專利名稱：光半導體元件搭載用封裝及使用其的光半導體裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及在組合了光半導體元件和熒光體等波長變換手段的光半導體 裝置的制造方面有用的光半導體元件搭載用封裝及使用該封裝的光半導體裝 置。
背景技術：
近年來，為了光半導體裝置的小型、薄型化，具有圖3所示結構的表面組 裝(SMD ( Surfacemounted device))型的光半導體裝置(發(fā)光裝置)代替引線 型的光半導體裝置被大量使用。該表面組裝型的光半導體裝置通常如下制造 在具有作為光半導體元件"l答載用區(qū)域的凹部的樹脂成型體403和正負引線電 極404 —體化后的光半導體元件搭載用封裝的凹部底面，通過芯片焊接材料 406搭載光半導體元件(LED等)400，用接合線401將該光半導體元件400 和引線電極404進行電連接后，在凹部填充包含熒光體405的透明密封樹脂 402,密封光半導體元件400。另外，上述光半導體元件搭栽用封裝通常如下 制造由成型金屬模具夾入引線電極，向密閉的金屬模具內注入熔融的熱塑性 樹脂組合物后，恢復到室溫使該樹脂組合物固化，從而使其一體化。日本特開 2002-280616號公報、日本特開2004-055632號公報和日本特開2004-342782 號公報中公開了使用具有凹部的樹脂成型體和正負引線電極一體化的光半導 體元件搭載用封裝而形成的SMD型LED裝置。

發(fā)明內容
近年來，光半導體裝置在其利用領域擴展的同時在苛刻的使用條件下使用 的情況增多，從而要求具有比以往更高的可靠性。但是，通常用于制造上述樹 脂成型體的熱塑性樹脂組合物的線膨脹率(20 120ppm廠C)大于通常用作引 線電極的銅的線膨脹率(約17ppm/°C)，因此，將其一體化時會產(chǎn)生較大的應 力，其結果是樹脂成型體和引線電極的粘接性低，其間會產(chǎn)生數(shù)十微米等級的 間隙。并且，如果樹脂成型體和引線電極的粘接性低，則在彎曲引線電極的外部引線的工序中施加的應力在其間也會產(chǎn)生間隙，使得光半導體裝置的可靠性 降低。
另外，向金屬模具注入樹脂組合物而制作樹脂成型體時如果應用注射成 型，由于樹脂的注射壓力使金屬模具有時會稍微變形或錯位，此時沿著金屬模 具的接縫會產(chǎn)生間隙，從而在光半導體元件搭載用封裝側面產(chǎn)生樹脂飛邊(分 型線)。該樹脂飛邊在成型工序中成為障礙，為了使光半導體裝置小型化而精 度高地沿著樹脂成型體的外側面加工外部引線變得非常困難。并且，此時在引 線電極和樹脂成型體的界面施加縱向應力，在上述界面從橫向延伸的飛邊的頂 端部分會產(chǎn)生間隙。進而，樹脂飛邊也可能會剝落，該樹脂飛邊的剝落成為封 裝裂縫的主要原因，水分、雜質從該裂縫侵入，使得光半導體裝置的可靠性顯 著降低。另外，飛邊深度剝落的情況會產(chǎn)生孔壁，外觀較差。
另夕卜，近年來開發(fā)了在紫外區(qū)域等具有發(fā)光峰波長的光半導體元件，對于
該元件也期待著適用于SMD型LED,但是紫外區(qū)域附近的光能量高，因此樹 脂成型體的凹部內周面(反射面)容易劣化，該內周面進一步劣化時，存在可 見光的反射率也會降低的問題。
鑒于上述情況，本發(fā)明的目的在于提供樹脂成型體和引線電極的粘接性良
另外，本發(fā)明的其他目的在于提供固化后的、具有可見光至近紫外光的反
及使用該封裝的光半導體裝置。
即，本發(fā)明的特征在于下述(1) ~ (12)的事項。
(1) 光半導體元件搭載用封裝，其為具有作為光半導體元件搭載區(qū)域的 凹部的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，由至少形成所述凹部側面的、 包含熱固性光反射用樹脂組合物的樹脂成型體與對向配置以形成所述凹部底 面的一部分的至少一對正負引線電極一體化而成，在所述樹脂成型體和所述引 線電極的接合面沒有間隙。
(2) 上述(1)所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述樹脂 成型體和所述正負的兩個引線電極的一體化通過傳遞成型來進行。
