專利名稱:薄膜太陽能模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明總的來說涉及一種將薄膜太陽能電池相互連接起來的方法,以 及一種薄膜太陽能電池模塊。
背景技術(shù):
在一個支撐性異質(zhì)基頂(例如玻璃)上的薄膜太陽能電池具有能夠顯 著降低太陽能光電(PV)模塊的制造成本,這是因?yàn)橄鄬鹘y(tǒng)的運(yùn)用晶片的 太陽能電池來說,他們僅需要一部分的半導(dǎo)體材質(zhì)即可。而且,薄膜太陽 能電池的優(yōu)點(diǎn)在于它可以在一個大面積的基底(4妻近lm"上制成,如此可 簡化制程且降低制造成本。
雖然太陽能電池的輸出電流與裝置的尺寸成比例,但是輸出電壓并非 如此,因此,大面積(接近lm"的太陽能電池具有很高的電流及很低的電壓。 由于電阻損耗與電流平方成正比,所以,大面積的太陽能電池具有很大的 電阻損耗(因此,具有很低的能量轉(zhuǎn)換效率),因而不適用于大部分的應(yīng)用 情形中。解決此項(xiàng)問題的一種常見方法是將大面積太陽能電池分割成許多 塊(例如k塊)較小的電池,每小塊電池均具有相同的大小,而且,將這些 較小的電池電氣式地串聯(lián)起來,如此一來,各個電池的電壓就可以加總起 來,而且,這些電池的電流〗又為大面積電池的k分之一。
大部分的太陽能電池均是以p-n結(jié)的半導(dǎo)體二極管作為基礎(chǔ)。通過運(yùn) 用硅晶片的太陽能電池,此二極管結(jié)構(gòu)通??衫镁鶆驌诫s的p型晶片且 沿著此晶片的表面形成(例如,通過擴(kuò)"^:)一薄n+型層而實(shí)現(xiàn)。通過薄膜太 陽能電池,當(dāng)薄半導(dǎo)體膜沉淀時,通??僧a(chǎn)生此二極管結(jié)構(gòu)。典型地,相較于硅晶片太陽能電池的好幾百微米來說,所產(chǎn)生的p-n結(jié)二極管其厚度小 于5微米。
太陽能電池的串聯(lián)式互連涉及到將一個p-n結(jié)二極管(或電池)的n型側(cè) 電氣式連接(通過例如金屬這樣的適當(dāng)傳導(dǎo)媒介)到下 一 個電池的p型側(cè)上 等步驟。然后,通過將第一個電池的p型側(cè)與最后一個電池的n型側(cè)連接到 一負(fù)載,則可以從這樣的一連串電池中取出電流。假如在這個串電池中的 所有各個電池均具有相等尺寸的話,則每個電池所產(chǎn)生的電流均相等,且 等于通過此串電池的電流。每個電池的輸出電壓將會添加至此串電池中的 其它電池上,從而,假如這個串電池中具有k個電池,且每個電池的電壓 為V的話,則整串電池所產(chǎn)生的輸出電壓為k x V(忽略電阻損耗)。
通過硅晶片所制成的太陽能電池,這樣的一連串互連結(jié)構(gòu)一般是由一 個晶片接著一個晶片而制成的,使得這些晶片被建構(gòu)成一模塊。通過薄膜 太陽能電池, 一般可使用不同的方案,這是由于先前所提到的薄膜太陽能 電池具有能夠被放置在大面積基底上的優(yōu)點(diǎn)。
將薄膜太陽能電池互相連接于玻璃基頂上的一種典型方法,是基于使 用透明導(dǎo)電氧化物(TCO),例如銦錫氧化物或氧化鋅。這些TCO基本上 是高能帶間隙的半導(dǎo)體,其不會吸收大量的太陽光,但由于他們被高度摻 雜的緣故,所以他們是良好的導(dǎo)電體。TCO是PV模塊的一個重要成分,此 PV模塊是由并未展現(xiàn)出令人滿意的側(cè)向傳導(dǎo)性的半導(dǎo)體所制成(即,被摻 雜的半導(dǎo)體層具有非常高的電氣薄膜電阻)。由導(dǎo)電性很差的半導(dǎo)體(例如 非晶硅或微晶硅)所制成的PV模塊,通常在太陽能電池上使用兩個TCO薄 膜。其中一薄膜在前表面上,而另一薄膜則在后表面上。相鄰電池的互連 結(jié)構(gòu)是由激光刻劃及后續(xù)沉淀各個TCO與半導(dǎo)體層的組合結(jié)果而實(shí)現(xiàn)出 來。
