專利名稱：固態(tài)圖像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固態(tài)圖像傳感器，其中，使用透明保護(hù)構(gòu)件來覆蓋其 上形成有成像器件的晶片，所述透明保護(hù)構(gòu)件通過環(huán)繞成像器件的隔 離物附著至所述晶片。
背景技術(shù)：
近年來，已經(jīng)出現(xiàn)了對數(shù)碼照相機(jī)和移動電話中使用的由C C D (電荷耦合器件)或者CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)傳感器構(gòu)成 的固態(tài)圖像傳感器進(jìn)一步小型化的要求。
為了滿足這樣對固態(tài)圖像傳感器小型化的要求，提出了固態(tài)圖像 傳感器及其制造方法，其中，通過以下操作來制造固態(tài)圖像傳感器 將透明保護(hù)構(gòu)件附著至成像器件晶片，在所述成像器件晶片上已形成 有成像器件的許多光接收部件，所述附著是通過在分離地環(huán)繞光接收 部件的位置上形成的隔離物來進(jìn)行的，此后，將接合的襯底分離為各 個(gè)固態(tài)圖像傳感器(例如參見日本專利申請?jiān)缙诠_No. 2001-351997)。
上述固態(tài)圖像傳感器的示例將參照圖1和2來給予描述，圖1和圖2 是固態(tài)圖像傳感器1的外部配置的透視圖及其橫截面圖。固態(tài)圖像傳感 器l由以下構(gòu)成通過對其上形成有成像器件3的成像器件晶片進(jìn)行切 割來制造的成像器件芯片2;附著于成像器件芯片2上并環(huán)繞成像器件3 的框形隔離物5;以及附著于隔離物5以封閉成像器件3的光學(xué)移植保護(hù) 構(gòu)件4。
如圖2所示，成像器件芯片2包括矩形芯片襯底2A;形成于芯片
襯底2A上的成像器件3;以及布置在成像器件3周圍并與外部進(jìn)行導(dǎo)線 連接的焊盤或者電極6。芯片襯底2A由例如單晶硅制成并且具有例如 約300pm的厚度。保護(hù)構(gòu)件4由例如光學(xué)移植材料(例如耐熱和化學(xué)穩(wěn)定的樹月旨和
玻璃)構(gòu)成，并且具有例如約50(Vm的厚度。
隔離物5優(yōu)選由具有如熱膨脹系數(shù)類似于芯片襯底2A和保護(hù)構(gòu)件 4的熱膨脹系數(shù)之類屬性的材料制成，例如，隔離物5由多晶硅制成。 框形隔離物5的一部分具有例如約20(Him寬和約10(^m厚的截面。隔離 物5的一個(gè)端面5A通過粘合劑7與芯片襯底2A接合，隔離物5的另一個(gè) 端面通過粘合劑8與保護(hù)構(gòu)件4接合。

發(fā)明內(nèi)容
上述固態(tài)圖像傳感器l具有位于每個(gè)內(nèi)部電路(包括成像器件3) 與對應(yīng)的焊盤6之間的靜電放電(ESD)保護(hù)電路(參見圖8)，以保護(hù) 內(nèi)部電路免受焊盤6中生成的ESD應(yīng)力。
圖3是示出了用作固態(tài)圖像傳感器的ESD保護(hù)電路的ESD保護(hù)器 件10的橫截面圖。在ESD保護(hù)器件10中，用作擴(kuò)散層I2和13的n型半導(dǎo)
體層分離地形成于P型半導(dǎo)體11的阱層上，該P(yáng)型半導(dǎo)體11的阱層形成 于n型半導(dǎo)體襯底上，擴(kuò)散層13通過導(dǎo)線15連接至內(nèi)部電路與焊盤6， 擴(kuò)散層12通過地線16接地，該地線16的電壓低于施加于內(nèi)部電路的電 壓。
由硅石(Si02)制成的絕緣層14在p阱層ll上的擴(kuò)散層12和13之間 形成，在絕緣層14上形成了用作層間絕緣層的BPSG (硼磷硅玻璃)層 19、構(gòu)成層內(nèi)透鏡等的SiN (氮化硅)層17、以及由樹脂制成的CCD 覆蓋層18。由于ESD保護(hù)器件10位于隔離物5下方，因而在ESD保護(hù)器 件10上有粘合劑7，用于將隔離物5與芯片襯底2A接合。
當(dāng)長時(shí)間使用固態(tài)圖像傳感器l而整個(gè)固態(tài)圖像傳感器l產(chǎn)生熱 量時(shí)，粘合劑7的樹脂材料等可能會具有高溫。在高溫的粘合劑7中， 聚合物分子之間的交叉結(jié)合變松，由于可移動離子的移動以及分子與 分子中的電子的定向，更容易出現(xiàn)極化。
