專利名稱：：層疊半導(dǎo)體封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種層疊半導(dǎo)體封裝。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，人們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出多種半導(dǎo)體封裝，其具有適于在較短時(shí)間周期內(nèi)處理大量數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件。.近期，出現(xiàn)了一種層疊半導(dǎo)體封裝，其中層疊并電連接了多個(gè)半導(dǎo)體芯片，以增大該半導(dǎo)體封裝的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)處理速度。為了實(shí)現(xiàn)該層疊半導(dǎo)體封裝，需要一種技術(shù)，以選擇性地向該多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的特定半導(dǎo)體芯片施加控制信號(hào)或數(shù)據(jù)信號(hào)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種層疊半導(dǎo)體封裝，其通過(guò)穿通電極(throughelectrode)向半導(dǎo)體芯片提供數(shù)據(jù)信號(hào)并通過(guò)導(dǎo)電引線向半導(dǎo)體芯片提供芯片擇選信號(hào)而能夠高速工作。在一個(gè)實(shí)施例中，一種層疊半導(dǎo)體封裝包括基板，具有芯片選擇焊墊和連接焊墊；半導(dǎo)體芯片模塊，包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片，每個(gè)半導(dǎo)體芯片具有數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊、芯片選擇結(jié)合焊墊、與該數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊電連接的數(shù)據(jù)再分配單元、以及穿過(guò)該數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊并與該數(shù)據(jù)再分配單元電連接的數(shù)據(jù)穿通電極，該半導(dǎo)體芯片被層疊以露出該芯片選擇結(jié)合焊墊；以及導(dǎo)電引線，用于電連接該芯片選擇焊墊和該芯片選擇焊墊結(jié)合。當(dāng)層疊的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量為2W(N是大于2的自然數(shù))時(shí)，每個(gè)半導(dǎo)體芯片包括N個(gè)芯片選擇結(jié)合焊墊。該層疊半導(dǎo)體封裝可以進(jìn)一步包括與該芯片選擇結(jié)合焊墊電連接的芯片選擇再分配單元。該層疊半導(dǎo)體封裝可以進(jìn)一步包括穿過(guò)該芯片選擇結(jié)合悍墊的芯片選擇穿通電極。該芯片選擇焊墊包括;陂施加接地電壓(VSS)的接地電壓焊墊和#1施加電源電壓(Vcc)的電源電壓焊墊。地址信號(hào)、功率信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)和控制信號(hào)輸入到該數(shù)據(jù)再分配單元。導(dǎo)電連接構(gòu)件夾置于該數(shù)據(jù)再分配單元和該穿通電極之間。該導(dǎo)電連接構(gòu)件是焊料。在另一個(gè)實(shí)施例中，層疊半導(dǎo)體封裝包括基板，具有連接焊墊和芯片選擇焊墊；多個(gè)半導(dǎo)體芯片，層疊在該基板上，每個(gè)半導(dǎo)體芯片具有置于其邊緣上方的數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊和芯片選擇結(jié)合焊墊；間隔物，夾置于該半導(dǎo)體芯片之間并將相鄰的半導(dǎo)體芯片相互隔離；穿通電極，穿過(guò)該半導(dǎo)體芯片并與該數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊和該連接焊墊相連；以及導(dǎo)電引線，電連接該芯片選擇焊墊和該芯片選擇結(jié)合焊墊。每個(gè)穿通電極從該半導(dǎo)體芯片相應(yīng)地突出該間隔物的厚度。