專利名稱：使用注入雜質(zhì)將半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及一種將半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)的半導(dǎo)體管芯的方法，更具體 地，涉及一種使用注入雜質(zhì)將半導(dǎo)體晶片分割成單個(gè)半導(dǎo)體管芯的方法，以及一種使用注 入雜質(zhì)制造半導(dǎo)體管芯的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路的制造過程中，通過一系列的材料沉積和去除處理，多個(gè)集成電路 (半導(dǎo)體管芯)同時(shí)形成在單個(gè)半導(dǎo)體晶片上。然后在被稱為切割的處理中，從晶片分離 出單個(gè)的半導(dǎo)體管芯。晶片切割通常包括使用環(huán)形鋸條來割鋸晶片或通過劃線和破碎晶片 (如果晶片是結(jié)晶體)。分離出管芯處的半導(dǎo)體晶片的部分被認(rèn)為是切口，或是在半導(dǎo)體制 造的說法中被稱為道(street)或者劃道。晶片特性、鋸條的尺寸和特性、劃線工具的尺寸 和特性等的組合決定了劃道的寬度。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，傳統(tǒng)劃道可以具有大約62微米的道寬度。使用大約 30微米寬度的鋸條或劃線工具以及62微米寬度的道時(shí)，在鋸條或劃線工具的任一側(cè)就僅 剩下16微米的空隙。然而，在獲取每塊晶片更高管芯產(chǎn)量的努力下，半導(dǎo)體制造業(yè)正趨向 于更窄的劃道，比如，52微米或者更低。為了使用52微米的劃道，鋸條或劃線工具不得大 于20微米厚度，以便保持鋸條任一側(cè)上相同的空隙。然而，減少鋸條或劃線工具厚度來獲 得更窄切口存在實(shí)踐上的限制。因此，該領(lǐng)域所需要的是一種不受上面提到的厚度的限制而將半導(dǎo)體晶片分離成 單個(gè)管芯的方法。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供了一種用于將半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)半 導(dǎo)體管芯的方法。該分離半導(dǎo)體晶片的方法，其中步驟可以包括將雜質(zhì)放置在鄰近半導(dǎo)體 管芯相互連接的連接位置的半導(dǎo)體晶片的區(qū)域中，該雜質(zhì)被配置為破壞鄰近連接位置的半 導(dǎo)體晶片中的鍵合并成為弱化區(qū)域。用于分離半導(dǎo)體晶片的方法還可以包括沿著弱化區(qū)域 將具有雜質(zhì)的半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯。本發(fā)明還提供了一種制造半導(dǎo)體管芯的方法。該方法不局限地可以包括獲取半導(dǎo) 體晶片，以及在該半導(dǎo)體晶片之中或之上形成多個(gè)半導(dǎo)體特征。該制造半導(dǎo)體管芯的方法 還可以包括將雜質(zhì)置于鄰近半導(dǎo)體管芯相互連接的連接位置的半導(dǎo)體晶片的區(qū)域中，雜質(zhì) 放置在半導(dǎo)體晶片上半導(dǎo)體管芯相互連接的最近連接位置的區(qū)域，該雜質(zhì)配置為破壞鄰近 連接位置的半導(dǎo)體晶片中的鍵合并產(chǎn)生弱化區(qū)域，以及然后沿弱化區(qū)域?qū)⒕哂邪雽?dǎo)體特征 和雜質(zhì)的半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯。


為了更徹底地理解本發(fā)明，下面結(jié)合附圖進(jìn)行以下說明，附圖中
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圖1示出了表示用于制造半導(dǎo)體管芯的方法的實(shí)施例的流程圖；以及圖2A-4B示出了顯示用于將半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯的方法的實(shí)施例 的處理步驟。
具體實(shí)施例方式本公開至少部分地基于雜質(zhì)可以被注入到鄰近半導(dǎo)體管芯相互連接的連接位置 的半導(dǎo)體晶片中以有助于將半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯的認(rèn)識(shí)。本公開還認(rèn)識(shí)到注 入的雜質(zhì)能夠破壞鄰近連接位置的半導(dǎo)體晶片中的鍵合，產(chǎn)生弱化區(qū)域，以及半導(dǎo)體晶片 可以沿該弱化區(qū)域被分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯。圖1示出了表示用于制造半導(dǎo)體管芯的方法的實(shí)施例的流程圖100。除了用于制 造半導(dǎo)體管芯的方法，該流程圖包括如下方法的子集，所述方法將半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè) 半導(dǎo)體管芯。