如果半導(dǎo)體層具有足夠良好的側(cè)向電氣傳導(dǎo)性的話,則可以不使用 TCO,而可以通過格狀或條狀的金屬接點(diǎn)直接接觸。Basore的專利公告第WO 03/019674 Al號揭示一種用于薄膜太陽能電池的可能互連方式。 Wenhan的美國專利第5,595,607號則揭示另一種可行的方式。此方式是以溝 槽為基礎(chǔ),這些溝槽的側(cè)壁在一特殊制程中被高度摻雜,且隨后在溝槽中 i真滿金屬。
就制造環(huán)境的背景來說,上述用于具有充分良好側(cè)向?qū)щ娦缘陌雽?dǎo)體 層的互連方式,需要很多的制程步驟,以實(shí)現(xiàn)此互連結(jié)構(gòu)。因此,需要提 供一種用以將薄膜太陽能電池互連于異質(zhì)基頂上的替代技術(shù),以解決上述
問題。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明第一方法,提供一種互連薄膜太陽能電池的方法,該方法 包含以下步驟在一基頂上的半導(dǎo)體薄膜二極管結(jié)構(gòu)內(nèi)形成一或多條溝 槽,從而,該二極管結(jié)構(gòu)被分割成多個分離的太陽能電池,而且,各個太 陽能電池的成對的側(cè)壁的摻雜極性,與該二極管結(jié)構(gòu)的基頂側(cè)半導(dǎo)體層的 摻雜極性相同;在該二極管結(jié)構(gòu)上形成一非連續(xù)性絕緣層,從而,各成對 的側(cè)壁的其中一個側(cè)壁被該絕緣層所覆蓋,而各成對的側(cè)壁的另一側(cè)壁以 及各太陽能電池的一個或多個表面接觸區(qū)域則仍保持暴露;以及,在該二 極管結(jié)構(gòu)上形成一個非連續(xù)性導(dǎo)電層,從而,對于各成對的相鄰的第一與 第二太陽能電池來說,第 一 太陽能電池的暴露側(cè)壁電氣連接到第二太陽能 電池的表面接觸區(qū)域,且仍舊保持不會電氣連接至第一太陽能電池的表面 接觸區(qū)域。
可以通過激光刻劃而形成溝槽。
形成非連續(xù)性絕緣層、導(dǎo)電層或此兩層包含噴墨印刷。 形成非連續(xù)性絕緣層、導(dǎo)電層或此兩層包含網(wǎng)版印刷。 形成非連續(xù)性絕緣層、導(dǎo)電層或此兩層,包含在沉淀各個層所用的材 質(zhì)期間或之后實(shí)施各個層的圖案化。
在沉淀用于各個層的材質(zhì)之后,使各個層產(chǎn)生圖案包含噴墨印刷或微影技術(shù)。
非連續(xù)性絕緣層包含聚合體。
非連續(xù)性導(dǎo)電層包含金屬膏狀物。
二極管結(jié)構(gòu)包含聚晶硅。
此方法另外包含在基頂與二極管結(jié)構(gòu)之間設(shè)置抗反射涂層。 根據(jù)本發(fā)明第二方面,設(shè)有一種薄膜太陽能模塊,包含基頂;形成
