專(zhuān)利名稱(chēng)：：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
：開(kāi)發(fā)具有使用半導(dǎo)體的晶體管的半導(dǎo)體裝置的歷史是為了以更低成本提供更高性能的半導(dǎo)體裝置的挑戰(zhàn)的歷史。作為使半導(dǎo)體裝置高性能化的方法之一，有提高半導(dǎo)體的晶性的方法。在此，其晶性最優(yōu)越的半導(dǎo)體是單晶半導(dǎo)體。作為用于單晶半導(dǎo)體的襯底有單晶半導(dǎo)體薄片、SOI(SilicononInsulator)襯底等。然而，這些襯底有其成本高的缺點(diǎn)。伴隨著村底的大面積化，該缺點(diǎn)明顯。另一方面，作為適合于大面積襯底的低成本的半導(dǎo)體裝置，有使用在廉價(jià)的襯底(例如玻璃襯底)上通過(guò)成膜技術(shù)而形成的半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置。在襯底上使用淀積技術(shù)而形成的半導(dǎo)體裝置中，已嘗試以廉價(jià)地提供提高半導(dǎo)體的晶性的高性能的半導(dǎo)體裝置(例如，參照專(zhuān)利文件1)。但是，將在襯底上通過(guò)淀積技術(shù)而形成的半導(dǎo)體完全地成為單晶是非常困難的。于是，還已嘗試通過(guò)將單晶半導(dǎo)體接合到廉價(jià)的襯底，在廉價(jià)的襯底上形成單晶半導(dǎo)體(專(zhuān)利文件2)。[專(zhuān)利文件1日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)Hei7-130652號(hào)公報(bào)[專(zhuān)利文件2日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)Hei11-163363號(hào)公報(bào)8在專(zhuān)利文件2中記載的發(fā)明雖然可以提供廉價(jià)且高性能的半導(dǎo)體裝置，但是因?yàn)槭褂脝尉В耘c專(zhuān)利文件1所記載的發(fā)明相比，其價(jià)格為高。另一方面，有一種情況，即雖然半導(dǎo)體裝置具有各種各樣的電路，但是不需要所有的電路利用單晶，僅一部分的具有高功能的電路采用單晶即可的情況。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供高性能且低成本的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置在襯底上包括具有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的第一區(qū)域，具有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域。其中，在第一區(qū)域中設(shè)置被要求高性能(結(jié)晶性高、在襯底面內(nèi)的半導(dǎo)體元件的性能的不均勻較少等)的電路，并且在第二區(qū)域中設(shè)置對(duì)高性能的要求不太高的電路。在此，分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層是指一種單晶半導(dǎo)體層，該單晶半導(dǎo)體層是通過(guò)如下工序來(lái)獲得的將由選自氫、氦、以及卣素中的一個(gè)或多個(gè)的原子構(gòu)成的離子種注入或摻雜到單晶半導(dǎo)體襯底，而在離上述單晶半導(dǎo)體襯底的表面有一定的深度的區(qū)域中形成離子層；在上述單晶半導(dǎo)體襯底表面上形成接合層；在將上述接合層接合到襯底上之后，通過(guò)向上述單晶半導(dǎo)體襯底施加能量，而使上述離子層產(chǎn)生裂縫，來(lái)在上述襯底上殘留單晶半導(dǎo)體層。注意，在本說(shuō)明書(shū)中，"注入離子種，，是指以對(duì)含有離子種的源氣體進(jìn)行質(zhì)量分離的方式將離子種引導(dǎo)到被處理物。另一方面，"摻雜離子種，，是指以對(duì)含有離子種的源氣體不進(jìn)行質(zhì)量分離的方式將離子種引導(dǎo)到到被處理物。與離子注入設(shè)備相比，因?yàn)殡x子摻雜設(shè)備不需要質(zhì)量分離器，所以?xún)r(jià)格低廉?？梢詫?shí)現(xiàn)低成本化，因此摻雜離子種是優(yōu)選的。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于當(dāng)向激光照射的最適能量密度不同的多個(gè)區(qū)域照射激光時(shí)，在任一區(qū)域中設(shè)置上述激光束的覆蓋膜之后，對(duì)上述多個(gè)區(qū)域一同照射上述激光束?；蛘?，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于當(dāng)向激光照射的最適能量密度不同的多個(gè)區(qū)域照射激光時(shí)，在每個(gè)區(qū)域上設(shè)置吸收率不同的覆蓋膜之后，對(duì)上迷多個(gè)區(qū)域一同照射上述激光束。"一同照射，，是指在一個(gè)工序中(以相同工序，或者同時(shí))進(jìn)行照射。例如，指的是通過(guò)使用線狀激光束或點(diǎn)狀激光束對(duì)整個(gè)襯底進(jìn)行掃描；通過(guò)使用面狀激光束向整個(gè)襯底照射激光束等。注意，根據(jù)半導(dǎo)體層的膜厚度，半導(dǎo)體層的激光照射的最適能量密度不同。另外，雖然是相同的膜厚度，若半導(dǎo)體的材料不同，則最適能量密度也不同。半導(dǎo)體層的膜厚度越薄，最適能量密度越小，而半導(dǎo)體層的膜厚度越厚，最適能量密度越大。例如，在使用硅的情況下，當(dāng)半導(dǎo)體層的膜厚度為50nm時(shí)，最適能量密度為350至450mJ/cm2，并且當(dāng)半導(dǎo)體層的膜厚度為100nm時(shí)，最適能量密度為600至700mJ/cm2。算出最適能量密度的方法通過(guò)如下任一種方法來(lái)預(yù)先進(jìn)行評(píng)估即可在準(zhǔn)備以多個(gè)能量密度的條件照射了激光束的半導(dǎo)體樣品之后，用顯微鏡觀察來(lái)評(píng)估結(jié)晶性的方法；使用拉曼光譜測(cè)定儀器來(lái)評(píng)估的方法；在實(shí)際上制造薄膜晶體管來(lái)評(píng)估的方法。注意，覆蓋膜形成在半導(dǎo)體層的上表面。另外，作為覆蓋膜，有防反射膜和反射膜。防反射膜是與在不形成覆蓋膜的狀態(tài)下的反射率相比，在形成有覆蓋膜的狀態(tài)下的反射率相對(duì)小的膜(吸收率相對(duì)大。)作為防反射膜，可以使用如氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜等的單層膜。另一方面，反射膜是與在不形成覆蓋膜的狀態(tài)下的反射率相比，在形成有覆蓋膜的狀態(tài)下的反射率相對(duì)大的膜(吸收率相對(duì)小。)作為反射膜，可以使用由選自氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜等中的多種膜構(gòu)成的疊層膜。在本說(shuō)明書(shū)中，氧氮化硅膜及氮氧化硅膜的定義是下面所記載的。氧氮化硅膜是包含50至70原子％的氧、0.5至15原子％的氮、25至35原子％的硅、0.1至10原子％的氫的膜。另一方面，氮氧化硅膜是包含5至30原子°/。的氧、20至55原子o/。的氮、25至35原子％的硅、10至25原子o/。的氫的膜。含有比率的值是將通過(guò)使用盧瑟福背散射光鐠學(xué)法(RBS:RutherfordBackscatteringSpectrometry)以及氫前方散射法(HFS:HydrogenForwardScattering)測(cè)量的值換算為氧、氮、硅、以及氫的四種元素的含有比率的值。在此，為了通過(guò)使激光束的光路長(zhǎng)度變化，來(lái)使激光束的吸收率、反射率、透過(guò)率變化，設(shè)置覆蓋膜。注意，吸收率、反射率、以及透過(guò)率的總和成為1。在此，光路長(zhǎng)度是光行進(jìn)的幾何學(xué)的長(zhǎng)度(s)和在其中光行進(jìn)的媒體的折射率(n)的乘積(ns)。通過(guò)根據(jù)覆蓋膜的材料控制折射率(n)并且根據(jù)覆蓋膜的膜厚度控制折射率不同的區(qū)域的幾何學(xué)的長(zhǎng)度(s)，來(lái)可以使激光束的光路長(zhǎng)度自由地變化。另外，供給給半導(dǎo)體層的能量和吸收率的關(guān)系是比例關(guān)系。換言之，根據(jù)覆蓋膜的材料和膜厚度，可以使光路長(zhǎng)度變化。通過(guò)使光路長(zhǎng)度變化，可以使激光束的吸收率變化。進(jìn)而，通過(guò)使激光束的吸收率變化，可以使供給給半導(dǎo)體層的能量變化。如上所述，根據(jù)覆蓋膜的材料和膜厚度，可以使供給給半導(dǎo)體層的能量變化。具體而言，有半導(dǎo)體層的膜厚度越厚，最適能量密度越大的趨勢(shì)，因此優(yōu)選在膜厚度厚的半導(dǎo)體層上設(shè)置防反射膜?；蛘撸瑑?yōu)選在膜厚度更的半導(dǎo)體層上設(shè)置反射膜。另外，當(dāng)設(shè)置第一半導(dǎo)體層和其膜厚度厚于第一半導(dǎo)體層的第二半導(dǎo)體層，并在第一半導(dǎo)體層上設(shè)置第一覆蓋膜，并且在第二半導(dǎo)體層上設(shè)置第二覆蓋膜時(shí)，優(yōu)選使用其吸收率大于第二覆蓋膜的膜作為第一覆蓋膜。另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，在村底上具有設(shè)置有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的第一區(qū)域和設(shè)置有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域，其中上述分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的膜厚度厚于上述非單晶半導(dǎo)體層的膜厚度。另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選在上述第一區(qū)域中形成有驅(qū)動(dòng)電路，并且在上述第二區(qū)域中形成具有液晶顯示元件的像素部分?；蛘?，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選在上述第一區(qū)域中形成有具有電致發(fā)光(ElectroLuminescence)顯示元件的像素部分，并且在上述第二區(qū)域中形成有驅(qū)動(dòng)電路。或者，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選在上述第一區(qū)域中形成有模擬電路，并且在上述第二區(qū)域中形成有數(shù)字電路。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序在襯底上形成設(shè)置有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的第一區(qū)域和設(shè)置有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域；在上述分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層上及在上述非單晶半導(dǎo)體層上中的任一方上形成覆蓋膜；向上述第一區(qū)域及上述第二區(qū)域從上述覆蓋膜的上方照射激光束。