備選地，該穿通電極的長(zhǎng)度基本上與該半導(dǎo)體芯片的厚度相等，且導(dǎo)電連接構(gòu)件夾置于被該間隔物隔離的該穿通電極之間。該導(dǎo)電連接構(gòu)件是焊料。當(dāng)層疊的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量為2W(N是大于2的自然數(shù))時(shí)，每個(gè)半導(dǎo)體芯片包括N個(gè)芯片選擇結(jié)合焊墊和芯片選擇再分配單元。該芯片選擇焊墊包括^皮施加接地電壓(Vss)的接地電壓焊墊和#1施加電源電壓(Vcc)的電源電壓焊墊。圖1為示出了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的層疊半導(dǎo)體封裝的透視圖。圖2為圖1所示的基板的平面圖。圖3為圖1的平面圖。圖4為圖3中沿著線I-I，截取的橫截面圖。圖5為示出了依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的層疊半導(dǎo)體封裝的平面圖。圖6為圖5所示的基板的平面圖。圖7為圖5中沿著線n-n，截取的橫截面圖。具體實(shí)施例方式圖1為示出了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的層疊半導(dǎo)體封裝的透視圖。參照?qǐng)D1,層疊半導(dǎo)體封裝400包括基板100、半導(dǎo)體芯片模塊200和導(dǎo)電引線300。圖2為圖1所示的基板的平面圖。參照?qǐng)D1和圖2，基板100包括基板主體105、芯片選擇焊墊110和連接焊墊120。此外，基板100可以進(jìn)一步包括球焊盤(pán)(ballland)和焊球?；逯黧w105具有平板形狀。從其頂部觀察，基板主體105具有矩形形狀，并且基板主體105可以是印刷電路板(PCB)。芯片選擇焊墊110沿著基板主體105的上表面的邊緣排布。例如，芯片選擇焊墊110可置于基板主體105的上表面的邊緣的中心部分。芯片選擇焊墊110包括被施加接地電壓Vss的接地電壓焊墊112和被施加電源電壓Vcc的電源電壓焊墊114。在本實(shí)施例中，芯片選擇焊墊110的數(shù)量由包括在半導(dǎo)體芯片模塊200中的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量決定，該半導(dǎo)體芯片模塊200在下文中描述。在所示的本實(shí)施例中，芯片選擇焊墊IIO的數(shù)量為2，因此包括在半導(dǎo)體芯片模塊200中的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量可以多達(dá)4。同樣地按照類似方式，當(dāng)芯片選擇焊墊IIO的數(shù)量為3時(shí)，包括在半導(dǎo)體芯片模塊200中的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量可以多達(dá)8;以及當(dāng)芯片選擇焊墊IIO的數(shù)量為4時(shí)，包括在半導(dǎo)體芯片模塊200中的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量可以多達(dá)16。芯片選"t奪焊墊110沿著基板主體105的上表面的邊緣排布，并且多個(gè)連接焊墊120可以分別置于芯片選擇焊墊110的兩側(cè)。圖3為圖1的平面圖。圖4為圖3中沿著線I-I，截取的橫截面圖。參照?qǐng)D3和圖4,半導(dǎo)體芯片模塊200置于基板主體105的上表面上。半導(dǎo)體芯片模塊200包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片(210、B0、230、240)。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片模塊200可包括多達(dá)2W(N是大于或等于1的自然數(shù))個(gè)半導(dǎo)體芯片。例如，半導(dǎo)體芯片模塊200可包括多達(dá)2(當(dāng)N為1)、多達(dá)4(當(dāng)N為2)、多達(dá)8(當(dāng)N為3)、多達(dá)16(當(dāng)N為4)或多達(dá)32(當(dāng)N為5)個(gè)半導(dǎo)體芯片。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片模塊200包括例如4個(gè)半導(dǎo)體芯片UlO、220、230、240)。下文中，包括在半導(dǎo)體芯片模塊200中的該4個(gè)半導(dǎo)體芯片被稱為第一半導(dǎo)體芯片210、第二半導(dǎo)體芯片220、第三半導(dǎo)體芯片230和第四半導(dǎo)體6芯片240。