專利名稱：互連結(jié)構(gòu)及制造該互連結(jié)構(gòu)的方法
互連結(jié)構(gòu)及制造該互連結(jié)構(gòu)的方法背景技術(shù)諸如易失性或非易失性存儲器陣列的存儲器陣列的存儲單元 使用互連結(jié)構(gòu)將陣列的存儲單元連接至支持電路(例如，讀出放大器、解碼器和字線(wordline))。未來技術(shù)旨在使得最小特征尺寸 (minimum feature size)變得更小以增加存儲密度和降^f氐存儲器產(chǎn) 品的成本。當將存儲器陣列按比例減小至更小的最小特征尺寸時， 互連結(jié)構(gòu)也必須4安比例減小。由于例如光刻法的可行性、觸點邊的 斜度或填充材料的抵抗力，按比例減小諸如位線和位線觸點的互連 結(jié)構(gòu)(包括最小特征尺寸)是至關(guān)重要的和有4兆戰(zhàn)性的。發(fā)明內(nèi)容在本文中描述了互連結(jié)構(gòu)，該互連結(jié)構(gòu)可以例如用于存儲單元 陣列，如易失性或非易失性存儲單元陣列。在本文中也描述了存儲 裝置、包括存儲裝置的存儲卡(card，插件)以及配置為連接至存 儲插件的電子裝置。此外，在本文中描述了制造互連結(jié)構(gòu)的方法?；ミB結(jié)構(gòu)包括均勻隔開的觸點開口的兩個交錯行，其中每個觸 點4亍沿著第一方向延伸?；ミB結(jié)構(gòu)進一步包括沿著與第一方向相交 的第二方向延伸的導電線以及中間觸點，其中每個中間觸點與一個觸點和 一才艮導電線4妄觸。附圖被包括進來以提供本發(fā)明實施例的進一步的理解并被結(jié) 合進來構(gòu)成本"i兌明書的一部分。附解說明了本發(fā)明的實施例并且與說明書 一起用來解釋本發(fā)明的原理。其它實施例和許多預期的 優(yōu)點將被容易理解，因為參照下列詳細描述它們變得更好理解。附 圖的元件不必相對^皮此成比例。相似的附圖標記表示相應的類似部件。


圖1A至圖3B示出了在制造互連結(jié)構(gòu)的示例性實施例中的一 部分襯底的平面圖和橫截面視圖。圖4A和圖4B示出了在制造互連結(jié)構(gòu)的另一實施例中的一部 分襯底的平面圖。圖5A至圖8C示出了在制造互連結(jié)構(gòu)的另外的實施例中的一 部分襯底的橫截面4見圖。圖9A至圖11示出了在制造互連結(jié)構(gòu)的另一實施例中的一部分 襯底的平面圖和橫截面視圖。圖12至圖13B示出了在根據(jù)另外實施例的制造互連結(jié)構(gòu)的過 程中的 一 部分襯底的橫截面視圖。圖14示出了圖解說明用于制造互連結(jié)構(gòu)的方法的實施例的流 禾呈圖；以及圖15示出了圖解說明制造互連結(jié)構(gòu)的方法的另外實施例的流程圖。
具體實施方式
在下列詳細的描述中針對附圖進4亍介紹，該描述構(gòu)成本說明書 的一部分并且在描述過程中通過示例的方式示出了具體實施例。在 這點上，對于所描述的附圖的方位^吏用了如"頂部"、"底部"、 "前"、"后"、"前向的"、"尾部的"等方向術(shù)語。由于實施例的部 件可以定位在許多不同的方位，所以為了圖解i兌明而4吏用了方向術(shù) 語并且完全沒有加以限制的目的。應當理解可以利用另外的實施例 并且可以進行結(jié)構(gòu)或邏輯上的變化。因此，不在限制意義上理解下 列詳細描述。沖艮據(jù)一種實施例，互連結(jié)構(gòu)包4舌均勻隔開的觸點開口的兩個交 錯行，即，第一行和第二行，其中每個觸點行在第一方向上延伸。 互連結(jié)構(gòu)進一步包括沿著與第一方向相交的第二方向延伸的導電 線以及中間觸點，其中每個中間觸點與 一個觸點和一才艮導電線才妄 觸?；ミB結(jié)構(gòu)進一 步包:l舌鄰"l妾導電線底部和中間觸點側(cè)壁的絕續(xù)_ 層。導電線、中間觸點以及觸點可以構(gòu)成將存儲單元連接至支持電 ^各的^立線和^f立線觸點。然而，導電線、中間觸點以及觸點也可以用 于將集成電路的任何類型的功能區(qū)連接至集成電路的另外的功能 區(qū)。導電線、中間觸點以及觸點可以由任何導電材料形成，如金屬、 貴金屬、金屬合金或摻雜半導體。雖然可以使用普通材料以獲得導 電線、中間觸點以及觸點，但是這些部件的材料組成也可以彼此完全或部分不同。示例性材料包括W、 TiN、 WN、 TaN、 Cu、 Ta、 Al、金屬硅化物、摻雜硅或其任何組合。導電線、中間觸點以及觸 點可以由例如襯套(liner)圍繞。