專利名稱：：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種具有通過使用激光晶化技術(shù)形成的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜的制造方法、以及一種包括具有該半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管等的半導(dǎo)體裝置的制造方法。更詳細地，本發(fā)明涉及一種包括n溝道型薄膜晶體管及p溝道型薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，已經(jīng)廣泛研究通過使用激光束照射形成在玻璃襯底上的非晶半導(dǎo)體膜來形成具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜(在下文中稱作晶體半導(dǎo)體膜)的激光晶化技術(shù)，并且給出許多建議。利用晶體半導(dǎo)體膜的理由是因為與非晶半導(dǎo)體膜相比較晶體半導(dǎo)體膜具有高遷移率。結(jié)果，例如，使用該晶體半導(dǎo)體膜的TFT被利用于一片玻璃襯底上形成有像素部用的TFT、或者像素部用的TFT和驅(qū)動電路用的TFT的有源矩陣型液晶顯示裝置及有機EL(電致發(fā)光)顯示裝置等。作為晶化方法，除了激光晶化之外，還存在使用退火爐的熱退火法和快速熱退火法(RTA法)。當使用激光晶化時，只使半導(dǎo)體膜吸收熱量而不太提高襯底溫度來進行晶化。因此，具有低熔點的材料例如玻璃、塑料等可以用作襯底。結(jié)果，可以使用廉價、具有大面積且容易加工的玻璃襯底，并且通過激光晶化可以顯著地提高生產(chǎn)效率。此外，在激光晶化中，將連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的脈沖振蕩的激光束形成為線形狀的射束點，一邊掃描一邊照射半導(dǎo)體膜，移動固相和液相的界面，使得半導(dǎo)體膜的晶體橫向生長。通過該方法，可以形成具有晶粒的寬度為幾nm且其長度為幾十pm，即非常大的晶體(以下稱作大粒徑晶體)的晶體半導(dǎo)體膜。當將該大粒徑晶體用于薄膜晶體管的溝道形成區(qū)時，由于在載流子的遷移方向上幾乎都不包含晶粒界面，所以對載流子的電阻降低。結(jié)果，可以制造遷移率大約為幾百cm2/Vs的薄膜晶體管。此外，作為n型薄膜晶體管的載流子的電子和作為p型薄膜晶體管的載流子的空穴的遷移率依賴于晶體的晶面取向。n型薄膜晶體管在由晶面取向為{001}的晶體形成溝道形成區(qū)的情況下，而p型薄膜晶體管在由晶面取向為{211}或{101}的晶體形成溝道形成區(qū)的情況下，分別可以獲得最高性能(專利文獻l)。專利文獻II日本專利申請公開2002-246606號公報然而，在通過使用連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為lOMHz以上的脈沖振蕩的激光束來形成的具有大粒徑晶體的晶體半導(dǎo)體膜中，相鄰接的大粒徑晶體的晶面取向不一致，并且不朝著一個方向。因此，在使用具有該大粒徑晶體的晶體半導(dǎo)體膜制造薄膜晶體管的情況下，在不同的薄膜晶體管之間，溝道形成區(qū)的大粒徑晶體的晶面取向的分布不相同。換言之，不同的薄膜晶體管的電特性反映晶體的晶面取向而不均勻。此外，當薄膜晶體管的溝道形成區(qū)中存在有多個具有不同晶面取向的晶體時，晶粒界面的陷阱能級增大，因此，薄膜晶體管的電特性降低。再者，制造包含具有適合n型薄膜晶體管的晶面取向的晶體、以及具有適合p型薄膜晶體管的晶面取向的晶體的晶體半導(dǎo)體膜是很困難的。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種晶體半導(dǎo)體膜的制造方法，其可以控制具有不妨礙電子遷移的晶面取向的晶體的形成。此外，還提供一種晶體半導(dǎo)體膜的制造方法，其可以控制具有不妨礙空穴遷移的晶面取向的晶體的形成。此外，還提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括使用晶面取向{001}的晶體形成的n型薄膜晶體管和使用晶面取向{211}或{101}的晶體形成的p型薄膜晶體管。本發(fā)明之一的特征在于在形成于絕緣襯底上的半導(dǎo)體膜表面上形成覆蓋膜，使用能夠使半導(dǎo)體膜在膜厚度方向上完全熔化的激光束照射半導(dǎo)體膜，使得半導(dǎo)體膜完全熔化，來形成晶體的晶面取向被控制的晶體半導(dǎo)體膜。另外，特征在于在形成于絕緣襯底上的半導(dǎo)體膜表面上形成覆蓋膜，使用連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的脈沖振蕩的激光束照射半導(dǎo)體膜，來形成晶體的晶面取向被控制的晶體半導(dǎo)體膜。作為覆蓋膜，使用透過具有用來使半導(dǎo)體膜熔化的充分的能量的激光束的膜。當在半導(dǎo)體膜表面上形成覆蓋膜，使用激光束照射半導(dǎo)體膜時，由于覆蓋膜具有反射防止效果和蓄熱效果，所以可以將激光束吸收到半導(dǎo)體膜而產(chǎn)生的熱有效地利用于半導(dǎo)體膜的晶化，并且可以以更低的能量使半導(dǎo)體膜晶化。此外，當在半導(dǎo)體膜表面上形成有覆蓋膜的狀態(tài)下受到激光束照射時，可以減少熔化的半導(dǎo)體的熔體蒸發(fā)。因此，可以抑制半導(dǎo)體的熔體的粘度降低。此外，通過在半導(dǎo)體膜上形成覆蓋膜，可以對半導(dǎo)體膜施加某一定的壓力。結(jié)果，可以抑制橫向晶體生長時的半導(dǎo)體熔體的湍流，并且可以容易控制晶體半導(dǎo)體膜的晶體的晶面取向。此外，根據(jù)吸收到半導(dǎo)體膜的激光束的能量，半導(dǎo)體膜的熔融狀態(tài)不同。這里，使半導(dǎo)體膜吸收半導(dǎo)體膜完全熔化的最低限度的能量或稍微高于此的能量。通過將施加到半導(dǎo)體膜的熱量抑制到必要最小限度，可以減少半導(dǎo)體的熔體的蒸發(fā)，并且可以抑制橫向晶體生長時的半導(dǎo)體的炫體的湍流。結(jié)果，可以形成晶面取向被控制為一個方向的大粒徑晶體。此外，根據(jù)激光束的掃描速度及功率，吸收到半導(dǎo)體膜的能量不同。此外，根據(jù)該吸收熱，半導(dǎo)體膜的熔融時間也不同。此外，根據(jù)半導(dǎo)體膜的熔融時間，晶體半導(dǎo)體膜的晶體的晶面取向也不同。因此，通過控制半導(dǎo)體膜的熔化時間，可以控制晶面取向。換言之，通過使用激光束的掃描速度及功率控制吸收到其表面上形成有覆蓋膜的狀態(tài)的半導(dǎo)體膜的激光束的能量，來可以抑制半導(dǎo)體的熔體的粘度降低，抑制半導(dǎo)體的熔體的湍流，來控制晶體半導(dǎo)體膜的晶體的晶面取向及晶粒的尺寸。結(jié)果，可以形成具有大粒徑晶體且晶面取向被控制的晶體半導(dǎo)體膜。此外，在半導(dǎo)體膜表面上形成覆蓋膜，使用其功率及掃描速度被控制的連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的脈沖振蕩的激光束照射半導(dǎo)體膜，來控制晶核的產(chǎn)生、半導(dǎo)體的熔體的粘度、吸收到半導(dǎo)體膜的能量、半導(dǎo)體膜的熔化時間等，因此可以控制晶體的晶面取向及粒徑。結(jié)果，可以形成具有其表面的晶面取向為{001}的晶體的晶體半導(dǎo)體膜。此外，可以形成具有其表面的晶面取向為{211}的晶體的晶體半導(dǎo)體膜。此外，可以形成具有其表面的晶面取向為{101}的晶體的晶體半導(dǎo)體膜。此外，可以形成具有其表面的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域和其表面的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域的晶體半導(dǎo)體膜。另外，可以使用晶面取向為{001}的晶體區(qū)域制造n溝道型薄膜晶體管，并且使用晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域制造p溝道型薄膜晶體管。根據(jù)本發(fā)明，可以形成晶體的晶面取向被控制的晶體半導(dǎo)體膜。此外，可以形成具有其表面的晶面取向為{001}的晶體的晶體半導(dǎo)體膜。此外，可以形成具有其表面的晶面取向為{211}的晶體的晶體半導(dǎo)體膜。此外，可以形成具有其表面的晶面取向為{101}的晶體的晶體半導(dǎo)體膜。此外，可以形成具有其表面的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域和其表面的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域的晶體半導(dǎo)體膜。而且，可以制造包括使用其表面的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域制造的n溝道型薄膜晶體管和使用其表面的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域制造的p溝道型薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置。圖1A至1E是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖2A至2E是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖3A至3E是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖4A至4E是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖5A至5D是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖6是說明本發(fā)明的晶體半導(dǎo)體膜的制造條件的截面圖；圖7是說明能夠應(yīng)用于本發(fā)明的激光裝置的斜視圖；圖8是說明本發(fā)明的晶體半導(dǎo)體膜的晶面取向的斜視圖；圖9A至9D是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖10A至10C是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖11A至11C是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖12是說明能夠應(yīng)用于本發(fā)明的發(fā)光元件的等效電路的圖；圖13A至13E是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖14A至14D是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖15A至15C是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖16A至16D是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序的截面圖；圖17是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖；圖18A至18F是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的用途的圖；圖19A至19F是說明使用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的圖；圖20是說明使用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的圖；圖21是說明使用本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的展開圖；圖22A和22B是說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的俯視圖；圖23A至23F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖24A至24F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖25A至25F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖26A至26F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖27A至27F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖28A至28F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖29A至29F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖30A至30F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖31A至31F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖32A至32F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖33A至33F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖34A至34F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖；圖35A至35F是表示通過EBSP測定來獲得了的實施例的晶體硅膜的取向分布圖像及定向比的圖。具體實施方式下面，參照本發(fā)明的實施方式。但是，本發(fā)明可以通過多種不同的方式來實施，所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍內(nèi)可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在以下的實施方式所記載的內(nèi)容中。注意，在說明實施方式的全部附圖中，相同部分或具有相同功能的部分由相同的附圖標記表示，并且省略重復(fù)說明。實施方式1在本實施方式中，參照圖1A至1E、圖6至圖8說明如下晶體半導(dǎo)體膜的制造方法，即，在非晶半導(dǎo)體膜上形成覆蓋膜，隔著該覆蓋膜使用連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的脈沖振蕩的激光束照射非晶半導(dǎo)體膜，來制造具有其表面的晶面取向為{001}的晶體和晶面取向為{211}或{101}的晶體的晶體半導(dǎo)體膜。首先，如圖1A所示那樣，在具有絕緣表面的襯底100的一個表面上形成用作基底膜的絕緣膜101。用作基底膜的絕緣膜101通過適當?shù)厥褂煤穸葹?0nm至150nm的氧化硅膜、氮化硅膜、氮含量多于氧含量的氮氧化硅膜、以及氧含量多于氮含量的氧氮化硅膜等形成。作為具有絕緣表面的襯底100，例如使用厚度為0.7mm的玻璃襯底。此外，作為用作基底膜的絕緣膜101，通過等離子體CVD法形成厚度為50nm的氮氧化硅膜，然后通過等離子體CVD法形成厚度為100nm的氧氮化硅膜。注意，用作基底膜的絕緣膜10l4艮據(jù)需要形成即可，就是說，在襯底100是玻璃的情況下，防止來自玻璃的雜質(zhì)擴散到半導(dǎo)體膜102，而在襯底IOO是石英的情況下，不需要形成。此外，也可以在絕緣膜101和襯底100之間設(shè)置剝離膜，工序結(jié)束后從襯底100剝離半導(dǎo)體元件。接下來，通過等離子體CVD法在絕緣膜101上形成厚度為10nm以上且100nm以下，優(yōu)選為20nm以上且80nm以下的非晶半導(dǎo)體膜作為半導(dǎo)體膜102。作為半導(dǎo)體膜102，雖然在本實施方式中使用非晶硅，但是也可以使用硅鍺(Si^Gex(0<x<0.1))等，還可以使用單晶為金剛石結(jié)構(gòu)的碳化硅(SiC)。此外，在所述半導(dǎo)體膜102是非晶半導(dǎo)體膜的情況下，也可以在形成半導(dǎo)體膜102之后加熱半導(dǎo)體膜。所述加熱處理是用來從非晶半導(dǎo)體膜脫氫的處理。注意，該脫氫處理是為了防止當照射激光束時半導(dǎo)體膜102噴出氫氣體而進行的，因此，如果包含在半導(dǎo)體膜102中的氫少，就可以從略。這里，將半導(dǎo)體膜102在500。C的電爐內(nèi)加熱一個小時。雖然在本實施方式中表示使用非晶硅作為半導(dǎo)體膜102的例子，但是也可以使用多晶硅，該多晶硅可以通過如下方法形成，即，例如在形成非晶硅膜之后，對該非晶硅膜微量添加鎳、鈀、鍺、鐵、錫、鉛、鈷、鉑、銅、金等元素，然后在500。C至750。C的溫度下進行一分鐘至十個小時的熱處理。接下來，在半導(dǎo)體膜102上形成厚度為200nm以上且1000nm以下的SiNxOy(0^x^1.5，0舀y舀2，0^4x+3y詎6)膜作為覆蓋膜103。注意，對所述覆蓋膜103而言，如果過薄，就不容易控制后面要形成的晶體半導(dǎo)體膜的晶面取向，因此優(yōu)選形成為200nm以上且1000nm以下的厚度。覆蓋膜103可以通過以甲硅烷、氨、以及一氧化二氮為反應(yīng)氣體，使用等離子體CVD法來形成。注意，一氧化二氮是用作氧化劑的，也可以代替使用具有氧化效果的氧氣。通過使用這種氣體，可以形成氧含量多于氮含量的氧氮化硅(以下稱作SiNxOy(x<y))膜。此外，覆蓋膜103可以通過以甲硅烷及氨為反應(yīng)氣體，使用等離子體CVD法來形成。通過使用這種氣體，可以形成氮含量多于氧含量的氮氧化硅(以下稱作SiNxOy(x>y))膜。作為覆蓋膜103，優(yōu)選地是，相對于激光束的波長具有足夠的透過率，熱膨脹系數(shù)等的熱性值和延性等值接近于相鄰的半導(dǎo)體膜。此外，覆蓋膜103優(yōu)選為與后面要形成的薄膜晶體管的柵極絕緣膜同樣地硬且蝕刻速度較慢的細致膜。作為一例，優(yōu)選為通過使用7.13%的氟化氫銨及15.4%的氟化銨的混合水溶液或氫氟酸水溶液在20。C的溫度下以lnm/min以上且150nm/min以下，優(yōu)選以10nm/min以上且130nm/min以下的蝕刻速度蝕刻的細致膜。此外，作為一例，優(yōu)選為通過使用氫氟烴(HFC)氣體以100nm/min以上且150nm/min以下，優(yōu)選以110nm/min以上且130nm/min以下的蝕刻速度進行干式蝕刻的細致膜。這種硬且細致的膜例如可以通過降低成膜率來形成。作為覆蓋膜103形成細致膜使得熱傳導(dǎo)率提高，并且防止由照射到覆200810082263.6說明書第9/84頁蓋膜及半導(dǎo)體膜的激光束導(dǎo)致的過度蓄熱。從而，由于可以減少半導(dǎo)體的熔體的蒸發(fā)，因此可以抑制半導(dǎo)體的熔體的粘度的降低，使得能夠抑制半導(dǎo)體的熔體的湍流。此外，當在半導(dǎo)體膜表面上形成有覆蓋膜的狀態(tài)下，照射激光束時，可以減少半導(dǎo)體的熔體的蒸發(fā)，可以抑制半導(dǎo)體的熔體的粘度的降低，使得能夠抑制半導(dǎo)體的熔體的湍流。此外，由于通過在半導(dǎo)體膜表面上形成覆蓋膜，將固定的壓力施加到半導(dǎo)體膜，所以可以抑制半導(dǎo)體的熔體的湍流。結(jié)果，容易控制晶體半導(dǎo)體膜的晶體的晶面取向。注意，在覆蓋膜中包含很多氫的情況下，以與半導(dǎo)體膜102同樣的方式進行加熱處理，以便脫氫。接下來，如圖1B所示，使用第一激光束105照射半導(dǎo)體膜102的一部分，來形成其表面的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域106。注意，在晶體區(qū)域106中，其表面的晶面取向為{001}的晶體所占有的比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。笫一激光束105可以從覆蓋膜103—側(cè)照射半導(dǎo)體膜102。此外，在襯底100具有透光性的情況下，可以從村底100—側(cè)照射半導(dǎo)體膜102。這里，使用第一激光束105從覆蓋膜103—側(cè)照射半導(dǎo)體膜102。第一激光束105優(yōu)選具有半導(dǎo)體膜完全熔融的最低限度的能量或稍微高于該能量的能量。通過將施加到半導(dǎo)體膜的熱量限制到必要最小限度，可以抑制半導(dǎo)體的熔體的湍流，并且可以抑制因湍流而導(dǎo)致產(chǎn)生超過所需的晶核。結(jié)果，可以形成大粒徑晶體。在此，參照圖6說明激光束的掃描速度和功率的關(guān)系、以及要形成的晶體半導(dǎo)體膜表面的晶面取向。在圖6中，橫軸表示激光束的掃描速度，而縱軸表示激光束的功率。區(qū)域141是能夠形成其晶體為大粒徑晶體且其表面的晶面取向為{001}的晶體半導(dǎo)體膜的區(qū)域。注意，關(guān)于晶體的晶面取向，將等價晶面取向族如(100)、(010)、(001)、以及所述晶面導(dǎo)向中的每一個"l"分別是"-l，，的晶面取向匯總表示為{001}。區(qū)域142是能夠形成其晶體為大粒徑晶體且其表面的晶面取向為{211}的晶體半導(dǎo)體膜的區(qū)域。注意，關(guān)于晶體的晶面取向，將等價晶面取向族如(211)、(121)、(112)、以及所述晶面取向中的每一個"1"和"2"中的一方或雙方分別是負值的晶面取向匯總表示為{211}。區(qū)域143是能夠形成其晶體為大粒徑晶體且其表面的晶面取向為{101}的晶體半導(dǎo)體膜的區(qū)域。注意，關(guān)于晶體的晶面取向，將等價晶面取向族如(101)、(011)、(110)、以及所述晶面取向中的每一個"l"分別是"-l"的晶面取向匯總表示為{101}。區(qū)域144是形成具有小粒徑晶體的晶體半導(dǎo)體膜的區(qū)域。注意，小粒徑晶體是指具有大致圃形的形狀且晶體粒徑為亞微米的晶體。這種晶體是因半導(dǎo)體膜受到不具有用來使半導(dǎo)體膜向膜厚度方向完全熔融的充分的功率的激光束的照射而形成的。區(qū)域145是晶體半導(dǎo)體膜的一部分蒸發(fā)的區(qū)域。區(qū)域146是能夠形成其晶體為大粒徑晶體且晶體的晶面取向不整齊的晶體半導(dǎo)體膜的區(qū)域。這種晶體由于超過要形成大粒徑晶體所需要的能量的多余能量被供應(yīng)到半導(dǎo)體膜中，所以產(chǎn)生很多湍流而導(dǎo)致其晶面取向變成不整齊。第一激光束105的掃描速度和功率的關(guān)系優(yōu)選為滿足圖6的區(qū)域141的關(guān)系，換言之，第一激光束105的功率優(yōu)選高于形成小粒徑晶體的范圍且小于形成表面(觀察面A)的晶面取向為{211}的晶體的范圍。結(jié)果，可以形成晶體表面的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域。注意，在晶體區(qū)域106中，晶體表面的晶面取向為{001}的比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。當在晶體區(qū)域106中，晶體表面的晶面取向為{001}的比例為四成以上且十成以下時，不妨礙電子遷移的晶面取向的定向比高，因此，通過使用該晶體可以提高n溝道型薄膜晶體管的遷移率。注意，當使用第一激光束105使半導(dǎo)體膜晶化時，可以分別在平方向的方向上，以四成以上且十成以下的比例，優(yōu)選以六成以上且十成以下的比例，形成晶面取向朝著一個方向的晶體。換言之，在交叉的三個面中，分別可以形成以一定的比例以上具有一定的晶面取向的晶體。結(jié)果，可以形成類似于單晶結(jié)構(gòu)的多晶區(qū)域。接下來，如圖1C所示，使用第二激光束108照射半導(dǎo)體膜102的一部分，來形成其表面的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域110。注意，在晶體區(qū)域110中，其表面的晶面取向為{211}或{101}的晶體比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。第二激光束108可以從覆蓋膜103—側(cè)照射半導(dǎo)體膜102。此外，襯底100具有透光性的情況下，可以從襯底100—側(cè)照射半導(dǎo)體膜102。這里，使用第二激光束108從覆蓋膜103—側(cè)照射半導(dǎo)體膜102。此外，第二激光束108的掃描速度和功率可以包含在圖6的區(qū)域142中，換言之，第二激光束108的功率優(yōu)選高于形成小粒徑晶體的范圍或形成其表面的晶面取向為{001}的晶體的范圍，并且低于半導(dǎo)體膜的一部分發(fā)生燒蝕的范圍或形成晶面取向不整齊的大粒徑晶體的范圍。結(jié)果，可以形成晶體表面的晶面取向為{211}的晶體區(qū)域。注意，在晶體區(qū)域110中，晶體表面的晶面取向為{211}的比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。當在晶體區(qū)域110中，晶體表面的晶面取向為{211}的比例為四成以上且十成以下時，不妨礙空穴遷移的晶面取向的定向比高，因此，通過使用該晶體可以提高p溝道型薄膜晶體管的遷移率。此外，第二激光束108的掃描速度和功率可以包含在圖6的區(qū)域143中，換言之，第二激光束的功率優(yōu)選高于形成小粒徑晶體的范圍，并且低于半導(dǎo)體膜的一部分發(fā)生燒蝕的范圍或形成晶面取向不整齊的大粒徑晶體的范圍。