該基頂上的半導(dǎo)體薄膜二極管結(jié)構(gòu); 一個或多個形成于該二極管結(jié)構(gòu)內(nèi)的 溝槽,從而該二極管結(jié)構(gòu)被分割成多個分離的太陽能電池,而且,各個太 陽能電池的成對側(cè)壁的摻雜極性,與該二極管結(jié)構(gòu)的基頂側(cè)半導(dǎo)體層的摻 雜極性相同;在該二極管結(jié)構(gòu)上所形成的非連續(xù)性絕緣層,從而,各成對 的側(cè)壁的其中一側(cè)壁被該絕緣層所覆蓋,而各成對的另一側(cè)壁以及各太陽 能電池的一或多個表面接觸區(qū)域則仍保持暴露;以及一個在該二極管結(jié)構(gòu) 上所形成的非連續(xù)性導(dǎo)電層,從而,對于各成對的相鄰的第一與第二太陽 能電池來說,第一太陽能電池的暴露側(cè)壁電氣連接到第二太陽能電池的表 面接觸區(qū)域,且仍舊保持不會電氣連接至第一太陽能電池的表面接觸區(qū) 域。
非連續(xù)性絕緣層包含聚合體。
非連續(xù)性導(dǎo)電層包含金屬膏狀物。
二極管結(jié)構(gòu)包含聚晶硅。
此^^莫塊以另外包含在基頂與二極管結(jié)構(gòu)之間的抗反射涂層。
本領(lǐng)域普通技術(shù)人員由下面的文字描述(僅通過實(shí)例)及結(jié)合圖式, 將可更容易明了本發(fā)明的實(shí)施例,其中
圖1是一個非對稱摻雜的太陽能電池結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖2至圖4是顯示一個用于互連薄膜太陽能電池的方法的剖面圖。
7圖5是太陽能模塊的平面圖。
圖6是顯示一個用于互連薄膜太陽能電池的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
以下的實(shí)施例提供一種在具有相當(dāng)良好的側(cè)向?qū)щ娦缘牟A?或其它 絕緣、透明異質(zhì)材質(zhì))上,用于將薄膜太陽能電池互連的方法。特別地,此
方法是以具有p-n結(jié)的太陽能電池作為內(nèi)容進(jìn)行敘述,但是,對于熟知此項(xiàng) 技術(shù)者來說,本方法經(jīng)由適當(dāng)修改也可以被運(yùn)用于多重結(jié)的太陽能電池上。
太陽能電池是由一個被夾在具有相反極性的兩個高度摻雜層之間的 低摻雜(或本征)吸收體區(qū)域所組成。因此,太陽能電池為n+7ip+型,其中tt 表示一層p(正)、n(負(fù))或i(本征)型半導(dǎo)體材質(zhì)。此方法可以被應(yīng)用于11+丌口+ 型/玻璃及 + tt n+型/玻璃結(jié)構(gòu),或者具有在可見光譜內(nèi)為透明的絕緣支撐基 頂?shù)牡刃ЫY(jié)構(gòu)。Ti層一般厚度小于10微米,因此相較于p+層與n+層來說, 具有可忽略的側(cè)向?qū)щ娦?。透明的基頂在正對著太陽能電池的表面上也?以具有一抗反射性層,此抗反射性層一般是由氮化硅所制成。
此方法也可以應(yīng)用于非對稱摻雜的太陽能電池上,其中,在玻璃側(cè)高 度摻雜層中的摻入劑量,是比空氣側(cè)高度摻雜層中的摻入劑量大上至少好 幾倍,從而,當(dāng)半導(dǎo)體膜被局部熔化(例如,通過激光)時,摻入劑物種將 會擴(kuò)散到整個熔化的半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi),而且,p型與n型摻入劑可局部互相補(bǔ) 償,從而,熔化區(qū)域的最終摻雜極性將會與玻璃側(cè)高度摻雜層的極性相等。
