專利名稱：驗(yàn)證半導(dǎo)體裝置的圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制作方法，且更具體而言涉及一種驗(yàn)證半 導(dǎo)體裝置的圖案的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體裝置的集成度的增加，半導(dǎo)體裝置所需的圖案的尺寸逐漸變 小，由于在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中的限制，這導(dǎo)致在實(shí)際晶片上的圖案缺陷，例如圖案橋接或夾止失敗(pinch fail )。于是，在設(shè)計(jì)目標(biāo)圖案的驗(yàn)證 及光掩模的準(zhǔn)備之前，事先偵測(cè)在工藝方面的弱點(diǎn)或缺陷部分，然后將偵測(cè) 結(jié)果反映于設(shè)計(jì)布局中。已經(jīng)提出 一 種用以驗(yàn)證圖案缺陷的傳統(tǒng)方法，其中將在實(shí)際晶片上形成 的圖案的圖像與原始布局比較，然后該比較得到的其間差異部分被偵測(cè)為缺 陷。然而，可以修改原始布局?jǐn)?shù)次，以便在實(shí)施實(shí)際晶片工藝時(shí)有利于晶片 圖案化。 一旦原始布局被修改，則在圖案缺陷的驗(yàn)證中在實(shí)際晶片上與修改 的布局上的圖案之間的差異部分#皮偵測(cè)為缺陷。從原始布局修改的部分被偵 測(cè)為缺陷。因此，難以偵測(cè)在實(shí)際晶片上發(fā)生的缺陷，例如圖案橋接或夾止 失敗。發(fā)明內(nèi)容在一個(gè)實(shí)施例中， 一種驗(yàn)證半導(dǎo)體裝置的圖案的方法包括提供目標(biāo)圖 案的設(shè)計(jì)布局；將該設(shè)計(jì)布局轉(zhuǎn)移到晶片上以形成晶片圖案；獲得該晶片圖 案的圖像輪廓；將該晶片圖案的圖像輪廓匹配在該設(shè)計(jì)布局上；提取該設(shè)計(jì) 布局與該晶片圖案的圖像輪廓之間的邊緣差異；通過在該設(shè)計(jì)布局上加入該 邊緣差異以獲得用以偵測(cè)晶片圖案缺陷的檢查布局；以及確認(rèn)該檢查布局上 的缺陷。該設(shè)計(jì)布局可包括該目標(biāo)圖案的原始布局或該原始布局的光學(xué)鄰近 校正布局。將該設(shè)計(jì)布局轉(zhuǎn)移到晶片上可包括使用該目標(biāo)圖案的設(shè)計(jì)布局 制作光掩模；以及使用所制作的光掩模在該晶片上形成晶片圖案。獲得該圖像輪廓可包括通過掃描電子顯微鏡來實(shí)施。提取邊緣差異可包括比較該設(shè) 計(jì)布局的圖案的邊緣點(diǎn)與該圖像輪廓的晶片圖案的邊緣點(diǎn)；將該圖像輪廓的 晶片圖案的邊緣點(diǎn)與該設(shè)計(jì)布局的圖案上的邊緣點(diǎn)之間的差異轉(zhuǎn)換為GDS (圖像數(shù)據(jù)系統(tǒng))數(shù)據(jù)；以及儲(chǔ)存該GDS數(shù)據(jù)。獲得檢查布局可包括通過 在該設(shè)計(jì)布局的圖案的邊緣點(diǎn)中加入該邊緣差異以將該設(shè)計(jì)布局的圖案的 臨界尺寸轉(zhuǎn)換為該檢查布局的圖案的臨界尺寸。確認(rèn)缺陷可包括分割該檢 查布局成為線圖案區(qū)域及空間區(qū)域；以及偵測(cè)該線圖案區(qū)域中及該空間區(qū)域 中的缺陷。偵測(cè)該線圖案區(qū)域包括提供該線圖案的參考臨界尺寸值；以及 確定是否該檢查布局中的圖案的臨界尺寸偏離該參考臨界尺寸值。偵測(cè)該空 間區(qū)域中的缺陷可包括提供線圖案之間的參考位移值；以及確定是否該檢 查布局中的線圖案之間的位移偏離該參考位移值。該方法進(jìn)一步包括，在確 認(rèn)缺陷后，通過將所偵測(cè)的缺陷回饋在該設(shè)計(jì)布局上來實(shí)施另一光學(xué)鄰近校 正。


圖1為描述依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的驗(yàn)證半導(dǎo)體裝置的圖案的方法的流程 圖；以及圖2至圖6為描述依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1的方法的示意平面圖。 附圖標(biāo)記說明200 設(shè)計(jì)布局 210 檢查布局210a檢查布局 210b檢查布局211 夾止失敗 212 橋接缺陷dl 臨界尺寸 d2 臨界尺寸d3 位移具體實(shí)施方式