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序在襯底上形成設(shè)置有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的第一區(qū)域和設(shè)置有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域；第一覆蓋膜及具有與上述第一覆蓋膜不同的反射率的第二覆蓋膜分別形成在上述分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層及在上述非單晶半導(dǎo)體層上；向上述第一區(qū)域及上述第二區(qū)域從上述第一及第二覆蓋膜的上方照射激光束。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序在襯底上形成非單晶半導(dǎo)體膜；通過(guò)去除在所述村底上的第一區(qū)域中的所述非單晶半導(dǎo)體膜，在所述襯底上的第二區(qū)域中形成非單晶半導(dǎo)體層；通過(guò)將離子種注入或摻雜到單晶半導(dǎo)體襯底，來(lái)在所述單晶半導(dǎo)體襯底的離其表面有預(yù)定的深f的區(qū)域中形成離子層；在所迷單晶半導(dǎo)體襯底的表面上形成接合層；將所述接合層接合到所述第一區(qū)域；通過(guò)對(duì)所述單晶半導(dǎo)體襯底施加能量在所述離子層中產(chǎn)生裂縫，來(lái)使單晶半導(dǎo)體層殘留在所述第一區(qū)域中；在所述單晶半導(dǎo)體層及所述非單晶半導(dǎo)體層中的任一方上形成覆蓋膜；向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域從所述覆蓋膜的上方照射激光束。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序在襯底上形成非單晶半導(dǎo)體膜；通過(guò)去除在所述襯底上的第一區(qū)域中的所述非單晶半導(dǎo)體膜，在所述襯底上的第二區(qū)域中形成非單晶半導(dǎo)體層；在所述第一區(qū)域上及在所述笫二區(qū)域上形成覆蓋膜；通過(guò)將離子種注入或摻雜到單晶半導(dǎo)體襯底，來(lái)在所述單晶半導(dǎo)體襯底的離其表面有預(yù)定的深度的區(qū)域中形成離子層；在所述單晶半導(dǎo)體襯底的表面上形成接合層；將所述接合層接合到所述第一區(qū)域上；通過(guò)對(duì)所述單晶半導(dǎo)體襯底施加能量在所述離子層中產(chǎn)生裂縫，來(lái)使單晶半導(dǎo)體層殘留在所述第一區(qū)域中；向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域從所述覆蓋膜的上方照射激光束。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序通過(guò)將離子種注入或摻雜到單晶半導(dǎo)體襯底，來(lái)在所述單晶半導(dǎo)體村底的離其表面有預(yù)定的深度的區(qū)域中形成離子層；在所述單晶半導(dǎo)體襯底的表面上形成接合層；將所述接合層接合到襯底上的第一區(qū)域；通過(guò)對(duì)所述單晶半導(dǎo)體襯底施加能量在所述離子層中產(chǎn)生裂縫，來(lái)使單晶半導(dǎo)體層殘留在所述第一區(qū)域中；在所述第一區(qū)域上及在所述村底上的第二區(qū)域上形成覆蓋膜；在所述覆蓋膜上形成非單晶半導(dǎo)體膜；通過(guò)所述覆蓋膜用作蝕刻停止層，去除在所述第一區(qū)域中的所述非單晶半導(dǎo)體膜，在所述第二區(qū)域中形成非單晶半導(dǎo)體層；向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域從所述覆蓋膜的上方照射激光束。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序在襯底上形成非單晶半導(dǎo)體膜；通過(guò)去除在所述襯底上的第一區(qū)域中的所述非單晶半導(dǎo)體膜，在所述襯底上的第二區(qū)域中形成非單晶半導(dǎo)體層；通過(guò)將離子種注入或摻雜到單晶半導(dǎo)體襯底，來(lái)在所述單晶半導(dǎo)體襯底的離其表面有預(yù)定的深度的區(qū)域中形成離子層；在所述單晶半導(dǎo)體襯底的表面上形成接合層；將所述接合層接合到所述第一區(qū)域；通過(guò)對(duì)所述單晶半導(dǎo)體襯底施加能量在所述離子層中產(chǎn)生裂縫，來(lái)使單晶半導(dǎo)體層殘留在所述第一區(qū)域中；在所述單晶半導(dǎo)體層上形成第一覆蓋膜；在所述非單晶半導(dǎo)體層上形成具有與所述第一覆蓋膜不同的反射率的第二覆蓋膜；向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域從所述第一及第二覆蓋膜的上方照射激光束。另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選使所述分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的膜厚度厚于所述非單晶半導(dǎo)體層的膜厚度。另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選在上述第一區(qū)域中形成驅(qū)動(dòng)電路，并且在上述第二區(qū)域中形成具有液晶顯示元件的像素部分?；蛘?，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選在上述第一區(qū)域中形成具有電致發(fā)光(ElectroLuminescence)顯示元件的4象素部分，并且在上述第二區(qū)域中形成驅(qū)動(dòng)電路?；蛘?，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選在上述第一區(qū)域中形成模擬電路，并且在上述第二區(qū)域中形成數(shù)字電路。注意，對(duì)所述激光束的能量的設(shè)定條件優(yōu)選使用通過(guò)使用由非單晶半導(dǎo)體構(gòu)成的激光束照射試驗(yàn)襯底決定的最適條件。通過(guò)在襯底上形成具有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的第一區(qū)域、具有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域，可以提供高性能且低成本的半導(dǎo)體裝置。另外，通過(guò)使用覆蓋膜一同照射激光束，可以使半導(dǎo)體本身具有高性能，并且可以減少激光束的照射次數(shù)，因此可以提供高性能且低成本的半導(dǎo)體裝置。圖l表示有源矩陣驅(qū)動(dòng)的顯示裝置的平面圖2表示非接觸標(biāo)簽的平面圖3表示非接觸標(biāo)簽的方塊圖4A至4C表示分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的制造方法；圖5表示分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的制造方法；圖6A至6C表示半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖7A至7C表示半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖8A至8C表示半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖9A至9C表示半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖IO表示半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖11A至11C表示半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖12表示半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖13A至13C表示半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖14A和14B表示半導(dǎo)體裝置的制造方法；圖15表示防反射膜的反射率、吸收率、透過(guò)率；圖16表示防反射膜的反射率、吸收率、透過(guò)率；圖17表示反射膜的反射率；圖18A至18E表示半導(dǎo)體裝置的一例。具體實(shí)施例方式下面，基于本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以通過(guò)多種不同方式來(lái)實(shí)施，所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)，就是其方式及詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本發(fā)明的實(shí)施方式及附圖所記載的內(nèi)容及附圖中。注意，下面的實(shí)施方式可以適當(dāng)?shù)亟M合。另外，當(dāng)沒(méi)有特別的記載時(shí)，在附圖中，使用相同標(biāo)記表示的部分可以使用相同材料和方法等而形成。實(shí)施方式1在本實(shí)施方式中，對(duì)一種顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明，該顯示裝置包括具有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的第一區(qū)域和具有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域。圖1是有源矩陣驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置、有源矩陣驅(qū)動(dòng)的電致發(fā)光顯示裝置等的平面圖的一例。在有源矩陣驅(qū)動(dòng)的顯示裝置中，在襯底10000上源驅(qū)動(dòng)器電路1001、柵驅(qū)動(dòng)器電路1002等的驅(qū)動(dòng)電路連接到像素部1011。源驅(qū)動(dòng)器電路1001、柵驅(qū)動(dòng)器電路1002等的驅(qū)動(dòng)電路是用于控制供給給形成在像素部1011中的晶體管等的有源元件的信號(hào)的電路。并且，在液晶顯示裝置中，使用形成在像素部1011中的晶體管控制液晶顯示元件的開(kāi)關(guān)。由此，在液晶顯示裝置中，形成在像素部1011中的晶體管僅用于開(kāi)關(guān)，因而與驅(qū)動(dòng)電路相比不要求高性能。另一方面，液晶顯示裝置因?yàn)橐壕э@示元件的響應(yīng)速度低，所以需要通過(guò)調(diào)整驅(qū)動(dòng)信號(hào)提高響應(yīng)速度。當(dāng)通過(guò)調(diào)整驅(qū)動(dòng)信號(hào)提高響應(yīng)速度時(shí)，因?yàn)轵?qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)變復(fù)雜，所以驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的個(gè)數(shù)增加。