專利名稱：高效晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及晶體管結(jié)構(gòu)，更具體地說，本發(fā)明涉及具有減小的 芯片面積的晶體管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
集成電路或芯片可以包括大量的互連晶體管。晶體管和其他電路元件 按照各種方式互連以提供期望的電路功能。將多個(gè)集成電路制造在單個(gè)晶 片上通常是最高效的。在處理之后，制造在晶片上的集成電路被分離然后 封裝。在給定集成電路尺寸的情況下，晶片可以容納固定數(shù)目的集成電 路。減小集成電路中的各個(gè)晶體管的尺寸可以有助于減小集成電路的整體 尺寸。這進(jìn)而使得可以在每個(gè)晶片上制造更多的集成電路或芯片并且減少 集成電路的成本。
現(xiàn)在參考圖1和圖2，示例性晶體管IO包括漏極12、柵極14、源極 16和體(body) 18或者襯底的抽頭。例如，圖1中的晶體管10是NMOS 晶體管。在某些情況下，體18連接到源極16，如圖2所示。現(xiàn)在參考圖3，體18包括p+區(qū)域并且可以包括接觸抽頭(contacttap) 30。源極16包括n+區(qū)域并且可以包括接觸抽頭32。漏極12包括n+區(qū)域并且可以包括接觸抽頭34。額外的晶體管可被制造在晶體管10的一側(cè)或多側(cè)上，如圖3中的所示。
現(xiàn)在參考圖4，體18在相鄰晶體管的源極16之間可被重復(fù)。體18占據(jù)寶貴的芯片面積并且增加晶體管和集成電路的尺寸。額外的晶體管可被布置在晶體管10的一側(cè)或多側(cè)上，如圖4中的所示。

發(fā)明內(nèi)容
一種集成電路包括第一源極、第一漏極、第二源極、布置在第一源極和第一漏極之間的第一柵極、以及布置在第一漏極和第二源極之間的第二柵極。第一和第二柵極在漏極中限定了交替的第一和第二區(qū)域。第一和第二柵極在第一區(qū)域中比在第二區(qū)域中布置得更加疏遠(yuǎn)。
在其他特征中，阱襯底接觸被布置在第一區(qū)域中?？商娲?，R個(gè)阱襯底接觸被布置在第一區(qū)域中，其中R是大于1的整數(shù)。R是大于3并且小于7的整數(shù)。集成電路包括多個(gè)晶體管。晶體管包括PMOS晶體管。R個(gè)阱襯底接觸與R個(gè)晶體管中的相應(yīng)晶體管相關(guān)聯(lián)。
在其他特征中，集成電路包括第二漏極以及布置在第二源極和第二漏極之間的第三柵極。第二和第三柵極限定了交替的第三和第四區(qū)域。第二和第三柵極在第三區(qū)域中比在第四區(qū)域中布置得更加疏遠(yuǎn)。
在其他特征中，第一區(qū)域被布置為與第四區(qū)域相鄰，并且第二區(qū)域被布置為與第三區(qū)域相鄰。第一和第三區(qū)域包括R個(gè)阱襯底接觸。
一種用于提供集成電路的方法包括提供第一源極；提供第一漏極；提供第二源極；將第一柵極定位在第一源極和第一漏極之間；將第二柵極定位在第一漏極和第二源極之間；使用第一和第二柵極在漏極中限定交替的第一和第二區(qū)域；以及與在第二區(qū)域中相比較，在第一區(qū)域中將第一和第二柵極布置得更加疏遠(yuǎn)。
在其他特征中，該方法包括將阱襯底接觸定位在第一區(qū)域中。該方法包括將R個(gè)阱襯底接觸定位在第一區(qū)域中，其中R是大于1的整數(shù)。R是大于3并且小于7的整數(shù)。集成電路包括多個(gè)晶體管。晶體管包括PMOS晶體管。該方法包括使R個(gè)阱襯底接觸與R個(gè)晶體管中的相應(yīng)晶體管相關(guān)聯(lián)。
在其他特征中，該方法包括提供第二漏極；在第二源極和第二漏極之間提供第三柵極；使用第二和第三柵極來限定交替的第三和第四區(qū)域；以及與在第四區(qū)域中相比，在第三區(qū)域中將第二和第三柵極布置得更加疏遠(yuǎn)。
在其他特征中，該方法包括將第一區(qū)域布置為與第四區(qū)域相鄰，并且將第二區(qū)域布置為與第三區(qū)域相鄰。第一和第三區(qū)域包括R個(gè)阱襯底接觸，其中R是大于1的整數(shù)。
一種集成電路包括具有一般為矩形形狀的第一漏極區(qū)。第一、第二、第三和第四源極區(qū)具有一般為矩形的形狀并且被布置為與第一漏極區(qū)的側(cè)邊相鄰。柵極區(qū)被布置在第一、第二、第三和第四源極區(qū)與第一漏極區(qū)之間。第一、第二、第三和第四襯底接觸區(qū)被布置為與第一漏極區(qū)的拐角相鄰。
在其他特征中，第一、第二、第三和第四源極區(qū)具有大致等于漏極區(qū)長度的長度。第一、第二、第三和第四源極區(qū)具有小于第一漏極區(qū)寬度的寬度。第一、第二、第三和第四源極區(qū)的寬度大約是第一漏極區(qū)寬度的一半。
在其他特征中，第二漏極區(qū)具有一般為矩形的形狀并且具有與第一源極區(qū)相鄰布置的一邊。第五、第六和第七源極區(qū)具有一般為矩形的形狀。第五、第六和第七源極區(qū)被布置為與第二漏極區(qū)的其他邊相鄰。
在其他特征中，柵極區(qū)被布置在在第一、第五、第六和第七源極區(qū)與第二漏極區(qū)之間。第五和第六襯底接觸區(qū)被布置為與第二漏極區(qū)的拐角相鄰。集成電路包括橫向擴(kuò)散MOSFET晶體管。
一種用于提供集成電路的方法包括提供具有一般為矩形形狀的第一漏極區(qū)；將具有一般為矩形形狀的第一、第二、第三和第四源極區(qū)布置為與第一漏極區(qū)的側(cè)邊相鄰；在第一、第二、第三和第四源極區(qū)與第一漏極區(qū)之間布置柵極區(qū)；以及將第一、第二、第三和第四襯底接觸區(qū)布置為與第一漏極區(qū)的拐角相鄰。
在其他特征中，第一、第二、第三和第四源極區(qū)具有大致等于漏極區(qū)長度的長度。第一、第二、第三和第四源極區(qū)具有小于第一漏極區(qū)寬度的寬度。第一、第二、第三和第四源極區(qū)的寬度大約是第一漏極區(qū)寬度的一半。
在其他特征中，該方法將具有一般為矩形形狀的第二漏極區(qū)的一邊布
置為與第一源極區(qū)相鄰；以及將具有一般為矩形形狀的第五、第六和第七源極區(qū)布置為與第二漏極區(qū)的其他邊相鄰。該方法包括在第一、第五、第六和第七源極區(qū)與第二漏極區(qū)之間布置柵極區(qū)。該方法包括將第五和第六襯底接觸區(qū)布置為與第二漏極區(qū)的拐角相鄰。集成電路包括橫向擴(kuò)散
MOSFET晶體管。
一種集成電路包括具有跨越水平中心線和垂直中心線中的至少一個(gè)的對(duì)稱形狀的第一漏極區(qū)。第一柵極區(qū)具有圍繞第一漏極區(qū)的第一形狀。第二漏極區(qū)具有對(duì)稱形狀。第二柵極區(qū)具有圍繞第二漏極區(qū)的第一形狀。連接?xùn)艠O區(qū)將第一和第二柵極區(qū)相連接。第一源極區(qū)被布置為與第一柵極區(qū)、第二柵極區(qū)和連接?xùn)艠O區(qū)的一邊相鄰。第二源極區(qū)被布置為與第一柵極區(qū)、第二柵極區(qū)和連接?xùn)艠O區(qū)的一邊相鄰。
在其他特征中，對(duì)稱形狀隨著離對(duì)稱形狀的中心的距離增加而逐漸變細(xì)。第一和第二襯底接觸被布置在第一和第二源極區(qū)中。集成電路包括橫向擴(kuò)散MOSFKT晶體管。
在其他特征中，對(duì)稱形狀是圓形。對(duì)稱形狀是橢圓形。對(duì)稱形狀是多邊形。對(duì)稱形狀是六邊形。
一種用于提供集成電路的方法包括提供具有跨越水平中心線和垂直中心線中的至少一個(gè)的對(duì)稱形狀的第一漏極區(qū)；提供具有圍繞第一漏極區(qū)的第一形狀的第一柵極區(qū)；提供具有對(duì)稱形狀的第二漏極區(qū)；提供具有圍繞第二漏極區(qū)的第一形狀的第二柵極區(qū)；將連接?xùn)艠O區(qū)連接到第一和第二柵極區(qū)；將第一源極區(qū)布置為與第一柵極區(qū)、第二柵極區(qū)和連接?xùn)艠O區(qū)的一邊相鄰；以及將第二源極區(qū)布置為與第一柵極區(qū)、第二柵極區(qū)和連接?xùn)艠O區(qū)的一邊相鄰。
14在其他特征中，對(duì)稱形狀隨著離所述對(duì)稱形狀的中心的距離增加而逐漸變細(xì)。在其他特征中，該方法包括在第一和第二源極區(qū)中布置第一和第
二襯底接觸。集成電路包括橫向擴(kuò)散MOSFET晶體管。
在其他特征中，對(duì)稱形狀是圓形。對(duì)稱形狀是橢圓形。對(duì)稱形狀是多邊形。對(duì)稱形狀是六邊形。
一種集成電路包括具有一般為矩形形狀的第一和第二漏極區(qū)。第一、第二和第三源極區(qū)具有一般為矩形的形狀，其中第一源極區(qū)被布置在第一和第二漏極區(qū)的第一邊之間，并且第二和第三源極區(qū)被布置為與第一和第二漏極區(qū)的第二邊相鄰。第四源極區(qū)被布置為與第一和第二漏極區(qū)的第三邊相鄰。第五源極區(qū)被布置為與第一和第二漏極區(qū)的第四邊相鄰。柵極區(qū)被布置在第一、第二、第三、第四和第五源極區(qū)與第一和第二漏極區(qū)之間。第一和第二漏極接觸被布置在第一和第二漏極區(qū)中。