結(jié)果，可以形成晶體表面的晶面取向為{101}的晶體區(qū)域。注意，在晶體區(qū)域110中，晶體表面的晶面取向為{101}的比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。當在晶體區(qū)域110中，晶體表面的晶面取向為{101}的比例為四成以上且十成以下時，不妨礙空穴遷移的晶面取向的定向比高，因此，通過使用該晶體可以提高p溝道型薄膜晶體管的遷移率。注意，當使用第二激光束108使半導(dǎo)體膜晶化時，可以分別在平光束的掃描方向的方向上，以四成以上且十成以下的比例，優(yōu)選以六成以上且十成以下的比例，形成晶面取向朝著一個方向的晶體。換言之，在交叉的三個面上，分別可以形成以一定的比例以上具有一定的晶面取向的晶體。結(jié)果，可以形成類似于單晶結(jié)構(gòu)的多晶區(qū)域。通過以上工序，如圖1D所示，可以制造具有其表面的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域106、以及其表面的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域110的晶體半導(dǎo)體膜。這里，說明用來使用激光束照射非晶半導(dǎo)體膜來晶化的激光振蕩器及形成射束點的光學(xué)系統(tǒng)。如圖7所示，作為激光振蕩器lla和llb，分別使用具有由半導(dǎo)體膜102吸收幾十。/。以上的波長的激光振蕩器。典型地，可以使用二次諧波或三次諧波。這里，準備總和最大輸出為20W且利用LD(激光二極管)激發(fā)的連續(xù)振蕩激光器(YV04，二次諧波(波長為532nm))。不一定需要限定于二次諧波，但是，二次諧波在能量效率方面優(yōu)于更高次的諧波。在本發(fā)明中使用的激光功率在可以完全熔化半導(dǎo)體膜的范圍內(nèi)且在可以形成其表面的晶面取向為{001}與{211}或{101}的晶體半導(dǎo)體膜的范圍內(nèi)。當使用低于該范圍的激光功率時，半導(dǎo)體膜不能完全熔化而導(dǎo)致形成晶體的晶面取向不朝某一定的方向一致且具有小粒徑晶體的晶體半導(dǎo)體膜。因此，在圖7的情況下準備兩個激光振蕩器，但是，只要輸出足夠，可以準備一個激光振蕩器。當使用高于該范圍的激光功率時，在半導(dǎo)體膜中產(chǎn)生許多晶核，并且從該晶核中，產(chǎn)生不規(guī)則的晶體生長，從而形成具有不均勻的晶粒位置、尺寸和晶面取向的晶體半導(dǎo)體膜。當使用連續(xù)振蕩激光照射半導(dǎo)體膜102時，能量連續(xù)地供應(yīng)到半導(dǎo)體膜102，因此，一旦使半導(dǎo)體膜處于熔融狀態(tài)，可以保持該狀態(tài)。此外，可以通過掃描連續(xù)振蕩激光移動半導(dǎo)體膜的固相和液相界面，可以沿著該移動方向形成在一個方向上較長的晶粒。使用固體激光器是因為與氣體激光器等相比較，輸出具有高穩(wěn)定性且可以期待穩(wěn)定處理。注意，不局限于連續(xù)振蕩激光，也可以使用重復(fù)頻率為10MHz以上的脈沖振蕩激光。當使用具有高重復(fù)頻率的脈沖振蕩激光時，只要激光的脈沖間隔短于從半導(dǎo)體膜熔化到半導(dǎo)體膜凝固的時間，可以一直使半導(dǎo)體膜在整個膜厚度方向上保持為熔融狀態(tài)。因此，可以形成由通過固相和液相界面的移動而在一個方向上橫向生長的長度長的晶粒組成的半導(dǎo)體膜。在本實施方式中，YV04激光器用于激光振蕩器lla和llb，但是，也可以使用其他連續(xù)振蕩激光器以及重復(fù)頻率為10MHz以上的脈沖振蕩激光器。例如，作為氣體激光器，存在Ar激光器、Kr激光器、C02激光器等。作為固體激光器，存在YAG激光器、YLF激光器、YAKV激光器、GdV(V激光器、KGW激光器、KYW激光器、變石(alexandrite,又譯紫翠玉寶石)激光器、Ti:藍寶石激光器、Y203激光器、YV04激光器等。而且，存在陶瓷激光器例如YAG激光器、Y203激光器、GdV04激光器、YV04激光器等。作為金屬蒸氣激光器，存在氦鎘激光器等。此外，在激光振蕩器lla和激光振蕩器lib中，可以使用TEM00(單橫向模)使激光束振蕩而射出，通過該方法可以提高在被照射表面上獲得的線形射束點的能量均勻性，因此是優(yōu)選的。使用這些激光振蕩器發(fā)射的激光的光學(xué)處理的概要為如下那樣。從激光振蕩器lla和激光振蕩器lib分別以相同的能量發(fā)射激光束12a和激光束12b。從激光振蕩器lib發(fā)射的激光束12b通過波長板13改變偏振方向，這是為了使用偏振片14合成偏振方向互不相同的兩個激光束。在使激光束12b穿過波長板13之后，由反射鏡22反射，進入偏振片14，并且由該偏振片14合成激光束12a和激光束12b來形成激光束12。此時，調(diào)節(jié)波長板13和偏振片14,使得已經(jīng)穿過波長板13和偏振片14的光具有適當?shù)哪芰?。注意，在本實施方式中，將偏振?4用于激光束的合成，但是，也可以使用其他光學(xué)元件例如偏振光束分束器等。由偏振片14合成的激光束12由反射鏡15反射，并且該激光束的截面通過焦距例如為150mm的柱面透鏡16、以及焦距例如為20mm的柱面透鏡17在被照射表面18上形成為線形。注意，對應(yīng)于激光照射裝置的光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)置狀況而提供反射鏡15即可。此時，柱面透鏡16作用于形成在被照射表面18上的射束點的長度方向，而柱面透鏡17作用于其寬度方向。因此，在被照射表面18上形成例如長度大約為500pm且寬度大約為20nm的線形射束點。注意，雖然在本實施方式中，為了將射束點形成為線形而使用柱面透鏡，但是，本發(fā)明不局限于此，也可以使用其他光學(xué)元件例如球面透鏡等。并且，柱面透鏡的焦距不局限于上述的值，而可以任意設(shè)置。此外，雖然在本實施方式中，使用柱面透鏡16和17進行激光束的成形，但是，也可以另行提供將激光束擴展成線形的光學(xué)系統(tǒng)和在被照射表面上微細聚光的光學(xué)系統(tǒng)。例如，為了獲得激光束的線形截面，可以使用柱面透鏡陣列、衍射光學(xué)元件、光學(xué)波導(dǎo)等。另外，當使用矩形激光介質(zhì)時，也可以在發(fā)射階段獲得激光束的線形截面。在本發(fā)明中，如上所述那樣，可以使用陶瓷激光器。由于當使用陶瓷激光器時，可以相對自由地進行激光介質(zhì)的成形，因此陶瓷激光器適合用于制造這種激光束。注意，以線形形成的激光束的截面形狀優(yōu)選為其寬度盡可能地窄，使得半導(dǎo)體膜中的激光束能量的密度增加，因jt匕可以縮短工序時間。接下來，說明激光束的照射方法。為了以相對高速度操作形成有由覆蓋膜103覆蓋的半導(dǎo)體膜102的被照射表面18,將此固定到吸附式載物臺19。吸附式栽物臺19可以通過X軸單軸軌道20和Y軸單軸軌道21在與被照射表面18平行的平面上向XY方向移動。以線形射束點的長度方向和Y軸一致的方式布置吸附式載物臺19。接下來，使被照射表面18沿著射束點的寬度方向，即X軸移動，21并且使用激光束照射被照射表面18。這里，以X軸單軸軌道20的掃描速度為10cm/sec以上且100cm/sec以下，并且從兩個激光振蕩器分別以2W以上且15W以下的能量發(fā)射激光束，合成后的激光輸出是4W以上且30W以下。因這種激光束的照射而形成半導(dǎo)體完全熔融的區(qū)域，在凝固過程中晶體生長，從而可以形成本發(fā)明的晶體半導(dǎo)體膜。注意，從TEM。。方式的激光振蕩器發(fā)射的激光束的能量分布一般是高斯分布?？梢杂捎糜诩す馐丈涞墓鈱W(xué)系統(tǒng)改變彼此垂直的三個面處的晶面取向被控制的晶粒形成的區(qū)域的寬度。例如，通過使用透鏡陣列例如柱面透鏡陣列或復(fù)眼微透鏡、衍射光學(xué)元件、光學(xué)波導(dǎo)等，可以使激光束的強度均勻。通過使用其強度均勻化的激光束照射半導(dǎo)體膜102，可以在受到激光束的照射的區(qū)域中，以對于表面的垂直方向的晶面取向被控制的晶粒形成。注意，雖然在本實施方式中，使用通過利用X軸單軸軌道20和Y軸單軸軌道21移動作為被照射表面18的半導(dǎo)體膜102的方式，但是本發(fā)明不局限于此，作為激光束的掃描方法可以利用如下方法固定被照射表面18而移動激光束的照射位置的照射系統(tǒng)移動方法；固定激光束的照射位置而移動被照射表面18的被照射表面移動方法；或者組合上述兩種方法的方法。再者，如上所述那樣由于由上述光學(xué)系統(tǒng)形成的射束點在長軸方向上的能量分布是高斯分布，因此小粒徑晶體形成在該高斯分布的兩端，即具有低能量密度的部分。于是，可以通過在被照射表面18的前面提供槽縫等截取激光束的一部分，以便僅使用具有足夠形成膜表面的晶面取向被控制的晶體的能量的激光束照射被照射表面18;或者通過在覆蓋膜103上形成反射激光束的金屬膜等來形成圖案，以使激光束只到達想要形成晶面取向被控制的晶體的部分的半導(dǎo)體膜。此外，為了更有效地利用從激光振蕩器lla和激光振蕩器lib發(fā)射的激光束，通過使用光束均化器例如透鏡陣列或衍射光學(xué)元件等，可以使射束點在長度方向上的能量均勻地分布。此外，可以以形成了的晶體半導(dǎo)體膜的寬度移動Y軸單軸軌道21,并且以預(yù)定的速度再次掃描X軸單軸軌道20。通過重復(fù)一系列的這種操作，可以有效地晶化半導(dǎo)體膜的整個表面。接著，通過進行蝕刻去除覆蓋膜，然后，在晶體半導(dǎo)體膜上涂敷抗蝕劑，曝光并顯影該抗蝕劑，從而將抗蝕劑形成為所希望的形狀。此外，使用這里形成的抗蝕劑作為掩模進行晶體半導(dǎo)體膜的蝕刻來形成預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜。然后，去除抗蝕劑掩模。通過上述工序，可以形成其表面的晶面取向為{001}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜、以及其表面的晶面取向為{211}或{101}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜。注意，也可以在向晶體半導(dǎo)體膜上涂敷抗蝕劑之前，進行晶體半導(dǎo)體膜的薄膜化。典型地，也可以進行蝕刻，以使晶體半導(dǎo)體膜的整個表面的厚度為10nm以上且30nm以下。再者，也可以在晶體半導(dǎo)體膜上涂敷抗蝕劑，通過曝光并顯影來形成具有所希望的形狀的抗蝕劑，以該抗蝕劑為掩模，將晶體半導(dǎo)體膜蝕刻為所希望的形狀，然后進行具有所希望的形狀的晶體半導(dǎo)體膜的薄膜化。具體地，也可以進行蝕刻，以使具有所希望的形狀的晶體半導(dǎo)體膜的厚度為10nm以上且30nm以下。由于當使用這樣厚度薄的晶體半導(dǎo)體膜形成薄膜晶體管時，薄膜晶體管是溝道形成區(qū)為完全耗盡型的晶體管，因此可以制造遷移率高的薄膜晶體管。接下來，如圖1E所示，使用其表面的晶面取向為{001}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜制造n溝道型薄膜晶體管150，并且使用其表面的晶面取向為{211}或{101}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜制造p溝道型薄膜晶體管151。接下來，描述通過本實施方式制造的晶體半導(dǎo)體膜的晶面取向。在本實施方式中，可以對通過蝕刻去除覆蓋膜的晶體半導(dǎo)體膜的晶粒的晶面取向進行EBSP(電子背散射衍射圖案)測定。首先，說明EBSP的基本事項，接著在添加補充說明的同時，解釋其結(jié)果。EBSP是指如下方法，即，向掃描型電子顯微鏡(SEM)連接EBSP檢測器，分析當使用會聚電子束照射在掃描型電子顯微鏡中高度傾斜的樣品時產(chǎn)生的各個晶體的衍射圖像(EBSP圖像)的方向，并且根據(jù)其方向數(shù)據(jù)和測量點的位置信息(x，y)測定樣品的晶體的晶面取向。當使電子射線進入晶體半導(dǎo)體膜時，也在背面發(fā)生非彈性散射，并且也可以在樣品中觀察到布拉格衍射的晶體晶面取向特有的線形圖案。這里，該線形圖案一般稱作菊池線。EBSP法通過分析反映在檢測器中的菊池線來獲得晶體半導(dǎo)體膜的晶體的晶面取向。一般來說，在具有多晶結(jié)構(gòu)的樣品中，每個晶粒具有不同的晶面取向。因此，每當移動晶體半導(dǎo)體膜的照射位置時，使用電子射線照射樣品，并且分析每個照射位置上的晶體晶面取向。如此，可以獲得具有平整表面的晶體半導(dǎo)體膜的晶體晶面取向或取向信息。由于測量區(qū)域越寬，可以獲得越多的晶體半導(dǎo)體膜整體的晶體晶面取向的趨勢，所以測量點越多，可以越詳細地獲得測量區(qū)域中的晶體晶面取向的信息。在本實施方式中形成的晶體半導(dǎo)體膜中，如下那樣地設(shè)定矢量a至c以及觀察面A至C。矢量a與襯底表面及矢量c垂直，矢量c與激光束的掃描方向(即，晶粒的生長方向)及襯底表面平行，矢量b與襯底表面平行且與晶粒的生長方向垂直，就是說，矢量b與矢量a及矢量c彼此垂直。此外，如圖8所示，將彼此垂直的三個矢量(矢量a、矢量b、以及矢量c)分別是法線矢量的三個面分別設(shè)定為觀察面A、觀察面B、以及》見察面C。在本實施方式中，控制與襯底表面及矢量c垂直的矢量a為法線矢量的觀察面A(即，晶體半導(dǎo)體膜的表面)中的晶體晶面取向的生長，來形成具有{001}的晶面取向的晶體區(qū)域和具有{211}或{101}的晶面取向的晶體區(qū)域。因此，晶體內(nèi)部的晶面取向不能僅僅根據(jù)通過測定晶體的一個觀察面獲得的晶面取向來確定。這是因為，即使只在一個觀察面上晶面取向朝一個方向一致，如果在其他觀察面上晶面取向不一致，也不能說其晶體內(nèi)部的晶面取向一致的緣故。因此，根據(jù)至少兩個表面的晶面取向，再者根據(jù)更多表面的信息越多，晶體內(nèi)部的晶面取向的精度越增高。就是說，如果在測定區(qū)域內(nèi)三個面的晶面取向分布都是均勻的，就可以將此看作近似單晶體。因此，可以根據(jù)這些三個觀察面A至C的信息，高精度地特定晶體晶面取向。在半導(dǎo)體膜上形成覆蓋膜，然后使用連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的脈沖振蕩的激光束隔著該覆蓋膜照射半導(dǎo)體膜，可以形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域和觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域。觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域具有不妨礙電子遷移的晶面取向，觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域具有不妨礙空穴遷移的晶面取向。因此，使用觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域制造n型薄膜晶體管，并且使用觀察面A的晶面取向為"ll)或{101}的晶體區(qū)域制造p型薄膜晶體管，來可以制造提高各自的遷移率的半導(dǎo)體裝置。實施方式2在本實施方式中，參照圖2A至2E說明通過采用與上述實施方式不同的覆蓋膜的結(jié)構(gòu)，制造具有觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域和觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域的晶體半導(dǎo)體膜的方法。與實施方式l同樣，如圖2A所示，在具有絕緣表面的襯底100的一個表面上形成用作基底膜的絕緣膜101。接著，通過等離子體CVD法在絕緣膜101上形成厚度為10nm以上且100nm以下，優(yōu)選為20nm以上且80nm以下的非晶半導(dǎo)體膜作為半導(dǎo)體膜102。此外，也可以在形成半導(dǎo)體膜102之后在500°C的電爐內(nèi)加熱一個小時。所述加熱處理是在半導(dǎo)體膜102是非晶半導(dǎo)體膜的情況下，用來從該非晶半導(dǎo)體膜脫氫的處理。注意，該脫氫處理是為了防止當照射激光束時半導(dǎo)體膜102噴出氫氣體而進行的，因此，如果包含在半導(dǎo)體膜102中的氫少，就可以從略。接下來，在半導(dǎo)體膜102上層疊覆蓋膜103a、103b。覆蓋膜103a、103b的總和厚度優(yōu)選為200nm以上且1000nm以下。此外，接觸于半導(dǎo)體膜102的覆蓋膜103a的厚度優(yōu)選為50nm以上。這是因為如下緣故，即，在接觸于半導(dǎo)體膜102的覆蓋膜103a的厚度小于50nm的情況下，當使用激光束照射半導(dǎo)體膜102時，覆蓋膜103a熔融于半導(dǎo)體膜102中，覆蓋膜的質(zhì)量隨著半導(dǎo)體膜的膜厚度變化而改變。作為覆蓋膜103a、103b，分別形成組成互不相同的SiNxOy(0^x^1.5、0舀y舀2、0舀4x+3y舀6)膜。在本實施方式中，作為覆蓋膜103a形成厚度為100nm的SiNxOy(x>y)膜，作為覆蓋膜103b形成厚度為300nm的SiNxOy(x<y)膜。注意，在覆蓋膜103a、103b包含很多氫的情況下，與半導(dǎo)體膜102同樣地進行用來脫氫的加熱處理。接下來，如圖2B所示，使用第一激光束105從覆蓋膜103a、103b一側(cè)照射半導(dǎo)體膜102的一部分，來形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域106。注意，在晶體區(qū)域106中，晶體的晶面取向{001}的比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。注意，當使用實施方式1所示的第一激光束105進行半導(dǎo)體膜102的晶化時，可以在觀察面B及觀察面C中分別以四成以上且十成以下，優(yōu)選以六成以上且十成以下的比例形成晶面取向朝著一個方向的晶體。就是"i兌，可以在觀察面A、B、以及C中分別形成以四成以上且十成以下，優(yōu)選以六成以上且十成以下具有一定的晶面取向的晶體。接下來，如圖2C所示，使用實施方式1所示的第二激光束108從覆蓋膜103a、103b—側(cè)照射半導(dǎo)體膜102的一部分，來形成觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域110。注意，在晶體區(qū)域110中，晶體的晶面取向{211}或{101}的比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。注意，當使用實施方式1所示的第二激光束進行半導(dǎo)體膜的晶化時，可以在觀察面B及觀察面C中分別以四成以上且十成以下，優(yōu)選以六成以上且十成以下的比例形成晶面取向朝著一個方向的晶體。就是說，可以在觀察面A、B、以及C中分別形成以四成以上且十成以下，優(yōu)選以六成以上且十成以下具有一定的晶面取向的晶體。通過上述工序，如圖2D所示，可以制造具有觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域106和觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域110的晶體半導(dǎo)體膜。接著，通過進行蝕刻去除覆蓋膜，然后，在晶體半導(dǎo)體膜上涂敷抗蝕劑，曝光并顯影該抗蝕劑，從而將抗蝕劑形成為所希望的形狀。此外，使用這里形成的抗蝕劑作為掩模進行晶體半導(dǎo)體膜的蝕刻來形成預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜。然后，去除抗蝕劑掩模。注意，也可以與實施方式1同樣地進行晶體半導(dǎo)體膜的薄膜化。典型地，也可以進行蝕刻，以使晶體半導(dǎo)體膜的整個表面的厚度為10nm以上且30nm以下。由于當使用這樣厚度薄的晶體半導(dǎo)體膜形成薄膜晶體管時，晶體管成為溝道形成區(qū)是完全耗盡型的薄膜晶體管，因此可以制造遷移率高的薄膜晶體管。通過上述工序，可以形成觀察面A的晶面取向為{001}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜、以及觀察面A的晶面取向為{211}或{101}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜。接下來，如圖2E所示，使用觀察面A的晶面取向為{001}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜制造n溝道型薄膜晶體管150，并且使用觀察面A的晶面取向為{211}或{101}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜制造p溝道型薄膜晶體管151。通過上述工序，在半導(dǎo)體膜上形成覆蓋膜，然后使用連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為lOMHz以上的脈沖振蕩的激光束隔著該覆蓋膜照射半導(dǎo)體膜，可以形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域和觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域。觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域具有不妨礙電子遷移的晶面取向，觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域具有不妨礙空穴遷移的晶面取向。因此，使用觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域制造n型薄膜晶體管，并且使用觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域制造p型薄膜晶體管，來可以制造提高了各自的遷移率的半導(dǎo)體裝置。實施方式3在本實施方式中，參照圖3A至3E說明通過釆用與上述實施方式不同的覆蓋膜的結(jié)構(gòu)，制造具有觀察面A的晶面取向為{001}的晶體和》見察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體的晶體半導(dǎo)體膜的方法。與實施方式l同樣，如圖3A所示，在具有絕緣表面的村底100的一個表面上形成用作基底膜的絕緣膜101。接著，通過等離子體CVD法在絕緣膜101上形成厚度為10nm以上且100nm以下，優(yōu)選為20nm以上且80nm以下的非晶半導(dǎo)體膜作為半導(dǎo)體膜102。此外，也可以在形成半導(dǎo)體膜102之后在500°C的電爐內(nèi)加熱一個小時。所述加熱處理是用來從非晶半導(dǎo)體膜脫氫的處理。注意，該脫氫處理是為了防止當使用激光束照射時半導(dǎo)體膜102噴出氫氣體而進行的，因此，如果包含在半導(dǎo)體膜102中的氫少，就可以從略。接下來，在半導(dǎo)體膜102上形成具有預(yù)定形狀的覆蓋膜111、112。覆蓋膜lll、112的厚度分別優(yōu)選為200nm以上且1000nm以下。此外，作為覆蓋膜111、112，分別形成組成互不相同的SiNxOy(0^x^1.5、0芻y舀2、0舀4x+3y^6)膜。當作為覆蓋膜使用SiNxOy(x>y)膜時，比較容易在觀察面A中優(yōu)先地形成晶面取向為{001}的晶體。另一方面，當作為覆蓋膜使用SiNxOy(x<y)膜時，比較容易在觀察面A中優(yōu)先地形成晶面取向為{211}或{101}的晶體。因此，優(yōu)選在后面要形成n溝道型薄膜晶體管的區(qū)域中形成SiNxOy(x>y)膜作為覆蓋膜111,而在后面要形成p溝道型薄膜晶體管的區(qū)域中形成SiNxOy(x<y)膜作為覆蓋膜112。通過等離子體CVD法等在非晶半導(dǎo)體膜的整個表面上形成SiNxOy(x>y)和SiNxOy(x<y)中的一方，然后以通過光刻工藝形成的抗蝕劑為掩模將SiNxOy(x>y)和SiNxOy(x<y)中的一方蝕刻為所希望的形狀，來形成覆蓋膜lll。接著，在覆蓋膜lll及非晶半導(dǎo)體膜上形成SiNxOy(x>y)和SiNxOy(x<y)中的另一方，然后以通過光刻工藝形成的抗蝕劑為掩模將SiNxOy(x>y)和SiNxOy(x<y)中的另一方蝕刻為所希望的形狀，來形成覆蓋膜112。注意，此時，優(yōu)選形成與覆蓋膜112相比蝕刻速度慢的膜作為覆蓋膜111。結(jié)果，可以在蝕刻SiNxOy(x>y)和SiNxOy(x<y)中的另一方的同時，使SiNxOy(x>y)和SiNxOy(x<y)中的一方殘留。注意，在覆蓋膜lll、112中包含很多氫的情況下，與半導(dǎo)體膜102同樣地進行用來脫氫的加熱處理。接下來，如圖3B所示，使用實施方式1所示的第一激光束105從覆蓋膜111一側(cè)照射半導(dǎo)體膜102的一部分，來形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域106。注意，在晶體區(qū)域106中，晶體的觀察面A的晶面取向{001}的比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。注意，當使用實施方式1所示的第一激光束105進行半導(dǎo)體膜的晶化時，可以在，見察面B及，見察面C中分別以四成以上且十成以下，優(yōu)選以六成以上且十成以下的比例形成晶面取向朝著一個方向的晶體。