專利名稱：：表面發(fā)射激光器裝置及包含其的表面發(fā)射激光器陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及表面發(fā)射激光器裝置、包含該表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列、包含該表面發(fā)射激光器陣列的成像設(shè)備、包含該表面發(fā)射激光器裝置或該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)拾取單元、包含該表面發(fā)射激光器裝置或該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)發(fā)送器模塊、包含該表面發(fā)射激光器裝置或該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)收發(fā)器模塊、包含該表面發(fā)射激光器裝置或該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)通信系統(tǒng)、包含該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描器、以及包含該光學(xué)掃描器的電子照相設(shè)備。
背景技術(shù)：
：表面發(fā)射激光器裝置(表面發(fā)射半導(dǎo)體激光器裝置)是沿垂至于基板的方向發(fā)光的半導(dǎo)體激光器。由于表面發(fā)射激光器裝置與邊發(fā)射激光器裝置相比低成本地獲得高性能的特性，表面發(fā)射激光器裝置被用于消費應(yīng)用，例如，諸如光學(xué)互聯(lián)的光學(xué)通信用光源、光學(xué)拾取器用光源、以及成像設(shè)備用光源。具體而言，850nm和980nm波段的表面發(fā)射激光器裝置在有源層中享有良好的載流子限制。更具體而言，850nm波段的表面發(fā)射激光器裝置采用由砷化鎵(GaAs)形成的量子阱有源層以及由砷化鋁鎵(AlGaAs)形成的壘層和阻擋層(覆層)。此外，在850nm波段的表面發(fā)射激光器裝置中，由于可以采用使用高性能AlGaAs系反射鏡的電流限制結(jié)構(gòu)(例如半導(dǎo)體多層膜反射鏡和半導(dǎo)體分布式布拉格反射器[半導(dǎo)體DBR])以及Al氧化物膜，因此實現(xiàn)了實用水平的性能。然而，由于表面發(fā)射激光器裝置中有源層的體積小，表面發(fā)射激光器裝置的光輸出低于邊發(fā)射激光器，從而經(jīng)常需要提高輸出。尤其是，隨著波長變短，有源層中載流子的限制變得更差，因此導(dǎo)致諸如無法獲得高輸出和不良溫度特性的問題。振蕩波長在780nm波段的短波長表面發(fā)射激光器裝置采用選擇性氧化13的AlAs層作為電流限制結(jié)構(gòu)。(見非專利文獻(xiàn)1)。非專利文獻(xiàn)1中披露的表面發(fā)射激光器裝置具有夾置于下反射鏡和上反射鏡之間的腔(諧振腔)，其中該腔具有夾置于阻擋層之間的有源層。該腔具有一個振蕩波長相當(dāng)?shù)暮穸?。該有源層具有交替堆疊的Al0.12Gao.88As阱層和Alo.3Gao.7As壘層的量子阱結(jié)構(gòu)。此外，阻擋層是由Al0.6Gaa4As形成。另外，下反射鏡具有40.5個n型Ala3Gao.7As高折射率層和n型Alo"Ga(nAs低折射率層的堆疊對。這種情況下，設(shè)表面發(fā)射激光器裝置的振蕩波長為X,則各個該高折射率層和低折射率層的膜厚為X/4。此外，上反射鏡具有24個p型Al。.3Gao.7As高折射率層和p型Alo.9Ga。.,As低折射率層的堆疊對。這種情況下，各個該高折射率層和低折射率層的膜厚亦為A74。此夕卜，AlAs選擇性氧化層(selectivelyoxidizedlayer)"i殳于上反射鏡中與該腔相隔A/4。組分逐漸變化的組分漸變層設(shè)于各個反射鏡的各相鄰兩層之間以降j氐電阻。諸如有源層和阻擋層的上述層是由MOCVD(金屬有^L物化學(xué)氣相沉積)或MBE(分子光束外延)形成。非專利文獻(xiàn)l中披露的表面發(fā)射激光器裝置采用臺形狀(mesashape)。通過在基板上連續(xù)堆疊下反射鏡、(下)阻擋層、有源層、(上)阻擋層和上反射鏡，且通過干法蝕刻隨后蝕刻該上反射鏡、(上)阻擋層、有源層和(下)阻擋層以達(dá)到該下反射鏡，由此形成該臺形狀。一旦形成該臺形狀，將用做AlAs選擇性氧化層的AlAs層的側(cè)表面露出。因此，AlAs層在蒸氣中經(jīng)歷熱處理從而將AlAs轉(zhuǎn)換成AlxAsy絕緣體，由此形成電流限制結(jié)構(gòu)(氧化物窗口)，該電流限制結(jié)構(gòu)將裝置驅(qū)動電流的路徑限制在中心的未氧化的AlAs區(qū)域。隨后，p側(cè)電極形成于該臺頂部除了出光部(金屬窗口)之外的該臺上，且n側(cè)電極形成于基板的底側(cè)上，由此完成該表面發(fā)射激光器裝置。根據(jù)非專利文獻(xiàn)l，通過優(yōu)化該氧化物窗口和金屬窗口，獲得了3.4mW的輸出，該輸出是780nm波段內(nèi)單模輸出的最大值。然而，在850nm和980nm波段已經(jīng)報道了7mW的輸出，表明780nm波段的表面發(fā)射激光器裝置的輸出低。增大該光輸出的一個方法是降低發(fā)光部的溫度上升。作為抑制發(fā)光部的溫度上升的方法，已經(jīng)提出了降低振蕩波長為850nm的表面發(fā)射激光器裝置中的熱阻的配置(專利文獻(xiàn)l)。該配置中，置于下反射鏡的下部中的大部分低折射率層采用熱導(dǎo)率高于AlGaAs的AlAs。常規(guī)AlGaAs被用于下反射鏡的上部的低折射率層。如果在形成臺形狀時該蝕刻表面到達(dá)使用AlAs的下反射鏡內(nèi)部，則下反射鏡中露出的AlAs在形成AlAs選擇性氧化層時也被該蝕刻后續(xù)工藝中的氧化所氧化，使得該裝置被絕緣或具有高電阻。因此，為了避免該問題，AlGaAs被用于該下反射鏡的上部的低折射率層。也就是說，通過在下反射鏡的上側(cè)提供蝕刻速率低于AlAs的AlGaAs,該蝕刻表面被置于該下反射鏡的上側(cè)上的AlGaAs內(nèi)部。此外，在780nm波段的表面發(fā)射激光器裝置中，由于活性鋁(A1)添加到有源層，氧在生長或處理時被捕獲，使得非輻射復(fù)合中心形成于該有源層內(nèi)。這降低了發(fā)光效率和可靠性。因此，在短于850nm波段的表面發(fā)射激光器裝置中，已經(jīng)提出了一種780nm波段的表面發(fā)射激光器裝置，該表面發(fā)射激光器裝置采用無Al有源區(qū)(量子阱有源層及其相鄰的層)以防止非輻射復(fù)合中心的形成(專利文獻(xiàn)2)。具體而言，具有張應(yīng)變的GaAsP用于量子阱有源層，具有壓應(yīng)變的GalnP用于壘層，晶格匹配的GalnP用于阻擋層(介于覆層和第一及第三量子阱有源層之間)，且AlGalnP用于該覆層。采用這種配置改善了該表面發(fā)射激光器裝置的可靠性。此外，已經(jīng)提出了一種780nm波段的表面發(fā)射激光器裝置，該表面發(fā)射激光器裝置除了產(chǎn)生由于無Al有源區(qū)引起的效應(yīng)之外，使用具有壓應(yīng)變的GalnPAs用于量子阱層，使用晶格匹配的GalnP或具有張應(yīng)變的GalnP用于壘層，且使用Al組分大于阻擋層的AlGalnP用于覆層，從而提高有源層的增益(非專利文獻(xiàn)2)。與專利文獻(xiàn)1所披露的表面發(fā)射激光器裝置的結(jié)構(gòu)相器裝置具有良好的載流子限制。然而，存在的問題為，短振蕩波長的表面發(fā)射激光器裝置的輸出低。同時，由于表面發(fā)射激光器與邊發(fā)射激光器相比消耗更少的功率，具有更佳的模式穩(wěn)定性，且更容易高度集成，其研發(fā)最近活躍，以期應(yīng)用于通信領(lǐng)域和圖像記錄領(lǐng)域。在半導(dǎo)體激光器中，振蕩波長是由有源層的材料的帶隙決定。在可見光范圍到近紅外范圍，已經(jīng)研究了AlGaAs系和(Al)GalnP系材料。其中，尤其是AlGaAs系材料已經(jīng)長時間被研究且具有許多報道，且如非專利文獻(xiàn)1所報道，對于表面發(fā)射激光器裝置已經(jīng)實現(xiàn)了超過3mW的單模輸出特性。使用該特性的產(chǎn)品已經(jīng)可購得。然而，在半導(dǎo)體激光器中，Al被視為器件劣化的起因。由于AlGaAs系材料固有地包含劣化的起因，使用AlGaAs系材料難以實現(xiàn)高度可靠的裝置。另一方面，使用GalnP系和GalnAsP系材料比較容易實現(xiàn)高度可靠的裝置，因為有源層中不含有Al。同時，表面發(fā)射激光器裝置具有如下結(jié)構(gòu)，其中腔垂直地夾置于多層膜之間，該多層膜分別由折射率不同的兩種材料形成。這兩種材料的組合包括AlxGa"xAs/AlyGa!—yAs、(AlxGat-x)o.5lno.5P/(AlxGa卜x)o.5lno.5P、以及AlxGa,-xAs/(AlyGa,-y)o.5lnasP(OSx,y￡l且x^y)。這些材料體系和組分依據(jù)振蕩波長而適當(dāng)i也確定。此外，表面發(fā)射激光器裝置出于結(jié)構(gòu)原因而具有高的裝置電阻，其特征為有源層內(nèi)產(chǎn)生的熱量發(fā)射到外部的可能性更低。也就是說，需要解決這些問題從而發(fā)展具有良好特性的表面發(fā)射激光器裝置。為了解決前一問題，將組分漸變層設(shè)于形成各個反射鏡的兩種材料的各個界面。為了解決后一問題，則采用了具有良好熱導(dǎo)率的材料。就材料熱導(dǎo)率而言，如果A1組分相同，則AlGaAs系材料熱導(dǎo)率優(yōu)于AlGalnP系材料。非專利文獻(xiàn)3報道了一種使用AlAs/Ala25Gaa75As的表面發(fā)射激光器裝置。