一種用于提供集成電路的方法包括提供具有一般為矩形形狀的第一和第二漏極區(qū)。將第一源極區(qū)布置在第一和第二漏極區(qū)的第一邊之間；將第二和第三源極區(qū)布置為與第一和第二漏極區(qū)的第二邊相鄰；將第四源極區(qū)布置為與第一和第二漏極區(qū)的第三邊相鄰；將第五源極區(qū)布置為與第一和第二漏極區(qū)的第四邊相鄰；將柵極區(qū)布置在第一、第二、第三、第四和第五源極區(qū)與第一和第二漏極區(qū)之間；以及將第一和第二漏極接觸布置在第一和第二漏極區(qū)中。
在集成電路和方法的其他特征中，第一、第二和第三源極區(qū)具有大致等于第一漏極區(qū)長度的長度，并且其中第四和第五源極區(qū)具有大于或者等于第一和第二漏極區(qū)長度的長度。第一、第二和第三源極區(qū)具有小于第一漏極區(qū)寬度的寬度。第一、第二和第三源極區(qū)的寬度大約是第一漏極區(qū)寬度的一半。第四和第五源極區(qū)是從其側(cè)邊驅(qū)動(dòng)的。第一和第二漏極區(qū)具有大于最小漏極接觸尺寸的尺寸。漏極接觸具有規(guī)則形狀和非規(guī)則形狀之一。漏極接觸是正方形、矩形和十字形之一。第一、第二和第三源極區(qū)包括源極接觸。第一和第二漏極區(qū)以及第一、第二和第三源極區(qū)被布置在第一行中，并且還包括N個(gè)額外的行，其中N個(gè)額外行中的至少一行中的漏極區(qū)共享第四和第五源極區(qū)之一。一種集成電路包括具有一般為矩形形狀的第一和第二漏極區(qū)。第一、第二和第三源極區(qū)具有一般為矩形的形狀，其中第一源極區(qū)被布置在第一和第二漏極區(qū)的第一邊之間，并且第二和第三源極區(qū)被布置為與第一和第二漏極區(qū)的第二邊相鄰。第四源極區(qū)被布置為與第一和第二漏極區(qū)的第三邊相鄰。第五源極區(qū)被布置為與第一和第二漏極區(qū)的第四邊相鄰。柵極區(qū)被布置在第一、第二、第三、第四和第五源極區(qū)與第一和第二漏極區(qū)之間。第一和第二漏極接觸被布置在第一和第二漏極區(qū)中。
一種用于提供集成電路的方法包括提供具有一般為矩形形狀的第一和第二漏極區(qū)；將第一源極區(qū)布置在第一和第二漏極區(qū)的第一邊之間；將第二和第三源極區(qū)布置為與第一和第二漏極區(qū)的第二邊相鄰；將第四源極區(qū)布置為與第一和第二漏極區(qū)的第三邊相鄰；將第五源極區(qū)布置為與第一和第二漏極區(qū)的第四邊相鄰；將柵極區(qū)布置在第一、第二、第三、第四和第五源極區(qū)與第一和第二漏極區(qū)之間；以及將第一和第二漏極接觸布置在第一和第二漏極區(qū)中。
在集成電路和方法的其他特征中，第一、第二和第三源極區(qū)具有大致等于第一漏極區(qū)長度的長度，并且其中第四和第五源極區(qū)具有大于或者等于第一和第二漏極區(qū)長度的長度。第一、第二和第三源極區(qū)具有小于第一漏極區(qū)寬度的寬度。第一、第二和第三源極區(qū)的寬度大約是第一漏極區(qū)寬度的一半。第四和第五源極區(qū)是從其側(cè)邊驅(qū)動(dòng)的。第一和第二漏極區(qū)具有大于最小漏極接觸尺寸的尺寸。漏極接觸具有規(guī)則形狀和非規(guī)則形狀之一。漏極接觸是正方形、矩形和十字形之一。第一、第二和第三源極區(qū)包括源極接觸。第一和第二漏極區(qū)以及第一、第二和第三源極區(qū)被布置在第一行中，并且還包括N個(gè)額外的行，其中N個(gè)額外行中的至少一行中的漏極區(qū)共享第四和第五源極區(qū)之一。
本發(fā)明的其他適用范圍將從下文所提供的詳細(xì)描述中變得清楚。應(yīng)當(dāng)了解，盡管詳細(xì)描述和具體示例指示出本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是其僅為
了說明，而非意圖限制本發(fā)明的范圍。


16本發(fā)明根據(jù)詳細(xì)描述和附圖將得到更充分的理解，在附圖中 圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的、具有漏極、源極、柵極和體的晶體管的電氣 符號(hào)；
圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的、具有漏極、源極、柵極和連接到源極的體的
晶體管的電氣符號(hào)；
圖3是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的、圖2的晶體管的示例性布局；
圖4是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的、按照行布置的多個(gè)晶體管的示例性布局；
圖5A是包括在源極中布置的體的晶體管的第一示例性布局；
圖5B是平面圖中的包括體的晶體管的第二示例性布局，該體具有與
柵極對(duì)齊的邊緣；
圖6是包括在源極中布置的體的晶體管的第二示例性布局； 圖7是包括在源極中布置的體的晶體管的第三示例性布局； 圖8是包括在源極中布置的體的晶體管的第四示例性布局； 圖9是包括在源極中布置的體的晶體管的第五示例性布局； 圖10是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的PMOS晶體管的橫截面圖； 圖11是包括阱襯底接觸的第六示例性布局的平面圖;
圖12A是用于減小RDS。n的第七示例性布局的平面圖12B是圖12A的第七示例性布局的平面圖12C是用于減小Ros。n的第八示例性布局的平面圖12D是與圖12C類似的用于減小Ros。n的第九示例性布局的平面
圖12E是與圖12C類似的用于減小Rds。。的第十示例性布局的平面
圖12F-12I圖示出其他示例性漏極接觸；
圖13是用于減小RDS。J勺第十一示例性布局的平面圖； 圖14是用于減小RDS。n的第十二示例性布局的平面圖； 圖15是用于減小RDS。n的第十三示例性布局的平面圖16A是硬盤驅(qū)動(dòng)器的功能框圖； 圖16B是DVD驅(qū)動(dòng)器的功能框17圖16C是高清晰度電視的功能框圖； 圖16D是車輛控制系統(tǒng)的功能框圖； 圖16E是移動(dòng)電話的功能框圖； 圖16F是機(jī)頂盒的功能框圖；以及
圖16G是媒體播放器的功能框圖。
具體實(shí)施例方式
下面對(duì)一個(gè)或多個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的描述僅是示例性的并且絕非意圖限制 本發(fā)明、其應(yīng)用或者用途。為了清楚說明，將在附圖中使用相同的標(biāo)號(hào)來 標(biāo)識(shí)相同的元件。額外的晶體管可被布置在附圖中示出的例示晶體管的一 側(cè)或多側(cè)上，如附圖中的所示。
現(xiàn)在參考圖5A和5B，根據(jù)本發(fā)明的晶體管50被示出為包括一個(gè)或 多個(gè)源極54和一個(gè)或多個(gè)漏極56。源極54和漏極56包括n+區(qū)域。雖然 示出了 NMOS晶體管，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到本發(fā)明還適用于諸如 PMOS晶體管之類的其他類型的晶體管。柵極58位于相鄰成對(duì)的源極54 和漏極56之間。在一種實(shí)現(xiàn)方式中，位于源極54的相對(duì)兩側(cè)的柵極58如 圖所示在64處連接在一起。但是在其他配置中，柵極58無需連接在一 起。
包括p+區(qū)域的體66被布置在源極54內(nèi)部并且被源極54包圍。體66 優(yōu)選具有這樣一種形狀，該形狀隨著體66的中間部分和相鄰柵極之間的 距離減少而逐漸變細(xì)。在圖5A和5B的平面圖中，體66可以接觸或者不 接觸柵極58。換言之，體66的一個(gè)或兩個(gè)邊緣可以在平面圖中與柵極58 間隔較遠(yuǎn)(如圖5A所示)并且/或者在平面圖中與柵極基本對(duì)齊(如圖5B 所示)。通過把源極54的某些區(qū)域用于體66，晶體管50的整體大小與傳 統(tǒng)晶體管相比被減小。在圖5所示的示例性實(shí)現(xiàn)方式中，體66具有鉆石 形。
現(xiàn)在參考圖6和圖7，示出了體66的其他示例性形狀。在圖6中，體 66具有六邊形。在圖7中，體總地是橄欖球形。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到 存在各種各樣的合適形狀。例如，在所描述的圖8中示出了圓形體。其他合適的形狀包括橢圓形、八邊形，等等。
