專利名稱：可增加強(qiáng)度的芯片及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種可強(qiáng)化芯片強(qiáng)度的芯片結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在系統(tǒng)芯片化(System On Chip; SOC)普及后，集成電路(integrated circuit; IC)的設(shè)計(jì)日益復(fù)雜且耗電。集成電路形成在芯片上，而芯片形成在 晶片上。當(dāng)一晶片經(jīng)過(guò)切割程序后，便可得到數(shù)以百計(jì)的相同芯片。這些芯片 再經(jīng)封裝、測(cè)試等程序，而成為集成電路。
為了使具有集成電路的芯片能夠應(yīng)用在小型的可攜式電子裝置中，一般的 做法在切割晶片前，先對(duì)晶片的背面(無(wú)集成電路的那一面)進(jìn)行研磨 (grinding)程序，用以薄化晶片，使得晶片的厚度變薄。然而在研磨程序中， 將在晶片的背面產(chǎn)生許多刮痕。這些刮痕可能平行芯片的短邊或長(zhǎng)邊。
圖1為研磨程序的示意圖。如圖所示，晶片IOO具有許多芯片。在進(jìn)行研 磨程序時(shí)，研磨機(jī)以虛線的方向?qū)?00的背面進(jìn)行研磨。圖2A為圖1所 示的區(qū)域110的芯片放大示意圖。在區(qū)域110中，刮痕211大多平行芯片210 的長(zhǎng)邊。圖2B為圖1所示的區(qū)域120的芯片放大示意圖。在區(qū)域120中，刮 痕221大多平行芯片220的短邊。
以圖2B為例，在對(duì)芯片220進(jìn)行強(qiáng)度測(cè)試時(shí)，是以芯片220的上下兩端 作為支點(diǎn)，然后對(duì)芯片220的中間施力。根據(jù)施力的大小，便可得知芯片220 的強(qiáng)度。然而，由于刮痕221為平行芯片220的短邊，因此，將大幅降低芯片 220的強(qiáng)度，使得芯片220變得易碎。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種可增加強(qiáng)度的芯片及其制造方 法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中在研磨時(shí)產(chǎn)生刮痕的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種可增加強(qiáng)度的芯片，包括一基底、 一金屬結(jié)構(gòu)以及一保護(hù)層。基底具有一第一表面以及一第二表面。第一表面相對(duì)于 第二表面。金屬結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一表面。保護(hù)層設(shè)置于第二表面。
而且，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明另提供一種可增加強(qiáng)度的芯片制造方法， 包括下列步驟提供一基底，該基底具有一第一及第二表面；形成一金屬結(jié)構(gòu) 于該第一表面；以及形成一保護(hù)層于該第二表面。
采用本發(fā)明，在晶片進(jìn)行背面研磨程序后，在晶片的背面形成一保護(hù)層， 用以填平刮痕，因而，可以避免研磨所產(chǎn)生的刮痕對(duì)芯片造成影響。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的 限定。


圖1為研磨程序的示意圖2A為圖1所示的區(qū)域110的芯片放大示意圖2B為圖1所示的區(qū)域120的芯片放大示意圖3為本發(fā)明的芯片；
圖4為本發(fā)明的制造方法的示意圖。
其中，附圖標(biāo)記
100:晶片；
110、 120:區(qū)域；
210、 220、 300:芯片
211、 221:刮痕
310:基底
321、 322:金屬結(jié)構(gòu) 330:保護(hù)層 S410 S430:步驟
具體實(shí)施例方式
為避免研磨所產(chǎn)生的刮痕對(duì)芯片造成影響，本發(fā)明在晶片進(jìn)行背面研磨程 序后，在晶片的背面形成一保護(hù)層，用以填平刮痕。然后，再對(duì)晶片進(jìn)行切割， 以得到許多芯片。由于保護(hù)層可填平刮痕，故可增加芯片的強(qiáng)度。圖3為本發(fā)明的芯片。由于同一晶片中的芯片都具有相同結(jié)構(gòu)，為方便說(shuō)
明，以下僅以單一芯片為例。芯片300可為玻璃覆晶封裝(Chip on Glass; COG) 的型式。由于COG型式的工藝方法為此領(lǐng)域人士所深知，故以下僅說(shuō)明本發(fā)明 不同于現(xiàn)有技術(shù)之處，而不再詳細(xì)說(shuō)明COG型式的工藝方法。
如圖所示，芯片300具有基底310、金屬結(jié)構(gòu)321、 322以及保護(hù)層330。 金屬結(jié)構(gòu)321及322設(shè)置于基底310的上表面(正面)。在本實(shí)施例中，金屬結(jié) 構(gòu)321及322為金凸塊(Au bump)。芯片300具有集成電路(未顯示)。集成電 路可通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)(焊墊)321、 322接收或傳送信號(hào)。