然而，若增加晶體管的個(gè)數(shù)，則驅(qū)動(dòng)電路本身的工作延遲。由此，用于驅(qū)動(dòng)電路中的晶體管的半導(dǎo)體層被要求高性能(高電場(chǎng)效應(yīng)遷移率并且在襯底面內(nèi)的晶體管的性能的不均勻少)。由此，在液晶顯示裝置中，優(yōu)選在形成源驅(qū)動(dòng)器電路1001、柵驅(qū)動(dòng)器電路1002等的驅(qū)動(dòng)電路的區(qū)域中使用分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層，并且在形成像素部1011的區(qū)域中使用非單晶半導(dǎo)體層。另外，像素部1011的面積大于驅(qū)動(dòng)電路占有的面積，因此通過(guò)在像素部1011中使用非單晶半導(dǎo)體層，可以實(shí)現(xiàn)低成本的顯示裝置。其次，電致發(fā)光顯示裝置通過(guò)使用形成在像素部1011中的晶體管，將電壓施加到電致發(fā)光元件，來(lái)使電致發(fā)光元件發(fā)光。在電致發(fā)光顯示裝置中，根據(jù)被施加的電壓的大小，電致發(fā)光顯示元件的發(fā)光強(qiáng)度不同。另外，在全彩色的電致發(fā)光顯示裝置中，紅色、綠色、藍(lán)色的元件所需要的用于發(fā)光的最適電壓分別不同。由此，在電致發(fā)光顯示裝置中，在襯底面內(nèi)的晶體管的性能的不均勻容易影響到顯示時(shí)的質(zhì)量。另一方面，電致發(fā)光元件若施加電壓，則發(fā)光，因此與液晶顯示元件相比，響應(yīng)速度快得多。由此，關(guān)于驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)，電致發(fā)光顯示裝置沒(méi)有液晶顯示裝置那么復(fù)雜。如上所述，在電致發(fā)光顯示裝置中，在形成像素部1011的區(qū)域中設(shè)定分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層，并且在形成源驅(qū)動(dòng)器電路1001、柵驅(qū)動(dòng)器電路1002等的驅(qū)動(dòng)電路的區(qū)域中使用非單晶半導(dǎo)體層。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，對(duì)可以非接觸地輸入/輸出數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說(shuō)明，該半導(dǎo)體裝置包括具有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的第一區(qū)域、具有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域?？梢苑墙佑|地輸入/輸出數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體裝置，根據(jù)利用方式被稱(chēng)為RFID(射頻識(shí)別)標(biāo)簽、ID標(biāo)簽、IC芯片、RF(射頻)標(biāo)簽、無(wú)線標(biāo)簽、電子標(biāo)簽、或者無(wú)線芯片。這些被總稱(chēng)為非接觸標(biāo)簽(非接觸芯片)。在圖2中示出非接觸標(biāo)簽的平面圖的一例，并且在圖3中示出非接觸標(biāo)簽的電路圖的一例。在襯底20000上設(shè)置有天線2001、整流電路2002、解調(diào)電路2003、調(diào)制電路2004、調(diào)整器2006、VCO2007、存儲(chǔ)器2008、邏輯電路2009。注意，VCO是VoltaggeControlledOscillator,就是電壓控制振蕩器。整流電路2002、解調(diào)電路2003、以及調(diào)制電路2004與天線2001電連接。解調(diào)電路2003、調(diào)制電路2004、調(diào)整器2006、VCO2007、以及存儲(chǔ)器2008與邏輯電路2009電連接。整流電路2002和調(diào)整器2006電連接，并且調(diào)整器2006和VCO2007電連接。對(duì)非接觸標(biāo)簽的工作進(jìn)行說(shuō)明。非接觸標(biāo)簽與讀出/寫(xiě)入器組合而工作。讀出/寫(xiě)入器產(chǎn)生電源電壓信號(hào)和指令信號(hào)。天線2001接收電源電壓信號(hào)和指令信號(hào)。接收了的電源電壓信號(hào)在整流電路2002中被整流，然后被供給到調(diào)整器2006。在調(diào)整器2006中，將整流了的電源電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為一定的電壓，然后發(fā)送到VCO2007和邏輯電路2009。在VCO2007中，將來(lái)自調(diào)整器2006的一定的電壓轉(zhuǎn)換為一定的頻率(時(shí)鐘)且發(fā)送到邏輯電路2009。另一方面，接收了的指令信號(hào)在解調(diào)電路2003中被解調(diào)，然后被發(fā)送到邏輯電路2009。邏輯電路2009以被調(diào)整器2006供給的電壓工作，并且對(duì)被解調(diào)電路2003供給的信號(hào)和存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器2008中的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較而分析。在分析之后，將響應(yīng)的結(jié)果作為信號(hào)發(fā)送到調(diào)制電路2004。然后，讀出/寫(xiě)入器讀出從解調(diào)電路2004通過(guò)天線2001響應(yīng)的信號(hào)。如上述那樣，讀出/寫(xiě)入器和非接觸標(biāo)簽彼此進(jìn)行數(shù)據(jù)的交換。在此，邏輯電路2009、存儲(chǔ)器2008、調(diào)制電路2004是數(shù)字驅(qū)動(dòng)電路，整流電路2002、解調(diào)電路2003、調(diào)整器2006、VCO2007是模擬驅(qū)動(dòng)電路。模擬驅(qū)動(dòng)電路因?yàn)楦鶕?jù)連續(xù)變化的物理量控制驅(qū)動(dòng)，所以使用使用分開(kāi)單晶半導(dǎo)體的晶體管是優(yōu)選的。另一方面，數(shù)字電路因?yàn)楦鶕?jù)間斷的物理量控制驅(qū)動(dòng)，所以可以使用其性能比用于模擬驅(qū)動(dòng)電路的晶體管性能欠佳的晶體管。因此，優(yōu)選通過(guò)使用分開(kāi)單晶半導(dǎo)體形成模擬驅(qū)動(dòng)電路的晶體管，并且通過(guò)使用非單晶半導(dǎo)體形成數(shù)字驅(qū)動(dòng)電路的晶體管。注意，雖然調(diào)制電路2004是數(shù)字驅(qū)動(dòng)電路，但是因?yàn)殡娐方Y(jié)構(gòu)單純，所以在襯底上占有的面積小，因此在空隙中設(shè)置由分開(kāi)單晶半導(dǎo)體構(gòu)成的調(diào)制電路2004，來(lái)可以實(shí)現(xiàn)高集成化。實(shí)施方式3在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D4A至4C和圖5對(duì)分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，準(zhǔn)備半導(dǎo)體襯底。作為半導(dǎo)體襯底可以使用由單晶硅構(gòu)成的襯底、單晶砷化鎵襯底等。另外，也可以使用由硅、鍺、砷化鎵等的多晶構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底，或者形成有硅、鍺-鎵砷化物等的襯底。注意，在使用多晶半導(dǎo)體襯底的情況下，分離之后的半導(dǎo)體層成為分開(kāi)多晶半導(dǎo)體層。其次，清洗半導(dǎo)體襯底的表面之后，通過(guò)從該表面一側(cè)將由電場(chǎng)加速了的離子注入或摻雜到預(yù)定的深度的區(qū)域中，以形成設(shè)置在第一單晶半導(dǎo)體層101和第二單晶半導(dǎo)體層102之間的離子層103(圖4A)。形成離子層103的位置依賴(lài)于離子的加速度。因此，通過(guò)調(diào)制離子的加速度，可以任意決定第二單晶半導(dǎo)體層102的膜厚度。第二單晶半導(dǎo)體層102的膜厚度為5至500nm，優(yōu)選為10至200賺》通過(guò)注入或摻雜選自氫、氦及卣素中的一個(gè)原子的一個(gè)或多個(gè)的離子種進(jìn)行離子添加。當(dāng)摻雜氫離子時(shí)，在其中包含原子數(shù)不同的多個(gè)氫離子，就是，H+、H2+、H/離子。而且，通過(guò)在照射的離子中將H/離子的比率設(shè)定為最高，可以提高在單位時(shí)間中被摻雜的氫的質(zhì)量，而可以縮短摻雜時(shí)間。另外，當(dāng)在表面露出的狀態(tài)下進(jìn)行離子注入或離子摻雜時(shí)，有時(shí)半導(dǎo)體襯底的表面粗糙。在此，當(dāng)在半導(dǎo)體襯底的表面上設(shè)置厚度50nm至200nm的保護(hù)膜時(shí)，可以防止表面粗糙，并且由于中間夾著保護(hù)膜，控制離子注入或摻雜的深度的精密性提高，因此這是優(yōu)選的。該保護(hù)膜優(yōu)選為在半導(dǎo)體襯底的表面上形成氧化硅膜，然后在該氧化硅膜上層疊氮化硅膜或氮氧化硅膜而成的。保護(hù)膜優(yōu)選因?yàn)槿缦戮壒式雍现?，由氮化硅膜或氮氧化硅膜防止?lái)自襯底的污染，并且氧化硅膜用作改善基底和半導(dǎo)體的界面特性的基底膜。其次，在半導(dǎo)體襯底的表面一側(cè)作為接合層104形成氧化硅膜(圖4B)。作為接合層104,使用有機(jī)硅烷氣體通過(guò)化學(xué)氣相沉積法制造的氧化硅膜是優(yōu)選的。作為有機(jī)硅烷氣體，可以使用含有硅的化合物，如四乙氧基硅烷(TEOS;Tetraethoxysilane:化學(xué)式Si(OC2H5)4)、四甲基硅烷(TMS;化學(xué)式Si(CH3)4)、四曱基環(huán)四硅氧烷(TMCTS)、八曱基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、三乙氧基硅烷(化學(xué)式SiH(OC2H5)3)、三(二甲基氨基)硅烷(化學(xué)式SHI(N(CH3)2)3)等。這里，將這樣使用有機(jī)硅烷氣體通過(guò)化學(xué)氣相沉積法制造的氧化珪膜稱(chēng)為有機(jī)硅烷膜。有機(jī)硅烷膜因?yàn)楫?dāng)成膜時(shí)在反應(yīng)表面上反應(yīng)物質(zhì)移動(dòng)得快，所以臺(tái)階覆蓋率高，而可以獲得表面平坦的膜。其次，對(duì)在支撐襯底100的表面和接合層104的表面進(jìn)行清洗。然后，使支撐村底100的表面和接合層104的表面密接來(lái)接^(圖4C)。僅通過(guò)密接可以接合是接合層104的表面和支撐村底100的表面都平坦的緣故。如果接合層104的表面和支撐襯底100的表面的任一方的表面不平坦時(shí)，接合力降低。其次，通過(guò)進(jìn)行將能量施加到半導(dǎo)體襯底的加熱處理，沿離子層103(分離層，脆化層、分離層)產(chǎn)生裂縫，來(lái)分離第一單晶半導(dǎo)體層101(圖5)。