圖1顯示一個范例性非對稱摻雜的太陽能電池結(jié)構(gòu)100的剖面圖。此結(jié) 構(gòu)100包含一個玻璃支撐基頂102,雖然在此圖形中被顯示成位于此結(jié)構(gòu)的 底部,但是,實(shí)際上是位于面向太陽的表面上。玻璃基頂102具有一個抗 反射層或涂層103,在本實(shí)施例中是由氮化硅所制成。玻璃側(cè)高度摻雜的 n+層104形成為具有大約50至200nm的厚度,低摻雜的p層106則具有大約l至10微米的厚度,而高度摻雜的p+層108具有大約50至200nm的厚度,如此 完成了?、11+/玻璃的太陽能電池結(jié)構(gòu)100。半導(dǎo)體層104、 106與108是在薄 膜半導(dǎo)體材質(zhì)沉淀于玻璃基頂102上的期間利用摻入技術(shù)而形成的。半導(dǎo) 體材質(zhì)可以包含使用例如電漿增強(qiáng)化學(xué)蒸鍍法(PECVD)或電子光束蒸發(fā)法 所沉淀的聚晶硅,且分別利用例如硼與磷作為正負(fù)摻入劑。
在用于將較小電池互連為整個大面積太陽能電池結(jié)構(gòu)100的第一步驟 中,使用激光在含有層104、 106與108的半導(dǎo)體薄膜202內(nèi)刻劃一組平行的 溝槽200 ,以便將大面積太陽能電池結(jié)構(gòu)1 OO分割成k個又長又窄的太陽能 電池206,如圖2所示。在所示的實(shí)施例中,抗反射層103并未i皮激光束所 刻劃,然而,假如抗反射層被激光束所刻劃的話,本方法也可產(chǎn)生同樣的 效果。由于先驅(qū)物薄膜太陽能電池100的非對稱摻雜結(jié)構(gòu)的緣故,所以, 長窄太陽能電池206的經(jīng)激光刻劃過的側(cè)壁204的摻雜極性,將會等于電池 206的基頂側(cè)高度摻雜層104的摻雜極性,也就是說,在此范例中為n。
當(dāng)來自激光的一股光線撞擊半導(dǎo)體膜202時, 一部分的入射光被吸收 掉,導(dǎo)致此膜202被加熱。由于此膜202的吸收系數(shù)隨溫度而增加,所以, 當(dāng)薄膜202變熱時,就會吸收更多的激光束。如此,導(dǎo)致所謂的熱散逸, 這樣,薄膜202很快地到達(dá)';弗點(diǎn)溫度。在激光束中心底下的此部分半導(dǎo)體 膜202,由于在該處激光束最為強(qiáng)烈,所以,它首先到達(dá)沸點(diǎn),而在激光 束周圍底下的此部分半導(dǎo)體膜202則僅到達(dá)熔點(diǎn)。在激光束的中心底下的 此部分半導(dǎo)體薄膜202會蒸發(fā)而急速膨脹。半導(dǎo)體蒸氣的急速膨脹會將熔 化的半導(dǎo)體推離開激光處理過的區(qū)域的中心,因而形成溝槽200。
熔化的半導(dǎo)體材質(zhì)當(dāng)它被推離開時會冷卻并重新凝固,從而,它以波 浪的形狀凝固,而形成側(cè)壁204。摻入劑原子在液態(tài)半導(dǎo)體材質(zhì)中的擴(kuò)散 非常快,使得這些摻入劑會均勻地散布于半導(dǎo)體薄膜202的整個熔化且重 新凝固的部位。在單發(fā)激光的持續(xù)期間,此過程發(fā)生得非常快速。隨著激 光束掃描過半導(dǎo)體薄膜202的表面,通過重迭連續(xù)的激光脈沖,可以在半導(dǎo)體薄膜202內(nèi)刻劃出溝槽200 。
接著,將一非連續(xù)性絕緣層300通過例如噴墨印刷或網(wǎng)版印刷等而涂 抹于太陽能電池206的表面上,從而,如圖3所示,各電池206的一側(cè)壁204a 及表面302的主要部分會被絕緣層300所覆蓋,但是各電池206的其它側(cè)壁 204b以及各電池206的表面302上的幾個"接觸區(qū)域"304則不會被此絕緣 層300所覆蓋。絕緣層300例如可以包含聚酰亞胺等聚合物。然后,絕緣層 300可通過例如在適當(dāng)溫度烘培此裝置306而進(jìn)行千燥。然后,例如在氫氟 酸中蝕刻,而移除經(jīng)過激光刻劃的側(cè)壁204b上的熱氧化物,以及表面接觸 區(qū)域304的自然氧化物。
