專利名稱：電解電容器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及巻繞式的電解電容器及其制造方法。
背景技術：
近年來，要求電路的小型化且對應于高頻，隨之，對于電容器來說也
需要低阻抗化。尤其對于計算機的CPU (中央處理器Central Processing Unit)驅動電路和開關電源電路等，在電路設計上，要求吸收高頻噪聲和 波紋電流，要求可以為低ESR (等效串聯(lián)阻抗)的電容器。
并且，作為可以為低ESR的電容器，巻繞式的電解電容器引人關注。 作為高電容的電解電容器，已知有專利文獻l記載的電解電容器。該電解 電容器由在陽極箔和陰極箔之間插入了隔離紙來進行巻繞的結構構成。
專利文獻l:日本特開2003 — 142345號公報
但是，在現有的電解電容器中，有為確保電容器本身的絕緣性去除隔 離紙很困難的問題。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明是為解決該問題而作出的，其目的是提供一種不使用隔 離紙的電解電容器。
本發(fā)明的另一目的是提供一種不使用隔離紙的電解電容器的制造方法。
根據本發(fā)明，電解電容器包括陽極部件和陰極部件。陰極部件與陽極 部件一起巻繞，而不經隔離紙。
另外，根據本發(fā)明， 一種電解電容器，是不包含隔離紙的巻繞式電解 電容器，包括陽極部件和陰極部件。陽極部件在表面涂覆有導電性高分子。 陰極部件與陽極部件一起巻繞，并在表面涂覆有導電性高分子。
最好，電解電容器進一步包括導電性高分子層。在間隙內形成導電性
4高分子層。
最好，導電性高分子由脂肪族系、芳香族系、多環(huán)式系和含異性原子 系導電性高分子的至少1個以上構成。
根據本發(fā)明，電解電容器具有陽極部件、陰極部件和導電性高分子膜。 陰極部件與陽極部件一起巻繞。將導電性高分子膜配置在陽極部件和陰極 部件之間，并與陽極部件和陰極部件一起巻繞。
進一步，根據本發(fā)明，電解電容器的制造方法包括制作陽極部件和 陰極部材的第1工序;不經隔離紙來巻繞陽極部件和陰極部件的第2工序。
進一步，根據本發(fā)明，電解電容器的制造方法包括在金屬箔的表面 涂覆導電性高分子來制作陽極部件和陰極部件的第1工序；使陰極部件與
陽極部件相對來巻繞陽極部件和陰極部件的第2工序。
進一步，根據本發(fā)明，電解電容器的制造方法包括制作陽極部件和陰
極部材的第1工序;使陰極部件隔著導電性高分子薄膜而與陽極部件相對， 并巻繞陽極部件、導電性高分子膜和陰極部件的第2工序。
最好，電解電容器的制造方法在第2工序后進一步具有在間隙形成導 電性高分子層的第3工序。
最好，電解電容器的制造方法在第2工序后進一步具有使電解質含浸 的第3工序。
發(fā)明的效果
本發(fā)明的電解電容器由不經隔離紙來巻繞陽極部件和陰極部件的結 構構成。
本發(fā)明的電解電容器由經導電性高分子薄膜來巻繞陽極部件和陰極 部件的結構構成。
進一步，本發(fā)明的電解電容器由不經隔離紙來巻繞涂覆了導電性高分 子的陽極部件和陰極部件的結構構成。
進一步，本發(fā)明的電解電容器由經通過聚合形成的導電性高分子層來 巻繞涂覆了導電性高分子后的陽極部件和陰極部件的結構構成。
因此，根據本發(fā)明，可以不經隔離紙地制作電解電容器。