如圖4所示，當(dāng)粘合劑7中出現(xiàn)極化時(shí)，粘合劑7中的電荷22和元 件界面生成電場23，由于ESD保護(hù)器件10的擴(kuò)散層13和12之間的p阱層 ll具有低雜質(zhì)濃度，p阱層ll被反轉(zhuǎn)，從而寄生MOS晶體管導(dǎo)通，因
5ESD保護(hù)器件10中的漏電流24可能導(dǎo)致固態(tài)圖像傳感器1中出現(xiàn) 噪聲和操作故障。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明來解決上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種固態(tài)圖像 傳感器，其中能夠防止生成寄生MOS晶體管，并且固態(tài)圖像傳感器的 ESD保護(hù)電路中沒有漏電流流動。
為了達(dá)到上述目標(biāo)，本發(fā)明的目的是提供一種固態(tài)圖像傳感器， 包括成像器件晶片；形成于成像器件晶片上的多個(gè)成像器件；隔離 物，環(huán)繞成像器件晶片上的成像器件，并通過粘合劑與成像器件晶片 接合；透明保護(hù)構(gòu)件，覆蓋成像器件晶片上的成像器件，并附著在隔 離物上；以及多個(gè)靜電放電保護(hù)器件，形成于成像器件晶片上，所述 靜電放電保護(hù)器件位于隔離物下方，每個(gè)靜電放電保護(hù)器件具有擴(kuò)散 層以及擴(kuò)散層之間的阱層，所述阱層具有溝道阻斷物。
根據(jù)本發(fā)明的這一方面，具有高雜質(zhì)濃度的溝道阻斷物形成于 ESD保護(hù)器件的擴(kuò)散層之間的阱層中。相應(yīng)地，阱層難以反轉(zhuǎn)，寄生 MOS晶體管難以導(dǎo)通，從而可以控制漏電流。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的目的也在于提供一種固態(tài)圖像傳感 器，包括成像器件晶片；形成于成像器件晶片上的多個(gè)成像器件； 隔離物，環(huán)繞成像器件晶片上的成像器件，并通過粘合劑與成像器件 晶片接合；透明保護(hù)構(gòu)件，覆蓋成像器件晶片上的成像器件，并附著 在隔離物上；多個(gè)靜電放電保護(hù)器件，形成于成像器件晶片上，所述 靜電放電保護(hù)器件位于隔離物下方，每個(gè)靜電放電保護(hù)器件具有擴(kuò)散 層以及擴(kuò)散層之間的阱層；以及氮化硅層，形成于成像器件晶片上阱 層和隔離物之間，并具有0.4pm至1.5,的厚度。
根據(jù)本發(fā)明的這一方面，將典型為0.2pm的氮化硅層的厚度增加 至0.4^im到1.5^n，從而增大了從具有粘合劑的界面至位于擴(kuò)散層之間 的阱層的距離，減弱了可能導(dǎo)致阱層反轉(zhuǎn)的電場。因此，阱層不會反 轉(zhuǎn)，寄生MOS晶體管不會導(dǎo)通，從而沒有漏電流流動。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的目的也在于提供一種固態(tài)圖像傳感 器，包括成像器件晶片；形成于成像器件晶片上的多個(gè)成像器件；
6隔離物，環(huán)繞成像器件晶片上的成像器件，并通過粘合劑與成像器件 晶片接合，所述粘合劑具有比固態(tài)圖像傳感器的操作溫度更高的玻璃 化轉(zhuǎn)變溫度；以及透明保護(hù)構(gòu)件，覆蓋成像器件晶片上的成像器件， 并附著在隔離物上。
根據(jù)本發(fā)明的這一方面，使用具有比固態(tài)圖像傳感器的操作溫度 更高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的粘合劑作為將隔離物接合至成像器件晶片的 粘合劑。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是這樣-一種溫度，在該溫度處，當(dāng)對如粘合 劑之類的聚合物材料進(jìn)行加熱時(shí)，聚合物材料從固體或者類玻璃態(tài)轉(zhuǎn) 變?yōu)橄鹉z態(tài)。
即使當(dāng)粘合劑的溫度由于固態(tài)圖像傳感器的發(fā)熱而升高時(shí)，由于 粘合劑的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高于固態(tài)圖像傳感器的操作溫度，因而難以 發(fā)生由粘合劑的交叉結(jié)合變松而導(dǎo)致的雜質(zhì)離子等的移動、介電常數(shù) 的增大以及分子定向等，從而不會發(fā)生粘合劑的極化。因此，阱層難
