專利名稱：：使用抬起的導(dǎo)線的電子器件的互連的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明通常涉及電子領(lǐng)域。更具體地，本發(fā)明涉及電子器件的互連(interconnection)。
背景技術(shù)：
：電子器件通常必須彼此互連，以便實現(xiàn)許多任務(wù)。一個示例是多芯片模的多個電路。另一個示例是探針板(probecard),其被用來在晶圓級(waferlevel)接觸集成電路用以它們的測試。已經(jīng)提出了數(shù)個解決方案來實現(xiàn)期望的效果。具體地，現(xiàn)有技術(shù)中已知的特定技術(shù)是基于柔性導(dǎo)線的抬起(raising)。例如，EP-A-0352020公開了一種用于依靠半導(dǎo)體載體互連多個芯片的系統(tǒng)。為此，每個芯片的傳導(dǎo)墊片連接到在載體上提供的傳導(dǎo)墊片的相應(yīng)有紋路的部分(彼此相對)。為了增加如此獲得的結(jié)構(gòu)的機械順從性，EP-A-0352020示教為在每個芯片和其墊片部分之間布置絕緣材料的局部化層；該絕緣材料被選擇為與芯片電平具有相對小的或者幾乎沒有附著力(adhesion)。該芯片受載體擠壓，從而將絕緣材料上靜止(resting)的芯片墊片部分連接到相應(yīng)的載體墊片；該芯片然后被稍微拔起以致其與載體隔開(例如2毫米)。以這種方式，芯片墊片與絕緣層分開，從而在芯片和載體(具有也可在末端去除的絕緣材料)之間延伸它們。EP-A-0352020中提出的所述結(jié)構(gòu)允許承受由機械或者熱應(yīng)力引起的應(yīng)變。在EP-A-0870325中提出了該相同技術(shù)的一種變體。在這種情況下，可去除層被利用來便于抬起導(dǎo)線。更具體地，導(dǎo)線被形成于多層板(由夾在兩個金屬層中間的介電板組成)之上；每條導(dǎo)線被形成為帶狀，其在頂端和末端之間延伸。然后蝕刻導(dǎo)線下的金屬層，以便將該帶與介電板分離。每條導(dǎo)線的頂端稍微大于該帶，因此蝕刻工藝在它的下面留下小圓頭(button);該圓頭提供頂端到介電層的非常小的附著力(剛好足夠大以致在正常操作中使頂端承受重力和加速力)。另一方面，每條導(dǎo)線的末端更大，因此相同的蝕刻工藝在其下面留下更大的圓頭；該圓頭將末端牢固地固定到多層^反(同時將導(dǎo)線一一通過via-hole——連接到在其相反表面上形成的相應(yīng)接線端)。如此獲得的組件與晶圓對準，并且該頂端被粘接到晶圓的相應(yīng)觸點。如上，多層板和晶圓隔開，從而在它們當(dāng)中延伸導(dǎo)線(導(dǎo)線的頂端容易地與多層板分離)。在任何情況下，互連元件中使用的導(dǎo)線通常受介電材料(最好是彈性類型)保護。例如，US-A-3795037公開了一種具有彈性導(dǎo)線的連接器，所述導(dǎo)線被嵌入在彈性體材料中；如此獲得的結(jié)構(gòu)允許連接電子器件，而不需要對八條導(dǎo)線(theeightoftheleads)進行任何精確的控制。通過在一系列框架中限定導(dǎo)線(例如通過化學(xué)蝕刻)來產(chǎn)生連接器。然后建立由具有插入的隔板的多個框架形成的堆塊(stack)，該堆塊被夾在兩塊板(plate)之間。在這點上，彈性體液體被注入到由所述板限定的空腔，并且它被凝固；最后，去除所述板，從而獲得期望的結(jié)構(gòu)。相同的4支術(shù)也可應(yīng)用于上述的文檔EP-A-0870325中。在這種情況下(在導(dǎo)線已被延伸之后)，可流動的材料被注入在多層板與晶圓之間一一以便填充可用的空間并且滲透所有導(dǎo)線。如上，所述材料然后^L凝固，從而將導(dǎo)線嵌入于彈性的介電層中。然而，現(xiàn)有技術(shù)中已知的解決方案并不完全令人滿意。實際上，這些技術(shù)相對復(fù)雜；例如，它們需要使用要犧牲的層(sacrificallayer)，這對相應(yīng)的制造工藝具有不利的影響。而且，獲得可接受級別的質(zhì)量是非常困難的。例如，在EP-A-0352020中公開的結(jié)構(gòu)中，芯片墊片可以容易地與絕緣材料分離(在它們連接到載體之前)。另一方面，在EP-A-0870325中需要非常高的精度來獲得頂端以下的圓頭的正確大小；實際上，相應(yīng)的制造工藝必須^皮完美地控制，以便保證頂端被多層板保持(在它們連接到晶圓之前)，但是同時當(dāng)導(dǎo)線必須延伸時它們?nèi)菀追蛛x。
發(fā)明內(nèi)容概括來說，本公開基于處理其中形成了導(dǎo)線的襯底的思想。具體地，本發(fā)明的不同方面提供了如在獨立權(quán)利要求中闡述的解決方案。本發(fā)明的有利實施例如在從屬權(quán)利要求中得以描述。更具體地，本發(fā)明的一方面提供了一種制造互連元件(用以接觸電子器件)的工藝。該工藝開始于在第一襯底的主表面上形成多條導(dǎo)線的步驟；每條導(dǎo)線具有第一末端和第二末端。每條導(dǎo)線的第二末端耦接于第二襯底。第二襯底和第一襯底隨后^皮隔開，以便在第一襯底和第二襯底之間延伸導(dǎo)線。該工藝還包括步驟在形成導(dǎo)線之前處理主表面以控制主表面上導(dǎo)線的附著力。在本發(fā)明的一個實施例中，依靠主表面上的一個或多個附著力促進(promoting)區(qū)來實現(xiàn)該效果。優(yōu)選地，這些附著力促進區(qū)由多孔硅制成。進一步改善所述解決方案的方式是降低多孔硅區(qū)遠離主表面移動的多孔性。也提出了多孔性的建議范圍?？梢酝ㄟ^隨時間降低相應(yīng)陽極處理(anodicprocess)的電流密度來實現(xiàn)該效果。也建議了電流密度的范圍。在特定實施中，在相應(yīng)導(dǎo)線與主表面之間的每個接觸區(qū)域中選^H"生地形成附著力促進區(qū)。進一步改善該解決方案的方式是降低從每條導(dǎo)線的第一末端移動到第二末端的附著力。也提出了該變化的建議范圍。具體地，通過減小附著力促進區(qū)的濃度可以實現(xiàn)期望的效果。可選地，能夠在多孔硅區(qū)上沉積金屬層。通常，在兩個襯底之間注入可流動的絕緣材料，然后凝固該絕緣材料，從而或者嵌入導(dǎo)線的相應(yīng)絕緣層。在本發(fā)明的實施例中，在第一襯底的相應(yīng)凹槽中形成導(dǎo)線的第一末端。有利地，在凹槽中用剛性材料制成導(dǎo)線，而在別處用柔性材料制成導(dǎo)線。也提出了這些材料的建議的定量定義。通常，隨后去除第一襯底。為此，可以利用濕蝕刻(wetetching)工藝，直到到達停止層，然后緊隨干々蟲凌'J(dryetching)工藝。在本發(fā)明的特定實施例中，去除兩個襯底之間的絕緣層的一部分。也提出了將被去除的絕緣層的量的建議范圍。第二襯底也可以在制造工藝的結(jié)尾去除。