半導體激光元件的制作方法和半導體激光元件的制作方法

文檔序號：6896433閱讀：141來源：國知局

專利名稱：半導體激光元件的制作方法和半導體激光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體激光元件的制作方法和半導體激光元件，尤其涉及一種在基板上形成有半導體激光元件部的半導體激光元件的制造方法和半導體激光元件。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，已知在基板上形成有半導體激光元件部的半導體激光元件的制造方法。例如在日本特開2005—209950號公報中公開有這樣的半導體激光元件的制造方法。在上述日本特幵2005—209950號公報中公開有包括以下工序的半導體激光元件的制造方法在半導體基板上隔著規(guī)定的間隔形成多個第一激光振蕩部的工序；在藍寶石基板上隔著規(guī)定的間隔形成多個第二激光振蕩部(半導體激光元件部)的工序；將藍寶石基板上的所有第二激光振蕩部分別與半導體基板上的第一激光振蕩部接合的工序；和將半導體基板分割成每個第二激光振蕩部的工序。但是，在日本特開2005—209950號公報所公開的半導體激光元件的制造方法中，因為將在藍寶石基板上隔著規(guī)定的間隔形成的所有第二激光振蕩部分別與半導體基板上的第一激光振蕩部接合之后，將半導體基板分割成每個第二激光振蕩部，所以當為了使每一片藍寶石基板的第二激光振蕩部的數(shù)量增加而減小形成于藍寶石基板上的第二激光振蕩部(半導體激光元件部)的寬度時，分割后的半導體基板的寬度也變小。因此，存在由于半導體激光元件的寬度變小而導致半導體激光元件變得難以處理(handling)這樣的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的第一方面的半導體激光元件的制造方法包括在第一基板上，在與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔著規(guī)定的間隔形成多個第一半導體激光元件部的工序；將多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序；將與第二基板接合的多個第一半導體激光元件部中的一部分從第一基板剝離的工序；和沿第二方向分割第二基板的工序。本發(fā)明的第二方面的半導體激光元件具有基板；第一半導體激光元件部，其在基板的表面上形成且具有諧振器；和電極層，其與第一半導體激光元件部的與基板相反的一側(cè)的表面電連接，且以在與第一半導體激光元件部鄰接的基板的表面上延伸的方式形成，其中，基板的與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向的長度比半導體激光元件部的第二方向的長度大。本發(fā)明的第三方面的半導體激光元件包括基板；第一半導體激光元件部，其在基板的表面上形成且具有諧振器；和電極層，其形成在第一半導體激光元件部的與基板相反的一側(cè)的表面上，其中，基板的與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向的長度比第一半導體激光元件部的第二方向的長度大，第一半導體激光元件部具有在第二方向上突出的突出部。本發(fā)明的第四方面的半導體激光元件包括基板；多個半導體激光元件部，其在基板的表面上形成且具有諧振器；和電極層，其與多個半導體激光元件部的與基板相反的一側(cè)的表面電連接，且以在與多個半導體激光元件部鄰接的基板的表面上延伸的方式形成，其中，多個半導體激光元件部在與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔著規(guī)定的間隔形成，規(guī)定的間隔比多個半導體激光元件部的上述第二方向的長度大。

圖1是用于說明本發(fā)明的半導體激光元件的概要結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2是沿圖1的1000—1000線的截面圖。圖3是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的截面圖。圖4是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的平面圖。圖5是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的截面圖。圖6是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的底面圖。圖7是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的截面圖。圖8是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的截面圖。圖9是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的截面圖。圖IO是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的平面圖。圖11是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的平面圖。圖12是用于說明圖1所示的半導體激光元件的概要的制造工序的平面圖。圖13是本發(fā)明的第一實施方式的半導體激光元件的底面圖。圖14是沿圖13的U00 — 1100線的截面圖。圖15是沿圖13的1110—1110線的截面圖。圖16是用于說明圖13所示的第一實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖17是用于說明圖13所示的第一實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖18是用于說明圖13所示的第一實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖19是用于說明圖13所示的第一實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖20是用于說明圖13所示的第一實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖21是用于說明圖13所示的第一實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖22是用于說明圖13所示的第一實施方式的半導體激光元件的制造工序的底面圖。圖23是用于說明圖13所示的第一實施方式的半導體激光元件的制造工序的底面圖。圖24是本發(fā)明的第一實施方式的第一變形例的半導體激光元件的截面圖。圖25是本發(fā)明的第一實施方式的第二變形例的半導體激光元件的截面圖。圖26是用于說明圖25所示的第一實施方式的第二變形例的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖27是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的第三變形例的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖28是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的第三變形例的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖29是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的第三變形例的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖30是用于說明本發(fā)明的第一實施方式的第三變形例的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖31是本發(fā)明的第二實施方式的半導體激光元件的截面圖。圖32是用于說明圖31所示的第二實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖33是用于說明圖31所示的第二實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖34是用于說明圖31所示的第二實施方式的半導體激光元件的制造工序的底面圖。圖35是用于說明圖31所示的第二實施方式的半導體激光元件的制造工序的底面圖。圖36是本發(fā)明的第三實施方式的半導體激光元件的底面圖。圖37是沿圖36的1200—1200線的截面圖。圖38是用于說明圖36所示的第三實施方式的半導體激光元件的制造工序的平面圖。圖39是用于說明圖36所示的第三實施方式的半導體激光元件的制造工序的平面圖。圖40是用于說明圖36所示的第三實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖41是用于說明圖36所示的第三實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖42是表示本發(fā)明的第四實施方式的半導體激光元件的結(jié)構(gòu)的截面圖。圖43是用于說明圖42所示的第四實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖44是用于說明圖42所示的第四實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖45是用于說明圖42所示的第四實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖46是用于說明圖42所示的第四實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖47是用于說明圖42所示的第四實施方式的半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖48是表示本發(fā)明的第四實施方式的變形例的半導體激光元件的 C方向的截面結(jié)構(gòu)的截面圖。圖49是用于說明圖48所示的第四實施方式的半導體激光元件的制造工序的C方向截面圖。圖50是本發(fā)明的第五實施方式的具有3波長半導體激光元件的半導體激光裝置的結(jié)構(gòu)的底面圖。圖51是沿圖50所示的3波長半導體激光元件的2100—2100線的截面圖。圖52是沿圖50所示的3波長半導體激光元件的2110—2110線的截面圖。圖53是表示圖50所示的3波長半導體激光元件的詳細結(jié)構(gòu)的截面圖。圖54是具有本發(fā)明的第六實施方式的RGB 3波長半導體激光元件的半導體激光裝置的結(jié)構(gòu)的底面圖。圖55是沿圖54所示的RGB 3波長半導體激光元件的3100—3100線的截面圖。圖56是沿圖54所示的RGB 3波長半導體激光元件的3110—3110 線的截面圖。圖57是用于說明本發(fā)明的第六實施方式的RGB3波長半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖58是用于說明本發(fā)明的第六實施方式的RGB3波長半導體激光元件的制造工序的截面圖。圖59是用于說明本發(fā)明的第六實施方式的變形例的RGB3波長半導體激光元件的結(jié)構(gòu)的截面圖。