圖1是表示基于本發(fā)明的實施方式1的電解電容器的結構的立體圖； 圖2是表示基于本發(fā)明的實施方式1的電解電容器的結構的剖視圖； 圖3是從圖2所示的A方向看到的電解電容器的俯視圖； 圖4是圖1所示的陽極化成箔的剖視圖5是說明圖1和圖2所示的電解電容器的制作方法用的流程圖6是說明巻繞陽極化成箔和陰極箔的方法用的圖7是表示基于實施方式2的電解電容器的結構的立體圖8是圖7所示的陽極化成箔的剖視圖9是說明圖7所示的電解電容器的制作方法用的流程圖10是表示基于實施方式3的電解電容器的結構的立體圖11是圖IO所示的陽極化成箔的剖視圖12是說明圖IO所示的電解電容器的制作方法用的流程圖13是表示基于實施方式4的電解電容器的結構的立體圖14是圖13所示的陽極化成箔的剖視圖15是說明圖13所示的電解電容器的制作方法用的流程圖； 圖16是表示基于實施方式5的電解電容器的結構的立體圖； 圖17是巻繞的陽極化成箔、陰極箔和導電性高分子薄膜的一部分的 剖視圖18是說明圖16所示的電解電容器的制作方法用的流程圖。 圖中1、 1A、 1B、 1C、 1D —陽極化成箔，2、 2A、 2B、 2C、 2D — 陰極箔，3 —止巻帶，5 —電容器元件，6、 7 —引線接頭端子，8 —陽極引 線，9—陰極引線，10、 IOA、 IOB、 IOC、 10D—電解電容器，11 —殼體， 12 —橡膠裝填(packing)物，13 —座板，13A、 13B —缺口部，15 —導電 性高分子薄膜，101 —金屬箔、102、 102A、 103 —導電性高分子層。
具體實施例方式
參考附圖來詳細說明本發(fā)明的實施方式。對圖中相同或相應部分添加 相同附圖標記而不重復其說明。 [實施方式l]
圖1是表示基于本發(fā)明的實施方式1的電解電容器的結構的立體圖。圖2是表示基于本發(fā)明的實施方式1的電解電容器的結構的剖視圖。參考 圖1和圖2，基于本發(fā)明的實施方式1的電解電容器10包括陽極化成箔1、 陰極箔2、止巻帶3、引線接頭端子6， 7、陽極引線8、陰極引線9、殼體 11、橡膠裝填物12和座板13。
電解電容器IO例如是包含固體電解質的電解電容器。
陽極化成箔l由表面被化成處理并且涂覆導電性高分子的箔構成。因 此，陽極化成箔l的表面被凹凸化，并在凹凸表面上具有氧化覆膜和導電 性高分子。陰極箔2由涂覆導電性高分子后的鋁箔構成。
使陽極化成箔1和陰極箔2重合，并巻繞該重合后的陽極化成箔1和 陰極箔2。并且，通過止巻帶3來固定巻繞后的陽極化成箔1和陰極箔2 的端部。由此，形成大致圓柱形的電容器元件5。這樣，在電解電容器IO 中，不經隔離紙地巻繞陽極化成箔1和陰極箔2。
引線接頭端子6與陽極化成箔1相連，引線接頭端子7與陰極箔2相 連。陽極引線8與引線接頭端子6相連，陰極引線9與引線接頭端子7相 連。
殼體ll由鋁構成，收納電容器元件5、引線接頭端子6、 7、陽極引 線8和陰極引線9。橡膠裝填物12將電容器元件5和引線接頭端子6、 7 密封在殼體ll內。座板13固定陽極引線8和陰極引線9。若將電容器元 件5收納在殼體11內，則陽極引線8和陰極引線9沿座板13彎曲。
圖3是從圖2所示的A方向看到的電解電容器10的俯視圖。參考圖 3，座板13具有大致長方形的平面形狀，具有缺口部13A、 13B。并且， 陽極引線8和陰極引線9分別向座板13的面內方向彎曲，以便嵌合到座 板13的缺口部13A、 13B中。
并且，將彎曲后的陽極引線8和陰極引線9作為電解電容器10的端 子使用。