產(chǎn)生裂縫的機(jī)制是如下。就是；第一，通過(guò)離子注入或摻雜在半導(dǎo)體襯底內(nèi)發(fā)生空孔；第二，通過(guò)加熱處理該空孔成長(zhǎng)為空洞；第三，空洞集中而成為裂縫。注意，雖然圖5表示以離子層103殘留在單晶半導(dǎo)體層101—側(cè)的方式產(chǎn)生裂縫的一例，但是不局限于此。也有如下情況，即以離子層103殘留在第二單晶半導(dǎo)體層102—側(cè)的方式產(chǎn)生裂縫的情況；以離子層103分別殘留在第一單晶半導(dǎo)體層101、20第二單晶半導(dǎo)體層102的方式產(chǎn)生裂縫的情況。加熱處理優(yōu)選以高于接合層104的成膜溫度并且低于支撐襯底100的耐熱溫度的溫度進(jìn)行。例如，在對(duì)于支撐襯底100使用耐熱性低的玻璃襯底的情況下，400至600'C的熱處理是優(yōu)選的。如上所述那樣，在支撐襯底100的表面上殘留的第二單晶半導(dǎo)體層102為分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層。實(shí)施方式4在本實(shí)施方式中，對(duì)在襯底上形成具有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的第一區(qū)域和具有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域的方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，在襯底500上形成基底膜502和非單晶半導(dǎo)體層512(圖6A)。作為村底500可以使用鋁硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃等用于電子工業(yè)的各種玻璃襯底。此外也可以使用石英玻璃，或硅片等的半導(dǎo)體襯底。另外，作為基底膜502，可以使用由氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜、樹(shù)脂膜等的單層膜或疊層膜。當(dāng)使用玻璃襯底時(shí)，優(yōu)選設(shè)置基底膜502以便防止來(lái)自襯底的污染。當(dāng)使用玻璃襯底時(shí)，優(yōu)選使用通過(guò)在形成在襯底上的氮化硅膜或氮氧化硅膜上疊層氧化硅膜而形成的基底膜。氮化硅膜或氮氧化硅膜優(yōu)越于阻擋特性，而防止來(lái)自襯底的污染。然而，當(dāng)將溝道形成區(qū)域和氮化硅膜接觸地形成時(shí)，發(fā)生陷阱能級(jí)而給TFT的工作帶來(lái)負(fù)面影響，因此作為緩沖體在半導(dǎo)體層512和氮化硅膜之間夾氧化硅膜是優(yōu)選的。此外，非單晶半導(dǎo)體層512使用非晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體、或者多晶半導(dǎo)體。作為其材料使用硅、硅鍺、砷化鎵等。作為形成方法，可以使用CVD法、濺射法等。非單晶半導(dǎo)體層512的膜厚度為5至500nm、優(yōu)選為10至200,。注意，非單晶半導(dǎo)體層的膜厚度優(yōu)選薄于分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層。這是因?yàn)楫?dāng)分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的膜厚度厚時(shí)提高分離的成功率，并且當(dāng)非單晶半導(dǎo)體薄時(shí)其特性良好。其次，去除形成在第一區(qū)域5001中的非單晶半導(dǎo)體層512及基底膜502，而將非單晶半導(dǎo)體層512及基底膜502僅殘留在第二區(qū)域5002中(圖6B)。作為去除方法，為了維持襯底500的平坦性，優(yōu)選采用濕蝕刻。其次，利用實(shí)施方式3的方法，在第一區(qū)域5001中的襯底上形成絕緣膜501和分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511(圖6C)。在此，通過(guò)用來(lái)分離的400至600。C的熱處理，可以脫離在非單晶半導(dǎo)體層中的氫。注意，通過(guò)進(jìn)行氫的脫離，可以防止當(dāng)照射激光束時(shí)非單晶半導(dǎo)體層的消融(ablation)。絕緣膜501的接觸于襯底表面具有平坦面。絕緣膜501也可以在與分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511之間具有其他絕緣膜。作為其他絕緣膜，優(yōu)選具有接觸于分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511的氧化硅膜和接觸于該氧化硅膜的氮化硅膜或氮氧化硅膜。在此，由于分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511因形成離子層的離子注入或摻雜受到損壞，因此需要恢復(fù)該損壞。另一方面，非單晶半導(dǎo)體層512(尤其是使用非晶半導(dǎo)體層時(shí))是在僅進(jìn)行成膜的狀態(tài)下其結(jié)晶性不夠，因此需要進(jìn)行晶化。優(yōu)選通過(guò)照射激光束，來(lái)進(jìn)行損壞的恢復(fù)及晶化。然而，激光束的能量的值需要選擇最適值。當(dāng)釆用小于該最適值的能量時(shí)，損壞的恢復(fù)及晶化不夠。當(dāng)采用大于該最適值的能量時(shí)，有時(shí)半導(dǎo)體融化或有時(shí)半導(dǎo)體微晶化。#據(jù)膜厚度及膜的性質(zhì)該最適值不同。例如，在采用硅的情況下，當(dāng)半導(dǎo)體層的膜厚度為50nm時(shí)，最適值為350至450mJ/cm2，并且當(dāng)半導(dǎo)體層的膜厚度為100nm時(shí)，最適值為600至700mJ/cm2。其次，在分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511和非單晶半導(dǎo)體層512中的任一方上設(shè)置覆蓋膜。在此，在形成于第二區(qū)域5002中的非單晶半導(dǎo)體層512上設(shè)置覆蓋膜522(圖7A)。作為覆蓋膜，可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜等的單層膜或疊層膜。為了通過(guò)使激光束的光路長(zhǎng)度變化來(lái)改變激光束的吸收率，設(shè)置覆蓋膜。在此，光路長(zhǎng)度是光行進(jìn)的幾何學(xué)的長(zhǎng)度(s)和在其中光行進(jìn)的媒體的折射率(n)的乘積(ns)。通過(guò)根據(jù)覆蓋膜的材料控制折射率(n)并且根據(jù)覆蓋膜的膜厚度控制折射率不同的區(qū)域的幾何學(xué)的長(zhǎng)度(s)，來(lái)可以使激光束的光路長(zhǎng)度自由地變化。通過(guò)使光路長(zhǎng)度變化，可以對(duì)于激光束的能量密度的最適值不同的區(qū)域一同照射激光束。膜厚度可以根據(jù)激光束的波長(zhǎng)和覆蓋膜的折射率的關(guān)系而適當(dāng)?shù)貨Q定。激光束的波長(zhǎng)依賴(lài)于激光器的種類(lèi)，例如當(dāng)采用受激準(zhǔn)分子激光器時(shí)，可以發(fā)射193、248、308、351nm等的波長(zhǎng)的激光束，并且當(dāng)采用YAG激光器時(shí)，可以發(fā)射266、355、532、1064nm等的波長(zhǎng)的激光束。注意，激光器的種類(lèi)不局限于這種激光器。另外，覆蓋膜的折射率依賴(lài)于該膜的組成。例如，根據(jù)本發(fā)明人使用光鐠橢偏儀(HORIBAJOBINYVON公司制造)來(lái)測(cè)出的結(jié)果，通過(guò)CVD法形成的氮氧化硅膜的屈折率為1.75至2.0，通過(guò)CVD法形成的氧氮化硅膜的屈折率為1.45至1.55，并且通過(guò)濺射法形成的氮化硅膜的屈折率為2.0至2.3。然而，因?yàn)楦鶕?jù)成膜條件折射率稍微變化，所以?xún)?yōu)選制造用作覆蓋膜的試驗(yàn)?zāi)?，通過(guò)使用光i普橢偏儀等進(jìn)行測(cè)定。其次，通過(guò)將線狀激光束7000向箭形符號(hào)8000方向掃描來(lái)一同照射到分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511及非單晶半導(dǎo)體層512(圖7B)。注意，也可以通過(guò)往返地掃描點(diǎn)狀激光束來(lái)一同照射激光束。其次，在去除覆蓋膜之后，蝕刻分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511和非單晶半導(dǎo)體層512而加工為島狀(圖7C)。注意，也可以在將半導(dǎo)體層加工為鳥(niǎo)狀之后進(jìn)行激光束照射。然后，在分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511和非單晶半導(dǎo)體層512上形成柵極絕緣膜530(圖8A)。柵極絕緣膜530可以使用氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜等。柵極絕緣膜530的形成方法可以采用CVD法、濺射法等。柵極絕緣膜可以具有疊層結(jié)構(gòu)。其膜厚度越薄越優(yōu)選，200nm以下是優(yōu)選的。當(dāng)使柵極絕緣膜的膜厚度薄膜化時(shí)，膜厚度為50nm以下，更優(yōu)選為20nm以下。其次，在柵極絕緣膜530上形成柵電極541、柵電極542(圖8B)。通過(guò)濺射法等4吏用W、Ta、Mo、Cr、Cu、Nd、Al、Al-Nd、Al-Si、Al-Ti等，以單層或疊層的方式形成柵電極。另外，也可以使用N型或P型硅。膜厚度優(yōu)選為50至500nm。其次，通過(guò)添加賦予導(dǎo)電性的雜質(zhì)來(lái)形成雜質(zhì)區(qū)域。至少對(duì)源區(qū)域及漏區(qū)域添加雜質(zhì)。根據(jù)需要也可以設(shè)置低濃度的雜質(zhì)區(qū)域。作為賦予N型的雜質(zhì)，可以使用磷和砷等，并且作為賦予p型的雜質(zhì)，可以使用硼。雜質(zhì)的添加方法可以采用離子摻雜、離子注入、激光摻雜、熱擴(kuò)散法等。另外，在本實(shí)施方式中，雖然為方便起見(jiàn)，僅示出一個(gè)元件的例子進(jìn)行說(shuō)明，但是也可以釆用在面內(nèi)形成多個(gè)元件而形成N型TFT和P型TFT的CMOS電路。當(dāng)形成CMOS電路時(shí)，使用抗蝕劑掩模在不同工序中分別添加N型雜質(zhì)和P型雜質(zhì)即可。接下來(lái)，在分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511、非單晶半導(dǎo)體層512、柵極絕緣膜530、柵電極541、柵電極542的上方形成層間絕緣膜540。然后，在層間絕緣膜540中形成接觸孔，形成布線551a、布線551b、布線552a、布線552b(圖8C)。層間絕緣膜540可以使用氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜等。另外，可以使用丙烯、聚酰亞胺、硅氧烷聚合物等有機(jī)樹(shù)脂膜。層間絕緣膜既可以釆用單層結(jié)構(gòu)，又可以采用疊層結(jié)構(gòu)。