就是說，可以在觀察面A、B、以及C中分別形成以四成以上且十成以下，優(yōu)選以六成以上且十成以下具有一定的晶面取向的晶體。接下來，如圖3C所示，使用實施方式1所示的第二激光束108從覆蓋膜112—側(cè)照射半卓體膜102的一部分，來形成觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域110。注意，在晶體區(qū)域110中，晶體的晶面取向{211}或{101}的比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。注意，當使用實施方式1所示的第二激光束進行半導(dǎo)體膜的晶化時，可以在觀察面B及5見察面C中分別以四成以上且十成以下，優(yōu)選以六成以上且十成以下的比例形成晶面取向朝著一個方向的晶體。就是說，可以在觀察面A、B、以及C中分別形成以四成以上且十成以下，優(yōu)選以六成以上且十成以下具有一定的晶面取向的晶體。通過上述工序，如圖3D所示，可以制造具有觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域106和觀察面入的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域110的晶體半導(dǎo)體膜。接著，通過進行蝕刻去除覆蓋膜111、112，然后，在晶體半導(dǎo)體膜上涂敷抗蝕劑，爆光并顯影該抗蝕劑，從而將抗蝕劑形成為所希望的形狀。此外，使用這里形成的抗蝕劑作為掩模進行晶體半導(dǎo)體膜的蝕刻來形成預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜。然后，去除抗蝕劑掩模。注意，也可以與實施方式1同樣地進行晶體半導(dǎo)體膜的薄膜化。典型地，也可以進行蝕刻，以使晶體半導(dǎo)體膜的整個表面的厚度為10nm以上且30nm以下。由于當使用這樣厚度薄的晶體半導(dǎo)體膜形成薄膜晶體管時，晶體管成為溝道形成區(qū)是完全耗盡型的薄膜晶體管，因此可以制造遷移率高的薄膜晶體管。通過上述工序，可以形成觀察面A的晶面取向為{001}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜、以及觀察面A的晶面取向為{211}或{101}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜。接下來，如圖3E所示，使用觀察面A的晶面取向為{001}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜制造n溝道型薄膜晶體管150，并且使用觀察面A的晶面取向為{211}或{101}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜制造p溝道型薄膜晶體管151。如本實施方式所示，在半導(dǎo)體膜上形成覆蓋膜，然后使用連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為lOMHz以上的脈沖振蕩的激光束隔著該覆蓋膜照射半導(dǎo)體膜，可以形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域和觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域。觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域具有不妨礙電子遷移的晶面取向，觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域具有不妨礙空穴遷移的晶面取向。因此，使用觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域制造n型薄膜晶體管，并且使用觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域制造p型薄膜晶體管，來可以制造提高各自的遷移率的半導(dǎo)體裝置。實施方式4在本實施方式中，參照圖4A至4E說明通過采用與上述實施方式不同的覆蓋膜的結(jié)構(gòu)，制造具有觀察面A的晶面取向為{001}的晶體和觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體的晶體半導(dǎo)體膜的方法。與實施方式l同樣，如圖4A所示，在具有絕緣表面的襯底100的一個表面上形成用作基底膜的絕緣膜101。接著，通過等離子體CVD法在絕緣膜101上形成厚度為10nm以上且100nm以下，優(yōu)選為20nm以上且80nm以下的非晶半導(dǎo)體膜作為半導(dǎo)體膜102。此外，也可以在形成半導(dǎo)體膜102之后在500°C的電爐內(nèi)加熱一個小時。所述加熱處理是用來從非晶半導(dǎo)體膜脫氫的處理。注意，該脫氫處理是為了防止當使用激光束照射時半導(dǎo)體膜102噴出氫氣體而進行的，因此，如果包含在半導(dǎo)體膜102中的氫少，就可以從略。接下來，在半導(dǎo)體膜102上形成具有預(yù)定形狀的覆蓋膜111，然后，在該覆蓋膜111及半導(dǎo)體膜102上形成覆蓋膜113。覆蓋膜111的厚度優(yōu)選為200nm以上且500nm以下。覆蓋膜113的厚度優(yōu)選為200nm以上且500nm以下。此外，作為覆蓋膜111、113，分別形成組成互不相同的SiNxOy(0^x^1.5、0^y^2、0^4x+3y^6)膜。通過層疊覆蓋膜，因多層膜干擾效果而改變實效地吸收到半導(dǎo)體膜中的熱量，因此半導(dǎo)體膜的熔融時間也改變。結(jié)果，可以控制晶體半導(dǎo)體膜的晶體晶面取向。當作為覆蓋膜使用SiNxOy(x〉y)膜時，容易在觀察面A中優(yōu)先地形成晶面取向為{001}的晶體。另一方面，當作為覆蓋膜使用SiNxOy(x〈y)膜時，容易在觀察面A中優(yōu)先地形成晶面取向為{211}或{101}的晶體。因此，優(yōu)選在后面要形成n溝道型薄膜晶體管的區(qū)域中形成具有氮高于氧的組成比的SiNxOy膜作為覆蓋膜111,而在后面要形成p溝道型薄膜晶體管的區(qū)域中形成具有氧高于氮的組成比的SiNxOy膜作為覆蓋膜113。通過等離子體CVD法等在非晶半導(dǎo)體膜的整個表面上形成SiNxOy(x>y)和SiNxOy(x<y)中的一方，然后以通過光刻工藝形成的抗蝕劑為掩模將SiNxOy(x>y)和SiNxOy(x<y)中的一方蝕刻為所希望的形狀，來形成覆蓋膜lll。接著，在覆蓋膜lll及非晶半導(dǎo)體膜上形成SiNxOy(x>y)和SiNxOy(x<y)中的另一方，來形成覆蓋膜113。注意，此時，優(yōu)選形成與覆蓋膜113相比，蝕刻速度慢的膜作為覆蓋膜lll。關(guān)于本實施方式中的覆蓋膜，將一方覆蓋膜(這里是覆蓋膜111)形成為預(yù)定形狀，將另一方覆蓋膜(這里是覆蓋膜113)形成在襯底的上方整體而不形成為預(yù)定形狀。因此，與實施方式3相比，可以減少工序數(shù)量。注意，在覆蓋膜lll、113中包含很多氫的情況下，與半導(dǎo)體膜102同樣地進行用來脫氫的加熱處理。接下來，如圖4B所示，使用笫一激光束105從覆蓋膜111、113一側(cè)照射半導(dǎo)體膜102的一部分，來形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域106。注意，在晶體區(qū)域106中，晶體的觀察面A的晶面取向{001}的比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。注意，當使用實施方式1所示的第一激光束進行半導(dǎo)體膜的晶化時，可以在觀察面B及，見察面C中分別以四成以上且十成以下，優(yōu)選以六成以上且十成以下的比例形成晶面取向朝著一個方向的晶體。就是說，可以在觀察面A、B、以及C中分別形成以一定的比例以上具有一定的晶面取向的晶體。接下來，如圖4C所示，使用第二激光束108從覆蓋膜113—側(cè)照射半導(dǎo)體膜102的一部分，來形成觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域110。注意，在晶體區(qū)域110中，晶體的晶面取向{211}或{101}的比例優(yōu)選為四成以上且十成以下。注意，當使用實施方式1所示的第二激光束108進行半導(dǎo)體膜的晶化時，可以在，見察面B及，見察面C中分別以四成以上且十成以下，優(yōu)選以六成以上且十成以下的比例形成晶面取向朝著一個方向的晶體。就是說，可以在觀察面A、B、以及C中分別形成以一定的比例以上具有一定的晶面取向的晶體。通過上述工序，如圖4D所示，可以制造具有觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域106和觀察面入的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域110的晶體半導(dǎo)體膜。接著，通過進行蝕刻去除覆蓋膜111、113，然后，在晶體半導(dǎo)體膜上涂敷抗蝕劑，曝光并顯影該抗蝕劑，從而將抗蝕劑形成為所希望的形狀。此外，使用這里形成的抗蝕劑作為掩模進行晶體半導(dǎo)體膜的蝕刻來形成預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜。然后，去除抗蝕劑掩模。注意，也可以與實施方式1同樣地進行晶體半導(dǎo)體膜的薄膜化。典型地，也可以進行蝕刻，以使晶體半導(dǎo)體膜的整個表面的厚度為10nm以上且30nm以下。由于當使用這樣厚度薄的晶體半導(dǎo)體膜形成薄膜晶體管時，晶體管成為溝道形成區(qū)是完全耗盡型的薄膜晶體管，因此可以制造遷移率高的薄膜晶體管。通過上述工序，可以形成觀察面A的晶面取向為{001}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜、以及觀察面A的晶面取向為{211}或{101}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜。接下來，如圖4E所示，可以使用觀察面A的晶面取向為{001}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜制造n溝道型薄膜晶體管150，并且使用觀察面A的晶面取向為{211}或{101}且具有預(yù)定形狀的晶體半導(dǎo)體膜制造p溝道型薄膜晶體管151。通過上述工序，在半導(dǎo)體膜上形成覆蓋膜，然后使用連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為lOMHz以上的脈沖振蕩的激光束隔著該覆蓋膜照射半導(dǎo)體膜，可以形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域和觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域。觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域具有不妨礙電子遷移的晶面取向，觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域具有不妨礙空穴遷移的晶面取向。因此，使用觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域制造n型薄膜晶體管，并且使用觀察面A的晶面取向為{211}或(101)的晶體區(qū)域制造p型薄膜晶體管，來可以制造提高了各自的遷移率的半導(dǎo)體裝置。實施方式5在本實施方式中，參照圖6說明能夠在上述實施方式所示的觀察面A中制造晶面取向為{001}的晶體區(qū)域、晶面取向為{211}的晶體區(qū)域、以及晶面取向為{101}的晶體區(qū)域的激光束的功率及掃描速度。這里，作為用作基底膜的絕緣膜，通過等離子體CVD法在襯底上形成厚度為50nm的SiNxOy(x>y)膜，然后，通過等離子體CVD法形成厚度為100nm的SiNxOy(x<y)膜。接著，在絕緣膜上通過等離子體CVD法形成厚度為66nm的非晶硅膜。在形成半導(dǎo)體膜之后，進行用來從非晶硅膜脫氫的熱處理，然后在半導(dǎo)體膜上形成覆蓋膜。作為覆蓋膜，形成厚度為400nm的SiNxOy(x>y)膜、或者厚度為500nm的SiNxOy(x<y)膜。當使用7.13%的氟化氫銨和15.4。/。的氟化銨的混合溶液或氫氟酸水溶液，在20°C的溫度下蝕刻所述覆蓋膜時，例如，其蝕刻速度為lnm/min以上且150nm/min以下，優(yōu)選為10nm/min以上且130nm/min以下。此外，作為一例，使用氫氟烴(HFC)氣體的蝕刻的蝕刻速度為lOOnm/min以上且150nm/min以下，優(yōu)選為110nm/min以上且130nm/min以下。注意，當作為覆蓋膜形成SiNxOy(x>y)膜時，以甲硅烷及氨為反應(yīng)氣體通過等離子體CVD法形成。此外，當作為覆蓋膜形成SiNxOy(x〈y)膜時，以曱硅烷、氨、以及一氧化二氮為反應(yīng)氣體通過等離子體CVD法形成。注意，當形成覆蓋膜時，因多層膜干擾效果而改變半導(dǎo)體膜的光吸收率，當然，該半導(dǎo)體膜的光吸收率還根據(jù)覆蓋膜的膜厚度改變。此外，一般來說，半導(dǎo)體膜的光吸收系數(shù)在固體狀態(tài)和熔體狀態(tài)之間不同，并且兩者的差別越小，橫向晶體生長的激光功率容許范圍越大。就是說，在固體狀態(tài)的半導(dǎo)體膜受到激光束的照射，并且該半導(dǎo)體膜熔融之瞬間，吸收率急劇升高的情況下，半導(dǎo)體膜容易燒蝕。因此，圖6中的激光功率相對于半導(dǎo)體膜和覆蓋膜的膜厚度而改變是不言而喻的。然后，使用連續(xù)振蕩或重復(fù)頻率為10MHz以上的脈沖振蕩的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜。將此時的激光束的掃描速度和功率與要形成的晶體硅膜的觀察面A的晶面取向的關(guān)系表示于圖6。在圖6中，橫軸表示激光束的掃描速度，而縱軸表示激光束的功率。注意，在此時的激光束的高斯分布中，使用槽縫去除能量分布不均勻的部分，射束點的面積為500nmx20nm。區(qū)域141是能夠形成晶體為大粒徑晶體且觀察面A的晶面取向為{001}的晶體半導(dǎo)體膜的區(qū)域。區(qū)域142是能夠形成晶體為大粒徑晶體且觀察面A的晶面取向為{211}的晶體半導(dǎo)體膜的區(qū)域。區(qū)域143是能夠形成晶體為大粒徑晶體且觀察面A的晶面取向為{101}的晶體半導(dǎo)體膜的區(qū)域。區(qū)域144是能夠形成具有小粒徑晶體的晶體半導(dǎo)體膜的區(qū)域。區(qū)域145是晶體半導(dǎo)體膜的一部分蒸發(fā)的區(qū)域。在觀察面A中，能夠形成晶面取向為{001}的晶體的激光束的功率的范圍大于形成小晶粒的激光束的功率且小于在觀察面A中制作晶面取向為{211}的晶體的激光束的功率。換言之，在激光束的掃描速度x為10cm/sec以上且20cm/sec以下的部分中，所述范圍相當于滿足公式1以上且小于公式2的激光束的功率y，該公式1表示能夠形成晶面取向為{001}的晶體的激光束的功率，該公式2表示在觀察面A中制作晶面取向為{001}的晶體的最上限和制作晶面取向為{211}的晶體的最下限之間的激光束的功率。此外，在激光束的掃描速度x為20cm/sec以上且35cm/sec以下的部分中，所述范圍相當于滿足^>式1以上且小于公式3的激光束的功率y，該公式3表示在觀察面A中制作晶面取向為{001}的晶體的最上限和制作晶面取向為{211}的晶體的最下限之間的激光束的功率。y=0.0012x2+0.083x+4.4(公式1)y=0.28x+4.2(公式2)y=-0.0683x+11.167(公式3)在觀察面A中，能夠形成晶面取向為{211}的晶體的激光束的功率的范圍為大于形成小晶粒的激光束的功率或大于在觀察面A中制作晶面取向為{001}的晶體的激光束的功率，并且小于產(chǎn)生膜燒蝕的條件或小于形成大粒徑的晶面取向不整齊的晶體半導(dǎo)體膜的激光束的功率。換言之，在激光束的掃描速度x為10cm/sec以上且20cm/sec以下的部分中，所述范圍相當于滿足大于公式2且公式4以下的激光束的功率y，該公式4表示在觀察面A中能夠制作晶面取向為{211}的晶體的激光束的功率。此外，在激光束的掃描速度為20cm/sec以上且35cm/sec以下的部分中，所述范圍相當于滿足大于公式3且公式4以下的激光束的功率y。在激光束的掃描速度為35cm/sec以上且55cm/sec以下的部分中，所述范圍相當于滿足公式1以上且公式5以下的激光束的功率y，所述公式5表示在觀察面A中能夠制作晶面取向為{211}的晶體的激光束的功率y。y=0.0027x2+0.36x+4.2(公式4)y=-0.37x+33(公式5)在觀察面A中，能夠形成晶面取向為{101}的晶體的激光束的功率的范圍大于形成小晶粒的激光束的功率且小于產(chǎn)生膜燒蝕的條件，或小于形成大粒徑的晶面取向不整齊的晶體半導(dǎo)體膜的激光束的功率。換言之，在激光束的掃描速度x為70cm/sec以上且卯cm/sec以下的部分中，所述范圍相當于滿足公式1以上且小于產(chǎn)生膜燒蝕的條件或小于形成大粒徑的晶面取向不整齊的晶體半導(dǎo)體膜的激光束的功率y。通過選擇性地照射上述功率及掃描速度的激光束，可以選擇性地形成晶面取向為{001}的晶體區(qū)域及晶面取向為{211}的晶體區(qū)域，選擇性地形成晶面取向為{001}的晶體區(qū)域及晶面取向為{101}的晶體區(qū)域，并且選擇性地形成晶面取向為{001}的晶體區(qū)域、晶面取向為卩11}的晶體區(qū)域、以及晶面取向為{101}的晶體區(qū)域。觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域具有不妨礙電子遷移的晶面取向，觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域具有不妨礙空穴遷移的晶面取向。因此，使用觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域制造n型薄膜晶體管，并且使用觀察面A的晶面取向為口ll〉或{101}的晶體區(qū)域制造p型薄膜晶體管，來可以制造提高了各自的遷移率的半導(dǎo)體裝置。實施方式6在本實施方式中，參照圖5A至5D描述如下半導(dǎo)體膜及其制造方法，即，在非晶半導(dǎo)體膜上形成SiNxOy(x<y)的覆蓋膜，使用連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的脈沖振蕩的激光束隔著該覆蓋膜照射非晶半導(dǎo)體膜，來形成具有接近單晶結(jié)構(gòu)的多晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜。首先，如圖5A所示那樣，作為具有絕緣表面的襯底100例如使用厚度為0.7mm的玻璃村底，在其一個表面上形成用作基底膜的絕緣膜101。用作基底膜的絕緣膜101通過適當?shù)乩煤穸葹?0nm至150nm的Si02、SiNx、SiNxOy(x<y)來形成。這里，作為用作基底膜的絕緣膜101，通過等離子體CVD法形成厚度為50nm的SiNxOy(x>y)膜，然后通過等離子體CVD法形成厚度為lOOnm的SiNxOy(x<y)膜。接下來，在絕緣膜101上作為半導(dǎo)體膜102通過等離子體CVD法以10nm以上且lOOnm以下的厚度，優(yōu)選以20nm以上且80nm以下的厚度，來形成非晶半導(dǎo)體膜。作為半導(dǎo)體膜102,雖然在本實施方式中使用非晶硅，但是又可使用多晶硅，又可使用硅鍺(Si^Gex(0<x<0.1))等，又可使用單晶為金剛石結(jié)構(gòu)的碳化硅(SiC)。這里，作為半導(dǎo)體膜102，通過等離子體CVD法形成厚度為66nm的非晶硅膜。此外，在所述半導(dǎo)體膜是非晶半導(dǎo)體膜的情況下，也可以在形成半導(dǎo)體膜102之后，在500。C的電爐內(nèi)加熱一個小時。接下來，在半導(dǎo)體膜102上形成厚度為200nm以上且lOOOnm以下的SiNxOy(0^x^4/3,0Sy舀2，x<y)膜作為覆蓋膜121。注意，對所述覆蓋膜121而言，如果過薄，就不容易控制后面要形成的晶體半導(dǎo)體膜的晶面取向，因此形成為200nm以上且1000nm以下，優(yōu)選為300nm以上且600nm以下的厚度。覆蓋膜121可以通過以甲硅烷(SiH4)、氨(NH3)、以及一氧化二氮(N20)為反應(yīng)氣體，使用等離子體CVD法來形成。注意，一氧化二氮(N20)是用作氧化劑的，也可以代替使用具有氧化效果的氧氣。作為覆蓋膜121，優(yōu)選地是，相對于激光束的波長具有足夠的透過率，熱膨脹系數(shù)等的熱性值和延性等值接近于相鄰的半導(dǎo)體膜。此外，覆蓋膜121優(yōu)選為與后面要形成的薄膜晶體管的柵極絕緣膜同樣地硬且蝕刻速度較慢的細致膜。典型地，優(yōu)選為通過使用7.13%的氟化氳銨及15.4%的氟化銨的混合水溶液或氫氟酸水溶液在20。C的溫度下以100nm/min以上且150nm/min以下，優(yōu)選以110nm/min以上且130nm/min以下的蝕刻速度蝕刻的細致膜。此外，優(yōu)選為通過使用氫氟烴(HFC)氣體以100nm/min以上且150nm/min以下，優(yōu)選以110nm/min以上且130nm/min以下的蝕刻速度進行千式蝕刻的細致膜。這種硬且細致的膜例如可以通過降低成膜率來形成。接下來，如圖5B所示，使用連續(xù)振蕩的激光束或重復(fù)頻率為lOMHz以上的脈沖振蕩的第一激光束105隔著覆蓋膜121照射半導(dǎo)體膜102。此時的激光束的掃描速度優(yōu)選為10cm/sec以上且100cm/sec以下，并且激光束的功率優(yōu)選為4W以上且20W以下。因該激光束的照射而形成半導(dǎo)體完全熔融的區(qū)域，在凝固過程中晶體朝某一個晶面取向生長，從而可以形成本發(fā)明的晶體半導(dǎo)體膜。這里，激光束的掃描速度為10cm/sec以上且20cm/sec以下，并且激光束的功率為6.8W以上且9.6W以下。通過上述工序，如圖5C所示，可以形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體半導(dǎo)體膜。接著，通過進行蝕刻去除覆蓋膜121，然后，在晶體半導(dǎo)體膜上涂敷抗蝕劑，膝光并顯影該抗蝕劑，從而將抗蝕劑形成為所希望的形狀。此外，使用這里形成的抗蝕劑作為掩模進行蝕刻來去除通過顯影而暴露的晶體半導(dǎo)體膜。接著，如圖5D所示，可以通過使用預(yù)定形狀的半導(dǎo)體膜來形成薄膜晶體管150。如實施方式1和圖8所示，通過綜合彼此垂直的三個矢量(矢量a、矢量b、以及矢量c)分別是法線矢量的三個面(觀察面A、觀察面B、以及觀察面C)的信息，可以高精度地特定晶體內(nèi)部的晶面取向。將分析晶體半導(dǎo)體膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向上的晶軸取向)的結(jié)果表示于圖23A至23F及圖24A至24F。在對本實施方式所形成的晶體半導(dǎo)體膜表面以60。的入射角向該晶體半導(dǎo)體膜入射電子射線，并且根據(jù)獲得的EBSP圖像測定晶體的晶面取向。測定范圍是50nmx50pm。在該測定區(qū)域中，在長度和寬度均為0.5nm的晶格點上執(zhí)行測定。此外，因為EBSP法的測定表面是樣品表面，所以晶體半導(dǎo)體膜必須是頂層。因此，在圖5C所示的工序之后，蝕刻覆蓋膜，然后進行測定。圖23A至23F所示的晶體半導(dǎo)體膜是晶體硅膜，通過照射掃描速度為20cm/sec且功率為9.6W的激光束而形成。圖23A至23C是表示每個測定點具有哪個晶面取向的晶面取向分布圖像，其中，將觀察面A的晶面取向分布圖像表示于圖23A,與此同樣，將觀察面B的晶面取向分布圖像表示于圖23B，將觀察面C的晶面取向分布圖像表示于圖23C。此外，圖23D至23F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖23A至23C的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖23D至23F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖23A至23F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，可以看到觀察面A主要定向于晶面取向{001}，觀察面B主要定向于晶面取向{201}，并且觀察面C主要定向于晶面取向{201}。由此可知，本實施方式中形成的晶體半導(dǎo)體膜在觀察面A、B、以及C中分別主要定向于晶面取向{001}、{201}、以及{201}。圖23D至23F示出每個觀察面中出現(xiàn)比例高的晶面取向的定向比的計算結(jié)果。圖23D是求觀察面A中的定向比的結(jié)果。該定向比通過將晶面取向{001}的角度波動范圍設(shè)定為±10°以內(nèi)，并且求存在于晶面取向{001}的角度波動為±10°以內(nèi)的部分的測定點數(shù)量相對于所有測定點數(shù)量的比例來獲得。注意，在圖23A中，彩色區(qū)域是表示晶面取向{001}的角度波動為±10°以內(nèi)的晶體的區(qū)域。圖23E和23F是與圖23D同樣地求觀察面B及C中的定向比的結(jié)果。注意，在圖23E和23F中，彩色區(qū)域是表示觀察面B及C中的晶面取向(x01)(x=0、1、2、3)的角度波動為土10。