以反轉(zhuǎn)，寄生MOS晶體管難以導(dǎo)通，從而可以控制漏電流。
優(yōu)選地，粘合劑的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度介于50。 C至160。 C之間，更
優(yōu)選地，在80° C到16(T C之間。
根據(jù)本發(fā)明的這一方面，粘合劑的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高于固態(tài)圖像
傳感器的操作溫度，使得粘合劑的交叉結(jié)合難以變松，粘合劑的極化
難以發(fā)生。
此外，優(yōu)選地，粘合劑具有在2.0到6.0之間的介電常數(shù)，更優(yōu)選 地，在2.0到4.5之間。
根據(jù)本發(fā)明的這一方面，粘合劑中的充電難以發(fā)生，粘合劑的極 化難以發(fā)生。
此外，優(yōu)選地，優(yōu)選地，粘合劑具有在IO ppm到500 ppm之間的 雜質(zhì)離子濃度，更優(yōu)選地，在10ppm到200 ppm之間，甚至更優(yōu)選地， 在IO ppm到100 ppm之間。
根據(jù)本發(fā)明的這一方面，由于在制造過程期間混入粘合劑中的雜 質(zhì)離子(如鈉離子和氯離子)的濃度低，因而導(dǎo)致粘合劑極化的雜質(zhì) 離子移動難以發(fā)生。
因此，阱層難以反轉(zhuǎn)，寄生MOS晶體管難以導(dǎo)通，從而可以控制
7漏電流。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像傳感器，能夠防止生成寄生
MOS晶體管，并且能夠防止漏電流在固態(tài)圖像傳感器的ESD保護(hù)電路 中流動。


圖l是示出了固態(tài)圖像傳感器的外部配置的透視圖； 圖2是示出了固態(tài)圖像傳感器的基本部件的橫截面圖； 圖3是示出了靜電保護(hù)器件的配置的橫截面圖4是示出了漏電流的成因的橫截面圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器的基本 部件的橫截面圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器的基本 部件的橫截面圖7是示出了根據(jù)第三實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器中的漏電流與非 基于本發(fā)明的固態(tài)圖像傳感器中的漏電流對比的表格；以及
圖8是示出了靜電保護(hù)電路的示例配置的電路圖。
參考標(biāo)號列表
1:固態(tài)圖像傳感器；2:成像器件芯片；2A:芯片襯底；3:成 像器件；4:透明保護(hù)構(gòu)件；5:隔離物；5A:端面；6:焊盤；7:粘 合劑；10、 IOA、 10B: ESD保護(hù)器件；11: p阱層；12， 13:擴(kuò)散層； 14:絕緣層；15:導(dǎo)線；16:地線；17、 17A: SiN層；18: CCD覆蓋 層；19: BPSG層；20:溝道阻斷物；22:電荷；23:電場；24:漏電 流
具體實(shí)施例方式
參考附圖，對根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器進(jìn)行描述。
首先描述包括與本發(fā)明相關(guān)的ESD保護(hù)電路在內(nèi)的固態(tài)圖像傳感器的配置。
圖l所示的固態(tài)圖像傳感器l由以下組成成像器件芯片2，其上布置有成像器件3;框形隔離物5，附著在成像器件芯片2上并環(huán)繞成像器件3;以及安裝在隔離物5上以封閉成像器件3的光學(xué)移植保護(hù)構(gòu)件4。
如圖2所示，成像器件芯片2包括矩形芯片襯底2A;形成于芯片
襯底2A上的成像器件3;以及與外部進(jìn)行導(dǎo)線連接的焊盤6。芯片襯底2A由例如單晶硅制成并且具有例如約300)am的厚度。
保護(hù)構(gòu)件4由例如光學(xué)移植材料(例如耐熱和化學(xué)穩(wěn)定的樹脂和玻璃)構(gòu)成，并且具有例如約50(^m的厚度。