其膜厚度優(yōu)選高于柵電極541的高度。另外，在形成層間絕緣膜540前或后，也可以進(jìn)行為了使雜質(zhì)元素激化的熱處理。布線551a、布線551b、布線552a、布線552b4吏用Mo、Cr、Cu、Nd、Al、Al-Nd、A1-SKAl-Ti等的以單層或疊層結(jié)構(gòu)形成的導(dǎo)電膜。膜厚度優(yōu)選為100nm至3pm。另外，當(dāng)制造顯示裝置時(shí)，形成與布線551a、布線551b、布線552a、布線552b中的任一個(gè)連接的像素電極。之后形成顯示元件。例如，當(dāng)制造液晶顯示裝置時(shí)，準(zhǔn)備形成有相對(duì)電極、顏色濾光片等的相對(duì)襯底。之后，在相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底上形成定向膜。接下來(lái)，將相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底使用密封劑接合之后，在形成有TFT的襯底和相對(duì)襯底之間注入液晶。在此情況下，像素電極、液晶和相對(duì)電極重疊的部分為顯示元件。例如，當(dāng)制造EL顯示裝置時(shí)，在像素電極上形成包括發(fā)光層的層，在包括發(fā)光層的層上形成電極。之后準(zhǔn)備相對(duì)襯底。接下來(lái)，將相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底使用密封劑接合。在此情況下，像素電極、包括發(fā)光層的層和電極重疊的部分為顯示元件。另外，根據(jù)電路的設(shè)計(jì)，也可以適當(dāng)?shù)匦纬蓪娱g絕緣膜和布線層疊為多個(gè)層的疊層布線結(jié)構(gòu)。實(shí)施方式5在本實(shí)施方式中，說(shuō)明在襯底上形成具有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的第一區(qū)域和具有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域的方法。首先，在襯底500上形成基底膜502和非單晶半導(dǎo)體層512(圖9A)。其次，去除形成在第一區(qū)域5001中的非單晶半導(dǎo)體層512及基底膜502，而使非單晶半導(dǎo)體層512及基底膜502僅殘留在第二區(qū)域5002中(圖9B)。接下來(lái)，在第一區(qū)域5001及第二區(qū)域5002上形成覆蓋膜522，并且通過(guò)使用實(shí)施方式3所記載的方法，將分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511接合到第一區(qū)域5001(圖9C)。在此，當(dāng)作為覆蓋膜522采用使用有機(jī)硅烷氣體通過(guò)化學(xué)氣相沉積法而形成的氧化硅膜(有機(jī)硅烷膜)時(shí)，來(lái)覆蓋膜522可以發(fā)揮接合層的功能，因此可以使襯底500和分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511更堅(jiān)固地接合起來(lái)。另外，覆蓋膜522成為兼作接合層和覆蓋膜的膜。因此，可以減少制造步驟的數(shù)目。在此，通過(guò)進(jìn)行用來(lái)分離的400至600。C的熱處理，可以脫離在非單晶半導(dǎo)體層中的氫。注意，通過(guò)進(jìn)行氫的脫離，可以防止當(dāng)照射激光束時(shí)非單晶半導(dǎo)體層的消融(ablation)。其次，通過(guò)將線狀激光束7000向箭形符號(hào)8000方向掃描來(lái)一同照射到分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511及非單晶半導(dǎo)體層512(圖10)。注意，也可以通過(guò)往返地掃描點(diǎn)狀激光束來(lái)一同照射激光束。其次，與實(shí)施方式4相同，在去除覆蓋膜之后，蝕刻分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511和非單晶半導(dǎo)體層512而加工為島狀。然后形成柵極絕緣膜及柵電極，將雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體層，并形成層間絕緣膜及布線。另外，當(dāng)制造顯示裝置時(shí)，形成與布線的任一個(gè)連接的像素電極。之后形成顯示元件。例如，當(dāng)制造液晶顯示裝置時(shí)，準(zhǔn)備形成有相對(duì)電極、顏色濾光片等的相對(duì)襯底。之后，在相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底上形成定向膜。接下來(lái)，將相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底使用密封劑接合之后，在形成有TFT的襯底和相對(duì)襯底之間注入液晶。在此情況下，像素電極、液晶和相對(duì)電極重疊的部分為顯示元件。例如，當(dāng)制造EL顯示裝置時(shí)，在像素電極上形成包括發(fā)光層的層，在包括發(fā)光層的層上形成電極。之后準(zhǔn)備相對(duì)襯底。接下來(lái)，將相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底使用密封劑接合。在此情況下，像素電極、包括發(fā)光層的層和電極重疊的部分為顯示元件。另外，根據(jù)電路的設(shè)計(jì)，也可以適當(dāng)?shù)匦纬蓪娱g絕緣膜和布線層疊為多個(gè)層的疊層布線結(jié)構(gòu)。如本實(shí)施方式那樣，通過(guò)以有機(jī)硅烷膜兼作覆蓋膜和接合表面，與實(shí)施方式4相比，可以減少制造工序的數(shù)目。實(shí)施方式6在本實(shí)施方式中，說(shuō)明在襯底上形成具有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的笫一區(qū)域和具有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域的方法。首先，通過(guò)使用實(shí)施方式3的方法，將分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511接合到笫一區(qū)域5001中的襯底500(圖11A)。其次，在第一區(qū)域5001及第二區(qū)域5002中形成基底膜502(覆蓋膜、蝕刻停止膜)和非單晶半導(dǎo)體層512(圖11B)。接下來(lái)，將基底膜502用作蝕刻停止膜，去除形成在第一區(qū)域5001的非單晶半導(dǎo)體層512(圖11C)。然后，將基底膜502用作覆蓋膜，并且通過(guò)將線狀激光束7000向箭形符號(hào)8000方向掃描來(lái)一同照射到分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511及非單晶半導(dǎo)體層512(圖12)。如上所述，基底膜502在第一區(qū)域中兼作蝕刻停止膜和覆蓋膜，并且在第二區(qū)域中成為基底膜。就是，基底膜502成為兼作蝕刻停止膜、覆蓋膜、基底膜的膜。因此，可以減少制造工序的數(shù)目。注意，也可以通過(guò)往返地掃描點(diǎn)狀激光束來(lái)一同照射激光束。在照射激光束之前進(jìn)行為了脫離氫的熱處理，來(lái)可以防止消融(ablation)，因此，這是優(yōu)選的。其次，與實(shí)施方式4相同，在去除覆蓋膜之后，蝕刻分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511和非單晶半導(dǎo)體層512而加工為島狀。然后形成柵極絕緣膜及柵電極，并且將N型或P型雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體層，并形成層間絕緣膜及布線。另外，當(dāng)制造顯示裝置時(shí)，形成與布線551a、布線551b、布線552a、布線552b中的任一個(gè)連接的像素電極。之后形成顯示元件。例如，當(dāng)制造液晶顯示裝置時(shí)，準(zhǔn)備形成有相對(duì)電極、顏色濾光片等的相對(duì)襯底。之后，在相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底上形成定向膜。接下來(lái)，將相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底使用密封劑接合之后，在形成有TFT的襯底和相對(duì)襯底之間注入液晶。在此情況下，像素電極、液晶和相對(duì)電極重疊的部分為顯示元件。例如，當(dāng)制造EL顯示裝置時(shí)，在像素電極上形成包括發(fā)光層的層，在包括發(fā)光層的層上形成電極。之后準(zhǔn)備相對(duì)襯底。接下來(lái)，將相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底使用密封劑接合。在此情況下，像素電極、包括發(fā)光層的層和電極重疊的部分為顯示元件。另外，根據(jù)電路的設(shè)計(jì)，也可以適當(dāng)?shù)匦纬蓪娱g絕緣膜和布線層疊為多個(gè)層的疊層布線結(jié)構(gòu)。如本實(shí)施方式那樣，通過(guò)以有機(jī)硅烷膜兼作覆蓋膜和接基底膜，與實(shí)施方式4相比，可以減少制造工序的數(shù)目。實(shí)施方式7雖然在實(shí)施方式4至6中示出在分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層和非單晶半導(dǎo)體層的任一方上設(shè)置覆蓋膜的結(jié)構(gòu)，但是也可以在第一區(qū)域5001和第二區(qū)域5002上設(shè)置吸收率不同的覆蓋膜。例如，在襯底500上形成基底膜502和非單晶半導(dǎo)體層512(圖13A)。其次，去除形成在第一區(qū)域5001中的非單晶半導(dǎo)體層512及基底膜502，而使非單晶半導(dǎo)體層512及基底膜502僅殘留在第二區(qū)域5002中(圖13B)。其次，通過(guò)使用實(shí)施方式3的方法，將分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511接合到第一區(qū)域5001中(圖13C)。其次，與在第一區(qū)域5001中形成第一覆蓋膜521的同時(shí)，在第二區(qū)域5002中形成第二覆蓋膜522(圖14A)。第一覆蓋膜521和第二覆蓋膜522的吸收率分別不同。為了獲取不同的吸收率，使第一覆蓋膜521的膜厚度和第二覆蓋膜522的膜厚度不同?；蛘撸沟谝桓采w膜521的材料和第二覆蓋膜522的材料不同。進(jìn)而，也可以使第一覆蓋膜521的膜厚度和第二覆蓋膜522的膜厚度不同，并且使第一覆蓋膜521的材料和第二覆蓋膜522的材料不同。注意，如下方法因簡(jiǎn)便，所以?xún)?yōu)選通過(guò)在第一區(qū)域5001及第二區(qū)域5002中形成由相同材料構(gòu)成的覆蓋膜之后，蝕刻第一區(qū)域5001及第二區(qū)域5002中的任一方的膜，來(lái)使第一覆蓋膜521和第二覆蓋膜522的膜厚度不同。其次，通過(guò)將線狀激光束7000向箭形符號(hào)8000方向掃描來(lái)一同照射到分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511及非單晶半導(dǎo)體層512(圖14B)。