與導電線底部和中間觸點側(cè)壁直 接接觸的絕緣層可以由適于使得導電區(qū)彼此電絕緣的任何材料形 成。示例性材料包括氧化物和氮化物，例如氧化石圭和氮化硅。例如， 第二方向可以垂直于第一方向。根據(jù)一種另外的實施例，兩個交錯行的觸點彼此錯位二分之一 個觸點間距。才艮據(jù)一種示例性實施例， 一行的觸點相等地間隔最小 特征尺寸的四倍，其中兩個交錯行的觸點彼此錯位最'J、特征尺寸的 兩倍。另外的實施例提供了一種互連結(jié)構(gòu)，其中，沿著第一方向的中 間觸點的尺寸小于沿著第一方向的觸點的最大尺寸。由于觸點通過 中間觸點被連接至導電線，所以可以 <吏得沿第 一 方向的觸,泉的頂部 尺寸大于導電線底部。因此，可以》文;^對于觸點頂部的臨界尺寸的 要求。才艮才居另外的實施例，中間觸點形成為相應觸點沿第 一 方向變#豆 的修整部分。因為修整部分可以通過蝕刻工藝制造，所以當觸點在 下面凈皮襯套圍繞的情況下，中間觸點的沿第 一方向的側(cè)壁并沒有凈皮 這樣的襯套所覆蓋。另外的實施例涉及互連結(jié)構(gòu)，其中，中間觸點是沿著第二方向 延伸的中間觸點線，并且是線性陣列的至少部分。由于光刻法在實 現(xiàn)包括具有最小特征尺寸部件的互連結(jié)構(gòu)時的可行性，線性陣列#是 供了益處。根據(jù)互連結(jié)構(gòu)的另外實施例，與兩個交錯行中的 一行的相應觸 點接觸的每條中間觸點線并不在與兩個交錯^亍中的另 一 行的相交 區(qū)中存在。通過省去相交區(qū)中的中間觸點線，可以防止可能由力口工 偏差引起的與兩個交錯觸點行中的另一行的觸點發(fā)生不希望有的短路。線性陣列可以進一 步包括中間觸點線和另外的線。在線性陣列 的制造過程中另外的線可以被適當；也定位以獲得對于光刻法的可 行性有利的線性陣列。一種另外的實施例涉及互連結(jié)構(gòu)，該互連結(jié)構(gòu)包括均勻隔開的 觸點的兩個交錯觸點行，即，第一觸點行和第二觸點行，其中每個 觸點4于沿著第一方向延伸?；ミB結(jié)構(gòu)進一步包"^沿著與第一方向才目 交的第二方向延伸的導電線以及中間觸點，其中每個中間觸點是鄰接一根導電線的相應觸點的修整的上部分?；ミB結(jié)構(gòu)可以進一 步包^"鄰^接導電線底部和中間觸點區(qū)側(cè)壁 的絕纟彖層。絕纟彖層可以例如是單層。根據(jù)另外的實施例，互連結(jié)構(gòu)包括均勻隔開的觸點的兩個交4昔 觸點行，即，第一觸點行和第二觸點行，其中每個觸點行沿著第一 方向延伸。互連結(jié)構(gòu)進一步包纟舌沿著與第一方向相交的第二方向延 伸的導電線以及中間觸點，其中每個中間觸點是沿著第二方向延伸 的中間觸點線，而其中每個中間觸點線與 一個觸點和一4艮導電線4妄 觸?；ミB結(jié)構(gòu)可以進一 步包4舌鄰4妄導電線底部和中間觸點線側(cè)壁 的絕纟彖層。一種另外的實施例涉及互連結(jié)構(gòu)，其中中間觸點線是線性陣列 的至少部分。根據(jù)互連結(jié)構(gòu)的 一種另外的實施例，與兩個交錯行中的一行的 相應觸點接觸的每個中間觸點線并不在與兩個交錯行中的另一 4亍 的相交區(qū)中存在。一種另外的實施例涉及一種互連結(jié)構(gòu)，其中沿著第 一 方向的中 間觸點線的尺寸小于沿著第一方向的觸點的最大尺寸。根據(jù)一種另外的實施例，非易失性半導體存儲裝置包括非易失 性存儲單元的存儲單元陣列以及如上述實施例中的任一種限定的 互連結(jié)構(gòu)，其中導電線限定4立線，而觸點和相應中間觸點限定^f立纟戔觸點。非易失性存儲單元可以例如是浮置柵極NAND陣列的存儲單 元?；ミB結(jié)構(gòu)可以例如也^皮包括在NROM (氮^f匕的只讀存儲器)、 DRAM (動態(tài)隨機存取存儲器)、電荷俘獲NAND存儲器、SONOS(硅-氧化物-氮化物-氧化物-^圭(硅氧化氮氧化硅， Silicon-Oxide畫Nitride-Oxide-Silicon))存儲器、SANOS (石圭-Al203隱 氮化物-氧化物-硅 (Silicon-Al203-Nitride-Oxide-Silicon ))存儲器、 TANOS (氧化物-SiN-Al203-TaN ( Oxide-SiN-Al203-TaN ))存儲器 之內(nèi)。一種另外的實施例涉及一種包括如上限定的非易失性半導體 存儲裝置的電存儲插件。