專利名稱：有源式矩陣顯示裝置以及應用該裝置的影像顯示系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有源式矩陣顯示裝置，尤其涉及在反射層上具有側壁保 護結構的一種有源式矩陣顯示裝置。
背景技術：
薄膜晶體管液晶顯示裝置(TFT-LCD)以及有機發(fā)光二極管(OLED) 依據(jù)光線出光的方向，薄膜晶體管液晶顯示裝置(TFT-LCD)可分為穿透式 液晶顯示裝置、反射式液晶顯示裝置(reflective LCD)、半穿透反射液晶顯 示裝置(transreflective LCD)，而有機發(fā)光二極管可分為底部發(fā)光有機發(fā)光 二極管(Bottom emission OLED)以及頂部發(fā)光有機發(fā)光二極管(T叩emission OLED)兩種，其中反射式液晶顯示器以及半穿透反射式液晶顯示器是利用 位于液晶面板下方具有高反射率的反射層將外界的光線予以反射，進而點亮 整個液晶顯示器，而頂部發(fā)光有機發(fā)光二極管是在結構中的陽極層形成反射 層，當有機發(fā)光二極管通入適當電流而發(fā)出光線后，位于陽極層中的反射層 便能將光線反射，進而達到頂部發(fā)光的效果。
然而，用來做為反射層的高反射率金屬材料，如銀(Ag)、鋁(Al)、 銷(Pt)等，在整個制作過程中，時常會有剝落的情況發(fā)生，例如在浸泡蝕 刻液時，由于酸堿的作用會造成這些高反射率的金屬材料崩解剝落，如此一 來，便會使得出光品質與效率大大的降低。因此，為了避免這些高反射率的 金屬材料在制作的過程中剝落損壞，便有人將反射層制作成多層結構，也就 是利用氧化導體，如銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，以下簡稱ITO)或銦鋅 氧化物(Indium Zinc Oxide，以下簡稱IZO)將高反射率金屬材料上下包夾 起來，如此就可在制作的過程中對高反射率金屬材料進行保護，關于反射層 多層結構的技術手段，我們可以在美國專利編號第US7224115號、第 US7190111號以及美國專利公開號第US2006/0049747號、第US2006/0243976
號中找到詳細的技術說明。以美國專利編號第US7190111號為例，如圖1所示，其為具有多層陽極
結構的有機發(fā)光二極管結構截面示意圖。我們可以清楚的看出，本圖所示的
有機發(fā)光二極管結構1包含了陽極層10、空穴轉移層11、發(fā)光層12、電子 轉移層13、電子注入層14、陰極層15、平坦化層16、絕緣層17、通過孔洞 18以及柵電極19，其中的陽極層10主要是以第一陽極層101、第二陽極層 102以及第三陽極層103所構成的三層結構，其中第一陽極層101是以鋁、 銀或鋁銀的合金所完成的具有高反射率的第一陽極層IOI，而第二陽極層102 與第三陽極層103則是以ITO或IZO所完成的，在如此的結構下，容易因制 作過程中所產(chǎn)生的種種因素而造成剝落的高反射率金屬材料便能夠在制作的 過程中得到較好的保護。然而，上述的第二陽極層102與第三陽極層103只 能保護第一陽極層101的上下兩面，在制作的過程中，第一陽極層101的四 周還是有可能會遭受到不特定因素的破壞而剝落，因此，如何針對現(xiàn)有技術 手段的缺陷，為發(fā)展本發(fā)明的最主要的目的。

發(fā)明內容
本發(fā)明為一種有源式矩陣顯示裝置，其至少包含有源元件矩陣基板；
反射層，其形成于該有源元件矩陣基板的上方，且該反射層具有第一表面與