(3) 上述(1)或(2)所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述熱固性光反射用樹脂組合物包含填料。
(4)上述(1)或(2)所述的光半導體元件^搭載用封裝，其特征在于，
所述熱固性光反射用樹脂組合物為包含成分(A)環(huán)氧樹脂、(B)固化劑、(C)固化促進劑、(D)無機填充劑、(E)白色顏料、(F)偶聯(lián)劑，熱固化后在波長350nm ~ 800nm處的光反射率為80%以上，并且可在常溫(0 ~ 35°C )下加壓成型的樹脂組合物。
(5 )上述(4 )所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述(D )無機填充劑為選自由二氧化硅、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇構成的組中的至少一種以上。
(6) 上述(4)或(5)所述的光半導體元件^搭載用封裝，其特征在于，所述(E)白色顏料為無機中空粒子。
(7) 上述(4) ~ (6)中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述(E)白色顏料的平均粒徑在0.1 50pm的范圍。
(8) 上述(4) ~ (7)中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述(D)無機填充劑和所述(E)白色顏料的合計量相對所述熱固性光反射用樹脂組合物總量為70體積％ ~ 85體積％。
(9) 上述(1) ~ (8)中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動為50cm 300cm。
(10) 上述(I) ~ (9)中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述熱固性光反射用樹脂組合物的圓盤流動為50mm以上。
(11) 上述(1) ~ (10)中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述熱固性光反射用樹脂組合物的線膨脹系數(shù)為10~30ppm/°C。
(12) 光半導體裝置，其特征在于，具有上述(l) ~ (11)中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝、搭載在所述封裝的凹部底面的光半導體元件以及覆蓋所述凹部內的光半導體元件的透明密封樹脂層。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供樹脂成型體和引線電極的粘接性良好、可靠性優(yōu)異的光半導體元件搭載用封裝及使用該封裝的光半導體裝置，還可以提供固化后的、具有可見光至近紫外光的反射率高、耐光和耐熱劣化性優(yōu)異的凹部的光半導體元件搭載用封裝及使用該封裝的光半導體裝置。另外，在上述本發(fā)明中，在樹脂成型體和引線電極的接合面"沒有間隙"
是指使用SEM或金屬顯微鏡等以200倍的倍率觀察樹脂成型體和引線電極相接觸的界面時，在該界面沒有觀察到間隙的狀態(tài)。
另外，本申請基于同一申請人在先提出的日本專利申請第2006-154652號(申請日2006年6月2日)主張優(yōu)先權，為了參照在此引入其說明書。


圖1為表示本發(fā)明的光半導體元件搭載用封裝的一個實施方式的斜視圖和截面圖。
圖2為表示本發(fā)明的光半導體裝置的一個實施方式的截面圖。圖3為表示一般的SMD型LED (光半導體裝置)的截面圖。圖4為表示本發(fā)明的光半導體元件*搭載用封裝的引線電極端部的優(yōu)選結
構的截面圖。
具體實施例方式
凹部的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，將至少形成上述凹部側面的、包含熱固性光反射用樹脂組合物的樹脂成型體與對向配置以形成上述凹部底面的一部分的至少一對正負引線電極進行一體化，在上述樹脂成型體和上述引線電極的接合面沒有間隙。另外，正引線電極的一端和負引線電極的一端優(yōu)選相互對向配置以使各自的表面(主面)露出而形成凹部的底面，其間通過成型樹脂分離。并且，正引線電極的另一端和負引線電極的另一端優(yōu)選在剛與樹脂成型體一體化后設置成從樹脂成型體側面突出，該突出的外部引線部例如像圖