隔離物5優(yōu)選由具有如熱膨脹系數(shù)類似于芯片襯底2A和保護(hù)構(gòu)件4的熱膨脹系數(shù)之類屬性的材料制成，例如，隔離物5由多晶硅制成。框形隔離物5的一部分具有例如約200iLim寬和約100^im厚的截面。隔離物5的一個(gè)端面5A通過粘合劑7與芯片襯底2A接合，隔離物5的另一個(gè)端面通過粘合劑8與保護(hù)構(gòu)件4接合。
固態(tài)圖像傳感器l具有位于每個(gè)內(nèi)部電路(包括成像器件3)與對應(yīng)的焊盤6之間的ESD保護(hù)電路(參見圖3)。
在ESD保護(hù)器件10中，用作擴(kuò)散層12和13的n層分離地形成于p阱層11上，擴(kuò)散層13通過導(dǎo)線15連接至內(nèi)部電路與焊盤6，擴(kuò)散層12通過地線16接地，該地線16的電壓低于施加于內(nèi)部電路的電壓。
由硅石制成的絕緣層14在p阱層ll上的擴(kuò)散層12和13之間形成，在絕緣層14上形成了用作層間絕緣層的BPSG層19、構(gòu)成層內(nèi)透鏡等的SiN層17、以及由樹脂制成的CCD覆蓋層18。由于ESD保護(hù)器件10位于隔離物5下方，因而在ESD保護(hù)器件10上有粘合劑7，用于將隔離物5與芯片襯底2A接合。
以下描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器。圖5是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的ESD保護(hù)器件10A的配置的橫截面圖。
與ESD保護(hù)器件10類似，在ESD保護(hù)器件10A中，用作擴(kuò)散層12和13的n層分離地形成于p阱層ll上，擴(kuò)散層13通過導(dǎo)線15連接至內(nèi)部電路與焊盤6，擴(kuò)散層12通過地線16接地，該地線16的電壓低于施加于內(nèi)部電路的電壓。由硅石制成的絕緣層14在p阱層ll上的擴(kuò)散層12和13之間形成，在絕緣層14上形成了用作層間絕緣層的BPSG層19、構(gòu)成層內(nèi)透鏡等的SiN層17、以及由樹脂制成的CCD覆蓋層18。此外，'在CCD覆蓋層18上有粘合劑7。
溝道阻斷物20布置在p阱層ll上的擴(kuò)散層13和12之間。溝道阻斷物20具有高于p阱層l的雜質(zhì)濃度。
通過將如硼(B)之類的離子注入與距p阱層ll的表面(其上布置有BPSG層19等)0至1.5^xm深度相對應(yīng)的部分來形成溝道阻斷物20。
例如，注入溝道阻斷物20中的離子濃度約為7.0X10"(離子/cm2)，而p阱層ll的離子濃度是2.3X1011 (離子/cm2)。優(yōu)選地，溝道阻斷物20中的離子濃度約為p阱層ll中的離子濃度的30倍。
相應(yīng)地，由于p阱層ll未被反轉(zhuǎn)，因此沒有寄生MOS晶體管導(dǎo)通，從而ESD保護(hù)器件10A中沒有漏電流流動。
以下描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器。圖6是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的ESD保護(hù)器件10B的配置的橫截面圖。
在第二實(shí)施例中，將相同的參考標(biāo)號應(yīng)用于與第一實(shí)施例中相同或者類似的部件，此處省略其解釋。
與ESD保護(hù)器件10類似，在ESD保護(hù)器件10B中，用作擴(kuò)散層12和13的n層分離地形成于p阱層ll上，擴(kuò)散層13通過導(dǎo)線15連接至內(nèi)部電路與焊盤6，擴(kuò)散層12通過地線16接地，該地線16的電壓低于施加于
內(nèi)部電路的電壓。
由硅石制成的絕緣層〗4在p阱層！上的擴(kuò)散層12和13之間形成，在絕緣層14上形成了用作層間絕緣層的BPSG層19、構(gòu)成層內(nèi)透鏡等的SiN層17、以及由樹脂制成的CCD覆蓋層18。此外，在CCD覆蓋層18上有粘合劑7。
本實(shí)施例中，SiN薄膜17A的厚度k是0.4nm至1.5nm，而圖3中所示SiN薄膜17的厚度是0.2jim。
相應(yīng)地，SiN薄膜17A減弱了導(dǎo)致p阱層ll反轉(zhuǎn)的電場。因此，p阱層ll難以反轉(zhuǎn)，寄生MOS晶體管難以導(dǎo)通，從而可以控制漏電流。
以下描述根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器。在第三實(shí)施例中，使用具有以下特性的粘合劑作為圖3所示的粘合劑7:比固態(tài)圖像傳感器I的操作溫度(例如85° C)更高的玻璃化