一種另外的實施例涉及一種電子裝置，該電子裝置包括電插件 接口、連接至電插件接口的插件槽以及如上限定的電存儲插件，其 中電存儲插件被配置為連接至插件槽和從插件槽移開。電子裝置可 以例如是《更攜式電話、個人計算4幾(PC)、個人凄t字助理(PDA)、 數(shù)碼照相機、數(shù)字攝像機或便攜式MP3唱機。一種另外的實施例涉及一種形成互連結(jié)構(gòu)的方法，該方法包 括設(shè)置襯底；在襯底上設(shè)置第一絕緣層；在第一絕緣層中蝕刻均 勻隔開的觸點開口的兩個交錯行即第 一行和第二行，其中每行沿著 第一方向延伸；用導電材料填充觸點開口以設(shè)置觸點；在第一絕續(xù)_ 層和觸點上設(shè)置第二絕緣層；在第二絕緣層中蝕刻中間觸點開口 ； 通過用導電材料填充中間觸點開口來設(shè)置中間觸點；以及在第二絕 緣層和中間觸點上設(shè)置導電線，其中導電線沿著與第一方向相交的 第二方向延襯底可以是如珪襯底的半導體襯底，其例如可以被預處理以在 其中制造半導體存儲裝置。上述方法特征可以凈皮包括在半導體存4諸 器工藝中。因此，上述方法特征可以同時用于制造互連結(jié)構(gòu)外面的 另外的部件。應當注意，通常對于通過蝕刻而圖案化材津牛層來i兌，可以〗吏用 光刻法，其中提供適當?shù)墓饪棠z材料。光刻膠材料使用合適的光掩 模被光刻圖案化。在隨后的工藝步驟中可以使用圖案化的光刻膠層 作為掩才莫。例如，如常見的，由適當?shù)牟牧先绲?、多晶硅或石?制成的硬掩模層或?qū)涌梢栽O(shè)置在材料層上來進行圖案化。硬掩模層 例如使用蝕刻工藝被光刻圖案化。采用圖案化的硬掩模層作為蝕刻 掩模，圖案化材料層。通過使用圖案化的光刻膠材料作為蝕刻掩模 也可以進行通過蝕刻而圖案化材料層。才艮據(jù)一種另外的實施例，沿著第一方向的每個中間觸點開口的 尺寸小于沿著第一方向的每個觸點的最大尺寸。一種另外的實施例包括形成互連結(jié)構(gòu)的方法，其中，當用導電 材料填充中間觸點開口時，在第二絕^彖層上另外施加導電材料。然 后蝕刻第二絕緣層上的導電材料以設(shè)置導電線。因此，通過普通的 工藝步驟施加用于中間觸點和導電線的導電材泮牛。根據(jù)一種另外的實施例，設(shè)置導電線的特征包括在第二絕緣層和中間觸點上i殳置導電層并且蝕刻導電層以i殳置導電線。該實施例 利用各步驟來4是供中間觸點和導電線的材料。一種另外的實施例包括形成互連結(jié)構(gòu)的方法，其中設(shè)置中間觸 點和導電線的特征包括蝕刻第二絕緣層以設(shè)置導電線溝道以及填 充中間觸點開口和導電線溝道以i殳置中間觸點和導電線。這里，中 間觸點和導電線在》又4裏嵌工藝(dual damascene process )中形成。才艮據(jù)形成互連結(jié)構(gòu)的方法的 一種另外的實施例，i殳置導電線的特征包括在第二絕緣層和中間觸點上設(shè)置第三絕緣層；蝕刻第三絕 纟彖層以設(shè)置導電線開口以及用導電才才料填充導電線開口以設(shè)置導 電線。該實施例涉及一種對于導電線的鑲嵌工藝，其中該工藝并入 形成互連結(jié)構(gòu)的方法中。一種另外的實施例涉及一種形成互連結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括_ 設(shè)置襯底；在襯底上設(shè)置第一絕緣層；在第一絕緣層中蝕刻均勻隔 開的觸點開口的兩個交錯行，其中每行沿著第一方向延伸；用導電 材料填充觸點開口以設(shè)置觸點；在第一絕緣層和觸點上設(shè)置掩模結(jié) 構(gòu)，其中掩模結(jié)構(gòu)部分地覆蓋觸點；蝕刻觸點的未覆蓋部分，從而 在限定中間觸點的上部觸點區(qū)中產(chǎn)生空隙并沿著第一方向修整觸 點的尺寸，其中下部觸點區(qū)保持不變；用絕緣材料填充空隙以及在 第一絕緣層和中間觸點上設(shè)置導電線，其中導電線沿著與第一方向 相交的第二方向延伸。才艮據(jù)形成互連結(jié)構(gòu)的方法的又一種實施例，當用第二絕緣層i真 充空隙時，還在第一絕緣層和中間觸點上施加第二絕^彖層。設(shè)置導 電線的特征包括蝕刻第二絕緣層以設(shè)置導電線開口以及用導電材 料填充導電線開口以設(shè)置導電線。該實施例涉及與制造導電線相關(guān) 的一種鑲嵌工藝。一種另外的實施例包括形成互連結(jié)構(gòu)的方法，其中"^殳置導電線 的特征包括在第 一絕緣層、第二絕緣層和中間觸點上設(shè)置導電層以 及蝕刻導電層以^沒置導電線。