其次，與實(shí)施方式4相同，在去除覆蓋膜之后，蝕刻分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511和非單晶半導(dǎo)體層512而加工為島狀。然后形成柵極絕緣膜及柵電極，且將雜質(zhì)添加到半導(dǎo)體層，并且形成層間絕緣膜及布線。另外，當(dāng)制造顯示裝置時(shí)，形成與布線的任一個(gè)連接的像素電極。之后形成顯示元件。例如，當(dāng)制造液晶顯示裝置時(shí)，準(zhǔn)備形成有相對(duì)電極、顏色濾光片等的相對(duì)襯底。之后，在相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底上形成定向膜。接下來(lái)，將相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底使用密封劑接合之后，在形成有TFT的襯底和相對(duì)襯底之間注入液晶。在此情況下，像素電極、液晶和相對(duì)電極重疊的部分為顯示元件。例如，當(dāng)制造EL顯示裝置時(shí)，在像素電極上形成包括發(fā)光層的層，在包括發(fā)光層的層上形成電極。之后準(zhǔn)備相對(duì)襯底。接下來(lái)，將相對(duì)襯底和形成有TFT的襯底使用密封劑接合。在此情況下，像素電極、包括發(fā)光層的層和電極重疊的部分為顯示元件。另外，根據(jù)電路的設(shè)計(jì)，也可以適當(dāng)?shù)匦纬蓪娱g絕緣膜和布線層疊為多個(gè)層的疊層布線結(jié)構(gòu)。實(shí)施方式8在本實(shí)施方式中，對(duì)分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層及非單晶半導(dǎo)體層的表面的平坦性，以及使用分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層及非單晶半導(dǎo)體層的裝置的特性進(jìn)行說(shuō)明。首先在表1和表2中示出在照射激光束前后的分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層及非單晶半導(dǎo)體層的表面的平坦性。表i示出在不形成覆蓋膜的情況下照射激光束，而對(duì)照射激光束前后的平坦性進(jìn)行比較的結(jié)果。表2示出在形成覆蓋膜之后行照射激光束，而對(duì)照射激光束前后的平坦性進(jìn)行比較的結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>因?yàn)榉珠_(kāi)單晶半導(dǎo)體層釆用產(chǎn)生裂縫之后分離的方法，在表面產(chǎn)生凹凸，所以其平坦性不良好。另一方面，非單晶半導(dǎo)體層不采用產(chǎn)生裂縫之后分離的方法，因此與分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層相比，表面的凹凸較少，而其平坦性良好。在不使用覆蓋膜照射激光束的情況下，若在大氣氣氛中照射激光束，則分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層和非單晶半導(dǎo)體層雙方的平坦性不良好。另一方面，在不使用覆蓋膜照射激光束的情況下，若在惰性氣氛中照射激光束，則分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層和非單晶半導(dǎo)體層雙方的平坦性良好。惰性氣氛是指氧濃度低的氣氛，例如氮?dú)夥?、稀有氣體氣氛等。這是因?yàn)楫?dāng)在大氣氣氛中照射激光束時(shí)，由于氧的影響在半導(dǎo)體層表面上容易發(fā)生皺紋(ridge)。另外，通過(guò)使用覆蓋膜照射激光束，無(wú)論在大氣氣氛下照射激光束還是在惰性氣氛下照射激光束，平坦性也與照射激光束之前沒(méi)有多大差異。接下來(lái)，在表3和表4中表示照射激光束前后的結(jié)晶性。表3和表4示出在不照射激光束或者照射激光束并且改變氣氛的條件下形成晶體管，而對(duì)裝置的特性進(jìn)行比較的結(jié)果。表3示出以沒(méi)有覆蓋膜的方式照射激光束的結(jié)果，并且表4示出以有覆蓋膜的方式照射激光束的結(jié)果。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>※相對(duì)評(píng)估數(shù)值越大特性越良好。表3.裝置的特性的比較(沒(méi)有覆蓋膜)表4<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>※相對(duì)評(píng)估數(shù)值越大特性越良好。表4.裝置的特性的比較(有覆蓋膜)與使用非單晶半導(dǎo)體層的裝置比較，使用分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的裝置的裝置特性良好。在以不使用覆蓋膜的方式照射激光束的情況下，設(shè)備的特性提高。而且，通過(guò)在大氣氣氛中照射激光束，因?yàn)楫?dāng)晶化時(shí)大氣中包含的氧進(jìn)入半導(dǎo)體層，所以減少當(dāng)形成非單晶半導(dǎo)體層時(shí)多量發(fā)生的懸空鍵。因此，使用非單晶半導(dǎo)體層的裝置的特性進(jìn)一步提高。然而，因?yàn)榉珠_(kāi)單晶半導(dǎo)體層的懸空鍵少，所以在照射激光束的氣氛中包含的氧不太影響到裝置特性。另一方面，在以使用覆蓋膜的方式照射激光束的情況下，因?yàn)榘雽?dǎo)體的表面不露出，所以在照射激光束的氣氛中包含的氧不太影響到裝置特性。根據(jù)上述情況，當(dāng)在非單晶半導(dǎo)體層上設(shè)置覆蓋膜，并且在惰性氣氛中照射激光束時(shí)，非單晶半導(dǎo)體層的平坦性、結(jié)晶性、分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的平坦性、以及裝置特性都良好，因此這是優(yōu)選的。另外，為了盡量提高使用非單晶半導(dǎo)體層的裝置的特性，優(yōu)選不在非單晶半導(dǎo)體層上設(shè)置覆蓋膜，并且在大氣氣氛中照射激光束。實(shí)施方式9在本實(shí)施方式中，對(duì)激光束照射試驗(yàn)襯底進(jìn)行說(shuō)明。激光束的能量非常不穩(wěn)定，即使在以相同裝置且相同設(shè)定條件照射激光束的情況下，也依賴(lài)于裝置的狀態(tài)，而能量每次不穩(wěn)定。在此，準(zhǔn)備與要照射激光束的半導(dǎo)體層相同材料及相同膜厚度的激光束照射試驗(yàn)襯底。一般而言，在使用半導(dǎo)體的制造裝置制造樣品襯底和激光束照射試驗(yàn)襯底的情況下，使樣品襯底的半導(dǎo)體層的膜厚的。因此，"相同，，是"大約相同"即可。就是，激光束照射試驗(yàn)村底通過(guò)使用與形成被照射對(duì)象的層時(shí)使用的材料(成膜氣體或?yàn)R射靶子)相同的材料且接近于相同膜厚度而形成即可。換言之，激光束照射試驗(yàn)襯底以與形成被照射對(duì)象的層時(shí)使用的裝置及設(shè)定條件相同的裝置及設(shè)定條件而形成。在對(duì)激光束照射試驗(yàn)襯底以多種設(shè)定條件照射激光束之后，評(píng)估在該多種設(shè)定條件中最適條件是哪一種而決定最適條件(最適的結(jié)晶性)。然后，以最適條件(最適的結(jié)晶性)照射激光束。例如，通過(guò)使用顯微鏡擴(kuò)大激光束照射試驗(yàn)襯底進(jìn)行觀察而分析圖像，來(lái)評(píng)估結(jié)晶性。另外，也可以通過(guò)使用拉曼光鐠儀評(píng)估結(jié)晶性。在此示出最適的結(jié)晶性的評(píng)估方法的一例(當(dāng)然評(píng)估方法不局限于該一例)。該評(píng)估方法是如下準(zhǔn)備在襯底上形成有半導(dǎo)體膜的多個(gè)樣品襯底，對(duì)多種樣品襯底照射分別改變能量密度的激光束，然后獲得多種半導(dǎo)體膜的圖像或拉曼光譜測(cè)定的結(jié)果。使用多種半導(dǎo)體膜制造TFT,來(lái)獲得TFT的電特性值。然后，對(duì)電特性值和圖像或拉曼光鐠測(cè)定的結(jié)果進(jìn)行比較。通過(guò)比較，可以獲得一種數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)示出電特性值最良好的圖像或拉曼光i普測(cè)定的結(jié)果的樣品襯底是具有最適的結(jié)晶性的樣品襯底。若先獲得該數(shù)據(jù)，則可以根據(jù)該數(shù)據(jù)隨時(shí)評(píng)估結(jié)晶性。在此，當(dāng)將激光束照射到分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層和非單晶半導(dǎo)體層時(shí)，通常需要準(zhǔn)備分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層和非單晶半導(dǎo)體層的兩個(gè)激光束照射試驗(yàn)襯底。然而，當(dāng)在分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層及非單晶半導(dǎo)體層的任一方上設(shè)置覆蓋膜且一同照射激光束的情況時(shí)，僅準(zhǔn)備分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層及非單晶半導(dǎo)體層的任一方的激光束照射試驗(yàn)襯底即可。因此，通過(guò)使用覆蓋膜，可以減少激光束照射試驗(yàn)襯底的個(gè)數(shù)，而降低成本。尤其是，因?yàn)榕c非單晶半導(dǎo)體層相比，分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層高價(jià)，所以?xún)?yōu)選利用非單晶半導(dǎo)體層的激光束照射試驗(yàn)襯底。注意，優(yōu)選以與進(jìn)行處理的襯底相同的條件處理激光束照射試驗(yàn)襯底。在此，優(yōu)選使用在其表面上形成有覆蓋膜的半導(dǎo)體層作為形成有覆蓋膜的區(qū)域的半導(dǎo)體膜層的激光束照射試驗(yàn)襯底。實(shí)施方式10在本實(shí)施方式中，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的例子進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明可以應(yīng)用于具有有機(jī)發(fā)光元件、無(wú)機(jī)發(fā)光元件、或者液晶顯示元件等的顯示裝置的像素部以及驅(qū)動(dòng)電路部等。此外，本發(fā)明也可以應(yīng)用于具有記錄媒體的電子設(shè)備諸如數(shù)碼相機(jī)、汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(便攜式電話(huà)機(jī)、便攜式游戲機(jī)等)、家庭用游戲機(jī)等。此外，本發(fā)明可以應(yīng)用于CPU(中央處理單元CentralProcessingUnit)等集成電路。例如，圖18A表示便攜式信息終端。圖18B表示數(shù)碼相機(jī)。圖18C表示手機(jī)。圖18D表示汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)。