本發(fā)明的另一方面提出了一種基于該互連元件制造電子組件的工藝。本發(fā)明的再一方面提出了一種基于相同的互連元件制造測試卡的工藝。本發(fā)明的不同方面提出了一種相應(yīng)的互連元件。本發(fā)明的另一方面提出了一種相應(yīng)的電子組件。本發(fā)明的再一方面提出了一種相應(yīng)的測試卡。參考單純通過非限制性表示的方式給出的、將結(jié)合附圖閱讀的下面詳細描述，本發(fā)明自身、以及本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將更好理解。在該方面，清楚地表示，附圖不必按比例繪制，除非相反表示，所述附圖僅僅概念上圖解說明此處公開的結(jié)構(gòu)和過程。具體地圖la-lg54;了4良棍太勞即階段；圖2a-2b詳述了根據(jù)本發(fā)明的符疋頭應(yīng)l列的^圖3a-3b是根據(jù)本發(fā)明的不同實施例的電子組件的圖形表示；和圖4a-4f示出了根據(jù)本發(fā)明的不同實施例的測試卡的制造工藝的各個階段。具體實施例方式現(xiàn)在參考圖la-lg，圖解說明根據(jù)本發(fā)明的不同實施例的制造互連元件的工藝的各個階段。特別考慮附圖la,制造工藝起始于單晶硅晶圓105。如下面詳細描述的，晶圓105實現(xiàn)用于互連導(dǎo)線的下襯底；更具體地，導(dǎo)線被形成在下襯底105的前(主)表面110上并且然后被抬起。為此，光阻光罩(photo-resistmask)115被形成于前表面110的頂部上。該光阻光罩115是通過沉積光阻材料層然后通過光刻-微影(photo-lithographic)工藝對其形成圖案而獲得的；以這種方式，多個窗口在光阻材料中打開以便對于期望的導(dǎo)線曝露前表面110的相應(yīng)接觸區(qū)域117。該接觸區(qū)域117可以具有任何形狀和大小(根據(jù)將要形成的導(dǎo)線)。例如，每條導(dǎo)線由細長的帶子(例如長度為0.1-150毫米，寬度為0.5-100微米)組成。該帶子可以是直的、像螺旋形的、像圈形的、波形的，等等；而且，該帶子以一個或兩個擴大的區(qū)域(例如，正方形、矩形或者圓形的部分)結(jié)束。所使用的光阻材料的類型取決于導(dǎo)線的厚度(例如從1微米到500微米)。例如，當(dāng)導(dǎo)線的厚度小于50-80微米時，可以使用任何類型的光阻材料(正光阻或者負光阻)。相反地，當(dāng)導(dǎo)線的厚度更大時，最好使用負光阻材料；實際上，該光阻材料允許獲得具有增加的它們高度和寬度之間的比率(多達50)的窗口。應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)導(dǎo)線的厚度較高時，該光阻材料通常以兩個階段被沉積(例如依靠旋轉(zhuǎn)工藝)。已經(jīng)用不同的光阻材料進行了實驗測試。例如，正光阻AZ9260被使用來使得導(dǎo)線寬度為5微米和厚度為3-10微米，以及寬度為10微米和厚度為3-25微米；負光阻SU-8被替代使用來使得導(dǎo)線寬度為10微米和厚度為100微米。在根據(jù)本發(fā)明的實施例的解決方案中，如下面詳細描述的，前表面110被處理以便控制將要在其上形成的導(dǎo)線的附著力。以這種方式，能夠避免導(dǎo)線與下襯底105任何不期望的分離(在它們的形成期間或者在制造工藝的下一階段期間)；同時，當(dāng)必要時，這不會防止導(dǎo)線從下襯底105抬起。應(yīng)當(dāng)注意，以非常簡單的方式實現(xiàn)了期望的效果；具體地，所提出的解決方案不需要任何犧牲的層(在制造工藝的復(fù)雜性方面具有有利效果)。而且，以這種方式，能夠提供高級別的質(zhì)量；實際上，可以高精度地控制處理前表面IIO的操作，以便達到導(dǎo)線的期望附著力。如此獲得的互連元件提供高密度的導(dǎo)線，即使當(dāng)所述導(dǎo)線較長時(例如達到150毫米)。例如，在厚度為1毫米和0.4毫米的互連元件中能夠分別實現(xiàn)大約5.000條導(dǎo)線/厘米2或者12.500條導(dǎo)線/厘米2(通過使用寬度IO微米的導(dǎo)線)。而且，導(dǎo)線的密度可以通過減少它們的寬度而進一步增加；例如，通過使用寬度為3微米的導(dǎo)線，能夠使導(dǎo)線的密度增加大于3的系數(shù)。在特定實施中，通過形成多孔硅層來實現(xiàn)導(dǎo)線的附著力的期望控制。例如，在從接觸區(qū)域117延伸到下襯底105的區(qū)120(例如深度為0.1-5微米)中形成多孔硅。為此，下村底105經(jīng)受陽極處理。具體地，下襯底105在電化電池(包括富含氫氟酸或者HF的電解液)中被用作陽極。當(dāng)陽極處理的電流密度低于臨界值Jps(取決于多個實驗因素)時，電解液僅與到達下襯底105的前表面110的空穴發(fā)生反應(yīng)(因此該反應(yīng)受空穴的饋入限制而不受到它們的離子擴散到電解液的限制)。當(dāng)然，這要求(自由)空穴在前表面110上的可用性。如果下襯底105是P型的，則空穴的可用性是顯而易見的。相反，如果下襯底105是N型的，則接口硅電解液充當(dāng)反向偏壓的肖特基勢結(jié)(即，具有耗盡區(qū)，其寬度隨著下襯底105的雜質(zhì)濃度增加而減小)。因此，當(dāng)下襯底105具有高濃度的雜質(zhì)(N+)時，下襯底105中的自由空穴可以通過量子力學(xué)的隧道技術(shù)(tunneling)而穿過該結(jié)的勢壘；相反，則需要提供能量給空穴，用以允許它們穿過勢壘(例如，通過減輕前表面110)。如此獲得的多孔硅具有隨機網(wǎng)絡(luò)的小孔的復(fù)雜機構(gòu)。多孔硅的特性取決于其形態(tài)，其依次是陽極處理的不同參數(shù)的函數(shù)(例如，持續(xù)時間、下襯底105的雜質(zhì)的濃度和類型、電流密度、電解液的類型等等)。在該環(huán)境中，所使用的多孔硅的特性是機械的。多孔硅的機械特性極大地取決于其多孔性，該多孔性對于單晶硅被定義為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage0</formula>其中，/^是多孔硅的密度，A,是單晶硅的密度(例如，2.3g/厘米"多孔硅的密度可以通過應(yīng)用下列公式來測量<formula>formulaseeoriginaldocumentpage0</formula>其中，可以測量值《(陽極處理之前下村底105的初始重量)、《(陽極處理之后下襯底105的結(jié)束重量)和d(多孔硅區(qū)120的深度)，而值S(接觸區(qū)域117的延伸)已知。多孔性P。/?？梢酝ㄟ^改變陽極處理的一個或多個參數(shù)來控制；為此，作用于電流密度是非常實用的。