置于基板100上方的第一半導(dǎo)體芯片210包括第一數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊212、第一芯片選擇結(jié)合焊墊214、第一數(shù)據(jù)穿通電極216以及第一數(shù)據(jù)再分配單元218。地址信號(hào)、功率信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)和控制信號(hào)通過(guò)基板主體105的連接焊墊120輸入到數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊212。第一數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊212和第一芯片選擇結(jié)合焊墊214沿著第一半導(dǎo)體芯片210的上表面的邊緣排布。例如，第一數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊212和第一芯片選擇結(jié)合焊墊214沿著第一方向FD排布。第一數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊212置于與圖2所示的基板主體105的每個(gè)連接焊墊120相對(duì)應(yīng)的位置，并且第一芯片選擇結(jié)合焊墊214置于與圖2所示的基板主體105的每個(gè)芯片選擇焊墊110相對(duì)應(yīng)的位置。第一數(shù)據(jù)穿通電極216穿過(guò)第一數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊212和第一半導(dǎo)體芯片210。因此，第一半導(dǎo)體芯片210的第一數(shù)據(jù)穿通電極216與基板主體105的連接焊墊120電連接。諸如焊料的連接構(gòu)件夾置于連接焊墊120和第一數(shù)據(jù)穿通電極216之間。第一數(shù)據(jù)再分配單元218置于第一半導(dǎo)體芯片210的上表面上方。第一數(shù)據(jù)再分配單元218的第一端部與第一數(shù)據(jù)穿通電極216電連接。第一數(shù)據(jù)再分配單元218的與該第一端部相對(duì)的第二端部朝與第一方向FD垂直的第二方向SD延伸第一長(zhǎng)度L,。第一半導(dǎo)體芯片210也可以進(jìn)一步包括第一芯片選擇再分配單元217。第一芯片選擇再分配單元217形成在與第一半導(dǎo)體芯片210的第一芯片選擇結(jié)合焊墊214相對(duì)應(yīng)的位置。第一芯片選擇再分配單元2n在第二方向SD上具有小于第一長(zhǎng)度L,的第二長(zhǎng)度。此外，第一芯片選擇結(jié)合焊墊214可包括穿過(guò)第一芯片選擇結(jié)合焊墊214的第一芯片選擇穿通電極。第二半導(dǎo)體芯片220包括第二數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊222、第二芯片選擇結(jié)合焊墊224、第二數(shù)據(jù)穿通電極226和第二數(shù)據(jù)再分配單元228。第二半導(dǎo)體芯片220以階梯方式置于第一半導(dǎo)體芯片210上方，因此第一芯片選擇結(jié)合焊墊214或第一芯片選擇再分配單元217通過(guò)第二半導(dǎo)體芯片220露出。第二數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊222和第二芯片選擇結(jié)合焊墊224沿著第二半導(dǎo)體芯片220的上表面的邊緣排布，該邊緣與第一數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊212和第一芯片選擇結(jié)合焊墊214相鄰。例如，第二數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊222和第二芯片選擇結(jié)合焊墊224沿著第一方向FD排布。第二數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊222置于第一數(shù)據(jù)再分配單元218上方。第二數(shù)據(jù)穿通電極226穿過(guò)第二數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊222和第二半導(dǎo)體芯片220。因此，第二數(shù)據(jù)穿通電極226與第一數(shù)據(jù)再分配單元218電連接。