3所示彎向封裝成型體的接合面的內側，成為J-彎曲(Bend)型正負連接端子部。不必說，本發(fā)明中的連接端子部的結構并不限于J-彎曲(Bend)型，也可以是鷗翼型等其他結構。
下面針對本發(fā)明的光半導體元件搭載用封裝的各構成、制造方法以及使用該封裝的光半導體裝置進行詳細說明。(引線電極)
引線電極可以使用例如摻鐵銅等高熱傳導體來構成，例如可以通過壓力機沖裁加工0.15mm厚的銅合金構成的長條金屬板而形成。另外，為了防止引線
7電極的氧化等，可以在引線電極的表面實施銀、鋁、金、鈀或它們的合金等金 屬的鍍覆。另外，為了提高來自發(fā)光元件的光反射率，優(yōu)選使引線電極的表面 變得平滑。并且，優(yōu)選盡可能地增大引線電極的面積，由此可以提高散熱性， 可以有效地抑制配置的發(fā)光元件的溫度升高，進而可以對發(fā)光元件投入比較多 的電力，能夠提高光輸出。
另外，本發(fā)明中至少 一對引線電極對向配置以形成封裝的凹部底面的 一部
分，在該對向的引線電極端部背面和側面相交的角優(yōu)選帶有曲線(參照圖4 的R1。這里，引線電極的背面為在封裝的凹部底面露出的面(主面)的背面)。 這樣，對應于成型樹脂注入的方向在引線電極端部設置圓角時，成型樹脂的流 動變得順暢，容易在引線電極間沒有間隙地填充成型樹脂，從而可以確實地將 引線電極間分離，并且可以強化引線電極和成型樹脂體的密合性。進而，由于 樹脂成型體和引線電極的接合線帶有曲線，可以避免在接合線的應力集中，抑 制發(fā)生封裝裂縫。
另 一方面，對向的引線電極端部的主面和側面相交的角優(yōu)選突出成銳角 (參照圖4的R2)。由此可以有效地阻止成型樹脂從引線電極間向引線電極主 面上流出，可以防止發(fā)光元件的芯片焊接不良或導線接合不良。另外，引線電 極和成型樹脂的密合性提高，可以抑制在其界面的剝離。 (樹脂成型體)
本發(fā)明的封裝中的樹脂成型體優(yōu)選為將熱固性光反射用樹脂組合物成型 得到的成型體。并且，熱固性光反射用樹脂組合物中優(yōu)選包含填料。進而，熱 固性光反射用樹脂組合物優(yōu)選包含成分(A)環(huán)氧樹脂、(B)固化劑、(C)固 化促進劑、(D)無機填充劑、(E)白色顏料、(F)偶聯(lián)劑。
上述(A)環(huán)氧樹脂可以使用通常用作電子部件密封用環(huán)氧樹脂成型材料 的環(huán)氧樹脂，例如存在有以苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、鄰曱酚酚醛清漆型環(huán) 氧樹脂為代表的將酚類與醛類的酚醛清漆樹脂環(huán)氧化后的樹脂；雙酚A、雙酚 F、雙酚S、烷基取代聯(lián)苯酚等的二縮水甘油醚；二氨基二苯基甲烷、三聚異 氰酸等多胺與表氯醇反應得到的縮水甘油胺型環(huán)氧樹脂；由過乙酸等過酸氧化 烯鍵而得到的線型脂肪族環(huán)氧樹脂，以及脂環(huán)族環(huán)氧樹脂等。也可以將這些樹 脂適當?shù)夭⒂脦追N。另外，這些樹脂中優(yōu)選著色相對少的樹脂，可舉出例如雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、三縮水甘油基三
聚異氰酸酯。
作為上述(B)固化劑，只要是與環(huán)氧樹脂反應的固化劑就可以沒有特別
限制地使用，但優(yōu)選著色相對少的固化劑?？膳e出例如酸酐系固化劑、苯酚系 固化劑等。作為酸酐系固化劑可舉出例如酞酸酐、馬來酸酐、偏苯三酸酐、苯