具體實施方式
下面，參照

本發(fā)明的實施方式。在參照圖1 圖12說明本發(fā)明的具體實施方式
之前，對本發(fā)明的半導體激光元件的概要的結(jié)構(gòu)和制造工序進行說明。首先，參照圖1和圖2說明本發(fā)明的半導體激光元件的概要結(jié)構(gòu)。如圖2所示，在本發(fā)明的半導體激光元件中，在支撐基板1的表面(下表面)上隔著具有導電性的粘結(jié)層2固定有半導體激光元件部 10。其中，支撐基板1是本發(fā)明的"第二基板"和"基板"的一個例子。另外，半導體激光元件部10是本發(fā)明的"第一半導體激光元件部" 的一個例子。另外，在半導體激光元件部10的與支撐基板1相反的一側(cè)(下表面一側(cè))形成有電極3。在此，如圖1所示，在本發(fā)明的半導體激光元件中，半導體激光元件部0以在C方向上延伸的方式形成，且支撐基板1的與C方向垂直的D方向的寬度(長度)Wl以比半導體激光元件部IO的D方向的寬度(長度)W2大的方式形成。而且，半導體激光元件部10既可以形成于支撐基板1的D方向的中央部，也可以形成于支撐基板1的D 方向的端部。如圖2所示，在半導體激光元件部10中，從下側(cè)開始依次形成有第一半導體層11、由半導體構(gòu)成的活性層12和第二半導體層13這些半導體層。并且，在第二半導體層13上形成有電極14。并且，在半導體層中形成有在C方向(參照圖1)上延伸的波導結(jié)構(gòu)。例如，通過在第二半導體層13中形成在C方向上延伸的脊形部13a而形成波導結(jié) 構(gòu)。不限于形成脊形部13a的方法，也可以通過埋入式異質(zhì)結(jié)構(gòu)等其他結(jié)構(gòu)來形成波導結(jié)構(gòu)。另外，如圖1所示，在半導體激光元件部10的半導體層的C方向的端部形成有一對諧振器面10a。由這一對諧振器面10a和波導結(jié)構(gòu)構(gòu) 成在C方向上延伸的諧振器。此處，當半導體層具有劈開性時，優(yōu)選以在與半導體層的劈開面垂直的方向上延伸的方式形成脊形部13a，使得能夠通過劈開形成諧振器面10a。另外，諧振器面10a也可以通過干式蝕刻形成。另外，根據(jù)需要，在諧振器面10a上形成有電介質(zhì)多層膜15和16。此處，設(shè)計電介質(zhì)多層膜15和16的膜厚和折射率，使得在激光的射出側(cè)反射率較低，而在反射側(cè)反射率較高。另外，作為支撐基板l，既可以使用具有導電性的基板，也可以使用具有絕緣性的基板。作為具有導電性的基板，例如可以使用Cu-W、 Al和Fe-Ni等金屬板、單晶的Si、 SiC、 GaAs和ZnO等半導體基板、以及多晶A1N基板。另外，還可以使用金屬等導電性微粒分散的導電性樹脂膜、金屬和金屬氧化物的復合材料等，也可以采用由燒結(jié)金屬材料構(gòu)成的碳和金屬的復合材料。另外，當使用具有導電性的基板時，也可以在與接合半導體層的一側(cè)為相反側(cè)的表面(上表面)上形成電極。并且，也可以使用半導體基板作為支撐基板l。作為半導體基板，也可以使用形成有半導體激光元件的基板，在此情況下，能夠制作集成型激光元件。另外，作為形成有半導體激光元件的基板，例如能夠使用形成有GalnAs類、AlGaAs類或AlGalnP類的半導體激光元件的 GaAs基板，也可以在該GaAs基板上接合氮化物類半導體激光元件等。另外，第一半導體層ll由帶隙(bandgap)比活性層12的帶隙大的包層構(gòu)成。并且，在第一半導體層11的活性層12 —側(cè)，也可以具有光導層，該光導層具有處于第一半導體層11和活性層12之間的帶隙。另外，活性層12由單層、單一量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)或多量子阱 (MQW)結(jié)構(gòu)構(gòu)成。另外，第二半導體層13由帶隙比活性層12的帶隙大的包層構(gòu)成。另外，在第二半導體層13的活性層12 —側(cè)也可以具有光導層，該光導層具有處于第二半導體層13和活性層12之間的帶隙。并且，也可以在第二半導體層13的與活性層12相反的一側(cè)(上表面一側(cè))具有接觸層。在此情況下，接觸層優(yōu)選為其帶隙比包層的帶隙小。另外，半導體層(第一半導體層11、活性層12和第二半導體層 13)由AlGaAs類、GalnAs類、AlGalnP類、AlGalnNAs類、AlGaSb 類、GalnAsP類、氮化物類半導體、MgZnSSe類和ZnO類等構(gòu)成。另外，作為氮化物類半導體，能夠使用GaN、 A1N、 InN、 BN、 TIN或它們的混晶。另外，粘結(jié)層2能夠使用由焊錫、導電性漿料等材料構(gòu)成的層。作為焊錫，能夠使用由AuSn、 InSn、 SnAgCu、 SnAgBi、 SnAgCuBi、 SnAgBiln、 SnZn、 SnCu、 SnBi、 SnZnBi等構(gòu)成的焊錫。接著，參照圖1 圖12，對本發(fā)明的半導體激光元件的概要制造工序進行說明。首先，如圖3所示，在生長基板20的上表面上形成剝離層21之后，依次結(jié)晶生長第一半導體層ll、由半導體層構(gòu)成的活性層12和第二半導體層13。這時，也可以在生長基板20和第一半導體層11之間形成緩沖層。其中，生長基板20是本發(fā)明的"第一基板"的一個例子。剝離層21由與半導體層(第一半導體層11、活性層12和第二半導體層13)相比容易被除去的層、容易被機械分離的層構(gòu)成。作為容易被除去的層，例如有由比半導體層的熔點、沸點低的材料、比半導體層更容易分解的材料、比半導體層更容易溶解的材料、和比半導體層更容易反應的材料等構(gòu)成的層。另外，在由纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物類半導體構(gòu)成半導體層(第一半導體層11、活性層12和第二半導體層13)的情況下，生長基板20能夠使用氮化物類半導體基板或者六方晶結(jié)構(gòu)以及菱面體結(jié)構(gòu)的a - SiC基板、GaAs基板、GaP基板、InP基板、Si基板、藍寶石基板、尖晶石基板和LiA103基板等。而且，通過使用氮化物類半導體基板，能夠得到結(jié)晶性最好的氮化物類半導體層。當使用氮化物類半導體基板、 SiC基板和藍寶石基板時，基板的面方位使用{11-20}面和U-100} 面等(H、 K、 -H-K、 0)面(其中，H和K中的至少一個不是0)、 (0001) 面、(11-22)面、(1-101)面和(1-103)面等。當使用GaAs基板、 GaP基板、InP基板和Si基板時，使用{111}面等。另夕卜，在由AlGaAs 類、GalnAs類、AlGalnP類或AlGalnNAs類半導體構(gòu)成半導體層的情況下，能夠使用GaAs基板和Si基板，其面方位使用{001}面、{110} 面、UlU面和{-1-1-1}面等。另外，在由GalnAsP類半導體構(gòu)成半導體層的情況下，能夠使用GaAs基板和InP基板，其面方位使用{001} 面、{110}面、{111}面和{-1-1-1}面等。之后，形成脊形部13a，該脊形部13a在半導體層的上表面上、例如在第二半導體層13上形成有電極14。然后，通過形成寬度為W3的分離槽22，在與諧振器的延伸方向交叉的D方向上隔著規(guī)定的間隔 (W3)形成多個半導體激光元件部10。這時，如圖4所示，以不與波導結(jié)構(gòu)交叉的方式形成分離槽22。例如，以與脊形部13a延伸的C方向?qū)嵸|(zhì)上平行地延伸的方式形成。之后，如圖5所示，隔著以在C方向(參照圖6)延伸的方式設(shè) 置的多個粘結(jié)層2將半導體激光元件部10接合在支撐基板1上。這時，有選擇地將被分離槽22分離的多個半導體激光元件部10中的一部分與支撐基板1接合。在圖5中表示例如將多個半導體激光元件部10每 4個接合在支撐基板1上的情況。而且，這里也可以在支撐基板1上形成多個凸部，將半導體激光元件部10接合在該凸部上。然后，如圖7所示，僅從生長基板20有選擇地剝離被分離槽22 分離的多個半導體激光元件部10中的接合在支撐基板1上的半導體激光元件部10。這時，例如也可以僅對與被剝離的半導體激光元件部10 相接的剝離層21進行激光照射，僅使被激光照射的剝離層21蒸發(fā)。此處，在圖7中，分離槽22以完全分離半導體激光元件部10彼此的方式形成。但是，并不限于此，在該剝離工序中，如果為使與支撐基板1接合的半導體激光元件部10剝離、而相鄰的半導體激光元件部10不被剝離的深度，則分離槽22也可以以不完全分離半導體激光元件部 IO彼此的方式形成。之后，重復進行從將一部分半導體激光元件部IO接合在支撐基板 1上的工序到將一部分半導體激光元件部10從生長基板20剝離的工序。gp，如圖8所示，以使得其他的支撐基板1的粘結(jié)層2與殘存于生長基板20上的半導體激光元件部10 —致的方式進行對位并進行接合。然后，有選擇地從生長基板20剝離被分離槽22分離的多個半導體激光元件部10中的僅接合在支撐基板1上的半導體激光元件部10。接著，如圖9所示，在接合在支撐基板1上的半導體激光元件部 10的第一半導體層11的下表面上形成電極3。然后，如圖IO所示，在與波導結(jié)構(gòu)延伸的C方向大致垂直的面分割(劈開)接合有半導體激光元件部10的支撐基板1和半導體層。由此，在半導體層的端部形成一對諧振器面10a。之后，如圖11所示，根據(jù)需要在諧振器面10a上形成電介質(zhì)多層膜15和16。最后，如圖12所示，以使得D方向的寬度(長度)為Wl的方式對支撐基板l進行分割，由此，得到各個半導體激光元件。其中，在概要的制造工序中對將半導體激光元件部IO每四個地接合在支撐基板1上的情況進行了說明，所以Wl是W2的大約4倍，但半導體激光元件的概要結(jié)構(gòu)和制造工序不限于每四個與支撐基板接合的情況。即，如果將半導體激光元件部10每n個(每n個，n^2) 接合在支撐基板1上，則Wl就是W2的n倍，所以Wl是W2的2 倍以上。