因此，流程圖100不應(yīng)被用于將本公開限制為任何特定的步驟。流程圖100從開始步驟105開始。此后，在步驟110中，獲取半導(dǎo)體晶片。該半導(dǎo) 體晶片可以包括多種不同的材料。例如，其中，該半導(dǎo)體晶片可以包括用于微電子學(xué)或類似 技術(shù)領(lǐng)域中的半導(dǎo)體、導(dǎo)體或絕緣體材料。例如，諸如GaAs、InP或GaN的(III)-(V)族半 導(dǎo)體，(III)-(V)族半導(dǎo)體的合金、硅鍺、碳化硅、合成石英和熔融硅石，以及這些材料或其 他未列出材料的組合，都可以被使用。所獲取的半導(dǎo)體晶片可以是制造的不同階段。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶片 是只有單個(gè)層且在其中沒有任何功能特征的半導(dǎo)體晶片裸片(例如，直接從結(jié)晶塊中得到 的)。在另一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶片包含了多個(gè)層，其中之一層可以是埋置的氧化物(例 如，絕緣體上硅(S0I))。而在其他的實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶片包括多個(gè)層，其中的某些層可能 與上述材料類似。在該實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶片在其中或其上已經(jīng)包含了一個(gè)或多個(gè)功能特 征(例如，有源特征)。之后，在步驟120，一個(gè)或多個(gè)其他的半導(dǎo)體特征可以形成在半導(dǎo)體晶片上、之中 或上方。步驟120可以包括多個(gè)不同的處理步驟。例如，步驟120可以包括在半導(dǎo)體晶片 上、之中或上方形成一個(gè)或多個(gè)有源特征(例如，晶體管特征、電容器特征、電感器特征，等 等)。步驟120可以額外地包括在半導(dǎo)體晶片上、之中或上方形成互連特征。步驟120也可 以包括在半導(dǎo)體晶片上、之中或上方圖案化一個(gè)或多個(gè)光刻膠特征。然而，步驟120不應(yīng)被 限制為任何單獨(dú)處理步驟或處理步驟的集合。步驟120之后，在步驟130中，抗蝕劑可以被圖案化以暴露半導(dǎo)體晶片的接近半導(dǎo) 體管芯相互連接的連接位置的區(qū)域。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解圖案化抗蝕劑(例如，一個(gè) 實(shí)施例中的光刻膠)的過程。例如，圖案化抗蝕劑的過程可以始于抗蝕劑材料層被施加于 半導(dǎo)體晶片，隨后選擇性地將抗蝕劑層暴露于能量源，其中部分抗蝕劑層由于暴露于能量 源而在特性上發(fā)生了改變。在這樣的暴露后，抗蝕劑層隨后可能被顯影，例如通過采用液體 化學(xué)溶劑的“濕法顯影處理”來顯影，從而選擇性地去除部分抗蝕劑。所得到的結(jié)果是期望 的抗蝕劑的圖案，在該實(shí)施例中，圖案將暴露半導(dǎo)體晶片的鄰近其中半導(dǎo)體管芯相互連接 的連接位置的區(qū)域。在另一實(shí)施例中，抗蝕劑將暴露半導(dǎo)體晶片中至少一部分的劃道。在步驟140中，雜質(zhì)可以被置于半導(dǎo)體晶片的區(qū)域(例如，在該實(shí)施例中的暴露區(qū) 域)中。在一個(gè)實(shí)施例中，雜質(zhì)被配置為破壞半導(dǎo)體晶片中鄰近連接位置的鍵合并產(chǎn)生弱化區(qū)域。用于最終形成弱化區(qū)域的雜質(zhì)可以變化。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，雜質(zhì)為一種或者 多種稀有氣體離子。例如，已經(jīng)注意到氫離子和氦離子(或者單獨(dú)或者混合)很好地作為 雜質(zhì)。然而，雜質(zhì)可以包括其他離子，比如硼或磷，或者可以是這些離子和前面討論的離子 的組合。然而，在特定應(yīng)用中，應(yīng)該避免硼和磷，從而防止周圍區(qū)域的反摻雜。也可以使用 其他的雜質(zhì)?？梢允褂枚喾N不同的處理來將雜質(zhì)置于半導(dǎo)體晶片內(nèi)。然而，在一個(gè)實(shí)施例中，使 用了注入技術(shù)將雜質(zhì)置于半導(dǎo)體晶片內(nèi)。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，使用了范圍在約lOkeV到 約lOOOkeV的注入能量以及范圍在約lE12atoms/cm3到約lE16atoms/cm3的注入劑量將雜 質(zhì)注入到半導(dǎo)體晶片內(nèi)。在另一個(gè)實(shí)施例中，選擇了注入條件以使得弱化區(qū)域從注入初始 接觸的半導(dǎo)體晶片的表面延伸到相對(duì)表面。然而，也可以使用其他的注入條件，包括不需要 上述抗蝕劑的注入。然后，在步驟150中，在其中具有雜質(zhì)的半導(dǎo)體晶片沿著弱化區(qū)域被分離成單個(gè) 的半導(dǎo)體管芯。半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)的管芯包括多個(gè)不同的步驟或步驟的組合。