結(jié)合附圖描述裝置和方法的示例性實施例。圖1A至圖3B圖解i兌明了在4艮據(jù)本發(fā)明實施例制造互連結(jié)構(gòu) 的過程中的一部分^J"底的平面圖和^黃截面—見圖。參照圖1A，示出了第一絕緣層1的平面圖，其中在第一絕緣層1中形成沿著第一方向y延伸的均勻隔開的觸點2的兩個交^"觸點^f亍。第一絕纟彖結(jié)構(gòu)可 以形成在半導體襯底上。圖1B圖解說明了一部分襯底的沿圖1A相交線A-A'的示意性 橫截面視圖。設(shè)置如硅襯底的半導體襯底4。如圖1B所示，襯底4 可以包括使鄰近的有源區(qū)6彼此絕緣的STI (淺溝道絕緣)區(qū)5。 有源區(qū)6形成在襯底4的表面區(qū)中。在有源區(qū)6中，例如可以形成 存l諸單元晶體管(未示出)。然而，如對本領(lǐng)域^支術(shù)人員顯而易見 的是，可以使用任何襯底結(jié)構(gòu)。例如襯底4可以已經(jīng)具有形成在其 上的層堆(layer stack )。換一種i兌法是，在形成互連結(jié)構(gòu)之前，4于 底可以以4壬4可方式^皮預處理直到處理階革殳。待形成的互連結(jié)構(gòu)例如可以用作非易失性存儲裝置的位線和 位線觸點。在襯底4的表面上施加第一絕緣層1，接著在絕緣層1 中蝕刻觸點開口直到有源區(qū)6。然后用導電材剩-:填充觸點開口以i殳 置觸點2。舉例來說，可以通過鴒CVD (鵠化學汽相沉積)填充觸 點開口，接著通過CMP (化學才幾械拋光)以除去施加在絕緣層1 表面上的鵠材料。如從圖1B可以獲悉，第一方向y中的觸點2的 間距等于半導體襯底4中的有源區(qū)6的間距的兩倍。還沒有被圖示 的觸點行的觸點2接觸的沿著第一方向y的每隔一個的有源區(qū)6將 被兩個交錯觸點行中的另一行的另外的觸點2 (未示出)接觸。參照圖2A,在第一絕緣層1上施加第二絕緣層7，其中在第二 絕緣層7中設(shè)置沿著第二方向x延伸的中間觸點線8。每個中間觸 點線8與兩個交確普觸點4亍的一個觸點2接觸。為了增加圖解說明效 果，觸點2雖然被第二絕緣層7覆蓋，但在圖2A的示意性平面圖 中是可見的。為了進一步的圖解說明目的，應當注意，同樣為了圖 解說明目的下列平面圖可示出被覆蓋的元件并提供對各實施例的 更深的理解。中間觸點線8的沿第一方向y的尺寸小于觸點2沿第一方向y的最大尺寸。中間觸點線8的沿第一方向y的尺寸以及間 距同樣可以與后面工藝步驟中待形成的導電線相匹配。中間觸點線 8與同4^沿著第二方向x延伸的另外的線9 一起形成線'l"生陣列，該 線性陣列在光刻法的可行性方面(例如對于待形成的導電線的疊加 控制方面)是有利的。圖2A的線性陣列中的每條線包括一個中間 觸點線8和一個另外的線9，其中與兩個交4晉4亍中的一4亍的相應觸 點4妾觸的每個中間觸點線8并不在與兩個交4晉觸點行中的另一4亍的 相交區(qū)10中存在。換句話說，線性陣列的每條線在相應相交區(qū)10 中萍皮破壞以防止兩個交錯觸點行的觸點之間的短路，這種短路可能 由在具有最小特征尺寸的中間觸點線和導電線的光刻過程中的不 足的疊加控制所引起。雖然已經(jīng)參照均勻隔開的觸點的兩個觸點4亍(即第一觸點^f亍和 第二觸點行)的配置的具體實施例詳細地描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域 普通技術(shù)人員應當理解，在不背離所附權(quán)利要求及其等同物的精神 和范圍的情況下本發(fā)明進一步涉及多個第一觸點行和第二觸點行。參照圖2B，在第一絕緣層1上施加第二絕纟彖層7, *接著蝕刻用 于中間觸點線8和另外的線9 (另外的線9不可見)的開口，然后 用導電材料填充該開口以設(shè)置中間觸點線8和另外的線9 (另外的 線9不可見)。接著，參照圖3A，在第二絕緣層7、中間觸點線8以及另外的 線9上施加第三絕緣層11，其中沿著第二方向x延伸的導電線12 形成在第三絕緣層11中。在圖3B中示出了沿圖3A的相交線A-A'的橫截面視圖。在第 二絕緣層7、中間觸點線8以及另外的線9上形成第三絕緣層11之 后，在第三絕緣層11中蝕刻導電線開口，接著用導電材料填充開 口以i殳置導電線12。每個中間觸點線8連4妄一個觸點2和一個導電線12。 3口/人圖3B的沖黃截面^L圖可以獲悉，中間觸點線8沿相交線 A-A'的觸點行的間距等于導電線12的間距的兩倍。