圖18E表示筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)。這些都可以將本發(fā)明應(yīng)用于編入在主體9201中的集成電路、或者顯示部9202。實(shí)施例1圖15和圖16示出當(dāng)改變覆蓋膜的膜厚度時(shí)的反射率、吸收率、以及透過(guò)率。圖15是采用308nm的波長(zhǎng)時(shí)、圖16是釆用532nm的波長(zhǎng)時(shí)的結(jié)果。圖15和圖16是通過(guò)準(zhǔn)備多種樣品進(jìn)行測(cè)定而示出反射率、吸收率、透過(guò)率的覆蓋膜的膜厚度依賴(lài)性的圖表。該多種樣品如下1737襯底(科寧公司制造)上通過(guò)CVD法按順序形成氮氧化硅膜(膜厚度為50nm)、氧氮化硅膜(膜厚度為100nm)、非晶硅膜(54nm)，然后在非晶硅膜上通過(guò)使用CVD法形成各種各樣的膜厚度的氧氮化硅膜作為覆蓋膜。測(cè)定儀器4吏用分光光語(yǔ)計(jì)(HITACHI公司制造，U-4000SPECTROPHTOMETER)。如圖IS和圖16所示那樣，與膜厚度為0nm,就是在不形成覆蓋膜的狀態(tài)下的吸收率相比，在以單層結(jié)構(gòu)形成覆蓋膜的狀態(tài)下的吸收率大。換言之，當(dāng)以單層結(jié)構(gòu)形成覆蓋膜時(shí)反射率小，因此該覆蓋膜用作防反射膜。實(shí)施例2圖17示出當(dāng)改變覆蓋膜的膜厚度時(shí)的反射率、吸收率、以及透過(guò)率。圖17是采用308nm的波長(zhǎng)時(shí)的結(jié)果。圖17是通過(guò)準(zhǔn)備多種樣品進(jìn)行測(cè)定而示出反射率、吸收率、透過(guò)率的覆蓋膜的膜厚度依賴(lài)性的圖表。該多種樣品如下1737襯底(科寧公司制造)上通過(guò)CVD法按順序形成氮氧化硅膜(膜厚度為50nm)、氧氮化硅膜(膜厚度為100nm)、非晶硅膜(54nm)，然后在非晶硅膜上通過(guò)使用CVD法形成各種各樣的膜厚度的由氮氧化硅膜(第一覆蓋物)和氧氮化硅膜(第二覆蓋物)構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)的膜作為覆蓋膜。測(cè)定儀器^f吏用分光光譜計(jì)(HITACHI公司制造，U-4000SPECTROPHTOMETER)。在圖17中，存在反射率大于在不形成覆蓋膜的狀態(tài)下的反射率(圖15:膜厚度為0nm時(shí)的反射率)的條件。因此，可知存在當(dāng)層疊覆蓋膜時(shí)可以將該覆蓋膜用作防反射膜的條件。實(shí)施例3采用實(shí)施方式4的方法進(jìn)行激光束照射。形成在第一區(qū)域5001中的分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511的膜厚度為100nm，形成在第二區(qū)域5002的非單晶半導(dǎo)體層512的膜厚度為50nm。在此情況下，100nm的膜厚度的最適能量密度值為600至700mJ/cm2。另一方面，50nm的膜厚度的最適能量密度值為350至450mJ/cm2。因此，當(dāng)對(duì)分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511及非單晶半導(dǎo)體層512一同照射激光束時(shí)，為了對(duì)雙方以最適能量密度照射，需要以如下能量密度條件處理，即照射到膜厚度100nm的分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511的激光束的能量密度是照射到膜厚度50nm的非單晶半導(dǎo)體層512的激光束的能量密度的1.5至2倍。在此，選擇覆蓋膜的材料、覆蓋膜的膜厚度、以及激光束的能量密度而進(jìn)行處理，以便以1.75倍的能量密度處理分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511及非單晶半導(dǎo)體層512。參照?qǐng)D15的圖表，在非單晶半導(dǎo)體層512上形成由40nm的膜厚度的氧氮化硅膜構(gòu)成的覆蓋膜。然后，將激光束照射設(shè)備的設(shè)定條件設(shè)定為1000mJ/ciT^的能量密度，照射308nm的波長(zhǎng)的受激準(zhǔn)分子激光。不形成覆蓋膜的分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511的吸收率大約為0.4。因此，每1平方厘米大約為400mJ的能量吸收于分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511。另一方面，形成有40nm的膜厚度的覆蓋膜的非單晶半導(dǎo)體層512的吸收率大約為0.7。因此，每1平方厘米大約為700mJ的能量吸收于非單晶半導(dǎo)體層512。如上所述，通過(guò)使用非覆蓋膜，可以調(diào)整吸收于分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層511及非單晶半導(dǎo)體層512的能量。實(shí)施例4在本實(shí)施例中，對(duì)改變氣氛且將激光束照射到半導(dǎo)體層之后，通過(guò)4吏用原子力顯微鏡(AFM,AtomicForceMicroscope)評(píng)估表面的平坦性的結(jié)果進(jìn)行說(shuō)明。準(zhǔn)備如下兩個(gè)襯底，即在1737襯底(科寧公司制造)上通過(guò)CVD法按順序形成氮氧化硅膜(膜厚度為50nm)、氧氮化硅膜(膜厚度為100nm)、以及非晶硅膜(54nm)。接下來(lái)，以500。C進(jìn)行1小時(shí)的加熱處理，而脫離半導(dǎo)體中的氫。然后，對(duì)一方的襯底不設(shè)置覆蓋膜且在大氣氣氛中照射激光束，并且對(duì)另一方的襯底不設(shè)置覆蓋膜且在氮?dú)鈿夥罩姓丈浼す馐?。使用發(fā)射308nm的波長(zhǎng)的激光束的受激準(zhǔn)分子激光器。然后，通過(guò)使用原子力顯微鏡評(píng)估半導(dǎo)體層的表面的平坦性。表<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>表5.平坦性的氣氛依賴(lài)性在最大高低差(P-V)、平均表面粗糙度(Ra)、均方根粗糙度(Rms)的所有方面，氮?dú)鈿夥罩姓丈浼す馐陌雽?dǎo)體層的值比大氣氣氛中照射激光束的半導(dǎo)體層的值小且其平坦性?xún)?yōu)越。另外，雖然幾次進(jìn)行相同試驗(yàn)，但是在所有的試驗(yàn)中，在氮?dú)鈿鈱拥闹敌?。雖然該機(jī)制不明確，但是本發(fā)明人估計(jì)氧影響到結(jié)晶成長(zhǎng)的機(jī)制，結(jié)果影響到表面的形狀。實(shí)施例5準(zhǔn)備AN100襯底(旭硝子公司制造)。在襯底上通過(guò)以硅烷(S舊4)、一氧化二氮(N20)、氨(NH3)、氬(H2)為成膜氣體的等離子體CVD法，來(lái)形成氮氧化硅膜(膜厚度為50iim)。在其上通過(guò)以硅烷和一氧化二氮為成膜氣體的等離子體CVD法形成氧氮化硅膜(膜厚度為100nm)。在其上通過(guò)以硅烷為成膜氣體的等離子體CVD法形成非晶硅膜(膜厚度為54nm)。接下來(lái)，以500。C進(jìn)行l(wèi)小時(shí)的加熱處理，而脫離半導(dǎo)體中的氫。然后，對(duì)一方在大氣氣氛中照射激光束，并且對(duì)另一方在氮?dú)鈿夥罩姓丈浼す馐?。注意，不設(shè)置覆蓋膜。使用發(fā)射308nm的波長(zhǎng)的激光束的受激準(zhǔn)分子激光器進(jìn)行激光束照射。然后，在將硅膜加工為島狀之后，通過(guò)以硅烷和一氧化二氮為成膜氣體的等離子體CVD法形成由氧氮化硅膜構(gòu)成的柵極絕緣膜(膜厚度為115nm)。其次，對(duì)柵極絕緣膜進(jìn)行包含HF處理的清洗處理。由于清洗處理柵極絕緣膜的膜厚度減少5nm左右。接下來(lái)，在柵極絕緣膜上形成柵電極(在30nm的氮化鉭上層疊370nm的鎢的電極)。然后，通過(guò)使用離子摻雜法將磷或硼添加到半導(dǎo)體層，而形成LDD區(qū)域、源區(qū)域、以及漏區(qū)域，來(lái)在襯底上形成N型晶體管和P型晶體管。其次，通過(guò)使用等離子體CVD法形成按順序?qū)盈B第一氧化硅膜(50nm)、氮化硅膜(100nm)、第二氧化硅膜(600nm)的層間絕接下來(lái)，以410。C進(jìn)行1小時(shí)的加熱處理。接下來(lái)，在層間絕緣膜中形成接觸孔。接下來(lái)，形成按順序?qū)盈B鈦、氮化鈦、鋁、鈦的布線及墊部。然后，通過(guò)將探針器(Prober)的探針接觸于焊盤(pán)部，測(cè)定每個(gè)襯底的每個(gè)區(qū)域的晶體管的電特性。下面示出測(cè)定結(jié)果。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table>表6.裝置特性的氣氛依賴(lài)性(n型晶體管)表7<table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>表7.裝置特性的氣氛依賴(lài)性(p型晶體管)表6示出50個(gè)n型晶體管的平均值，并且表7示出50個(gè)p型晶體管的平均值。因?yàn)殚撝惦妷航^對(duì)值越大消費(fèi)電力越高，因此當(dāng)絕對(duì)值小時(shí)特性良好。S值(別名亞閾值系數(shù))是晶體管的開(kāi)關(guān)特性的優(yōu)越性的指標(biāo)，當(dāng)S值小時(shí)開(kāi)關(guān)特性良好。電場(chǎng)效應(yīng)遷移率是載流子遷移的速度的指標(biāo)，當(dāng)電場(chǎng)效應(yīng)遷移率大時(shí)特性良好。而且，如表6和表7所示那樣，當(dāng)在大氣氣氛中照射激光束時(shí)，n溝道型及p溝道型的晶體管的電特性都良好。雖然當(dāng)在大氣氣氛中照射激光束時(shí)，n型及p型的晶體管的電特性都良好的理由不明確，但是本發(fā)明人估計(jì)包含在激光束照射氣氛中的氧補(bǔ)償由當(dāng)形成非晶硅膜時(shí)產(chǎn)生的多量懸空鍵構(gòu)成的缺陷。本申請(qǐng)基于2007年5月18日在日本專(zhuān)利局提交的日本專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)2007-132540，在此引用其全部?jī)?nèi)容作為參考。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下工序在襯底上的第一區(qū)域中形成單晶半導(dǎo)體層；在所述襯底上的第二區(qū)域中形成非單晶半導(dǎo)體層；在所述單晶半導(dǎo)體層或所述非單晶半導(dǎo)體層上形成覆蓋膜；以及從所述覆蓋膜的上方向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域照射激光束。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述覆蓋膜設(shè)置在所述單晶半導(dǎo)體層下，并且所述覆蓋膜設(shè)置在所述非單晶半導(dǎo)體層上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述覆蓋膜設(shè)置在所述單晶半導(dǎo)體層上，并且所述覆蓋膜設(shè)置在所述非單晶半導(dǎo)體層下。