例如， 在一個(gè)實(shí)施例中，具有弱化區(qū)域的半導(dǎo)體晶片經(jīng)受熱應(yīng)力，導(dǎo)致弱化區(qū)域破碎，從而使半導(dǎo) 體管芯分離。其中，可以通過以適當(dāng)溫度對(duì)具有包括在其中的雜質(zhì)的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行退火 來施加熱應(yīng)力。本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)理解使半導(dǎo)體晶體破碎所需的、且同時(shí)保持在所分配 的熱裕度之中的適當(dāng)溫度。類似地，具有弱化區(qū)域的半導(dǎo)體晶片也可以經(jīng)受機(jī)械應(yīng)力來使弱化區(qū)域破碎。其 中，可以通過碾壓經(jīng)過半導(dǎo)體晶片的表面的機(jī)械裝置來施加機(jī)械應(yīng)力。在可選的實(shí)施例中， 機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力都可以被用于幫助半導(dǎo)體管芯的分離。在將半導(dǎo)體晶片破碎為單個(gè)半導(dǎo) 體管芯之后，處理可以在停止步驟155處停止。根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例，圖1的流程圖100包括可以用來制造半導(dǎo)體管芯的特 定步驟。在可選的實(shí)施例中，根據(jù)本公開的替換實(shí)施例，更多或者更少的步驟可以被用于制 造半導(dǎo)體管芯。此外，每一步驟被執(zhí)行的特定順序可以改變。因此，例如，在特定的實(shí)施例 中，步驟130和步驟140可以先于步驟120執(zhí)行。圖2A-4B示出了顯示將半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯的方法的實(shí)施例的處 理步驟。圖2A初始地示出了半導(dǎo)體晶片210。在圖2A中示出的晶片210包括凹槽260和 一個(gè)或者多個(gè)管芯區(qū)域270。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，凹槽260可以用于沿著晶片210的 中心(或者其他已知的點(diǎn))來協(xié)調(diào)晶片210上的各種不同的特征，包括特定半導(dǎo)體特征的 位置、管芯區(qū)域270等等。該一個(gè)或多個(gè)管芯區(qū)域270代表在半導(dǎo)體晶片210上用于不同管芯的管芯邊界。 這些管芯邊界可以最終成為晶片210被切割成為單個(gè)半導(dǎo)體管芯的劃道。此外，不管是否 使用放大裝置，管芯區(qū)域270都可能或不可能被人眼所見。給定晶片210上的管芯區(qū)域270 的數(shù)量通常根據(jù)晶片210的大小以及每個(gè)單獨(dú)的管芯區(qū)域270的期望大小而改變。返回到圖2B，示出了圖2A的半導(dǎo)體晶片210的一部分的放大圖。如圖所示，半導(dǎo) 體晶片210包括不同的材料、層和特征的集合。例如，半導(dǎo)體晶片210包括基底層212 (例 如，在一個(gè)實(shí)施例中的單晶硅)，有源特征層214 (例如，在一個(gè)實(shí)施例中包括晶體管器件)， 以及互連特征層216 (例如，在一個(gè)實(shí)施例中，包括一個(gè)或多個(gè)互連層)。除了其他可能性之 外，基底層212、有源特征層214、以及互連特征層216可以包括由上面提到的任一材料或其集合。類似地，在該制造階段，半導(dǎo)體晶片210中可以存在其他層。如圖2B中所示，在半導(dǎo)體晶片210上方形成了圖案化的抗蝕劑220，以暴露半導(dǎo)體 晶片210的區(qū)域230。類似于上述處理的處理可以用于圖案化抗蝕劑220。在一個(gè)實(shí)施例 中，暴露區(qū)域230被設(shè)置為鄰近半導(dǎo)體管芯270互相連接的連接位置。在另一實(shí)施例中，暴 露區(qū)域230暴露了半導(dǎo)體晶片210中的各劃道的至少一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，暴露區(qū)域230具有小于大約5微米的寬度(w)。在替換實(shí)施例 中，暴露區(qū)域230具有小于大約1微米的寬度。上述的寬度(w)明顯小于過去將半導(dǎo)體晶 片210分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯時(shí)可能使用的鋸條或劃線工具的寬度。因此，可以顯著節(jié)省 半導(dǎo)體晶片210的占用面積。圖2B還示出了雜質(zhì)240通過抗蝕劑220的中開口被引入暴露區(qū)域230中。除了 其他的可能性之外，可以使用類似于上面所討論的處理將雜質(zhì)240置于半導(dǎo)體中。如上述 討論的，雜質(zhì)240被配置為破壞半導(dǎo)體晶片210的鄰近半導(dǎo)體管芯270相互連接的連接位 置中的鍵合。雜質(zhì)240可以進(jìn)一步導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片210中的弱化區(qū)域250。