第二表面，其中該第二表面與該有源元件矩陣基板相對；以及側壁保護結構， 其形成于該有源元件矩陣基板上方，且該側壁保護結構環(huán)繞于與該反射層的 該第一表面與該第二表面相鄰的側壁上。
上述有源式矩陣顯示裝置中，該側壁保護結構可由金屬氧化物材質完成。
上述有源式矩陣顯示裝置還可包含鈍化層，形成于該有源元件矩陣基
板上，并與該側壁保護結構相接觸。
上述有源式矩陣顯示裝置中，該側壁保護結構可延伸形成于該反射層的 該第一表面上的部分區(qū)域。
上述有源式矩陣顯示裝置還可包含金屬氧化層，形成于該有源元件矩 陣基板上并與該反射層的該第二表面相接觸。
上述有源式矩陣顯示裝置中，該側壁保護結構可環(huán)繞于該金屬氧化層的 側壁，且該金屬氧化層的表面積可大于該反射層，使得該金屬氧化層部分露 出于該反射層外；或是該側壁保護結構環(huán)繞于該金屬氧化層的側壁且延伸形成于該反射層的該第一表面上的部分區(qū)域，且該金屬氧化層的表面積可小于 該反射層，使得該金屬氧化層被包覆于該反射層中。
上述有源式矩陣顯示裝置還可包含金屬氧化層，形成于該反射層的該 第一表面上。
上述有源式矩陣顯示裝置中，該側壁保護結構可環(huán)繞于該金屬氧化層的 側壁，且該金屬氧化層可延伸形成于該反射層的側壁，使得該反射層被包覆 于該金屬氧化層中；或是該側壁保護結構環(huán)繞于該金屬氧化層的側壁且形成 于該金屬氧化層上的部分區(qū)域;或是該金屬氧化層的表面積可小于該反射層， 且該側壁保護結構延伸形成于該反射層的該第一表面的部分區(qū)域并與該金屬 氧化層相接；或是該側壁保護結構延伸形成于該反射層的該第一表面的部分
區(qū)域，而該金屬氧化層延伸形成于該反射層的該第一表面的部分區(qū)域上的該 側壁保護結構上。
上述有源式矩陣顯示裝置還可包含鈍化層，形成于該有源元件矩陣基 板上，并與該側壁保護結構相互連接；第一金屬氧化層，形成于該鈍化層上 并與該反射層的該第二表面相接觸；以及第二金屬氧化層，形成于該反射層 的該第一表面上。
上述有源式矩陣顯示裝置中，該側壁保護結構可環(huán)繞于該第一金屬氧化 層與該第二金屬氧化層的側壁；或是該側壁保護結構環(huán)繞于該第一金屬氧化 層與該第二金屬氧化層的側壁且延伸形成于該第二金屬氧化層上的部分區(qū) 域；或是該側壁保護結構環(huán)繞于該第一金屬氧化層的側壁；或是該側壁保護 結構環(huán)繞于該第一金屬氧化層的側壁且延伸形成于該反射層的該第一表面的 部分區(qū)域，而該第二金屬氧化層延伸形成于該反射層的該第一表面的部分區(qū) 域上的該側壁保護結構上。
上述有源式矩陣顯示裝置中，該第一金屬氧化層可部分露出于該反射層外。
上述有源式矩陣顯示裝置中，該第二金屬氧化層可形成于該反射層的該 第一表面與側壁上，且與部分露出于該反射層外的該第一金屬氧化層相接觸。
上述有源式矩陣顯示裝置可為頂部發(fā)光有機發(fā)光二極管顯示裝置，還可 包含空穴轉移層，形成于該反射層的該第一表面上方；發(fā)光層，形成于該 空穴轉移層上；電子轉移層，形成于該發(fā)光層上；電子注入層，形成于該電子轉移層上；以及陰極層，形成于該電子注入層上。
本發(fā)明另一方面為一種影像顯示系統(tǒng)，包括如上述的有源式矩陣顯示 裝置；以及電源供應器，耦接至前述有源式矩陣顯示裝置并提供電源至前述
有源式矩陣顯示裝置。
上述的影像顯示系統(tǒng)中，所述影像顯示系統(tǒng)可為手機、數(shù)字相機、個人 數(shù)字助理、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、全球定位系統(tǒng)、車用顯示器、
航空用顯示器、數(shù)字像框或可攜式DVD放影機。