均四酸酐、六氫酞酸酐、四氫酞酸酐、曱基納迪克酸酐(methylnadic anhydride )、 納迪克酸酐、戊二酸酐、甲基六氪酞酸酐、甲基四氬酞酸酐等。這些酸酐系固 化劑中優(yōu)選使用酞酸酐、六氫酞酸酐、四氳酞酸酐、曱基六氬酞酸酐。酸酐系 固化劑優(yōu)選其分子量為140-200左右的固化劑，并且優(yōu)選無色或淡黃色的酸 酐。這些固化劑可以單獨使用，也可以并用2種以上。環(huán)氧樹脂和固化劑的配 合比例優(yōu)選為相對于環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基l當量，固化劑中可與環(huán)氧基反應的 活性基團(酸酐或羥基)優(yōu)選是0.5-1.5當量、更進一步優(yōu)選是0.7-1.2當量 這樣的比例?；钚曰鶊F少于0.5當量時，環(huán)氧樹脂組合物的固化速度會變慢， 同時得到的固化物的玻璃化轉變溫度會降低；另一方面，超過1.5當量時，耐 濕性會降低。
作為上述(C )固化促進劑(固化催化劑)沒有特別限制，可舉出例如1，8-二氮雜-二環(huán)(5，4，0)十一^ 友烯-7、三乙烯二胺、三-2，4，6-二曱氨基甲基苯酚等 叔胺類；2-乙基-4-曱基咪哇、2-曱基咪唑等咪唑類；三苯基膦、四苯基鱗四苯 基硼酸鹽、四正丁基鱗-o，o-二乙基二硫代磷酸酯等磷化合物；季銨鹽；有機金 屬鹽類；以及它們的衍生物等。這些物質可以單獨使用或者并用。這些固化促 進劑(固化催化劑)中優(yōu)選使用叔胺類、咪唑類、磷化合物。上述固化促進劑 的含有率相對于100重量份環(huán)氧樹脂優(yōu)選為0.01 ~ 8.0重量份，更優(yōu)選為0.1 ~ 3.0重量份。固化促進劑(固化催化劑)的含有率如果小于O.Ol重量份，則得 不到充分的固化促進效果；另外，如果超過8.0重量份，則得到的固化物會被 看到變色。
作為上述(D)無機填充材料可以使用選自由二氧化硅、氧化鋁、氧化鎂、 氧化銻、氳氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇構成的組中的至少一 種，從熱傳導性、光反射特性、成型性、阻燃性方面考慮優(yōu)選二氧化硅、氧化 鋁、氧化銻、氬氧化鋁的混合物。并且，無機填充材料的平均粒徑?jīng)]有特別限制，但為了與白色顏^F的填密效率良好，優(yōu)選為0.1 100pim范圍。
作為上述(E)白色顏料沒有特別限制，但優(yōu)選為無機中空粒子，可舉出 例如硅酸鈉玻璃、鋁硅酸玻璃、硼硅酸鈉玻璃、氧化鋁、白色砂質沉積層(，二 ，只)等。白色顏料的粒徑優(yōu)選平均粒徑為0.1 5(^m的范圍，平均粒徑小于 O.l(im時，粒子容易凝集，分散性較差；超過50(im時，得不到充分的反射特 性。
上述(E)白色顏料和(D)無機填充材料的總填充量(填料的填充量) 優(yōu)選相對于熱固性光反射用樹脂組合物全體為70體積％ ~ 85體積％的范圍。 這些填料的填充量小于70體積°/。時，光反射特性不足；超過85體積％時，成 型性較差，基板的制作往往會變得困難。
作為上述(F)偶聯(lián)劑可舉出硅烷系偶聯(lián)劑、鈥酸酯系偶聯(lián)劑等，作為硅 烷偶聯(lián)劑通?？梢匀我獾母街繌V泛地使用環(huán)氧硅烷系、氨基硅烷系、陽離子 型硅烷系、乙烯基硅烷系、丙烯基硅烷系、巰基硅烷系及它們的復合體系等。 偶聯(lián)劑的種類和處理條件沒有特別限制，偶聯(lián)劑的配合量在熱固性光反射用樹 脂組合物中優(yōu)選為5重量％以下。
除此以外，上述熱固性光反射用樹脂組合物中還可以根據(jù)需要添加抗氧化 劑、脫模劑、離子補充劑等。
含有如上所述成分的熱固性光反射用樹脂組合物在熱固化前、室溫(0~ 35°C )下優(yōu)選可以加壓成型，熱固化后在波長350nm ~ 800nm的光反射率優(yōu)選 為80%以上。上述加壓成型例如可以在室溫、0.5 2MPa、 1 5秒鐘左右的條 件下進行。另外，上述光反射率小于80%時，往往不能充分利于提高光半導體 裝置的輝度。光反射率更優(yōu)選為90%以上。