導(dǎo)電連接構(gòu)件(未示出)可夾置于第二數(shù)據(jù)穿通電極226和第一數(shù)據(jù)再分配單元218之間?？捎米髟搶?dǎo)電連接構(gòu)件的示例材料包括焊料。第二數(shù)據(jù)再分配單元228置于第二半導(dǎo)體芯片220的上表面上方。第二數(shù)據(jù)再分配單元228的第一端部與第二數(shù)據(jù)穿通電極226電連接。與第二數(shù)據(jù)再分配單元228的該第一端部相對(duì)的第二端部朝與第一方向FD垂直的第二方向SD延伸第一長(zhǎng)度L,。第二半導(dǎo)體芯片220也可以進(jìn)一步包括第二芯片選擇再分配單元227。第二芯片選擇再分配單元227可形成在與第二半導(dǎo)體芯片220的第二芯片選擇結(jié)合焊墊224相對(duì)應(yīng)的位置。第二芯片選擇再分配單元227沿第二方向形成小于第一長(zhǎng)度L,的第二長(zhǎng)度。此外，第二芯片選擇結(jié)合焊墊224可包括穿過(guò)第二芯片選擇結(jié)合焊墊224的第二芯片選擇穿通電極(未示出)。第三半導(dǎo)體芯片230包括第三數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊232、第三芯片選擇結(jié)合焊墊234、第三數(shù)據(jù)穿通電極236和第三數(shù)據(jù)再分配單元238。第三半導(dǎo)體芯片230以階梯方式置于第二半導(dǎo)體芯片220上方，因此第二芯片選擇結(jié)合焊墊224或第二芯片選擇再分配單元227通過(guò)第三半導(dǎo)體芯片230露出。第三數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊232和第三芯片選擇結(jié)合焊墊234沿著第三半導(dǎo)體芯片230的上表面的邊緣排布，該邊緣與第二數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊222和第二芯片選擇結(jié)合焊墊224相鄰。例如，第三數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊232和第三芯片選擇結(jié)合焊墊234沿著第一方向FD排布。第三數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊232置于第二數(shù)據(jù)再分配單元228上方。第三數(shù)據(jù)穿通電極236穿過(guò)第三數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊232和第三半導(dǎo)體芯片230。因此，第三數(shù)據(jù)穿通電極236與第二數(shù)據(jù)再分配單元228電連接。導(dǎo)電連接構(gòu)件可夾置于第三數(shù)據(jù)穿通電極236和第二數(shù)據(jù)再分配單元228之間?？捎米髟搶?dǎo)電連接構(gòu)件的示例材料包括焊料。第三數(shù)據(jù)再分配單元238置于第三半導(dǎo)體芯片230的上表面上方。第三數(shù)據(jù)再分配單元238的第一端部與第三數(shù)據(jù)穿通電極236電連接。與第三數(shù)據(jù)再分配單元238的該第一端部相對(duì)的第二端部朝與第一方向FD垂直的第二方向SD延伸第一長(zhǎng)度L，。同時(shí)，第三半導(dǎo)體芯片230可以進(jìn)一步包括第三芯片選擇再分配單元237。第三芯片選擇再分配單元237可形成在與第三半導(dǎo)體芯片230的第三芯片選擇結(jié)合焊墊234相對(duì)應(yīng)的位置。第三芯片選擇再分配單元237沿第二方向形成小于第一長(zhǎng)度L,的第二長(zhǎng)度。此外，第三芯片選擇結(jié)合焊墊234包括穿過(guò)第三芯片選擇結(jié)合焊墊234的第三芯片選擇穿通電極。第四半導(dǎo)體芯片240包括第四數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊242、第四芯片選擇結(jié)合焊墊244、第四數(shù)據(jù)穿通電極246和第四數(shù)據(jù)再分配單元248。第四半導(dǎo)體芯片230以階梯方式置于第三半導(dǎo)體芯片230上方，因此第三芯片選擇結(jié)合焊墊234或第三芯片選擇再分配單元237通過(guò)第四半導(dǎo)體芯片240露出。