上述的影像顯示系統(tǒng)中，該有源式顯示裝置可為反射式液晶顯示裝置或 半穿透反射液晶顯示裝置。
本發(fā)明能夠對有源式矩陣顯示裝置中的反射層提供比現(xiàn)有技術更完整的 保護。


通過下列附圖及說明，能夠得到對本發(fā)明更深入的了解
圖1為具有多層陽極結構的有機發(fā)光二極管結構截面示意圖。
圖2 (a)、圖2 (b)、圖2 (c)為本發(fā)明有源式矩陣顯示裝置的第一 優(yōu)選實施例示意圖。
圖3 (a)、圖3 (b)、圖3 (c)、圖3 (d)、圖3 (e)為本發(fā)明有源 式矩陣顯示裝置的第二優(yōu)選實施例示意圖。
圖4 (a)、圖4 (b)、圖4 (c)、圖4 (d)、圖4 (e)、圖4 (f)為 本發(fā)明有源式矩陣顯示裝置的第三優(yōu)選實施例示意圖。
圖5 (a)、圖5 (b)、圖5 (c)、圖5 (d)、圖5 (e)為本發(fā)明有源 式矩陣顯示裝置的第四優(yōu)選實施例示意圖。
圖6 (a)、圖6 (b)、圖6 (c)為本發(fā)明有源式矩陣顯示裝置的第五 優(yōu)選實施例示意圖。
圖7 (a)、圖7 (b)為應用本發(fā)明技術手段所完成的影像顯示系統(tǒng)示意 圖以及有源式矩陣顯示裝置結構示意圖。
其中，附圖標記說明如下
有機發(fā)光二極管結構1
10陽極層1空穴轉移層
2發(fā)光層
3電子轉移層
4電子注入層
6平坦化層
7絕緣層
8通過孔洞
9柵電極
01第一陽極層
102第二陽極層 103第三陽極層
2、 3、 4、 5、 6有源式矩陣顯示裝置
20、 30、 40、 50、 60有源元件矩陣基板
21、 31、 3100、 41、 4100、 51、 61、 71 反射層
22、 2200、 32、 3200、 3201、 3202、 42、 4200、 4201、 4202、 52、 5200、 5201、 5202、 62、 6200、 72 側壁保護結構
23、 33、 43、 53、 63 鈍化層
201、 301、 401、 501、 601有源元件矩陣基板表面
211、 216、 311、 316、 411、 416、 511、 516、 611、 616 反射層表面
212、 213、 214、 215、 312、 313、 314、 315、 31001、 31003、 412、 414、 41001、 41003、 512、 514、 612、 614 反射層側壁
34、 3400、 3401、 44、 4400、 4401、 4402 金屬氧化層 341、 343、 34001、 34003、 441、 442、 443、 444、 44001、 44003、 44011、 44013金屬氧化層側壁 445金屬氧化層表面
54、 64第一金屬氧化層
55、 5500、 65第二金屬氧化層
541、 543、 641、 643第一金屬氧化層側壁
551、 552、 553、 554、 651、 652、 653、 654第二金屬氧化層側壁555、 655 第二金屬氧化層表面 7影像顯示系統(tǒng)
70液晶顯示器
700電源供應器71反射層
72側壁保護結構
73空穴轉移層
74發(fā)光層
75電子轉移層
76電子注入層
77璲 醫(yī)
78平坦化層
79絕緣層
80通過孔洞
81柵電極
具體實施例方式