現(xiàn)在參考圖8和圖9，可以這樣布置柵極58，使得當(dāng)沒有接觸抽頭時(shí) 柵極58更緊密并且當(dāng)存在接觸抽頭時(shí)柵極58更疏遠(yuǎn)。在圖8中，不位于 體66中的源極接觸抽頭70位于相鄰柵極58彼此間隔較遠(yuǎn)的區(qū)域中。在圖 9中，位于體66中的體接觸抽頭80位于相鄰柵極58彼此間隔較遠(yuǎn)的源極 54中。
現(xiàn)在參考圖10，示出了 PMOS晶體管120。晶體管120包括柵極接觸 122、源極接觸126、漏極接觸128和負(fù)(N)阱接觸130。源極接觸126 提供到在N型襯底層138中形成的？++區(qū)域134的連接。N型層138進(jìn)而 形成在P型襯底140中。？++區(qū)域134形成源極。漏極接觸128提供到在 1^型層138中形成的？++區(qū)域136的電連接。P十+區(qū)域136形成漏極。N阱 接觸130提供到N+十區(qū)域141或N阱的連接。
現(xiàn)在參考圖11，示出了第六示例性布局的平面圖。對(duì)于諸如PMOS 和/或NMOS之類的一些晶體管設(shè)計(jì)，靜電放電(ESD)與其他設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn) 相比沒那么重要。因此，N阱接觸面積可被最小化。對(duì)于PMOS晶體管， N阱接觸面積可以是NMOS晶體管中面積的大約2.5至3倍。源一漏阻抗 可以不那么重要。因此，圖11中的布局使N阱接觸面積和源一漏極面積 最小化。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，雖然前面的描述和PMOS晶體管有 關(guān)，但是類似的原理也適用于NMOS晶體管。
在圖ll所示的布局中，柵極區(qū)200-1、 200-2...和200-G (總稱為柵極 區(qū)或者柵極200)被限定在源極區(qū)224-1、 224-2...和224-S (總稱為源極區(qū) 224)和漏極區(qū)220-1、 220-2...和220-D (總稱為漏極區(qū)220)之間。相鄰 的柵極200-1和200-2限定了區(qū)域210，區(qū)域210所具有的寬度比相鄰的具 有較窄寬度的區(qū)域212更寬。漏極區(qū)220和源極區(qū)224被交替地限定在相 鄰的柵極200之間。
晶體管230-11、 230-12...和230-XY的組(總稱為晶體管230的組) 被布置為彼此鄰近。相鄰的晶體管230的組共享R個(gè)N阱接觸260，其中 R是大于1的整數(shù)。R個(gè)N阱接觸260可以位于晶體管230的相鄰組之 間、柵極200彼此間隔較遠(yuǎn)的區(qū)域210中。小化。例如，每個(gè)組可以包括4-6個(gè)
晶體管。為垂直和水平兩個(gè)方向上的相鄰組提供R個(gè)N阱接觸260。因 此，沒有R個(gè)N阱接觸260的相鄰組的鄰接邊緣可以位于柵極間隔較緊密 的區(qū)域212中。換言之，柵極200可被布置得較緊密以最小化沒有R個(gè)N 阱接觸260的區(qū)域212的面積。
現(xiàn)在參考圖12A，示出了用于橫向擴(kuò)散MOSFET (LDMOS)晶體管 300的示例性高密度布局。該布局傾向于減小漏一源極導(dǎo)通阻抗RDS。n。晶 體管300包括源極(S)區(qū)域304、漏極(D)區(qū)域306和柵極310。源極 區(qū)304中的一些或全部或者沒有一個(gè)源極區(qū)304可以包括一個(gè)或多個(gè)源極 接觸311。為了說明目的，并非所有的源極區(qū)304都被示出為具有源極接 觸311。
柵極310限定了棋盤圖案。源極區(qū)304是沿著漏極區(qū)306的側(cè)邊來布 置的。更具體的說，漏極區(qū)306 —般可以具有矩形的形狀。源極區(qū)304可 以沿著一般為矩形的漏極區(qū)306的每條側(cè)邊來布置?？梢栽谙噜徳礃O區(qū) 304之間的交叉點(diǎn)處、鄰近于漏極區(qū)306的拐角提供襯底接觸330。還可 以在漏極區(qū)306內(nèi)的中心位置處提供漏極接觸334。
每個(gè)漏極區(qū)306可被布置為鄰近于與其他相鄰漏極區(qū)306所共享的源 極區(qū)304。例如在圖12A的虛線區(qū)域331中，漏極區(qū)306-1與漏極區(qū)306-2 共享源極區(qū)304-1。漏極區(qū)306-1與漏極區(qū)306-3共享源極區(qū)304-2。漏極 區(qū)306-1與漏極區(qū)306-4共享源極區(qū)304-3。漏極區(qū)306-1與漏極區(qū)306-5 共享源極區(qū)304-4。可以對(duì)相鄰的漏極區(qū)306重復(fù)該模式。
每個(gè)漏極區(qū)306可以具有大于或者等于每個(gè)源極區(qū)304面積兩倍的面 積。在圖12A中，漏極區(qū)306具有寬度"b"和高度"a"。源極區(qū)304具 有寬度(或高度)"d"和高度(或?qū)挾?"c"。漏極區(qū)306可以具有與 源極區(qū)304基本相同的長度。漏極區(qū)306可以具有大于或者等于源極區(qū) 304寬度兩倍的寬度。
現(xiàn)在參考圖12B，示出了圖12A的一部分布局的更詳細(xì)視圖。漏極接 觸334-1和334-3可以分別與漏極區(qū)306-1和306-3相關(guān)聯(lián)。襯底接觸330 位于漏極區(qū)306-1的拐角附近。源極接觸311-1、 311-2...和311-B可以布
20置在源極區(qū)304-2和304-4中，其中B是整數(shù)。漏極接觸334-1和334-3可 以分別布置在漏極區(qū)306-1和306-3中的每一個(gè)中。漏極接觸334-1可以限 定比源極區(qū)304-2中的源極接觸311-1面積更大的面積。
在漏極區(qū)306-3和相鄰源極區(qū)304-2的源極接觸311-1、 311-2...和 311-B之間流動(dòng)的幾乎所有電流都在漏極接觸334-3的面對(duì)部分335和源 極區(qū)304-2中的源極接觸311-1、 311-2...和311-B的面對(duì)部分的一半337-
1、 337-2...和337-S之間流動(dòng)。電流在漏極接觸334-3的其他面對(duì)部分和其 他相鄰源極區(qū)304-5、 304-6和304-7中的源極接觸(未示出)之間以相似 方式流動(dòng)。
現(xiàn)在參考圖12C，示出了橫向擴(kuò)散MOSFET (LDMOS)晶體管340 的另一種示例性高密度布局。該布局傾向于提供低漏一源極導(dǎo)通阻抗 RDS。n。晶體管340包括源極區(qū)304-11、 304-12...304-4Q,漏極區(qū)306-11、 306-12…306-4T以及柵極310，其中Q和T是整數(shù)。雖然在圖12B中示出 了四行，但是也可以使用額外和/或更少的行和/或列。源極區(qū)304中的一 些或全部或者沒有一個(gè)源極區(qū)304可以包括源極接觸。為了說明目的，并 非所有的源極區(qū)304被示出為具有源極接觸。例如，源極區(qū)304-12包括源 極接觸311-1、 311-2...和311-B，其中B是整數(shù)。
其他伸長源極區(qū)344-1、 344-2、 344-3...和344-R被布置在漏極區(qū)306 的行(或者列)之間并且可以由布置在圖12B中布局的一側(cè)或兩側(cè)(或者 頂部)的驅(qū)動(dòng)器346-1、 346-2...和346-R來驅(qū)動(dòng)。伸長源極區(qū)344-1、 344-
2、 344-3...和344-R可以鄰近于至少兩個(gè)漏極區(qū)306 (例如至少漏極區(qū) 306-11和306-12)的側(cè)邊而延伸。
每個(gè)漏極區(qū)306 (例如漏極區(qū)306-11)可以具有大于或者等于每個(gè)源 極區(qū)304 (例如源極區(qū)304-12)面積兩倍的面積。漏極區(qū)306 (例如漏極 區(qū)306-11)可以具有與源極區(qū)304 (例如源極區(qū)304-12)基本相同的長 度。漏極區(qū)306 (例如漏極區(qū)306-11)可以具有大于或者等于源極區(qū)304 (例如漏極區(qū)304-12)寬度兩倍的寬度。
襯底接觸347-11、 347-12、 347-21、 347-22、 347-23...347-51 、 347-52 (總稱為襯底接觸347)可被布置在伸長源極區(qū)344中的一些或全部中，