然而，在該報道的情形中，(Alo.5Gao.5)o.5Ino.5P用做腔阻擋層，且該材料結(jié)合到Al。.25Gao.75As形成反射鏡。然而，這些材料的價帶的能帶不連續(xù)比較大，這導(dǎo)致裝置電阻增大。結(jié)合AlGaAs反射鏡和AlGalnP系腔的情形披露于非專利文獻(xiàn)4,但也無法避免相同的問題。此外，對于連續(xù)地引起AlGalnP系材料和AlGaAs系材料的晶體生長的情形，在AlGalnP系材料的生長之后，需要將V族材料從P材料(例如PH3)轉(zhuǎn)變?yōu)锳s材料(例如AsH3)。此時，很可能在其界面引入缺陷而導(dǎo)致各種問題。在專利文獻(xiàn)3中，上述裝置電阻增大的可能性低，但是沒有描述上述含P材料/含As材料界面。另一方面，專利文獻(xiàn)4披露了一種配置，其中僅n側(cè)反射鏡或者p側(cè)反射鏡和n側(cè)反射鏡均由AlGalnP系材料形成。然而，由于AlGalnP系材料熱導(dǎo)率比AlGaAs系材料差，有源層的溫度在振蕩期間可能增大從而使很多特性劣化。同時，在電子照相的圖像記錄中，使用激光器的圖像記錄方法被廣泛地用做圖像記錄手段以獲得高清晰圖像質(zhì)量。對于電子照相設(shè)備的情形，通常通過使鼓旋轉(zhuǎn)同時使用多角鏡使激光器沿鼓的軸向進(jìn)行掃描(主掃描)，由此在感光鼓上形成潛像(子掃描)。此外，在電子照相領(lǐng)域中，需要高清晰圖像和高速圖像記錄。這些可以通過增大激光器輸出或感光體的靈敏度同時增大主掃描和子掃描的速度來實現(xiàn)。然而，對于通過這種方法增大圖像記錄速度的情形，出現(xiàn)許多問題，例如發(fā)展光源用于高的激光器輸出或者高靈敏的感光體、支持高速主掃描和子掃描的外殼的強化，以及發(fā)展在高速掃描時的位置控制方法，由此需要花費大量金錢和時間。此外，就高清晰圖像而言，如果圖像的分辨率翻倍，各個主掃描和子掃描所需的時間也翻倍，使得輸出該圖像所需的時間翻四倍。因此，還需要同時實現(xiàn)高速圖像輸出以實現(xiàn)高清晰圖像。用于實現(xiàn)高速圖像輸出的另一種方法可以采用多束激光器(多個激光器)。目前的高速輸出機器中通常使用多個激光器。采用多個激光器擴大了使用單次主掃描形成的潛像的面積。對于使用n個激光器的情形，上述潛像形成面積為使用單個激光器的情形的n倍且圖像記錄所需的時間僅為后者的1/n。同樣，專利文獻(xiàn)5提出了一種在單個芯片中具有多個發(fā)光源的多束半導(dǎo)體激光器。然而，采用如專利文獻(xiàn)5中所述的使用邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器的配置，出于結(jié)構(gòu)和成本的原因，光束數(shù)目約為四或者最多為八，使得無法支持高速圖像輸出，這將來預(yù)期會有進(jìn)步。另一方面，如上所述，表面發(fā)射激光器裝置易于二維集成。通過調(diào)整或改變集成方法，可以使實際光束節(jié)距更窄并將盡可能多的發(fā)光裝置集成在單一芯片上。然而，存在的問題為，常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置的載流子限制不充分，使得輸出低。[專利文獻(xiàn)1]特開2002-164621號7>才艮[專利文獻(xiàn)2]特開平9-107153號公報[專利文獻(xiàn)3]特開2004-281968號公報[專利文獻(xiàn)4]特開2002-158406號公才艮[專利文獻(xiàn)5]特開平11-340570號公報Ueki，N.etal.，"Single-Transverse—Mode3.4-mWEmissionofOxide-Confined780-nmVCSEL，s"尸/7(9rCW/GS1ZEC7/iV(9丄OGTZ^7T￡7&11，No.12,1539-1541(1999)Tansu,N.etal.,"Low-TemperatureSensitive,CompressivelyStrainedInGaAsPActive(X=0.78~0.85|am)RegionDiodeLasers,"ZE朋7EOTM)丄OGF12,No.6,603-605(2000)Schneider,R.RJr.etal.;"GalnAsP/AlGalnP-basednear-IR(780nm)vertical-cavitysurface-emittinglasers,"五丄五C7^CW/CSZ￡r7Ei&31,No.7,554-556(1995)Lott,丄A,etal.;"PartialtopdielectricstackdistributedBraggreflectorsforredverticalcavitysurfaceemittinglaserarrays,"/￡朋尸Z/OrCW/CSr￡C//A^￡(9GyL￡rr￡i&6,No.12，1397-1399(1994)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的實施例可以解決或減輕一個或多個上述問題。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其中一個或多個上述問題可得以解決或減輕。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供一種包括該表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列、包括該表面發(fā)射激光器陣列的成像設(shè)備、包括該表面發(fā)射激光器裝置或該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)拾取單元、包括該表面發(fā)射激光器裝置或該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)發(fā)送器模塊、包括該表面發(fā)射激光器裝置或該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)收發(fā)器模塊、包括該表面發(fā)射激光器裝置或該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)通信系統(tǒng)、包括該表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描器、以及包含該光學(xué)掃描器的電子照相設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種具有可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種具有可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置的成像設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種具有可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置或者使用該表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)拾取單元。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種具有可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置或者使用該表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)發(fā)送器模塊。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種具有可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置或者使用該表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)收發(fā)器模塊。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種具有可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置或者使用該表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)通信系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種具有包括可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描器。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種使用包括可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的電子照相設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該第一腔阻擋層包括一半導(dǎo)體材料，該半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于形成該第二腔阻擋層的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該有源層包括由Gaaln,JPbAsi-b(O^a^l,OSb^l)形成的阱層，以及由帶隙大于該阱層的帶隙的(Gadn^)dPwAs(OScSl,OSlSl)形成的壘層；該第一反射層包括由AlxGa,.xAs((KxSl)形成的多個低折射率層以及由AlyGa!.yAs(0<y<x^l)形成的多個高折射率層；該第一和第二腔阻擋層至少之一的一部分是由AlGalnP形成；置為最靠近該有源層的形成該第二反射層的低折射率層之一是由(AleGa,-e)fln,-fP(0<《1,OSfSl)形成；且置為最靠近該有源層的形成該第一反射層的低折射率層之一是由熱導(dǎo)率大于所述(AleGa,-e)fIn,—fP的AlxGa,.xAs(0<x^l)形成。