因此，能夠抑制包括半導體激光元件部10和支撐基板1的半導體激光元件變小。 (第一實施方式)首先，參照圖13 圖15說明第一實施方式的半導體激光元件的結(jié)構(gòu)。如圖13和圖14所示，在第一實施方式的半導體激光元件中，隔著由AuSn構(gòu)成的導電性粘結(jié)層44粘結(jié)有由沒有劈開性的Cu-W構(gòu)成的導電性支撐基板31和半導體激光元件部80。其中，支撐基板31是本發(fā)明的"第二基板"和"基板"的一個例子，半導體激光元件部80是本發(fā)明的"第一半導體激光元件部"的一個例子。另外，在半導體激光元件部80的C方向的端部形成有由劈幵面構(gòu)成的一對諧振器面 90。在此，如圖13所示，在第一實施方式中，半導體激光元件(支撐基板31)的C方向的長度(諧振器長)Ll大約為600ym， D方向的寬度(長度)Wll大約為400lim。另外，半導體激光元件部80的D 方向的寬度(長度)W12大約為40nm。即，在第一實施方式中，支撐基板31的D方向的寬度(長度)Wll是半導體激光元件部80的D 方向的寬度(長度)W12的約10倍的寬度(長度)。另外，如圖14所示，在半導體激光元件部80的諧振器面90的支撐基板31 —側(cè)的端部附近形成有不存在粘結(jié)層44的區(qū)域100。其中，如圖13所示，該不存在粘結(jié)層44的區(qū)域100 —直形成到相對于諧振器面卯的延長線進入內(nèi)側(cè)約25U m的距離(L2)的區(qū)域。另外，支撐基板31的C方向的側(cè)端面31a，通過后述的元件分割時的切割，在相對于諧振器面卯的延長線向內(nèi)側(cè)僅錯開約20um的長度(L3)的位置上，與諧振器面90大致平行地形成。另外，如圖14和圖15所示，在具有約5ixm的厚度且由摻雜有約 5X10"cm—s的Si的具有約5X10"cmJ的載流子濃度的GaN構(gòu)成的n 型接觸層32上，形成有具有約400nm的厚度且由摻雜有約5 X 1018cm—3 的Si的具有約5X 1018cm'3的載流子濃度的Alc.Q7Gaa93N構(gòu)成的n型包層33。在n型包層33上形成有發(fā)光層34。在該發(fā)光層34中，在n型包層33上形成有具有約5nm的厚度且由摻雜有約5X1018Cm_3的Si的具有約5X1018cm—3的載流子濃度的 Alo.16Ga。.84N構(gòu)成的n型載流子阻礙(block)層(未圖示)。在該n型載流子阻礙層上形成有具有約lOOnm厚度且由摻雜有Si的GaN構(gòu)成的n型光導層(未圖示)。在n型光導層上形成有MQW活性層(未圖示)，其中，該MQW活性層交替疊層有4個具有約20nm厚度且由未摻雜的Ina()2Gao.98N構(gòu)成的壁壘層和3個具有約3nm厚度且由未摻雜 In(U5Gao.85N構(gòu)成的量子阱層。于是，由n型載流子阻礙層、n型光導層和MQW活性層構(gòu)成發(fā)光層34。另外，如圖15所示，在發(fā)光層34上形成有具有約lOOnm的厚度16且由摻雜有約4X 1019cm—3的Mg的GaN構(gòu)成的p型光導層35。在p 型光導層35上形成有具有約20nrn的厚度且由摻雜有約4X 1019cnT3的 Mg的Al。.16Ga,N構(gòu)成的p型帽(cap)層36。另外，在p型帽層36 上形成有由具有凸部且由摻雜有約4X1019Cm'3的Mg的具有約5X 1017cm-3的載流子濃度的Al。.()7Gaa93N構(gòu)成的p型包層37。該p型包層 37的凸部的膜厚為約400nm， p型包層37的凸部以外的平坦部的膜厚為約80nm。在p型包層37的凸部的上表面上形成有具有約10nm的厚度且由摻雜有約4X 1019cm—3的Mg的具有約5X 10I7cm'3的載流子濃度的Ino.。2Gao.98N構(gòu)成的p型接觸層38。由p型包層37的凸部和p型接觸層38構(gòu)成成為電流通路的脊形部39。該脊形部39具有約1.5 y m的寬度并具有約380nm的高度。在p型接觸層38上形成有p側(cè)歐姆電極 40，該p側(cè)歐姆電極40從下層向上層由具有約5nm厚度的Pt層、具有約100nm厚度的Pd層、和具有約150nm厚度的Au層構(gòu)成。另外，在n型接觸層32、 n型包層33、發(fā)光層34、 p型光導層35、 p型帽層36、脊形部39和p側(cè)歐姆電極40的側(cè)面上形成有具有約 250nm厚度且由SK)2構(gòu)成的絕緣膜41的內(nèi)側(cè)部分41a。在該絕緣膜41 的內(nèi)側(cè)部分41a和粘結(jié)層44的側(cè)面上以及在支撐基板31的下表面上形成有絕緣膜41的外側(cè)部分41b。在絕緣膜41的內(nèi)側(cè)部分41a的上表面和p側(cè)歐姆電極40的上表面上以約45 y m的寬度W13形成有p側(cè) 焊盤(pad)電極42，該焊盤電極42從下層向上層由具有約lOOnm厚度的Ti層、具有約100nm厚度的Pd層、和具有約3000nm厚度的Au 層構(gòu)成。在p側(cè)焊盤電極42上形成有具有約lOOnm厚度的由SiCb構(gòu) 成的絕緣膜43。該絕緣膜43具有抑制粘結(jié)層44和p側(cè)歐姆電極40 的反應的功能。以上述方式構(gòu)成半導體激光元件部80，并且半導體激光元件部80和支撐基板31隔著粘結(jié)層44接合。另外，在n型接觸層32的背面(下表面) 一側(cè)從n型接觸層32 一側(cè)(上側(cè))起形成有n側(cè)歐姆電極45和n側(cè)焊盤電極46。其中，n 側(cè)焊盤電極46是本發(fā)明的"電極層"的一個例子。另外，在第一實施方式中，n側(cè)焊盤電極46以與半導體激光元件部80的與支撐基板31相反的一側(cè)的表面(下表面)電連接，并在與半導體激光元件部80鄰接的支撐基板31的表面(下表面)上延伸的方式形成。并且，如圖13所示，在n側(cè)焊盤電極46的C方向的中央部分形成有向D方向的一側(cè)突出的突出形狀部46a，在該突出形狀部 46a的表面上引線接合(wirebonding)有金屬線47。另外，如圖13和圖14所示，從半導體激光元件部80的劈開面(諧振器面90)到支撐基板31的側(cè)端面31a以延伸的方式形成有電介質(zhì)多層膜48。在此，如圖13 圖15所示，由通過形成脊形部39的下部而形成的在C方向延伸的波導結(jié)構(gòu)和諧振器面90構(gòu)成在C方向延伸的諧振器。接著，參照圖13 圖23，對第一實施方式的半導體激光元件的制造工序進行說明。其中，在圖16 圖19以及圖21中顯示與圖15為相同方向的截面，在圖20中顯示與圖14為相同方向的截面。首先，如圖16所示，使用金屬有機物氣相外延(MOVPE)法，在作為生長基板的GaN基板50上，在將GaN基板50保持在大約600 "C的生長溫度的狀態(tài)下，在GaN基板50的(0001) Ga面上生長具有約20nm的厚度的由Ina35GaQ.65N構(gòu)成的剝離層51。其中，剝離層51 由比發(fā)光層34的MQW活性層的帶隙小的材料構(gòu)成。具體而言，在第一實施方式中，剝離層51由與發(fā)光層34的MQW活性層的InGaN相比In組成更高的InGaN構(gòu)成。其中，GaN基板50是本發(fā)明的"第一基板"的一個例子。接著，使用MOVPE法，在剝離層51上，在保持在約IIO(TC的生長溫度的狀態(tài)下，依次生長n型接觸層32和n型包層33。接著，在將 GaN基板50保持在約80(TC的生長溫度的狀態(tài)下，在n型包層33上依次生長發(fā)光層34、 p型光導層35和p型帽層36。接著，在將GaN 基板50保持在約IIOO'C的生長溫度的狀態(tài)下，在p型帽層36上生長具有約400nm厚度的p型包層37。然后，在將GaN基板50保持在約 80(TC的生長溫度的狀態(tài)下，在p型包層37上生長p型接觸層38。之后，在將GaN基板50保持在約80(TC的生長溫度的狀態(tài)下，通過在 N2氣氛中進行退火，使p型氮化物半導體層的受主活化，得到規(guī)定的空穴濃度。接著，釆用真空蒸鍍法，在p型接觸層38的表面上依次形成p側(cè) 歐姆電極40和具有約0.25 y m厚度且由Si02構(gòu)成的絕緣膜41c，之后，通過進行圖形形成(patterning),得到如圖16所示的形狀的p側(cè)歐姆電極40和絕緣膜41c。接著，如圖17所示，在將GaN基板50保持在約200'C的生長溫度的狀態(tài)下，通過以絕緣膜41c為掩模進行采用Cl2類氣體的干式蝕刻，除去p型接觸層38和p型包層37的一部分，由此，以約50um的周期形成脊形部39。接著，通過采用光刻技術(shù)和干式蝕刻技術(shù)，以約IO P m的寬度蝕刻從剝離層51到p型包層37的平坦部的一部分，形成分離槽81 ，從剝離層51到p型包層37圖形形成為約40 u m的寬度。之后，如圖18所示，以覆蓋從n型接觸層32到p型包層37的平坦部的側(cè)面、p型包層37的平坦部的上表面、脊形部39的側(cè)面和絕緣膜41c(參照圖17)的上表面的方式，形成具有約250nm厚度且由SiO2 構(gòu)成的絕緣膜41之后，僅除去p側(cè)歐姆電極40上的絕緣膜41和41c。接著，在p側(cè)歐姆電極40和絕緣膜41上形成p側(cè)焊盤電極42。然后在p側(cè)焊盤電極42上形成具有約100nm厚度且由Si02構(gòu)成的絕緣膜43。這樣，在GaN基板50上，在D方向上隔著規(guī)定的間隔形成多個半導體激光元件部80。之后，如圖19所示，隔著具有約5ixm厚度且由AuSn構(gòu)成的粘結(jié)層44，將半導體激光元件部80的p側(cè)焊盤電極42接合在支撐基板 31上。這時，在第一實施方式中，在D方向上將半導體激光元件部80 每8個地與支撐基板31接合。其中，在第一實施方式中，如圖22所示，除了半導體激光元件部 80的C方向的端部，粘結(jié)層44在D方向上以約400nm的周期、約 50um寬度(W2)呈條狀地預先在支撐基板31的半導體激光元件部 80 —側(cè)的表面上形成圖形。另外，如圖20所示，在進行半導體激光元件部80和支撐基板31 的接合時，使得存在沒有粘結(jié)層44的區(qū)域100。之后，如圖21所示，僅對與支撐基板31接合的一部分半導體激光元件部80的下表面上的剝離層51照射532nm波長的激光，使該剝離層51分解并蒸發(fā)。532nm波長的激光被剝離層51吸收，但不被基板(支撐基板31和GaN基板50)、半導體層吸收。其中，第一實施方式的剝離層51由帶隙比半導體層小的材料構(gòu)成，是比半導體層的熔點、沸點低的材料、比半導體層更容易被分解的材料的一個例子。這樣，如圖21所示，將與支撐基板31接合的一部分半導體激光元件部80從 GaN基板50剝離。