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述單晶半導(dǎo)體層的膜厚度大于所述非單晶半導(dǎo)體層的膜厚度。5.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下工序在襯底上的第一區(qū)域中形成單晶半導(dǎo)體層；在所述襯底上的第二區(qū)域中形成非單晶半導(dǎo)體層；在所述單晶半導(dǎo)體層上形成第一覆蓋膜；在所述非單晶半導(dǎo)體層上形成第二覆蓋膜；以及從所述第一覆蓋膜及所述第二覆蓋膜的上方向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域照射激光束。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第一覆蓋膜的反射率和所述第二覆蓋膜的反射率不同。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述單晶半導(dǎo)體層的膜厚度大于所述非單晶半導(dǎo)體層的膜厚度。8.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下工序在襯底上形成非單晶半導(dǎo)體膜；通過(guò)去除在所述襯底上的第一區(qū)域中的所述非單晶半導(dǎo)體膜，在所述襯底上的第二區(qū)域中形成非單晶半導(dǎo)體層；通過(guò)將離子種摻雜或注入到單晶半導(dǎo)體襯底，來(lái)在離所述單晶半導(dǎo)體襯底的表面有預(yù)定的深度的區(qū)域中形成離子層；在所述單晶半導(dǎo)體襯底的所述表面上形成接合層；將所述接合層接合到所述襯底上的所述第一區(qū)域；通過(guò)對(duì)所述單晶半導(dǎo)體襯底施加能量在所述離子層中產(chǎn)生裂縫，來(lái)使單晶半導(dǎo)體層殘留在所述襯底上的所述第一區(qū)域中；在所述單晶半導(dǎo)體層或所述非單晶半導(dǎo)體層上形成覆蓋膜；以及從所述覆蓋膜的上方向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域照射激光束。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成驅(qū)動(dòng)電路；以及在所述第二區(qū)域中形成具有液晶顯示元件的像素部。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成具有電致發(fā)光顯示元件的像素部；以及在所述第二區(qū)域中形成驅(qū)動(dòng)電路。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成模擬電路；以及在所述第二區(qū)域中形成數(shù)字電路。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中根據(jù)通過(guò)使用由非單晶半導(dǎo)體構(gòu)成的激光束照射試驗(yàn)襯底進(jìn)行了評(píng)估來(lái)得到的最適條件，設(shè)定所述激光束的能量。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述單晶半導(dǎo)體層的膜厚度大于所述非單晶半導(dǎo)體層的膜厚度。14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下工序在襯底上形成非單晶半導(dǎo)體膜；通過(guò)去除在所述襯底上的第一區(qū)域中的所述非單晶半導(dǎo)體膜，在所述襯底上的第二區(qū)域中形成非單晶半導(dǎo)體層；在去除所述非單晶半導(dǎo)體膜之后在所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域上形成覆蓋膜；通過(guò)將離子種摻雜或注入到單晶半導(dǎo)體襯底，來(lái)在離所述單晶半導(dǎo)體襯底的表面有預(yù)定的深度的區(qū)域中形成離子層；在所述單晶半導(dǎo)體襯底的所述表面上形成接合層；在形成所述覆蓋膜之后，將所述接合層接合到所述第一區(qū)域；通過(guò)對(duì)所述單晶半導(dǎo)體襯底施加能量在所述離子層中產(chǎn)生裂縫，來(lái)使單晶半導(dǎo)體層殘留在所述第一區(qū)域中；以及在使所述單晶半導(dǎo)體層殘留在所述第一區(qū)域中之后，從所述覆蓋膜的上方向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域照射激光束。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成驅(qū)動(dòng)電路；以及在所述第二區(qū)域中形成具有液晶顯示元件的像素部。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成具有電致發(fā)光顯示元件的像素部；以及在所述第二區(qū)域中形成驅(qū)動(dòng)電路。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成模擬電路；以及在所述第二區(qū)域中形成數(shù)字電路。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中根據(jù)通f曰到的最適條件，設(shè)定所述激光束的能量。19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述單晶半導(dǎo)體層的膜厚度大于所述非單晶半導(dǎo)體層的膜厚度。20.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下工序通過(guò)將離子種摻雜或注入到單晶半導(dǎo)體襯底，來(lái)在離所述單晶半導(dǎo)體襯底的表面有預(yù)定的深度的區(qū)域中形成離子層；在所述單晶半導(dǎo)體襯底的所述表面上形成接合層；將所述接合層接合到襯底上的第一區(qū)域；通過(guò)對(duì)所述單晶半導(dǎo)體襯底施加能量在所述離子層中產(chǎn)生裂縫，來(lái)使單晶半導(dǎo)體層殘留在所述第一區(qū)域中；在使所述單晶半導(dǎo)體層殘留在所述第一區(qū)域中之后，在所述襯底上的所述第一區(qū)域及第二區(qū)域中形成覆蓋膜；在所述覆蓋膜上形成非單晶半導(dǎo)體膜；通過(guò)將所述覆蓋膜用作蝕刻停止物，去除在所述第一區(qū)域中的所述非單晶半導(dǎo)體膜，在所述襯底上的所述第二區(qū)域中形成非單晶半導(dǎo)體層；以及在所述第二區(qū)域中形成所述非單晶半導(dǎo)體層之后，從所述覆蓋膜的上方向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域照射激光束。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成驅(qū)動(dòng)電路；以及在所述第二區(qū)域中形成具有液晶顯示元件的像素部。22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成具有電致發(fā)光顯示元件的像素部；以及在所述第二區(qū)域中形成驅(qū)動(dòng)電路。23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成模擬電路；以及在所述第二區(qū)域中形成數(shù)字電路。24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中根據(jù)通過(guò)使用由非單晶半導(dǎo)體構(gòu)成的激光束照射試驗(yàn)襯底進(jìn)行了評(píng)估來(lái)得到的最適條件，設(shè)定所述激光束的能量。25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述單晶半導(dǎo)體層的膜厚度大于所述非單晶半導(dǎo)體層的膜厚度。26.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下工序在襯底上形成非單晶半導(dǎo)體膜；通過(guò)去除在所述襯底上的第一區(qū)域中的所述非單晶半導(dǎo)體膜，在所述襯底上的第二區(qū)域中形成非單晶半導(dǎo)體層；通過(guò)將離子種摻雜或注入到單晶半導(dǎo)體襯底，來(lái)在離所述單晶半導(dǎo)體襯底的表面有預(yù)定的深度的區(qū)域中形成離子層；在所述單晶半導(dǎo)體襯底的所述表面上形成接合層；將所述接合層接合到所述襯底上的所述第一區(qū)域；通過(guò)對(duì)所述單晶半導(dǎo)體襯底施加能量在所述離子層中產(chǎn)生裂縫，來(lái)使單晶半導(dǎo)體層殘留在所述第一區(qū)域中；在所述單晶半導(dǎo)體層上形成第一覆蓋膜；在所述非單晶半導(dǎo)體層上形成第二覆蓋膜；以及從所述第一覆蓋膜及所述第二覆蓋膜的上方向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域照射激光束，其中所述第一覆蓋膜的反射率和所述第二覆蓋膜的反射率不同。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成驅(qū)動(dòng)電路；以及在所迷第二區(qū)域中形成具有液晶顯示元件的像素部。28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所迷第一區(qū)域中形成具有電致發(fā)光顯示元件的像素部；以及在所述第二區(qū)域中形成驅(qū)動(dòng)電路。29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下工序在所述第一區(qū)域中形成模擬電路；以及在所述第二區(qū)域中形成數(shù)字電路。30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中根據(jù)通過(guò)使用由非單晶半導(dǎo)體構(gòu)成的激光束照射試驗(yàn)襯底進(jìn)行了評(píng)估來(lái)得到的最適條件，設(shè)定所述激光束的能量。31，根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述單晶半導(dǎo)體層的膜厚度大于所述非單晶半導(dǎo)體層的膜厚度。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供高性能且廉價(jià)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在襯底上設(shè)置具有分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層的第一區(qū)域和具有非單晶半導(dǎo)體層的第二區(qū)域。另外，更優(yōu)選為在所述分開(kāi)單晶半導(dǎo)體層或所述非單晶半導(dǎo)體層的任一方上形成覆蓋膜，而從所述覆蓋膜的上方向所述第一區(qū)域及所述第二區(qū)域照射激光束。文檔編號(hào)H01L21/20GK101308772SQ20081008843公開(kāi)日2008年11月19日申請(qǐng)日期2008年3月31日優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日發(fā)明者宮入秀和申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所