例如，使用電阻系數(shù)為0.01Q厘米的N+型晶圓可以得到下面的實驗結(jié)果，該晶圓被浸入到電解液HF-C2HsOH(分別具有32%和12。/。HF濃度體積)；通過應(yīng)用下列電流密度，以室溫執(zhí)行陽極處理<table>tableseeoriginaldocumentpage0</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage0</formula>導(dǎo)線到接觸區(qū)域117的附著力隨著多晶硅區(qū)120的多孔性P。/o而增加(因為導(dǎo)線到下襯底105的固定點的數(shù)量較大)。因此，通過筒單控制多孔性P。/o(即，通過調(diào)節(jié)陽極處理的電流密度)能夠獲得期望的導(dǎo)線附著力(通常取決于它們的大小)。例如，深度為0.2微米和多孔性P。/。為32%-80%的多孔硅區(qū)120已被成功測試來形成寬度為2-100微米和厚度為2-25微米的導(dǎo)線(當(dāng)它是必需的時候，在制造工藝的隨后階段期間通過下襯底105來保留該導(dǎo)線，而不防止它們抬起)。作為進一步改進，通過遠離接觸區(qū)域117而降低它，可以調(diào)節(jié)多孔硅區(qū)120的多孔性P%。以這種方式，在前表面110上能夠具有更高的多孔性P。/。(以便增加導(dǎo)線的附著力)并且在下襯底105內(nèi)具有更低的多孔性P。/。(以便保證其完整性)。優(yōu)選地，多孔性P。/。從前表面110處的40%-90%(例如45%-80%,象55%)降低到其最大深度處的0%-70%(例如20%-50%,象30%)。例如，對于寬度為20微米的導(dǎo)線，使用深度為0.25微米和多孔性P。/o為從90%到40%的多孔硅區(qū)120來獲得200MPa的附著力。在陽極處理期間，通過隨時間簡單調(diào)節(jié)電流密度可以實現(xiàn)期望的效果。優(yōu)選地，為此，電流密度從起始值減小到在起始值的5%-20%的范圍中的結(jié)束值，并且更優(yōu)選地，在起始值的7%-15%的范圍中(例如其10%)的結(jié)束值。例如，通過將電流密度從50mA/厘米2調(diào)節(jié)到5mA/厘米2，(在12%的HF濃度體積的電解液HF-C2HsOH)實現(xiàn)了多孔性P。/。從90%減少到50%。應(yīng)當(dāng)注意，陽才及處理也可以在形成光阻光罩115之前執(zhí)行(以便獲得單層的多孔硅一一附圖中未示出一一延伸貫穿整個下襯底105)。然而，在這種情況下，在任何光刻4鼓影工藝之前必須保護多孔硅；實際上，多孔硅層曝露的較大表面(由于其多孔性)擴大了通常用于顯影光阻材料的堿性溶液的蝕刻速率。因此，在形成光阻光罩115期間多孔硅層將經(jīng)受重要的蝕刻(當(dāng)下襯底105完全由單晶硅組成時該蝕刻是可忽略的)。為了避免該問題，可以在多孔硅層上提供(薄)保護層；例如，厚度低至0.1微米的保護層足以防止多孔硅層任何不期望的蝕刻。保護層由金屬(例如鎳、銅、鈀或者金)組成，依靠酸性溶液中的電鍍處理將所述金屬沉積在多孔硅層上?，F(xiàn)在移到圖lb,為了增加作為結(jié)果的導(dǎo)線的均勻性，在接觸區(qū)域117上ii可選地形成先驅(qū)層(precursorlayer)125(通過光阻光罩115的相應(yīng)窗口)。例如，先驅(qū)層125由金屬組成(例如銅、金或者鈀)，依靠無電鍍處理來沉積金屬。具體地，可以通過利用包含銅硫酸鹽(用以沉積銅)和氬氟酸(用以去除多孔硅區(qū)120的孔中的任何氧化物)的去離子水溶液來形成銅的先驅(qū)層125。實驗結(jié)果顯示通過將銅石克酸鹽濃度從0.1克改變到10克以及將氬氟酸濃度從每100毫升溶液1毫升改變到10毫升能夠在30秒內(nèi)獲得厚度范圍從5納米到0.5微米的先驅(qū)層125(對于更長的沉積時間，被沉積的銅變成粉末)。在這點上，在先驅(qū)層125的頂部形成導(dǎo)線130。通常，導(dǎo)線130由一個或者多個金屬層組成，所述金屬層是依靠電鍍處理被沉積的。例如，導(dǎo)線130由鎳、銅、鉻、鉑、4艮、鈀或者任何二元和/或三元合金制成；可替換地，導(dǎo)線130具有多層結(jié)構(gòu)，例如鎳-銅-鎳、金-銅-金、或者鈀-金-鎳-銅-鎳-金-鈀。以這種方式，被用來實施相應(yīng)的電鍍處理的電流穿過多孔硅區(qū)120;結(jié)果，金屬被沉積在孔內(nèi)，以便增加導(dǎo)線130到下襯底105的附著力。應(yīng)當(dāng)注意，如果多孔硅區(qū)120不受先驅(qū)層125的保護，則導(dǎo)線130的沉積將使用酸性溶液來進行。當(dāng)然，這僅對第一沉積處理(當(dāng)導(dǎo)線130具有多層結(jié)構(gòu)時)是必需的。在任何情況下，如果必須使用堿性溶液來形成導(dǎo)線130,則用酸性溶液(例如，由銅或者鎳組成并且厚度至少為O.l微米)預(yù)先沉積薄保護層就足夠了；隨后可以在處理結(jié)束時(在去除下襯底105之后)蝕刻該保護層。如圖lc所示，粘接觸點135——由導(dǎo)電材料組成一一被形成在每條導(dǎo)線130的末端。例如，粘接觸點135由焊料合金(例如SnPb、Sn、SnBi或者SnAgCu)組成；焊料合金依靠電鍍處理(通過組成合適圖案的光阻光罩)或者依靠絲印印刷處理被選擇性地沉積?？商鎿Q地，可以使用粘接漿(adhesivepaste)，其依靠絲印印刷(silk-screenprinting)處理被沉積。而且，粘接觸點135可以由金屬(例如金和/或銅)組成；在這種情況下，依靠薄膜處理或者電鍍處理來獲得粘接觸點135。進行到圖ld，上襯底140—一例如，由另一硅晶圓或者印制電路板(PCB)組成——被用來抬起導(dǎo)線130。為此，導(dǎo)電軌道(conductivetrack)145被形成在上襯底140的下表面(面對下襯底105)。對于下襯底105的每個粘接觸點135，導(dǎo)電軌道145被提供有粘接觸點150;粘接觸點150由與粘接觸點135相同的材料制成(例如，焊料合金、粘接漿或者金屬)。上襯底140被;故置在下襯底105的前面；粘4妻觸點150與粘接觸點135對準，然后連接到粘接觸點135。為此，可以使用不同的公知技術(shù)一_例如，絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)領(lǐng)域或者MEMS
技術(shù)領(lǐng)域：