以下，將參考附圖來詳細(xì)描述依據(jù)本發(fā)明較佳實(shí)施例的驗(yàn)證半導(dǎo)體裝置 的圖案的方法。參考圖1,提供用于目標(biāo)圖案的設(shè)計(jì)布局200 (S10),如圖2所示。詳 言之，設(shè)計(jì)者使用要在晶片上實(shí)現(xiàn)的圖案以及包含數(shù)據(jù)的信息來設(shè)計(jì)圖案。 在布局編輯器(layout editor)中設(shè)計(jì)布局200，使得布局200具有與在實(shí)際晶片上將形成的晶片圖案相同的形狀。布局200可以是設(shè)計(jì)者第 一次設(shè)計(jì)的 原始布局或者是用以抑制該原始布局上的光學(xué)鄰近效應(yīng)的光學(xué)鄰近校正布 局(OPC布局)。使用設(shè)計(jì)布局200將晶片圖案轉(zhuǎn)移到實(shí)際晶片上(Sll)。具體而言，制 作具有與用于目標(biāo)圖案的設(shè)計(jì)布局200相同的圖案結(jié)構(gòu)的光掩模，以及然后 使用所制作的光掩模以在實(shí)際晶片上形成晶片圖案。以掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝在實(shí)際晶片上形成的晶片圖案，以獲得 晶片圖案的圖像輪廓(S12)。也可以使用其它類型的技術(shù)。將晶片圖案的圖像輪廓匹配在設(shè)計(jì)布局上，如圖3所示(S13)。之后， 提取設(shè)計(jì)布局200與晶片圖案的圖像輪廓之間的邊緣差異(S14)。詳言之， 通過測(cè)量設(shè)備(未示出)將設(shè)計(jì)布局200的圖案的邊緣點(diǎn)與晶片圖案的圖像 輪廓的邊緣點(diǎn)比較。將設(shè)計(jì)布局200的圖案的邊緣點(diǎn)與晶片圖案的圖像輪廓 上的邊緣點(diǎn)之間的邊緣差異轉(zhuǎn)換為例如GDS數(shù)據(jù)，以及儲(chǔ)存該GDS數(shù)據(jù)。 在此，該GDS數(shù)據(jù)是指在晶片圖案的圖像輪廓與設(shè)計(jì)布局200上的圖案的 邊緣點(diǎn)的臨界尺寸dl (如圖3所示)之間的差異。如圖4所示，通過在設(shè)計(jì)布局上加入該邊緣差異以獲得用以偵測(cè)晶片圖 案缺陷的^r查布局210 (S15)。亦即，所儲(chǔ)存的GDS數(shù)據(jù)^皮反映在布局編 輯器中設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)布局200的邊緣點(diǎn)，使得設(shè)計(jì)布局200的臨界尺寸可以轉(zhuǎn) 換為在實(shí)際晶片上形成的晶片圖案的臨界尺寸。在光掩模的準(zhǔn)備之前，確認(rèn)檢查布局210上的缺陷，以從工藝角度驗(yàn)證 該圖案(S16)。此時(shí)，可以按照將檢查布局210分割成線圖案區(qū)域和空間區(qū) 域的方式來執(zhí)行該確認(rèn)，而且該確認(rèn)可以分別是該線圖案區(qū)域和該空間區(qū)域 中的偵測(cè)。例如，在該線圖案區(qū)域，提供該線圖案的參考臨界尺寸(CD)值，以 及確定檢查布局21 Oa中的線圖案的臨界尺寸d2是否偏離該參考臨界尺寸， 如圖5所示。當(dāng)確定4全查布局210a中的線圖案的臨界尺寸(CD) d2偏離該 參考臨界尺寸值時(shí)，該點(diǎn)被偵測(cè)為弱點(diǎn)(weakpoint)，例如夾止失敗211。在該空間區(qū)域，提供線圖案之間的參考位移值，以及確定4企查布局210b 中的線圖案之間的位移d3是否偏離該參考位移值，如圖6所示。當(dāng)確定檢 查布局210b中包含的線圖案之間的位移d3偏離該參考位移值時(shí)，該點(diǎn)被偵 測(cè)為弱點(diǎn)，例如橋接缺陷212 。依據(jù)圖案驗(yàn)證結(jié)果考慮所偵測(cè)的缺陷對(duì)工藝窗口的影響程度來校正設(shè)計(jì)布局(S16)。詳言之，該設(shè)計(jì)布局通過將所偵測(cè)的缺陷回饋在該設(shè)計(jì)布局 上來實(shí)施另一光學(xué)鄰近校正。在該原始布局上實(shí)施該圖案驗(yàn)證的情況中，考 慮所偵測(cè)的缺陷來實(shí)施該OPC工藝。當(dāng)在OPC布局上實(shí)施該圖案驗(yàn)證時(shí)， 可以再執(zhí)行該OPC工藝。在一實(shí)施例中， 一種驗(yàn)證半導(dǎo)體裝置的圖案的方法，通過在該設(shè)計(jì)布局 上加入該邊緣差異以獲得具有與在該晶片上形成的晶片圖案相同的形狀的 檢查布局，以及驗(yàn)證該檢查布局以偵測(cè)晶片圖案缺陷。