然后，反復進行8次從將一部分半導體激光元件部 80接合在支撐基板31上的工序到將一部分半導體激光元件部80從 GaN基板50剝離的工序，由此，得到8片具有半導體激光元件部80 的支撐基板31。之后，如圖15所示，從半導體激光元件部80的側(cè)面到支撐基板 31的下表面上形成由Si02等構(gòu)成的絕緣膜41的外側(cè)部分41b。然后，在n型接觸層32的下表面上，從n型接觸層32 —側(cè)起形成具有約10nm 厚度且由Al構(gòu)成的n側(cè)歐姆電極45，并且從n側(cè)歐姆電極45上到支撐基板31上形成由具有約20nm厚度的Ti、具有約20y m厚度的Pt 和具有約300nm厚度的Au構(gòu)成的n側(cè)焊盤電極46。這時，如圖22 所示，在n側(cè)焊盤電極46的C方向的中央部分形成向D方向的一側(cè) 突出的突出形狀部46a。然后，在相對于支撐基板31的主表面垂直的半導體激光元件部80 的表面設(shè)置劃線槽52，通過超聲波劈開，使得具有半導體激光元件部 80的(1-100)面，由此形成諧振器面90。劃線槽52通過激光劃線以從半導體激光元件部80的一側(cè)起的約10 ii m的范圍內(nèi)貫通半導體激光元件部80的方式形成。此外，劃線槽52也可以通過用金剛石刀具等進行劃線來形成。另外，劃線槽52也可以形成在半導體激光元件部80 的兩側(cè)面上。另外，在成為劈幵面(諧振器面90)的區(qū)域的支撐基板31 —側(cè)(上側(cè))的端部附近不存在粘結(jié)層44的區(qū)域100的位置上，沿半導體激光元件部80的劈開面進行半導體激光元件部80的劈開。然后，通過以約40um的寬度(L4)僅切割支撐基板31，沿D 方向進行半導體激光元件部80的元件分割。這樣，如圖23所示，制作在D方向上延伸的棒狀的支撐基板31。之后，從諧振器面90到支撐基板31的側(cè)端部31a形成電介質(zhì)多層膜48。最后，在半導體激光元件部80和半導體激光元件部80之間的中央部，沿C方向分割，使得半導體激光元件部80的D方向的寬度(長度)Wll (參照圖13)為約400um。然后，在n側(cè)焊盤電極46的突出形狀部46a的表面上使用金屬線47 (參照圖13)進行引線接合，形成圖13所示的第一實施方式的半導體激光元件。在第一實施方式中，如上所述，通過設(shè)置在GaN基板50上在D 方向上隔著規(guī)定的間隔形成多個半導體激光元件部80的工序、和將多個半導體激光元件部80中的一部分接合在支撐基板31上的工序，與將多個半導體激光元件部80全部接合在支撐基板31上的情況不同，能夠使半導體激光元件(支撐基板)的D方向的長度(Wll二約400 um)比半導體激光元件部80的D方向的長度(W12二約40um)大 (約10倍)。由此，在使形成于GaN基板50上的半導體激光元件部 80的寬度較小的情況下，也能夠抑制支撐基板31的寬度變小。結(jié)果是，因為能夠抑制包括半導體激光元件部80和支撐基板31的半導體激光元件過于變小，所以能夠抑制半導體激光元件的處理(handling)變難的情況。另外，在第一實施方式中，具有沿C方向(諧振器方向)僅分割支撐基板31的工序，并將沿C方向分割支撐基板31的工序構(gòu)成為包括以使支撐基板31的D方向的長度(Wll二約400ym)比半導體激光元件部80的D方向的長度(W12二約40um)大的方式進行分割的工序，由此，因為即使在形成寬度較小的半導體激光元件部80的情況下支撐基板31的寬度也較大，所以能夠容易地進行半導體激光元件的處理。另外，在第一實施方式中，將多個半導體激光元件部80每8個地接合在支撐基板31上，并從GaN基板50上剝離，由此，能夠使支撐基板31的D方向的長度(Wll二約400um)比半導體激光元件部80 的D方向的長度(W12-約40um)大。另外，在第一實施方式中，將n側(cè)焊盤電極46與半導體激光元件部80的與支撐基板31相反的一側(cè)的表面(下表面)電連接，并以在與半導體激光元件部80鄰接的支撐基板31的表面上延伸的方式形成，由此，在使半導體激光元件部80的寬度較小的情況下，也不用在寬度較小的半導體激光元件部80的與支撐基板31相反 21導體激光元件部80的與支撐基板31相反的一側(cè)的表面進行電連接。另外，在第一實施方式中，通過在半導體激光元件部80的諧振器面90的支撐基板31 —側(cè)(上側(cè))的端部附近，設(shè)置不存在粘結(jié)支撐基板31和半導體激光元件部80的粘結(jié)層44的區(qū)域100，能夠通過不存在粘結(jié)層44的區(qū)域100，在半導體激光元件部80的諧振器面卯的支撐基板31 —側(cè)的端部附近形成分開支撐基板31和半導體激光元件部80的區(qū)域。由此，與鄰接諧振器面90的支撐基板31 —側(cè)的端部而設(shè)置粘結(jié)層44和支撐基板31的情況不同，能夠不受支撐基板31的劈開性的影響，劈開半導體激光元件部80。結(jié)果是，在使用由不具有劈開性的Cu-W構(gòu)成的支撐基板31的情況下，也能夠提高半導體激光元件部80的劈開面的平坦性。另外，在第一實施方式中，通過將支撐基板31和粘結(jié)層44構(gòu)成為具有導電性，能夠隔著具有導電性的粘結(jié)層44粘結(jié)具有導電性的支撐基板31和半導體激光元件部80，因此能夠?qū)雽w激光元件部80 和支撐基板31電連接。另外，在第一實施方式中，通過在D方向上以約400ym的周期、且以與被接合的各個半導體激光元件部80的D方向的寬度大致相等的寬度W2 (-約50um)條狀(stripe)地形成多個粘結(jié)層44，各粘結(jié) 層44因為具有與半導體激光元件部80的接合區(qū)域大致相等的面積，所以能夠可靠地將半導體激光元件部80接合在支撐基板31上。另外，在第一實施方式中，通過相對于諧振器面90的延長線向內(nèi) 側(cè)間隔約25ym的距離(L2)形成粘結(jié)層44，能夠在諧振器面90的支撐基板31 —側(cè)的端部附近容易地形成不存在粘結(jié)層44的區(qū)域100。另外，在第一實施方式中，通過以沿半導體激光元件部80的諧振器面90和與諧振器面90大致平行的支撐基板31的側(cè)端面31a延伸的方式形成電介質(zhì)多層膜48，能夠根據(jù)電介質(zhì)多層膜48的厚度容易地形成具有所希望的反射率的諧振器面90。 (第一實施方式的第一變形例)參照圖24，對在該第一實施方式的第一變形例的半導體激光元件中，與上述第一實施方式不同，在規(guī)定的區(qū)域形成有凸部31b的支撐基板31上接合半導體激光元件部80的情況進行說明。其中，如圖24所示，在第一實施方式的第一變形例中，半導體激光元件部80隔著粘結(jié)層44，在預先形成于支撐基板31的與半導體激光元件部80接合的一側(cè)的表面上的凸部31b的部分接合。而且，凸部 31b形成為具有約5 y m的高度，且凸部31b的D方向的寬度與半導體激光元件部80的p側(cè)焊盤電極42的寬度W13 (約45um)實質(zhì)上相同。因此，絕緣膜41的外側(cè)部分41b，以覆蓋支撐基板31的凸部31b 的側(cè)面、且在支撐基板31的凸部31b以外的下表面上延伸的方式形成。此外，第一實施方式的第一變形例的半導體激光元件的其他結(jié)構(gòu) 和制造工序與上述第一實施方式相同。如上所述，在第一實施方式的第一變形例中，通過使用預先形成有凸部31b的支撐基板31 ，當以支撐基板31的凸部31b為與半導體激光元件部80的接合面時，因為溶解的粘結(jié)層44不從凸部31b流出到凸部31b以外的支撐基板31的表面(非接合面)上，所以能夠通過粘結(jié)層44可靠地接合半導體激光元件部80和支撐基板31。另外，在接合時，粘結(jié)層44沿D方向流出，能夠抑制與鄰接的半導體激光元件部 80粘接。另外，在第一實施方式的第一變形例中，通過將凸部31b形成為具有與半導體激光元件部80的p側(cè)焊盤電極42的寬度W13 (約45 y m)大致相等的寬度，因為凸部31b具有與半導體激光元件部80的接合區(qū)域大致相等的面積，所以能夠隔著粘結(jié)層44更加可靠地將半導體激光元件部80接合在支撐基板31上。 (第一實施方式的第二變形例)參照圖25和圖26，對在該第一實施方式的第二變形例的半導體激光元件中，與上述第一實施方式不同，將多個半導體激光元件部80接合在共同的支撐基板31上而使其陣列化的情況進行說明。在此，如圖25所示，在第一實施方式的第二變形例中，分別以p 側(cè)電極(支撐基板31)和n側(cè)電極(n側(cè)焊盤電極46)為共同電極，具有與上述第一實施方式相同的結(jié)構(gòu)的多個半導體激光元件部80接合在支撐基板31上，在D方向上被陣列化。另外，如圖26所示，在第一實施方式的第二變形例的制造工序中，每隔1個即通過粘結(jié)層44將半導體激光元件部80接合在1片支撐基板31上。目卩，鄰接的半導體激光元件部80隔著比1個半導體激光元件部80的D方向的寬度(p側(cè)焊盤電極42的寬度W13)大的間隔接合在支撐基板31上。然后，如圖25所示，在通過激光照射除去剝離層51之后，從半導體激光元件部80的側(cè)面到支撐基板31的下表面上均形成絕緣膜41的外側(cè)部分41b。之后，形成n側(cè)歐姆電極45，并以從n側(cè)歐姆電極45上向支撐基板31上延伸的方式形成n側(cè)焊盤電極 46。然后，通過在n側(cè)焊盤電極46的表面上引線接合金屬線47，形成圖25所示的半導體激光元件。此外，第一實施方式的第二變形例的半導體激光元件的其他結(jié)構(gòu) 和制造工序與上述第一實施方式相同。并且，第一實施方式的第二變形例的效果與上述第一實施方式相同。 (第一實施方式的第三變形例)參照圖17和圖27 圖30，對在該第一實施方式的第三變形例的半導體激光元件的制造工序中，與上述第一實施方式不同，在作為生長用基板的GaN基板50上的規(guī)定區(qū)域形成由Si02構(gòu)成的選擇生長掩模60，然后形成半導體層，并將元件(半導體激光元件部80)接合在支撐基板31上，之后，通過蝕刻除去該選擇生長掩模60，從而分離 GaN基板50的情況進行說明。在此，如圖27所示，在第一實施方式的第三變形例的制造工序中，在GaN基板50上的規(guī)定區(qū)域，條狀地形成D方向的寬度約為10ym、且D方向的間隔約為10um的由Si02構(gòu)成的選擇生長掩模60。之后，使用MOVPE法，在GaN基板50上與第一實施方式相同地從n型接觸層32到p側(cè)接觸層38進行結(jié)晶生長，并且通過真空蒸鍍法等在p側(cè)接觸層38上形成p側(cè)歐姆電極40。然后，與第一實施方式相同，以絕緣膜41c (參照圖17)為掩模進行干式蝕刻，由此形成脊形部39。