中一般采用的技術(shù)。當(dāng)粘接觸點135和150由金屬制成時，可以通過采用晶圓粘接機器來進行它們的連接，這實現(xiàn)了熱壓縮處理或者陽極熱焊接處理。例如，如果金屬為金，則大約200。C的溫度足以獲得金-金熱焊接，而如果金屬是銅，則需要大約400。C的溫度來獲得銅-銅熱焊接。另一方面，當(dāng)粘接觸點135和150由焊料或者粘接漿制成，則也可以使用兩個能夠支持下襯底105和上襯底140的筒單的調(diào)整板(例如，依靠真空或者靜電力/》茲力)。為此，商業(yè)上可用高平面性的圓形或者方形板(例如，直徑/邊多達300毫米，并且平面性誤差小于13微米)；這些板能夠以非常高的精度以可控的方式移動(對于多達15-20厘米的移動，精度為幾微米)。一旦粘接觸點150已經(jīng);陂焊接或者粘接到粘接觸點135,上襯底140和下襯底105就分隔開——如圖le所示。為此，上襯底140和下襯底105的相對自由表面被固定到平面板(例如，依靠真空或者靜電力/》茲力)。然后將所述板彼此移開(通常，保持一個板固定，移動另一個板)。所述運動具有垂直分量(與前表面110垂直)，以便使上襯底140與下襯底105移位預(yù)定距離(例如50微米到150毫米)。以這種方式，當(dāng)上襯底140抬起時，每條導(dǎo)線的一部分(從其具有粘接觸點135、150的末端開始)離開下襯底105。因此，導(dǎo)線現(xiàn)在將在上襯底140與下襯底105之間延伸(延伸的導(dǎo)線——包括它們的先驅(qū)層一一整體上表示為130，)。具體地，每條(延伸的)導(dǎo)線130，包括下末端130a(與粘接觸點135、150相對)，其保持連接到下襯底105;導(dǎo)線130，的上末端130b(具有粘接觸點135、150)通過導(dǎo)電軌道145連接到上襯底140。應(yīng)當(dāng)注意，多孔硅區(qū)130允許脫落導(dǎo)線130，，同時防止導(dǎo)線完全地分離下襯底105。在不同的實施(附圖中未示出)中，也可以在上襯底140與下襯底105之間提供水平運動分量(與前表面110平行)，以便對于下襯底105滑動上村底140;例如，導(dǎo)線130，的上末端130b可以與下末端130b對準(與前表面110垂直)。級別為500mTorr的真空所示的實驗結(jié)果(依靠商業(yè)可用的真空可旋轉(zhuǎn)泵可容易地獲得)足夠抬起大約1.000導(dǎo)線130，。為此，必須施加幾公斤的力到板上用以使上襯底140和下襯底105分離；該運動依靠商業(yè)可用的操作系統(tǒng)能夠得以高精度地控制(例如，對于甚至高達l厘米的擊打，能夠以幾納米的精度施加多達io/^斤的力)。在這點上，在上襯底140與下襯底105之間注入可流動的絕緣材料(例如，通過鑄型法或者在壓力下)。絕緣材料可以是硅、氧化物、熱塑性塑料或者熱固樹脂、或者鑄造陶資；絕緣材料也可用極微小的顆粒來裝載(例如，直徑為15-180納米由A1203、A1N、BN、Si02或者Si3N4組成的微小球(nano-ba11》，以便增加絕緣材料的硬度和/或?qū)嵝?。絕緣材料應(yīng)當(dāng)具有低的粘滯度(例如，500St以下)。為此，由下村底105和上襯底140組成的結(jié)構(gòu)也可被包裝在除氣(degassing)系統(tǒng)中，以便防止形成任何氣泡，當(dāng)其粘滯度相對高時(例如，大約10St)時，氣泡可能在絕緣材料的注入期間出現(xiàn)。以這種方式，絕緣材料填滿上襯底140與下襯底105之間的空間，從而完全地圍繞導(dǎo)線130，。絕緣材料凝固，以便獲得相應(yīng)層155，該相應(yīng)層144嵌入所有導(dǎo)線130，。根據(jù)上襯底140與下襯底105之間注入的絕緣材料，絕緣層155可以是彈性的或者剛性的?，F(xiàn)在參考圖lf,去除下襯底。為此，當(dāng)絕緣層155是剛性的并且它不附著到下襯底時，才幾械作用足以將下襯底與剩余結(jié)構(gòu)分離。相反地，依靠濕蝕刻工藝(或者非等向性或者等向性的類型)可以實現(xiàn)下襯底的分離。在任何情況下，所述操作曝露導(dǎo)線130，的下末端130a。如此獲得的結(jié)構(gòu)然后被切割(dice)，以便提供多個互連元件160(附圖中僅示出一個)；每個互連元件160包括多條導(dǎo)線130，(例如，從10到10.000)。互連元件可被用來將一個或多個電子器件(附圖中未示出)連接到下末端130a，從而將它們與上襯底M0耦接(通過導(dǎo)線130，)。為此，也可以在下末端130a上形成一個或多個金屬層(附圖中未示出)(例如，依靠薄膜處理或者厚膜處理)。替換地，如圖lg所示，也去除上襯底(在制模操作之前)。例如，上襯底可以由另一晶圓組成一一其上依靠薄膜處理或者電鍍處理已經(jīng)沉積了相應(yīng)的導(dǎo)電軌道(當(dāng)需要大于2-3微米的厚度時)；在這種情況下，導(dǎo)電軌道也可以被在上襯底的整個表面上形成的均勻的(單個或多個)導(dǎo)電層代替。如上，在上襯底的表面上優(yōu)選地形成一個或多個多孔硅區(qū)，以便確保其上導(dǎo)電軌道/層的期望附著力。在任何情況下，以對下襯底相同的上述技術(shù)來去除上襯底(基本不影響導(dǎo)電軌道/層)。應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)在上襯底已經(jīng)形成了均勻的導(dǎo)電層時，依靠被組成適當(dāng)圖案的光阻光罩來保護導(dǎo)電層的期望部分(而絕緣層155通常能夠抵抗通常對導(dǎo)電層形成圖案所需的短時期的蝕刻)。如上，如此獲得的結(jié)構(gòu)然后被切割，以便提供多個互連元件一一附圖中僅示出了一個(依靠主要標記-即160，來區(qū)別)，每個互連元件160，或者是剛性的或者是柔性的(根據(jù)絕緣層155的特性)。互連元件160，可被用來通過導(dǎo)線130，耦接絕緣層155的兩個相對主表面之間的任何電子器件(附圖中未示出)；為此，電子器件連接到導(dǎo)線130，的下末端130a或者連接到導(dǎo)電軌道145(與相同導(dǎo)線130，的上末端130b耦接)。現(xiàn)在考慮圖2a，通過在接觸區(qū)域117(在附圖中僅示出了一個)中選擇性地形成多孔硅區(qū)120也可以實現(xiàn)導(dǎo)線到下襯底的期望附著力。更具體地，在每個接觸區(qū)域117中，多孔硅區(qū)120(—個或多個)被形成在其選定的部分中，同時接觸區(qū)域117的剩余(消極)部分205維持其單晶結(jié)構(gòu)。為此，下襯底的前表面被組成合適圖案的相應(yīng)光阻光罩覆蓋(在形成用于導(dǎo)線的光罩之前)；該光阻光罩保護消極部分205并且曝露接觸區(qū)域117的期望部分，其中在相應(yīng)的陽極處理期間，隨后將形成多孔硅區(qū)120。多孔硅區(qū)120可具有任何形狀(例如，矩形、正方形或者圓形)。在本發(fā)明的實施例中(如圖所示)，多孔硅區(qū)120凈皮均勻地分布在整個接觸區(qū)域117中。接觸區(qū)域117中的多孔硅區(qū)120的濃度總體上確定其(平均)附著力。