轉(zhuǎn)變溫度(例如105° C)、較低的制造過程期間混入的雜質(zhì)離子(如
鈉離子和氯離子)濃度、以及低介電常數(shù)。
更具體地，使用具有以下特性的粘合劑作為如圖3所示的粘合劑7: 50° C到160。 C的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，.更優(yōu)選地，80° C到160。 C;2.0到6.0的介電常數(shù)，更優(yōu)選地，2.0至lj4.5; 10 ppm到500 ppm的雜質(zhì)離子濃度，更優(yōu)選地，10 ppm到200 ppm，甚至更優(yōu)選地，10 ppm到100ppm。
相應(yīng)地，由于粘合劑7的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度高于固態(tài)圖像傳感器1的操作溫度，因此粘合劑7中的聚合物分子間的交叉結(jié)合難以變松，粘合劑7中難以發(fā)生導(dǎo)致粘合劑極化的雜質(zhì)離子移動等以及分子定向。
此外，由于粘合劑7的雜質(zhì)離子濃度低，即使當(dāng)粘合劑7變?yōu)楦邷貢r(shí)，導(dǎo)致極化的雜質(zhì)離子移動難以發(fā)生。此外，由于粘合劑7的介電常數(shù)低，充電難以發(fā)生。由于這些原因，粘合劑7的極化難以發(fā)生。
因此，p阱層ll難以反轉(zhuǎn)，寄生MOS晶體管難以導(dǎo)通，從而可以控制漏電流。
實(shí)現(xiàn)示例
以下描述根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像傳感器的實(shí)現(xiàn)示例。
首先，關(guān)于漏電流，將根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例制造的固態(tài)圖像傳感器與非基于本發(fā)明的對比示例的固態(tài)圖像傳感器進(jìn)行比較。
在根據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器中，通過注入7.0X1012 (離子/cm2)濃度的硼離子來形成溝道阻斷物20， p阱層ll中的離子濃度是2.3X1011 (離子/cm2)。
在沒有溝道阻斷物的對比示例的固態(tài)圖像傳感器中，流動的漏電流約為l(VA至60pA。相反地，在根據(jù)第一實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器中完全沒有漏電流流動，因此驗(yàn)證了本發(fā)明的效果。
接下來，關(guān)于漏電流，將根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例制造的固態(tài)圖像傳感器與非基于本發(fā)明的對比示例的固態(tài)圖像傳感器進(jìn)行比較。
ii根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器的SiN層厚度為
0.44pm，對比示例的固態(tài)圖像傳感器的SiN層厚度為0.22pm。
因此，在對比示例的固態(tài)圖像傳感器中，流動的漏電流約為10(iA至60(liA。相反地，在根據(jù)第二實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器中流動的漏電流低至0(iA至5pA，因此驗(yàn)證了本發(fā)明的效果。
接下來，關(guān)于漏電流，將根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例制造的固態(tài)圖像傳感器與非基于本發(fā)明的對比示例的固態(tài)圖像傳感器進(jìn)行比較。圖7示出了根據(jù)第三實(shí)施例制造的固態(tài)圖像傳感器中的漏電流與對比示例的固態(tài)圖像傳感器中的漏電流進(jìn)行比較的表格。
在對比示例的固態(tài)圖像傳感器中，使用圖7中的粘合劑A來接合圖l所示成像器件芯片2和隔離物5。在根據(jù)第三實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器中，使用圖7中的粘合劑B來接合成像器件芯片2和隔離物5.