接著,如圖4所示,通過例如噴墨印刷或網(wǎng)版印刷,而涂抹一個例如 金屬的非連續(xù)性導(dǎo)電層400。應(yīng)用此導(dǎo)電層400,從而,對于各成對的相鄰 電池206a、 206b來說,在一個太陽能電池206b的暴露側(cè)壁204b以及相鄰太 陽能電池206a的接觸區(qū)域304a之間,設(shè)有一導(dǎo)電路徑,但是,在同一個電 池206b的暴露側(cè)壁204b與接觸區(qū)域304b之間沒有導(dǎo)電路徑。金屬層400在 沿著長窄太陽能電池204a、 206b的長度上亦為非連續(xù)性,從而,沿著太陽 能電池204a、 206b的一個可能局部分流器將不會收集來自整個太陽能電池 206a、 206b區(qū)域的電流,而僅收集來自此分流器周圍的區(qū)域的電流。然后, 此裝置402在一適當(dāng)溫度下進(jìn)行烘培,以增進(jìn)金屬與半導(dǎo)體接點(diǎn)的電氣特 性。
此裝置402提供一種薄膜太陽能電池模塊,包含基頂102及一個形成于 該基頂上的半導(dǎo)體薄膜二極管結(jié)構(gòu),而且,在該二極管結(jié)構(gòu)內(nèi)形成有一條 或多條溝槽,從而,該二極管結(jié)構(gòu)被分割成多個分離的太陽能電池206a、 206b,而且,各個太陽能電池的成對側(cè)壁204a、 204b的摻雜極性,與該二 極管結(jié)構(gòu)的基頂側(cè)半導(dǎo)體層104的摻雜極性相同。此模塊另外包含一個在 該二極管結(jié)構(gòu)上的非連續(xù)性絕緣層300,從而,各成對的側(cè)壁的其中一側(cè) 壁204a被該絕緣層300所覆蓋,而各成對的側(cè)壁的另 一側(cè)壁204b以及各太陽能電池(例如206a)的一個或多個表面接觸區(qū)域(例如304a)則仍保持暴露。 此模塊另外包含一個在該二極管結(jié)構(gòu)上的非連續(xù)性導(dǎo)電層400,從而,對 于各成對的相鄰的第一與第二太陽能電池206b、 206a來說,第一太陽能電 池206b的暴露側(cè)壁204b電氣連接到第二太陽能電池206a的表面接觸區(qū)域 304a,且仍舊保持不會電氣連接至第 一 太陽能電池206b的表面接觸區(qū)域 304b。
圖5顯示依據(jù)上述圖1至圖4所示的方法所形成的裝置500的平面示意 圖。外部金屬層502沿著溝槽506被形成為非連續(xù)列504,且各列504也是沿 著溝槽506的長度為非連續(xù),所以,沿著溝槽506形成多個區(qū)段508a至508c。 在絕緣層510內(nèi)形成開口512,這些開口填滿了來自金屬層504的材質(zhì),以 接觸各半導(dǎo)體電池514的表面。半導(dǎo)體層514內(nèi)的破折線指出溝槽506的側(cè) 壁58以及剩余的太陽能電池部520之間的邊界。
圖6顯示一個用于互連薄膜太陽能電池的方法的流程圖600。在步驟 602中,在一基頂上的半導(dǎo)體薄膜二極管結(jié)構(gòu)內(nèi)形成一條或多條溝槽,從 而,該二極管結(jié)構(gòu)被分割成多個分離的太陽能電池,而且,各個太陽能電 池的成對側(cè)壁的摻雜極性,與該二極管結(jié)構(gòu)的基頂側(cè)半導(dǎo)體層的摻雜極性 相同。在步驟604中,在該二極管結(jié)構(gòu)上形成一非連續(xù)性絕緣層,從而, 各成對的側(cè)壁的其中 一側(cè)壁被該絕緣層所覆蓋,而各成對的側(cè)壁的另 一側(cè) 壁以及各太陽能電池的一個或多個表面接觸區(qū)域則仍保持暴露。在步驟 606中,在該二極管結(jié)構(gòu)上形成一非連續(xù)性導(dǎo)電層,從而,對于各成對的 相鄰的第一與第二太陽能電池來說,第一太陽能電池的暴露側(cè)壁電氣連接 到第二太陽能電池的表面接觸區(qū)域,且仍舊保持不會電氣連接至第一太陽