保護(hù)層330設(shè)置在基底310的下表面(背面)，用以填平基底310的下表面。 保護(hù)層330可為一聚合物，如聚亞酰胺(polyimide)。由于在進(jìn)行研磨程序的 過(guò)程中，可能在晶片的背面留下刮痕。因此，可在研磨程序后，在晶片的背面 形成一保護(hù)層，以降低刮痕所造成的影響。然后，再對(duì)晶片進(jìn)行切割程序，以 得到許多如圖3所示的芯片。
圖4為本發(fā)明的制造方法的示意圖。本發(fā)明的制造方法可與C0G的制造方 法相結(jié)合。首先，提供一基底(步驟S410)。此基底具有一第一表面以及一第 二表面。第一表面系相對(duì)于第二表面。為了將集成電路形成在第一表面的上， 故需對(duì)基底的第一表面進(jìn)行屏蔽、曝光、蝕刻等程序。由于集成電路的形成系 為本領(lǐng)域人所深知，故不再贅述。
在第一表面形成一金屬結(jié)構(gòu)(步驟S420)，使得集成電路得以接收外部信 號(hào)或是傳送信號(hào)予外部裝置。在本實(shí)施例中，金屬結(jié)構(gòu)系為金凸塊。
在基底的第二表面形成一保護(hù)層(步驟S430)。在本實(shí)施例中，保護(hù)層 (protection layer)為一聚合物，如聚亞酰胺(polyimide)。在一可能實(shí)施例 中，可利用涂布的方式，使聚合物覆蓋在第二表面。
在另一可能實(shí)施例中，可在形成保護(hù)層前，對(duì)基底的第二表面進(jìn)行背面研 磨程序，用以薄化基底。在研磨的過(guò)程中，可能在基底的第二表面(即晶片的 背面)留下刮痕。因此，若在第二表面形成保護(hù)層時(shí)，便可填平刮痕，進(jìn)而降 低刮痕所造成的影響。
在形成保護(hù)層之后，切割具有保護(hù)層的晶片，便可得到數(shù)以百計(jì)的芯片。 由于保護(hù)層可填平芯片背面的刮痕，因此，當(dāng)芯片在進(jìn)行強(qiáng)度測(cè)試時(shí)，可得到 較佳的測(cè)試結(jié)果。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情 況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但 這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種可增加強(qiáng)度的芯片，其特征在于，包括一基底，具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面相對(duì)于該第二表面；一金屬結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第一表面；以及一保護(hù)層，設(shè)置于該第二表面。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可增加強(qiáng)度的芯片，其特征在于，該金屬結(jié)構(gòu)系為一金凸塊。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可增加強(qiáng)度的芯片，其特征在于，該保護(hù)層為一聚合物。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的可增加強(qiáng)度的芯片，其特征在于，該聚合物為一聚亞酰胺。
5. —種可增加強(qiáng)度的芯片制造方法，其特征在于，包括下列步驟提供一基底，該基底具有一第一及第二表面；形成一金屬結(jié)構(gòu)于該第一表面；以及形成一保護(hù)層于該第二表面。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的可增加強(qiáng)度的芯片制造方法，其特征在于，在形成該保護(hù)層的步驟前，對(duì)該第二表面進(jìn)行一磨薄程序。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的可增加強(qiáng)度的芯片制造方法，其特征在于，在形成該保護(hù)層的步驟后，對(duì)該基底進(jìn)行一切割程序。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的可增加強(qiáng)度的芯片制造方法，其特征在于，該保護(hù)層為一聚合物。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的可增加強(qiáng)度的芯片制造方法，其特征在于，該聚合物為一聚亞酰胺。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種可增加強(qiáng)度的芯片，包括一基底、一金屬結(jié)構(gòu)以及一保護(hù)層?；拙哂幸坏谝槐砻嬉约耙坏诙砻?。第一表面相對(duì)于第二表面。金屬結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一表面。保護(hù)層設(shè)置于第二表面。
文檔編號(hào)H01L23/00GK101494203SQ200810000239
公開(kāi)日2009年7月29日 申請(qǐng)日期2008年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月24日
發(fā)明者杜文杰, 林久順, 王宏倚 申請(qǐng)人:奇景光電股份有限公司