因此，可有效地偵測(cè) 在晶片圖案上發(fā)生的缺陷，例如圖案橋接或夾止失敗。此外，在掩模的制作 前準(zhǔn)確估計(jì)該缺陷，因而可有效地防止再調(diào)整及再制造。雖然出于說明的目的披露了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員 將理解不脫離權(quán)利要求所界定的本發(fā)明范圍和精神的各種修改、添加和取代。本發(fā)明主張2007年6月27日提出的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 10-2007-0063926 的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
1.一種驗(yàn)證半導(dǎo)體裝置的圖案的方法，所述方法包括提供目標(biāo)圖案的設(shè)計(jì)布局；將所述設(shè)計(jì)布局轉(zhuǎn)移到晶片上轉(zhuǎn)移以形成晶片圖案；獲得所述晶片圖案的圖像輪廓；將所述晶片圖案的圖像輪廓匹配在所述設(shè)計(jì)布局上；提取所述設(shè)計(jì)布局與所述晶片圖案的圖像輪廓之間的邊緣差異；通過在所述設(shè)計(jì)布局上加入所述邊緣差異以獲得用以偵測(cè)晶片圖案缺陷的檢查布局；以及確認(rèn)所述檢查布局上的缺陷。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述設(shè)計(jì)布局包括所述目標(biāo)圖案的 原始布局或者所述原始布局的光學(xué)鄰近校正布局之一。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述設(shè)計(jì)布局轉(zhuǎn)移到晶片上的步 驟還包括使用所述目標(biāo)圖案的設(shè)計(jì)布局制作光掩模；以及 使用所制作的光掩模在所述晶片上形成晶片圖案。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中獲得所述圖像輪廓的步驟是通過掃 描電子顯微鏡來實(shí)施。
5. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中提取邊緣差異的步驟還包括 比較所述設(shè)計(jì)布局的圖案的邊緣點(diǎn)與所述圖像輪廓的晶片圖案的邊緣點(diǎn)；將所述圖像輪廓的晶片圖案的邊緣點(diǎn)與所述設(shè)計(jì)布局的圖案上的邊緣 點(diǎn)之間的差異轉(zhuǎn)換為圖像數(shù)據(jù)系統(tǒng)數(shù)據(jù)；以及 儲(chǔ)存所述圖像數(shù)據(jù)系統(tǒng)數(shù)據(jù)。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中獲得檢查布局的步驟包括通過在所 述設(shè)計(jì)布局的圖案的邊緣點(diǎn)中加入所述邊緣差異以將所述設(shè)計(jì)布局的圖案 的臨界尺寸轉(zhuǎn)換為所述檢查布局的圖案的臨界尺寸。
7. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中確認(rèn)缺陷的步驟還包括 分割所述檢查布局成為線圖案區(qū)域和空間區(qū)域；以及偵測(cè)所述線圖案區(qū)域中及所述空間區(qū)域中的缺陷。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中偵測(cè)所述線圖案區(qū)域的步驟還包括 提供所述線圖案的參考臨界尺寸值；以及確定所述檢查布局中的圖案的臨界尺寸是否偏離所述參考臨界尺寸值。
9. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中偵測(cè)所述空間區(qū)域中的缺陷的步驟 包括提供線圖案之間的參考位移值；以及確定所述檢查布局中的線圖案之間的位移是否偏離所述參考位移值。
10. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括通過將所偵測(cè)的缺陷回饋在所述 設(shè)計(jì)布局上來實(shí)施另一光學(xué)鄰近校正。