請參見圖2 (a)、圖2 (b)、圖2 (c)，其為本發(fā)明有源式矩陣顯示 裝置的第一優(yōu)選實施例示意圖。如圖2 (a)、圖2 (b)所示，其中圖2 (a) 為本實施例的截面示意圖，而圖2 (b)為本實施例的俯視示意圖。從圖中我 們可以清楚的看出該有源式矩陣顯示裝置2主要包含有有源元件矩陣基板 20、反射層21以及惻壁保護結構22，其中該有源式元件矩陣基板20包含有 排列成矩陣形式的多個晶體管(在本圖中未示出)，當電流通過晶體管因而 產(chǎn)生電場的變化，借以決定該有源式矩陣顯示裝置2所發(fā)出光線的明暗度， 而該反射層21主要由鋁材質、銀材質、鋁合金材質或銀合金材質等高反射率 金屬材料所完成，該反射層21形成于該有源元件矩陣基板20上方，且該反 射層21的表面211與該有源元件矩陣基板20的表面201相對，該側壁保護 結構22主要由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、銦錫氧化物(ITO)、銦 鋅氧化物(IZO)或氧化鋅(ZnO)等金屬氧化物材質所完成，其形成于該有 源元件矩陣基板20上方，且該側壁保護結構22環(huán)繞于與該反射層21的表面211相鄰的側壁212、 213、 214、 215上。另外，該有源元件矩陣基板20的 表面201上形成有鈍化層23，其與該反射層的表面211、該側壁保護結構22 相接觸。
承上述，在第一優(yōu)選實施例中的有源式矩陣顯示裝置2也可以如圖2(c) 中所示的變型，也就是利用光刻蝕刻等方式，蝕刻出該側壁保護結構2200 的構造，如圖所示，我們可以將該側壁保護結構2200延伸形成于該反射層 21的表面216上的部分區(qū)域。
經(jīng)由在上述第一優(yōu)選實施例的說明，我們可以清楚的了解到，本發(fā)明的 中心思想即是在有源式矩陣顯示裝置所包含反射層的四周側壁上形成側壁保 護結構，如此一來，利用本發(fā)明的技術手段便能彌補現(xiàn)有技術手段的不足， 進而解決現(xiàn)有技術手段的缺陷。此外，在圖2 (a)、圖2 (b)、圖2 (c) 中所示的反射層為單層結構，當然也可以是上述所提到的多種高反射率金屬 材料結合所形成的多層結構，且反射層還同時作為有源式矩陣顯示裝置結構 中的陽極層。而在以下的實施例說明中，其反射層的結構也可為多層的結構 且同樣可作為有源式矩陣顯示裝置結構中的陽極層。
請參見圖3 (a)、圖3 (b)、圖3 (c)、圖3 (d)、圖3 (e)，其為 本發(fā)明有源式矩陣顯示裝置的第二優(yōu)選實施例示意圖，如圖3 (a)、圖3 (b) 所示，其中圖3 (a)為本實施例的截面示意圖，而圖3 (b)為本實施例的俯 視示意圖。從圖中我們可以清楚的看出，該有源式矩陣顯示裝置3主要包含 有有源元件矩陣基板30、反射層31、側壁保護結構32、鈍化層33以及金屬 氧化層34，其中該有源元件矩陣基板30的表面301上形成有該鈍化層33， 與第一優(yōu)選實施例不同的地方在于，該鈍化層33與該反射層31之間形成有 該金屬氧化層34，由于該鈍化層33都是屬于聚合物(polymer)的材質，類 似現(xiàn)有技術中圖l所示的結構中平坦化層的材質，這些材料通常對金屬的粘 滯性很差，所以在該鈍化層33與該反射層31之間形成該金屬氧化層34，可 以加強該鈍化層33與該反射層31之間的粘滯性。而該側壁保護結構32環(huán)繞 于該反射層31的側壁312、 313、 314、 315以及該金屬氧化層34的側壁341、 343。此外，本實施例除了如圖3 (a)所示的構造外，還可以有如圖3 (c)、 圖3 (d)、圖3 (e)所示的變型，如圖3 (c)所示，該金屬氧化層3400的 表面積大于該反射層31的表面積，使得該金屬氧化層3400部分露出于該反射層31夕卜，而該側壁保護結構3200環(huán)繞于該反射層31的側壁312、 314、 以及該金屬氧化層3400的側壁34001、 34003，同時該側壁保護結構3200也 覆蓋在部分露出于該反射層31外的該金屬氧化層3400上。