第四數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊242和第四芯片選擇結(jié)合焊墊244沿著第四半導(dǎo)體芯片240的上表面的邊緣排布，該邊緣與第三數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊232和第三芯片選擇結(jié)合焊墊234相鄰。例如，第四數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊242和第四芯片選擇結(jié)合焊墊244沿著第一方向FD排布。第四數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊242置于第三數(shù)據(jù)再分配單元238上方。第四數(shù)據(jù)穿通電極246穿過(guò)第四數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊242和第四半導(dǎo)體芯片240，因此第四數(shù)據(jù)穿通電極246與第三數(shù)據(jù)再分配單元238電連接。導(dǎo)電連接構(gòu)件(未示出)可夾置于第四數(shù)據(jù)穿通電極246和第三數(shù)據(jù)再分配單元238之間。可用作該導(dǎo)電連接構(gòu)件(未示出)的示例材料包括焊料。第四數(shù)據(jù)再分配單元248置于第四半導(dǎo)體芯片2W的上表面上方。第四數(shù)據(jù)再分配單元248的第一端部與第四數(shù)據(jù)穿通電極246電連接。與第四數(shù)據(jù)再分配單元248的該第一端部相對(duì)的第二端沿著與第一方向FD垂直的第二方向SD延伸第一長(zhǎng)度L"第四半導(dǎo)體芯片240可以進(jìn)一步包括第四芯片選^^再分配單元247。第四芯片選擇再分配單元247可形成在與第四半導(dǎo)體芯片240的第四芯片選擇結(jié)合焊墊244相對(duì)應(yīng)的位置。第四芯片選擇再分配單元247沿第二方向形成小于第一長(zhǎng)度L!的第二長(zhǎng)度。此外，第四芯片選擇結(jié)合焊墊244包括穿過(guò)第四芯片選擇結(jié)合焊墊244的第四芯片選擇穿通電極。再次參照?qǐng)D4，基板主體105的連接焊墊120與第一半導(dǎo)體芯片210的第一數(shù)據(jù)穿通電極216電連接，并且第一數(shù)據(jù)再分配單元218、第二數(shù)據(jù)穿通電極226、第二數(shù)據(jù)再分配單元228、第三數(shù)據(jù)穿通電極236、第三數(shù)據(jù)再分配單元238、第四數(shù)據(jù)穿通電極246、第四數(shù)據(jù)再分配單元248全部電學(xué)互聯(lián)在一起。再次參照?qǐng)D1和圖3,導(dǎo)電引線300電連接到基板主體105的芯片選擇焊墊IIO,并且電連接到第一到第四半導(dǎo)體芯片210、220、230和240的第一到第四芯片選擇結(jié)合焊墊214、224、234和244。表1概述了通過(guò)導(dǎo)電引線300將芯片選擇焊墊110和第一到第四芯片選擇結(jié)合焊墊214、224、234和244電連接的布局方案之一。<表1><table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>圖5為示出了依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的層疊半導(dǎo)體封裝的平面圖。參照?qǐng)D5-7，層疊半導(dǎo)體封裝950包括基板500、半導(dǎo)體芯片600、間隔物700、穿通電極800和導(dǎo)電引線900。圖6為圖5所示的基板的平面圖?；?00是具有平板形狀的印刷電路板(PCB)。該P(yáng)CB包括芯片選擇焊墊510和連接焊墊520。芯片選4奪焊墊510包括被施加接地電壓Vss的接地電壓焊墊512和;故施加電源電壓Vcc的電源電壓焊墊514。盡管在本實(shí)施例中芯片選擇焊墊510包括接地電壓焊墊512和電源電壓焊墊514,芯片選擇焊墊510可包括最少三個(gè)焊墊。半導(dǎo)體芯片600置于形成有芯片選擇焊墊510和連接焊墊520的基板500的上表面上方。在本實(shí)施例中，例如，四個(gè)半導(dǎo)體芯片600置于基板500的上表面上方。在目前所示的本實(shí)施例中，四個(gè)半導(dǎo)體芯片600基本上具有同樣的形狀。每個(gè)半導(dǎo)體芯片600包括置于與基板500的連接焊墊520相對(duì)應(yīng)的位置的數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊610,以及置于與基板500的芯片選擇焊墊510相對(duì)應(yīng)的位置的芯片選擇結(jié)合焊墊620。