在一個(gè)實(shí)施例 中，弱化區(qū)域250大體上垂直于設(shè)置了雜質(zhì)240的最初表面延伸。這與可能產(chǎn)生大體上平 行于該表面延伸的弱化區(qū)域的其他處理形成了鮮明的對(duì)比。圖2A和2B的實(shí)施例示出了抗蝕劑220被用于將雜質(zhì)240精確地置于半導(dǎo)體襯 底210中。然而，存在其中不需要抗蝕劑的其他實(shí)施例。例如，存在其中使用直接寫注入 (direct write implant)的已知實(shí)施例。例如，由XY平臺(tái)驅(qū)動(dòng)的質(zhì)子束可以被用于將雜質(zhì) 240包括在半導(dǎo)體襯底210中。圖3A和3B示出了在去除了半導(dǎo)體晶片210的背面(例如，與雜質(zhì)240最初被設(shè)置 的表面相對(duì)的表面)的至少一部分區(qū)域之后的圖2A和2B的半導(dǎo)體晶片210。在一個(gè)實(shí)施 例中，傳統(tǒng)的晶片背部打磨被用于將半導(dǎo)體晶片210的厚度減少到約200微米到約400微 米范圍的數(shù)值。在替換實(shí)施例中，可以使用更多或更少的背面打磨。該去除半導(dǎo)體晶片210 的背面的至少一部分的處理被設(shè)計(jì)為有助于將半導(dǎo)體晶片210分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯。圖4A和4B示出了將具有雜質(zhì)240的半導(dǎo)體晶片210沿著弱化區(qū)域250分離成單 個(gè)半導(dǎo)體管芯410之后的圖3A和3B中的半導(dǎo)體晶片210。如前面所提到的，將半導(dǎo)體晶 片210分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯的處理借助于增加應(yīng)力。圖4A和4B的實(shí)施例示出了使用輥 420施加的機(jī)械應(yīng)力的應(yīng)用。盡管在該實(shí)施例中使用輥420來提供應(yīng)力，本領(lǐng)域的技術(shù)人員 應(yīng)當(dāng)理解，各種其他的技術(shù)和裝置也可以被使用。應(yīng)當(dāng)再次注意，熱應(yīng)力或其他形式的應(yīng)力 (例如，聲學(xué)應(yīng)力)也都是可以被使用的。上面參考圖1至4B所公開的處理表明在半導(dǎo)體晶片中形成一個(gè)或多個(gè)特征之后， 尤其是在形成了互連結(jié)構(gòu)之后，將雜質(zhì)置于半導(dǎo)體晶片中。可能存在某些實(shí)施例，其中，在 半導(dǎo)體晶片上或之中形成任何特征之前將雜質(zhì)包括在半導(dǎo)體晶片中。類似地，可能存在某 些實(shí)施例，其中，在半導(dǎo)體晶片上或之中形成有源特征之后不久將雜質(zhì)包括在半導(dǎo)體晶片 中。上述公開的本發(fā)明的方面與其他傳統(tǒng)處理相比提供了某些益處。例如，上述公開 因?yàn)楣苄就ǖ揽梢孕∮谄渌匿彈l和劃線技術(shù)中所允許的通道，因而能夠得到更高的硅的 使用率。此外，相對(duì)于購買和維護(hù)傳統(tǒng)的鋸條和劃線工具，所使用用于將半導(dǎo)體晶片分離成 單個(gè)管芯的注入可以較少，因此這可能最終具有更低的處理成本。
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關(guān)于包括雜質(zhì)的更多細(xì)節(jié)和其他相關(guān)信息，可以在美國(guó)專利第6，335，258號(hào)，第 6，020，252號(hào)，第5，877，070號(hào)，第6，372，609號(hào)以及美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2004/0171232號(hào) 和第2004/0166649號(hào)中找到，以上全部?jī)?nèi)容通過引用結(jié)合于此。
涉及到上述本公開的本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本發(fā)明的保護(hù)范圍的 基礎(chǔ)上，可以對(duì)上述實(shí)施例做出其他和進(jìn)一步的添加、刪除、替換和修改。
權(quán)利要求
一種用于將半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯的方法，包括將雜質(zhì)置于半導(dǎo)體晶片的鄰近半導(dǎo)體管芯互相連接的連接位置的區(qū)域中，所述雜質(zhì)被配置為破壞鄰近所述半導(dǎo)體晶片中所述連接位置的鍵合并產(chǎn)生弱化區(qū)域；以及將具有所述雜質(zhì)的所述半導(dǎo)體晶片沿著所述弱化區(qū)域分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，設(shè)置雜質(zhì)包括將稀有氣體離子注入至所述區(qū)域中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，設(shè)置雜質(zhì)包括將氫離子注入至所述區(qū)域中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述區(qū)域具有小于大約5微米的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述區(qū)域具有小于大約1微米的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述雜質(zhì)通過抗蝕劑中的開口被置于所述半導(dǎo) 