如圖3 (d)所示， 該側壁保護結構3201環(huán)繞于該反射層31的側壁312、314以及該金屬氧化層 34的側壁341、 343，且延伸形成于該反射層31的表面316上的部分區(qū)域。 如圖3 (e)所示，該金屬氧化層3401的表面積小于該反射層3100，使得該 金屬氧化層3401被包覆于該反射層3100中，而該側壁保護結構3202環(huán)繞于 該反射層3100的側壁31001、31003，且延伸形成于該反射層3100的表面316 上的部分區(qū)域。在本實施例說明中，部分技術手段與第一優(yōu)選實施例相同， 故在此不予贅述，另外，在上述實施例中，側壁保護結構環(huán)繞于金屬氧化層 或反射層的側壁應為四面?zhèn)缺?，圖示因角度僅能夠看出兩面?zhèn)缺冢谝韵碌?實施例說明中也有同樣的情況，特此說明。
請參見圖4 (a)、圖4 (b)、圖4 (c)、圖4 (d)、圖4 (e)、圖4 (f)，其為本發(fā)明有源式矩陣顯示裝置的第三優(yōu)選實施例示意圖，如圖4(a)、
圖4 (b)所示，其中圖4 (a)為本實施例的截面示意圖，而圖4 (b)為本 實施例的俯視示意圖。從圖中我們可以清楚的看出，該有源式矩陣顯示裝置 4主要包含有有源元件矩陣基板40、反射層41、側壁保護結構42、鈍化層 43以及金屬氧化層44，其中該有源元件矩陣基板40的表面401上形成有該 鈍化層43，與上述優(yōu)選實施例不同的地方在于，該金屬氧化層44形成于該 反射層41的表面416上，該側壁保護結構42環(huán)繞于該反射層41的側壁412、 414以及該金屬氧化層44的側壁441、 442、 443、 444。而本實施例還可以有 如圖4 (c)、圖4 (d)、圖4 (e)、圖4 (f)所示的變型，如圖4 (c)所 示，該金屬氧化層4400延伸形成于該反射層4100的側壁41001、 41003，使 得該反射層4100被包覆于該金屬氧化層4400中，而該側壁保護結構42環(huán)繞 于該金屬氧化層4400的側壁44001、 44003，而在圖4 (c)所示的結構中， 由于該金屬氧化層4400將反射層4100包覆起來，所以原則上己達到如同側 壁保護結構的保護功能，因此，在此例中的側壁保護結構44001、 44003可選 擇性的使用或不使用。如圖4 (d)所示，該側壁保護結構4200環(huán)繞于該反 射層41的側壁412、 414以及該金屬氧化層44的側壁441、 443，且該側壁 保護結構4200延伸形成于該金屬氧化層44的表面445的部分區(qū)域。如圖4(e) 所示，該金屬氧化層4401的表面積小于該反射層41的表面積，且該側 壁保護結構4201延伸形成于該反射層41的表面416的部分區(qū)域并環(huán)繞于該 反射層41的表面416上的該金屬氧化層4401的側壁44011、 44013。如圖4
(f) 所示，該側壁保護結構4202延伸形成于該反射層41的表面416的部分 區(qū)域，而形成于該反射層41的表面416上的該金屬氧化層4402延伸形成于 該反射層41的表面416的部分區(qū)域上的該側壁保護結構4202上。在本實施 例說明中的各種變型，其金屬氧化層均形成于反射層的上方，其主要是避免 反射層的露出而產(chǎn)生氧化或后續(xù)其它工藝中傷及反射層表面而導致反射率的 降低。另外在本實施例說明中，部分技術手段與第一優(yōu)選實施例相同，故在 此不予贅述。