另外，在第一實施方式的第三變形例的制造工序中，以覆蓋p型包層37的平坦部的上表面和脊形部39的側(cè)面的方式，形成具有約 250nm厚度且由Al203構(gòu)成的絕緣膜61。之后，以覆蓋該絕緣膜61和 p側(cè)歐姆電極40的上表面上的方式形成p側(cè)焊盤電極62。接著，如圖28所示，通過使用干式蝕刻技術(shù)，從n型接觸層3224到p側(cè)焊盤電極62的一部分為止進行蝕刻，分離一部分元件(半導體激光元件部80)。這時，選擇生長掩模60的D方向的端部60a (2處) 露出。這樣，就在GaN基板50上在D方向隔著規(guī)定的間隔形成各個半導體激光元件部80。之后，如圖29所示，隔著具有約5ym厚度且由AuSn構(gòu)成的粘結(jié)層44將半導體激光元件部80的p側(cè)焊盤電極62接合在支撐基板31上。然后，如圖30所示，通過使用氫氟酸緩沖液(Buffered Hydrogen Fluoride)的濕式蝕刻技術(shù)，除去選擇生長掩模60。由此，如圖30所示，與支撐基板31接合的一部分半導體激光元件部80從GaN基板50 分離。此外，第一實施方式的第三變形例的半導體激光元件的其他結(jié)構(gòu) 和制造工序與上述第一實施方式相同。并且，第一實施方式的第三變形例的效果與上述第一實施方式相同。 (第二實施方式)參照圖31，對在該第二實施方式中，與上述第一實施方式不同，在半導體激光元件的端部形成有半導體激光元件部160的情況進行說明。如圖31所示，在第二實施方式的半導體激光元件中，與上述第一實施方式相同，支撐基板111和半導體激光元件部160隔著粘結(jié)層124 粘結(jié)。其中，支撐基板111是本發(fā)明的"第二基板"和"基板"的一個例子，半導體激光元件部160是本發(fā)明的"第一半導體激光元件部" 的一個例子。在此，在第二實施方式中，半導體激光元件部160形成在支撐基板lll的D方向的一側(cè)的端部。與上述第一實施方式相同，在n型接觸層112上形成有n型包層 113、發(fā)光層114、 p型光導層115、 p型帽層116、 p型包層117和p 型接觸層118。并且，由p型包層117的凸部和p型接觸層118構(gòu)成成為電流通路的脊形部119。而且，在p型接觸層118上形成有p側(cè)歐姆電極120。另外，在n型接觸層112、 n型包層113、發(fā)光層114、 p型光導層115、 p型帽層116、脊形部119和p側(cè)歐姆電極120的側(cè)面上形成有絕緣膜121的內(nèi)側(cè)部分121a。另外，在第二實施方式中，在絕緣膜121的內(nèi)側(cè)部分121a和粘結(jié) 層124的另一側(cè)(內(nèi)側(cè))的側(cè)面上、以及支撐基板111的下表面上形成有絕緣膜121的外側(cè)部分121b。另外，與上述第一實施方式相同，在絕緣膜121的內(nèi)側(cè)部分121a 的上表面和p側(cè)歐姆電極120的上表面上，形成有p側(cè)焊盤電極122 和絕緣膜123。另外，在n型接觸層112的背面(下表面) 一側(cè)，從n 型接觸層112 —側(cè)起形成有n側(cè)歐姆電極125和n側(cè)焊盤電極126。其中，n側(cè)焊盤電極126是本發(fā)明的"電極層"的一個例子。另外，在第二實施方式中，n側(cè)焊盤電極126以與半導體激光元件部160的與支撐基板111相反的一側(cè)的表面(下表面)電連接，并在與半導體激光元件部160鄰接的支撐基板111的表面(下表面)上延伸的方式形成。此外，第二實施方式的半導體激光元件的其他結(jié)構(gòu)與上述第一實施方式相同。接著，參照圖31 圖35，對第二實施方式的半導體激光元件的制造方法進行說明。首先，采用與上述第一實施方式相同的制造工序，直到形成p型接觸層118為止，并且依次形成p側(cè)歐姆電極120和絕緣膜(未圖示)，進行圖形形成。然后，如圖32所示，以約50 um的周期形成脊形部 119。之后，從剝離層131到p型包層117的平坦部的一部分，以約IO um的寬度進行蝕刻，由此，以約100iim的周期形成分離槽161，將從剝離層131到p型包層117的部分圖形形成為約90 u m的寬度。在此，在第二實施方式中，以在被分離槽161分離的部分中包括2 個脊形部119的方式形成。將半導體激光元件部160形成為其D方向的一側(cè)與其他半導體激光元件部160相連接的狀態(tài)。之后，與第一實施方式相同，形成絕緣膜121的內(nèi)側(cè)部分121a、 p側(cè)悍盤電極122和絕緣膜123。之后，如圖33所示，半導體激光元件部60隔著粘結(jié)層124接合在支撐基板lll上。如圖34所示，在第二實施方式中，粘結(jié)層124以在D方向周期為約400um、且寬度為約90um的條狀，預先圖形形成在支撐基板111的半導體激光元件部160 —側(cè)的表面上。之后，如圖33所示，與第一實施方式相同，在D方向的一側(cè)與其他半導體激光元件部160連接的狀態(tài)下將與支撐基板111接合的一部分半導體激光元件部160從GaN基板130剝離。其中，GaN基板130 是本發(fā)明的"第一基板"的一個例子。然后，對于從將一部分半導體激光元件部160粘結(jié)在支撐基板111上的工序、到將一部分半導體激光元件部160從GaN基板130剝離的工序，反復進行4次，由此，得到4片具有半導體激光元件部160的支撐基板111。之后，從半導體激光元件部160的側(cè)面到支撐基板111的下表面，形成Si02等絕緣膜121的外側(cè)部分121b (參照圖31)。然后，在n型接觸層112的下表面上形成n側(cè)歐姆電極125和n側(cè)焊盤電極126(參照圖31)。這時，如圖34所示，在第二實施方式中，從n側(cè)焊盤電極 126的C方向的中央到靠近一側(cè)的部分上形成在D方向的兩個方向上突出的突出形狀部126a。然后，在相對于支撐基板111的主表面垂直的半導體激光元件部 160的面上設(shè)置劃線槽132，以具有半導體激光元件部160的(1-100) 面的方式通過超聲波進行劈開，從而形成諧振器面170。之后，通過僅對支撐基板111進行切割，沿D方向進行半導體激光元件部160的元件分割。這樣，如圖35所示，制作成在D方向上延伸的棒狀支撐基板111。之后，從諧振器面170到支撐基板111的側(cè)端面llla形成電介質(zhì)多層膜128。最后，在相互連接的2個半導體激光元件部160的中央部、以及半導體激光元件部160和半導體激光元件部160之間的中央部，沿C 方向進行分割。這樣，就形成了圖31所示的第二實施方式的半導體激光元件。此外，第二實施方式的其他制造工序與上述第一實施方式的制造工序相同。如上所述，在第二實施方式中，通過在D方向的一側(cè)與其他半導體激光元件部160連接的狀態(tài)下從GaN基板130剝離半導體激光元件部160，能夠在增大半導體層的D方向的寬度從而增大半導體層的強度的狀態(tài)下，從GaN基板130剝離半導體激光元件部160。由此，能夠抑制在剝離工序中半導體激光元件部160發(fā)生損傷。另外，第二實施方式的其他效果與上述第一實施方式相同。 (第三實施方式)參照圖36和圖37，對在該第三實施方式中，與上述第一實施方式不同，半導體激光元件部220具有在D方向上突出的突出部220a的情況進行說明。如圖37所示，在第三實施方式的半導體激光元件中，與上述第一實施方式相同，支撐基板171和半導體激光元件部220隔著粘結(jié)層184 粘結(jié)。其中，支撐基板171是本發(fā)明的"第二基板"和"基板"的一個例子，半導體激光元件部220是本發(fā)明的"第一半導體激光元件部" 的一個例子。在此，在第三實施方式中，如圖36所示，在半導體激光元件部220 上形成有在向D方向上突出的突出部220a。并且，除半導體激光元件部220的突出部220a之外的D方向的寬度(長度)W21為約30um，包括突出部220a的D方向的寬度(長度)W22為約120ym。另外，如圖37所示，與上述第一實施方式相同，在n型接觸層172 上形成有n型包層173、發(fā)光層174、 p型光導層175、 p型帽層176、 p型包層177和p型接觸層178。并且，由p型包層177的凸部和p型接觸層178，構(gòu)成成為電流通路的脊形部179。另外，在p型接觸層178 上形成有p側(cè)歐姆電極180。另外，在n型接觸層172、 n型包層173、發(fā)光層174、 p型光導層 175、 p型帽層176、脊形部179和p側(cè)歐姆電極180的側(cè)面上形成有絕緣膜181。另外，在第三實施方式中，與上述第一實施方式不同，在粘結(jié)層 184的側(cè)面上和支撐基板171的下表面上沒有形成絕緣膜181。另外，與上述第一實施方式相同，在絕緣膜181的上表面和p側(cè) 歐姆電極180的上表面上，形成有p側(cè)焊盤電極182和絕緣膜183。而且，在n型接觸層172的背面(下表面) 一側(cè)，從n型接觸層172 — 側(cè)起形成有n側(cè)歐姆電極185和n側(cè)焊盤電極186。其中，n側(cè)焊盤電極186是本發(fā)明的"電極層"的一個例子。另外，在第三實施方式中，n側(cè)焊盤電極186僅形成于半導體激光元件部220的與支撐基板171相反的一側(cè)的表面(下表面) 一側(cè)。另外，如圖36和圖37所示，在第三實施方式中，在形成于半導體激光元件部220的突出部220a的下表面上的n側(cè)焊盤電極186的突出形狀部186a上，引線接合有金屬線47。此外，第三實施方式的半導體激光元件的其他結(jié)構(gòu)與上述第一實施方式相同。參照圖36 圖41，對第三實施方式的半導體激光元件的制造工序進行說明。如圖38所示，在第三實施方式中，在作為生長用基板的藍寶石基板190上，形成由SiNx構(gòu)成的具有約200nm厚度的選擇生長掩模191。其中，藍寶石基板190是本發(fā)明的"第一基板"的一個例子。另外，選擇生長掩模圖形由生長區(qū)域191a和分離槽形成區(qū)域191b構(gòu)成。在生長區(qū)域191a中，在選擇生長掩模191之間在D方向上以約lum的周期形成有具有約300nm寬度的多個開口部191c。另一方面，在分離槽形成區(qū)域191b的整個面上形成有選擇生長掩模191。而且，選擇生長掩模191還具有作為用于剝離的層的功能。另外，選擇生長掩模191 是比半導體層更容易分解的材料、比半導體層更容易溶解的材料、比半導體層更容易反應的材料的一個例子。接著，如圖40所示，采用MOVPE法，在藍寶石基板l卯上，在約60(TC的生長溫度下形成GaN緩沖層192。其中，GaN緩沖層192 是容易被機械地分離的層的一個例子。此時，GaN緩沖層192幾乎不形成于選擇生長掩模191上，而主要形成于露出藍寶石基板190的開口部191c上。