圖4是圖1所示的陽極化成箔1的剖視圖。參考圖4，陽極化成箔1 包含金屬箔101和導電性高分子層102、 103。金屬箔101由進行蝕刻處理 和化成處理后的鋁箔構成。蝕刻處理后的鋁箔，其表面被凹凸化，但是在 圖4中，為了說明陽極化成箔l的剖面結構，而將金屬箔101表示為表面 平坦。導電性高分子層102由聚噻吩系導電性高分子構成，形成在金屬箔 101的表面上。導電性高分子層103由3， 4一乙烯二氯二氧化噻吩構成， 形成為與導電性高分子層102接觸。
這樣，陽極化成箔1由將兩個導電性高分子層102， 130形成在金屬 箔101的表面上的結構構成。
圖1所示的陰極箔2也由與圖4所示的陽極化成箔1的剖面結構相同 的剖面結構構成。
圖5是說明圖1和圖2所示的電解電容器10的制作方法用的流程圖。 參考圖5，裁斷一片具有預定尺寸(長度L和寬度W)的鋁箔，并對鋁箔 的表面實施蝕刻處理，進行化成處理，同時涂覆聚噻吩系導電性高分子而 制作l片陽極化成箔l。另外，裁斷l(xiāng)片具有預定的尺寸(長度L和寬度 W)的鋁箔，并對鋁箔的表面實施蝕刻處理，進行化成處理，同時涂覆聚 噻吩系導電性高分子而制作1片陰極箔2 (步驟S1)。通過該聚噻吩系導 電性高分子的涂覆而在金屬箔101的表面形成導電性高分子層102。
并且，使陰極箔2與陽極化成箔1相對并巻繞陽極化成箔1和陰極箔 2，并通過止巻帶3來固定陽極化成箔1和陰極箔2的端部，從而制作電 容器元件5 (步驟S2)。即，不經隔離紙地巻繞陽極化成箔1和陰極箔2 來制作電容器元件5。之后，進行電容器元件5的切口化成(步驟S3)， 并將電容器元件5浸漬在通過聚合而成為導電性高分子的3， 4 一乙烯二 氯二氧化噻吩和作為氧化劑溶液的p—甲苯砜酸第二鐵乙醇溶液的混合溶 液中(步驟S4)。通過向該混合溶液的浸漬，導電性高分子層103形成為 與導電性高分子層102接觸。即，通過將電容器元件5浸漬在混合溶液中， 而從巻繞后的陽極化成箔1和陰極箔2的間隙將混合溶液含浸到電容器元 件5中，從而形成了導電性高分子層103。因此，導電性高分子層103是 在陽極化成箔1和陰極箔2的間隙中形成的導電性高分子層。另外，由于 導電性高分子層103是電解質，所以步驟S4的工序相當于使陽極化成箔1 和陰極箔2的間隙含浸電解質的工序。
之后，向電容器元件5插入密封用橡膠裝填物12，并將插入了密封用 橡膠裝填物12的電容器元件5收納在殼體11中(步驟S5)。并且，進行 殼體的開口部的橫拉和巻曲(curl)，來密封電容器元件5 (步驟S6)。之后，進行電容器元件5的磨邊處理(步驟S7)，并向巻曲面插入塑
料制的座板13 (步驟S8)。并且，將陽極引線8和陰極引線9作為電極 端子進行沖壓加工，并通過使其沿座板13彎曲而形成電極(步驟S9)。 由此，電解電容器10完成。
圖6是說明巻繞陽極化成箔1和陰極箔2的方法用的圖。參考圖6， 在巻繞陽極化成箔1和陰極箔2時，以圖6所示的方式來配置陽極化成箔 1和陰極箔2，并以支點FLC為中心使陽極化成箔1和陰極箔2逆時針(或 順時針)旋轉來巻繞陽極化成箔1和陰極箔2。由此，來制作電容器元件 5。因此，在圖5所示的步驟S2中，通過圖6所示的方法來巻繞陽極化成 箔1和陰極箔2，而制作電容器元件5。
這樣，電解電容器10由不經隔離紙來巻繞陽極化成箔1和陰極箔2 的結構構成。
圖7是表示基于實施方式2的電解電容器的結構的立體圖。參考圖7， 實施方式2的電解電容器10A中分別用陽極化成箔1A和陰極箔2A來代 替圖1所示的電解電容器10的陽極化成箔1和陰極箔2，除此之外，與電 解電容器10相同。