請參見圖5 (a)、圖5 (b)、圖5 (c)、圖5 (d)、圖5 (e)，其為 本發(fā)明有源式矩陣顯示裝置的第四優(yōu)選實施例示意圖，如圖5 (a)、圖5 (b) 所示，其中圖5 (a)為本實施例的截面示意圖，而圖5 (b)為本實施例的俯 視示意圖。從圖中我們可以清楚的看出，該有源式矩陣顯示裝置5主要包含 有有源元件矩陣基板50、反射層51、側壁保護結構52、鈍化層53、第一金 屬氧化層54以及第二金屬氧化層55，其中該有源元件矩陣基板50的表面501 上形成有該鈍化層53，與上述優(yōu)選實施例不同的地方在于，該反射層51與 該鈍化層53之間形成有該第一金屬氧化層54，該反射層51的表面516上形 成有該第二金屬氧化層55，該側壁保護結構52環(huán)繞于該反射層51的側壁 512、 514該第一金屬氧化層54的側壁541、 543以及該第二金屬氧化層55 的側壁55K 552、 553、 554。而本實施例還可以有如圖5 (c)、圖5 (d)、 圖5 (e)所示的變型，如圖5 (c)所示，該側壁保護結構5200環(huán)繞于該第 一金屬氧化層54的側壁54K543以及該第二金屬氧化層55的側壁55K553, 且該側壁保護結構5200延伸形成于該第二金屬氧化層55的表面555的部分 區(qū)域。如圖5(d)所示，該側壁保護結構5201環(huán)繞于該反射層51的側壁512、 514以及該第一金屬氧化層54的側壁541、 543，而該第二金屬氧化層55形 成于該反射層51的表面516上。如圖5 (e)所示，該側壁保護結構5202環(huán) 繞于該反射層51的側壁512、514以及該第一金屬氧化層54的側壁541、543， 且該側壁保護結構522延伸形成于該反射層51的表面516的部分區(qū)域，而該 第二金屬氧化層5500延伸形成于該反射層51表面516的部分區(qū)域上的該側壁保護結構5202上。在本實施例說明中，部分技術手段與第一優(yōu)選實施例相 同，故在此不予贅述。
請參見圖6 (a)、圖6 (b)、圖6 (c)，其為本發(fā)明有源式矩陣顯示 裝置的第五優(yōu)選實施例示意圖，如圖6 (a)、圖6 (b)所示，其中圖6 (a) 為本實施例的截面示意圖，而圖6 (b)為本實施例的俯視示意圖。從圖中我 們可以清楚的看出，該有源式矩陣顯示裝置6主要包含有有源元件矩陣基板 60、反射層61、側壁保護結構62、鈍化層63、第一金屬氧化層64以及第二 金屬氧化層65，其中該有源元件矩陣基板60的表面601上形成有該鈍化層 63，與上述優(yōu)選實施例不同的地方在于，該第一金屬氧化層64形成于該鈍化 層63上并與該反射層61的表面611相接觸，且該第一金屬氧化層64部分露 出該反射層61外，該第二金屬氧化層65形成于該反射層61的表面616與側 壁612、 614上，且該第二金屬氧化層65與部分露出該反射層61外的該第一 金屬氧化層64相接觸，而該側壁保護結構62環(huán)繞于該第一金屬氧化層64 的側壁641、 643以及該第二金屬氧化層65的側壁651、 652、 653、 654。另 外，如圖6 (c)所示，該側壁保護結構6200環(huán)繞于該第一金屬氧化層64的 側壁641、 643以及該第二金屬氧化層65的側壁651、 653，且側壁保護結構 6200延伸形成于該第二金屬氧化層65表面655上的部分區(qū)域。在本實施例 說明中，部分技術手段與第一優(yōu)選實施例相同，故在此不予贅述。