數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊610和芯片選擇結(jié)合焊墊620分別沿著半導(dǎo)體芯片600的該上表面的邊緣排布。圖7為圖5中沿著線n-ir截取的橫截面圖。間隔物700夾置于層疊在基板500上方的一對(duì)相鄰的半導(dǎo)體芯片600之間。間隔物700在該相鄰的半導(dǎo)體芯片600之間形成間隙。穿通電極800穿過(guò)形成在半導(dǎo)體芯片600內(nèi)的數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊610,以及穿過(guò)與數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊610相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體芯片600。穿通電極800具有柱形形狀，且可用作穿通電極800的示例材料包括銅。穿過(guò)半導(dǎo)體芯片600的穿通電極800的長(zhǎng)度基本上與半導(dǎo)體芯片600的厚度相等。在穿通電極800的長(zhǎng)度基本上與半導(dǎo)體芯片600的厚度相等的情況下，諸如焊料的連接構(gòu)件夾置于該相鄰的半導(dǎo)體芯片600的穿通電極800之間，以電連"l妄通過(guò)間隔物700相互隔離的半導(dǎo)體芯片600的穿通電極800。同時(shí)，如圖7所示，穿通電極800的長(zhǎng)度超過(guò)半導(dǎo)體芯片600的厚度，以電連接該相鄰的半導(dǎo)體芯片600的穿通電極800。具體而言，每個(gè)穿通電極800從半導(dǎo)體芯片600相應(yīng)地突出間隔物700的厚度。按照?qǐng)D1所示的方法，導(dǎo)電引線900電連接形成在基板500內(nèi)的芯片選擇焊墊510以及形成在每個(gè)半導(dǎo)體芯片600內(nèi)的芯片選擇結(jié)合焊墊620。從上文描述顯見(jiàn)，在本發(fā)明中，由于多個(gè)層疊的半導(dǎo)體芯片的數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊通過(guò)穿通電極而電連接，并且芯片選擇結(jié)合焊墊和基板的芯片選擇焊墊通過(guò)導(dǎo)電引線而電連接，從而具有如下優(yōu)勢(shì)數(shù)據(jù)通過(guò)該穿通電極高速輸入或輸出，并且通過(guò)導(dǎo)電引線連接芯片選擇結(jié)合焊墊和芯片選擇焊墊，制作工藝可以顯著縮短。盡管為了說(shuō)明的目的，描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)員將會(huì)理解，在不背離在權(quán)利要求書(shū)中披露的本發(fā)明的范圍和精神的情況下可以進(jìn)行各種修正、添加和替換。本申請(qǐng)主張于2007年11月13日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2007-00115700的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容引用結(jié)合于此。權(quán)利要求1.一種層疊半導(dǎo)體封裝，包括基板，具有芯片選擇焊墊和連接焊墊；半導(dǎo)體芯片模塊，包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片，每個(gè)半導(dǎo)體芯片包括數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊；芯片選擇結(jié)合焊墊；數(shù)據(jù)再分配單元，電連接到所述數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊；以及多個(gè)穿通電極，部分所述穿通電極將所述數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊電連接到所述數(shù)據(jù)再分配單元，其中所述半導(dǎo)體芯片被層疊以露出所述芯片選擇結(jié)合焊墊；以及導(dǎo)電引線，將所述芯片選擇焊墊電連接到所述芯片選擇結(jié)合焊墊。2.