另外，上述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動優(yōu)選為50cm ~ 300cm， 更優(yōu)選為50cm 200cm,特別優(yōu)選為50cm~ 150cm。螺旋流動小于50cm時， 材料的填充性差，制品中容易產(chǎn)生未填充部。另一方面，螺旋流動超過300cm 時，容易產(chǎn)生空隙，彎曲強度往往會降低。并且，圓盤流動優(yōu)選為50mm以上， 更優(yōu)選為80mm以上。圓盤流動小于50mm時，在引線框間容易產(chǎn)生未填充 和空隙。另外，螺旋流動為向具有螺旋狀溝槽的金屬模具(金屬模具溫度180 °C )注入樹脂組合物(注入壓力6.9MPa)，直至該樹脂組合物固化所填充的螺旋長度的測定值。圓盤流動為在2片平板的金屬模具(金屬模具溫度180。C、 金屬模具重量8kg)間配置5g樹脂組合物，樹脂組合物由于金屬模具的自身 重量潤濕擴展的圓直徑的測定值。
進而，上述熱固性光反射用樹脂組合物的線膨脹系數(shù)優(yōu)選為10-30ppm/ 。C。此時，線膨脹系數(shù)可以通過熱固性光反射用樹脂組合物的形成固化物或成 型體而求出。
另外，樹脂成型體的形狀如上所述只要具有作為光半導體元件搭載區(qū)域的 凹部即可，沒有特別限制，但凹部側壁(反射面)優(yōu)選為將來自光半導體元件 的光向上方反射的形狀。圖1中表示本發(fā)明的光半導體元件搭載用封裝110的 一個實施方式，該封裝IIO具有樹脂成型體103、引線電極105、作為光半導 體元件搭載區(qū)域的凹部200 、 Ni/Ag鍍層104。
(封裝的制造方法)
本發(fā)明的光半導體元件搭載用封裝的制造方法沒有特別限制，但優(yōu)選通過 傳遞成型對熱固性光反射用樹脂組合物和引線電極一體成型來進行制造。通過 利用傳遞成型進行成型，在引線電極和樹脂成型體間難以產(chǎn)生間隙。更具體而 言，例如可以如下制造將引線電極配置在規(guī)定形狀的金屬模具中，從金屬模 具的樹脂注入口注入熱固性光反射用樹脂組合物，優(yōu)選在金屬模具溫度170 ~ 190°C、成型壓力2 8MPa、 60 ~ 120秒鐘的條件下使其固化，從金屬模具取 出后，在后固化溫度120°C ~ 180°C、 1-3小時的條件下進行熱固化。 (光半導體裝置)
本發(fā)明的光半導體裝置的特征在于至少具有本發(fā)明的光半導體元件搭載
光半導體元件而形成在凹部內的透明密封樹脂層。
上述光半導體元件(發(fā)光元件)例如配置在封裝的凹部內底面露出的負引 線電極或正引線電極上，其n電極與負引線電極通過引線接合來連接，同樣p 電極與正引線電極通過引線接合來連接。另外，n電極形成在發(fā)光元件的上部、 p電極形成在發(fā)光元件的下部的元件方式中，p電極通過^L糊劑等芯片焊接材 料粘接在正引線電極上，n電極和負引線電極通過引線接合來連接。這樣，在 引線電極上配置發(fā)光元件時，發(fā)光元件的散熱性被提高，從而優(yōu)選。在此，發(fā)的氮化鎵系化合物半導體元件，該元件例如可以如下
形成在藍寶石襯底上形成包含n型層、活性層和p型層的氮化物半導體層， 在除去活性層和p型層的一部分而露出的n型層上形成n電極，在p型層上形 成p電極。
上述透明密封樹脂層可以保護發(fā)光元件免受外力、水分等的影響。另外， 在發(fā)光元件的電極和引線電極間用引線連接的結構中還具有保護引線的功能。 另外，為了使來自發(fā)光元件的光有效地透過至外部，透明密封樹脂層要求高的 光透過性。作為用于透明密封樹脂層的透明密封樹脂的具體材料，環(huán)氧樹脂、 硅樹脂、丙烯酸樹脂等是適宜的，進而為了對來自發(fā)光元件的光具有特定的過 濾效果等，也可以添加著色染料或著色顏料。
圖2中表示本發(fā)明的光半導體裝置的一個實施方式，即在本發(fā)明的光半導 體元件搭載用封裝110的光半導體元件搭載區(qū)域(凹部)200的底部規(guī)定位置 搭載光半導體元件100，該光半導體元件100和引線電極105通過接合線102 或焊料凸點107等公知方法進行電連接，該光半導體元件100由包含公知的熒 光體106的透明密封樹脂101覆蓋。
實施例
下面通過實施例來說明本發(fā)明。本發(fā)明并不限于這些實施例。 實施例1 (引線框)
對厚度0.15mm的銅框應用通常的光蝕刻處理，形成包括引線電極的電路 后，對該電路進行電解鍍Ag,形成引線框。
(熱固性光反射用樹脂組合物的組成)
環(huán)氧樹脂三縮水甘油基三聚異氰酸酯 100重量份(環(huán)氧當量100 )
固化劑六氬酞酸酐 140重量份