由于設(shè)置兩個 交錯觸點行即第一觸點行和第二觸點行，所以每個導電線12被連 *接至兩個觸點4亍中的<壬一4亍的觸點。參照圖4A和圖4B，示出了根據(jù)本發(fā)明另外的實施例的線性陣 列。圖4A的線')"生陣列仫 f又包4舌沿著第二方向x延伸的中間觸點線 8,其中每個中間觸點線并不在相應的相交區(qū)10中存在。參照圖4B,線性陣列的每條線又包括在相應的相交區(qū)10中#皮 中斷的中間觸點線8和另外的觸點線9。同才羊々。在圖4A的布局 (layout)中的情況，選擇圖4B中的兩個觸點行之間的距離大于圖 2A布局中的兩個觸點行之間的距離。如對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易 見的是，可以與光刻法可行性相關(guān)地適當選擇涉及相交區(qū)10中每 條線的中斷的許多布局。接著，考慮到中間觸點線8和導電線12的形成，圖5A至圖 8C將提供關(guān)于另外的具體實施方式
的更多的細節(jié)。參照圖5A,如對于圖2B的橫截面視圖所已描述的，在第二絕 緣層7中形成中間觸點線8。隨后，在第二絕緣層7和中間觸點線 8的頂表面上施力口導電桐4牛13。對于圖5B的才黃截面—見圖，蝕刻導電材并牛13以i殳置導電線12。 在蝕刻導電材料13之后，可以在導電線12之間設(shè)置第三絕緣層11 ，乂人而獲^尋圖3B的結(jié)構(gòu)。參照圖6A-6C,將更加詳細地描述陳述中間觸點線8和導電線 13的形成的另外實施例。從蝕刻第二絕緣層7以設(shè)置中間觸點線開口的工藝期(process stadium)開始，導電才才料130械)真充入中間 觸點線開口中并且同樣覆蓋第二絕緣層7的表面?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖6B的橫截面^L圖，蝕刻導電材料130以設(shè)置導電 線12。參照圖6C,在鄰近的導電線12之間設(shè)置第三絕緣層11。因此， 導電材并+ 130為中間觸點線8和導電線12所共有。參照圖7，將更詳細地描述涉及導電線12的形成的一種另外的 實施例。如對于圖2B的橫截面視圖所描述的，在第二絕緣層7中 設(shè)置中間觸點線8之后，在第二絕緣層7和中間觸點線8上施加第 三絕緣層ll。接著，蝕刻第三絕緣層11以在其中設(shè)置導電線開口。 其后，用導電材料填充導電線開口以獲得圖3B的橫截面視圖所示 的布局。當用導電材料填充導電線開口時，也可以在第三絕緣層ll 上施加導電材料，接著通過化學機械拋光從第三絕緣層11的表面 除去剩余的導電材料。由此通過鑲嵌工藝設(shè)置導電線12?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖8A至圖8C,更詳細地說明涉及中間觸點線8和導 電線12的形成的一種另外的實施例。在第一絕^彖層1中形成觸點2 之后，在第一絕緣層1和觸點2的表面上施加第二絕緣層70。本發(fā) 明實施例的第二絕緣層70比圖7的絕緣層7更厚。它可以包括等 于在后面的工藝步^^中;f寺形成的中間觸點線8和導電線12的垂直 延伸的厚度。首先，蝕刻第二絕緣層70以設(shè)置中間觸點線開口。其后，如圖8B的橫截面視圖中所圖解說明的，在第二絕緣層 70中實施進一步的蝕刻以在其中設(shè)置導電線溝道14。參照圖8C，用導電材料131填充導電線溝道和中間觸點線開 口以設(shè)置中間觸點線8和導電線12。由此實施雙鑲嵌工藝。應當注意，后面將^f吏用與導電線溝道14在同一水平上的中間觸點線開口 的上半部分作為導電線12的部分。參照圖9A至圖ll,將描述形成互連結(jié)構(gòu)的一種另外的實施例。 從圖9A的平面圖開始，在第一絕緣層1中設(shè)置觸點2的兩個交錯行。在圖9B中示出了沿著相交線A-A'的橫截面視圖。此外，襯底 4包括形成在其表面區(qū)中的有源區(qū)6，其中有源區(qū)6通過STI區(qū)5 而彼此絕緣。如上述已指出的，可以使用包括待連接至互連結(jié)構(gòu)的 表面部分的任4可預處理過的^)"底4。*接著，參照圖10，在其上部觸點區(qū)中沿著第一方向y《奮整觸點 2以限定中間觸點81,其中下部觸點區(qū)4呆持不變。通過在第一絕蟲彖 層1和觸點2上設(shè)置適當?shù)难谀＝Y(jié)構(gòu)可以進行觸點2的修整，其中 掩模結(jié)構(gòu)部分地覆蓋觸點2 (未示出)。