例如，假設(shè)在104毫米2的接觸區(qū)域117中將提供200MPa附著力的多孔硅；如果多孔硅每1毫米2的接觸區(qū)域僅被形成在一百個區(qū)120中，則接觸區(qū)域117的總附著力將變成(200"00)/l(y^2Mpa。依靠100毫米2的單個多孔硅區(qū)(例如，由沿著接觸區(qū)域117延伸的窄長帶組成)也可以實現(xiàn)相同的效果。在本發(fā)明的不同的實施例中，如圖2b所示，接觸區(qū)域117中的多孔硅120的濃度從相應(yīng)導(dǎo)線的下末端到其上末端降低。優(yōu)選地，附著力從最大值(在導(dǎo)線的下末端處)降低到最小值(在導(dǎo)線的上末端處)，該最小值等于最大值的0.01%-60%，并且優(yōu)選地等于最大值的0.1%-10%(例如其0.5%-1%)。例如，導(dǎo)線的下末端處的附著力可以是大約100MPa，同時導(dǎo)線的上末端處的附著力可以是O.lMPa。通過減少多孔硅區(qū)120的數(shù)量和/或大小(從導(dǎo)線的下末端移動到上末端)可以實現(xiàn)期望的效果。例如，在所討論的情況中，多孔硅區(qū)120縮小并且從右向左分散。以這種方式，能夠具有接近于導(dǎo)線的上末端的降低的附著力，從而便于它脫落；同時，高附著力被維持為接近于導(dǎo)線的下末端，以便避免其脫離的任何風(fēng)險。圖3a中圖解說明了上述互連元件160的示例性應(yīng)用。具體地，該附圖示出了用于封裝芯片305的結(jié)構(gòu)。芯片305被形成在實現(xiàn)上襯底(其在切割之后提供多個相同的組件)的晶圓的相應(yīng)區(qū)域中。在這種情況下，導(dǎo)電軌道145實施芯片305的接線端，所述接線端然后在制造互連元件160的工藝期間連接到相應(yīng)的導(dǎo)線130，。在這點上，導(dǎo)電球310被焊接或者沉積在下末端130a上。芯片305通常被保護罩312(例如，是塑料材料)覆蓋；該保護罩312被形成在絕緣層155的頂部上，以便完全地包封芯片305。圖3b代替圖解說明了互連結(jié)構(gòu)160，的示例性應(yīng)用。具體地，該附圖示出了多芯片模塊300b。該多芯片模塊300b被用來組裝多個芯片3151和315u(例如，^t字型和/或電源型的集成電路)。更具體地，每個芯片315H皮布置在互連結(jié)構(gòu)160，下面；芯片3151被提供有多個接線端320a(在所討論的示例中是球的形式)，連接到導(dǎo)線130，的相應(yīng)下末端130a;另一方面，每個芯片315u被布置在互連結(jié)構(gòu)160，上面；芯片315u被提供有多個類似的接線端320u，連接到相應(yīng)的導(dǎo)電軌道145,該導(dǎo)電軌道耦接到導(dǎo)線130，的上末端130b。這允許獲得3維結(jié)構(gòu)(其隨后通常被嵌入到封裝)?，F(xiàn)在參考圖4a-4f,其圖解說明了用于制造根據(jù)本發(fā)明的不同實施例的測試卡的工藝的各個階段。該測試卡可被用來測試任何類型的電子器件，例如晶圓級的芯片(在這種情況下，通常被稱作探針板)或者封裝形式的部件。為了簡明，在下文中，對應(yīng)于先前附圖中所示元件的元件將以通過將它們的首編號從"1"變?yōu)?4"獲得的類似的標記表示(并且將省略它們的解釋)。具體考慮4a，制造工藝再次起始于下襯底405(由單晶硅的晶圓組成)，在其前表面410上形成將要抬起的導(dǎo)線。下襯底405也包括停止層411,其目的將在下文中顯而易見。停止層411具有高濃度的P-型雜質(zhì)(例如高于5'1019個原子/厘米3);例如，通過在下襯底405中植入或者擴散P-型雜質(zhì)來獲得停止層411。在這種情況下，如下文中詳細描述的，每條導(dǎo)線將被用來定義用于接觸將要測試的電子器件的接線端的相應(yīng)探針(例如，以墊片或者球的形式)。為此，生成多個凹槽412(從前表面410延伸到下襯底405)。在附圖中所示的示例中，凹槽412具有梯形輪廓的截頭錐體形狀(用于獲得將被用來接觸要測試的電子器件的隆起的相應(yīng)探針)。通過非等向性濕蝕刻工藝來定義凹槽412;例如，如在WO-A-2006/066620(此處并入其完整/^開作為法律可允許最大程度的參考)中所描述的，可以實現(xiàn)期望的效果。簡言之，下襯底405曝露高蝕刻速率的晶體平面-例如，以Miller指數(shù)<100>定義的結(jié)晶定向，從而晶體平面(lll)與前表面410形成角度01=54.7°。光罩413被形成于前表面410上，具有曝露對應(yīng)于將被形成的導(dǎo)線的下末端的面積的窗口(通常，矩形或者正方形)；例如，光罩413由氮化硅、硼摻雜磷硅酸鹽玻璃(BPSG)組成或者由下層為氮化硅(對于隨后制造階段具有更大的窗口)和上層為BPSG(具有期望的窗口)的復(fù)合結(jié)構(gòu)組成。下襯底405隨后被浸沒到適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)溶液，以便通過光罩413的窗口對其進行蝕刻。該工藝比種方式，如此獲得的每個凹槽412將具有自前表面410以角度a延伸的側(cè)表面并具有矩形底表面(其大小取決于蝕刻工藝的長度)。通過在下襯底405中提供停止層也可以實現(xiàn)相同的結(jié)果(附圖中未示出)；該停止層阻擋下襯底405的蝕刻(例如，由于高濃度的雜質(zhì)或者由于合適的結(jié)晶定向)，從而不管蝕刻工藝的長度如何，都能夠提供期望形狀的凹槽412。可替換地，凹槽(附圖中未示出)具有三角外形-用于獲得將被用來接觸要測試的電子器件的墊片的相應(yīng)探針；凹槽可以由多面體(具有共一條邊的兩個梯形面和兩個三角面)或者錐體(具有共一個頂點的四個三角面)組成。通過繼續(xù)蝕刻直到僅晶體平面(lll)的面保持曝露為止，可以實現(xiàn)該結(jié)果，從而每個凹槽的底部下垂到邊緣或者頂點(當(dāng)相應(yīng)的窗口分別是矩形或者正方形時)。通過陽極處理，相同的光罩413-或者具有稍微大于光罩413的窗口的窗口(例如，在上述復(fù)合結(jié)構(gòu)的情況下，通過去除BPSG層筒單獲得)的其他光罩(附圖中未示出)-被用來形成多孔硅區(qū)"0a;該多孔硅區(qū)"0a從凹槽的(側(cè)和底)表面延伸到下襯底405,剛好在停止層411以上(例如，從那里起幾微米)。先驅(qū)層425a上選擇性地沉積(依靠電鍍工藝)適用于形成探針的導(dǎo)電材料層430a(或者更多)。層430a的材料應(yīng)當(dāng)比專交爿哽、抗磨損，并且不可氧化。優(yōu)選地，該材料的硬度高于200維克，例如200-1.000維克級別，并且更優(yōu)選地400-600維克，例如500維克。例如，(剛性)層430a由諸如鎳或者其合金、鉻鉬合金、鈀鈷合金、釔鎳合金、銠或釕金屬組成(厚度范圍從0.1微米到10微米)。