21或者不布置在任何一個(gè)源極區(qū)344中。對(duì)于伸長源極區(qū)344中的每一個(gè)， 襯底接觸347的放置和數(shù)目可以是均勻或者不同的。僅作為示例，圖12C 所示的襯底接觸347可以與相鄰伸長源極區(qū)344中的襯底接觸347發(fā)生偏 移。伸長源極區(qū)344中的每一個(gè)可以包括與相鄰伸長源極區(qū)344相比的相 同數(shù)目或者不同數(shù)目的襯底接觸347。如圖所示，襯底接觸347可以是對(duì) 齊或偏移的。 一些伸長源極區(qū)344可以不包括襯底接觸347。也可預(yù)期其 他變化。
現(xiàn)在參考圖12D，第一區(qū)域345-Al、 345-A2、 345-A3和345-A4可以 提供有用的晶體管區(qū)域。例如第一區(qū)域345-Al、 345-A2、 345-A3和345-A4可以分別位于漏極區(qū)306-12與源極區(qū)304-12、 344-1、 304-13和344-2 之間。第二區(qū)域345-Bl、 345-B2、 345-B3和345-B4可以提供更少的有用 晶體管區(qū)域。例如第二區(qū)域345-Bl、 345-B2、 345-B3和345-B4可以位于 源極區(qū)304-12、 344-1、 304-13和344-2之間。
在某些實(shí)現(xiàn)方式中，襯底接觸347-11、 347- 12、 347-21、 347-22、 347-23...可以布置在源極區(qū)344-1、 344-2...和344-R的第二區(qū)域345-Bl、 345-B2、 345-B3和345-B4中的一些或全部中，也可以不布置在任何一個(gè) 中，例如如圖12D所示。襯底接觸347-11、 347-12、 347-21、 347-22、 347-23...被示出為布置在伸長襯底區(qū)域344-1和344-2中并且傾向于降低 Rds—on。襯底接觸347-11、 347-12、 347-21、 347-22、 347-23...可以具有小 于或者等于源極區(qū)304寬度"c"的高度(如圖12A所示)以及小于或者 等于源極區(qū)304的寬度"d"的寬度(如圖12A所示)。
現(xiàn)在參考圖12E，襯底接觸330-1和330-2被分別提供在成對(duì)的伸長 源極區(qū)344-1 A和344-1 B以及344-2A和344-2B之間。伸長源極區(qū)344-1 A和344-2A由驅(qū)動(dòng)器346-lA和346-2A從一側(cè)驅(qū)動(dòng)。伸長源極區(qū)344-1 B 和344-2B由驅(qū)動(dòng)器346- 1B和346-2B從另一側(cè)驅(qū)動(dòng)。
圖12A-12E中的漏極接觸334可以具有最小尺寸或者大于最小尺寸的 尺寸。漏極接觸334可以具有簡單或規(guī)則的形狀和/或不規(guī)則或復(fù)雜的形 狀。例如，漏極接觸334可以具有正方形或矩形(如圖12A中344處所 示)、十字形(如圖12F中344-W處所示)、三葉草形(如分別在圖12G和12H中的334-X和334-Y處示出)、變形十字形區(qū)域(如圖121中的 334-Z所示)和/或其他合適形狀，例如但不限于鉆石形、圓形、對(duì)稱形、 非對(duì)稱形等等。類似地，襯底接觸347可以具有類似于漏極接觸334的簡 單或規(guī)則形狀和/或不規(guī)則或復(fù)雜形狀。
在某些實(shí)現(xiàn)方式中，給定源極區(qū)中的源極接觸B的數(shù)目可以是大于1 并且小于6的整數(shù)。在某些實(shí)現(xiàn)方式中，B可以等于3或者4。漏極接觸 334-3的面積可以大于或者等于2*B* (源極接觸311-1、 311匿2…或311-B 之一的面積)。例如，當(dāng)B等于3時(shí)，漏極接觸區(qū)334-3可以具有大約大 于或者等于一個(gè)源極接觸311-1、 311-2...或311-B的面積6倍的面積。當(dāng) B等于4時(shí)，漏極接觸區(qū)334-3可以具有大約大于或者等于一個(gè)源極接觸 311-1、 311-2...或311-B的面積8倍的面積。
隨著漏極接觸334的大小相對(duì)于對(duì)應(yīng)漏極區(qū)域306而增大，可能發(fā)生 過蝕刻。換言之，蝕刻過程可能對(duì)鄰近區(qū)域和/或下層有不利影響。為了減 輕過蝕刻的問題，可以將圖12F-12I中的復(fù)雜形狀和/或其他復(fù)雜形狀用于 漏極接觸334?？商娲兀O接觸334可以在漏極接觸334之中和/或之 下使用深注入離子。
作為在伸長源極區(qū)域344中放置襯底接觸330的替代，可以在區(qū)域 345-Bl、 345-B2、 345-B3和345-B中的源極區(qū)344的一側(cè)或兩側(cè)中提供緩 解區(qū)(relief area)。襯底接觸區(qū)330可被布置在緩解區(qū)中?？梢栽诰徑鈪^(qū) 的相對(duì)側(cè)上調(diào)節(jié)伸長源極區(qū)344的形狀，以抵消緩解區(qū)的影響并且防止緩 解區(qū)附近的伸長源極區(qū)344的區(qū)域中的電流強(qiáng)度減少。
現(xiàn)在參考圖13-15，漏極區(qū)、源極區(qū)和柵極區(qū)還可以具有可用于最小 化Rdscm的其他形狀。例如，漏極區(qū)348可以具有如圖13所示的圓形、如 圖14所示的橢圓形和/或其他合適的形狀。柵極區(qū)349包括通過線性柵極 連接區(qū)域352連接的圓形柵極區(qū)350。在圖14中使用單引號(hào)("'")來標(biāo) 識(shí)類似的元素。漏極區(qū)348位于圓形柵極區(qū)350中。源極區(qū)360位于柵極 區(qū)349之間除了圓形柵極區(qū)350內(nèi)部之外的區(qū)域中。襯底接觸364位于源 極區(qū)360中。漏極區(qū)348還可以包括接觸區(qū)366。線性柵極區(qū)352可以具 有垂直間距"g"，該間距被最小化以增加密度。類似地，在相鄰圓形柵
23極區(qū)350之間的"f"處標(biāo)識(shí)出的橫向間距可被最小化以增加密度。
漏極區(qū)368還可以具有多邊形的形狀。例如，漏極區(qū)可以具有如圖15 所示的六邊形，當(dāng)然也可使用其他多邊形。柵極區(qū)369包括通過線性柵極 連接區(qū)372連接的六邊形柵極區(qū)370。漏極區(qū)368位于六邊形柵極區(qū)370 中。源極區(qū)380位于柵極區(qū)369之間除了六邊形柵極區(qū)370內(nèi)部之外的區(qū) 域中。襯底接觸384位于源極區(qū)380中。漏極區(qū)還可以包括接觸區(qū)386。 線性柵極連接區(qū)372優(yōu)選具有垂直間距"j"，該間距被最小化以增加密 度。類似地，在相鄰六邊形柵極區(qū)370之間的"i"處標(biāo)識(shí)出的橫向間距被 最小化以增加密度。
可以意識(shí)到，圖13-15中的漏極區(qū)和柵極區(qū)的形狀可以是關(guān)于漏極區(qū) 的水平和垂直中心線中的至少一個(gè)是對(duì)稱的任何形狀。圖13-15中的晶體 管可以是LDMOS晶體管。漏極區(qū)的形狀可以包括任何對(duì)稱形狀。該形狀 可以隨著距離漏極區(qū)中心點(diǎn)的距離增大而逐漸變細(xì)(成錐形)，并且/或者 隨著漏極區(qū)的中心點(diǎn)在朝著一個(gè)或多個(gè)其他晶體管的方向上增加而逐漸變 細(xì)(成錐形)。
現(xiàn)在參考圖16A-16G，示出了結(jié)合本發(fā)明的教導(dǎo)的各種示例性實(shí)現(xiàn)方式。
現(xiàn)在參考圖16A，本發(fā)明的教導(dǎo)可被實(shí)現(xiàn)在硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD) 400 的晶體管中。HDD 400包括硬盤組裝件(HDA) 401和HDD PCB 402。 HDA 401可以包括諸如存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的一個(gè)或多個(gè)盤片之類的磁性介質(zhì)403， 以及讀/寫設(shè)備404。讀/寫設(shè)備404可被布置在致動(dòng)臂405上并且可以在磁 性介質(zhì)403上讀取和寫入數(shù)據(jù)。此外，HDA 401包括旋轉(zhuǎn)磁性介質(zhì)403的 主軸電機(jī)406和使致動(dòng)臂405致動(dòng)的音圈電機(jī)(VCM) 407。前置放大器 件408在讀操作期間對(duì)由讀/寫設(shè)備404生成的信號(hào)進(jìn)行放大并且在寫操作 期間向讀/寫設(shè)備404提供信號(hào)。