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。此外，根據(jù)x值改變區(qū)域的顏色，來區(qū)分對應(yīng)于{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶面取向的區(qū)域。這里，晶面取向的重復(fù)部分除外。此外，具有特定定向的點相對于所有的測定點的比例為"分配系數(shù)(PartitionFraction)"值，而在該具有特定向的點中的定向的可靠性高的測定點相對于所有的測定點的比例為"總系數(shù)(TotalFraction)"值。根據(jù)該結(jié)果，在本實施方式1中形成的晶體半導(dǎo)體膜的觀察面a中，±10。以內(nèi)的角度波動的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有72.5%。圖23E和23F是與圖23D同樣地求觀察面B及C中的定向比的結(jié)果。注意，在圖23E和23F中，彩色區(qū)域是表示每個晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的角度波動為±10。以內(nèi)的晶體的區(qū)域。在實施方式1中形成的晶體半導(dǎo)體膜的觀察面B中，土10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{201}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有63%。此外，在，見察面C中，士10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{201}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有62%。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比、以及(x01)(x-0、1、2、3)的定向比(就是說，重復(fù)部分除外的{001}、{301}、{201}、以及{101}的定向比的總和)表示于表格l。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。注意，晶體的晶面取向^01}(x=0、1、2、3)的意思是如下那樣。所述晶面取向^01}表示晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的定向比的總和。注意，此時，如果單純地總合計算晶面取向{001}至{301}，每個晶面取向都有一部分重復(fù)的部分。因此，將以晶面取向{001}至{301}的各自的重復(fù)部在任一晶面取向上的定向比計算出的結(jié)果i殳定為晶面取向{x01}。[表格l<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>如上所述，在彼此垂直的三個觀察面的每一個中，晶體的晶面取向以高比例朝一個方向一致。由此可知，在晶化了的區(qū)域中，形成有可以看作晶體的晶面取向朝某一定的方向一致的近似單晶體。像這樣，可以確認到特定晶面取向在邊長為幾十nm的區(qū)域內(nèi)占有非常高的比例的晶體形成在玻璃襯底上。根據(jù)上述結(jié)果，當通過EBSP法測定本實施方式1中制造的晶體半導(dǎo)體膜的晶面取向時，在觀察面A中，士10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，更優(yōu)選為七成以上且十成以下。此外，在觀察面B中，±10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{201}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下。此外，在觀察面C中，士10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{201}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下。接下來，將分析當改變上述晶體半導(dǎo)體膜的制造工序中的激光束的功率及掃描速度時形成的晶體硅膜的晶面取向的結(jié)果表示于圖24A至24F。下面描述通過EBSP法測定利用掃描速度為10cm/sec且功率為6.8W的激光束來形成的晶體半導(dǎo)體膜的結(jié)果。注意，EBSP法的測定條件及樣品制造方法與上述例子相同。圖24A至24C是表示每個測定點具有哪個晶面取向的晶面取向分布圖像，其中，將觀察面A的晶面取向分布圖像表示于圖24A，與此同樣，將觀察面B的晶面取向分布圖像表示于圖24B，將觀察面C的晶面取向分布圖像表示于圖24C。此外，圖24D至24F是計算每個觀察面的晶面取向的結(jié)杲，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖24A至24C的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖24D至24F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖24A至24F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，可以看到觀察面A主要定向于晶面取向{001}。圖24D至24F示出每個觀察面中出現(xiàn)比例高的晶面取向的定向比的計算結(jié)果。圖24D是求》見察面A中的定向比的結(jié)果。該定向比通過將晶面取向{001}的角度波動范圍設(shè)定為±10°以內(nèi)，并且求存在于角度波動為土10。以內(nèi)的部分的測定點數(shù)量對于所有測定點數(shù)量的比例來獲得。注意，在圖24D中，彩色區(qū)域是表示晶面取向{001}的角度波動為士10。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。圖24E和24F是與圖24D同樣地求觀察面B及C中的定向比的結(jié)果。注意，在圖24E和24F中，彩色區(qū)域是表示觀察面B及C中的晶面取向(x01)(x-0、1、2、3)的角度波動為土10。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。此外，根據(jù)x值改變區(qū)域的顏色，來區(qū)分對應(yīng)于{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶面取向的區(qū)域。這里，晶面取向的重復(fù)部分除外。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比、以及(x01)(x-0、1、2、3)的定向比(就是說，重復(fù)部分除外的{001}、{301}、{201}、以及{101}的定向比的總和)表示于表格2。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。[表格21<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>由表格2可知，在觀察面A中，土10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{001}的比例為六成以上，即，占有65%。此外，在觀察面B中，晶面取向{乂01}(x=0、1、2、3)的比例為六成以上，即，占有68%。另外，在觀察面C中，晶面取向^01}(x=0、1、2、3)的比例為六成以上，即，占有74%。再者，在觀察面B及C中，x為1的晶面取向除外的^01}(x=0、2、3)的定向比為六成以上。由此可知，在晶化了的區(qū)域中，形成有可以看作晶體的晶面取向朝某一定的方向一致的近似單晶體。像這樣，可以確認到特定晶面取向在邊長為幾十Hm的區(qū)域內(nèi)占有非常高的比例的晶體形成在玻璃襯底上。注意，在本發(fā)明中制造的晶體半導(dǎo)體膜是多晶。因此，如果包括晶體缺陷如晶粒界面等，觀察面A至C每一個的晶面取向的定向比小于十成。此外，EBSP的測定例如可以在薄膜晶體管的溝道區(qū)域進行。換言之，可以在被柵極布線及柵極絕緣膜覆蓋的半導(dǎo)體層中進行測定。根據(jù)上述結(jié)果，當通過EBSP法測定本實施方式中制造的晶體半導(dǎo)體膜的晶面取向時，在觀察面A中，土10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，更優(yōu)選為七成以上且十成以下。此外，在》見察面B中，±10°以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向(x01》(x-0、1、2、3)的總和比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下。此外，在觀察面C中，土10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向(x01)(x=0、1、2、3)的總和比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下。在本實施方式中形成的晶體半導(dǎo)體膜中，晶體的晶面取向朝某一定的方向或朝可以實際性地看作某一定的方向的方向一致。就是說，其性質(zhì)是接近于單晶的半導(dǎo)體膜。當使用這種半導(dǎo)體膜時，可以大幅度地提高半導(dǎo)體裝置的性能。例如，在使用該晶體半導(dǎo)體膜形成TFT的情況下，可以獲得接近于利用單晶半導(dǎo)體制造的半導(dǎo)體裝置的電場效應(yīng)遷移率(遷移率)。此外，在所述TFT中，可以降低導(dǎo)通電流值(當TFT處于導(dǎo)通狀態(tài)時流過的漏極電流值)、截斷電流值(當TFT處于截斷狀態(tài)時流過的漏極電流值)、閾值電壓、S值、以及電場效應(yīng)遷移率的不均勻性。由于這種效果，而TFT的電特性增高，并且利用該TFT的半導(dǎo)體裝置的工作特性及可靠性也增高。從而，可以制造能夠以高速工作、電流驅(qū)動能力高、并且在多個元件之間性能不均勻性小的半導(dǎo)體裝置。實施方式7在本實施方式中，參照圖9A至圖IOC說明作為半導(dǎo)體裝置的一個實例的液晶顯示裝置。如圖9A所示，以與實施方式1相同的方式，在襯底100上形成用作基底膜的絕緣膜101，在絕緣膜101上形成半導(dǎo)體膜102，并且在半導(dǎo)體膜102上形成覆蓋膜103。這里，作為襯底IOO使用玻璃襯底，并且作為絕緣膜101通過等離子體CVD法形成厚度為40nm至60nm的SiNxOy(x>y)膜和厚度為80nm至120nm的SiNxOy(x<y)膜。此外，作為半導(dǎo)體膜102通過等離子體CVD法形成厚度為20nm至80nm的非晶體半導(dǎo)體膜，并且作為覆蓋膜103通過等離子體CVD法形成厚度為200nm以上且lOOOnm以下的SiNxOy(x>y)膜。接著，如圖9B所示，使用第一激光束105從覆蓋膜103—側(cè)照射半導(dǎo)體膜102,來在絕緣膜101上形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域106。此外，使用第二激光束108從覆蓋膜103—側(cè)照射半導(dǎo)體膜102，來在絕緣膜101上形成觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域110。注意，作為此時使用的第一激光束105及第二激光束108，選擇具有能夠熔化半導(dǎo)體膜102的能量且具有非晶體半導(dǎo)體膜102能夠吸收的波長的激光束。此外，也可以在使用激光束105及108照射之前，進行加熱處理，以便脫出包含于非晶體半導(dǎo)體膜和覆蓋膜中的氫。這里，作為激光束105及108使用YV04的二次諧波，然后去除覆蓋膜103。作為覆蓋膜103的去除方法，可以使用各種去除方法如干法蝕刻、濕法蝕刻、研磨等，這里通過干法蝕刻法去除覆蓋膜103。接著，如圖9C所示，選擇性地蝕刻晶體半導(dǎo)體膜來形成半導(dǎo)體層201至203。作為晶體半導(dǎo)體膜的蝕刻方法，可以使用干法蝕刻、濕法蝕刻等，這里，在晶體半導(dǎo)體膜上涂敷抗蝕劑之后，進行曝光和顯影，來形成抗蝕劑掩模。通過使用形成了的抗蝕劑掩模，通過SF6:02的流量比為4:15的干法蝕刻法來選擇性地蝕刻晶體半導(dǎo)體膜，然后去除抗蝕劑掩模。接下來，如圖9D所示，在半導(dǎo)體層201至203上形成柵極絕緣膜204，該柵極絕緣膜通過使用SiNx、SiNxOy(x>y)、Si02、SiNxOy(x<y)等的單層或多層結(jié)構(gòu)形成。這里，通過等離子體CVD法形成厚度為lOnm至115nm的SiNxOy(x<y)膜。然后，形成柵電極205至208，該柵電極205至208可以通過使用金屬或摻雜具有一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的多晶體半導(dǎo)體形成。在使用金屬的情況下，可以使用鎢(W)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋁(Al)等。而且，也可以使用通過氮化金屬而獲得的金屬氮化物，還可以使用由該金屬氮化物構(gòu)成的第一層和由該金屬構(gòu)成的第二層的疊層結(jié)構(gòu)。此外，可以通過液滴噴射法在柵極絕緣膜上排放包含微粒的骨劑，然后干燥并焙燒骨劑來形成柵電極205至208。此外，可以通過印刷法在柵極絕緣膜上印刷包含微粒的骨劑，然后干燥并焙燒骨劑來形成。所述微粒的典型實例為金；銀；銅；金和銀的合金；金和銅的合金；銀和銅的合金；以及金、銀和銅的合金等。這里，在通過賊射法在柵極絕緣膜204上形成厚度為30nm的氮化鉭膜和厚度為370nm的鎢膜之后，使用通過光刻工藝形成的抗蝕劑掩模選擇性地蝕刻氮化鉭膜和鎢膜，來形成柵電極205至208，該柵形狀。、，-。、-'接下來，使用柵電極205至208作為掩模，向半導(dǎo)體層201至203添加賦予n型的雜質(zhì)元素和賦予p型的雜質(zhì)元素，來形成源區(qū)和漏區(qū)209至214及高濃度雜質(zhì)區(qū)215。此外，形成與柵電極205至208的一部分重疊的低濃度雜質(zhì)區(qū)216至223。而且，還形成與柵電極205至208重疊的溝道區(qū)201c、202c、203c、以及203d。注意，這里，向源區(qū)及漏區(qū)209、210、213、以及214、高濃度雜質(zhì)區(qū)215、以及低濃度雜質(zhì)區(qū)216、217、220至2"摻雜作為賦予p型的雜質(zhì)元素的硼。此外，向源區(qū)及漏區(qū)211、212、以及低濃度雜質(zhì)區(qū)218、219摻雜作為賦予n型的雜質(zhì)元素的磷。然后，為了激活添加到半導(dǎo)體層的雜質(zhì)元素而進行加熱處理。這里，在550。C的氮氣氣氛下加熱4小時。通過上述工序，形成薄膜晶體管225至227。注意，作為薄膜晶體管225和227形成p溝道型薄膜晶體管，而作為薄膜晶體管226形成n溝道型薄膜晶體管。此時，由p溝道型薄膜晶體管225和n溝道型薄膜晶體管226構(gòu)成驅(qū)動電路，而p溝道型薄膜晶體管227用作向像素的電極施加電壓的元件。接下來，如圖10A所示，形成使薄膜晶體管225至227的柵電極和布線絕緣的第一層間絕緣膜。這里，作為第一層間絕緣膜層疊形成氧化硅膜231、氮化硅膜232、以及氧化硅膜233。接著，在第一層間絕緣膜的一部分的氧化硅膜233上形成連接到薄膜晶體管225至227的源區(qū)及漏區(qū)的布線234至239、以及連接端子240。這里，通過濺射法連續(xù)形成厚度為lOOnm的Ti膜、厚度為700nm的Al膜、以及厚度為lOOrnn的Ti膜，然后使用通過光刻工藝形成的抗蝕劑掩模，選擇性地蝕刻，來形成布線234至239、以及連接端子240。然后，去除抗蝕劑掩模。接下來，在第一層間絕緣膜、布線234至239、以及連接端子240上形成笫二層間絕緣膜241。作為第二層間絕緣膜241，可以使用無機絕緣膜如氧化硅膜、氮化硅膜、SiNxOy(x<y)膜、或者SiNxOy(x>y)膜等，并且這些絕緣膜以單層或兩層以上的多層形成即可。此外，作為形成無機絕緣膜的方法，使用濺射法、LPCVD法、或者等離子體CVD法等即可。這里，在通過4吏用等離子體CVD法形成厚度為100nm至150nm的SiNxOy(x>y)膜之后，使用通過光刻工藝形成的抗蝕劑掩模選擇性地蝕刻SiNxOy(x>y)膜，來形成到達薄膜晶體管227的布線239和連接端子240的連接端子，同時形成第二層間絕緣膜241。然后，去除抗蝕劑掩模。通過如本實施方式7所示地形成第二層間絕緣膜241，可以防止驅(qū)動電路部的TFT、布線等的暴露，并且可以保護TFT免受污染物質(zhì)。接下來，形成連接到薄膜晶體管227的布線239的第一像素電極242和連接到連接端子240的導(dǎo)電層244。當液晶顯示裝置是透光型液晶顯示裝置時，使用具有透光性的導(dǎo)電膜形成第一像素電極242。此外，當液晶顯示裝置是反射型液晶顯示裝置時，使用具有反射性的導(dǎo)電膜形成第一像素電極242。這里，第一像素電極242和導(dǎo)電層244通過如下方法形成，即在通過濺射法形成厚度為125nm的包含氧化硅的ITO膜之后，使用通過光刻工藝形成的抗蝕劑掩模選擇性地蝕刻。接下來，形成用作定向膜的絕緣膜243。所述絕緣膜243通過如下方法形成，即通過輥涂法、印刷法等形成高分子化合物層如聚酰亞胺層、聚乙烯醇層等，然后進行摩擦。此外，可以通過以相對襯底傾斜的角度蒸鍍Si02形成絕緣膜243,并且可以對光致反應(yīng)型高分子化合物照射偏振了的UV光，以使光致反應(yīng)型高分子化合物聚合來形成絕緣膜243。這里，通過印刷法印刷高分子化合物層如聚酰亞胺層、聚乙烯醇層等，焙燒并摩擦該層來形成絕緣膜243。接下來，如圖10B所示，在相對襯底251上形成第二像素電極253,并且在第二像素電極上形成用作定向膜的絕緣膜254。注意，可以在相對襯底251和像素電極253之間形成彩色層252。在這種情況下，相對襯底251可以適當?shù)剡x擇與襯底100相同的材料。另外，第二像素電極253可以以與第一像素電極242相同的方式形成，而用作定向膜的絕緣膜254可以以與絕緣膜243相同的方式形成。而且，彩色層252是進行彩色顯示時必需的層，并且在RGB方式中，對應(yīng)于每個像素地形成與紅色、綠色和藍色的每種顏色相對應(yīng)的染料和顏料分散于其中的彩色層。接下來，使用密封劑257貼合襯底100和相對襯底251，并且在襯底100和相對襯底251之間形成液晶層255。液晶層255可以通過如下方法形成，即通過利用毛細管現(xiàn)象的真空注入法將液晶材料注入到由用作定向膜的絕緣膜243和254、以及密封劑257圍繞的區(qū)域中。而且，也可以在相對襯底251的一個側(cè)面形成密封劑257，向由密封劑圍繞的區(qū)域滴下液晶材料，然后在減壓下使用密封劑壓合相對襯底251和襯底100，來形成液晶層255。作為密封劑257,可以通過分配器法、印刷法、熱壓合法等形成熱固性環(huán)氧樹脂、UV固化丙烯酸樹脂、熱塑性尼龍、聚酯等。注意，通過向密封劑257散布填料，可以保持襯底100和相對襯底251之間的間隔。這里，作為密封劑257，使用熱固性環(huán)氧樹脂。另外，為了保持襯底100和相對襯底251之間的間隔，可以在用作定向膜的絕緣膜243和254之間提供隔離物256，該隔離物可以通過涂敷有機樹脂，將有機樹脂形成為所需形狀，典型為柱形或圓柱形。而且，作為隔離物，可以使用珠狀隔離物，這里作為隔離物256使用珠狀隔離物。另外，雖然未圖示，在襯底100和相對襯底251中的一方或雙方提供偏振片。并且，如圖10C所示，在端子部263中形成有連接到薄膜晶體管的柵極布線和源極布線的連接端子(在圖10C中，相當于連接到源極布線或漏極布線的連接端子240)。向該連接端子240隔著導(dǎo)電層244和各向異性導(dǎo)電膜261連接FPC(柔性印刷電路板)262，并且該連接端子240通過導(dǎo)電層244和各向異性導(dǎo)電膜261接收視頻信號和時鐘信號。在驅(qū)動電路部264中形成有驅(qū)動像素的電路如源極驅(qū)動器、柵極驅(qū)動器等，這里布置有n溝道型薄膜晶體管226和p溝道型薄膜晶體管225。注意，由n溝道型薄膜晶體管226和p溝道型薄膜晶體管225形成CMOS電路。在像素部265中形成有多個像素，并且在每個像素中形成有液晶元件258。該液晶元件258是第一像素電極242、第二像素電極253、以及填充在第一像素電極242和第二電極253之間的液晶層255重疊的部分。而且，包含在液晶元件258中的第一像素電極242電連接到薄膜晶體管227。通過上述工序，可以制造液晶顯示裝置。在本實施方式7所示的液晶顯示裝置中的形成在驅(qū)動電路部264和像素部265中的薄膜晶體管的半導(dǎo)體層中，使用觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域形成n型薄膜晶體管，使用觀察面A的晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域形成p型薄膜晶體管。結(jié)果，可以制造提高每個晶體管的遷移率的液晶顯示裝置。此外，本實施方式的薄膜晶體管的晶體的晶面取向分別在彼此垂直的三個面上朝某一定的方向一致。因此，可以抑制多個薄膜晶體管的電特性的不均勻，結(jié)果可以制造能夠進行顏色不均和缺陷少的高清晰顯示的液晶顯示裝置。實施方式8在本實施方式中，說明作為半導(dǎo)體裝置的一個實例的具有發(fā)光元件的發(fā)光裝置的制造過程。如圖IIA所示，通過與實施方式7相同的工序，在襯底100上隔著絕緣膜101形成薄膜晶體管225至227，然后層疊形成氧化硅膜231、氮化硅膜232、以及氧化硅膜233作為用來使所述薄膜晶體管225至227的柵電極及布線絕緣的第一層間絕緣膜。而且，在第一層間絕緣膜的一部分氧化硅膜233上形成連接到薄膜晶體管225至227的半導(dǎo)體層的布線308至313、以及連接端子314。接下來，在第一層間絕緣膜、布線308至313、以及連接端子314上形成第二層間絕緣膜315，然后形成連接到薄膜晶體管227的布線313的第一電極層316和連接到連接端子314的導(dǎo)電層320。所述第一電極層316和導(dǎo)電層320以如下方法形成，即在通過濺射法形成厚度為125nm的包含氧化硅的ITO膜之后，使用通過光刻工藝形成的抗蝕劑掩模選擇性地蝕刻ITO膜。如本實施方式所示，通過形成第二層間絕緣膜315,可以防止驅(qū)動電路部的TFT、布線等的暴露，并且保護TFT免受污染物質(zhì)。接下來，形成有機絕緣膜317并使它覆蓋第一電極層316的端部。這里，在涂敷并焙燒光敏聚酰亞胺之后，進行膝光和顯影，從而形成有機絕緣膜317使得驅(qū)動電路、像素區(qū)域中的第一電極層316、以及像素區(qū)域外圍的第二層間絕緣膜315暴露。接下來，通過蒸鍍法在第一電極層316和有機絕緣膜317的一部分上形成包含發(fā)光物質(zhì)的層318。包含發(fā)光物質(zhì)的層318由具有發(fā)光性的有機化合物或具有發(fā)光性的無機化合物形成。注意，包含發(fā)光物質(zhì)的層318可以由具有發(fā)光性質(zhì)的有機化合物和具有發(fā)光性質(zhì)的無機化合物形成。此外，可以將具有紅色發(fā)光性的發(fā)光物質(zhì)、具有藍色發(fā)光性的發(fā)光物質(zhì)、以及具有綠色發(fā)光性的發(fā)光物質(zhì)用于包含發(fā)光物質(zhì)的層318，來分別形成發(fā)射紅光的像素、發(fā)射藍光的像素、以及發(fā)射綠光的像素。注意，除了發(fā)射紅光、藍光、以及綠光的像素以外，可以通過設(shè)置發(fā)射白光的像素降低功耗。接下來，在包含發(fā)光物質(zhì)的層318和有機絕緣膜317上形成第二電極層319。這里，通過蒸鍍法形成厚度為200nm的Al膜。結(jié)果，由第一電極層316、包含發(fā)光物質(zhì)的層318和第二電極層319構(gòu)成發(fā)光元件321。作為包含發(fā)光物質(zhì)的層318的材料，雖然在很多情況下使用有機化合物的單層或疊層、或者無機化合物的單層或疊層，但是在本說明書中還包括由有機化合物構(gòu)成的膜的一部分包含無機化合物的結(jié)構(gòu)。發(fā)光元件中的每個層的層疊方法沒有特別的限制。只要可以層疊，就可以選擇任何方法如真空蒸鍍法、旋涂法、噴墨法、浸涂法等。接下來，如圖11B所示，在第二電極層319上形成保護膜322。保護膜322是為了防止?jié)駳?、氧氣等侵入發(fā)光元件321和保護膜322中，并且優(yōu)選地通過薄膜形成法如等離子體CVD法或濺射法等，使用氮化珪、氧化珪、SiNxOy(x<y)、SiNxOy(x>y)、氧氮化鋁、氧化鋁、類金剛石碳(DLC)、包含氮的碳(CN)、或者另外的絕緣材料形成。另外，通過使用密封劑323貼合密封襯底324和形成在襯底100上的第二層間絕緣膜315,發(fā)光元件321提供在由襯底100、密封襯底324、以及密封劑323包圍的空間325中。注意，在空間325中填充有填充物，存在有填充有惰性氣體(氮氣或氬氣等)的情況、填充有密封劑323的情況。注意，環(huán)氧類樹脂優(yōu)選地用于密封劑323，并且該密封劑323的材料理想地盡可能不透過濕氣和氧氣。此外，作為密封襯底324，可以使用玻璃襯底、石英襯底、由FRP(玻璃纖維增強塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、丙烯酸酯等形成的塑料襯底。