現(xiàn)在移到圖4b，如上，在前表面410上形成另一光阻光罩415,具有曝露期望導(dǎo)線的接觸區(qū)域417的窗口(每條導(dǎo)線包括剛性層430a的相應(yīng)凹槽412)。通過光阻光罩415，依靠另一陽極處理形成另一多孔硅區(qū)420b(對于先前的陽極處理使用相同的參數(shù)或者不同的參數(shù))。多孔硅區(qū)420b從接觸區(qū)域417的曝露部分延伸到下襯底405(不被剛性層430a覆蓋)。應(yīng)當(dāng)注意，用于形成多孔硅區(qū)420b的陽極處理相當(dāng)斷(例如，30秒-300秒)，因此不會導(dǎo)致剛性層430a的任何可估計的蝕刻；至多，陽極工藝會生成稍微粗糙的剛性層430a，其粗糙程度便于與用來完善導(dǎo)線的下一層的附著。如上，先驅(qū)層425b可選地被無電鍍沉積在4妻觸區(qū)域417的曝露部分上。在這點上，依靠適用于它們抬起的導(dǎo)電材料層430b(或者更多)來完善導(dǎo)線。依靠電鍍工藝通過光阻光罩415(即，在剛性層430a和先驅(qū)層415b上)選擇性地沉積層430b。層430b的材料應(yīng)當(dāng)是易延展的材料，比用于層430a的材料要軟(以便提供所需的導(dǎo)線的柔性)。優(yōu)選地，該材料的硬度低于200維克，例如20-150維克級別，并且更優(yōu)選為40-100維克，例如50維克。例如，對于全部導(dǎo)線，(柔性)層430b由如上指出的相同材料制成。如圖4c所示，在柔性層427的末端處，如此獲得的每條導(dǎo)線(總體上用430表示)被提供有粘接觸點435(與相應(yīng)的凹槽412相反)。然后，上襯底440與下襯底405耦接。在這種情況下，上村底440由電^各化襯底(例如單層或者多層PCB)組成，用于路由測試板中的期望信號一一具有可選的用于補償所測試的電子器件的任何偏離的順從插入器。如上，上襯底440被提供有導(dǎo)電軌道445，其中形成了粘接觸點450;上襯底440被放置在下襯底405的前面，并且粘接觸點450被焊接或者粘接到粘接觸點435。移動到圖4d，上村底440和下襯底405^:隔開，以^i臺高導(dǎo)線。如上，每條(延伸的)導(dǎo)線一一以最初的符號，即430，來區(qū)分一一具有下末端430a(包括在相應(yīng)的凹槽412中形成的其截頭倒錐體部分)，其保持連接到下襯底405;導(dǎo)線430，的上末端430b(具有粘接觸點435、450)通過導(dǎo)電軌道445替換連接到上襯底440。多孔硅區(qū)420a、420b再次使得脫落導(dǎo)線430，，同時防止它們從下襯底405完全地分離。在這點上，可流動的絕緣材料被注入到上襯底440和下襯底405之間，并且然后它被凝固，以便獲得相應(yīng)的絕緣層455(嵌入所有導(dǎo)線430')，最好是彈性的。參考圖4e，下襯底被去除。在這種情況下，(當(dāng)通過濕蝕刻工藝來執(zhí)行分離時)將會避免對將形成探針的導(dǎo)線430，的(曝露)部分的任何損壞。例如，最好是使用等向性類型的濕蝕刻工藝(其導(dǎo)線430，的蝕刻速率是可忽略的)。另外或者可替換地，下襯底僅僅被部分蝕刻——沒有達到導(dǎo)線430，；下襯底的剩余部分然后通過干蝕刻工藝被去除(不會損壞導(dǎo)線430，)。依靠停止層411來實現(xiàn)該結(jié)果(請參考圖4d),這大大地降低了蝕刻速率(大約50的系數(shù))。以這種方式，能夠以非常高的精度接近導(dǎo)線430，(與蝕刻時間無關(guān))。然后可以依靠標準反應(yīng)離子蝕刻(RIE)工藝在合理的時間內(nèi)去除下襯底的剩余層，即使它提供相當(dāng)?shù)偷奈g刻速率(例如0.3-2微米/分鐘)?？商鎿Q地，也可以控制濕蝕刻工藝的長度，以便在達到導(dǎo)線430，之前停止它(不使用任何停止層)；例如，在導(dǎo)線430，下面維持厚度10微米-30微米的下襯底層?，F(xiàn)在依靠深度RIE工藝(例如，基于SF2、CF4、02或者它們的組合)來去除下襯底的刺余(較厚)層，這提供高得多的蝕刻速率(例如多達10微米/分鐘)。在任何情況下，所述操作曝露導(dǎo)線430，的下末端430a,它們的錐形部分從絕緣層455向下抬起。這生成了測試卡460,該測試卡的探針465由曝露的導(dǎo)線430，的下末端430a定義。測試卡460可#1用來測試一個或多個電子器件(附圖中未示出)，具有多個由探針465(在所討論的示例中以球的形式)接觸的接線端。探針465具有順從結(jié)構(gòu)(由于絕緣層455的彈性)，以便確保所測試的電子器件的正確接觸；而且，探針465變形以便包含它們的接線端(即，球)。可替換地，當(dāng)探針(附圖中未示出)以邊緣或者頂點結(jié)尾時，它們非常適于擦洗所測試的電子器件的接線端的任何自然的氧化層(尤其當(dāng)是墊片的形式時)。在任何情況下，被使用來形成導(dǎo)線430，的剛性層確保探針465的需要的機械特性(由于它們的柔性層，不會相反地影響導(dǎo)線的抬起)。在本發(fā)明的不同實施例中，如圖4f所示，進一步去除絕緣層455的外部部分(例如由硅樹脂或者任何其他彈性聚合物制成)。通常，絕緣層455被去除等于0.1%-70%的深度，并且更好是等于(原始)絕緣層455的總厚度的5-60%(例如50%);例如，該操作可以去除從10微米到300微米的絕緣層455。為此，通過RIE工藝—一例如基于SF6、CF4、02、CHF3(提供20微米/小時等級的硅樹脂蝕刻速率)或者基于SF6、CHF3和02的混合物(提供多達30微米/小時等級的硅樹脂蝕刻速率)，蝕刻絕緣層455。通過燒蝕激光(ablationlaser)工藝(其中通過升華而去除材料)也可以實現(xiàn)相同的結(jié)果。例如，使用具有紫外波長的脈沖激光，獲得去除硅樹脂的最小密度是140mJ/厘米2;自然地，能夠增加激光密度，以便獲得更高的硅樹脂蝕刻速率(例如每lOO槍(shot)l毫米)。在這種情況下，激光也可以用脈沖紫外燈(其提供比燒蝕硅樹脂所需的上述閾值更大的密度)代替。在任何情況下，去除期望部分的絕緣層455的工藝被自我校準，其中僅當(dāng)其不受保護時，充當(dāng)光罩的導(dǎo)線430，的下末端430a允許去除絕緣層455。這生成了不同的測試卡，其中每個獲得的探針(用最初的符號來區(qū)分，即，分別是460，和465，)可以獨立地移動。當(dāng)測試卡465，由探針板0皮用來在晶圓級測試電子器件)組成時，這是相當(dāng)有利的。修改自然地，為了滿足局部和特殊要求，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以對上述的解決方案采用許多邏輯和/或物理的修改和變動。