然后，通過在GaN緩沖層192上生長n型接觸層172， n型接觸層172橫向生長而合成一體，如圖39所示，在生長區(qū)域191a 上形成n型接觸層172。之后，如圖40所示，在難以橫向生長的條件下，從n型包層173 到p型接觸層178使其進行生長。在此，在沒有形成開口部191c的分離槽形成區(qū)域191b的選擇生長掩模191上，不生長半導體層，而形成分離槽221。在第三實施方式中，與上述第一和第二實施方式不同，在生長用基板上以在D方向上被分離的方式結(jié)晶生長半導體層，由此形成分離槽221。更具體而言，不通過蝕刻而通過選擇生長來形成分離槽 221。之后，使p型氮化物半導體層的受主活化。之后，如圖41所示，使用氟酸等除去選擇生長掩模191。然后，采用與第一實施方式相同的工序，形成到絕緣膜183為止。之后，采用與第一實施方式相同的工序，隔著粘結(jié)層184將半導體激光元件部 220接合在支撐基板171上。之后，如圖37所示，形成與第一實施方式為相同的疊層結(jié)構(gòu)的n 側(cè)歐姆電極185和n側(cè)焊盤電極186。這時，在第三實施方式中，僅在半導體激光元件部220的下表面一側(cè)形成n側(cè)焊盤電極186。之后，從GaN緩沖層192剝離與支撐基板171接合的一部分半導體激光元件部220。其中，因為GaN緩沖層192以約1 y m的周期、約300nm的寬度形成，所以與從n型接觸層172到p型接觸層178的粘結(jié)強度相比，n型接觸層172與GaN緩沖層192的粘結(jié)強度小。因此，在n型接觸層172與GaN緩沖層192的界面處能夠容易地進行剝離。然后，采用與第一實施方式相同的工序進行劈開和元件分離，從而得到圖36所示的第三實施方式的半導體激光元件。另外，第三實施方式的其他制造工序與上述第一實施方式相同。如上所述，在第三實施方式中，即使在使除突出部220a以外的半導體激光元件部220的D方向的寬度W21較小的情況下，也能夠形成半導體激光元件部220，使得具有在與諧振器延伸的方向交叉的D方上突出的突出部220a，由此，能夠容易地在突出部220a上的n側(cè)焊盤電極186上進行引線接合。而且，通過上述方式，也沒有必要如第一和第二實施方式那樣，以在支撐基板171的表面(下表面)上延伸的方式形成n側(cè)焊盤電極186。由此，能夠容易地形成n側(cè)悍盤電極186。此外，第三實施方式的其他效果與上述第一實施方式相同。 (第四實施方式)參照圖42，對在該第四實施方式中，與上述第一第三實施方式不同，在半導體激光元件部280的與支撐基板231相反的一側(cè)設(shè)置有作為生長用基板GaN基板250的情況進行說明。如圖42所示，在第四實施方式的半導體激光元件中，與上述第一實施方式相同，支撐基板231和半導體激光元件部280隔著粘結(jié)層244 粘結(jié)。其中，支撐基板231是本發(fā)明的"第二基板"和"基板"的一個例子，半導體激光元件部280是本發(fā)明的"第一半導體激光元件部" 的一個例子。另外，半導體激光元件(支撐基板231)的D方向的寬度(長度)W31為約400ym，半導體激光元件部280的D方向的寬度(長度)W32為約40um。在此，在第四實施方式中，在半導體激光元件部280的與支撐基板231相反的一側(cè)(下表面一側(cè))設(shè)置有作為生長用基板的具有約80 nm厚度的n型GaN基板250。其中，GaN基板250是本發(fā)明的"第一基板"的一個例子。并且，在GaN基板250的規(guī)定區(qū)域上形成有n 型接觸層232。另外，與上述第一實施方式相同，在n型接觸層232上形成有n 型包層233、發(fā)光層234、 p型光導層235、 p型帽層236、 p型包層237 和p型接觸層238。另外，由p型包層237的凸部和p型接觸層238 構(gòu)成成為電流通路的脊形部239。并且，在p型接觸層238上形成有p 側(cè)歐姆電極240。另外，在n型接觸層232、 n型包層233、發(fā)光層234、 p型光導層 235、 p型帽層236、脊形部239和p側(cè)歐姆電極240的側(cè)面上形成有絕緣膜241。并且，與第一實施方式相同，在絕緣膜241和p側(cè)歐姆電極240的上表面上形成有p側(cè)焊盤電極242和絕緣膜243。另外，在除去了從n型接觸層232到p型接觸層238的部分的n 型GaN基板250的表面(上表面)上形成有n側(cè)電極245。這樣，在構(gòu)成半導體激光元件部280的同時，半導體激光元件部280和支撐基板231隔著粘結(jié)層244接合。另外，在第四實施方式中，n側(cè)電極245隔著粘結(jié)層244與形成于支撐基板231的下表面上的絕緣膜247上的n側(cè)焊盤電極246連接。這樣，在第四實施方式中，n側(cè)焊盤電極246與半導體激光元件部280 的與支撐基板231相反的一側(cè)的表面(下表面)電連接。其中，n側(cè)焊盤電極246是本發(fā)明的"電極層"的一個例子。此外，第四實施方式的半導體激光元件的其他結(jié)構(gòu)與上述第一實施方式相同。接著，參照圖42 圖47，對第四實施方式的半導體激光元件的制造工序進行說明。首先，如圖43所示，采用與上述第一實施方式相同的工序，例如，在具有約400u m厚的n型GaN基板250上從n型接觸層232到p型接觸層238依次使其生長。之后，使p型氮化物類半導體層的受主活化，得到規(guī)定的空穴濃度。接著，如圖44所示，采用與上述第一實施方式相同的工序，形成 p側(cè)歐姆電極240和絕緣膜(未圖示)，并以約100um的周期形成脊形部239。然后，使用光刻技術(shù)和干式蝕刻技術(shù)，殘留包括脊形部239 的約40u m的寬度，從n型接觸層232到p型接觸層238進行蝕刻，由此，露出GaN基板250的表面。之后，采用與上述第一實施方式相同的工序，以覆蓋從n型接觸層232到p型包層237的側(cè)面、p型包層 237的平坦部的上表面、脊形部239的側(cè)面和絕緣膜(未圖示)的上表面的方式，形成具有約250nm的厚度且由Si02構(gòu)成的絕緣膜241，之后僅除去p側(cè)歐姆電極240上的絕緣膜241。然后，與上述第一實施方式相同，在p側(cè)歐姆電極240和絕緣膜241上形成p側(cè)焊盤電極242。之后，在第四實施方式中，在GaN基板250的露出的表面的規(guī)定區(qū)域形成n側(cè)電極245，該n側(cè)電極245從GaN基板250 —側(cè)起由具有約10nm的厚度的Al、具有約20nm的厚度的Ti、具有約20nm的厚度的Pt和具有約300nm的厚度的Au構(gòu)成。接著，在p側(cè)焊盤電極242 上形成具有約100nm厚度的由Si02構(gòu)成的絕緣膜243。之后，如圖45所示，在第四實施方式中，將半導體激光元件部280 粘結(jié)在臨時的支撐基板251上。作為臨時的支撐基板251，例如使用在聚酯等的薄膜的一面上形成有熱剝離粘結(jié)材料的熱剝離薄片，將半導體激光元件部280粘結(jié)在薄膜的形成有熱剝離粘結(jié)材料的一側(cè)。之后，通過對GaN基板250的背面(下表面)進行機械研磨、進而進行化學機械研磨(CMP: Chemical Mechanical Polishing),使GaN基板250 的厚度為約80um。之后，如圖46所示，在第四實施方式中，將GaN基板250的下表面粘結(jié)在臨時的支撐基板252上后，對臨時的支撐基板251 (參照圖 45)加熱，剝離臨時的支撐基板251，作為臨時的支撐基板252，在第四實施方式中使用熱剝離薄片。而且，以使得用作臨時的支撐基板252的熱剝離薄片的剝離溫度比用作臨時的支撐基板251的熱剝離薄片的剝離溫度高的方式，選擇熱剝離粘結(jié) 材料。之后，通過對形成有半導體激光元件部280的GaN基板250進行切割而形成分離槽281。其中，支撐基板252是本發(fā)明的"第三基板" 的一個例子。之后，如圖47所示，通過粘結(jié)層244將一部分半導體激光元件部 280接合在支撐基板231上。在支撐基板231的下表面上，隔著絕緣膜 247預先形成有n側(cè)悍盤電極246。這時，接合支撐基板231和n側(cè)焊盤電極246，使得p側(cè)焊盤電極242與支撐基板231電連接，并且n 側(cè)電極245與n側(cè)焊盤電極246電連接。之后，從臨時的支撐基板252 上剝離半導體激光元件部280和GaN基板250的一部分。然后，對于從將一部分半導體激光元件部280粘結(jié)在支撐基板231上的工序、到將一部分半導體激光元件部280從臨時的GaN基板252剝離的工序，反復進行4次，從而得到4片具有半導體激光元件部280的支撐基板 231。然后，采用與第一實施方式相同的工序進行劈開和元件分離，得到圖42所示的第四實施方式的半導體激光元件。此外，第四實施方式的其他制造工序與上述第一實施方式的制造工序相同。如上所述，在第四實施方式中，設(shè)置以下工序，在GaN基板250 上形成多個半導體激光元件部280之后，在臨時的支撐基板252上配置在D方向上隔著規(guī)定的間隔形成有多個半導體激光元件部280的 GaN基板250，并分離GaN基板250的工序，和將多個半導體激光元件部280中的一部分接合在支撐基板231上，并將多個半導體激光元件部280和被分離的GaN基板250中的一部分從支撐基板252剝離的工序，因為不需要將半導體激光元件部280從GaN基板250剝離就能夠?qū)⑵涔潭ㄓ谥位?31，所以不會發(fā)生在難以從GaN基板250上剝離半導體激光元件部280的情況下，由于從GaN基板250剝離半導體激光元件部280而發(fā)生使半導體激光元件部280受到損傷的情況，能夠容易地將半導體激光元件部280固定在支撐基板231上。此外，第四實施方式的其他效果與上述第一實施方式相同。 (第四實施方式的變形例)參照圖48和圖49，對在該第四實施方式的變形例的半導體激光元件的制造工序中，與上述第四實施方式不同，通過粘結(jié)層244將預先形成為在D方向上延伸的竿(bar)形狀(長方形狀)的支撐基板260 接合在半導體激光元件部280上的情況進行說明。其中，支撐基板260 是本發(fā)明的"基板"和"第二基板"的一個例子。而且，本變形例的半導體激光元件的D方向的截面結(jié)構(gòu)與圖42相同，圖48表示沿圖42 的1500-1500線的截面。另外，圖49表示沿圖47的1600-1600線的截面。如圖48所示，第四實施方式的變形例的半導體激光元件，由具有約600um的長度(諧振器長度)Ll的半導體激光元件部280、和在C 方向上具有約560ym的寬度(長度)L4的支撐基板260構(gòu)成。