請參見圖7 (a)，其為應用本發(fā)明技術手段所完成的影像顯示系統(tǒng)示意 圖。在本圖中，主要是公開影像顯示系統(tǒng)7，其可包括液晶顯示器70，其 可為有機發(fā)光二極管顯示器或液晶顯示器；以及電源供應器700。其中該液 晶顯示器70以上述中的有源式矩陣顯示裝置為主體所完成，而該電源供應器 700耦接至液晶顯示器70以提供電能至液晶顯示器70。至于該影像顯示系統(tǒng) 7可以是手機、數(shù)字相機、個人數(shù)字助理、筆記型電腦、桌上型電腦、電 視、全球定位系統(tǒng)(GPS)、車用顯示器、航空用顯示器、數(shù)字相框(Digital Photo Frame)或可攜式DVD放影機等裝置中的任一種。
再請參見圖7 (b)，上述該液晶顯示器70我們以有機發(fā)光二極管顯示 器為例，從此截面圖中我們可以清楚的看出此有機發(fā)光二極管顯示器包含有 反射層71、空穴轉移層73、發(fā)光層74、電子轉移層75、電子注入層76、陰 極層77、平坦化層(鈍化層)78、絕緣層79、通過孔洞80以及柵電極81，其中反射層71在此實施例中也同時作為陽極層，其中陰極層通過外加電壓而
與該反射層71產(chǎn)生電性連接，使得因應該外加電壓而于該電子轉移層75中 產(chǎn)生的電子與該空穴轉移層73中產(chǎn)生的空穴結合，進而使發(fā)光層74發(fā)出光 線。如圖所示，通過本發(fā)明的側壁保護結構72來對反射層71進行保護，使 得反射層71能夠得到更進一步的保護，此外，反射層71除了如圖中所示為 單層的結構外，也可如圖l所示的反射層(陽極層)為多層結構。
綜合以上技術說明，本發(fā)明所述的有源式矩陣顯示裝置結構確實改善了 在現(xiàn)有技術中常用技術手段的缺陷，通過本發(fā)明的側壁保護結構補強，再配 合利用氧化導體將反射層上下包夾，如此對有源式矩陣顯示裝置所包含的反 射層可以有更完整的保護。而本發(fā)明可由可由本領域技術人員進行各種修改， 然而均不脫如所附權利要求的保護范圍。
權利要求
1.一種有源式矩陣顯示裝置，其至少包含有源元件矩陣基板；反射層，其形成于該有源元件矩陣基板的上方，且該反射層具有不相鄰的第一表面與第二表面，其中該第二表面與該有源元件矩陣基板相對；以及側壁保護結構，其形成于該有源元件矩陣基板上方，且該側壁保護結構環(huán)繞于與該反射層的該第一表面與該第二表面相鄰的側壁上。
2. 如權利要求l所述的有源式矩陣顯示裝置，其中該側壁保護結構由金 屬氧化物材質所完成。
3. 如權利要求1所述的有源式矩陣顯示裝置，還包含鈍化層，形成于 該有源元件矩陣基板上，并與該側壁保護結構相接觸。
4. 如權利要求1所述的有源式矩陣顯示裝置，其中該側壁保護結構可延 伸形成于該反射層的該第一表面上的部分區(qū)域。
5. 如權利要求1所述的有源式矩陣顯示裝置，還包含金屬氧化層，形 成于該有源元件矩陣基板上并與該反射層的該第二表面相接觸。
6. 如權利要求5所述的有源式矩陣顯示裝置，其中該側壁保護結構環(huán)繞 于該金屬氧化層的側壁，且該金屬氧化層的表面積可大于該反射層，使得該 金屬氧化層部分露出于該反射層外；或是該側壁保護結構環(huán)繞于該金屬氧化 層的側壁且延伸形成于該反射層的該第一表面上的部分區(qū)域，且該金屬氧化 層的表面積可小于該反射層，使得該金屬氧化層被包覆于該反射層中。
7. 如權利要求1所述的有源式矩陣顯示裝置，還包含金屬氧化層，形 成于該反射層的該第一表面上。
8. 如權利要求7所述的有源式矩陣顯示裝置，其中該側壁保護結構環(huán)繞 于該金屬氧化層的側壁，且該金屬氧化層可延伸形成于該反射層的側壁，使 得該反射層被包覆于該金屬氧化層中；或是該側壁保護結構環(huán)繞于該金屬氧 化層的側壁且形成于該金屬氧化層上的部分區(qū)域；或是該金屬氧化層的表面 積可小于該反射層，且該側壁保護結構延伸形成于該反射層的該第一表面的 部分區(qū)域并與該金屬氧化層相接；或是該側壁保護結構延伸形成于該反射層 的該第一表面的部分區(qū)域，而該金屬氧化層延伸形成于該反射層的該第一表面的部分區(qū)域上的該側壁保護結構上。
