薄膜晶 體管(NTFT)、 P型薄膜晶體管(PTFT)、以及顯示區(qū)域所需要使用的開關(guān)晶 體管統(tǒng)稱"非驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管"。根據(jù)本發(fā)明，所制造的非驅(qū)動(dòng)用TFT與驅(qū)動(dòng)TFT分別具有符合所屬區(qū)域使用需求的性能。非驅(qū)動(dòng)用TFT具有優(yōu)異的 電學(xué)性能，而驅(qū)動(dòng)TFT則使制成的平面顯示器具有良好的發(fā)光均勻性。
本發(fā)明的AMOLED顯示器TFT制造方法程序顯示于圖3至圖12，在本 實(shí)施例中，第一區(qū)域的左邊的部分用于非驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管的NTFT制程， 右邊的部分用于非驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管的PTFT制程，而第二區(qū)域是驅(qū)動(dòng)TFT 制程。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，其顯示根據(jù)本發(fā)明的方法的第一步驟。提供一基板層10， 其材質(zhì)可為透光材料如玻璃。于基板層10上形成一緩沖層，于本實(shí)施例中， 該緩沖層包含材料為氮化物(如氮化硅)的氮化層21以及材料為氧化物(如 氧化硅)的氧化層23。于該緩沖層上形成一非晶硅層，該非晶硅層是利用第 一結(jié)晶化制程轉(zhuǎn)化成第一多晶硅層30。該第一結(jié)晶化制程為一種高功率激光 結(jié)晶化制程，稱為標(biāo)準(zhǔn)激光結(jié)晶化法，例如可采用例如準(zhǔn)分子激光退火 (Excimer Laser Anneal; ELA)法。
請(qǐng)參照?qǐng)D4，將第一多晶硅層30加以圖形化(patterning)以及N型摻雜 (N-type doping)以及溝道摻雜(channel doping)之后，在NTFT部分，保留的 多晶硅層是成為有源區(qū)36，其形成有漏極區(qū)36a、溝道區(qū)36b、源極區(qū)36c， 而PTFT部分，保留的多晶硅層則為有源區(qū)34，此時(shí)PTFT的有源區(qū)34尚未 經(jīng)過摻雜。應(yīng)注意的是第二區(qū)域的多晶硅層30被全部剝除。剝除的方式可采 用任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)，例如干法刻蝕。接著，在整個(gè)結(jié)構(gòu)上再形成第一隔離層 40。較佳而言，此第一隔離層40的厚度越小越好，實(shí)作上大約為200至300 埃。于本實(shí)施例中，該第一隔離層40的材料為氧化物，如氧化硅。較佳而言， 其材料與隔離層的氧化層23為相同材質(zhì)。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，是在圖4的結(jié)構(gòu)上形成一非晶硅層50。該非晶硅層是利用第二結(jié)晶化制程將之轉(zhuǎn)化成多晶硅，亦即圖6所示的第二多晶硅層51。根據(jù) 本發(fā)明，該第二結(jié)晶化制程不同于第一結(jié)晶化制程。該第二結(jié)晶化制程是利 用非激光結(jié)晶技術(shù)或是低功率激光結(jié)晶技術(shù)。非激光結(jié)晶技術(shù)包括固相結(jié)晶 化法(Solid Phase Crystallization ; SPC)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶化法(Metal Induced Crystallization ; MIC)、金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶化法(Metal Induced Lateral Crystallization; MILC)、電場(chǎng)增強(qiáng)金屬誘導(dǎo)側(cè)向結(jié)晶化法(Field Enhanced Metal Induced Lateral Crystallization; FE-MILC)、電場(chǎng)增強(qiáng)快速熱退火法(Field Enhanced Rapid Thermal Annealing)、 爐管退火工藝 (fbrnace annealing process)、快速熱處理工藝(rapid thermal process, RTP)等等。低功率激光結(jié)晶 化法包括低照射功率準(zhǔn)分子激光結(jié)晶化法、固態(tài)激光結(jié)晶化法等等。在此列 舉的各種結(jié)晶化法僅為例示，本發(fā)明并不受限于此。