體晶片中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述雜質(zhì)被置于所述半導(dǎo)體晶片中的劃道內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，分離所述半導(dǎo)體晶片包括使用機(jī)械應(yīng)力或熱應(yīng) 力來分離所述半導(dǎo)體晶片。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述雜質(zhì)被置于表面中，以及其中進(jìn)一步地，所 述弱化區(qū)域大體上垂直于所述表面延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述雜質(zhì)被置于表面中，以及其中進(jìn)一步地包 括在注入之后且在分離之前，去除相對(duì)表面的一部分。
11.一種制造半導(dǎo)體管芯的方法，包括獲取半導(dǎo)體晶片；在所述半導(dǎo)體晶片上或之中形成多個(gè)半導(dǎo)體特征；將雜質(zhì)置于所述半導(dǎo)體晶片的鄰近半導(dǎo)體管芯互相連接的連接位置的區(qū)域中，所述雜 質(zhì)被配置為破壞所述半導(dǎo)體晶片中鄰近所述連接位置的鍵合并產(chǎn)生弱化區(qū)域；以及沿著所述弱化區(qū)域?qū)⒕哂兴霭雽?dǎo)體特征和雜質(zhì)的所述半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)的半 導(dǎo)體管芯。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，設(shè)置雜質(zhì)包括將稀有氣體離子注入至所述區(qū) 域中。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，設(shè)置雜質(zhì)包括將氫離子注入至所述區(qū)域中。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述區(qū)域具有小于大約5微米的寬度。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述區(qū)域具有小于大約1微米的寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述雜質(zhì)通過抗蝕劑中的開口被置于所述半 導(dǎo)體晶片中。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述雜質(zhì)被置于所述半導(dǎo)體晶片中的劃道內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，分離所述半導(dǎo)體晶片包括使用機(jī)械應(yīng)力或熱 應(yīng)力來分離所述半導(dǎo)體晶片。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述雜質(zhì)被置于表面中，以及其中進(jìn)一步地， 所述弱化區(qū)域大體上垂直于所述表面延伸。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述雜質(zhì)被置于表面中，以及進(jìn)一步地包括 在注入之后且在分離之前，去除相對(duì)表面的一部分。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于將半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)半導(dǎo)體管芯的方法。該種用于分離半導(dǎo)體晶片的方法，其中步驟可以包括將雜質(zhì)注入半導(dǎo)體晶片的鄰近半導(dǎo)體管芯互相連接的連接位置的區(qū)域中，雜質(zhì)被配置為破壞鄰近連接位置的半導(dǎo)體晶片中的鍵合并產(chǎn)生弱化區(qū)域。該種用于分離半導(dǎo)體晶片的方法可以進(jìn)一步包括沿著弱化區(qū)域?qū)⒕哂须s質(zhì)的半導(dǎo)體晶片分離成單個(gè)的半導(dǎo)體管芯。
文檔編號(hào)H01L21/265GK101809732SQ200780053007
公開日2010年8月18日 申請(qǐng)日期2007年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月17日
發(fā)明者E·B·哈里斯, K·G·斯坦納 申請(qǐng)人:艾格瑞系統(tǒng)有限公司