在此，如圖49所示，在第四實施方式的變形例的半導體激光元件的制造工序中，將預先形成為在C方向上具有寬度L4的竿形狀(長方形狀)的多個支撐基板260，以在C方向上具有約40nm的間隔的方式大致平行地配置，并隔著粘結(jié)層244接合在半導體激光元件部280 上。由此，在鄰接的支撐基板260之間形成不接合支撐基板260的區(qū) 域63。由此，在從半導體激光元件部280剝離臨時的支撐基板252之后，在半導體激光元件部280的(1-100)面上進行劈開(竿狀劈開) 時，使劈開位置(虛線的箭形符號)與區(qū)域63相一致，因為不劈開支撐基板260而僅劈開半導體激光元件部280，所以能夠提高成品率。此外，第四實施方式的變形例的半導體激光元件的其他結(jié)構(gòu)和制造工序與上述第四實施方式相同。并且，第四實施方式的變形例的其他效果也與上述第四實施方式相同。 (第五實施方式)參照圖19和圖50 圖53，對在該第五實施方式的3波長半導體激光元件中，與上述第一實施方式不同，不使用支撐基板31 (參照圖 19)，而在n型GaAs基板350上形成有紅色半導體激光元件300和紅外半導體激光元件310的單片(monolithic) 2波長半導體激光元件上，接合具有與上述第一實施方式相同的元件結(jié)構(gòu)的藍紫色半導體激光元件320，從而形成3波長半導體激光元件的情況進行說明。其中，n型 GaAs基板350是本發(fā)明的"第二的基板"、"基板"以及"第二基板" 的一個例子。并且，紅色半導體激光元件300和紅外半導體激光元件 310分別是本發(fā)明的"第二半導體激光元件部"的一個例子，藍紫色半導體激光元件320是本發(fā)明的"第一半導體激光元件部"的一個例子。如圖50所示，在第五實施方式的半導體激光裝置中，3波長半導體激光元件隔著由AuSn焊錫等金屬層構(gòu)成的粘結(jié)層(未圖示)固定在由A1N構(gòu)成的基臺500上。另外，基臺500通過臺座505固定在以使 3個管腳501、 502和503貫通的方式設(shè)置的干(stem) 504上。在此，如圖51所示，在第五實施方式中，3波長半導體激光元件具有以下結(jié)構(gòu)在n型GaAs基板350上形成有具有約650nm的諧振波長的紅色半導體激光元件300和具有約780nm的諧振波長的紅外半導體激光元件310的單片2波長半導體激光元件上，隔著粘結(jié)層44接合有具有約405nm的諧振波長的藍紫色半導體激光元件320。更具體而言，如圖51所示，藍紫色半導體激光元件320隔著在單片2波長半導體激光元件的下表面上形成的由Si02構(gòu)成的絕緣膜330、和在絕緣膜330上形成的p側(cè)焊盤電極331接合在單片2波長半導體激光元件的下表面上。另外，如圖50和圖51所示，藍紫色半導體激光元件320具有p側(cè)焊盤電極331在Dl方向上延伸的突出形狀部331a，并且通過引線接合在該突出形狀部331a的表面上的金屬線505與管腳 501 (參照圖50)連接。另外，如圖51所示，藍紫色半導體激光元件320的n側(cè)焊盤電極 46以覆蓋單片2波長半導體激光元件的絕緣膜330的方式在D2方向上延伸，并且一直連接到單片2波長半導體激光元件的n型GaAs基板 350的下表面上并與其導通。另外，如圖50和圖52所示，紅色半導體激光元件300通過金屬線506與管腳502 (參照圖50)連接，其中，該金屬引線506引線接合于形成于單片2波長半導體激光元件的紅色半導體激光元件300上的p側(cè)焊盤電極301的表面上。另外，紅外半導體激光元件310通過金屬線507與管腳503 (參照圖50)連接，其中，該金屬引線507引線接合于形成于單片2波長半導體激光元件的紅外半導體激光元件310上的p側(cè)焊盤電極311的表面上。另外，如圖53所示，單片2波長半導體激光元件以在n型GaAs 基板350的一個主表面上具有AlGalnP類疊層結(jié)構(gòu)的紅色半導體激光元件300和具有AlGaAs類疊層結(jié)構(gòu)的紅外半導體激光元件310相互分開的方式形成。具體而言，紅色半導體激光元件300在摻雜Si的n型GaAs基板 350上，通過結(jié)晶生長，按照n型包層701、光導層702、由3個阱層和2個阻擋層構(gòu)成的活性層703、光導層704、 p型包層705和接觸層 706的順序形成。并且，以覆蓋形成為凸狀的p型包層705的平坦部和側(cè)面部以及接觸層706的側(cè)面部的方式形成有由Si02構(gòu)成的電流阻礙層707。此外，由p型包層705的凸部構(gòu)成作為紅色半導體激光元件 300的光波導在諧振器方向上條狀延伸的脊形部300a。而且，在電流阻礙層707和接觸層706上形成有接觸層708，并且在接觸層708上形成有p側(cè)焊盤電極301。另外，紅外半導體激光元件310在n型GaAs基板350上，通過結(jié) 晶生長，按照n型包層801、光導層802、由3個阱層和2個阻擋層構(gòu) 成的活性層803、光導層804、 p型包層805和接觸層806的順序形成。并且，以覆蓋形成為凸狀的p型包層805的平坦部和側(cè)面部以及接觸層806的側(cè)面部的一部分的方式形成有由Si02構(gòu)成的電流阻礙層807。此外，由p型包層805的凸部構(gòu)成作為紅外半導體激光元件310的光波導在諧振器方向上條狀延伸的脊形部310a。而且，在電流阻礙層807 和接觸層806上形成有帽層808，并且在接觸層806和帽層808上形成有p側(cè)焊盤電極311。另外，如圖53所示，在單片2波長半導體激光元件的n型GaAs 基板350的下表面上形成有n側(cè)電極332。另外，如圖51和圖52所示，以覆蓋在單片2波長半導體激光元件的各半導體激光元件之間形成的槽部以及各半導體激光元件的P側(cè) 焊盤電極301和311的上表面的方式形成有絕緣膜330。由此，在3波長半導體激光元件中，3個半導體激光元件在其陽極(anode)側(cè)通過絕緣膜330相互絕緣、同時使用n側(cè)電極332作為陰極(cathode)側(cè) 的共同電極的狀態(tài)下固定在基臺500上。此外，在第五實施方式的3波長半導體激光元件的制造工序中，如上所述，不使用在上述第一實施方式中使用的支撐基板31 (參照圖 19)，而將通過與上述第一實施方式相同的制造工序形成的多個藍紫色半導體激光元件320之中的一個接合在單片2波長半導體激光元件上，由此，能夠容易地形成多波長(3波長)半導體激光元件。另外，在第五實施方式中，在n型GaAs基板350上通過結(jié)晶生長同時形成紅色半導體激光元件300和紅外半導體激光元件310，由此，能夠?qū)纹?波長半導體激光元件形成為希望的大小，所以在形成3 波長半導體激光元件時能夠更容易地進行與藍紫色半導體激光元件 320的接合。(第六實施方式)參照圖19和圖54 圖56，對在該第六實施方式的RGB 3波長半導體激光元件中，與上述第一實施方式不同，不使用支撐基板31 (參照圖19)，而在形成于n型GaAs基板350上的紅色半導體激光元件300 上，分別接合具有與上述第一實施方式相同的元件結(jié)構(gòu)的藍色半導體激光元件400和綠色半導體激光元件410，從而形成RGB 3波長半導體激光元件的情況進行說明。其中，藍色半導體激光元件400和綠色半導體激光元件410分別是本發(fā)明的"第一半導體激光元件部"的一個例子。如圖54所示，在第六實施方式的半導體激光裝置中，RGB3波長半導體激光元件通過由AuSn焊錫等金屬層構(gòu)成的粘結(jié)層(未圖示)固定在由A1N構(gòu)成的基臺500上。并且，基臺500隔著臺座505固定在以3個管腳501、 502和503貫通的方式設(shè)置的干504上。在此，如圖55所示，在第六實施方式中，RGB3波長半導體激光元件具有以下結(jié)構(gòu)在形成于n型GaAs基板350上且具有約650nm 的諧振波長的紅色半導體激光元件300上，隔著粘結(jié)層44分別接合有具有約460nm的諧振波長的藍色半導體激光元件400、和具有約530nm 的諧振波長的綠色半導體激光元件410。更具體而言，如圖55所示，藍色半導體激光元件400和綠色半導體激光元件410分別隔著形成于紅色半導體激光元件300的下表面上的由Si02構(gòu)成的絕緣膜330、和形成于絕緣膜330上的p側(cè)焊盤電極401以及411接合在紅色半導體激光元件300的下表面上。并且，如圖 54和圖55所示，藍色半導體激光元件400通過引線接合于p側(cè)焊盤電極401的Dl方向端部的表面上的金屬線510與管腳502 (參照圖54) 連接。另外，綠色半導體激光元件410通過引線接合于p側(cè)焊盤電極 411的D2方向端部的表面上的金屬線511與管腳503 (參照圖54)連接。另外，如圖56所示，以同時覆蓋藍色半導體激光元件400和綠色半導體激光元件410的方式形成的n側(cè)焊盤電極46，以覆蓋紅色半導體激光元件300的絕緣膜330的方式在D2方向上延伸，并且一直連接至紅色半導體激光元件300的n型GaAs基板350的下表面上并與其導通。另外，如圖54和圖56所示，紅色半導體激光元件300通過引線接合于形成于紅色半導體激光元件300上的p側(cè)焊盤電極301的表面上的金屬線512與管腳501 (參照圖54)連接。另外，在第六實施方式中，藍色半導體激光元件400的構(gòu)成發(fā)光層34 (參照圖56)的MQW活性層(未圖示)由4個阻擋層和3個量子阱層交替疊層而成，其中，阻擋層由具有約20nm厚度的未摻雜的 In,Ga,N構(gòu)成，量子阱層由具有約3nm厚度的未摻雜的In。.25Ga。.75N 構(gòu)成。另外，綠色半導體激光元件410的構(gòu)成發(fā)光層34 (參照圖56) 的MQW活性層(未圖示)由4個阻擋層和3個量子阱層交替疊層而成，其中，阻擋層由具有約20nm厚度的未摻雜的Ino.。2Gao.98N構(gòu)成，量子阱層由具有約3nm厚度的未摻雜的In().35Ga().65N構(gòu)成。參照圖54和圖56 圖58，在第六實施方式的RGB 3波長半導體激光元件的制造工序中，首先，如圖57所示，不使用在上述第一實施方式中使用的支撐基板31 (參照圖19)，而將通過與上述第一實施方式相同的制造工序形成的多個藍色半導體激光元件400中的一個接合在紅色半導體激光元件300上。然后，在從GaN基板50上分離藍色半導體激光元件400之后，如圖58所示，接合通過與上述第一實施方式相同的制造工序形成的多個綠色半導體激光元件410中的一個。這時，綠色半導體激光元件410從藍色半導體激光元件400起在D方向 (參照圖56)上隔著規(guī)定的間隔接合。然后，在通過激光照射除去剝離層51之后，如圖56所示，以覆蓋藍色半導體激光元件400和綠色半導體激光元件410的表面的方式形成絕緣膜41的外側(cè)部分41b。