巻繞陽極化成箔1A和陰極箔2A，使其彼此接觸，并通過止巻帶3固 定。由此，來制作電容器元件5。即，不經隔離紙來巻繞陽極化成箔1A 和陰極箔2A，而制作了電容器元件5。
圖8是圖7所示的陽極化成箔1A的剖視圖。參考圖8，陽極化成箔 1A刪除了圖4所示的陽極化成箔1的導電性高分子層103，除此之外，與 陽極化成箔1相同。陰極箔2A也由與圖8所示的陽極化成箔1A相同的 剖面結構構成。
圖9是說明圖7所示的電解電容器10A的制作方法用的流程圖。圖9 所示的流程圖刪除了圖5所示的流程圖的步驟S4，除此之外，與圖5所示 的流程圖相同。
因此，依次執(zhí)行上述的步驟Sl 步驟S3，并在進行了電容器元件5 的切口化成(步驟S3)后，電容器元件5直接被插入密封用橡膠裝填物12，并被收納到殼體ll中(步驟S5)。并且，依次執(zhí)行上述的步驟S6 步驟S9。
這樣，電解電容器10A不用將電容器元件5浸漬在3， 4一乙烯二氯 二氧化噻吩和p —甲苯砜酸第二鐵乙醇溶液的混合溶液中進行制作。因此， 如上所述，陽極化成箔1A和陰極箔2A由金屬箔101和導電性高分子層 102構成，并具有不包含導電性高分子層103的剖面結構。
除此之外，與實施方式l相同。
圖10是表示基于實施方式3的電解電容器的結構的立體圖。參考圖 10，基于實施方式3的電解電容器10B用陽極化成箔1B和陰極箔2B來 分別代替圖1所示的電解電容器10的陽極化成箔1和陰極箔2，除此之外， 與電解電容器10相同。
巻繞陽極化成箔1B和陰極箔2B，使其彼此接觸，并通過止巻帶3固 定。由此，制作了電容器元件5。 S卩，不經隔離紙來巻繞陽極化成箔1B 和陰極箔2B而制作電容器元件5。
圖11是圖IO所示的陽極化成箔1B的剖視圖。參考圖11，陽極化成 箔1B用導電性高分子層102A來代替圖4所示的陽極化成箔1的導電性 高分子層102，除此之外，與陽極化成箔l相同。
導電性高分子層102A由聚苯胺系導電性高分子構成，形成為在金屬 箔101和導電性高分子層103之間接觸金屬箔101和導電性高分子層103。 陰極箔2B也由與圖ll所示的陽極化成箔1B相同的剖面結構構成。
圖12是說明圖IO所示的電解電容器10B的制作方法用的流程圖。圖 12所示的流程圖用步驟S1A來代替圖5所示的流程圖的步驟Sl，除此之 外，與圖5所示的流程圖相同。
若參考圖12，而開始電解電容器10B的制作，則裁斷一片具有預定 尺寸(長度L和寬度W)的鋁箔，并對鋁箔的表面實施蝕刻處理，并進行 化成處理，同時涂覆聚苯胺系導電性高分子來制作1片陽極化成箔1B。 另外，裁斷l(xiāng)片具有預定尺寸(長度L和寬度W)的鋁箔，并對鋁箔的表 面實施蝕刻處理，進行化成處理，同時涂覆聚苯胺系導電性高分子來制作
101片陰極箔2B (步驟S1A)。通過該聚苯胺系導電性高分子的涂覆而在金 屬箔101的表面形成導電性高分子層102A。
之后，依次執(zhí)行上述的步驟S2 步驟S9，并制作電解電容器10B。 該情況下，通過將巻繞陽極化成箔1B和陰極箔2B而制作的電容器元件5 浸漬在3， 4 一乙烯二氯二氧化噻吩和p —甲苯砜酸第二鐵乙醇溶液的混 合溶液中，并將混合溶液從巻繞后的陽極化成箔1B和陰極箔2B的間隙含 浸到電容器元件5中，而形成導電性高分子層103。結果，陽極化成箔1B 和陰極箔2B具有圖ll所示的剖面結構。