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該有源層包括由Gaaln^PbAsLb(C^aSl，0$1^1)形成的阱層，以及由帶隙大于該阱層的帶隙的(GacInLc)dPwAs(OSc￡l，O^d^l)形成的壘層；該第一反射層包括由AlxGai-xAs(CKx^l)形成的多個4氐折射率層以及由AlyGai-yAs(0<y<x^l)形成的多個高折射率層；該第二腔阻擋層的一部分是由(AleGa|_e)fInNfP(0<d,0Sf5l)形成;且在該第二腔阻擋層包括所述(AleGa卜e)flnwP的位置相對于該有源層對稱的位置，該第一腔阻擋層包括一半導(dǎo)體材料，該半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于所述(AleGa"e)fIn,.fP的熱導(dǎo)率。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該第一反射層包括多個低折射率層且該第二反射層包括多個低折射率層；以及置為最靠近該有源層的該第一反射層的低折射率層之一的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于置為最靠近該有源層的該第二反射層的低折射率層之一的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，在表面發(fā)射激光器裝置中，置于有源層的基板側(cè)上的腔阻擋層與/或反射層是由半導(dǎo)體材料形成，該半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于置于該有源層的輸出側(cè)上的腔阻擋層和反射層的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率。因此，在該有源層內(nèi)產(chǎn)生的熱量發(fā)射到該基板，使得有源層內(nèi)的溫度上升得到抑制。因此，該表面發(fā)射激光器裝置的溫度特性得到改善，使得該表面發(fā)射激光器裝置可具有高輸出。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列。由于該表面發(fā)射激光器陣列包括一個或多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置，可以減小該表面發(fā)射激光器裝置布置的間隔，使得可以高密度地布置該表面發(fā)射激光器裝置。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括該表面發(fā)射激光器陣列作為寫入用光源的成像設(shè)備，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置。由于該成像設(shè)備包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列，該成像設(shè)備可以使用增大數(shù)目的表面發(fā)射激光器裝置在感光體上進(jìn)行寫入。也就是說，該成像設(shè)備可以以增大的點密度在感光體上進(jìn)行寫入。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源的光學(xué)拾取單元。由于該光學(xué)拾取單元包括一個或多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該光學(xué)拾取單元可以使用多個激光束將信息記錄在光盤上或者從光盤再現(xiàn)信息。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源的光學(xué)發(fā)送器模塊。由于該光學(xué)發(fā)送器模塊包括一個或多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該光學(xué)發(fā)送器模塊可以使用多個激光束發(fā)送信號。也就是說，該光學(xué)發(fā)送器模塊可以以高的發(fā)送率來發(fā)送信號。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源的光學(xué)收發(fā)器模塊。由于該光學(xué)收發(fā)器模塊包括一個或多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該光學(xué)收發(fā)器模塊可以使用多個激光束傳達(dá)信號。也就是說，該光學(xué)收發(fā)器模塊可以以高的速率傳達(dá)信號。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源的光學(xué)通信系統(tǒng)。由于該光學(xué)通信系統(tǒng)包括一個或多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源，可以增大整個系統(tǒng)的速度。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第二反射層；包括有源層的腔，該腔形成為接觸該第二反射層；形成為接觸該腔的第三反射層；以及形成為接觸該第三反射層的第四反射層，其中該腔是由AlGalnPAs系材料形成；該第二反射層包括交替堆疊的n個第一高折射率層和n個第一低折射率層的分層體，其中n為正整數(shù)；該第三反射層包括交替堆疊的m個第二高折射率層和m個第二低折射率層的分層體，其中m為正整數(shù)；各個該n個第一低折射率層和該m個第二低折射率層是由(AlxGa,-x)o.5ln。.5P(O^x^l)形成；各個該n個第一高折射率層和該m個第二高折射率層是由(AlyGa,.y)o.5lno.5P(0^y<x^l)形成；該n個第一低折射率層之一接觸該腔，且該n個第一高折射率層之一接觸形成該第一反射層的AlGaAs系材料；以及該m個第二低折射率層之一接觸該腔，且該m個第二高折射率層之一接觸形成該第四反射層的AlGaAs系材料。在根據(jù)本發(fā)明一個實施例的表面發(fā)射激光器裝置中，形成為接觸腔的反射層的低折射率層是由(AlxGaLx)o.5lno.sP(OSxSl)形成，形成為接觸腔的反射層的高折射率層是由(AlyGa一)Q.5lno.5P(0^y<x^l)形成，且該腔是由AlGalnPAs系材料形成。結(jié)果，可以將載流子限制在有源層內(nèi)，并降低形成為接觸該腔的該反射層的電阻。因此，該表面發(fā)射激光器裝置可具有高輸出。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列，其中該表面發(fā)射激光器裝置置于多條等間距第一基線和多條等間距第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括包含多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描器，其中該表面發(fā)射激光器裝置置于多條等間距第一基線和多條等間距第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度；光接收部配置成接收從該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的激光；以及移動部配置成在除了圖像記錄時間之外的時間將該光接收部移動到所發(fā)射的激光的光軸上。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括包含多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描器，其中該表面發(fā)射激光器裝置置于多條等間距第一基線和多條等間距第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度；光接收部配置成接收從該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的激光的一部分；以及光引導(dǎo)部配置成將所發(fā)射的激光的一部分引導(dǎo)至該光接收部。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括光學(xué)掃描器的電子照相設(shè)備，該光學(xué)掃描器包括包含多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列，其中該表面發(fā)射激光器裝置置于多條等間距第一基線和多條等間距第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度；光接收部配置成接收從該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的激光的一部分；以及光引導(dǎo)部配置成將所發(fā)射的激光的一部分引導(dǎo)至該光接收部。