如圖7所示，粘合劑A的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(65° C)低于固態(tài)圖像傳感器的操作溫度(85° C)，并具有高雜質(zhì)離子濃度(450ppm)。粘合劑B的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(105° C)高于固態(tài)圖像傳感器的操作溫度(85° C)，并具有低雜質(zhì)離子濃度GOppm)。
因此，在對比示例的固態(tài)圖像傳感器中，高溫時(shí)流動的漏電流約為10)iA至6(^A。相反地，在根據(jù)第二實(shí)施例的固態(tài)圖像傳感器中，即使在高溫時(shí)，流動的漏電流低至0pA至5^iA，因此驗(yàn)證了本發(fā)明的效果。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的固態(tài)圖像傳感器，可以防止p阱層反轉(zhuǎn)、防止生成寄生MOS晶體管，因此，固態(tài)圖像傳感器的ESD保護(hù)電路中
沒有漏電流流動。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)圖像傳感器，包括成像器件晶片；形成于成像器件晶片上的多個(gè)成像器件；隔離物，環(huán)繞成像器件晶片上的成像器件，并通過粘合劑與成像器件晶片接合；透明保護(hù)構(gòu)件，覆蓋成像器件晶片上的成像器件，并附著在隔離物上；以及多個(gè)靜電放電保護(hù)器件，形成于成像器件晶片上，所述靜電放電保護(hù)器件位于隔離物下方，每個(gè)靜電放電保護(hù)器件具有擴(kuò)散層以及擴(kuò)散層之間的阱層，所述阱層具有溝道阻斷物。
2. —種固態(tài)圖像傳感器，包括 成像器件晶片；形成于成像器件晶片上的多個(gè)成像器件；隔離物，環(huán)繞成像器件晶片上的成像器件，并通過粘合劑與成像 器件晶片接合；透明保護(hù)構(gòu)件，覆蓋成像器件晶片上的成像器件，并附著在隔離 物上；多個(gè)靜電放電保護(hù)器件，形成于成像器件晶片上，所述靜電放電 保護(hù)器件位于隔離物下方，每個(gè)靜電放電保護(hù)器件具有擴(kuò)散層以及擴(kuò) 散層之間的阱層；以及氮化硅層，形成于成像器件晶片上阱層和隔離物之間，并具有 0.4pm至1.5pm的厚度。
3. —種固態(tài)圖像傳感器，包括 成像器件晶片；形成于成像器件晶片上的多個(gè)成像器件；隔離物，環(huán)繞成像器件晶片上的成像器件，并通過粘合劑與成像 器件晶片接合，所述粘合劑具有比固態(tài)圖像傳感器的操作溫度更高的 玻璃化轉(zhuǎn)變溫度；以及透明保護(hù)構(gòu)件，覆蓋成像器件晶片上的成像器件，并附著在隔離 物上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的固態(tài)圖像傳感器，其中，所述粘合劑的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為50。 C至160。 C。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的固態(tài)圖像傳感器，其中，所述粘合劑的 玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為80。 C至160。 C。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的固態(tài)圖像傳感器，其中，所 述粘合劑具有2.0至6.0的介電常數(shù)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的固態(tài)圖像傳感器，其中，所 述粘合劑具有2.0至4.5的介電常數(shù)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3至7中任-一項(xiàng)所述的固態(tài)圖像傳感器，其中，所 述粘合劑具有IO ppm至500 ppm的雜質(zhì)離子濃度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的固態(tài)圖像傳感器，其中，所 述粘合劑具有10ppm至200 ppm的雜質(zhì)離子濃度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求3至7中任一項(xiàng)所述的固態(tài)圖像傳感器，其中， 所述粘合劑具有10ppm至100ppm的雜質(zhì)離子濃度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種固態(tài)圖像傳感器(1)，包括成像器件晶片(2A)；形成于成像器件晶片(2A)上的多個(gè)成像器件(3)；隔離物(5)，環(huán)繞成像器件晶片(2A)上的成像器件(3)，并通過粘合劑(7)與成像器件晶片(2A)接合；透明保護(hù)構(gòu)件(4)，覆蓋成像器件晶片(2A)上的成像器件(3)，并附著在隔離物(5)上；以及多個(gè)靜電放電保護(hù)器件(10A)，形成于成像器件晶片(2A)上，所述靜電放電保護(hù)器件(10A)位于隔離物(5)下方，每個(gè)靜電放電保護(hù)器件(10A)具有擴(kuò)散層(12、13)以及擴(kuò)散層(12、13)之間的阱層(11)，所述阱層(11)具有溝道阻斷物(20)。
文檔編號H01L27/14GK101663756SQ20078003618
公開日2010年3月3日 申請日期2007年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日
發(fā)明者家坂守, 若生秀樹, 高崎康介 申請人:富士膠片株式會社;富士膠片弗陀尼克斯有限公司