HDD PCB 402包括讀/寫通道模塊(在下文中稱為"讀寫通道") 409、硬盤控制器模塊(HDC) 410、緩沖器411、非易失性存儲(chǔ)器412、 處理器413、以及主軸/VCM驅(qū)動(dòng)模塊414。讀寫通道409對(duì)接收自和發(fā)送 到前置放大器件408的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。HDC模塊410控制HDA 401的組件并且經(jīng)由1/0接口 415與外部設(shè)備(未示出)通信。外部設(shè)備可以包括 計(jì)算機(jī)、多媒體設(shè)備、移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等。I/O接口 415可以包括有線和/或 無線的通信鏈路。
HDC模塊410可以從HAD 401、讀寫通道409、緩沖器411、非易失 性存儲(chǔ)器412、處理器413、主軸/VCM驅(qū)動(dòng)模塊414和/或I/0接口 415接 收數(shù)據(jù)。處理器413可以對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，包括編碼、解碼、濾波和/或格 式化。處理后的數(shù)據(jù)可被輸出到HDA 401、讀寫通道409、緩沖器411、 非易失性存儲(chǔ)器412、處理器413、主軸/VCM驅(qū)動(dòng)模塊414禾卩/或I/0接口 415。
HDC模塊410可以使用緩沖器411和/或非易失性存儲(chǔ)器412來存儲(chǔ) 與HDD 400的控制和操作有關(guān)的數(shù)據(jù)。緩沖器411可以包括DRAM、 SDRAM等。非易失性存儲(chǔ)器412可以包括閃存(包括NAND和NOR閃 存)、相變存儲(chǔ)器、磁性RAM或者多態(tài)存儲(chǔ)器，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元具有 多于兩種狀態(tài)。主軸/VCM驅(qū)動(dòng)模塊414控制主軸電機(jī)406和VCM 407。 HDD PCB 402包括向HDD 400的組件提供電力的電源416。
現(xiàn)在參考圖16B，本發(fā)明的教導(dǎo)可被實(shí)現(xiàn)在DVD驅(qū)動(dòng)器418或CD驅(qū) 動(dòng)器(未示出)的晶體管中。DVD驅(qū)動(dòng)器418包括DVD PCB 419和DVD 組裝件(DVDA) 420。 DVD PCB 419包括DVD控制模塊421、緩沖器 422、非易失性存儲(chǔ)器423、處理器424、主軸/FM (進(jìn)給電機(jī))驅(qū)動(dòng)器模 塊425、模擬前端模塊426、寫策略模塊427和DSP模塊428。
DVD控制模塊421控制DVDA 420的部件，并且經(jīng)由I/O接口 429與 外部設(shè)備(未示出)通信。外部設(shè)備可以包括計(jì)算機(jī)、多媒體設(shè)備、移動(dòng) 計(jì)算設(shè)備等等。1/0接口 429可以包括有線和/或無線通信鏈路。
DVD控制模塊421可以從緩沖器422、非易失性存儲(chǔ)器423、處理器 424、主軸/FM驅(qū)動(dòng)器模塊425、模擬前端模塊426、寫策略模塊427、 DSP模塊428和/或1/0接口 429接收數(shù)據(jù)。處理器424可以對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處 理，包括編碼、解碼、濾波和/或格式化。DSP模塊428執(zhí)行信號(hào)處理，例 如視頻和/或音頻編碼/解碼。經(jīng)處理的數(shù)據(jù)可以被輸出到緩沖器422、非易 失性存儲(chǔ)器423、處理器424、主軸/FM驅(qū)動(dòng)器模塊425、模擬前端模塊426、寫策略模塊427、 DSP模塊428和/或I/0接口 429。
DVD控制模塊421可以使用緩沖器422和/或非易失性存儲(chǔ)器423來 存儲(chǔ)與DVD驅(qū)動(dòng)器418的控制和操作有關(guān)的數(shù)據(jù)。緩沖器422可以包括 DRAM、 SDRAM等等。非易失性存儲(chǔ)器423可以包括閃存(包括NAND 和NOR閃存)、相變存儲(chǔ)器、磁RAM或多態(tài)存儲(chǔ)器，在多態(tài)存儲(chǔ)器中每 個(gè)存儲(chǔ)單元具有多于兩種狀態(tài)。DVD PCB 419包括向DVD驅(qū)動(dòng)器418的 部件提供電力的電源430。
DVDA 420可以包括前置放大器件431、激光驅(qū)動(dòng)器432和光學(xué)器件 433，光學(xué)器件433可以是光學(xué)讀/寫(ORW)器件或者光學(xué)只讀(OR) 器件。主軸電機(jī)434對(duì)光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)435進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，并且進(jìn)給電機(jī)436相 對(duì)于光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)435來致動(dòng)光學(xué)器件433。
當(dāng)從光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)435讀數(shù)據(jù)時(shí)，激光驅(qū)動(dòng)器向光學(xué)器件433提供讀 功率。光學(xué)器件433檢測(cè)來自光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)435的數(shù)據(jù)，并且將數(shù)據(jù)傳送 到前置放大器件431。模擬前端模塊426接收來自前置放大器件431的數(shù) 據(jù)，并且執(zhí)行諸如濾波和A/D轉(zhuǎn)換之類的功能。為了寫入到光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì) 435中，寫策略模塊427向激光驅(qū)動(dòng)器432傳送功率電平和定時(shí)信息。激 光驅(qū)動(dòng)器432控制光學(xué)器件433來向光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)435寫入數(shù)據(jù)。
現(xiàn)在參考圖16C，本發(fā)明的教導(dǎo)可被實(shí)現(xiàn)在高清晰度電視(HDTV) 437的晶體管中。HDTV 437包括HDTV控制模塊438、顯示器439、電源 440、存儲(chǔ)器441、存儲(chǔ)設(shè)備442、 WLAN接口 443和相關(guān)天線444以及外 部接口 445。
HDTV 437可以從WLAN接口 443和/或外部接口 445接收輸入信號(hào)， 外部接口 445經(jīng)由纜線、寬帶因特網(wǎng)和/或衛(wèi)星來發(fā)送并接收信息。HDTV 控制模塊438可以處理輸入信號(hào)(包括編碼、解碼、濾波和/或格式化)并 且生成輸出信號(hào)。輸出信號(hào)可以被傳送到顯示器439、存儲(chǔ)器441、存儲(chǔ) 設(shè)備442、 WLAN接口 443和外部接口 445中的一個(gè)或多個(gè)。
存儲(chǔ)器441可以包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和/或諸如閃存之類的
非易失性存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器或多態(tài)存儲(chǔ)器，在多態(tài)存儲(chǔ)器中每個(gè)存儲(chǔ)單 元具有多于兩種狀態(tài)。存儲(chǔ)設(shè)備442可以包括諸如DVD驅(qū)動(dòng)器之類的光
26學(xué)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器和/或硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD) 。 HDTV控制模塊438經(jīng)由 WLAN接口 443和/或外部接口 445而與外部通信。電源440向HDTV 437 的部件提供電力。