當(dāng)結(jié)合附圖閱讀下述詳細(xì)描述時，本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點將變得更為顯而易見，附圖中圖i為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的表面發(fā)射激光器裝置的示意性剖面視圖2為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的圖1所示的兩個反射層、兩個腔阻擋層以及有源層的一部分的剖面視圖3為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的圖1所示的反射層之一的示意性剖面視圖4為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的圖1所示的另一反射層的示意性剖面視圖5A至5H為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的圖1所示的表面發(fā)射激光器裝置的制造方法的圖示；圖6為示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的熱導(dǎo)率與各個AlxGai—xAs和(AlxGa,-x)0.5In0.5P中Al摩爾數(shù)x之間的關(guān)系的曲線圖;圖7為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的表面發(fā)射激光器裝置的示意性剖面視23圖8為根據(jù)本發(fā)明第三實施例的表面發(fā)射激光器裝置的示意性剖面視圖9為根據(jù)本發(fā)明第三實施例的圖8所示的兩個反射層、兩個腔阻擋層以及有源層的一部分的剖面視圖10為根據(jù)本發(fā)明第四實施例的表面發(fā)射激光器裝置的示意性剖面視圖11為根據(jù)本發(fā)明第四實施例的圖IO所示的反射層的剖面視圖；圖12為根據(jù)本發(fā)明第四實施例的圖IO所示的兩個反射層、兩個腔阻擋層以及有源層的一部分的剖面視圖13為根據(jù)本發(fā)明第五實施例的表面發(fā)射激光器裝置的示意性剖面視圖14為才艮據(jù)本發(fā)明第五實施例的圖13所示的反射層的剖面^L圖15為根據(jù)本發(fā)明第六實施例的表面發(fā)射激光器裝置的示意性剖面視圖16為根據(jù)本發(fā)明第七實施例的表面發(fā)射激光器裝置的示意性剖面視圖17為根據(jù)本發(fā)明第七實施例的圖16所示的反射層的剖面視圖18為根據(jù)本發(fā)明第八實施例的使用圖1所示表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的平面視圖19為示出根據(jù)本發(fā)明第九實施例的成像設(shè)備的示意性圖示；圖20為根據(jù)本發(fā)明第九實施例的圖19所示的表面發(fā)射激光器陣列的平面視圖21為示出根據(jù)本發(fā)明第十實施例的光學(xué)發(fā)送器模塊的示意性圖示；圖22為示出根據(jù)本發(fā)明第十一實施例的光學(xué)收發(fā)器模塊的示意性圖示；圖23為示出根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的表面發(fā)射激光器裝置的示意性剖面視圖24為根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的圖23所示的四個反射層、兩個腔阻擋層以及有源層的剖面視圖25為根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的圖24所示的兩個反射層、兩個反射層、以及腔(-腔阻擋層和有源層)的一部分的能帶圖；圖26為示出根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的鋁(Al)組分比例x與勢能之間的關(guān)系的曲線圖27A為常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置的腔和反射層的能帶圖，圖27B為另一常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置的腔和反射層的能帶圖28為示出根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的熱導(dǎo)率與Al組分比例x之間的關(guān)系的曲線圖29A至29H為示出根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的圖23所示的表面發(fā)射激光器裝置的制造方法的圖示；圖30為根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的表面發(fā)射激光器裝置的示意性剖面視圖31為根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的圖30所示的兩個反射層的剖面視圖32為根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的圖30所示的其他兩個反射層的剖面視圖33為根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的圖30所示的兩個反射層、兩個反射層、以及腔(-腔阻擋層和有源層)的一部分的能帶圖34為根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的表面發(fā)射激光器裝置的示意性剖面視圖35為根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的圖34所示的兩個反射層的剖面視圖36為根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的圖34所示的其他兩個反射層的剖面視圖37為根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的圖34所示的兩個反射層、兩個反射層、以及腔(-腔阻擋層和有源層)的一部分的能帶圖38為根據(jù)本發(fā)明第十五實施例的使用圖23所示的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的平面視圖39為示出根據(jù)本發(fā)明第十六實施例的光學(xué)掃描器的示意性圖示；圖40為示出根據(jù)本發(fā)明第十七實施例的光學(xué)掃描器的示意性圖示；圖41為示出根據(jù)本發(fā)明第十八實施例的光學(xué)掃描器的示意性圖示；圖42為示出根據(jù)本發(fā)明第十九實施例的光學(xué)掃描器的示意性圖示；圖43為示出4艮據(jù)本發(fā)明第二十實施例的光學(xué)掃描器的示意性圖示；以及圖44為示出根據(jù)本發(fā)明第二十一實施例的電子照相設(shè)備的示意性圖示。具體實施例方式參考附圖描述本發(fā)明的實施例。在附圖中，相同的元件或者與在前所述相對應(yīng)的元件用相同的參考數(shù)字表示，且不再重復(fù)對其的描述。[第一實施例]圖1為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的表面發(fā)射激光器裝置ioo的示意性剖面視圖。參考圖1，表面發(fā)射激光器裝置100包括基板101、反射層102和106、腔阻擋層103和105、有源層104、選#^生氧化層107、接觸層108、Si02層109、絕緣樹脂110、p側(cè)電極lll、以及n側(cè)電極112。表面發(fā)射激光器裝置110為780波段的表面發(fā)射激光器裝置?；?01由(100)n型砷化鎵(n-GaAs)形成，其表面取向朝(111)A面的方向傾斜了15度的傾斜角。反射層102由35.5個周期的[n-Al。.9Ga。.As/n-Al。.3Ga。.7As]形成，其中以一對n-Al^Gao.,As/n-Al0.3Ga0.7As為1個周期，且形成于基板101的主面上。設(shè)表面發(fā)射激光器裝置100的振蕩波長為X，則各個n-Alo.9Gao.,As和n-Ala3Gaa7As的膜厚為V4。腔阻擋層103是由Gaa5Ino.5P形成于反射層102上。有源層104具有壓應(yīng)變組分的量子阱結(jié)構(gòu)，且形成于腔阻擋層103上。腔阻擋層105是由(Al。.7Ga(u)a5lno.5P形成于有源層104上。反射層106是由24個周期的[p-Alo.9Gao.,As/p-Alo3Gao.7As]形成，其中以一對p-Al。.9Gao.,As/p-Al。.3Gao.7As為1個周期，且形成于腔阻擋層105上。各個p-Alo.9GaojAs和p-Ala3Gaa7As的膜厚為X/4。選擇性氧化層107是由p-AlAs形成并設(shè)于反射層106內(nèi)。選擇性氧化層107包括未氧化區(qū)域107a和氧化區(qū)域107b，且膜厚為20nm。接觸層108是由p-GaAs形成于反射層106上。Si02層109形成為覆蓋反射層102的主面的一部分以及腔阻擋層103、有源層104、腔阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107和接觸層108的側(cè)表面。絕緣初于脂110形成為接觸Si02層109。p側(cè)電極111形成于4妻觸層108一部分以及絕緣樹脂110上。n側(cè)電極112形成于基板101的底側(cè)上。在表面發(fā)射激光器裝置100中，基板101通過n側(cè)電極112連接到熱沉113。各個反射層102和106形成半導(dǎo)體分布式布拉格反射器，其通過多次布拉格反射而反射在有源層104內(nèi)振蕩的振蕩光，從而將振蕩光限制在有源層104內(nèi)。氧化區(qū)域107b的折射率低于未氧化區(qū)域107a。氧化區(qū)域107b形成電流限制部，將從p側(cè)電極111注入的電流流到有源層104的路徑限制在該未氧化區(qū)域107a,并將在有源層104內(nèi)振蕩的振蕩光限制在該未氧化區(qū)域107a內(nèi)。由此，該表面發(fā)射激光器裝置IOO可以低閾值電流地振蕩。圖2為圖1所示的兩個反射層102和106、兩個腔阻擋層103和105、以及有源層104的一部分的剖面視圖。參考圖2,有源層104包括壘層104A、104C、104E和104G以及阱層104B、104D和104F。各層壘層104A、104C、104E和104G是由Gao.5Ino.5P形成，各層阱層104B、104D和104F是由GalnPAs形成。因此，有源層104是由三層阱層和四層壘層形成。壘層104A接觸腔阻擋層103,壘層104G接觸腔阻擋層105。圖3為圖1所示的反射層102的示意性剖面視圖。