在觸點2修整之后，空隙 15保留在第一絕緣層1中。參照圖11,在中間觸點81和絕緣層1上i殳置導電線12,其中 鄰近的導電線12通過第二絕緣層70而彼此絕纟彖。第二絕緣層也填 充空隙15。圖12至圖13B示出了涉及導電線12形成的另外的實施例。參照圖12，第二絕^彖層70形成在空隙15中，并且同樣施加到 第一絕緣層1的表面上。接著，在第二絕緣層70中蝕刻導電線開 口， 4妄著用導電材料填充導電線開口以i殳置導電線12。圖11中示 出了所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)的4黃截面4見圖。在該實施例中，導電線是通過鑲 嵌工藝形成的。面視圖，更詳細地說明了一種另 外的實施例。如圖13A所示，在修整觸點2之后，將第二絕緣層 71填充到空隙15中。填充空隙15可以通過步驟而完成首先將絕 緣材料沉積到空隙15中以及沉積到第一絕緣層1上，，接著通過化 學才幾械拋光以從第一絕纟彖層1的表面除去絕纟彖材料，從而在空隙15 中留下第二絕緣層71。其后，在第一絕緣層1、第二絕緣層71以 及中間觸點81上施加導電材沖牛131。參照圖13B,蝕刻導電材并牛131以i殳置導電線12， *接著在鄰近 的導電線12之間施加第三絕緣層11。形成導電線12的方法步驟類 似于圖5A和圖5B所示的實施例。在下文中，將參照圖14和圖15所圖解i兌明的流程圖簡要地"i兌 明形成互連結(jié)構(gòu)的方法的實施例。如圖14所示，為了制造互連結(jié) 構(gòu)，首先，i殳置襯底(S10)。例如，^H"底可以是包4舌半導體襯底和 沉積在半導體襯底表面上的一層或多層的分層襯底。接著，在村底 上設(shè)置第一絕緣層(S11 )。例如，第一絕緣層可以包括絕緣材料， 如氮化硅和氧化硅。其后，實施蝕刻步驟以便限定均勻隔開的觸點 開口的兩個交錯行，其中每行沿著第一方向延伸(S12)。例如，該 蝕刻步驟可以是的遞減(tapered)的蝕刻步驟。其后，用導電材料 填充觸點開口以設(shè)置觸點(S13)。其后，在第一絕緣層和觸點上設(shè) 置第二絕緣層(S14)。第二絕緣層可以由與第一絕緣層的材料不同 的材料制成或者它可以由相同的材料制成。然后，在第二絕緣層中 蝕刻中間觸點開口 (S15)。其后，通過用導電材沖牛填充中間觸點開 口而限定中間觸點(S16)。其后，在第二絕^彖層和中間觸點上i殳置 導電線，其中導電線沿著與第一方向相交的第二方向延伸(S17)?，F(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖15,將簡要地il明形成互連結(jié)構(gòu)的方法的 一 種另外 的實施例。關(guān)于圖14中流禾呈圖的元件的材并十的實例，例如用于4于 底或絕緣層的材料同樣適用于下文中提到的對應的或類似的元件。如圖15所示，首先，^沒置襯底(S20)。接著，在襯底上"i殳置第一 絕緣層(S21)。其后，在第一絕緣層中蝕刻均勻隔開的觸點開口的 兩個交錯行，其中每行沿著第一方向延伸(S22)。其后，用導電材 料填充觸點開口以設(shè)置觸點(S23 )。隨后，在第一絕緣層和觸點上 設(shè)置掩模結(jié)構(gòu)，其中掩模結(jié)構(gòu)部分地覆蓋觸點(S24)。其后，蝕刻 觸點的未覆蓋部分，/人而在限定中間觸點的上部觸點區(qū)中產(chǎn)生空隙 并沿著第一方向修整觸點，其中下部觸點區(qū)保持不變(S25)。其后， 用第二絕緣層填充空隙(S26)。隨后，在第一絕#>層和中間觸點上 設(shè)置導電線，其中導電線沿著與第一方向相交的第二方向延伸 (S27 )。雖然已經(jīng)參照其具體實施例詳細地描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員應當顯而易見的是，在不背離其精神和范圍的情況下可 以在其中進行各種變化和更改。因此，本發(fā)明目的在于包括該發(fā)明 的更改和變化只要它們在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種互連結(jié)構(gòu)，包括隔開的觸點的第一觸點行，所述隔開的觸點的第一觸點行沿著第一方向延伸；隔開的觸點的第二觸點行，所述隔開的觸點的第二觸點行沿著所述第一方向延伸，所述第二觸點行的觸點相對于所述第一觸點行的觸點沿著所述第一方向交錯；多根導電線，所述多根導電線沿著與所述第一方向相交的第二方向延伸；以及多個中間觸點，每個中間觸點與相應的一個所述觸點和相應的一根所述導電線接觸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)，進一步包括絕緣層，所述絕 纟彖層鄰4妄所述導電線的底部和所述中間觸點線的側(cè)壁。