現(xiàn)在參考圖16D，本發(fā)明的教導(dǎo)可被實(shí)現(xiàn)在車輛446的晶體管中。車 輛446可以包括車輛控制系統(tǒng)447、電源448、存儲(chǔ)器449、存儲(chǔ)設(shè)備450 以及WLAN接口 452和相關(guān)天線453。車輛控制系統(tǒng)447可以是動(dòng)力系控 制系統(tǒng)、車體控制系統(tǒng)、娛樂控制系統(tǒng)、防抱死制動(dòng)系統(tǒng)(ABS)、導(dǎo)航 系統(tǒng)、遠(yuǎn)程信息系統(tǒng)、車道偏離系統(tǒng)和自適應(yīng)巡航控制系統(tǒng)等。
車輛控制系統(tǒng)447可以與一個(gè)或多個(gè)傳感器454通信，并且生成一個(gè) 或多個(gè)輸出信號(hào)456。傳感器454可以包括溫度傳感器、加速度傳感器、 壓力傳感器、旋轉(zhuǎn)傳感器、氣流傳感器等等。輸出信號(hào)456可以控制引擎 運(yùn)行參數(shù)、傳動(dòng)裝置運(yùn)行參數(shù)、懸架參數(shù)等等。
電源448向車輛446的部件提供電力。車輛控制系統(tǒng)447可以將數(shù)據(jù) 存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器449和/或存儲(chǔ)設(shè)備450中。存儲(chǔ)器449可以包括隨機(jī)存取存 儲(chǔ)器(RAM)和/或諸如閃存之類的非易失性存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器或多態(tài) 存儲(chǔ)器，在多態(tài)存儲(chǔ)器中每個(gè)存儲(chǔ)單元具有多于兩種狀態(tài)。存儲(chǔ)設(shè)備450 可以包括諸如DVD驅(qū)動(dòng)器之類的光學(xué)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器和/或硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD)。車輛控制系統(tǒng)447可以經(jīng)由WLAN接口 452與外部通信。
現(xiàn)在參考圖16E，本發(fā)明的教導(dǎo)可被實(shí)現(xiàn)在蜂窩電話458的晶體管 中。蜂窩電話458包括電話控制模塊460、電源462、存儲(chǔ)器464、存儲(chǔ)設(shè) 備466和蜂窩網(wǎng)絡(luò)接口 467。蜂窩電話458可以包括WLAN接口 468和相 關(guān)天線469、麥克風(fēng)470、諸如揚(yáng)聲器和/或輸出插孔之類的音頻輸出 472、顯示屏474和諸如小鍵盤和/或點(diǎn)選設(shè)備之類的用戶輸入設(shè)備476。
電話控制模塊460可以從蜂窩網(wǎng)絡(luò)接口 467、 WLAN接口 468、麥克 風(fēng)470和/或用戶輸入設(shè)備476接收輸入信號(hào)。電話控制模塊460可以處理 信號(hào)(包括編碼、解碼、濾波和/或格式化)并且生成輸出信號(hào)。輸出信號(hào) 可以被傳送到存儲(chǔ)器464、存儲(chǔ)設(shè)備466、蜂窩網(wǎng)絡(luò)接口 467、 WLAN接 口 468和音頻輸出472中的一個(gè)或多個(gè)。
存儲(chǔ)器464可以包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和/或諸如閃存之類的非易失性存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器或多態(tài)存儲(chǔ)器，在多態(tài)存儲(chǔ)器中每個(gè)存儲(chǔ)單
元具有多于兩種狀態(tài)。存儲(chǔ)設(shè)備466可以包括諸如DVD驅(qū)動(dòng)器之類的光 學(xué)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器和/或硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)。電源462向蜂窩電話458的部件 提供電力。
現(xiàn)在參考圖16F，本發(fā)明的教導(dǎo)可被實(shí)現(xiàn)在機(jī)頂盒478的晶體管中。 機(jī)頂盒478包括機(jī)頂盒控制模塊480、顯示器481、電源482、存儲(chǔ)器 483、存儲(chǔ)設(shè)備484以及WLAN接口 485和相關(guān)天線486。
機(jī)頂盒控制模塊480可以從WLAN接口 485和外部接口 487接收輸入 信號(hào)，外部接口 487可以經(jīng)由纜線、寬帶因特網(wǎng)和/或衛(wèi)星來發(fā)送并接收信 息。機(jī)頂盒控制模塊480可以處理輸入信號(hào)(包括編碼、解碼、濾波和/或 格式化)并且生成輸出信號(hào)。輸出信號(hào)可以包括標(biāo)準(zhǔn)和/或高清晰度格式的 音頻和/或視頻信號(hào)。輸出信號(hào)可以被傳送到WLAN接口 485和/或顯示器 481。顯示器481可以包括電視、投影儀和/或監(jiān)視器。
電源482向機(jī)頂盒478的部件提供電力。存儲(chǔ)器483可以包括隨機(jī)存 取存儲(chǔ)器(RAM)和/或諸如閃存之類的非易失性存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器或 多態(tài)存儲(chǔ)器，在多態(tài)存儲(chǔ)器中每個(gè)存儲(chǔ)單元具有多于兩種狀態(tài)。存儲(chǔ)設(shè)備 484可以包括諸如DVD驅(qū)動(dòng)器之類的光學(xué)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器和/或硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD)。
現(xiàn)在參考圖16G，本發(fā)明的教導(dǎo)可被實(shí)現(xiàn)在媒體播放器489的晶體管 中。媒體播放器489包括媒體播放器控制模塊490、電源491、存儲(chǔ)器 492、存儲(chǔ)設(shè)備493、 WLAN接口 494和相關(guān)天線495以及外部接口 499。
媒體播放器控制模塊490可以從WLAN接口 494和/或外部接口 499 接收輸入信號(hào)。外部接口 499可以包括USB、紅外和/或以太網(wǎng)接口。輸 入信號(hào)可以包括經(jīng)壓縮的音頻和/或視頻，并且可以遵從MP3格式。另 外，媒體播放器控制模塊490可以從諸如小鍵盤、觸摸板或各個(gè)按鈕之類 的用戶輸入496接收輸入。媒體播放器控制模塊490可以處理輸入信號(hào) (包括編碼、解碼、濾波和/或格式化)并且生成輸出信號(hào)。
媒體播放器控制模塊490可以向音頻輸出497輸出音頻信號(hào)并向顯示 屏498輸出視頻信號(hào)。音頻輸出497可以包括揚(yáng)聲器和/或輸出插孔。顯示
28屏498可以提供圖形用戶界面，圖形用戶界面可以包括菜單、圖標(biāo)等等。
電源491向媒體播放器489的部件提供電力。存儲(chǔ)器492可以包括隨機(jī)存 取存儲(chǔ)器(RAM)和/或諸如閃存之類的非易失性存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器或 多態(tài)存儲(chǔ)器，在多態(tài)存儲(chǔ)器中每個(gè)存儲(chǔ)單元具有多于兩種狀態(tài)。存儲(chǔ)設(shè)備 493可以包括諸如DVD驅(qū)動(dòng)器之類的光學(xué)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器和/或硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員現(xiàn)在可以從前述描述中意識(shí)到，本發(fā)明的教導(dǎo)可被以 各種形式實(shí)現(xiàn)。因此，盡管已經(jīng)聯(lián)系本發(fā)明的特定示例描述了本發(fā)明，但 是本發(fā)明的真正范圍不應(yīng)當(dāng)被如此限制，這是因?yàn)樵谘芯苛烁綀D、說明書 和所附權(quán)利要求書之后，其他修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將變得顯而易 見。
權(quán)利要求
1. 一種集成電路，包括第一源極；第一漏極；第二源極；布置在所述第一源極和所述第一漏極之間的第一柵極；以及布置在所述第一漏極和所述第二源極之間的第二柵極，其中，所述第一和第二柵極在所述漏極中限定了交替的第一和第二區(qū)域，其中所述第一和第二柵極在所述第一區(qū)域中比在所述第二區(qū)域中布置得更加疏遠(yuǎn)。