參考圖3，反射層102包括交替堆疊的低折射率層1021和高折射率層1022。低折射率層1021是由n-Al。.9GaojAs形成。高折射率層1022是由n-Ala3Gaa7As形成。組分漸變層1023設(shè)于各個高折射率層1022及各個其相鄰的低折射率層1021之間。組分漸變層1023是由AlGaAs形成，該AlGaAs的組分從該低折射率層1021和高折射率層1022之一的組分朝該低折射率層1021和高折射率層1022的另一個的組分變化。組分漸變層1023被提供以減小低折射率層1021和高折射率層1022之間的電阻。各個低折射率層1021膜厚為dl。各個高折射率層1022膜厚為d2。各個組分漸變層1023膜厚為d3。對于不包含組分漸變層1023以具有陡峭界面的反射層的情形，形成該反射層的低折射率層和高折射率層的膜厚相對于激光振蕩波長(X=780nm)而言被確定為X74n(其中n為各個半導(dǎo)體層的折射率)，從而滿足多次布拉格反射的相位條件。該A;4n膜厚導(dǎo)致各個半導(dǎo)體層內(nèi)的振蕩光的相位偏移為兀/2。對于如表面發(fā)射激光器裝置100這樣包含組分漸變層1023的情形，包括相應(yīng)組分漸變層1023的各個半導(dǎo)體層的厚度被確定以滿足多次布拉格反射的條件。膜厚d3例如為20nm。膜厚dl和d2確定為4吏得dl+d3和d2+d3滿足多次布拉格反射的條件。也就是說，dl+d3和d2+d3確定為使得反射層102內(nèi)的振蕩光的相位偏移為兀/2。在圖3中，最底下的低折射率層1021接觸基板101，最頂上的^^斤射率層1021接觸腔阻擋層103。圖4為圖1所示的反射層106的示意性剖面視圖。參考圖4,反射層106包括低折射率層1061、高折射率層1062、以及組分漸變層1063。4氐4斤射率層1061是由p-Ala9GaaiAs形成。高折射率層1062是由p-Ala3Gao.7As形成。組分漸變層1063是由AlGaAs形成，該AlGaAs的組分^人該低折射率層1061和高折射率層1062之一的組分朝該低折射率層1061和高折射率層1062的另一個的組分變化。組分漸變層1063被提供以減小低折射率層1061和高折射率層1062之間的電阻。各個低折射率層1061膜厚為d4。各個高折射率層1062膜厚為d5。各個組分漸變層1063膜厚為d6。對于不包含組分漸變層1063以具有陡峭界面的反射層的情形，形成該反射層的低折射率層和高折射率層的膜厚相對于激光振蕩波長(X=780nm)而言被確定為V4n(其中n為各個半導(dǎo)體層的折射率)，從而滿足多次布拉格反射的相位條件。該X/4n膜厚導(dǎo)致各個半導(dǎo)體層內(nèi)的振蕩光的相位偏移為兀/2。^f于如表面發(fā)射激光器裝置100這樣包含組分漸變層1063的情形，包括相應(yīng)組分漸變層1063的各個半導(dǎo)體層的厚度被確定以滿足多次布拉格反射的條件。膜厚d6例如為20nm。膜厚d4和d5確定為4吏得d4+d6和d5+d6滿足多次布拉格反射的條件。也就是說，d4+d6和d5+d6確定為使得反射層106內(nèi)的振蕩光的相位偏移為兀/2。在圖4中，最底下的低折射率層1061接觸腔阻擋層105,最頂上的高折射率層1062接觸接觸層108。圖5A至5H為示出圖1所示的表面發(fā)射激光器裝置IOO的制造方法的圖示。參考圖5A，當(dāng)一系列操作開始時，反射層102、腔阻擋層103、有源層104、腔阻擋層105、反射層106、將用做選擇性氧化層107的p-AlAs層、以及接觸層108使用MOCVD(金屬有機物化學(xué)氣相沉積)連續(xù)堆疊在基板101上。這種情況下，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、砷烷(AsH3)和竭化氬(H2Se)為材料形成反射層102的n-Ala9GaaiAs和n-Alo.3Gaa7As，并以三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)和磷烷(PH3)為材料形成腔阻擋層103的Gao.5In0.5P。此外，使用三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)、磷烷(PH3)和砷烷(AsH3)為材料形成有源層104的GalnPAs，并以三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)和磷烷(PH3)為材料形成有源層104的Gao.5In05P。此外，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)和磷烷(PH3)為材料形成腔阻擋層105的(Al。.7Gao.3)o.5lno.5P。此外，使用三曱基鋁(TMA)、三甲基鎵(TMG)、砷烷(AsH3)和四溴化碳(CBr4)為材料形成反射層106的p-Alo.9GaaiAs/p-Alo.3Gaa7As?？梢允褂枚趸\(DMZn)替代四溴化碳(CBr4)。此外，使用三曱基鋁(TMA)、砷烷(AsH3)和四溴化碳(CBr4)為材料形成選擇性氧化層107的p-AlAs,以及使用三曱基鋁(TMA)、砷烷(AsH3)和四溴化碳(CBr4)為材料形成接觸層108的p-GaAs。這種情況下，也可以使用二曱基鋅(DMZn)替代四溴化碳(CBr4)。隨后，抗蝕劑應(yīng)用在接觸層108上，且使用光學(xué)機械工藝在4妻觸層108上形成抗蝕劑圖案120，如圖5B所示。一旦形成抗蝕劑圖案120,使用所形成的抗蝕劑圖案120為掩模，通過干法蝕刻除去腔阻擋層103、有源層104、腔阻擋層105、反射層106、將用做選擇性氧化層107的p-AlAs層、以及接觸層108的外圍部分，且隨后除去抗蝕劑圖案120,如圖5C所示。根據(jù)RIBE(反應(yīng)離子光束蝕刻)、ICP(感應(yīng)耦合等離子體)蝕刻、或者RIE(反應(yīng)離子蝕刻)，通過引入基于鹵素的氣體例如Cl2、BCh或SiCl4并使用等離子體，由此進(jìn)行該千法蝕刻。在圖5C所示的工藝之后，在使用氮氣對加熱至85。C的水進(jìn)行鼓泡的氣氛中將該樣品(結(jié)構(gòu))加熱到350。C,則該p-AlAs層107從其外圍到中心被氧化，由此在p-AlAs層107(選擇性氧化層107)中形成未氧化區(qū)域107a和氧化區(qū)域107b，如圖5D所示。這種情況下，未氧化區(qū)域107a為4平方微米。接著，通過CVD(化學(xué)氣相沉積)在樣品的整個表面上形成Si02層109，且通過光學(xué)機械工藝從將用做出光部的區(qū)域及其周圍區(qū)域除去該Si02層109,如圖5E所示。接下來，通過旋轉(zhuǎn)涂敷將絕緣樹脂110應(yīng)用在整個樣品上，并從將用做出光部的區(qū)域除去該絕緣樹脂110,如圖5F所示。在形成絕緣樹脂110之后，具有預(yù)定尺寸的抗蝕劑圖案形成于將用做出光部的區(qū)域上，且p側(cè)電極材料通過氣相沉積而形成于樣品的整個表面上。隨后，該抗蝕劑圖案上的p側(cè)電極材料通過剝離而除去，使得p側(cè)電極l1形成，如圖5G所示。隨后，如圖5H所示，基板101的底側(cè)被研磨，且n側(cè)電極112形成于基板101的底側(cè)上。另外，通過退火形成p側(cè)電4及111和n側(cè)電極112之間的歐姆導(dǎo)電。由此制成表面發(fā)射激光器裝置100。在表面發(fā)射激光器裝置100中，有源層104的阱層104B、104D和104F是由GalnPAs形成，接觸有源層104的腔阻擋層105是由(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P形成。該(Al。.7Ga。.3)。.5ln。.5P的帶隙大于形成阱層104B、104D和104F的GalnPAs的帶隙。因此，在表面發(fā)射激光器裝置100中，有源層104的阱層104B、104D和104F與腔阻擋層105之間的帶隙差值大于由AlGaAs系半導(dǎo)體材料形成腔阻擋層105的情形。結(jié)果，阱層104B、04D和104F中的載流子限制率提高，使得表面發(fā)射激光器裝置100的輸出改善。表1示出了分別使用AlGaAs和AlGaAs形成腔阻擋層103和105以及阱層104B、104D和104F的情況下，以及分別^f吏用AlGalnP和GalnPAs形成腔阻擋層103和105以及阱層104B、104D和104F的情況下，"空阻擋層103和105與阱層104B、104D和104F之間的帶隙(Eg)差值(AEg)，以及壘層104A、104C、104E和104G與阱層104B、104D和104F之間的帶隙(Eg)差值(AEg)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>對于腔阻擋層103和105/有源層104的阱層104B、104D和104F使用AlGaAs/AlGaAs的情形，在振蕩波長為780nm的表面發(fā)射激光器裝置中，腔阻擋層103和105與阱層104B、104D和104F之間的帶隙差值為465.9meV，壘層104A、104C、104E和104G與阱層104B、104D和104F之間的帶隙差值為228.8meV。對于腔阻擋層103和105/有源層104的阱層104B、104D和104F使用AlGaAs/GaAs的情形，在振蕩波長為850nm的表面發(fā)射激光器裝置中，腔阻擋層103和105與阱層104B、104D和104F之間的帶隙差值為602.6meV，壘層104A、104C、104E和104G與阱層104B、104D和104F之間的帶隙差值為365.5meV。另一方面，對于腔阻擋層103和105/有源層104的阱層104B、104D和104F使用AlGalnP/GalnPAs的情形，在振蕩波長為780nm的表面發(fā)射激光器裝置100中，腔阻擋層103和105與阱層104B、104D和104F之間的帶隙差值為767.3meV，壘層104A、104C、104E和104G與阱層104B、104D和104F之間的帶隙差值為313.3meV。