能 電池的表面4妄觸區(qū)i或。
要知道的是,對于熟知此項(xiàng)技術(shù)者來說,在不背離本發(fā)明的精神與范 圍的前提下,仍可以產(chǎn)生出許多變化及/或修改。因此,這些實(shí)施例僅用以 說明而非限制。例如,雖然太陽能電池結(jié)構(gòu)#皮描述成具有n型側(cè)壁的玻璃/11+/1)*+結(jié)構(gòu),
但要知道的是,此種特殊摻雜結(jié)構(gòu)僅作為示范而非限制。而且,所顯示出 來的表面接點(diǎn)的特殊配置方式亦僅作為范例而已。
而且,可以明白非連續(xù)性絕緣層、導(dǎo)電層或兩層可以被實(shí)施成一連續(xù) 層,且接著利用例如噴墨印刷或微影技術(shù)等產(chǎn)生圖案,以形成各個的非連 續(xù)層。
在此,要知道的是圖1至圖5僅為示意圖,且并未依照比例繪制。
權(quán)利要求
1.一種用于互連薄膜太陽能電池的方法,該方法以下步驟在一基頂上的半導(dǎo)體薄膜二極管結(jié)構(gòu)內(nèi)形成一條或多條溝槽,從而,該二極管結(jié)構(gòu)被分割成多個分離的太陽能電池,而且,各個太陽能電池的成對的側(cè)壁的摻雜極性,與該二極管結(jié)構(gòu)的基頂側(cè)半導(dǎo)體層的摻雜極性相同;在該二極管結(jié)構(gòu)上形成一非連續(xù)性絕緣層,從而,各成對側(cè)壁的其中一側(cè)壁被該絕緣層所覆蓋,而各成對側(cè)壁的另一側(cè)壁以及各太陽能電池的一或多個表面接觸區(qū)域則仍保持暴露;以及在該二極管結(jié)構(gòu)上形成一非連續(xù)性導(dǎo)電層,從而,對于各成對的側(cè)壁的相鄰的第一與第二太陽能電池來說,第一太陽能電池的暴露側(cè)壁電氣連接到第二太陽能電池的表面接觸區(qū)域,且仍舊保持不會電氣連接至第一太陽能電池的表面接觸區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法,其中,通過激光刻劃而形成溝槽。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的方法,其中,形成非連續(xù)性絕緣層、導(dǎo)電層或 此兩層包含噴墨印刷。
4. 如權(quán)利要求1至3項(xiàng)中任一所述的方法,其中,形成非連續(xù)性絕緣層、 導(dǎo)電層或此兩層包含網(wǎng)版印刷。
5. 如權(quán)利要求l至4項(xiàng)中任一所述的方法,其中,形成非連續(xù)性絕緣層、 導(dǎo)電層或上述兩層,包含在沉淀用于各個層的材質(zhì)期間或之后,實(shí)施 各個層的圖案化。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法,其中在沉淀用于各個層的材質(zhì)之后,使各個 層產(chǎn)生圖案包含噴墨印刷或微影技術(shù)。
7. 如權(quán)利要求1至6項(xiàng)中任一所述的方法,其中,該非連續(xù)性絕緣層包含 聚合體。