2. 如權(quán)利要求1所述的集成電路，還包括布置在所述第一區(qū)域中的 阱襯底接觸。
3. 如權(quán)利要求l所述的集成電路，還包括布置在所述第一區(qū)域中的R 個(gè)阱襯底接觸，其中R是大于1的整數(shù)。
4. 如權(quán)利要求3所述的集成電路，其中，R是大于3并且小于7的整數(shù)。
5. 如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述集成電路包括多個(gè)晶 體管。
6. 如權(quán)利要求5所述的集成電路，其中，所述晶體管包括PMOS晶 體管。
7. 如權(quán)利要求3所述的集成電路，其中，所述R個(gè)阱襯底接觸與R 個(gè)晶體管中的相應(yīng)晶體管相關(guān)聯(lián)。
8. 如權(quán)利要求l所述的集成電路，還包括 第二漏極；布置在所述第二源極和所述第二漏極之間的第三柵極， 其中，所述第二和第三柵極限定了交替的第三和第四區(qū)域，所述第二 和第三柵極在所述第三區(qū)域中比在所述第四區(qū)域中布置得更加疏遠(yuǎn)。
9. 如權(quán)利要求8所述的集成電路，其中，所述第一區(qū)域被布置為與所述第四區(qū)域相鄰，并且所述第二區(qū)域被布置為與所述第三區(qū)域相鄰。
10. 如權(quán)利要求9所述的集成電路，其中，所述第一和第三區(qū)域包括 R個(gè)阱襯底接觸。
11. 一種用于提供集成電路的方法，包括 提供第一源極；提供第一漏極； 提供第二源極；將第一柵極定位在所述第一源極和所述第一漏極之間； 將第二柵極定位在所述第一漏極和所述第二源極之間； 使用所述第一和第二柵極，在所述漏極中限定交替的第一和第二區(qū) 域；以及與在所述第二區(qū)域中相比較，在所述第一區(qū)域中將所述第一和第二柵 極布置得更加疏遠(yuǎn)。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括將阱襯底接觸定位在所述第 一區(qū)域中。
13. 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括將R個(gè)阱襯底接觸定位在所 述第一區(qū)域中，其中R是大于1的整數(shù)。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，R是大于3并且小于7的整數(shù)。
15. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述集成電路包括多個(gè)晶體管。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述晶體管包括PMOS晶體管。
17. 如權(quán)利要求13所述的方法，還包括使所述R個(gè)阱襯底接觸與R 個(gè)晶體管中的相應(yīng)晶體管相關(guān)聯(lián)。
18. 如權(quán)利要求ll所述的方法，還包括 提供第二漏極；在所述第二源極和所述第二漏極之間提供第三柵極； 使用所述第二和第三柵極來限定交替的第三和第四區(qū)域；以及與在所述第四區(qū)域中相比，在所述第三區(qū)域中將所述第二和第三柵極 布置得更加疏遠(yuǎn)。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，還包括將所述第一區(qū)域布置為與所 述第四區(qū)域相鄰，并且將所述第二區(qū)域布置為與所述第三區(qū)域相鄰。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第一和第三區(qū)域包括R 個(gè)阱襯底接觸，其中R是大于1的整數(shù)。
21. —種集成電路，包括 第一漏極區(qū)，其具有一般為矩形的形狀；第一、第二、第三和第四源極區(qū)，這些源極區(qū)具有一般為矩形的形狀 并且被布置為與所述第一漏極區(qū)的側(cè)邊相鄰；柵極區(qū)，其被布置在所述第一、第二、第三和第四源極區(qū)與所述第一 漏極區(qū)之間；以及第一、第二、第三和第四襯底接觸區(qū)，這些襯底接觸區(qū)被布置為與所 述第一漏極區(qū)的拐角相鄰。
22. 如權(quán)利要求21所述的集成電路，其中，所述第一、第二、第三 和第四源極區(qū)具有大致等于所述漏極區(qū)長度的長度。
23. 如權(quán)利要求21所述的集成電路，其中，所述第一、第二、第三 和第四源極區(qū)具有小于所述第一漏極區(qū)寬度的寬度。
24. 如權(quán)利要求23所述的集成電路，其中，所述第一、第二、第三 和第四源極區(qū)的所述寬度大約是所述第一漏極區(qū)寬度的一半。
25. 如權(quán)利要求21所述的集成電路，還包括第二漏極區(qū)，其具有一般為矩形的形狀并且具有與所述第一源極區(qū)相 鄰布置的一邊；以及第五、第六和第七源極區(qū)，這些源極區(qū)具有一般為矩形的形狀并且被 布置為與所述第二漏極區(qū)的其他邊相鄰。
26. 如權(quán)利要求25所述的集成電路，還包括在所述第一、第五、第 六和第七源極區(qū)與所述第二漏極區(qū)之間布置的柵極區(qū)。
27. 如權(quán)利要求26所述的集成電路，還包括與所述第二漏極區(qū)的拐 角相鄰布置的第五和第六襯底接觸區(qū)。
28. 如權(quán)利要求21所述的集成電路，其中，所述集成電路包括橫向 擴(kuò)散MOSFET晶體管。
29. 如權(quán)利要求21所述的集成電路，還包括漏極接觸區(qū)和在所述第 一、第二、第三和第四源極區(qū)中的每一個(gè)中的B個(gè)源極接觸，其中B是大 于1的整數(shù)。
30. 如權(quán)利要求29所述的集成電路，其中，所述第一和第二漏極接 觸具有面積D并且所述B個(gè)源極接觸具有面積A，并且其中所述面積D 大于或者等于2*B*A。
31. —種用于提供集成電路的方法，包括 提供具有一般為矩形形狀的第一漏極區(qū)；將具有一般為矩形形狀的第一、第二、第三和第四源極區(qū)布置為與所 述第一漏極區(qū)的側(cè)邊相鄰；在所述第一、第二、第三和第四源極區(qū)與所述第一漏極區(qū)之間布置柵 極區(qū)；以及將第一、第二、第三和第四襯底接觸區(qū)布置為與所述第一漏極區(qū)的拐 角相鄰。
32. 如權(quán)利要求31所述的方法，其中，所述第一 四源極區(qū)具有大致等于所述漏極區(qū)長度的長度。
33. 如權(quán)利要求31所述的方法，其中，所述第一 四源極區(qū)具有小于所述第一漏極區(qū)寬度的寬度。
34. 如權(quán)利要求31所述的方法，其中，所述第一 四源極區(qū)的所述寬度大約是所述第一漏極區(qū)寬度的一半
35. 如權(quán)利要求31所述的方法，還包括將具有一般為矩形形狀的第二漏極區(qū)的一邊布置為與所述第一源極區(qū) 相鄰；以及將具有一般為矩形形狀的第五、第六和第七源極區(qū)布置為與所述第二 漏極區(qū)的其他邊相鄰。
36. 如權(quán)利要求35所述的方法，還包括在所述第一、第五、第六和 第七源極區(qū)與所述第二漏極區(qū)之間布置柵極區(qū)。、 第一、第二禾口第 、 第一、第二禾口第 、第二、第三和第
37. 如權(quán)利要求36所述的方法，還包括將第五和第六襯底接觸區(qū)布 置為與所述第二漏極區(qū)的拐角相鄰。
38. 如權(quán)利要求31所述的方法，其中，所述集成電路包括橫向擴(kuò)散 MOSFET晶體管。
39. 如權(quán)利要求31所述的方法，還包括在所述第一、第二、第三和 第四源極區(qū)中的每一個(gè)中布置B個(gè)源極接觸并且在所述漏極區(qū)中布置漏極 接觸區(qū)，其中B是大于1的整數(shù)。
40. 如權(quán)利要求39所述的方法，其中，所述第一和第二漏極接觸具 有面積D并且所述B個(gè)源極接觸具有面積A，并且其中所述面積D大于 或者等于2*B*A。
41. 一種集成電路，包括第一漏極區(qū)，其具有跨越水平中心線和垂直中心線中的至少一個(gè)的對(duì) 稱形狀；第一柵極區(qū)，其具有圍繞所述第一漏極區(qū)的第一形狀； 第二漏極區(qū)，其具有所述對(duì)稱形狀； 第二柵極區(qū)，其具有圍繞所述第二漏極區(qū)的第一形狀； 連接?xùn)艠O區(qū)，其將所述第一和第二柵極區(qū)相連接;第一源極區(qū)，其被布置為與所述第一柵極區(qū)、所述第二柵極區(qū)和所述 連接?xùn)艠O區(qū)的一邊相鄰；以及第二源極區(qū)，其被布置為與所述第一柵極區(qū)、所述第二柵極區(qū)和所述 連接?xùn)艠O區(qū)的一邊相鄰。
42. 如權(quán)利要求41所述的集成電路，其中，所述對(duì)稱形狀隨著離所 述對(duì)稱形狀的中心的距離增加而逐漸變細(xì)。