固化促進劑四正丁基鱗-o，o-二乙基二硫代磷酸酯 2.4重量份 無機填充劑熔融二氧化硅(平均粒徑20pm )600重量份
氧化鋁(平均粒徑lpm) 白色顏料硼硅酸鈉玻璃球(平均粒徑27(jm)
890重量份 185重量份
12偶聯(lián)劑Y-縮水甘油醚氧基丙基三曱氧基硅烷 19重量份 抗氧化劑9,10-二氬-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物 1重量份 在混煉溫度30 40。C、混煉時間IO分鐘的條件下對上述組成的材料進行 輥混煉，制作熱固性光反射用樹脂組合物。得到的樹脂組合物的螺旋流動為 140cm (固化時間90秒鐘)，圓盤流動為85mm (固化時間90秒鐘)。另外， 得到的樹脂組合物的固化物的光反射率為90%以上。這里，該光反射率為在成 型模具溫度180。C、成型壓力6.9MPa、固化時間90秒鐘的條件下對上述樹脂 組合物進行傳遞成型后，通過在150。C進行2小時后固化，形成厚度2.0mm的 試驗片，針對該試驗片使用積分球型分光光度計V-750型(日本分光抹式會社 制造)、在波長350 ~ 850nm的條件下進行測定的值。 (光半導體元件搭載用封裝的成型)
將上述得到的引線框對應位置安裝在金屬模具中，再將上述得到的熱固性 光反射用樹脂組合物注入金屬模具，在金屬模具溫度180。C、 90秒鐘、6.9MPa 的條件下進行傳遞成型，制作在元件搭載區(qū)域具有凹部、且在該凹部底面露出 正負引線電極的光半導體搭載用封裝。 (光半導體裝置的制造)
極固定LED元件，通過在150。C加熱1小時將LED元件固定在端子上。隨后， 用金屬絲將LED元件和端子進行電連接。
接著，通過澆注向上述凹部流入下述組成的透明密封樹脂以覆蓋LED元 件，在150。C加熱2小時使其固化，從而制作光半導體裝置(SMD型LED)。
(透明密封樹脂的組成) 加氫雙酚A型環(huán)氧樹脂(商品名Denacol EX252、 Nagase ChemteX公司 制造) 90重量份
脂環(huán)式環(huán)氧樹脂(商品名CEL-2021P、大賽璐化學公司制造)10重量份 4-曱基六氫酞酸酐(商品名HN-5500E、日立化成工業(yè)(抹)制造)90重量份 2，6-二叔丁基-4-曱基苯酚BHT 0.4重量份
2-乙基-4-曱基咪唑 0.9重量份實施例2
(熱固性光反射用樹脂組合物的組成) 環(huán)氧樹脂三縮水甘油基三聚異氰酸酯
100重量份(環(huán)氧當量
100)
125重量4分
2.4重量份 720重量份 640重量4分 435重量份 9重量份 1重量份
固化劑六氬酞酸酐
固化促進劑四正丁基鱗-o，o-二乙基二硫代磷酸酯
無機填充劑熔融二氧化硅(平均粒徑20iam) 氧化鋁(平均粒徑lpm)
白色顏料二氧化硅球(平均粒徑3jim)
偶聯(lián)劑？縮水甘油醚氧基丙基三曱氧基硅烷
抗氧化劑9，10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物
在混煉溫度30 4(TC、混煉時間IO分鐘的條件下對上述組成的材料進行 輥混煉，制作熱固性光反射用樹脂組合物。得到的樹脂組合物的螺旋流動為 100cm (固化時間90秒鐘)，圓盤流動為55mm (固化時間90秒鐘)。另夕卜， 得到的樹脂組合物的固化物的光反射率為卯。/。以上(350~ 850nm)。
進而，使用上述得到的熱固性光反射用樹脂組合物與實施例1同樣地制作 光半導體搭載用封裝及光半導體裝置。
對于如上所述制造的各實施例的光半導體裝置，確認出引線和封裝的界面 的粘接力良好，在該界面沒有發(fā)現(xiàn)間隙。另外，在85°C、 85%RH中放置24 小時后對樹脂成型體和透明密封樹脂或引線電極的界面有無剝離進行了確認， 但沒有發(fā)現(xiàn)剝離，也幾乎沒有發(fā)現(xiàn)水分的混入。從而，各實施例的光半導體裝 置可以說是耐回流性和耐遷移性等可靠性優(yōu)異的光半導體裝置。
權利要求