因此，電解電容器10B是在金屬箔101的表面上形成的導電性高分子 層102A與電解電容器IO不同的電解電容器。
除此之外，與實施方式l相同。
圖13是表示基于實施方式4的電解電容器的結構的立體圖。參考圖 13，基于實施方式4的電解電容器10C分別用陽極化成箔1C和陰極箔2C 代替圖10所示的電解電容器10B的陽極化成箔1B和陰極箔2B，除此之 外，與電解電容器10B相同。
巻繞陽極化成箔1C和陰極箔2C，使其彼此接觸，并通過止巻帶3來 固定。由此，制作了電容器元件5。 g卩，不經隔離紙地巻繞陽極化成箔1C 和陰極箔2C，而制作電容器元件5。
圖14是圖13所示的陽極化成箔1C的剖視圖。參考圖14，陽極化成 箔1C刪除了圖11所示的陽極化成箔1B的導電性高分子層103，除此之 外，與陽極化成箔1B相同。陰極箔2C也由與圖14所示的陽極化成箔1C 相同剖面的結構構成。
圖15是說明圖13所示的電解電容器10C的制作方法用的流程圖。圖 15所示的流程圖刪除了圖12所示的流程圖的步驟S4，除此之外，與圖12 所示的流程圖相同。
因此，依次執(zhí)行上述的步驟S1A、步驟S2和步驟S3，并在進行了電 容器元件5的切口化成(步驟S3)后，電容器元件5被直接插入了密封用 橡膠裝填物12，并被收納到殼體ll中(步驟S5)。并且，依次執(zhí)行上述的步驟S6 步驟S9。
這樣，電解電容器10C不將電容器元件5浸漬在3， 4一乙烯二氯二 氧化噻吩和p—甲苯砜酸第二鐵乙醇溶液的混合溶液中來加以制作。因此， 如上所述，陽極化成箔1C和陰極箔2C由金屬箔101和導電性高分子層 102A構成，具有不含有導電性高分子層103的剖面結構。
除此之外，與實施方式1， 3相同。
圖16是表示實施方式5的電解電容器的結構的立體圖。參考圖16， 實施方式5的電解電容器10D分別用陽極化成箔1D和陰極箔2D來代替 圖1所示的電解電容器10的陽極化成箔1和陰極箔2，并追加了導電性高 分子薄膜15，除此之外，與電解電容器10相同。
陽極化成箔1D和陰極箔2D經導電性高分子薄膜15來巻繞，并通過 止巻帶3固定。該情況下，導電性高分子薄膜15的大小可以比陽極化成 箔1D和陰極箔2D大，也可以比其小。
圖17是巻繞后的陽極化成箔1D、陰極箔2D和導電性高分子薄膜15 的一部分的剖視圖。參考圖17，陽極化成箔1D和陰極箔2D由金屬箔101 和導電性高分子層103構成。并且，導電性高分子層103形成在金屬箔101 的表面上。
導電性高分子薄膜15與陽極化成箔1D的導電性高分子層103和陰極 箔2D的導電性高分子層103接觸，并配置在2個導電性高分子層103之 間。
圖18是說明圖16所示的電解電容器10D的制作方法用的流程圖。圖 18所示的流程圖分別用步驟S1B、2A來代替圖5所示的流程圖的步驟Sl、 S2，除此之外，與圖5所示的流程圖相同。
若參考圖18開始制作電解電容器IOD，則裁斷1片具有預定尺寸(長 度L和寬度W)的鋁箔，并對鋁箔的表面實施蝕刻處理，進行化成處理后 來制作1片陽極化成箔1D。另外，裁斷1片具有預定的尺寸(長度L和 寬度W)的鋁箔，并對鋁箔的表面實施蝕刻處理，進行化成處理后來制作 1片陰極箔2D (步驟S1B) 。 g卩，不將導電性高分子涂覆在鋁箔的表面上地形成陽極化成箔1D和陰極箔2D。
并且，將導電性高分子薄膜15插在陽極化成箔1D和陰極箔2D之間 來巻繞陽極化成箔1D、陰極箔2D和導電性高分子薄膜15而制作電容器 元件5 (步驟S2A)。