43. 如權(quán)利要求41所述的集成電路，還包括在所述第一和第二源極 區(qū)中布置的第一和第二襯底接觸。
44. 如權(quán)利要求41所述的集成電路，其中，所述集成電路包括橫向 擴(kuò)散MOSFET晶體管。
45. 如權(quán)利要求41所述的集成電路，其中，所述對(duì)稱形狀是圓形。
46. 如權(quán)利要求41所述的集成電路，其中，所述對(duì)稱形狀是橢圓形。
47. 如權(quán)利要求41所述的集成電路，其中，所述對(duì)稱形狀是多邊形。
48. 如權(quán)利要求41所述的集成電路，其中，所述對(duì)稱形狀是六邊形。
49. 一種用于提供集成電路的方法，包括提供具有跨越水平中心線和垂直中心線中的至少一個(gè)的對(duì)稱形狀的第 一漏極區(qū)；提供具有圍繞所述第一漏極區(qū)的第一形狀的第一柵極區(qū)； 提供具有所述對(duì)稱形狀的第二漏極區(qū)；提供具有圍繞所述第二漏極區(qū)的所述第一形狀的第二柵極區(qū)； 將連接?xùn)艠O區(qū)連接到所述第一和第二柵極區(qū)；將第一源極區(qū)布置為與所述第一柵極區(qū)、所述第二柵極區(qū)和所述連接 柵極區(qū)的一邊相鄰；以及將第二源極區(qū)布置為與所述第一柵極區(qū)、所述第二柵極區(qū)和所述連接 柵極區(qū)的一邊相鄰。
50. 如權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述對(duì)稱形狀隨著離所述對(duì) 稱形狀的中心的距離增加而逐漸變細(xì)。
51. 如權(quán)利要求49所述的方法，還包括在所述第一和第二源極區(qū)中 布置第一和第二襯底接觸。
52. 如權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述集成電路包括橫向擴(kuò)散 MOSFET晶體管。
53. 如權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述對(duì)稱形狀是圓形。
54. 如權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述對(duì)稱形狀是橢圓形。
55. 如權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述對(duì)稱形狀是多邊形。
56. 如權(quán)利要求49所述的方法，其中，所述對(duì)稱形狀是六邊形。
57. —種集成電路，包括第一和第二漏極區(qū)，這些漏極區(qū)具有一般為矩形的形狀；第一、第二和第三源極區(qū)，這些源極區(qū)具有一般為矩形的形狀，其中所述第一源極區(qū)被布置在所述第一和第二漏極區(qū)的第一邊之間，并且所述 第二和第三源極區(qū)被布置為與所述第一和第二漏極區(qū)的第二邊相鄰；第四和第五源極區(qū)，其中所述第四源極區(qū)被布置為與所述第一和第二 漏極區(qū)的第三邊相鄰，并且其中所述第五源極區(qū)被布置為與所述第一和第 二漏極區(qū)的第四邊相鄰；柵極區(qū)，其被布置在所述第一、第二、第三、第四和第五源極區(qū)與所 述第一和第二漏極區(qū)之間；以及第一和第二漏極接觸，這些漏極接觸被布置在所述第一和第二漏極區(qū)中。
58. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述第一、第二和第三 源極區(qū)具有大致等于所述第一漏極區(qū)長度的長度，并且其中所述第四和第 五源極區(qū)具有大于或者等于所述第一和第二漏極區(qū)長度的長度。
59. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述第一、第二和第三 源極區(qū)具有小于所述第一漏極區(qū)寬度的寬度。
60. 如權(quán)利要求59所述的集成電路，其中，所述第一、第二和第三 源極區(qū)的所述寬度大約是所述第一漏極區(qū)寬度的一半。
61. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述第四和第五源極區(qū) 是從其側(cè)邊驅(qū)動(dòng)的。
62. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述第一和第二漏極區(qū) 具有大于最小漏極接觸尺寸的尺寸。
63. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述漏極接觸具有規(guī)則 形狀和非規(guī)則形狀之一。
64. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述漏極接觸是正方 形、矩形和十字形之一。
65. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述第一、第二和第三 源極區(qū)包括源極接觸。
66. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述第一和第二漏極區(qū) 以及所述第一、第二和第三源極區(qū)被布置在第一行中，并且還包括N個(gè)額 外的行，其中所述N個(gè)額外的行中的至少一行中的漏極區(qū)共享所述第四和第五源極區(qū)之一。
67. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，還包括在所述第四和第五源極 區(qū)中的至少一個(gè)中布置的至少一個(gè)襯底接觸。
68. 如權(quán)利要求67所述的集成電路，其中，所述第四和第五源極區(qū) 中的所述至少一個(gè)包括緩解區(qū)，并且還包括在所述緩解區(qū)中布置所述襯底 接觸。
69. 如權(quán)利要求67所述的集成電路，其中，所述至少一個(gè)襯底接觸 具有比所述第四和第五源極區(qū)中的所述至少一個(gè)的相應(yīng)第一和第二維度更 小的第一和第二維度。
70. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，還包括在所述第一、第二和第 三源極區(qū)中的每一個(gè)中布置的B個(gè)源極接觸，其中B是大于1的整數(shù)。
71. 如權(quán)利要求70所述的集成電路，其中，所述第一和第二漏極接 觸具有面積D并且所述B個(gè)源極接觸具有面積A，并且其中所述面積D 大于或者等于2*B*A。
72. 如權(quán)利要求71所述的集成電路，其中，B等于3或4之一。
73. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，還包括第三漏極區(qū)，其具有一般為矩形的形狀并且被布置為與所述第三源極 區(qū)相鄰；第六源極區(qū)，其具有一般為矩形的形狀并且被布置為與所述第三漏極 區(qū)相鄰；第七和第八源極區(qū)，這些源極區(qū)被布置為與所述第三漏極區(qū)和所述第 六源極區(qū)相鄰；以及襯底接觸，其被布置在所述第四和第五源極區(qū)與所述第七和第八源極 區(qū)之間。
74. 如權(quán)利要求73所述的集成電路，其中，所述第七和第八源極區(qū) 與所述第四和第五源極區(qū)共線，并且其中所述第七和第八源極區(qū)是從所述 集成電路的一側(cè)驅(qū)動(dòng)的，并且所述第四和第五源極區(qū)是從所述集成電路的
75.如權(quán)利要求68所述的集成電路，其中，所述緩解區(qū)被沿著所述第四和第五源極區(qū)中的至少一個(gè)源極區(qū)的邊緣布置。
76. 如權(quán)利要求68所述的集成電路，其中，所述緩解區(qū)被布置在所述第四和第五源極區(qū)中的至少一個(gè)源極區(qū)的中央部分。
77. 如權(quán)利要求57所述的集成電路，其中，所述集成電路包括橫向 擴(kuò)散MOSFET晶體管。
全文摘要
一種集成電路包括第一源極、第一漏極、第二源極、布置在第一源極和第一漏極之間的第一柵極、以及布置在第一漏極和第二源極之間的第二柵極。第一和第二柵極在漏極中限定了交替的第一和第二區(qū)域。第一和第二柵極在第一區(qū)域中比在第二區(qū)域中布置得更加疏遠(yuǎn)。
文檔編號(hào)H01L27/02GK101490843SQ200780025919
公開日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2007年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月8日
發(fā)明者塞哈特·蘇塔迪嘉 申請(qǐng)人:馬維爾國際貿(mào)易有限公司