因此，腔阻擋層103和105與阱層104B、104D和104F之間的帶隙差值以及壘層104A、104C、104E和104G與阱層104B、104D和104F之間的帶隙差值顯著大于常MJi分別使用AlGalnP和GalnPAs形成腔阻擋層103和105以及有源層104的阱層104B、104D和104F的情形。結(jié)果，載流子限制在阱層104B、104D和104F內(nèi)的效果明顯更強，使得表面發(fā)射^L光器裝置100以低閾值振蕩并發(fā)射更高輸出的振蕩光。使用具有與GaAs基板基本上相同晶格常數(shù)的AlGaAs系材料形成的780nm或850nrn表面發(fā)射激光器裝置無法產(chǎn)生這種效果。此外，在表面發(fā)射激光器裝置100中，置于有源層104的基板101側(cè)上的腔阻擋層103是由Gao.5In().5P形成，且置于有源層104的與基板101相對側(cè)上的腔阻擋層105是由(八10.70&0.3)0.51110.5形成。圖6為示出熱導(dǎo)率與各個AlxGai.xAs和(AlxGa^)o.5lno.5P中Al的摩爾數(shù)x之間的關(guān)系的曲線圖。在圖6中，垂直軸表示熱導(dǎo)率，水平軸表示AlxGai.xAs(0^1)或(AlxGa!.x)o.5lno.5P(0《x《1)中Al的摩爾數(shù)x?；【€kl示出了AlxGa,_xAs中Al的摩爾數(shù)x與熱導(dǎo)率之間的關(guān)系，弧線k2示出了與GaAs晶格匹配的(AlxGa,-x)o.5lno.5P中Al的摩爾數(shù)x與熱導(dǎo)率之間的關(guān)系。Ga0.5In0.5P(圖6中x=0)的熱導(dǎo)率大于(Ala7Ga。.3)o.5lno.5P(圖6中x=0.7)的熱導(dǎo)率。更具體而言，Gaa5Ina5P(圖6中x=0)的熱導(dǎo)率為0.157W/Kcm，(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P(圖6中x=0.7)的熱導(dǎo)率為0.056W/Kcm。因此，Ga05In05P(圖6中x=0)的熱導(dǎo)率約為(Al。.7Gao.3)o.5lno.5P(圖6中x=0.7)的熱導(dǎo)率的三倍。(見弧線k2)。因此，在表面發(fā)射激光器裝置100中，具有高熱導(dǎo)率的半導(dǎo)體材料置于有源層104的基板101側(cè)上。結(jié)果，即使當(dāng)激光在表面發(fā)射激光器裝置100的有源層104中4展蕩使得在有源層104內(nèi)產(chǎn)生熱量，所產(chǎn)生的熱量以具有高熱導(dǎo)率的腔阻擋層103作為熱散逸路線而傳播到基板101,從而從基板101散逸到熱沉113。結(jié)果，可以抑制有源層104內(nèi)溫度的上升，使得可以獲得高輸出和高性能的特性。因此，由于上述載流子限制效應(yīng)以及有源層104中產(chǎn)生的熱量的散逸特性的改善，表面發(fā)射激光器裝置IOO可以發(fā)射更高輸出的振蕩光。此外，表面發(fā)射激光器裝置IOO具有無Al有源層104。因此，通過防止氧被捕獲，可以防止在有源層104內(nèi)形成非輻射復(fù)合中心，使得可以延長表面發(fā)射激光器裝置100的使用壽命。此外，由于腔阻擋層103是由Gaa5Ina5P形成且腔阻擋層105是由(Alo.7Gao.3)o.5ln。.5P形成，該表面發(fā)射激光器裝置IOO相對于有源層104不對稱地布置了半導(dǎo)體材料。另外，在表面發(fā)射激光器裝置100中，腔阻擋層103是由Gaa5In0.5P形成且腔阻擋層105是由(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P形成，其中Gaa5In。.5P熱導(dǎo)率大于(Ala7Gaa3)a5Ina5P，如圖6中弧線k2所示。因此，在表面發(fā)射激光器裝置100中，部分該腔阻擋層105是由(Ala7Gao.3)。.5lno.5P形成，而且，在該月空阻擋層105包含(八1。.7030.3)。.5111。.5的位置相對于該有源層104對稱的位置，腔阻擋層103包含熱導(dǎo)率大于(八10.7000.3)。.5111。.5的半導(dǎo)體材料(Ga。.5In。.5P)。有源層104的阱層104B、104D和104F如上所述是由GalnPAs形成。然而在本發(fā)明中，阱層104B、104D和104F不限于此，且一般而言，阱層104B、104D和104F可以由Gaalm—aPbAs卜b(0《a《l,(Kb《l)形成。此外，有源層104的壘層104A、104C、104E和104G如上所述是由Gao.5lno.5P形成。然而在本發(fā)明中，壘層104A、104C、104E和104G不限于此，且一4殳而言，壘層104A、104C、104E和104G可以由GacIn卜cP(0<c<l)形成。此外，有源層104的壘層104A、104C、104E和104G還可以由具有張應(yīng)變的半導(dǎo)體材料形成。這種情況下，一般而言，壘層104A、104C、104E和104G是由帶隙大于阱層104B、104D和104F的GacIni-cPeAs)-e(0《c《1，0《e《l)形成。此外，對于量子阱有源層具有壓應(yīng)變的情形，由壘層的張應(yīng)變產(chǎn)生應(yīng)變補償效應(yīng)，由此提高可靠性。此外，由于可以采用具有更大應(yīng)變的量子阱有源層，因此可以產(chǎn)生更大的應(yīng)變效應(yīng)。如果壘層是由無Al的GacIn卜cPdAsi-d形成，若晶格常數(shù)相同，貝llGalnP具有最大的帶隙。此外，具有更小晶格常數(shù)的半導(dǎo)體材料具有更大的帶隙。因此，通過由GacIn,.cPdASl—d形成壘層104A、104C、104E和104G，可以提高壘層104A、104C、104E和104G與阱層104B、104D和104F之間的能帶不連續(xù)，由此得到更大的增益。這可實現(xiàn)低閾值工作和高輸出工作。例如，由Gao.6ln。.4P形成的張應(yīng)變層的帶隙為2.02eV,且由Gaa5Ina5P形成的晶格匹配層的帶隙為1.87eV。因此，張應(yīng)變層的帶隙要大150meV。另外，腔阻擋層105如上所述是由(Alo.7Gaa3)o.5lno.5P形成。然而在本發(fā)明中，腔阻擋層105不限于此，且一般而言，腔阻擋層105可以由(AldGa卜d)麵—fP(0<d《1，0《f《l)形成。此外，形成腔阻擋層105的(AldGa^)flnwP可以由多個半導(dǎo)體層形成或者可包含少量其他元素。另外，腔阻擋層103如上所述是由Gaa5In05P形成。然而在本發(fā)明中，腔阻擋層103不限于此，且一4殳而言，腔阻擋層103可以由(AlgGa^)hln,-hP(0<g<l,0《h《l)形成，并可以由熱導(dǎo)率大于形成腔阻擋層105的(AldGa,-d)fln)-fP(0<cK1,CKK1)的半導(dǎo)體材料形成。此外，腔阻擋層103也可以由熱導(dǎo)率大于腔阻擋層105的AlzGa,-zAs(0《z《1)形成。另外，如上所述，采用MOCVD作為形成表面發(fā)射激光器裝置100的各個半導(dǎo)體層的方法。然而在本發(fā)明中，該方法不限于此，還可以采用諸如MBE(分子光束外延)的其他晶體生長方法。此外，腔阻擋層103和105如上所述是由關(guān)于有源層104不對稱的半導(dǎo)體材料形成。在本發(fā)明中，分別置于腔阻擋層103的基板101側(cè)上以及腔阻擋層105的接觸層108側(cè)上的反射層102和106也可以由關(guān)于有源層104不對稱的半導(dǎo)體材料形成。此外，在第一實施例中，腔阻擋層103和105采用AlGalnP材料，有源層104的晝層104A、104C、104E和104G和阱層104B、104D和104F采用GalnPAs。由于這些層形成于(100)GaAs基板101上，該基板101的表面取向朝(111)A面傾斜了15度的傾斜角，因此可以減小由于形成天然超晶格引起的帶隙減小、由于產(chǎn)生小丘(山丘形缺陷)引起的表面特性的劣化、以及非輻射復(fù)合中心。此外，由于有源層104具有壓應(yīng)變，因為重空穴-輕空穴能帶分離而獲得了更大的增益增加。因此，表面發(fā)射激光器裝置IOO具有高增益，使得表面發(fā)射激光器裝置IOO在低振蕩閾值具有高輸出。使用具有與GaAs基板基本上相同晶格常數(shù)的AlGaAs系780nm或S50nm表面發(fā)射激光器裝置無法產(chǎn)生這種效果。此外，在第一實施例中，腔阻擋層105采用(Alo.7Gao,3)a5lno.5P,而腔阻擋層103采用Gao.5In().5P。電子輕于空穴。因此，在載流子限制中p側(cè)起主要作用。另一方面，n側(cè)上的Ga。.5In。.5P的帶隙約為1.91eV,且就有源層104的780nm帶隙而言，空穴限制是充分的。此外，對于使用由GacIn,-ePdAs卜d((Kc《1,0《d《1)形成的量子阱有源層(=有源層104)的情形，通過改變組分可以制造例如650nm波段的短波長紅色表面發(fā)射激光器。這種情況下，要求壘層包含A1。因此，無法獲得無Al配置的效果，但是可以產(chǎn)生上述的熱散逸效果。此外，還可以制造波長大于780nm,例如波長在850nm、980nm或1.2)im波段的表面發(fā)射激光器。這種情況下，可以獲得包括載流子限制的上述效果。此外，使用(Ga)InAs等34的量子點可以替代阱層作為有源層。通常情況是如第一實施例那樣，基板101側(cè)安裝在CAN和封裝上，光從與基板101相對的側(cè)出射。這種情況下，基板101側(cè)作為主要熱散逸路線。此外，對于通過結(jié)朝下安裝而使光從基板側(cè)出射的情形，上反射層106作為主要熱散逸路線。這里，熱沉是指與安裝側(cè)接觸的熱沉，且可以使用導(dǎo)電樹脂直接安裝在封裝上或者通過AuSn安裝在例如CuW的高導(dǎo)電性金屬上。反射層102可形成第一反射層，反射層106可形成第二反射層。