更具體地，盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的優(yōu)選實施例以某一特性程度描述了本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)理解，形式和細節(jié)上以及其他實施例的替換和變化是可能的。具體地，甚至沒有上面描述中闡述的特殊細節(jié)(例如數(shù)字的示例)來提供更透徹的理解，也可以實現(xiàn)所建議的方案；相反地，為了不模糊具有不必要的細節(jié)的所述描述，可以省略或者簡化已知的特征。而且，明顯的是，為了普通的設(shè)計選擇起見，可以將結(jié)合本發(fā)明的任何公開的實施例描述的特定元件和/或方法并入在4壬何其他實施例中。具體地，所建議的解決方案有助于以等效的工藝來實現(xiàn)(通過使用類似的步驟，去除一些不重要的步驟，或者進一步添加可選的步驟)；而且，可以按不同的順序、同時或者以交織的方式(至少部分)執(zhí)行所述步驟。如果制造工藝使用其他材料、技術(shù)、布局、光罩(數(shù)量和/或類型不同)等等，則應(yīng)用類似的考慮因素。應(yīng)當(dāng)明顯的是，導(dǎo)線可以具有任何其他形狀和/或大?。欢?，它們可以由一種或者多種不同的導(dǎo)電材料制成。而且，任何類型的襯底可被用來抬起導(dǎo)線(例如，晶圓、PCB、一個或多個芯片的載體，等等)。可替換地，導(dǎo)線能夠以任何其他方式(例如，使用僅在下襯底或者上襯底上的粘接觸點)與上襯底耦接。設(shè)想上襯底和下襯底之間的任何其他相對運動(例如使用相反方向上兩個水平構(gòu)件)。在任何情況下，要強調(diào)的是，上述特征的任何組合是可能的；例如，對基于下襯底中的凹槽的制造工藝來獲得用于不同目的(例如，對于上述的電子組件)的互連元件。可替換地，多孔硅區(qū)可被等效附著力促進區(qū)替代(能夠增加導(dǎo)線在前表面上的附著力)。例如，沒有什么防止使用不同類型的下襯底(例如由玻璃制成)；所述粘接可以通過粘接層、通過薄膜工藝沉積的薄金屬層(例如，由V、Nb或Ti制成，厚度低于200納米——例如30-40納米)、或者任何其他附著力促進劑的方式來控制。更一般地，用于處理前表面以便控制將要抬起的導(dǎo)線的附著力的任何其他技術(shù)的使用在本發(fā)明的范疇之內(nèi)。如果以等效的工藝獲得多孔硅(或者在單一層或者在多個區(qū)中)，則應(yīng)用類似的考慮因素。能夠以任何其他方式來調(diào)節(jié)多孔硅的多孔性(以便減小其遠離下襯底的前表面而移動)。然而，設(shè)想具有均勻多孔性的多孔硅的使用。自然地，所建議的多孔性的值的范圍僅僅是圖解性的。通過作用于陽極工藝的任何其他參數(shù)(或者其組合)，例如溫度，可以實現(xiàn)期望的結(jié)果。在任何情況下，電流密度可以在不同值之間和/或用任何其他時間圖(例如，根據(jù)線性或者對數(shù)規(guī)律)更新。每個接觸區(qū)域中的多孔硅區(qū)的上述分布僅僅是圖解性的；如果該多孔硅區(qū)數(shù)量不同、或者具有其他大小和/或形狀，則應(yīng)用類似的考慮因素(consideration^自然地，沒有什么能夠阻止提供遍及每個接觸區(qū)域的完整延伸的多孔硅。類似地，以任何其他等效的方式，可以減少粘連沿著導(dǎo)線移動。然而，同樣在這種情況下，不排除總是使用相同的粘連。如上，所建議的粘連的值的范圍僅僅是圖解性的。通過僅改變多孔硅區(qū)(具有相同大小)的數(shù)量或者僅改變它們的大小(對于相同數(shù)量)，也可以實現(xiàn)相同的結(jié)果；可替換地，也能夠降低沿著導(dǎo)線移動的材料的多孔性。任何其他金屬可被沉積在多孔硅上—一或者使用無電極工藝或者電鍍工藝一一以便改善導(dǎo)線的均勻性(即使該特征在一些實施中可以忽略)。如果在下襯底和上襯底之間注入任何其他可流動的絕緣材料，則應(yīng)用類似的考慮因素；而且，可以使用任何等效技術(shù)來去除絕緣材料，以便獲得期望的絕緣材料層。在任何情況下，沒有什么防止遺流在筒化的實施中曝露的延伸的導(dǎo)線。用于導(dǎo)線的凹槽可以具有任何其他形式和/或形狀；而且，對于它們的生產(chǎn)可以使用任何其他技術(shù)。導(dǎo)線的不同(剛性和柔性)層可以由等效的材料組成，或者它們可以用任何其他技術(shù)形成。在任何情況下，沒有什么防止用均勻的結(jié)構(gòu)形成導(dǎo)線(例如，當(dāng)導(dǎo)線是直的時候，僅使用更硬的金屬，從而在它們抬起期間不會發(fā)生問題)。當(dāng)然，被用來形成剛性層和柔性層的材料的定量限定不必以限制性的方式來解釋。也考慮維持下村底的可能性。在任何情況下，可以使用任何其他技術(shù)來去除下襯底(即使完全地基于濕蝕刻工藝)。自然地，可以使用用于去除絕緣層的外部部分的等效技術(shù)。同樣在這種情況下，所建議的將被去除的絕緣層的量的范圍僅僅是圖解性的。如上指出的，可以保持或者去除上襯底(使用任何其他技術(shù))。如果所建議的系統(tǒng)(即，互連元件、電子組件一一或者基于單個芯片或者多個芯片一一和測試—反)具有不同的結(jié)構(gòu)或者包括等效的構(gòu)件，則應(yīng)用類似的考慮因素。在任何情況下，這些系統(tǒng)不全面(使用可在不管什么其他領(lǐng)域中應(yīng)用的設(shè)計的解決方案)。具體地，所建議的互連元件可被用來耦接最廣泛術(shù)語意義中任何類型的電子器件一_例如芯片、柔性或者剛性PCB、封裝(例如，BGA、CSP、QFP、或者雙線直插型)等等；同樣地，電子器件可#1提供有任何的接線端一一例如墊片、隆起、順從隆起、紐扣隆起、管腳(例如，gull-wing、J或者無鉛型)。要強調(diào)的是，上述電子組件可以包括任意數(shù)量和/或任一類型的電子器件——即使在多維結(jié)構(gòu)中被組合。在任何情況下，在其制造工藝(當(dāng)它們由下襯底、上襯底或者兩者組成，或者它們被包含在下襯底、上襯底或者兩者中時)或者在已經(jīng)完成其生產(chǎn)之后，電子器件可以與互連元件耦接。如果使用測試板來測試任何其他電子器件(或者在晶圓級或者在封裝級)，則應(yīng)用類似的考慮因素。同樣在這種情況下，或者在其制造工藝期間或者其后，測試板的其他構(gòu)件可以與互連元件耦接。應(yīng)當(dāng)很清楚，所建議的構(gòu)件可以是集成電路設(shè)計的一部分。該設(shè)計也能夠以編程語言來生成；而且，如果設(shè)計者不制作芯片或者光罩，則可以通過物理手段將該設(shè)計發(fā)送到其他。在任何情況下，作為結(jié)果的構(gòu)件可以通過其制造商以原晶圓形式作為空模具、或者以封裝進行分發(fā)。而且，所建議的構(gòu)件可以與相同結(jié)構(gòu)的其他電路結(jié)合，或者它們可被安裝在中間產(chǎn)品內(nèi)(例如母板)。