11. 一種—驗(yàn)_〖正半導(dǎo)體裝置的圖案的方法，所述方法包括 提供目標(biāo)圖案的設(shè)計(jì)布局； 將所述設(shè)計(jì)布局轉(zhuǎn)移到晶片上以形成晶片圖案； 獲得所述晶片圖案的圖像輪廓；將所述晶片圖案的圖像輪廓匹配在所述設(shè)計(jì)布局上；提取所述設(shè)計(jì)布局與所述晶片圖案的圖像輪廓之間的邊緣差異；通過在所述設(shè)計(jì)布局的圖案的邊緣點(diǎn)中加入所述邊緣差異來獲得用以偵測(cè)晶片圖案缺陷的檢查布局，以將所述設(shè)計(jì)布局的圖案的臨界尺寸轉(zhuǎn)換為所述沖全查布局的圖案的臨界尺寸；提供圖案的參考臨界尺寸值；以及確定所述檢查布局的圖案的臨界尺寸是否偏離所述參考臨界尺寸值。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述設(shè)計(jì)布局包括所述目標(biāo)圖案 的原始布局或者所述原始布局的光學(xué)鄰近校正布局之一。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中提取邊緣差異的步驟還包括 比較所述設(shè)計(jì)布局的圖案的邊緣點(diǎn)與所述圖像輪廓的晶片圖案的邊緣點(diǎn)；將所述圖像輪廓的晶片圖案的邊緣點(diǎn)與所述設(shè)計(jì)布局的圖案上的邊緣 點(diǎn)之間的差異轉(zhuǎn)換為圖像數(shù)據(jù)系統(tǒng)數(shù)據(jù)；以及 儲(chǔ)存所述圖像數(shù)據(jù)系統(tǒng)數(shù)據(jù)。
14. 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括通過將所偵測(cè)的缺陷回饋到所 述設(shè)計(jì)布局來實(shí)施另一光學(xué)鄰近校正。
15. —種驗(yàn)證半導(dǎo)體裝置的圖案的方法，所述方法包括提供目標(biāo)圖案的設(shè)計(jì)布局；將所述設(shè)計(jì)布局轉(zhuǎn)移到晶片上以形成晶片圖案；獲得所述晶片圖案的圖像輪廓；將所述晶片圖案的圖像輪廓匹配在所述設(shè)計(jì)布局上；提取所述設(shè)計(jì)布局與所述晶片圖案的圖像輪廓之間的邊緣差異；通過在所述設(shè)計(jì)布局的圖案的邊緣點(diǎn)中加入所述邊緣差異來獲得用以 偵測(cè)晶片圖案缺陷的;f企查布局，以將所述設(shè)計(jì)布局的圖案的臨界尺寸轉(zhuǎn)換為 所述檢查布局的圖案的臨界尺寸；提供圖案之間位移的參考位移值；以及確定所述^r查布局的圖案之間的位移是否偏離所述參考位移值。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述設(shè)計(jì)布局包括所述目標(biāo)圖案 的原始布局或者所述原始布局的光學(xué)鄰近校正布局之一。
17. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中提取邊緣差異的步驟還包括 比較所述設(shè)計(jì)布局的圖案的邊緣點(diǎn)與所述圖像輪廓的晶片圖案的邊緣點(diǎn)；將所述圖像輪廓的晶片圖案的邊緣點(diǎn)與所述設(shè)計(jì)布局的圖案上的邊緣點(diǎn)之間的差異轉(zhuǎn)換為圖像數(shù)據(jù)系統(tǒng)數(shù)據(jù)；以及 儲(chǔ)存所述圖像數(shù)據(jù)系統(tǒng)數(shù)據(jù)。
18. 如權(quán)利要求15所述的方法，還包括通過將所偵測(cè)的缺陷回饋至所 述設(shè)計(jì)布局來實(shí)施另一光學(xué)鄰近校正。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種驗(yàn)證半導(dǎo)體裝置的圖案的方法。在該方法中，提供目標(biāo)圖案的設(shè)計(jì)布局，以及將該設(shè)計(jì)布局轉(zhuǎn)移在晶片上以形成晶片圖案。獲得晶片圖案的圖像輪廓。將晶片圖案的圖像輪廓匹配在設(shè)計(jì)布局上。在提取該設(shè)計(jì)布局與該晶片圖案的圖像輪廓之間的邊緣差異之后，通過在該設(shè)計(jì)布局上加入該邊緣差異來獲得用以偵測(cè)晶片圖案缺陷的檢查布局。在光掩模制作之前，確認(rèn)檢查布局上的缺陷，以從工藝角度驗(yàn)證該圖案。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101334802SQ20081008865
公開日2008年12月31日 申請(qǐng)日期2008年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月27日
發(fā)明者梁鉉祚 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司