5 之后，依次執(zhí)行上述的步驟S3 步驟S9，來制作電解電容器10D。
該情況下，通過將巻繞陽極化成箔1D和陰極箔2D制作出的電容器元件5 浸漬在3， 4 一乙烯二氯二氧化噻吩和p —甲苯砜酸第二鐵乙醇溶液的混 合溶液中，而將混合溶液從巻繞后的陽極化成箔1D和陰極箔2D的間隙 含浸到電容器元件5，從而在金屬箔101的表面上形成導電性高分子層
io103。結果，陽極化成箔1D和陰極箔2D具有圖17所示的剖面結構。
這樣，電解電容器IOD使用在表面不涂覆導電性高分子的金屬箔來加 以制作。
除此之外，與實施方式l相同。
基于上述的實施方式1 實施方式5的電解電容器10、 IOA、 IOB、 15IOC、 10D是不使用隔離紙的電解電容器。在不使用隔離紙的情況下，確 保電絕緣性很重要。因此，說明電解電容器IO， IOA， IOB， IOC， IOD的
電特性。
表l表示電解電容器10， IOA， IOB， IOC， IOD的電特性的測量結果。 [表l]
導電性高分子含浸電容量tan5 (%)等效串 聯(lián)阻抗 (mQ)漏電流
種類、,八國i+H' 涂覆薄膜實施方式l聚噻 吩系〇--〇5721.31024
實施方式2〇----5651.61425
實施方式3聚苯 胺系〇--〇5631.41627
實施方式4〇----5601.82026
實施方式5聚噻 吩系--〇〇5711.21022
現有例----〇5681.31327
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另外，表1所示的電特性的測量分別在基于實施方式1 實施方式5 和現有例的電解電容器中，是30個電解電容器的平均值。電容量和tan5
13的測量以120Hz的頻率來進行，等效串聯(lián)抵抗的測量在100kHz的頻率下 進行。另外，漏電流是在施加了額定電壓后2分鐘后的值。
從表1所示的結果來看，實施方式1 實施方式5的電解電容器10， IOA、 IOB、 IOC、 IOD與現有例的電解電容器具有相同的電容量和漏電流。 因此，即使不使用隔離紙，也可確保電絕緣性來制作電解電容器。
通過將導電性高分子涂覆在表面上，并通過聚合來形成導電性高分子 層，從而等效串聯(lián)抵抗降低(參考實施方式1和實施方式2的比較和實施 方式3和實施方式4的比較)。即，通過兼用導電性高分子的涂覆處理與 通過聚合向作為導電性高分子的混合溶液的浸漬處理，可以制作具有與現 有例的電解電容器相同以上的等效串聯(lián)抵抗的電解電容器。
進一步，即使不進行導電性高分子的涂覆處理，通過經導電性高分子 薄膜來巻繞陽極化成箔和陰極箔，也可制作與現有例的電解電容器相比具 有更低等效串聯(lián)抵抗的電解電容器(參考實施方式5的電解電容器)。
因此，通過不使用隔離紙來制作電解電容器，可以實現等效串聯(lián)抵抗 的降低。
在不使用隔離紙的情況下，使用與現有例相同長度的陽極化成箔和陰 極箔來制作的電解電容器具有比現有例的電解電容器小的直徑。即，該情 況下，通過不使用隔離紙，可以使電解電容器小型化。
另一方面，在不使用隔離紙，而制作與現有例的電解電容器具有相同 直徑的電解電容器的情況下，其電解電容器具有1.6倍的電容。即，該情 況下，通過不使用隔離紙，可以使電解電容器大電容化。