請(qǐng)參見圖7，經(jīng)過圖形化制程，第一區(qū)域的第二多晶硅層51被剝除，而 在第二區(qū)域的第二多晶硅層則留下一部分作為有源區(qū)52。然后在整體結(jié)構(gòu)上 形成一第二隔離層45。該第二隔離層45的材料可如同第一隔離層40 —樣為 氧化物，然而，為了電性考慮等因素，于本實(shí)施例，該第二隔離層45包含上 下兩層不同材料，下層為氧化物，上層為氮化物。實(shí)作上，在形成之后，該 第二隔離層45與第一隔離層40將難以區(qū)別。
請(qǐng)參照?qǐng)D8，在第一區(qū)域及第二區(qū)域的第二隔離層45上分別形成柵極62、 64、 66，并實(shí)行輕摻雜漏(Light Doped Drain; LDD)制程，而形成LDD區(qū)36d、 36e。
由圖中可明顯看出，第二區(qū)域的有源區(qū)52底面到基層板10頂面之前的 緩沖材料(含氮化層21、氧化層23以及第一隔離層40)的厚度比較厚，而第 一區(qū)域的有源區(qū)34、 36底面到基板層10頂面之間的絕緣材料(含氮化層21以及氧化層23而無第一隔離層40)較薄。相反的，第二區(qū)域的柵極62到有 源區(qū)52之間的絕緣材料(稱為第二柵極絕緣層)僅為第二隔離層45，而第一 區(qū)域的柵極64、66到有源區(qū)34、36之間的絕緣材料(稱為第一柵極絕緣層)則 包含第一隔離層40與第二隔離層45'。因此，第二柵極絕緣層較薄而第一柵 極絕緣層較厚，兩者的厚度差異即為第一隔離層40的厚度?？紤]到各層膜厚 誤差， 一般而言該厚度差異應(yīng)會(huì)大于30埃。
請(qǐng)參照?qǐng)D9，第一區(qū)域的有源區(qū)的部分區(qū)域34a、 34c以及第二區(qū)域的有 源區(qū)的部分區(qū)域52a、52c接受P型摻雜(P-type doping)而分別形成漏極34a'、 52a'以及源極34c，、 52c，。
請(qǐng)參照?qǐng)D10，在圖9的結(jié)構(gòu)上形成第一保護(hù)層70以及第二保護(hù)層80， 并以任何適當(dāng)方式形成電極92、 94、 96。該第一保護(hù)層70的材料可為氮化 物，而該第二保護(hù)層80的材料可為氧化物。
請(qǐng)參照?qǐng)D11，在圖10的結(jié)構(gòu)上形成一中間層85，其材料可為氮化物， 并于整體結(jié)構(gòu)上形成一層厚厚的第一平坦層100使整個(gè)結(jié)構(gòu)的表面呈平坦 狀。該平坦層100的材料可為透光材質(zhì)。如圖所示，并利用任何適當(dāng)方式形 成接觸孔101。
請(qǐng)參照?qǐng)D12,于該接觸孔101的側(cè)壁形成OLED的陽極103，并形成第 二平坦層105。
根據(jù)本發(fā)明，第二區(qū)域的有源區(qū)52的多晶硅層，是用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光組件的 驅(qū)動(dòng)TFT以及第一區(qū)域的有源區(qū)34、 36的多晶硅層，是用于非驅(qū)動(dòng)用NTFT 與PTFT(例如外圍電路TFT及開關(guān)TFT)，是采用兩種不同的結(jié)晶化方法結(jié)晶， 即第一結(jié)晶化制程以及第二結(jié)晶化制程，前者是使用標(biāo)準(zhǔn)激光結(jié)晶化法，例 如準(zhǔn)分子激光退火法(Excimer Laser Anneal; ELA)，而后者則是使用非激光結(jié)晶化法如SPC或是低溫激光結(jié)晶化法如低功率準(zhǔn)分子激光結(jié)晶化法。兩種
不同結(jié)晶化方式產(chǎn)生的多晶硅在晶粒特性上會(huì)有明顯的差異。
圖13顯示通過非激光結(jié)晶化法中的FE-RTA結(jié)晶化法形成的多晶硅晶粒 結(jié)構(gòu)。由圖可見經(jīng)由此種方式形成的晶粒很小，呈不規(guī)則狀，結(jié)構(gòu)較紊亂， 并且具有樹枝狀紋理。圖14顯示通過標(biāo)準(zhǔn)激光結(jié)晶化法中的ELA結(jié)晶化法 形成的多晶硅柱狀晶粒結(jié)構(gòu)。由圖可見經(jīng)由此種方式形成的晶粒較大，呈規(guī) 則狀，結(jié)構(gòu)較整齊不具有樹枝狀紋理。