9. 如權利要求1所述的有源式矩陣顯示裝置，還包含-鈍化層，形成于該有源元件矩陣基板上，并與該側壁保護結構相互連接； 第一金屬氧化層，形成于該鈍化層上并與該反射層的該第二表面相接觸；以及第二金屬氧化層，形成于該反射層的該第一表面上。
10. 如權利要求9所述的有源式矩陣顯示裝置，其中該側壁保護結構環(huán) 繞于該第一金屬氧化層與該第二金屬氧化層的側壁；或是該側壁保護結構環(huán) 繞于該第一金屬氧化層與該第二金屬氧化層的側壁且延伸形成于該第二金屬 氧化層上的部分區(qū)域;或是該側壁保護結構環(huán)繞于該第一金屬氧化層的側壁; 或是該側壁保護結構環(huán)繞于該第一金屬氧化層的側壁且延伸形成于該反射層 的該第一表面的部分區(qū)域，而該第二金屬氧化層延伸形成于該反射層的該第 一表面的部分區(qū)域上的該側壁保護結構上。
11. 如權利要求9所述的有源式矩陣顯示裝置，其中該第一金屬氧化層 部分露出于該反射層外。
12. 如權利要求ll所述的有源式矩陣顯示裝置，其中該第二金屬氧化層 形成于該反射層的該第一表面與側壁上，且與部分露出于該反射層外的該第 一金屬氧化層相接觸。
13. 如權利要求1所述的有源式矩陣顯示裝置，為頂部發(fā)光有機發(fā)光二 極管顯示裝置，還包含空穴轉移層，形成于該反射層的該第一表面上方； 發(fā)光層，形成于該空穴轉移層上； 電子轉移層，形成于該發(fā)光層上； 電子注入層，形成于該電子轉移層上；以及 陰極層，形成于該電子注入層上。
14. 一種影像顯示系統(tǒng)，包括如權利要求1所述的有源式矩陣顯示裝置；以及電源供應器，耦接至所述有源式矩陣顯示裝置并提供電源至所述有源式 矩陣顯示裝置。
15. 如權利要求14所述的影像顯示系統(tǒng),其中所述影像顯示系統(tǒng)為手機、數(shù)字相機、個人數(shù)字助理、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、全球定位系統(tǒng)、 車用顯示器、航空用顯示器、數(shù)字像框或可攜式DVD放影機。
16.如權利要求14所述的影像顯示系統(tǒng)，其中該有源式顯示裝置可為反射式液晶顯示裝置或半穿透反射液晶顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明為一種有源式矩陣顯示裝置以及應用該有源矩陣顯示裝置的影像顯示系統(tǒng)，該影像顯示系統(tǒng)包含有有源式矩陣顯示裝置與電源供應器，其中該有源式矩陣顯示裝置包含有源元件矩陣基板；反射層，其形成于該有源元件矩陣基板的上方，且該反射層具有第一表面與第二表面，其中該第二表面與該有源元件矩陣基板相對；以及側壁保護結構，其形成于該有源元件矩陣基板上方，且該側壁保護結構環(huán)繞于與該反射層的該第一表面與該第二表面相鄰的側壁上。本發(fā)明能夠對有源式矩陣顯示裝置中的反射層提供比現(xiàn)有技術更完整的保護。
文檔編號H01L27/32GK101577274SQ20081009138
公開日2009年11月11日 申請日期2008年5月8日 優(yōu)先權日2008年5月8日
發(fā)明者彭杜仁, 西川龍司, 詹川逸 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司