之后，形成n側(cè)歐姆電極45，并以從 n側(cè)歐姆電極45上延伸到n型GaAs基板350 (支撐基板)上的方式形成n側(cè)焊盤電極46。此外，第六實施方式的其他制造工序與上述第五實施方式相同。并且，第六實施方式的效果也與上述第五實施方式相同。 (第六實施方式的變形例)參照圖59，對在該第六實施方式的變形例的RGB 3波長半導體激光元件中，與上述第六實施方式不同，在形成于n型GaAs基板350 上的紅色半導體激光元件300上，接合由藍色半導體激光元件400和綠色半導體激光元件410構(gòu)成的單片2波長半導體激光元件，從而形成RGB 3波長半導體激光元件的情況進行說明。在此，如圖59所示，在第六實施方式的變形例中，由藍色半導體激光元件400和綠色半導體激光元件410構(gòu)成的單片2波長半導體激光元件具有隔著粘結(jié)層44接合在紅色半導體激光元件300上的結(jié)構(gòu)。艮口，在第六實施方式的變形例的制造工序中，首先，如圖59所示，通過在同一個生長基板(未圖示)上在D方向上隔著規(guī)定的間隔形成藍色半導體激光元件400和綠色半導體激光元件410而形成單片2波長半導體激光元件。然后，隔著粘結(jié)層44將該單片2波長半導體激光元件接合在紅色半導體激光元件300上。然后，如圖59所示，在通過激光照射除去剝離層51之后，以覆蓋藍色半導體激光元件400和綠色半導體激光元件410的外側(cè)的側(cè)面的方式形成絕緣膜41的外側(cè)部分41b。之后，形成n側(cè)歐姆電極45，同時以從n側(cè)歐姆電極45上延伸到支撐基板31上的方式形成n側(cè)焊盤電極46。此外，第六實施方式的變形例的其他制造工序與上述第六實施方式相同。并且，第六實施方式的變形例的效果也與上述第五實施方式相同。此外，應該認為在本說明書中公開的實施方式僅是例示性的而不是限制性的內(nèi)容。本發(fā)明的范圍不是由上述實施方式的說明而是由權(quán)39利要求的范圍來確定，并且包括與權(quán)利要求的范圍為相等的意思和范圍內(nèi)的全部變化。例如，在上述第一第六實施方式中，表示了將半導體激光元件部每隔規(guī)定的數(shù)量接合到支撐基板上的情況，但是本發(fā)明不限于此，也可以將1個半導體激光元件接合到1片支撐基板。另外，在上述第一第六實施方式中，比支撐基板的c方向的端面更靠外側(cè)地形成半導體激光元件部的諧振器面，但是本發(fā)明不限于此，既可以與支撐基板的c方向的端面一致地形成半導體激光元件部的諧振器面，也可以比支撐基板的c方向的端面更靠內(nèi)側(cè)地形成半導體激光元件部的諧振器面。
權(quán)利要求
1. 一種半導體激光元件的制造方法，其特征在于，包括在第一基板上，在與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔著規(guī)定的間隔形成多個第一半導體激光元件部的工序；將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序；將接合在所述第二基板上的所述多個第一半導體激光元件部中的一部分從所述第一基板剝離的工序；和沿所述第二方向分割所述第二基板的工序。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于，還包括沿所述第一方向分割所述第二基板的工序。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于:沿所述第一方向分割所述第二基板的工序包括以使得所述第二基板的所述第二方向的長度比所述第一半導體激光元件部的所述第二方向的長度大的方式進行分割的工序。
4. 如權(quán)利要求2所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于: 沿所述第一方向分割所述第二基板的工序包括在所述第二基板的沒有接合所述第一半導體激光元件部的區(qū)域，沿所述第一方向分割所述第二基板的工序。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于，還包括在所述第一基板上形成所述多個第一半導體激光元件部之后，在第三基板上配置在所述第二方向上隔著規(guī)定的間隔形成有多個第一半導體激光元件部的所述第一基板，并分割所述第一基板的工序，其中，將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序包括將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在所述第二基板上，并將所述多個第一半導體激光元件部和所述被分割的第一基板中的一部分從所述第三基板剝離的工序。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于: 將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序包括每隔規(guī)定的數(shù)量將所述多個第一半導體激光元件部接合在所述第二基板上的工序。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于: 將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序包括在接合所述第一半導體激光元件部的一側(cè)形成有多個凸部的所述第二基板上，以與所述多個凸部的各個相對應的方式分別接合所述第一半導體激光元件部的工序。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于: 所述多個凸部在所述第二方向上隔著規(guī)定的間隔以與被接合的各個所述第一半導體激光元件部的所述第二方向的寬度大致相等的寬度形成。
9. 如權(quán)利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于，還包括在將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序之前，在所述第二基板的接合所述第一半導體激光元件部的區(qū)域，與被接合的各個所述第一半導體激光元件部相對應地形成多個粘結(jié)層的工序。
10. 如權(quán)利要求9所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于所述多個粘結(jié)層在所述第二方向上隔著規(guī)定的間隔以與所述被接合的各個第一半導體激光元件部的所述第二方向的寬度大致相等的寬度形成。
11. 如權(quán)利要求1所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于，還包括在將所述多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序之前，在所述第二基板上形成第二半導體激光元件部的工序。
12. 如權(quán)利要求ll所述的半導體激光元件的制造方法，其特征在于在所述第二基板上形成所述第二半導體激光元件部的工序包括在所述第二基板上通過結(jié)晶生長而形成所述第二半導體激光元件部的工序。
13. —種半導體激光元件，其特征在于，具有基板；第一半導體激光元件部，其在所述基板的表面上形成且具有諧振器；禾口電極層，其與所述第一半導體激光元件部的與所述基板相反的一側(cè)的表面電連接，且以在與所述第一半導體激光元件部鄰接的所述基板的表面上延伸的方式形成，其中，所述基板的與所述諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向的長度比所述第一半導體激光元件部的所述第二方向的長度大。
14. 如權(quán)利要求13所述的半導體激光元件，其特征在于所述基板的所述第二方向的長度是所述第一半導體激光元件部的所述第二方向的長度的2倍以上的長度。
15. —種半導體激光元件，其特征在于，具有基板；第一半導體激光元件部，其在所述基板的表面上形成且具有諧振器；禾口電極層，其形成在所述第一半導體激光元件部的與所述基板相反的一側(cè)的表面上，其中，所述基板的與所述諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向的長度比所述第一半導體激光元件部的所述第二方向的長度大，所述第一半導體激光元件部具有在所述第二方向上突出的突出部。
16. 如權(quán)利要求15所述的半導體激光元件，其特征在于，還具有: 以沿所述第一半導體激光元件部的諧振器端面和與所述諧振器端面大致平行的所述基板的側(cè)端面延伸的方式形成的電介質(zhì)多層膜。
17. 如權(quán)利要求13所述的半導體激光元件，其特征在于-所述基板為形成有第二半導體激光元件部的基板。
18. 如權(quán)利要求17所述的半導體激光元件，其特征在于所述第二半導體激光元件部在所述基板上通過結(jié)晶生長而形成。
19. 如權(quán)利要求13所述的半導體激光元件，其特征在于在所述基板的接合所述第一半導體激光元件部的一側(cè)形成有凸部，在所述凸部接合有所述第一半導體激光元件部。
20. —種半導體激光元件，其特征在于，具有-基板；多個半導體激光元件部，其在所述基板的表面上形成且具有諧振器；和電極層，其與所述多個半導體激光元件部的與所述基板相反的一側(cè)的表面電連接，且以在與所述多個半導體激光元件部鄰接的所述基板的表面上延伸的方式形成，其中，所述多個半導體激光元件部在與所述諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔著規(guī)定的間隔形成，所述規(guī)定的間隔比所述多個半導體激光元件部的所述第二方向的長度大。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體激光元件的制作方法和半導體激光元件，即使在使半導體激光元件部的寬度較小的情況下，也能夠抑制半導體激光元件的處理(handling)變難的情況。該半導體激光元件的制造方法包括在第一基板上，在與諧振器延伸的第一方向交叉的第二方向上隔著規(guī)定的間隔形成多個第一半導體激光元件部的工序；將多個第一半導體激光元件部中的一部分接合在第二基板上的工序；將接合在第二基板上的多個第一半導體激光元件部中的一部分從第一基板剝離的工序；和沿第二方向分割第二基板的工序。
文檔編號H01S5/022GK101262118SQ20081009636
公開日2008年9月10日申請日期2008年3月6日優(yōu)先權(quán)日2007年3月6日
發(fā)明者久納康光, 別所靖之, 畑雅幸申請人:三洋電機株式會社

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