根據(jù)權(quán)利要求1的層疊半導(dǎo)體封裝，其中當(dāng)層疊的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量為2\且N是大于2的自然數(shù)時(shí)，每個(gè)半導(dǎo)體芯片包含N個(gè)芯片選擇結(jié)合焊墊。3.根據(jù)權(quán)利要求1的層疊半導(dǎo)體封裝，還包括與所述芯片選擇結(jié)合焊墊電連接的芯片選擇再分配單元。4.根據(jù)權(quán)利要求3的層疊半導(dǎo)體封裝，其中部分所述穿通電極將所述芯片選擇焊墊電連接到所述芯片選擇再分配單元。5.根據(jù)權(quán)利要求1的層疊半導(dǎo)體封裝，其中所述芯片選擇焊墊包括被施加接地電壓的4妄地電壓焊墊和被施加電源電壓的電源電壓焊墊。6.根據(jù)權(quán)利要求1的層疊半導(dǎo)體封裝，其中地址信號(hào)、功率信號(hào)、數(shù)據(jù)信號(hào)和控制信號(hào)被輸入到所述數(shù)據(jù)再分配單元。7.根據(jù)權(quán)利要求1的層疊半導(dǎo)體封裝，其中導(dǎo)電連接構(gòu)件夾置于所述數(shù)據(jù)再分配單元和所述穿通電極之間。8.根據(jù)權(quán)利要求7的層疊半導(dǎo)體封裝，其中所述導(dǎo)電連接構(gòu)件是焊料。9.一種層疊半導(dǎo)體封裝，包括基板，具有連接焊墊和芯片選擇焊墊；多個(gè)半導(dǎo)體芯片，層疊在所述基板上方，每個(gè)所述半導(dǎo)體芯片具有置于其邊緣上方的數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊和芯片選擇結(jié)合焊墊；間隔物，夾置于每對(duì)相鄰的半導(dǎo)體芯片之間，并使每對(duì)相鄰的半導(dǎo)體芯片相互隔離；穿通電極，穿過(guò)所述半導(dǎo)體芯片并將所述數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊電連接到所述連接焊墊；以及導(dǎo)電引線，電連接所述芯片選擇焊墊和所述芯片選擇結(jié)合焊墊。10.根據(jù)權(quán)利要求9的層疊半導(dǎo)體封裝，其中每個(gè)穿通電極從所述半導(dǎo)體芯片相應(yīng)地突出所述間隔物的厚度。11.根據(jù)權(quán)利要求9的層疊半導(dǎo)體封裝，其中所述穿通電極的長(zhǎng)度基本上等于所述半導(dǎo)體芯片的厚度，并且導(dǎo)電連接構(gòu)件夾置于被所迷間隔物隔離的所述穿通電極之間。12.根據(jù)權(quán)利要求11的層疊半導(dǎo)體封裝，其中所述導(dǎo)電連接構(gòu)件是焊料。13，根據(jù)權(quán)利要求9的層疊半導(dǎo)體封裝，其中當(dāng)層疊的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量為2、且N是大于2的自然數(shù)時(shí)，每個(gè)半導(dǎo)體芯片包括N個(gè)芯片選擇結(jié)合焊墊和芯片選擇再分配單元。14.根據(jù)權(quán)利要求9的層疊半導(dǎo)體封裝，其中所述芯片選擇焊墊包括被施加接地電壓的接地電壓焊墊和;故施加電源電壓的電源電壓焊墊。全文摘要一種層疊半導(dǎo)體封裝，其能夠增加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量，同時(shí)提高數(shù)據(jù)處理速度。該層疊半導(dǎo)體封裝包括具有芯片選擇焊墊和連接焊墊的基板；包含多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體芯片模塊，每個(gè)芯片包含數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊、芯片選擇結(jié)合焊墊、與該數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊電連接的數(shù)據(jù)再分配單元、以及穿過(guò)該數(shù)據(jù)結(jié)合焊墊并與該數(shù)據(jù)再分配單元連接的數(shù)據(jù)穿通電極，該半導(dǎo)體芯片被層疊以露出該芯片選擇結(jié)合焊墊；以及用于將該芯片選擇焊墊和該芯片選擇結(jié)合焊墊電連接的導(dǎo)電引線。文檔編號(hào)H01L23/485GK101436584SQ20081000295公開(kāi)日2009年5月20日申請(qǐng)日期2008年1月11日優(yōu)先權(quán)日2007年11月13日發(fā)明者金鐘薰申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司