又， 一般而言，標(biāo)準(zhǔn)激光與低功率激光兩種結(jié)晶化法所產(chǎn)生的晶粒大小 的平均差異可達(dá)500埃以上。
通過不同結(jié)晶化法形成特性不同的多晶硅作為有源區(qū)，可使得對(duì)于電學(xué) 性能要求較高的外圍電路TFT維持優(yōu)異的電學(xué)性能，舉例而言，標(biāo)準(zhǔn)激光結(jié) 晶化法制成的多晶硅具有高載流子遷移率，例如約為100平方厘米/伏特-秒 (cm2/V's)，而載流子遷移率變異較大，亦即載流子遷移率標(biāo)準(zhǔn)差較高；而對(duì) 于電學(xué)性能要求相對(duì)較低的驅(qū)動(dòng)TFT，免除使用標(biāo)準(zhǔn)激光結(jié)晶化法而采用非 激光結(jié)晶化法或是低功率激光結(jié)晶化法，而得以避免在制成顯示器之后產(chǎn)生 條紋狀發(fā)光不均勻的問題。通過非激光結(jié)晶化法或低功率激光結(jié)晶化法制成 的多晶硅的載流子遷移率較低，大約為10-40平方厘米/伏特"秒(cm2/V-S)， 因此不適用于外圍電路的TFT以及開關(guān)TFT的制作，但對(duì)于驅(qū)動(dòng)OLED組 件的驅(qū)動(dòng)TFT制作則已足夠，而使用此種多晶硅制成的AMOLED驅(qū)動(dòng)TFT 的載流子遷移率標(biāo)準(zhǔn)差較低，亦即變異較小較穩(wěn)定，可使得組裝成顯示器之 后，條紋狀發(fā)光不均勻的現(xiàn)象得到明顯改善。
圖15顯示具有根據(jù)本發(fā)明的顯示器110的電子裝置600。具有如圖12 所示結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管與開關(guān)薄膜晶體管以及外圍電路薄膜晶體管的OLED顯示器110可以是電子裝置600的一部分。該電子裝置600包括根據(jù) 本發(fā)的OLED顯示器110和一電源供應(yīng)器700，甚者，電源供應(yīng)器700耦接 至OLED顯示器110以提供電源給OLED顯示器110以產(chǎn)生影像。電子裝置 600可以是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、筆記本計(jì)算機(jī)、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、 電視、衛(wèi)星導(dǎo)航、車載顯示器或便攜式DVD播放機(jī)。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，但該較佳實(shí)施例并非 用以限制本發(fā)明，該領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)， 均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的薄膜晶體管制造方法，該顯示器包含外圍電路以及若干個(gè)次像素，而各次像素具有發(fā)光組件，其特征在于該方法包含步驟有提供一基板層，該基板層具有第一區(qū)域與第二區(qū)域；于該基板層上形成一緩沖層；通過第一結(jié)晶化制程于該緩沖層上形成第一多晶硅層；圖形化該第一多晶硅層以于該第一區(qū)域形成第一薄膜晶體管的有源區(qū)；形成第一隔離層；通過第二結(jié)晶化制程于該第一隔離層上形成第二多晶硅層，該第二結(jié)晶化制程不同于該第一結(jié)晶化制程；圖形化該第二多晶硅層以于該第二區(qū)域形成第二薄膜晶體管的有源區(qū)；形成第二隔離層；以及于該第二隔離層上分別形成第一薄膜晶體管以及第二薄膜晶體管的柵極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第一薄膜晶體管包含用 于外圍電路的外圍電路薄膜晶體管以及用于切換次像素狀態(tài)的開關(guān)薄膜晶體 管，而該第二薄膜晶體管包含用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光組件的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第一結(jié)晶化制程為標(biāo)準(zhǔn) 激光結(jié)晶化法。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于該第一結(jié)晶化制程為準(zhǔn)分子激光退火法。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第二結(jié)晶化制程為非激 光結(jié)晶化法。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于該第二結(jié)晶化制程為低功 率激光結(jié)晶化法。