接下來，如圖11C所示，通過以與實施方式7相同的方式，使用各向異性導(dǎo)電層326，將FPC327貼合到與連接端子314接觸的導(dǎo)電層320。通過上述工序，可以形成具有有源矩陣型發(fā)光元件的半導(dǎo)體裝置。這里，將在本實施方式8中進行全彩色顯示的情況下的像素的等效電路圖表示于圖12。在圖12中，由虛線包圍的薄膜晶體管332對應(yīng)于用于驅(qū)動發(fā)光元件的薄膜晶體管。薄膜晶體管331控制薄膜晶體管332的導(dǎo)通/截斷。注意，在下面的描述中，發(fā)光元件是有機EL元件(以下稱作OLED)，在該OLED中，包含發(fā)光物質(zhì)的層由包含發(fā)光性有機化合物的層形成。在顯示紅色的像素中，發(fā)射紅光的OLED334R連接到薄膜晶體管332的漏區(qū)，而在其源區(qū)中設(shè)置有紅色陽極側(cè)電源線337R。此外，開關(guān)用薄膜晶體管331連接到柵極布線336，而驅(qū)動用薄膜晶體管332的柵電極連接到開關(guān)用薄膜晶體管331的漏區(qū)。注意，開關(guān)用薄膜晶體管331的漏區(qū)與連接到紅色陽極側(cè)電源線337R的電容元件338連接。此外，在顯示綠色的像素中，發(fā)射綠光的OLED334G連接到驅(qū)動用薄膜晶體管332的漏區(qū)，而在其源區(qū)中設(shè)置有綠色陽極側(cè)電源線337G。此外，開關(guān)用薄膜晶體管331連接到柵極布線336,驅(qū)動用薄膜晶體管332的柵電極連接到開關(guān)用薄膜晶體管331的漏區(qū)。注意，開關(guān)用薄膜晶體管331的漏區(qū)與連接到綠色陽極側(cè)電源線337G的電容元件338連接。此外，在顯示藍色的像素中，發(fā)射藍光的OLED334B連接到驅(qū)動用薄膜晶體管332的漏區(qū)，而在其源區(qū)中設(shè)置有藍色陽極側(cè)電源線337B。此外，開關(guān)用薄膜晶體管331連接到柵極布線336，驅(qū)動用薄膜晶體管332的柵電極連接到開關(guān)用薄膜晶體管331的漏區(qū)。注意，開關(guān)用薄膜晶體管331的漏區(qū)與連接到藍色陽極側(cè)電源線337B的電容元件338連接。對應(yīng)于包含發(fā)光物質(zhì)的層的材料的不同電壓分別施加到具有不同顏色的像素。這里，雖然源極布線335與陽極側(cè)電源線337R、337G和337B平行，但是本發(fā)明不局限于此，也可以采用柵極布線336與陽極側(cè)電源線337R、337G和337B平行的結(jié)構(gòu)。另外，驅(qū)動用薄膜晶體管332可以具有多柵電極結(jié)構(gòu)。此外，在發(fā)光裝置中，屏幕顯示的驅(qū)動方法沒有特別限制。例如，可以使用點順序驅(qū)動方法、線順序驅(qū)動方法、面順序驅(qū)動方法等，典型地使用線順序驅(qū)動方法，并且適當?shù)厥褂梅謺r灰度級驅(qū)動方法或面積灰度級驅(qū)動方法即可。輸入到發(fā)光裝置的源極線的視頻信號可以為模擬信號或數(shù)字信號，根據(jù)視頻信號適當?shù)卦O(shè)計驅(qū)動電路等即可。此外，在使用數(shù)字視頻信號的發(fā)光裝置中，存在兩種驅(qū)動方式，即輸入到像素的視頻信號具有恒定電壓(cv)的方式和輸入到像素的視頻信號具有恒定電流(cc)的方式。此外，在視頻信號具有恒定電壓(cv)的方式中存在兩種方式，即施加到發(fā)光元件的信號電壓是恒定的方式(cvcv)和施加到發(fā)光元件的信號電流是恒定的方式(cvcc)。在視頻信號具有恒定電流(cc)的方式中，存在兩種方式，即施加到發(fā)光元件的信號電壓是恒定的方式(cccv)和施加到發(fā)光元件的信號電流是恒定的方式(cccc)。另外，在發(fā)光裝置中，也可以提供用來防止靜電擊穿的保護電路(如保護二極管等)。通過上述工序，可以制造具有有源矩陣型發(fā)光元件的發(fā)光裝置。在本實施方式所示的發(fā)光裝置中，使用觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域形成n型薄膜晶體管，使用觀察面A的晶面取向為{211}或卩01》的晶體區(qū)域形成p型薄膜晶體管。結(jié)果，可以制造提高每個晶體管的遷移率的發(fā)光裝置。此外，本實施方式的薄膜晶體管的晶體的晶面取向分別在彼此垂直的三個面上朝某一定的方向一致。因此，可以抑制驅(qū)動發(fā)光元件的薄膜晶體管的電特性的不均勻。結(jié)果，可以降低發(fā)光元件的亮度不均勻，使得可以制造能夠進行顏色不均和缺陷少的高清晰顯示的發(fā)光裝實施方式9在本實施方式中，參照圖13A至圖16D說明能夠以非接觸方式傳送數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體裝置的制造過程。此外，使用圖17說明半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)，并且使用圖18A至18F說明本實施方式所示的半導(dǎo)體裝置的用途。如圖13A所示，在襯底401上形成剝離膜402。接著，以與實施方式1及2相同的方式，在剝離膜402上形成絕緣膜403，在絕緣膜403上形成薄膜晶體管404。接著，形成層間絕緣膜405以絕緣包含在薄膜晶體管404中的導(dǎo)電膜，然后形成連接到薄膜晶體管404的半導(dǎo)體層的源電極及漏電極406。然后，形成絕緣膜407以覆蓋薄膜晶體管404、層間絕緣膜405、以及源電極及漏電極406，形成隔著絕緣膜407連接到源電極及漏電極406的導(dǎo)電膜408。注意，作為襯底401，可以^使用與襯底100相同的襯底。作為襯底，可以使用在其一個表面上形成有絕緣膜的金屬襯底或不銹鋼襯底、可以承受本過程的處理溫度的塑料襯底等。這里，玻璃襯底用作襯底401。剝離膜402通過濺射法、等離子體CVD法、涂敷法、印刷法等4吏用由選自鵠(W)、鉬(Mo)、鈥(Ti)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鎳(Ni)、鈷(Co)、硅(Si)中的元素；以上述元素為其主要成分的合金材料；或者以上述元素為其主要成分的化合物材料構(gòu)成的層以單層或疊層結(jié)構(gòu)形成。注意，作為剝離膜402的包含硅的層的晶體結(jié)構(gòu)可以為非晶體、微晶體、多晶體。當剝離膜402具有單層結(jié)構(gòu)時，優(yōu)選地形成鎢層、鉬層、或者包含鴒和鉬的混合物的層。當剝離膜402具有疊層結(jié)構(gòu)時，優(yōu)選地，形成鎢層、鉬層、或者包含鎢和鉬的混合物的層作為第一層，并且形成鎢、鉬、或者鎢和鉬的混合物的氧化物層、氮化物層、氧氮化物層、或者氮氧化物層作為第二層。當作為剝離膜402形成包含鎢的層和包含鎢的氧化物的層的疊層結(jié)構(gòu)時，可以通過形成包含鎢的層，在其上形成包含氧化物的絕緣膜，使得包含鎢的氧化物的層形成在鎢層和絕緣膜的界面處。此外，可以通過對包含鵠的層表面進行熱氧化處理、氧等離子體處理、1\20等離子體處理、使用具有強氧化能力的溶液如臭氧水等的處理、使用加氬的水的處理等，來形成包含鎢的氧化物的層。當形成包含鎢的氮化物、氧氮化物、以及氮氧化物的層時與此相同，優(yōu)選在形成包含鎢的層之后，在其上形成氮化硅層、SiN、Oy(x〈y)層、SiNxOy(x>y)層。鵠的氧化物由WOx表示。其中x滿足2舀x^3。x可能是2(W02)、2.5(W205)、2.75(W40)、3(W03)等。這里，通過濺射法形成厚度為20nm至100nm，優(yōu)選為40nm至80nm的鵠膜。注意，雖然在上述工序中，以與襯底401接觸的方式形成剝離膜402,但是本發(fā)明不局限于該工序，也可以以與襯底401接觸的方式形成成為基底的絕緣膜，并且以與該絕緣膜接觸的方式形成剝離膜402。形成在剝離膜上的絕緣膜403可以以與絕緣膜101相同的方式形成。這里，通過在一氧化二氮氣流中產(chǎn)生等離子體在剝離膜402表面上形成氧化鎢膜，然后通過等離子體CVD法形成SiNxOy(x〈y)。薄膜晶體管404可以以與實施方式7所示的薄膜晶體管225至227相同的方式形成。源電極及漏電極406可以以與實施方式7所示的布線234至239相同的方式形成。覆蓋源電極及漏電極406的層間絕緣膜405及絕緣膜407既可通過涂敷并焙燒聚酰亞胺、丙烯酸、或者硅氧烷聚合物形成，又可通過濺射法、等離子體CVD法、涂敷法、印刷法等使用無機化合物的單層或疊層形成。無機化合物的典型實例包括氧化硅、氮化硅、以及SiNxOy(x<y)。接下來，如圖13B所示，在導(dǎo)電膜408上形成導(dǎo)電膜411。這里，通過印刷法印刷包含金微粒的組合物，并且在200°C的溫度下加熱30分鐘，以焙燒組合物來形成導(dǎo)電膜411。接下來，如圖13C所示，形成絕緣膜412以覆蓋絕緣膜407及導(dǎo)電膜411端部。這里，使用環(huán)氧樹脂形成覆蓋絕緣膜407和導(dǎo)電膜411端部的絕緣膜412。此時，通過旋涂法涂敷環(huán)氧樹脂的組合物，并且在160°C的溫度下加熱30分鐘，然后去除覆蓋導(dǎo)電膜411的部分絕緣膜使得導(dǎo)電膜411暴露，同時形成厚度為1至20pin，優(yōu)選為5至10nm的絕緣膜412。這里，將從絕緣膜4(B到絕緣膜412的疊層體稱作元件形成層410。接下來，如圖13D所示，使用激光束413照射絕緣膜403、405、407、以及412,以形成如圖13E所示的開口部414，然后對絕緣膜412貼合粘合構(gòu)件415，以便容易進行后面的剝離工序。為了形成開口部414而照射的激光束優(yōu)選為具有由絕緣膜403、405、407、或者412吸收的波長的激光束，典型地，適當?shù)剡x擇使用紫外區(qū)、可見區(qū)、或者紅外區(qū)的激光束來照射。作為能夠發(fā)射這種激光束的激光振蕩器，可以使用如下激光器準分子激光振蕩器如KrF、ArF、XeCl等；氣體激光振蕩器如He、He-Cd、Ar、He-Ne、HF、<:02等；固態(tài)激光振蕩器如晶體例如YAG、GdV04、YV04、YLF、YA103等摻雜有Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti或Tm的晶體激光器、玻璃激光器、紅寶石激光器等；或者半導(dǎo)體激光振蕩器如GaN、GaAs、GaAlAs、InGaAsP等。注意，當使用固態(tài)激光振蕩器時，優(yōu)選適當?shù)厥褂没ǖ轿宕沃C波的任何一種。激光照射使得絕緣膜403、405、407、412吸收激光束413以熔化，而形成開口部。通過省略使用激光束413照射絕緣膜403、405、407、412的工序，可以提高生產(chǎn)率。接下來，如圖14A所示，在剝離膜402和絕緣膜403的界面處形成的金屬氧化物膜中，通過物理方法從具有剝離膜402的襯底401剝離元件形成層的一部分421。所述物理方法是指改變某種力學(xué)能(機械能)的力學(xué)方法或機械方法。典型的物理方法是施加機械力(例如，由人手或夾持工具剝離的處理、或者通過旋轉(zhuǎn)輥來分離的處理)。雖然在本實施方式9中在剝離膜和絕緣膜之間形成金屬氧化物膜，由物理方法剝離元件形成層410，但是本發(fā)明不局限于此。也可以使用如下方法，即具有透光性的襯底用作襯底，包含氫的非晶硅膜用作剝離膜，并且在圖13E所示的工序之后，使用激光束從襯底一側(cè)照射，使得包含在非晶硅膜中的氫蒸發(fā)，來在襯底和剝離膜之間發(fā)生剝離。此外，在圖13E所示的工序之后，可以使用通過機械磨削來去除襯底的方法，或者通過使用溶液如HF等溶解襯底來去除襯底的方法。在此情況下，可以不使用剝離膜。此外，還可以使用如下方法在圖13E中將粘合構(gòu)件415貼附到絕緣膜412之前，對開口部414中引入氟化物氣體如NF"BrF3、C1F3等，使得由氟化物氣體蝕刻并去除剝離膜，然后對絕緣膜412貼附粘合構(gòu)件415，從襯底剝離元件形成層的一部分421。此外，還可以使用如下方法在圖13E中將粘合構(gòu)件415貼附到絕緣膜412之前，對開口部414中引入氟化物氣體如NF3、BrF3、C1F3等，使得由氟化物氣體蝕刻并去除剝離膜的一部分，然后對絕緣膜412貼附粘合構(gòu)件415,通過物理方法從襯底剝離出元件形成層的一部分421。接下來，如圖14B所示，在元件形成層的一部分421的絕緣膜403上貼附撓性襯底422，然后，從元件形成層的一部分421剝離出粘合構(gòu)件415。這里，作為撓性襯底422使用通過鑄造法由聚苯胺形成的薄膜，然后，如圖14C所示，將撓性襯底422貼附到切割框432的UV薄片431。由于該UV薄片431具有粘性，所以撓性襯底422固定在UV薄片431上。此后，可以通過使用激光束照射導(dǎo)電膜411來提高導(dǎo)電膜411和導(dǎo)電膜408之間的密合性。接著，如圖14D所示，在導(dǎo)電膜411上形成連接端子433。通過形成連接端子433，可以容易地進行與后面用作天線的導(dǎo)電膜的位置調(diào)節(jié)和接合。接下來，如圖15A所示，切割元件形成層的一部分421。這里，通過使用激光束434照射元件形成層的一部分421及撓性襯底422,來如圖15B所示將元件形成層的一部分421分成多個部分。作為該激光束434,可以適當?shù)厥褂米鳛榧す馐?13示出的激光束。這里，優(yōu)選使用能夠由絕緣膜403、405、407、412、以及撓性襯底422吸收的激光束。這里，雖然通過激光切割法將元件形成層的一部分分成多個部分，但是可以適當?shù)卮媸褂们衅?、劃線法等。結(jié)果，切割了的元件形成層表示為薄膜集成電路422a和422b。接下來，如圖15C所示，使用UV光照射切割框432的UV薄片，以降低UV薄片431的粘合性，然后，由擴張框444支撐UV薄片431。此時，通過拉伸UV薄片431的同時使用擴張框444支撐UV薄片431，可以擴展在薄膜集成電路442a和442b之間形成的凹槽441的寬度。擴展了的凹槽446優(yōu)選對應(yīng)于后面貼附到薄膜集成電路442a和442b的天線襯底的大小。接下來，如圖16A所示，使用各向異性導(dǎo)電粘合劑455a和455b貼合具有用作天線的導(dǎo)電膜452a和452b的撓性襯底456與薄膜集成電路442a和442b。注意，在具有用作天線的導(dǎo)電膜452a和452b的撓性襯底456中設(shè)置有開口部，以便部分地暴露導(dǎo)電膜452a和452b。此外，在撓性襯底456上形成有覆蓋用作天線的導(dǎo)電膜452a和452b的絕緣膜453。因此，調(diào)節(jié)具有用作天線的導(dǎo)電膜452a和452b的撓性襯底456的位置與薄膜集成電路442a和442b的連接端子的位置的同時貼合雙方，以使雙方由包含在各向異性導(dǎo)電粘合劑455a和455b中的導(dǎo)電微粒454a和454b連接。這里，用作天線的導(dǎo)電膜452a和薄膜集成電路442a由各向異性導(dǎo)電粘合劑455a中的導(dǎo)電微粒454a連接，而用作天線的導(dǎo)電膜452b和薄膜集成電路442b由各向異性導(dǎo)電粘合劑455b中的導(dǎo)電孩吏粒454b連接。接下來，如圖16B所示，在沒有形成用作天線的導(dǎo)電膜452a和452b以及薄膜集成電路442a和442b的區(qū)域中切割絕緣膜453和撓性襯底456。這里，通過激光切割法切割它們，其中使用激光束461照射絕緣膜453和撓性襯底456。通過上述工序，如圖16C所示，可以制造能夠以非接觸方式傳輸數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體裝置462a和462b。注意，在圖16A中，也可以使用各向異性導(dǎo)電粘合劑455a和455b貼合具有用作天線的導(dǎo)電膜452a和452b的撓性襯底456與薄膜集成電路442a和442b，然后提供撓性襯底463以便密封撓性襯底456和薄膜集成電路442a和442b，如圖16B所示，使用激光束461照射沒有形成用作天線的導(dǎo)電膜452a和452b以及薄膜集成電路442a和442b的區(qū)域，來制造如圖16D所示的半導(dǎo)體裝置464。在此情況下，薄膜集成電路由切割了的撓性襯底456和463密封，因此，可以抑制薄膜集成電路的退化。通過上述工序，可以高成品率地制造薄型且輕量的半導(dǎo)體裝置。在本實施方式所示的半導(dǎo)體裝置中，使用觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域形成n型薄膜晶體管，使用觀察面A的晶面取向為{211}或(101!的晶體區(qū)域形成p型薄膜晶體管。結(jié)果，可以制造提高每個晶體管的遷移率的半導(dǎo)體裝置。此外，本實施方式的薄膜晶體管的晶體的晶面取向分別在彼此垂直的三個面上朝某一定的方向一致。因此，可以抑制薄膜晶體管的電特性的不均勻。接下來，參考圖17說明能夠以非接觸方式傳輸數(shù)據(jù)的上述半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。本實施方式9的半導(dǎo)體裝置主要由天線部2001、電源部2002、以及邏輯部2003構(gòu)成。天線部2001包括接收外部信號并發(fā)送數(shù)據(jù)的天線2011。半導(dǎo)體裝置的信號傳輸方法可以是電磁耦合法、電磁感應(yīng)法或微波方法等。實施者可以考慮使用用途來適當?shù)剡x擇該傳輸方法，并且根據(jù)傳輸方法提供最合適的天線。電源部2002包括基于通過天線2011從外部接收的信號產(chǎn)生電源的整流電路2021;用于存儲產(chǎn)生了的電源的存儲電容器2022;以及產(chǎn)生供應(yīng)到每個電路的恒壓的恒壓電路2023。邏輯部2003包括解調(diào)接收了的信號的解調(diào)電路2031;產(chǎn)生時鐘信號的時鐘發(fā)生/補償電路2032;代碼識別及判斷電路2033;基于接收信號產(chǎn)生從存儲器中讀取數(shù)據(jù)的信號的存儲控制器2034;將編碼了的信號調(diào)制成發(fā)送方式的調(diào)制電路2035;編碼讀取了的數(shù)據(jù)的編碼電路2037;以及存儲數(shù)據(jù)的掩模ROM2038。注意，調(diào)制電路2035具有用于調(diào)制的電阻器2036。由代碼識別及判斷電路2033識別并判斷的代碼是幀終止信號(EOF;幀結(jié)束)、幀開始信號(SOF;幀開始)、標志、命令代碼、掩碼長度、掩碼值等。此外，代碼識別及判斷電路2033還具有用于識別傳輸錯誤的循環(huán)冗余校驗(CRC)功能。接下來，參照圖18A至18F說明能夠以非接觸方式傳輸數(shù)據(jù)的上述半導(dǎo)體裝置的用途。能夠以非接觸方式傳輸數(shù)據(jù)的上述半導(dǎo)體裝置9210的用途#>廣，可以提供在物品中而使用，該物品例如是紙幣、硬幣、有價證券、不記名債券、證件(如駕照或居留卡等，參照圖^A)、包裝容器(如包裝紙或瓶等，參照圖18C)、存儲介質(zhì)(如DVD軟件或視頻磁帶等，參照圖18B)、交通工具(如自行車等，參照圖18D)、個人用品(如包或眼鏡等)、食品、植物、動物、人體、衣服、生活用品、商品如電子設(shè)備等和貨物的標簽(參照圖18E和18F)。本實施方式9所示的半導(dǎo)體裝置9210通過安裝在印刷電路板上、貼附到其表面上、嵌入其中等固定到產(chǎn)品。例如，如果產(chǎn)品是書，半導(dǎo)體裝置通過嵌入紙張內(nèi)而固定到書，并且如果產(chǎn)品是由有機樹脂制造的包裝，半導(dǎo)體裝置通過嵌入該有機樹脂內(nèi)而固定到包裝。因為本實施方式的半導(dǎo)體裝置9210可以實現(xiàn)小型、薄型且輕量，所以即使在固定到產(chǎn)品之后，也不會有損于產(chǎn)品自身的設(shè)計質(zhì)量。此外，通過將本實施方式9的半導(dǎo)體裝置9210提供到紙幣、硬幣、有價證券、不記名債券、證件等，可以提供證明功能，并且可以通過使用證明功能防止偽造。而且，當將本實施方式的半導(dǎo)體裝置提供在包裝容器、記錄介質(zhì)、個人用品、食品、衣服、生活用品、電子設(shè)備等中時，可以提高系統(tǒng)如檢查系統(tǒng)等的效率。實施方式10作為具有上述實施方式7至9所示的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，可以舉出電視裝置(也簡稱為TV或電視接收器)、影像拍攝裝置如數(shù)字照相機和數(shù)字攝影機等、移動電話裝置(也簡稱為移動電話機或移動電話)、移動信息終端如PDA等、移動游戲機、計算機的顯示器、計算機、聲音播放設(shè)備如汽車音頻設(shè)備等、提供有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置如家用游戲機等。在實施方式10中，參照圖19A至19F說明這些具體實例。圖19A所示的移動信息終端包括主體9201、顯示部9202等。通過將上述實施方式7及8所示的半導(dǎo)體裝置用于顯示部9202,可以提供能夠以高清晰度顯示的移動信息終端。圖19B所示的數(shù)字攝影機包括顯示部9701、顯示部9702等。通過將上述實施方式7及8所示的半導(dǎo)體裝置用于顯示部9701，可以提供能夠以高清晰度顯示的數(shù)字攝影機。圖19C所示的移動終端包括主體9101、顯示部9102等。通過將上述實施方式7及8所示的半導(dǎo)體裝置用于顯示部9102，可以提供可靠性高的移動終端。圖19D所示的移動電視裝置包括主體9301、顯示部9302等。通過將上述實施方式7及8所示的半導(dǎo)體裝置用于顯示部9302，可以提供能夠以高清晰度顯示的移動電視裝置。這種電視裝置可以廣泛地應(yīng)用于安裝到移動終端如移動電話等的小尺寸電視裝置、便攜的中等尺寸電視裝置、以及大尺寸電視裝置(例如40英寸以上)。圖19E所示的便攜式計算機包括主體9401、顯示部9402等。通過將上述實施方式7及8所示的半導(dǎo)體裝置用于顯示部9402，可以提供能夠以高圖像質(zhì)量顯示的便攜式計算機。圖19F所示的電視裝置包括主體9501、顯示部9502等。通過將上述實施方式7及8所示的半導(dǎo)體裝置用于顯示部9502，可以提供能夠以高清晰度顯示的電視裝置。這里，參照圖20說明電視裝置的結(jié)構(gòu)。圖20是表示電視裝置的主要結(jié)構(gòu)的框圖。調(diào)諧器9511接收視頻信號和音頻信號。視頻信號通過視頻檢測電路9512、將從^L頻檢測電路9512輸出的信號轉(zhuǎn)換成與紅色、綠色或藍色相對應(yīng)的彩色信號的視頻信號處理電路9513、以及根據(jù)驅(qū)動IC的輸入規(guī)格轉(zhuǎn)換視頻信號的控制電路9514而處理?？刂齐娐?514將信號輸出到顯示面板9515的掃描線驅(qū)動電路9516和信號線驅(qū)動電路9517。在數(shù)字驅(qū)動的情況下，可以在信號線一側(cè)提供信號分割電路9518，使得輸入數(shù)字信號分割成m個信號來供應(yīng)。掃描線驅(qū)動電路9516和信號線驅(qū)動電路9517是用來驅(qū)動像素部9519的電路。在由調(diào)諧器9511接收的信號中，音頻信號發(fā)送到音頻檢測電路9521，并且其輸出通過音頻信號處理電路9522供應(yīng)到揚聲器9523?？刂齐娐?524從輸入部9525接收控制信息例如接收站(接收頻率)和音量，并且將信號發(fā)送到調(diào)諧器9511和音頻信號處理電路9522。所述電視裝置通過包括顯示面板9515而形成，因此，可以實現(xiàn)電視裝置的低耗電量化，并且可以制造能夠以高清晰度顯示的電視裝置。此外，本發(fā)明不局限于電視裝置，并且可以適用于個人計算機的顯示器等各種用途，尤其是具有大面積的顯示介質(zhì)如在火車站、機場等的信息顯示板、或者在街道上的廣告顯示板等。接下來，參照圖21說明移動電話裝置作為安裝有本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備的一種方式。移動電話裝置包括框體2700和2706、面板2701、外殼2702、印刷電路板2703、操作按鈕2704、以及電池2705(參照圖21)，其中面板2701可裝卸地組合到外殼2702中，并且外殼2702固定到印刷電路板2703。外殼2702的形狀和大小根據(jù)面板2701組合于其中的電子設(shè)備適當?shù)馗淖?。印刷電路?703安裝有封裝的多個半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置可以用作它們中的一個。安裝在印刷電路板2703上的多個半導(dǎo)體裝置具有控制器、中央處理單元(CPU)、存儲器、電源電路、音頻處理電路、收發(fā)電路等的任何功能。面板2701通過連接薄膜2708連接到印刷電路板2703。上述面板2701、外殼2702、以及印刷電路板2703與操作按鈕2704和電池2705—起位于框體2700和2706的內(nèi)部。面板2701所包括的像素區(qū)域2709布置為能夠從提供在框體2700中的開口窗口觀察。在面板2701中，可以通過使用TFT在襯底上一體形成像素部和部分外圍驅(qū)動電路(多個驅(qū)動電路中具有低工作頻率的驅(qū)動電路)，而在IC芯片上形成部分外圍驅(qū)動電路(多個驅(qū)動電路中具有高工作頻率的驅(qū)動電路)?？梢酝ㄟ^COG(玻璃上芯片)將IC芯片安裝在面板2701上，或者可以通過使用TAB(帶式自動接合)或印刷電路板將IC芯片和玻璃襯底連接。圖22A表示部分外圍驅(qū)動電路與像素部在襯底上一體形成，并且由COG等安裝形成有其它外圍驅(qū)動電路的IC芯片的面板結(jié)構(gòu)的實例。