此外，腔阻擋層103可形成第一腔阻擋層，腔阻擋層105可形成第二腔阻擋層。圖7為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的表面發(fā)射激光器裝置100A示意性剖面視圖。參考圖7，表面發(fā)射激光器裝置IOOA與圖1所示的表面發(fā)射激光器裝置IOO不同之處僅在于，使用腔阻擋層103A替代表面發(fā)射激光器裝置100的腔阻擋層103。腔阻擋層103A是由Alo.4Gao.6As形成。在表面發(fā)射激光器裝置100A中，由于腔阻擋層105是由(Alo.7Gao.3)Q.5lno.5P形成，腔阻擋層103A的熱導(dǎo)率高于腔阻擋層105。(見圖6的弧線kl和k2)。因此，表面發(fā)射激光器裝置100A具有由關(guān)于有源層104不對稱的半導(dǎo)體材料形成的兩個腔阻擋層103A和105，且置于有源層104的基板101側(cè)上的腔阻擋層103A是由熱導(dǎo)率大于置于有源層104另一側(cè)上的腔阻擋層105的半導(dǎo)體材料形成。結(jié)果，可以將在有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量散逸到基板101側(cè)，使得表面發(fā)射激光器裝置100A具有改善的輸出特性。根據(jù)如圖5A至5H所示的工藝，制造該表面發(fā)射激光器裝置IOOA。這種情況下，可將腔阻擋層103視為腔阻擋層103A。在其他方面，第二實施例與第一實施例相同。圖8為根據(jù)本發(fā)明第三實施例的表面發(fā)射激光器裝置100B的示意性剖面視圖。參考圖8，表面發(fā)射激光器裝置100B與圖1所示的表面發(fā)射激光器裝置100不同之處僅在于，使用腔阻擋層103B替代表面發(fā)射激光器裝置100的腔阻擋層103。圖9為圖8所示的兩個反射層102和106、兩個腔阻擋層103B和105、以及有源層104的一部分的剖面^L圖。參考圖9,腔阻擋層103B包4舌阻擋層1031和1032。阻擋層1031形成為接觸反射層102,且阻擋層1032形成為接觸阻擋層1031和有源層104。阻擋層1031是由晶格匹配的Gao.5Ina5P形成，且阻擋層1032是由(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P形成。根據(jù)表面發(fā)射激光器裝置100B,與有源層104接觸的阻擋層1032是由(Ala7Gao.3)a5In0.5P形成于腔阻擋層103B中。因此，與表面發(fā)射激光器裝置100相比，表面發(fā)射激光器裝置100B的載流子限制程度更高，使得表面發(fā)射激光器裝置100B具有更高的輸出。根據(jù)如圖5A至5H所示的工藝，制造該表面發(fā)射激光器裝置IOOB。這種情況下，可將腔阻擋層103視為腔阻擋層103B。此外，在第三實施例中，可以使用如第一實施例所述的其他材料替代Gao.5ln。.5P和(AlQ.7Gao.3)o.5lno.5P。此外，腔阻擋層103B可具有三個以上的層。在其他方面，第三實施例與第一實施例相同。[第四實施例]圖IO為根據(jù)本發(fā)明第四實施例的表面發(fā)射激光器裝置IOOC的示意性剖面視圖。參考圖10，表面發(fā)射激光器裝置IOOC與圖l所示的表面發(fā)射激光器裝置100不同之處僅在于，分別使用腔阻擋層103C、有源層104a、腔阻擋層105A和反射層106A替代表面發(fā)射激光器裝置100的腔阻擋層103、有源層104、腔阻擋層105和反射層106。圖11為圖IO所示的反射層106A的剖面視圖。參考圖11,反射層106A與圖4所示反射層106的不同之處僅在于，使用低折射率層1061A替代反射層106的最底下的^^折射率層1061。低折射率層1061A是由(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P形成，并接觸腔阻擋層105A。此外，低折射率層1061A膜厚為d4,且d4+d6和d5+d6確定為4吏得反射層106A中4^蕩光的相位偏移為兀/2。圖12為圖10所示的兩個反射層102和106A、兩個腔阻擋層103C和105A、以及有源層104a的一部分的剖面視圖。參考圖12，腔阻擋層103C是由晶格匹配的(Al(uGao.8)o.5lno.5P形成。此外，有源層104a包括壘層104A，、104C，、104E，和104G，以及如第一實施例所述的阱層104B、104D和104F,其中該壘層104A，、104C，、104E，和104G，是由具有張應(yīng)變的Gao.6Ina4P形成。此外，腔阻擋層105A是由(Alo.2Gao.8)o.5lno.5P形成。如上所述，有源層104a的阱層104B、104D和104F是由GalnPAs形成，腔阻擋層105A是由(Al。.2Ga。.8)o.5lno.5P形成，以及接觸腔阻擋層105A的反射層106A的低折射率層1061A是由(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P形成。因此，低折射率層1061A將載流子限制在有源層104a中。結(jié)果，表面發(fā)射激光器裝置100C可具有高輸出。此外，接觸腔阻擋層103B的反射層102的低折射率層1021是由Al。.9Ga。.As形成。另夕卜，Alo.9Ga。.,As的熱導(dǎo)率大于(Alo.7Gao.3)o.sIno.5P,如圖6中弧線kl和k2所示。更具體而言，Alo.9GaaiAs(圖6中x=0.9)的熱導(dǎo)率為0.255W/Kcm(如圖6中弧線kl所示)，(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P(圖6中x=0.7)的熱導(dǎo)率為0.056W/Kcm。結(jié)果，Al09GaaiAs的熱導(dǎo)率約為(Al0.7Gao.3)a5Ino.5P的熱導(dǎo)率的五倍。結(jié)果，在表面發(fā)射激光器裝置100C中產(chǎn)生的熱量以置于基板101側(cè)上的反射層102為熱散逸路線而傳輸?shù)交?01,從而抑制有源層104a的溫度上升。因此，與上述載流子限制效應(yīng)相結(jié)合，表面發(fā)射激光器裝置IOOC可具有高輸出。因此，根據(jù)表面發(fā)射激光器裝置100C,形成反射層106A的低折射率層1061和1061A中置為最靠近有源層104a的低折射率層1061A是由(Ala7Ga。.3)o.5lna5P形成，以及形成反射層102的低折射率層1021中置為最靠近有源層104a的低折射率層1021是由熱導(dǎo)率大于(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P的Al0.9G^As形成。一般而言，(Alo.7Gao3)o.5lno.5P可以是(AleGa卜e)fln,.fP(0〈e《1,0《f《l)，且Al0.9Ga01As可以是AlxGa!《As(0<x<1)。因此，在表面發(fā)射激光器裝置100C中，形成反射層102的低折射率層1021中置為最靠近有源層104a的低折射率層1021是由Al^Ga^As形成，以及形成反射層106A的低折射率層1061和1061A中置為最靠近有源層104a的低折射率層1061A是由(Alo.7Gao.3)o.5ln。.5P形成。因此，表面發(fā)射激光器裝置100C具有關(guān)于有源層104a不對稱布置的半導(dǎo)體材料。有源層104a的阱層104B、104D和104F如上所述是由GalnPAs形成。然而在本發(fā)明中，阱層104B、104D和104F不限于此，且一般而言，阱層104B、104D和104F可以由除了GaP之外的(GaalnLa)bP!—bAs(0<a《1，(Kb《1)形成。此外，有源層104a的壘層104A，、104C，、104E，和104G，如上所述是由Ga。.6lno.4P形成。然而在本發(fā)明中，壘層104A，、104C，、104E，和104G，不限于此，且一般而言，壘層104A,、104C，、104E，和104G，可以由帶隙大于阱層104B、104D和104F的(GacIn,-c)dP,.dAs((Kc《1，0《d《l)形成。此外，在表面發(fā)射激光器裝置100C中，優(yōu)選地在反射層106A內(nèi)的低折射率層1061A及其相鄰的高折射率層1062之間提供由(AlojGao.9)o.5lno.sP形成的中間層。在AlGaAs系材料和AlGalnP系材料的異質(zhì)結(jié)中，AlGalnP系材料的高Al組分?jǐn)U大了價帶的不連續(xù)。然而，通過插入具有低Al組分的中間層，則可以減小價帶不連續(xù)，使得可以減小反射層106A的電阻。該中間層可包含As。腔阻擋層103C可形成第一腔阻擋層，腔阻擋層105A可形成第二腔阻擋層。此外，反射層106A可形成第二反射層。根據(jù)如圖5A至5H所示的工藝，制造該表面發(fā)射激光器裝置IOOC。這種情況下，可將腔阻擋層103、有源層104、腔阻擋層105以及反射層106分別視為腔阻擋層103C、有源層104a、腔阻擋層105A以及反射層106A。此外，根據(jù)第四實施例，最靠近腔區(qū)域的p側(cè)反射層106A的低折射率層1061A采用(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P,而n側(cè)反射層102的4氐折射率層1021采用Alo.9Ga。.，As。對于電子的限制是有效的寬帶隙(Al。.7Gao.3)。.5lno.5P可被摻雜。這種情況下，可以使用Zn或Mg作為摻雜劑。然而，Zn和Mg的擴散速率高于作為AlGaAs的摻雜劑的C。如果(八10.7000.3)().5111().5層如第一實施例那樣設(shè)于腔區(qū)域內(nèi)且該(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P層摻雜，則摻雜劑會擴散至有源層104并對有源層104產(chǎn)生負(fù)面影響。