1. 光半導體元件搭載用封裝，其為具有作為光半導體元件搭載區(qū)域的凹部的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，由至少形成所述凹部側面的、包含熱固性光反射用樹脂組合物的樹脂成型體與對向配置以形成所述凹部底面的一部分的至少一對正負引線電極一體化而成，在所述樹脂成型體和所述引線電極的接合面沒有間隙。
2. 根據(jù)權利要求1所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述 樹脂成型體和所述正負的兩個引線電極的一體化通過傳遞成型來進行。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于， 所述熱固性光反射用樹脂組合物包含填料。
4. 根據(jù)權利要求1或2所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于， 所述熱固性光反射用樹脂組合物為包含成分(A)環(huán)氧樹脂、(B)固化劑、(C) 固化促進劑、(D)無機填充劑、(E)白色顏料、(F)偶聯(lián)劑，熱固化后在波 長350nm ~ 800nm處的光反射率為80%以上，并且可在常溫(0 ~ 35°C )下加 壓成型的樹脂組合物。
5. 根據(jù)權利要求4所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述 (D)無機填充劑為選自由二氧化硅、氧化鋁、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇構成的組中的至少一種以上。
6. 根據(jù)權利要求4或5所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于， 所述(E)白色顏料為無機中空粒子。
7. 根據(jù)權利要求4~6中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝，其特 征在于，所述(E)白色顏料的平均粒徑在0.1 50)im的范圍。
8. 根據(jù)權利要求4 7中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝，其特 征在于，所述(D)無機填充劑和所述(E)白色顏料的合計量相對所述熱固 性光反射用樹脂組合物總量為70體積％ ~ 85體積％。
9. 根據(jù)權利要求1 ~8中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝，其特 征在于，所述熱固性光反射用樹脂組合物的螺旋流動為50cm 300cm。
10. 根據(jù)權利要求1~9中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，所述熱固性光反射用樹脂組合物的圓盤流動為50mm以上。
11. 根據(jù)權利要求1 ~ 10中任意一項所述的光半導體元件搭載用封裝，其 特征在于，所述熱固性光反射用樹脂組合物的線膨脹系數(shù)為10~30ppm/°C。
12. 光半導體裝置，其特征在于，具有權利要求1-11中任意一項所述的 光半導體元件搭載用封裝、搭載在所述封裝的凹部底面的光半導體元件以及覆 蓋所述凹部內的光半導體元件的透明密封樹脂層。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供樹脂成型體和引線電極的粘接性良好、可靠性優(yōu)異的光半導體元件搭載用封裝及使用該封裝的光半導體裝置。為了實現(xiàn)上述目的，提供了如下光半導體元件搭載用封裝及使用該封裝的光半導體裝置，該封裝為具有作為光半導體元件搭載區(qū)域的凹部的光半導體元件搭載用封裝，其特征在于，由至少形成所述凹部側面的、包含熱固性光反射用樹脂組合物的樹脂成型體與對向配置以形成所述凹部底面的一部分的至少一對正負引線電極一體化而成，在所述樹脂成型體和所述引線電極的接合面沒有間隙。
文檔編號H01L33/62GK101461070SQ20078002054
公開日2009年6月17日 申請日期2007年5月21日 優(yōu)先權日2006年6月2日
發(fā)明者湯淺加奈子, 浦崎直之 申請人:日立化成工業(yè)株式會社