圖22A所示的面板包括襯底3900、信號線驅(qū)動電路3901、像素部3902、掃描線驅(qū)動電路3903、掃描線驅(qū)動電路3904、FPC3905、IC芯片3906、IC芯片3卯7、密封襯底3908、以及密封劑3909。通過使用這種結(jié)構(gòu)，可以降低顯示裝置的功耗，并且可以增長移動電話裝置每次充電的使用時間。而且，也可以實現(xiàn)移動電話裝置的低成本化。此外，為了進一步減小功耗，如圖22B所示，可以使用TFT在村底上形成像素部，并且在IC芯片上形成整個外圍驅(qū)動電路，然后通過COG(玻璃上芯片)等將IC芯片安裝在顯示面板上。注意，圖22B中的顯示面板包括襯底3910、信號線驅(qū)動電路3911、像素部3912、掃描線驅(qū)動電路3913、掃描線驅(qū)動電路3914、FPC3915、IC芯片3916、IC芯片3917、密封襯底3918、以及密封劑3919。如此描述，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征在于小型、薄型且輕量。通過使用這些特征，可以有效地利用電子設(shè)備的框體2700和2706內(nèi)部的有限空間。而且，可以減少成本，并且可以制造包括具有高性能和高可靠性的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備。實施例1在本實施例中，參照圖23A至23F說明在觀察面A上具有晶面取向{001}的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例1的晶體硅膜的制造方法。如實施方式5的圖5A至5D中已經(jīng)說明那樣，通過平行平板型等離子體CVD裝置在襯底上形成SiNxOy(x>y)膜和SiNxOy(x<y)膜的疊層膜作為絕緣膜。作為襯底使用康寧公司制造的厚度為0.7mm的玻璃襯底。此時的成膜條件為如下。〈SiNxOy(x>y)膜〉厚度50謹氣體種類(流量)SiH4(10sccm)、NH3U00sccm)、N20(20sccm)、H2(400sccm)襯底溫度300°C壓力40PaRF頻率27MHzRF功率50W電極之間多巨離30mm電極面積、615.75cm2〈SiNxOy(x<y)膜〉厚度IOO腿氣體種類(流量)SiH4(4sccm)、N20(800sccm)襯底溫度400°C壓力40PaRF頻率27MHzRF功率50W電極之間多巨離15mm電極面積615.75cm2接下來，通過平行平板型等離子體CVD裝置形成非晶硅膜作為非晶半導(dǎo)體膜。非晶硅膜的成膜條件為如下。〈非晶硅膜〉厚度66nm氣體種類(流量):SiH4(25sccm)、H2(150sccm)襯底溫度250°C壓力66.7PaRF頻率27MHzRF功率30W電極之間多巨離25mm電極面積615.75cm2接下來，通過平行平板型等離子體CVD裝置在非晶半導(dǎo)體膜上形成SiNxOy(x<y)膜作為覆蓋膜103。此時的成膜條件為如下?！碨iNxOy(x<y)膜〉厚度500nm氣體種類(流量)SiH4(4sccm)、N20(800sccm)襯底溫度400°C壓力40PaRF頻率60MHzRF功率150W電極之間多巨離28mm電極面積844.53cm2以上述條件形成的覆蓋膜的蝕刻速度當使用7.13%的氟化氫銨和15.4%的氟化銨的混合水溶液在20°C的溫度下進行蝕刻時，為115nm/sec以上且130nm/sec以下，當使用10vol。/o至20vol。/o的氫氟酸水溶液在20°C的溫度下進行蝕刻時，為90nm/sec以上且100nm/sec以下，并且，當使用35sccm至60sccm的CHF3、120sccm至190sccm的He，360W至540W的偏壓功率、40W至60W的ICP功率、1Pa至10Pa的壓力、10°C至30。C的溫度進行干法蝕刻時，為117nm/sec以上且128nm/sec以下此外，此時的覆蓋膜的密度為2.2g/cm3。將獲得了的覆蓋膜103的組成表示于表格3。表格3所示的膜組成為在加熱處理和激光照射之前的值。表格3所示的組成比通過使用盧瑟福背散射分析(RBS)和氫前散射分析(HFS)測定。測定靈敏度大約為±2%。[表格31覆蓋膜的組成比(％)SiOH32.166.01.9在形成覆蓋膜103之后，在600。C的電爐中加熱四個小時。使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜103照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為20cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500pm且寬度為20nm左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜103之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50nmx50iim及0.5iam，測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖23A至23F表示分析晶體硅膜的晶面取向的結(jié)果。圖23A是表示在測定區(qū)域中的觀察面A的晶面取向(001)的分布的取向分布圖像，圖23B和23C分別是表示在測定區(qū)域中的觀察面B及觀察面C的晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的分布的取向分布圖像。此外，圖23D至23F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖23A至23C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖23D至23F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖23A至23F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖23A中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}的晶體。在圖23B及23C中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶體。圖23D是求觀察面A中的晶面取向{001}的晶體的定向比的結(jié)果。彩色區(qū)域是表示晶面取向{001}的角度波動為±10。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。圖23E和23F分別是求觀察面B及C中的晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶體的定向比的結(jié)果。此外，根據(jù)每個晶面取向改變顏色，來區(qū)分對應(yīng)于{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶面取向的區(qū)域。這里，晶面取向的重復(fù)部分除外。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格4。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。此外，在觀察面B及C中，還表示晶面取向^01}(x=0、1、2、3)的定向比。[表格4<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>由表格4可知，在觀察面A中，土10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有73%。此外，在觀察面B中，晶面取向{201}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有63°/。。另外，在觀察面C中，晶面取向{201}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有62%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x<y)，使用掃描速度為20cm/sec、激光功率為9.6W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，可以形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成，見察面B中的晶面取向{201}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，并且觀察面C中的晶面取向{201}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下的晶體區(qū)域。實施例2在本實施例中，關(guān)于使用與實施例1不同的掃描速度及功率的激光束形成的晶體半導(dǎo)體膜，參照圖24A至24F說明當形成觀察面A中的晶面取向為{001}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例2的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、非晶半導(dǎo)體膜、以及覆蓋膜。此時的形成工序及形成條件與實施例1相同。接下來，在600。C的電爐中加熱四個小時，然后，使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為10cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為6.8W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500|am且寬度為20|am左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50pmx50iLim及0.5nm，測定如圖8所示彼此垂直的三個，見察面A至C的EBSP圖#>。圖24A至24F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖24A至24C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像。圖24A是表示在測定區(qū)域中的觀察面A的晶面取向(001)的分布的取向分布圖像，圖24B和24C分別是表示在測定區(qū)域中的觀察面B及觀察面C的晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的分布的取向分布圖像。此外，圖24D至24F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖24A至24C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖24D至24F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖24A至24F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖24A中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}的晶體。在圖24B及24C中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶體。圖24D是求觀察面A中的晶面取向{001}的晶體的定向比的結(jié)果。彩色區(qū)域是表示晶面取向{001}的角度波動為士10。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。圖24E和24F分別是求觀察面B及C中的晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶體的定向比的結(jié)果。此外，根據(jù)每個晶面取向改變顏色，來區(qū)分對應(yīng)于{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶面取向的區(qū)域。這里，晶面取向的重復(fù)部分除外。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格5。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。此外，在觀察面B及C中，還表示晶面取向fx01)(x=0、1、2、3)的定向比。<table>tableseeoriginaldocumentpage69</column></row><table>由表格5可知，在觀察面A中，士10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，即，占有65%。此外，在觀察面B中，晶面取向(x01)(x=0、1、2、3)的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有68%。另外，在觀察面C中，晶面取向(x01)(x=0、1、2、3)的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有74%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x<y)，使用掃描速度為10cm/sec、激光功率為6.8W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成觀察面B中的晶面取向^01}(x=0、1、2、3)的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，并且觀察面C中的晶面取向^01}(x=0、1、2、3)的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下的晶體區(qū)域。實施例3在本實施例中，參照圖25A至25F說明觀察面A中具有晶面取向{001}的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例2的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、以及非晶半導(dǎo)體膜。此時的形成工序及形成條件與實施例l相同。接下來，在500°C的電爐中加熱一個小時，進一步在550°C的電爐中加熱四個小時。接著，使用氫氟酸去除上述因加熱而形成在非晶半導(dǎo)體膜表面上的氧化膜。此時的氫氟酸處理進行90秒。然后，使用包含臭氧的水溶液在非晶半導(dǎo)體膜上形成氧化膜，然后使用氫氟酸去除該氧化膜。這是為了充分地去除非晶硅膜表面上的雜質(zhì)。此時的包含臭氧的水溶液的處理時間為40秒，氫氟酸處理進行90秒。此時的成膜條件為如下?！碨iNxOy(x>y)膜〉厚度400畫氣體種類(流量)SiH4(10sccm)、NH3(100sccm)、N20(20sccm)、H2(400sccm)襯底溫度300°C壓力40PaRF頻率27MHzRF功率50W電極之間3巨離30mm電極面積、615.75cm2以上述條件形成的覆蓋膜的蝕刻速度當使用7.13%的氟化氫銨和15.4%的氟化銨的混合水溶液在20°C的溫度下進行蝕刻時，為12nm/sec以上且16nm/sec以下，當4吏用10vol。/。至20vol。/o的氫氟酸水溶液在20°C的溫度下進行蝕刻時，為80nm/sec以上且90nm/sec以下，并且，當使用35sccm至60sccm的CHF3、120sccm至190sccm的He,360W至540W的偏壓功率、40W至60W的ICP功率、1Pa至10Pa的壓力、10。C至30。C的溫度進行干法蝕刻時，為118nm/sec以上且119nm/sec以下此外，此時的覆蓋膜的密度為2.1g/cm3。將獲得了的覆蓋膜103的組成表示于表格6。表格6所示的膜組成為在加熱處理和激光照射之前的值。表格6所示的組成比通過使用盧瑟福背散射分析(RBS)和氫前散射分析(HFS)測定。測定靈敏度大約為±2%。[表格6]覆蓋膜的組成比(％)SiNOH32.245.55.217.2在形成覆蓋膜之后，在600。C的電爐中加熱四個小時。使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為10cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為6.4W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500pm且幅度為20jnm左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50nmx50pin及0.5iiin，測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖25A至25F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖25A是表示在測定區(qū)域中的觀察面A的晶面取向{001}的分布的取向分布圖像，圖25B和25C分別是表示在測定區(qū)域中的觀察面B及觀察面C的晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的分布的取向分布圖像。此外，圖25D至25F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖25A至25C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖25D至25F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖25A至25F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖25A中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}的晶體。在圖25B及25C中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶體。圖25D是求觀察面A中的晶面取向{001}的晶體的定向比的結(jié)果。彩色區(qū)域是表示晶面取向{001}的角度波動為土10。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。圖25E和25F分別是求觀察面B及C中的晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶體的定向比的結(jié)果。此外，根據(jù)每個晶面取向改變顏色，來區(qū)分對應(yīng)于{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶面取向的區(qū)域。這里，晶面取向的重復(fù)部分除外。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格7。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。此外，還表示在觀察面B及C中的晶面取向(x01〉(x=0、1、2、3)的定向比。[表格7<table>tableseeoriginaldocumentpage72</column></row><table>由表格7可知，在觀察面A中，土10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有76%。此外，在觀察面B中，晶面取向{301}的比例為四成以上且十成以下，即，占有46%。另外，在觀察面C中，晶面取向{301}的比例為四成以上且十成以下，即，占有57%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x>y)，使用掃描速度為10cin/sec、激光功率為6.4W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成只見察面B中的晶面取向《x01)(x=0、1、2、3)的比例為四成以上且十成以下，并且觀察面C中的晶面取向^01}(x=0、1、2、3)的比例為四成以上且十成以下的晶體區(qū)域。實施例4在本實施例中，參照圖26A至26F說明當使用與實施例1至3不同的條件形成觀察面A中的晶面取向為{001}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例4的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、以及非晶半導(dǎo)體膜。此時的形成工序及形成條件與實施例3相同。接下來，在500°C的電爐中加熱一個小時，然后，使用氫氟酸去除非晶半導(dǎo)體膜表面上的氧化膜。接下來，以與實施例3相同的條件形成覆蓋膜(SiNxOy(x>y))。接下來，在600°C的電爐中加熱四個小時，然后，使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為20cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為8.8W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500nm且寬度為20nm左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50pmx50nm及0.5iam,測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖26A至26F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖26A至26C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像。圖26A是表示在測定區(qū)域中的觀察面A的晶面取向{001}的分布的取向分布圖像，圖26B和26C分別是表示在測定區(qū)域中的觀察面B及觀察面C的晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的分布的取向分布圖像。此外，圖26D至26F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖26A至26C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖26D至26F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖26A至26F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖26A中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}的晶體。在圖26B及26C中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶體。圖26D是求觀察面A中的晶面取向{001}的晶體的定向比的結(jié)果。彩色區(qū)域是表示晶面取向{001}的角度波動為土10。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。圖26E和26F分別是求觀察面B及C中的晶面取向{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶體的定向比的結(jié)果。此外，根據(jù)每個晶面取向改變顏色，來區(qū)分對應(yīng)于角度波動為±10。以內(nèi)的{001}、{301}、{201}、以及{101}的晶面取向的區(qū)域。這里，晶面取向的重復(fù)部分除外。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格8。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。此外，在觀察面B及C中，還表示晶面取向^01}(x=0、1、2、3)的定向比。[表格8<table>tableseeoriginaldocumentpage74</column></row><table>由表格8可知，在觀察面A中，士10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有83%。此外，在，見察面B中，晶面取向{301}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有65%。另外，在，見察面C中，晶面取向{301}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，即，占有71%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x>y)，使用掃描速度為20cm/sec、激光功率為8.8W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{001}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成觀察面B中的晶面取向{301}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下，并且觀察面C中的晶面取向{301}的比例為四成以上且十成以下，優(yōu)選為六成以上且十成以下的晶體區(qū)域。