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，所述第一觸點行和所 述第二觸點4亍的所述觸點相對彼此錯4立二分之一個觸點間距。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，所述中間觸點的沿所 述第一方向的尺寸小于所述觸點的沿所述第一方向的最大尺寸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，每個中間觸點是相應 觸點沿所述第一方向變短的〗奮整部分。
6. 4艮據(jù)4又利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，所述中間觸點是沿所 述第二方向在線性陣列中延伸的中間觸點線。
7. 才艮據(jù)權(quán)利要求6所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，與所述第一觸點行和 所述第二觸點行中的 一行的相應觸點接觸的每條中間觸點線 并不在與所述第一觸點行和所述第二觸點行中的另一4亍的相 交區(qū)上存在。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，所述線性陣列包括中間觸點線；以及 另外的線。
9. 才艮據(jù)4又利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，每個觸點4亍的觸點間 距是最小特征尺寸的兩倍。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，每個觸點行的觸點間 距是最小特征尺寸的四倍。
11. 一種電子器件，包括電插件接口；插件槽，所述插件槽連接至所述電插件接口；以及電存儲插件，所述電存儲插件包括根據(jù)權(quán)利要求10所述 的互連結(jié)構(gòu)；其中，所述電存儲插件被配置為連接至所述插件槽和從 所述插件槽移除。
12. —種非易失性半導體存儲器件，包括非易失性存儲單元的存儲單元陣列；以及 根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)；其中，所述導電線包括4立線，而所述觸點和相應的中間 觸點包括4立線觸點。
13. —種電存儲插件，所述電存儲插件包括權(quán)利要求12所迷的非 易失性半導體存儲器件。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，所述中間觸點線被包 括在線性陣列中。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，與所述兩個交4昔觸點 行中的一行的相應觸點接觸的每條中間觸點線并不在與所述 兩個交錯觸點行中的另一行的相交區(qū)中存在。
16. 才艮據(jù)4又利要求1所述的互連結(jié)構(gòu)，其中，所述中間觸點線的沿 所述第一方向的尺寸小于所述觸點的沿所述第一方向的最大 尺寸。
17. —種互連結(jié)構(gòu)，包4舌隔開的觸點的第一觸點-f于，所述隔開的觸點的第一觸點 4亍沿著第一方向延伸；隔開的觸點的第二觸點4于，所述隔開的觸點的第二觸點 行沿著所述第一方向延伸，所述第二觸點行的觸點相對于所述 第 一 觸點行的觸點沿著所述第 一 方向交錯；多才艮導電線，所述多才艮導電線沿著與所述第一方向相交 的第二方向延^f申；以及多個中間觸點，每個中間觸點包括鄰接相應的一根所述 導電線的相應觸點的i奮整的上部。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的互連結(jié)構(gòu)，進一步包括絕緣層，所述絕桑彖層鄰接所述導電線的底部和所述中間 觸點的側(cè)壁。