在任何情況下，這些構(gòu)件適合于在復(fù)雜系統(tǒng)(例如測試機)中使用。權(quán)利要求1.一種制造用于接觸電子器件的互連元件(160；160’)的工藝，所述工藝包括步驟在第一襯底(105)的主表面(110)上形成多條導(dǎo)線(130)，每條導(dǎo)線具有第一末端(130a)和第二末端(130b)，將每條導(dǎo)線的第二末端與第二襯底(140)耦接，和將第二襯底和第一襯底隔開，以便在第一襯底和第二襯底之間延伸導(dǎo)線(130’)，其特征在于所述工藝還包括步驟在形成導(dǎo)線之前處理該主表面，以便控制主表面上導(dǎo)線的附著力。2.如權(quán)利要求l所述的工藝，其中處理該主表面的步驟包括在主表面上形成一組附著力促進區(qū)(120)。3.如權(quán)利要求2所述的工藝，其中第一襯底(105)是單晶硅，形成附著力促進區(qū)的步驟包括形成從主表面延伸到第一襯底的一組多孔硅區(qū)(120)。4.如權(quán)利要求3所述的工藝，其中形成多孔硅區(qū)(120)的步驟包括將該多孔硅區(qū)的多孔性調(diào)節(jié)為使得所述多孔性遠離主表面(1IO)移動而降低。5.如權(quán)利要求4所述的工藝，其中調(diào)節(jié)多孔性的步驟包括對于單晶硅，將多孔性從范圍40%-90%中的最大值降低到范圍0%-70%中的最小^直。6.如權(quán)利要求4或5所述的工藝，其中形成多孔硅區(qū)(120)的步驟包括使晶圓(105)經(jīng)受使用隨時間降低的電流密度的陽極處理。7.如權(quán)利要求6所述的工藝，其中使晶圓(105)經(jīng)受陽極處理的步驟包括將電流密度從起始值降低到等于5%-20%起始值的結(jié)束值。8.如權(quán)利要求2到7中任一項所述的工藝，其中每條導(dǎo)線(130)與主表面(110)的相應(yīng)接觸區(qū)域(117)相接觸，形成附著力促進區(qū)(120)的步驟包括在每一接觸區(qū)域的至少一個被選部分中形成附著力促進區(qū)。9.如權(quán)利要求1到8中任一項所述的工藝，其中處理主表面的步驟包括降低從每條導(dǎo)線(130)的第一末端(130a)移動到第二末端(130b)的附著力。10.如權(quán)利要求9所述的工藝，其中降低附著力的步驟包括將該附著力從次最大值降低到等于0.01%-60%次最大值的次最小值。11.當(dāng)根據(jù)權(quán)利要求8時如權(quán)利要求9或10所述的工藝，其中降低附著力的步驟包括減小從每條導(dǎo)線(130)的第一末端(130a)移動到第二末端(130b)的附著力促進區(qū)(120)的濃度。12.如權(quán)利要求3到11中任一項所述的工藝，其中處理主表面(110)的步驟還包括在多孔硅區(qū)(120)上沉積金屬層(125)。13.如權(quán)利要求1到12中任一項所述的工藝，還包括步驟在第一襯底(105)和第二襯底(140)中間注入可流動的絕緣材料(155),和凝固絕緣材料以便獲得嵌入導(dǎo)線(130，)的絕緣層(155)。14.如權(quán)利要求1到13中任一項所述的工藝，其中形成導(dǎo)線(430，)的步驟包括在主表面(410)上生成多個凹槽(412),每條導(dǎo)線的第一末端(430a)在相應(yīng)的凹槽中延伸。15.如權(quán)利要求14所述的工藝，其中形成導(dǎo)線(430，)的步驟還包括在凹槽(412)中沉積至少一層剛性導(dǎo)電材津牛(430a)，和沉積至少一層柔性導(dǎo)電材料(43Ob),以^使完善所述導(dǎo)線。16.如權(quán)利要求15所述的工藝，其中該剛性導(dǎo)電材料具有高于200維氏的硬度，并且其中柔性導(dǎo)電材料具有低于200維氏的硬度。17.如權(quán)利要求1到16中任一項所述的工藝，還包括步驟去除第一襯底(105)。18.如權(quán)利要求17所述的工藝，其中去除第一襯底(105)的步驟包括濕蝕刻第一襯底，直到到達在第一襯底上提供的用以保護導(dǎo)線(430，)的停止層(41",和干蝕刻第一襯底的剩余部分。19.如權(quán)利要求17或者18所述的工藝，還包括步驟去除不受導(dǎo)線(430，)保護的絕緣層(455)的外部部分。20.如權(quán)利要求19所述的工藝，其中去除絕緣層(455)的外部部分的步驟包括去除深度等于絕緣層的0.1%-70%厚度的外部部分。21.如權(quán)利要求1到20中任一項所述的工藝，還包括步驟去除第二襯底(140)。22.—種制造包括一組互連的電子器件(3101，310u)的電子組件(300a)的工藝，該工藝包括步驟將至少一個第一電子器件(3101)的每個第一接線端(3201)與互連元件(160，)的相應(yīng)導(dǎo)線(130，)的第一末端(130a)耦接和/或?qū)⒅辽僖粋€第二電子器件(310u)的每個第二接線端(320u)與互連元件(160，)的相應(yīng)導(dǎo)線(130，)的第二末端(130b)耦接，所述互連元件(160，)是通過執(zhí)行如權(quán)利要求1到21中任一項所述的步驟制造的。23.—種制造包括多個探針(465)的測試卡(460;460，)的工藝，所述探針用于接觸將被測試的電子器件的相應(yīng)接線端，該工藝包括步驟將電路化板(440)與互連元件的導(dǎo)線(430，)的第二末端(430b)耦接，所述互連元件是通過執(zhí)行如權(quán)利要求1到21中任一項所述的步驟制造的，所述導(dǎo)線的第一末端(430a)定義所述探針。24.—種用于接觸電子器件的互連元件(160;160，)，該互連元件通過如權(quán)利要求1到21中任一項所述的工藝獲得。25.—種包括一組互連的電子器件(3101;3101;140)的電子組件(300a;300ab),該電子組件通過如權(quán)利要求22所述的工藝獲得。26.—種用于測試電子器件的測試板(460;460，)，該測試板通過如權(quán)利要求23所述的工藝獲得。全文摘要提出了一種制造用于接觸電子器件的互連元件(160；160′)的工藝。該工藝開始于在第一襯底(105)的主表面(110)上形成多條導(dǎo)線(130)的步驟；每條導(dǎo)線具有第一末端(130a)和第二末端(130b)。每條導(dǎo)線的第二末端耦接于第二襯底(140)。第二襯底和第一襯底隨后被隔開，以便在第一襯底和第二襯底之間延伸導(dǎo)線(130’)。該工藝還包括步驟在形成導(dǎo)線之前處理主表面以控制主表面上導(dǎo)線的附著力。文檔編號H01L21/48GK101405852SQ200780008928公開日2009年4月8日申請日期2007年3月16日優(yōu)先權(quán)日2006年3月16日發(fā)明者馬爾科·巴盧坎蒂申請人:Eles半導(dǎo)體設(shè)備公司;Rise技術(shù)公司