實施例5在本實施例中，參照圖27A至27F說明當在觀察面A中形成晶面取向為{211}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例5的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、非晶半導(dǎo)體膜、以及覆蓋膜(SiNxOy(x<y))。此時的形成工序及形成條件與實施例l相同。接下來，在600。C的電爐中加熱四個小時，然后，使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為10cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為8W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500nm且寬度為20jim左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50pmx50jLim及0.5jLim，測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖27A至27F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖27A至27C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像。此外，圖27D至27F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖27A至27C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖27D至27F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖27A至27F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖27A至27C中的彩色部中分別形成有具有晶面取向{211}、{111}、{101}的晶體。圖27D至27F分別是求觀察面A至C中的晶面取向{211}、{111}、{101}的晶體的定向比的結(jié)果。在圖27D至27F中，彩色區(qū)域整體是分別表示晶面取向{211}、{111}、{101}的角度波動為±10。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。此外，根據(jù)每個晶面取向改變顏色，來區(qū)分對應(yīng)于{211}、{111}、{101}的晶面取向的區(qū)域。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格9。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。[表格9觀察面A-,________47%觀察面B.(M-"…45%觀察面C55%由表格9可知，在觀察面A中，士10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{211}的比例為四成以上，即，占有47%。此外，在觀察面B中，晶面取向{111}的比例為四成以上，即，占有45%。另外，在觀察面C中，晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有55%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x<y)，使用掃描速度為10cm/sec、激光功率為8.0W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{211}的比例為四成以上且十成以下的晶體區(qū)域。而且，還可以形成觀察面B中的晶面取向{111}的比例為四成以上且十成以下，并且觀察面C中的晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下的晶體區(qū)域。實施例6在本實施例中，參照圖28A至28F說明當使用與實施例5不同的條件形成觀察面A中的晶面取向為{211}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例6的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、非晶半導(dǎo)體膜、以及覆蓋膜(SiNxOy(x<y))。此時的形成工序及形成條件與實施例l相同。接下來，在600。C的電爐中加熱四個小時，然后，使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將村底的移動速度設(shè)定為20cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為10.4W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500|um且寬度為20nm左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50jLimx50^im及0.5nm，測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖28A至28F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖28A至28C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像，每個分布圖像的邊長為50nm。此外，圖28D至28F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖28A至28C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖28D至28F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖28A至28F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖28A至28C中的彩色部中分別形成有具有晶面取向{211}、{111}、{101}的晶體。圖28D至28F分別是求觀察面A至C中的晶面取向{211}、{111}、{101}的晶體的定向比的結(jié)果。在圖28D至28F中，彩色區(qū)域整體分別是表示晶面取向{211}、{111}、{101}的角度波動為±10°以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。此夕卜，根據(jù)每個晶面取向改變顏色，來區(qū)分對應(yīng)于{211}、{111}、{101}的晶面取向的區(qū)域。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格10。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。[表格10]<table>tableseeoriginaldocumentpage78</column></row><table>由表格10可知，在觀察面A中，士10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{211}的比例為四成以上且十成以下，即，占有49%。此外，在觀察面B中，晶面取向{111}的比例為四成以上且十成以下，即，占有48%。另外，在觀察面C中，晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下，即，占有57%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x<y)，使用掃描速度為20cm/sec、激光功率為10.4W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{211}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成觀察面B中的晶面取向{111}的比例為四成以上且十成以下，即，占有48%，并且觀察面C中的晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下，即，占有57%的晶體區(qū)域。實施例7在本實施例中，參照圖29A至29F說明當使用與實施例5及6不同的條件形成觀察面A中的晶面取向為{211}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例7的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、以及非晶半導(dǎo)體膜。此時的形成工序及形成條件與實施例l相同。接下來，在500°C的電爐中加熱一個小時，并且在550。C的電爐中加熱四個小時，然后，使用與實施例1相同的條件形成覆蓋膜(SiNxOy(x<y))。接下來，使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為35cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為15W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500nm且寬度為20jim左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50lamx50nm及0.5nm，測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖29A至29F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖29A至29C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像。此外，圖29D至29F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖29A至29C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖29D至29F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖29A至29F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖29A至29C中的彩色部中分別形成有具有晶面取向{211}、{111}、{101}的晶體。圖29D至29F分別是求觀察面A至C中的晶面取向{211}、{111}、{101}的晶體的定向比的結(jié)果。在圖29D至29F中，彩色區(qū)域分別是表示晶面取向{211}、{111}、{101}的角度波動為±10°以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。此外，根據(jù)每個晶面取向改變顏色，來區(qū)分對應(yīng)于{211}、{111}、{101}的晶面取向的區(qū)域。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格11。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。表格ll<table>tableseeoriginaldocumentpage80</column></row><table>由表格ll可知，在觀察面A中，士10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{211}的比例為四成以上且十成以下，即，占有42%。此外，在觀察面B中，晶面取向{111}的比例為四成以上且十成以下，即，占有41%。另外，在觀察面C中，晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下，即，占有52%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x<y)，使用掃描速度為35cm/sec、激光功率為15W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{211}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成，見察面B中的晶面取向{111}的比例為四成以上且十成以下，即，占有41%，并且觀察面C中的晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下，即，占有52%的晶體區(qū)域。實施例8在本實施例中，參照圖30A至30F說明當使用與實施例5至7不同的條件形成觀察面A中的晶面取向為{211}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例8的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、非晶半導(dǎo)體膜、以及覆蓋膜(SiNxOy(x>y))。此時的形成工序及形成條件與實施例3相同。接下來，在600°C的電爐中加熱四個小時，然后，使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為10cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為7.2W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500nm且寬度為20nm左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50jamx50nm及0.5nm，測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖30A至30F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖30A至30C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像。此外，圖30D至30F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖30A至30C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖30D至30F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖30A至30F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖30A至30C中的彩色部中分別形成有具有晶面取向{211}、{111}、{101}的晶體。圖30D至30F分別是求觀察面A至C中的晶面取向{211}、{111}、{101}的晶體的定向比的結(jié)果。在圖30D至30F中，彩色區(qū)域分別是表示晶面取向{211}、{111}、{101}的角度波動為±10°以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。此外，根據(jù)每個晶面取向改變顏色，來區(qū)分對應(yīng)于{211}、{111}、{101}的晶面取向的區(qū)域。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格12。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。[表格12觀察面A{211}49%觀察面B{111}48%觀察面C{闊58%由表格12可知，在觀察面A中，士10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{211}的比例為四成以上，即，占有49%。此外，在觀察面B中，晶面取向{111}的比例為四成以上，即，占有48%。另外，在觀察面C中，晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有58%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x>y)，使用掃描速度為10cm/sec、激光功率為7.2W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{211}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成，見察面B中的晶面取向{111}的比例為四成以上且十成以下，即，占有48%,并且觀察面C中的晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下，即，占有58%的晶體區(qū)域。實施例9在本實施例中，參照圖31A至31F說明當使用與實施例5至8不同的條件形成觀察面A中的晶面取向為{211}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例9的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、以及非晶半導(dǎo)體膜。此時的形成工序及形成條件與實施例l相同。接下來，在500。C的電爐中加熱一個小時，以與實施例3相同的條件形成覆蓋膜(SiNxOy(x>y))。接下來，在600。C的電爐中加熱六個小時，然后，使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為20cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為10.8W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500nm且寬度為20|am左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50limx50pm及0.5nm，測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖31A至31F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖31A至31C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像。此外，圖31D至31F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖31A至31C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖31D至31F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖31A至31F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖31A至31C中的彩色部中分別形成有具有晶面取向{211}、{111}、{101}的晶體。圖31D至31F分別是求觀察面A至C中的晶面取向{211}、{111}、{101}的晶體的定向比的結(jié)果。在圖31D至31F中，彩色區(qū)域整體分別是表示晶面取向{211}、{111}、{101}的角度波動為±10。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。此外，根據(jù)每個晶面取向改變顏色，來區(qū)分對應(yīng)于{211}、{111}、{101}的晶面取向的區(qū)域。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格13。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。[表格13<table>tableseeoriginaldocumentpage83</column></row><table>由表格13可知，在，見察面A中，土10。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{211}的比例為四成以上，即，占有49%。此外，在觀察面B中，晶面取向{111}的比例為四成以上，即，占有47%。另外，在觀察面C中，晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有60%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x>y),使用掃描速度為20cm/sec、激光功率為10.8W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{211}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成觀察面B中的晶面取向{111}的比例為四成以上且十成以下，即，占有47%，并且觀察面C中的晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下，即，占有60%的晶體區(qū)域。實施例10在本實施例中，參照圖32A至32F說明當形成觀察面A中的晶面取向為{101}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例10的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、非晶半導(dǎo)體膜、以及覆蓋膜(SiNxOy(x<y))。此時的形成工序及形成條件與實施例l相同。接下來，在600°C的電爐中加熱四個小時，然后，使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為70cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為28W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500|im且寬度為20|im左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50nmx50iim及0.5nm,測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖32A至32F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖32A至32C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像。此外，圖32D至32F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖32A至32C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖32D至32F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖32A至32F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖32A及32B中的彩色部中形成有具有晶面取向{101}的晶體。在圖32C中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}的晶體。圖32D及32E分別是求觀察面A及B中的晶面取向{101}的晶體的定向比的結(jié)果。圖32F是求觀察面C中的晶面取向{001}的晶體的定向比的結(jié)果。在圖32D及32E中，彩色區(qū)域整體是表示晶面取向{101}的角度波動為土20。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。在圖32F中，彩色區(qū)域整體是表示晶面取向{001}的角度波動為±20°以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格14。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。[表格14<table>tableseeoriginaldocumentpage85</column></row><table>由表格14可知，在觀察面A中，土20。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有54%。此外，在觀察面B中，晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有45%。另外，在觀察面C中，晶面取向{001}的比例為四成以上，即，占有51%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x<y)，使用掃描速度為70cm/sec、激光功率為28W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{101}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成觀察面B中的晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下，即，占有45%,并且》見察面C中的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，即，占有51%的晶體區(qū)域。