專利名稱：納米硅肖特基二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體為納米硅肖特基二極管。
(二)
背景技術(shù)：
肖特基二極管(SchoUkey. diode)是在金屬和半導(dǎo)體表面形成表面勢(shì)壘， 并利用其特性制成的二極管。它的器件結(jié)構(gòu)和整流特性完全不同于通常的P-N 結(jié)二極管。當(dāng)肖特基二極管處于正向?qū)〞r(shí)，電子從n型半導(dǎo)體一邊流向金屬， 這時(shí)電子是多數(shù)載流子，當(dāng)它注入金屬后不存在所謂少數(shù)載流子積累(象通常 P-N結(jié)中那樣)，不會(huì)發(fā)生在接觸勢(shì)壘兩邊電荷的存貯，從而使它的開(kāi)關(guān)時(shí)間遠(yuǎn) 比一般二極管要快。而現(xiàn)有肖特基二極管的缺點(diǎn)就是其只能在200攝氏度的條 件下工作，不耐高溫，其反向漏電為微安級(jí)的，噪音系數(shù)高，工作伏安特性不 夠理想，開(kāi)關(guān)時(shí)間超過(guò)2ns。
(三)

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種納米硅肖特基二極管，其在高溫下穩(wěn)定 性好，反向漏電程度輕，噪音系數(shù)低，伏安特性較好。 其技術(shù)方案是這樣的-
其特征在于其包括低電阻率單晶基片，所述基片上覆蓋二氧化硅薄膜層， 所述二氧化硅薄膜層設(shè)置有窗口，在所述窗口上沉積有摻雜的納米硅薄膜，所 述納米硅薄膜上覆蓋金屬膜。
其進(jìn)一步特征在于所述金屬膜可以為鈦膜、鉑膜、鎢膜或者為鈦、鉑、
鎢的混合物膜；所述摻雜的納米硅薄膜中摻雜磷、硼或砷；所述納米硅薄膜的 厚度為3納米 6納米；所述二氧化硅薄膜層的厚度為1微米；所述窗口的面積 為300X300um2。
本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)中，納米硅肖特基二極管，以低電阻率單晶為基片，在其 上沉積一層摻雜納米硅薄膜，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)溫度穩(wěn)定性好， 可在25(TC 30(TC高溫下正常工作；反向漏電為(nA)量級(jí)，并具有極低的噪音系數(shù)，擊穿為硬擊穿；開(kāi)關(guān)時(shí)間T《2ns.遠(yuǎn)低于目前市場(chǎng)上單晶硅肖特基二 極管。
(四)


圖l是本發(fā)明的示意圖。
(五)
具體實(shí)施例方式
見(jiàn)圖1，本發(fā)明包括低電阻率單晶基片1，基片1上覆蓋二氧化硅薄膜層2， 二氧化硅薄膜層2設(shè)置有窗口，在窗口上覆蓋有摻雜的納米硅薄膜3，納米硅薄 膜3上覆蓋金屬膜4。金屬膜4可以為鈦膜、鉑膜、鎢膜或者為鈦、鉑、鎢的混 合物膜；摻雜的納米硅薄膜3中摻雜磷、硼或砷；納米硅薄膜3的厚度為3納 米 6納米；二氧化硅薄膜層的厚度為1微米；窗口的面積為300X300um2。
本發(fā)明的納米硅肖特基二極管的器件結(jié)構(gòu)及生產(chǎn)方法如下
1、 以N型低電阻率C一Si為基片，(4寸片)用半導(dǎo)體平面工藝熱氧化法
生成1微米左右的二氧化硅絕緣層；
2、 用平面光刻技術(shù)，刻出一排一排小窗口約300X300300X300um"左右; 3 、使用P E C V D薄膜沉積技術(shù)在窗口上沉積3納米 6納米納米硅摻雜
膜，按產(chǎn)品要求控制摻雜濃度；
4、 用平面光刻技術(shù)除去窗口外的納米硅薄膜，留下窗口內(nèi)的納米硅薄膜;
5、 使用鍍膜技術(shù)，在納米硅上鍍上多層或單層金屬；
6 、用平面工藝進(jìn)行表面鈍化保護(hù)如Si3N，然后在大約450'C溫度下進(jìn)行熱 處理使之形成肖特基結(jié)(金屬一半導(dǎo)體結(jié))；
7、 使用平面工藝蒸發(fā)背電極形成歐姆接觸；
8、 切片，壓焊電極，封裝、完成器件結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1. 納米硅肖特基二極管，其特征在于其包括低電阻率單晶基片，所述基片上覆蓋二氧化硅薄膜層，所述二氧化硅薄膜層設(shè)置有窗口，在所述窗口上沉積有摻雜的納米硅薄膜，所述納米硅薄膜上覆蓋金屬膜。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述納米硅肖特基二極管，其特征在于所述金屬膜可 以為鈦膜、鉑膜、鎢膜或者為鈦、鉬、鎢的混合物膜。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述納米硅肖特基二極管，其特征在于所述摻雜的納 米硅薄膜中摻雜磷、硼或砷。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述納米硅肖特基二極管，其特征在于所述納米硅薄 膜的厚度為3納米 6納米。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述納米硅肖特基二極管，其特征在于所述二氧化硅 薄膜層的厚度為l微米。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述納米硅肖特基二極管，其特征在于所述窗口的面積為300X300um2。
全文摘要
本發(fā)明為納米硅肖特基二極管。其在高溫下穩(wěn)定性好，反向漏電程度輕，噪音系數(shù)低，伏安特性較好。其特征在于其包括低電阻率單晶基片，所述基片上覆蓋二氧化硅薄膜層，所述二氧化硅薄膜層設(shè)置有窗口，在所述窗口上沉積有摻雜的納米硅薄膜，所述納米硅薄膜上覆蓋金屬膜。
文檔編號(hào)H01L29/06GK101290949SQ20081002420
公開(kāi)日2008年10月22日 申請(qǐng)日期2008年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月20日
發(fā)明者何宇亮, 王樹(shù)娟 申請(qǐng)人:無(wú)錫市納微電子有限公司