7. —種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，具有外圍電路以及顯示區(qū)域，該顯示區(qū) 域具有若干個(gè)次像素，各次像素具有一發(fā)光組件，其特征在于該有機(jī)發(fā)光 二極管顯示器包含有一基板層，具有第一區(qū)域與第二區(qū)域；一第一薄膜晶體管，形成于該基板層的該第一區(qū)域，其包含一第一緩沖 層形成于該基板層上， 一第一多晶硅層形成的有源區(qū)設(shè)置于該緩沖層上，一 第一柵極絕緣層覆蓋于有源區(qū)上以及一第一柵極設(shè)置于該第一柵極絕緣層 上；以及一第二薄膜晶體管，形成于該基板層的該第二區(qū)域，其包含一第二緩沖 層形成于該基板層上， 一第二多晶硅層形成的有源區(qū)設(shè)置于該緩沖層上，一 第二柵極絕緣層覆蓋于有源區(qū)上以及一第二柵極設(shè)置于該第二柵極絕緣層 上，其中該第一多晶硅層與該第二多晶硅層具有不同的晶粒特性，且該第一 柵極絕緣層與該第二柵極絕緣層具有不同的厚度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于該第一 薄膜晶體管包含用于該外圍電路的外圍電路薄膜晶體管以及用于切換該次像 素的狀態(tài)的開關(guān)薄膜晶體管，而第二薄膜晶體管包含用于驅(qū)動(dòng)該發(fā)光組件的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于該第一 多晶硅層與該第二多晶硅層具有不同的晶粒結(jié)構(gòu)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于該第 一多晶硅層具有晶粒結(jié)構(gòu)較整齊的柱狀結(jié)構(gòu)，而該第二多晶硅層具有晶粒結(jié) 構(gòu)較紊亂的樹狀結(jié)構(gòu)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于該第 一多晶硅層與該第二多晶硅層具有不同的晶粒大小。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于該第 一多晶硅層與該第二多晶硅層的晶粒大小平均差異達(dá)到500?；蛞陨?。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于該外 圍電路薄膜晶體管的載流子遷移率標(biāo)準(zhǔn)差大于該驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的載流子遷 移率標(biāo)準(zhǔn)差。
14. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其特征在于該第一柵極絕緣層與該第二柵極絕緣層的厚度平均差異大于30埃。
全文摘要
一種薄膜晶體管制造方法以及具有由此方法制得的薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。根據(jù)本發(fā)明，制成OLED顯示器所使用的非驅(qū)動(dòng)用薄膜晶體管(包括外圍電路薄膜晶體管以及開關(guān)薄膜晶體管)與OLED驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，其有源區(qū)的多晶硅層分別通過標(biāo)準(zhǔn)激光結(jié)晶化法以及非激光結(jié)晶化法或低功率激光結(jié)晶化法形成，從而使得外圍電路薄膜晶體管具有優(yōu)異電學(xué)性能，例如高載流子遷移率，而OLED驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管則具有良好的穩(wěn)定性，因而最后制得的顯示器具有良好的發(fā)光均勻性。
文檔編號(hào)H01L21/84GK101546732SQ20081009661
公開日2009年9月30日 申請(qǐng)日期2008年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月6日
發(fā)明者萬德昌, 劉侑宗, 李淂裕 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司