實施例11在本實施例中，參照圖33A至33F說明當以與實施例IO不同的條件形成觀察面A中的晶面取向為{101}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例11的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、非晶半導(dǎo)體膜、以及覆蓋膜(SiNxOy(x<y))。此時的形成工序及形成條件與實施例l相同。接下來，在600。C的電爐中加熱四個小時，然后，使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為90cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為28W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500pm且寬度為20fim左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50(imx50iim及0.5^im，測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖33A至33F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖33A至33C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像。此外，圖33D至33F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖33A至33C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖33D至33F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖33A至33F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖33A及33B中的彩色部中形成有具有晶面取向{101}的晶體。在圖33C中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}的晶體。圖33D及33E分別是求觀察面A及B中的晶面取向{101}的晶體的定向比的結(jié)果。圖33F是求觀察面C中的晶面取向{001}的晶體的定向比的結(jié)果。在圖33D及33E中，彩色區(qū)域整體是表示晶面取向U01》的角度波動為土20。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。在圖33F中，彩色區(qū)域整體是表示晶面取向{001}的角度波動為±20°以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格15。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。[表格15觀察面A50%觀察面B{101}42%觀察面C飼48%由表格15可知，在觀察面A中，士20。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有50%。此外，在觀察面B中，晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有42%。另外，在觀察面C中，晶面取向{001}的比例為四成以上，即，占有48%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x<y)，使用掃描速度為卯cm/sec、激光功率為28W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{101}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成，見察面B中的晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下，即，占有42%,并且觀察面C中的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，即，占有48%的晶體區(qū)域。實施例12在本實施例中，參照圖34A至34F說明當以與實施例10及11不同的條件形成觀察面A中的晶面取向為{101}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例12的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、以及非晶半導(dǎo)體膜。此時的形成工序及形成條件與實施例l相同。接下來，在500。C的電爐中加熱一個小時，并且在550。C的電爐中加熱四個小時，然后使用氫氟酸去除非晶半導(dǎo)體膜表面上的氧化膜。接下來，以與實施例3相同的條件形成覆蓋膜(SiNxOy(x")),在500。C的溫度下加熱一個小時，然后，使用來自激光照射裝置的激光束隔著覆蓋膜照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為70cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為20W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500|im且寬度為20|ain左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50nmx50nm及0.5nm,測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖34A至34F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖34A至34C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像。此外，圖34D至34F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖34A至34C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖34D至34F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖34A至34F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖34A及34B中的彩色部中形成有具有晶面取向{101}的晶體。在圖34C中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}的晶體。圖34D及34E分別是求觀察面A及B中的晶面取向{101}的晶體的定向比的結(jié)果。圖34F是求觀察面C中的晶面取向{001}的晶體的定向比的結(jié)果。在圖34D及34E中，彩色區(qū)域整體是表示晶面取向U01〉的角度波動為土20。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。在圖34F中，彩色區(qū)域整體是表示晶面取向{001}的角度波動為±20°以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格16。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。表格16<table>tableseeoriginaldocumentpage89</column></row><table>由表格16可知，在，見察面A中，±20°以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有49%。此外，在觀察面B中，晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有47%。另外，在觀察面C中，晶面取向{001}的比例為四成以上，即，占有55%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x>y)，使用掃描速度為70cm/sec、激光功率為20W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成觀察面A的晶面取向為{101}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成觀察面B中的晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下，即，占有47%，并且，見察面C中的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，即，占有55%的晶體區(qū)域。實施例13在本實施例中，參照圖35A至35F說明當以與實施例10至12不同的條件形成觀察面A中的晶面取向為{101}的晶體時的晶體硅膜的晶面取向的定向比。首先，說明實施例13的晶體硅膜的制造方法。在襯底上形成絕緣膜、以及非晶半導(dǎo)體膜。此時的形成工序及形成條件與實施例l相同。接下來，在500。C的電爐中加熱一個小時，然后，使用氫氟酸去除非晶半導(dǎo)體膜表面上的氧化膜，然后，使用包含臭氧的水溶液在非晶半導(dǎo)體膜上形成氧化膜。接下來，以與實施例3相同的條件形成覆蓋膜(SiNxOy(x>y))，在500°C的溫度下加熱一個小時，并且在550。C的溫度下加熱四個小時，然后，使用來自激光照射裝置的激89光束隔著覆蓋膜103照射非晶硅膜并且晶化，來形成晶體硅膜。在本實施例中，將襯底的移動速度設(shè)定為90cm/sec。此外，作為兩臺激光振蕩器使用LD激發(fā)的YV04激光器，使用其二次諧波(波長為532nm)照射。激光束在照射表面上的強度為28W。并且，通過槽縫去除激光束的高斯分布中能量分布不均勻的部分，來形成在照射表面上長度為500nm且寬度為20|im左右的線形激光束。在蝕刻覆蓋膜之后，以與實施例1相同的條件進行EBSP測定，以便確認晶體硅膜的晶粒的位置、尺寸、以及晶面取向。將測定區(qū)域及測定間距分別設(shè)定為50nmx50nm及0.5jum，測定如圖8所示彼此垂直的三個觀察面A至C的EBSP圖像。圖35A至35F表示分析晶體硅膜的晶面取向(與觀察面垂直的方向的晶體軸取向)的結(jié)果。圖35A至35C是表示在測定區(qū)域中的晶面取向的分布的取向分布圖像。此外，圖35D至35F是計算出每個觀察面的晶面取向的結(jié)果，以彩色編碼表示晶體的每個晶面取向。圖35A至35C中的測定點的晶面取向由對應(yīng)于圖35D至35F的每個晶面取向的顏色表示。注意，雖然在圖35A至35F中，由于以黑白顯示且僅表示明亮度，所以識別很困難，但是在彩色顯示中，在圖35A及35B中的彩色部中形成有具有晶面取向{101}的晶體。在圖35C中的彩色部中形成有具有晶面取向{001}的晶體。圖35D及35E分別是求觀察面A及B中的晶面取向{101}的晶體的定向比的結(jié)果。圖35F是求觀察面C中的晶面取向{001}的晶體的定向比的結(jié)果。在圖35D及35E中，彩色區(qū)域整體是表示晶面取向卩01〉的角度波動為士20。以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。在圖35F中，彩色區(qū)域整體是表示晶面取向{001}的角度波動為±20°以內(nèi)的晶面取向的區(qū)域。將觀察面A至C的每個晶面取向的定向比表示于表格17。注意，對小數(shù)點后一位進行四舍五入。[表格17<table>tableseeoriginaldocumentpage91</column></row><table>由表格17可知，在觀察面A中，±20。以內(nèi)的角度波動的范圍內(nèi)的晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有58%。此外，在觀察面B中，晶面取向{101}的比例為四成以上，即，占有56%。另外，在觀察面C中，晶面取向{001}的比例為四成以上，即，占有66%。如本實施例所示，作為覆蓋膜形成SiNxOy(x>y)，使用掃描速度為90cm/sec、激光功率為28W的激光束從覆蓋膜一側(cè)照射半導(dǎo)體膜，來可以形成》見察面A的晶面取向為{101}的晶體區(qū)域。而且，還可以形成觀察面B中的晶面取向{101}的比例為四成以上且十成以下，即，占有56%，并且觀察面C中的晶面取向{001}的比例為四成以上且十成以下，即，占有66%的晶體區(qū)域。本申請基于2007年3月2日向日本專利局遞交的序列號為NO.2007-052230的日本專利申請，該申請的全部內(nèi)容通過引用被結(jié)合在本中請中。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下工序在絕緣襯底上形成非晶半導(dǎo)體膜；在所述非晶半導(dǎo)體膜中的第一非晶區(qū)域和第二非晶區(qū)域上形成覆蓋膜；在形成所述覆蓋膜的工序之后，通過使用第一連續(xù)振蕩激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的第一脈沖激光束照射所述第一非晶區(qū)域，來形成第一晶體區(qū)域；以及在形成所述覆蓋膜的工序之后，通過使用第二連續(xù)振蕩激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的第二脈沖激光束照射所述第二非晶區(qū)域，來形成第二晶體區(qū)域，其中，在所述第一晶體區(qū)域的第一晶粒的40％以上且100％以下中，平行于所述第一晶體區(qū)域表面的第一晶面取向為{001}并且，在所述第二晶體區(qū)域的第二晶粒的40％以上且100％以下中，平行于所述第二晶體區(qū)域表面的第二晶面取向為{211}或{101}。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述覆蓋膜由SiNxOy(0^x^1.5，0舀y^2,0^4x+3y^6)形成。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述覆蓋膜的厚度為200nm以上且1000nm以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括以下工序..在形成所述覆蓋膜的工序之前，加熱所述非晶半導(dǎo)體膜。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括以下工序在形成所述覆蓋膜的工序之前，對所述非晶半導(dǎo)體膜添加元素，其中所述元素是選自鎳、把、鍺、鐵、錫、鉛、鈷、鉑、銅、以及金中的一種。6.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下工序在絕緣襯底上形成非晶半導(dǎo)體膜；在所述非晶半導(dǎo)體膜中的第一非晶區(qū)域上形成第一覆蓋膜；在所述非晶半導(dǎo)體膜中的第二非晶區(qū)域上形成第二覆蓋膜；在形成所述第一覆蓋膜的工序之后，通過使用第一連續(xù)振蕩激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的第一脈沖激光束照射所述第一非晶區(qū)域，來形成第一晶體區(qū)域；以及在形成所述第二覆蓋膜的工序之后，通過使用第二連續(xù)振蕩激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的第二脈沖激光束照射所述第二非晶區(qū)域，來形成第二晶體區(qū)域，其中，在所述第一晶體區(qū)域的第一晶粒的40%以上且100%以下中，平行于所述第一晶體區(qū)域表面的第一晶面取向為{001}并且，在所述第二晶體區(qū)域的第二晶粒的40%以上且100%以下中，平行于所述第二晶體區(qū)域表面的第二晶面取向為{211}或{101}。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個由SiNxOy(0^x^1.5，0^y^2，0^4x+3y^6)形成。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個的厚度為200nm以上且1000nm以下。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括以下工序在形成所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個的工序之前，加熱所述非晶半導(dǎo)體膜。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括以下工序在形成所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個的工序之前，對所述非晶半導(dǎo)體膜添加元素，其中所述元素是選自鎳、鈀、鍺、鐵、錫、鉛、鈷、鉑、銅、以11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下工序在絕緣襯底上形成非晶半導(dǎo)體膜；在所述非晶半導(dǎo)體膜中的第一非晶區(qū)域和第二非晶區(qū)域上形成覆蓋膜；在形成所述覆蓋膜的工序之后，通過使用第一連續(xù)振蕩激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的第一脈沖激光束照射所述第一非晶區(qū)域，來形成第一晶體區(qū)域；在形成所述覆蓋膜的工序之后，通過使用第二連續(xù)振蕩激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的第二脈沖激光束照射所述第二非晶區(qū)域，來形成第二晶體區(qū)域；使用所述第一晶體區(qū)域作為n溝道型薄膜晶體管的第一溝道區(qū)域來形成n溝道型薄膜晶體管；以及使用所述第二晶體區(qū)域作為p溝道型薄膜晶體管的第二溝道區(qū)域來形成p溝道型薄膜晶體管，其中，在所述第一晶體區(qū)域的第一晶粒的40%以上且100%以下中，平行于所述第一晶體區(qū)域表面的第一晶面取向為{001}，并且，在所述第二晶體區(qū)域的第二晶粒的40%以上且100%以下中，平行于所述第二晶體區(qū)域表面的第二晶面取向為{211}或{101}。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述覆蓋膜由SiNxOy(0^x^1.5，0^y^2,0^4x+3y舀6)形成。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述覆蓋膜的厚度為200nm以上且1000nm以下。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括以下工序在形成所述覆蓋膜的工序之前，加熱所述非晶半導(dǎo)體膜。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括以下工序在形成所述覆蓋膜的工序之前，對所述非晶半導(dǎo)體膜添加元素，其中所述元素是選自鎳、鈀、鍺、鐵、錫、鉛、鈷、鉑、銅、以及金中的一種。16.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下工序在絕緣襯底上形成非晶半導(dǎo)體膜；在所述非晶半導(dǎo)體膜中的第一非晶區(qū)域上形成第一覆蓋膜；在所述非晶半導(dǎo)體膜中的第二非晶區(qū)域上形成第二覆蓋膜；在形成所述第一覆蓋膜的工序之后，通過使用第一連續(xù)振蕩激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的第一脈沖激光束照射所述第一非晶區(qū)域，來形成第一晶體區(qū)域；在形成所述第二覆蓋膜的工序之后，通過使用第二連續(xù)振蕩激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的第二脈沖激光束照射所述第二非晶區(qū)域，來形成第二晶體區(qū)域；使用所述第一晶體區(qū)域作為n溝道型薄膜晶體管的第一溝道區(qū)域來形成n溝道型薄膜晶體管；以及使用所述第二晶體區(qū)域作為p溝道型薄膜晶體管的第二溝道區(qū)域來形成p溝道型薄膜晶體管，其中，在所述第一晶體區(qū)域的第一晶粒的40%以上且100%以下中，平行于所述第一晶體區(qū)域表面的第一晶面取向為{001}并且，在所述第二晶體區(qū)域的第二晶粒的40%以上且100%以下中，平行于所述第二晶體區(qū)域表面的第二晶面取向為{211}或{101}。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個由SiNxOy(0^x^1.5，0舀y^2，0舀4x+3y^6)形成。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個的厚度為200nm以上且1000nm以下。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括以下工序在形成所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個的工序之前，加熱所述非晶半導(dǎo)體膜。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括以下工序在形成所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個的工序之前，對所迷非晶半導(dǎo)體膜添加元素，其中所迷元素是選自鎳、鈀、鍺、鐵、錫、鉛、鈷、鉑、銅、以及金中的一種。21.—種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下工序在絕緣襯底上形成非晶半導(dǎo)體膜；在所述非晶半導(dǎo)體膜中的第一非晶區(qū)域上形成第一覆蓋膜；在所述非晶半導(dǎo)體膜中的第二非晶區(qū)域上形成第二覆蓋膜；在形成所述第一覆蓋膜的工序之后，通過使用第一連續(xù)振蕩激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的第一脈沖激光束照射所述第一非晶區(qū)域，來形成第一晶體區(qū)域；在形成所述第二覆蓋膜的工序之后，通過使用第二連續(xù)振蕩激光束或重復(fù)頻率為10MHz以上的第二脈沖激光束照射所述第二非晶區(qū)域，來形成第二晶體區(qū)域；使用所述第一晶體區(qū)域作為n溝道型薄膜晶體管的第一溝道區(qū)域來形成n溝道型薄膜晶體管；以及使用所述第二晶體區(qū)域作為p溝道型薄膜晶體管的第二溝道區(qū)域來形成p溝道型薄膜晶體管，其中所述第一覆蓋膜由SiNxOy(x>y)形成，并且所述第二覆蓋膜由SiNxOy(x<y)形成，其中，在所述第一晶體區(qū)域的第一晶粒的40%以上且100%以下中，平行于所述第一晶體區(qū)域表面的第一晶面取向為{001}并且，在所述第二晶體區(qū)域的第二晶粒的40%以上且100%以下中，平行于所述第二晶體區(qū)域表面的第二晶面取向為{211}或{101}。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個由SiNXOy(0^x^1.5，0^y^2，0^4x+3y^6)形成。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個的厚度為200nm以上且lOOOnm以下。24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括以下工序在形成所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個的工序之前，加熱所述非晶半導(dǎo)體膜。25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括以下工序在形成所述第一覆蓋膜和所述第二覆蓋膜中的至少一個的工序之前，對所述非晶半導(dǎo)體膜添加元素，其中所述元素是選自鎳、鈀、鍺、鐵、錫、鉛、鈷、鉑、銅、以及金中的一種。全文摘要提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在形成于絕緣襯底上的多個半導(dǎo)體膜表面上形成覆蓋膜，使用能夠使半導(dǎo)體膜在膜厚度方向上完全熔化的激光束照射半導(dǎo)體膜，使得半導(dǎo)體膜完全熔化。在同一個襯底上形成通過控制激光束而晶體的晶面取向被控制的多個晶體半導(dǎo)體膜。此外，使用晶面取向為{001}的晶體區(qū)域制造n溝道型薄膜晶體管，并且使用晶面取向為{211}或{101}的晶體區(qū)域制造p溝道型薄膜晶體管。文檔編號H01L21/84GK101256987SQ20081008226公開日2008年9月3日申請日期2008年2月29日優(yōu)先權(quán)日2007年3月2日發(fā)明者森若智昭申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所