19. 一種形成互連結(jié)構(gòu)的方法，包4舌i殳置襯底；在所述襯底上設(shè)置第一絕緣層；在所述第一絕纟彖層中蝕刻隔開的觸點的第一觸點4亍和第 二觸點行J吏得所述第一觸點行和所述第二觸點行的所述觸點 沿著第 一方向延伸，并且使得所述第二觸點行的觸點相對于所述第 一觸點4于的觸點沿著所述第 一 方向交4普；用導電才才^M真充觸點開口以在所述觸點開口中形成觸點；在所述第一絕緣層和所述觸點上設(shè)置第二絕緣層；在所述第二絕緣層中蝕刻中間觸點開口 ；用導電材料填充所述中間觸點開口以在所述中間觸點開 口中形成中間觸點；以及在所述第二絕緣層和所述中間觸點上設(shè)置導電線，其中， 所述導電線沿著與所述第一方向相交的第二方向延伸。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，每個所述中間觸點開口 的沿所述第一方向的尺寸小于每個所述觸點的沿所述第一方 向的最大尺寸。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中在用所述導電材料填充所述中間觸點開口的過程中，在 所述第二絕緣層上進一步涂敷所述導電材料；以及蝕刻所述第二絕纟彖層上的所述導電材料以形成所述導電線。
22. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，設(shè)置所述導電線的步驟 包括在所述第二絕緣層和所述中間觸點上設(shè)置導電層；以及 蝕刻所述導電層以形成所述導電線。
23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，設(shè)置所述中間觸點和所 述導電線的步驟進一步包括蝕刻所述第二絕纟彖層以形成導電線溝道；以及用導電才才^M真充所述中間觸點開口和所述導電線溝道以 形成所述中間觸點和所述導電線。
24. 才艮據(jù)4又利要求19所述的方法，其中，設(shè)置所述導電線的步驟 進一步包括在所述第二絕緣層和所述中間觸點上設(shè)置第三絕緣層； 蝕刻所述第三絕緣層以形成所述導電線開口；以及 用導電材料填充所述導電線開口以形成所述導電線。
25. —種形成互連結(jié)構(gòu)的方法，包括i殳置襯底；在所述襯底上設(shè)置第一絕緣層；在所述第 一絕緣層中蝕刻均勻隔開的觸點的第 一觸點行 和第二觸點行，使得所述第一觸點行和所述第二觸點行的所述 觸點沿著第 一 方向延伸，并且使得所述第二觸點ff的觸點相對 于所述第一觸點行的觸點交錯；用導電材并+填充觸點開口 ， 乂人而i殳置觸點；在所述第一絕緣層和所述觸點上設(shè)置掩模結(jié)構(gòu)，其中，所述掩模結(jié)構(gòu)部分地覆蓋所述觸點；蝕刻所述觸點的未被所述掩模覆蓋的部分以產(chǎn)生空隙， 并在所述觸點的上部觸點區(qū)中沿著所述第一方向》務整所述觸 點以形成中間觸點，而所述觸點的下部觸點區(qū)^f呆持不變；用第二絕緣層填充所述空隙；以及在所述第一絕緣層和所述中間觸點上設(shè)置導電線，其中， 所述導電線沿著與所述第一方向相交的第二方向延伸。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中在用所述第二絕緣層填充所述空隙的過程中，在所述第 一絕緣層和所述中間觸點上進一步涂敷所述第二絕纟彖層；i殳置所述導電線的步驟包才舌蝕刻所述第二絕緣層以形 成所述導電線開口 ，以及用導電材沖+填充所述導電線開口以形 成所述導電線。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中，設(shè)置所述導電線的步驟 進一步包括在所述第一絕緣層、所述第二絕緣層、以及所述中間觸 點上設(shè)置導電層；以及蝕刻所述導電層以形成所述導電線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種互連結(jié)構(gòu)及其制造方法，該互連結(jié)構(gòu)包括均勻隔開的觸點的兩個交錯觸點行。每個觸點行沿著第一方向延伸。該互連結(jié)構(gòu)進一步包括沿著與第一方向相交的第二方向延伸的導電線。該互連結(jié)構(gòu)進一步包括中間觸點，其中每個中間觸點與一個觸點和一根導電線接觸。
文檔編號H01L21/768GK101252116SQ20081000781
公開日2008年8月27日 申請日期2008年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月20日
發(fā)明者克里斯托夫·克萊因特, 尼古拉·納格爾, 斯特芬·邁爾, 羅曼·克內(nèi)夫勒 申請人:奇夢達股份公司