上述中，說明在金屬箔101的表面上涂覆的導電性高分子由聚噻吩系 導電性高分子或聚苯胺系導電性高分子構成，但是本發(fā)明中，并不限于此， 導電性高分子可以是脂肪族系、芳香族系、多環(huán)系和含異性原子系導電性 高分子的至少一個以上構成。
這里公開的實施方式應認為在所有方面都只是例示，而不是限制。本 發(fā)明的范圍通過權利要求的范圍，而不是上述實施方式的說明來表示，意 圖包含與權利要求的范圍相同的含義和范圍內的所有變形。
產業(yè)上的可用性本發(fā)明適用于不使用隔離紙的電解電容器。本發(fā)明適用于不使用隔離 紙的電解電容器的制造方法。
權利要求
1、一種電解電容器，其特征在于，包括陽極部件；和不經隔離紙與所述陽極部件一起卷繞的陰極部件。
2、 一種不含有隔離紙的巻繞式的電解電容器，其特征在于，包括-陽極部件，其表面被涂覆有導電性高分子；和陰極部件，其與所述陽極部件一起巻繞，且在表面涂覆有所述導電性 高分子。
3、 根據權利要求2所述的電解電容器，其特征在于， 進一步包括在間隙形成的導電性高分子層。
4、 根據權利要求2或3所述的電解電容器，其特征在于， 所述導電性高分子由脂肪族系、芳香族系、多環(huán)式系和含異性原子系導電性高分子的至少一個以上構成。
5、 一種電解電容器，其特征在于，包括 陽極部件；陰極部件，其與所述陽極部件一起巻繞；和導電性高分子膜，其配置在所述陽極部件和所述陰極部件之間，且與 所述陽極部件和所述陰極部件一起被巻繞。
6、 一種電解電容器的制造方法，其特征在于，包括 第一工序，制作陽極部件和陰極部件；和第二工序，不經隔離紙來巻繞所述陽極部件和所述陰極部件。
7、 一種電解電容器的制造方法，其特征在于，包括第一工序，在金屬箔的表面涂覆導電性高分子來制作陽極部件和陰極 部件；和第二工序，使所述陰極部件與所述陽極部件相對，并巻繞所述陽極部 件和所述陰極部件。
8、 一種電解電容器的制造方法，其特征在于，包括 第一工序，制作陽極部件和陰極部件；第二工序，使所述陰極部件隔著導電性高分子膜而與所述陽極部件相對，并巻繞所述陽極部件、所述導電性高分子膜和所述陰極部件。
9、 根據權利要求8所述的電解電容器的制作方法，其特征在于，在所述第二工序后進一步包括第三工序，在間隙內形成導電性高分子層。
10、 根據權利要求8所述的電解電容器的制作方法，其特征在于， 在所述第二工序后進一步包括使電解質含浸的第三工序。
全文摘要
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種不使用隔離紙的電解電容器。電解電容器(10)包括陽極化成箔(1)、陰極箔(2)、止卷帶(3)、引線接頭端子(6，7)、陽極引線(8)和陰極引線(9)。陽極化成箔(1)和陰極箔(2)在表面上涂覆聚噻吩系導電性高分子。引線接頭端子(6)與陽極化成箔(1)相連，引線接頭端子(7)與陰極箔(2)相連。陽極引線(8)與引線接頭端子(6)相連，陰極引線(9)與引線接頭端子(7)相連。并且，連接引線接頭端子(6、7)、陽極引線(8)和陰極引線(9)后的陽極化成箔(1)和陰極箔(2)不經隔離紙來進行卷繞，并通過止卷帶(3)來固定。由此，制作了電容器元件(5)。
文檔編號H01G9/028GK101542659SQ200780043290
公開日2009年9月23日 申請日期2007年9月27日 優(yōu)先權日2006年11月22日
發(fā)明者藤本和雅 申請人:三洋電機株式會社;佐賀三洋工業(yè)株式會社