8. 如權(quán)利要求1至7項(xiàng)中任一所述的方法,其中,該非連續(xù)性導(dǎo)電層包含金屬膏狀物。
9. 如權(quán)利要求1至8項(xiàng)中任一所述的方法,其中,該二極管結(jié)構(gòu)包含聚晶 硅。
10. 如權(quán)利要求1至9項(xiàng)中任一所述的方法,另外包含在基頂與二極管結(jié)構(gòu)之間設(shè)置抗反射涂層。
11. 一種薄膜太陽能模塊,包含基頂;形成該基頂上的半導(dǎo)體薄膜二極管結(jié)構(gòu);一個或多個形成于該二極管結(jié)構(gòu)內(nèi)的溝槽,從而,該二極管結(jié)構(gòu) 被分割成多個分離的太陽能電池,而且,各個太陽能電池的成對側(cè)壁 的摻雜極性,與該二極管結(jié)構(gòu)的基頂側(cè)半導(dǎo)體層的摻雜極性相同;一個在該二極管結(jié)構(gòu)上所形成的非連續(xù)性絕緣層,從而,各成對 的側(cè)壁的其中一側(cè)壁被該絕緣層所覆蓋,而各成對側(cè)壁的另 一側(cè)壁以 及各太陽能電池的一或多個表面接觸區(qū)域則仍保持暴露;以及在該二極管結(jié)構(gòu)上所形成的非連續(xù)性導(dǎo)電層,從而,對于各成對 的相鄰的第一與第二太陽能電池來說,第一太陽能電池的暴露側(cè)壁電 氣連接到第二太陽能電池的表面接觸區(qū)域,且仍舊保持不會電氣連接 至第 一太陽能電池的表面接觸區(qū)域。
12. 如權(quán)利要求ll所述的薄膜太陽能模塊,其中,該非連續(xù)性絕緣層包含 聚合體。
13. 如權(quán)利要求11或12所迷的薄膜太陽能模塊,其中,該非連續(xù)性導(dǎo)電層 包含金屬膏狀物。
14. 如權(quán)利要求11至13項(xiàng)中任一所述的薄膜太陽能模塊,其中,該二極管 結(jié)構(gòu)包含聚晶硅。
15. 如權(quán)利要求11至14項(xiàng)中任一所述的薄膜太陽能模塊,另外包含在基頂 與二極管結(jié)構(gòu)之間的抗反射涂層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜太陽能電池模塊,以及一種用于互連薄膜太陽能電池的方法。該方法包含以下步驟在一基頂(102)上的半導(dǎo)體薄膜二極管結(jié)構(gòu)(202)內(nèi)形成一條或多條溝槽(200),從而,該二極管結(jié)構(gòu)被分割成多個分離的太陽能電池,而且,各個太陽能電池的成對側(cè)壁的摻雜極性,與該二極管結(jié)構(gòu)的基頂側(cè)半導(dǎo)體層的摻雜極性相同。在該二極管結(jié)構(gòu)上形成一非連續(xù)性絕緣層(300),從而,各成對的側(cè)壁的其中一側(cè)壁被該絕緣層所覆蓋,而各成對的側(cè)壁的另一側(cè)壁以及各太陽能電池的一個或多個表面接觸區(qū)域則仍保持暴露。在該二極管結(jié)構(gòu)上形成非連續(xù)性導(dǎo)電層(400),從而,對于各成對的相鄰的第一與第二太陽能電池來說,第一太陽能電池的暴露側(cè)壁電氣連接到第二太陽能電池的表面接觸區(qū)域,且仍舊保持不會電氣連接至第一太陽能電池的表面接觸區(qū)域。
文檔編號H01L27/142GK101611487SQ200780038514
公開日2009年12月23日 申請日期2007年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月22日
發(fā)明者堤姆斯·M·渥爾須, 阿密·G·亞柏 申請人:堤姆斯·M·渥爾須;阿密·G·亞柏