然而，根據(jù)第四實施例，由于(Alo.7Gao.3)。.5ln。.5P設(shè)于反射層106A內(nèi)，其更遠(yuǎn)離腔區(qū)域，因此摻雜劑擴散的負(fù)面影響降低。傳統(tǒng)上，腔區(qū)域和反射鏡的界面置于腔區(qū)域的上部內(nèi)AlGalnP系材料和AlGaAs系材料的界面處的場強度分布的波腹(antinode)處，且包含Al、In和P為主要成分的半導(dǎo)體層設(shè)于該腔區(qū)域的最頂部。因此，與包括包含A1、Ga和As為主要成分的半導(dǎo)體層的上反射鏡的界面置于場強度分布的波腹處，在此具有強的光學(xué)吸收效應(yīng)。然而，對于在包含A1、In和P為主要成分的半導(dǎo)體層上晶體生長包含A1、Ga和As為主要成分的半導(dǎo)體層的情形，可負(fù)fe發(fā)生例^口In帶出(carry-over)的In的分離，這種情況應(yīng)被抑制。在包含A1、In和P為主要成分的半導(dǎo)體層上晶體生長包含Al、Ga和As為主要成分的半導(dǎo)體層的情況下，這種問題顯著。另一方面，根據(jù)第四實施例的表面發(fā)射激光器裝置IOOC設(shè)計成使得最靠近腔區(qū)域的反射層106A的低折射率層1061A為(Alo.7Ga。.3)。.5ln。.5P,從而將包含A1、In和P為主要成分的半導(dǎo)體層與包含Al、Ga和As為主要成分的半導(dǎo)體層(上反射層106A的一部分)的界面置于場強度分布的節(jié)點，由此顯著減小在該界面的光學(xué)吸收的效應(yīng)。因此，即使存在一定程度的In分離，仍可以顯著抑制閾值增大的負(fù)面效應(yīng)。此外，優(yōu)選地通過在包含A1、In和P為主要成分的半導(dǎo)體層與包含Al、Ga和As為主要成分的半導(dǎo)體層(上反射層106A的一部分)之間提供薄的In分離防止層，以減小In分離。對于堆疊AlyGai-yAs(0《y<x《1)高折射率層和(AlaGai-a)bIiM-bP(0<a《l，0<b<1)低折射率層的情形，Al組分小于(AlaGa卜a)bln.bP(0<a"，(Kb《1)的(Ala!Ga!一aOwIn,.bjP((Kal《1,0《bl《l)中間層(In分離防止層)可設(shè)于其界面。對于在(AlaGaLa)bIn卜bP(0<a<1,CKb《1)低折射率層上堆疊AlyGa,yVs((Ky<x《l)高折射率層的情形，在其間插置低Al組分的中間層減小了在其界面的A1組分。因此，可以在更寬的條件范圍下容易地在(AlaGa,—a)bln,-bP(0<a<l,0《b<1)j氐折射率層上形成AlyGai.yAs(0《y<x《1)高4斤射率層。此外，在AlGaAs系材料和AlGalnP系材料的異質(zhì)結(jié)中，AlGalnP系材料的高Al組分?jǐn)U大了價帶的不連續(xù)。然而，通過插入具有低Al組分的中間層，則可以減小價帶不連續(xù)，使得可以減小沿層堆疊方向施加電流時的電阻。在其他方面，第四實施例與第一實施例相同。圖13為根據(jù)本發(fā)明第五實施例的表面發(fā)射激光器裝置100D的示意性剖面視圖。參考圖13，表面發(fā)射激光器裝置100D與圖1所示的表面發(fā)射激光器裝置100不同之處僅在于，使用反射層102A替代表面發(fā)射激光器裝置100的反射層102。反射層102A形成為接觸基板101和腔阻擋層103。根據(jù)第五實施例，臺的蝕刻底部形成為比選擇性氧化層107深，但是未達(dá)到反射層102A。圖14為圖13所示的反射層102A的剖面視圖。參考圖14，反射層102A與圖3所示反射層102的不同之處僅在于，使用低折射率層1021A替代反射層102的低折射率層1021。低折射率層1021A是由AlAs形成。在AlGaAs體系中，AlAs具有最高的熱導(dǎo)率(=0.91W/Kcm)。(見圖6的弧線kl)。AlAs的熱導(dǎo)率為Al。.9GaaiAs的3.5倍以上。因此，通過由AlAs形成置于有源層104的基板101側(cè)上的反射層102A的低折射率層1021A,可以通過反射層102A將有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量傳輸?shù)交錓OI,由此抑制有源層104內(nèi)的溫度上升。結(jié)果，表面發(fā)射激光器裝置IOOD具有良好溫度特性和高輸出。根據(jù)如圖5A至5H所示的工藝，制造該表面發(fā)射激光器裝置IOOD。這種情況下，可將反射層102視為反射層102A。然而，由于表面發(fā)射激光器裝置100D的低折射率層1021A是由AlAs形成，存在這樣的顧慮，即，蝕刻會達(dá)到與反射層102A的一個或多個低折射率層1021A(=AlAs)—樣的深度，從而在通過干法蝕刻形成臺形狀時露出低折射率層1021A的邊緣部分。然而，在表面發(fā)射激光器裝置100D的腔阻擋層103和105以及有源層104的區(qū)域中使用AlGalnP系材料，且由于In氯化物的蒸氣壓低，包含In的材料的干法蝕刻速率低于由AlGaAs系材料形成的半導(dǎo)體分布式布拉格反射器(反射層102A和106)的干法蝕刻速率。也就是說，視蝕刻條件而定，由腔阻擋層103和105以及有源層104形成的腔區(qū)域可以作為蝕刻停止層。可以蝕刻該選4奪性氧化層107且也可以防止蝕刻深度達(dá)到反射層102A。由此，使用卣素氣體通過干法蝕刻來蝕刻有源層104、腔阻擋層105、反射層106、選擇性氧化層107以及接觸層108的外圍部分。因此，通過使用卣素氣體來進(jìn)行干法蝕刻，可以降低腔阻擋層103、有源層104以及腔阻擋層105的區(qū)域內(nèi)的蝕刻速率，使得可以在形成于反射層102A上側(cè)上的腔阻擋層103、有源層104以及腔阻擋層105的區(qū)域內(nèi)停止蝕刻。此外，在蝕刻時，還可以通過使用等離子體發(fā)射光譜儀獲得In的光發(fā)射(45lnm)和Al的光發(fā)射(396腿)的比例并監(jiān)視該比例隨時間的變化,由此在形成于反射層102A上側(cè)上的腔阻擋層103與105以及有源層104的區(qū)i或內(nèi)4亭止蝕刻。根據(jù)第五實施例的表面發(fā)射激光器裝置100D可以是將反射層102A應(yīng)用于表面發(fā)射激光器裝置IOOA、IOOB或IOOC。反射層102A可以形成第一反射層。在其他方面，第五實施例與第一至第四實施例相同。[第六實施例]圖15為根據(jù)本發(fā)明第六實施例的表面發(fā)射激光器裝置1OOE的示意性剖面視圖。參考圖15，表面發(fā)射激光器裝置IOOE與圖IO所示的表面發(fā)射激光器裝置100C不同之處僅在于，使用反射層102A替代表面發(fā)射激光器裝置100C的反射層102。反射層102A如圖14所示。根據(jù)表面發(fā)射激光器裝置100E,最靠近腔區(qū)域(由腔阻擋層103C、有源層104a及腔阻擋層105A形成的區(qū)域)的p側(cè)反射層106A的低折射率層1061A是由p-(Alo.7Ga。.3)o.5lno.5P形成，而n側(cè)反射層102A的低折射率層1021A是由AlAs形成。對于電子的限制是有效的寬帶隙半導(dǎo)體材料(Al。.7Ga。.3)。.5ln。.5P可被摻雜。這種情況下，可以使用Zn或Mg作為摻雜劑。然而，Zn和Mg的擴散速率高于作為AlGaAs的摻雜劑的C。如果(Ala7Gao.3)().5Ino.5P層如第一實施例的表面發(fā)射激光器裝置100那樣設(shè)于腔區(qū)域(腔阻擋層103、有源層104和腔阻擋層105形成的區(qū)域)內(nèi)，且該(Al07Ga0.3)0.5In0.5P層摻入Zn或Mg，則Zn或Mg會擴散至有源層104并對有源層104產(chǎn)生負(fù)面影響。然而，根據(jù)第六實施例，由于由Zn或Mg^J參雜的p-(Alo.7Gao.3)。.5Ina5P形成的1氐折射率層1061A(圖11)設(shè)于反射層106A內(nèi)，其更遠(yuǎn)離腔區(qū)域(腔阻擋層103C、有源層104a和腔阻擋層105A形成的區(qū)域)，因此Zn或Mg擴散到有源層104a內(nèi)的負(fù)面影響降低。此外，在AlGaAs體系中，AlAs具有最高的熱導(dǎo)率(=0.91W/Kcm)，且AlAs的熱導(dǎo)率為Alo.9Ga(uAs的3.5倍以上。因此，通過由AlAs形成置于有源層104a的基板101側(cè)上的反射層102A的低折射率層1021A,可以通過反射層102A將有源層104a內(nèi)產(chǎn)生的熱量有效地傳輸?shù)交?01，由此抑制有源層104a的溫度上升。結(jié)果，表面發(fā)射激光器裝置IOOE具有良好溫度特性和高輸出。[第七實施例]圖16為根據(jù)本發(fā)明第七實施例的表面發(fā)射激光器裝置IOOF的示意性剖面視圖。參考圖16,表面發(fā)射激光器裝置IOOF與圖1所示的表面發(fā)射激光器裝置100不同之處僅在于，使用反射層102B替代表面發(fā)射激光器裝置100的反射層102。反射層102B包括反射部102B1和102B2。反射部102B1形成為接觸基板101,反射部102B2形成為接觸反射部102B1和腔阻擋層103。圖17為圖16所示的反射層102B的剖面視圖。參考圖17,反射部102B1為31個周期的低折射率層1021A、高折射率層1022和組分漸變層1023的層疊。低折射率層1021A、高折射率層1022和組分漸變層1023如上所述。也就是說，反射部102B1具有與第五實施例所迷反射層102A相同的組分，僅僅是堆疊層的數(shù)目不同。反射部102B2為9.5個周期的低折射率層1021、高折射率層1022和組分漸變層1023的層疊。4氐折射率層1021、高折射率層1022和組分漸變層1023如上所述。也就是說，反射部102B2具有與第一實施例所述反射層102相同的組分，僅僅是堆疊層的數(shù)目不同。在表面發(fā)射激光器裝置100F中，具有由高熱導(dǎo)率AlAs形成的低折射率層1021A的反射部102B1形成為接觸基板101，且具有蝕刻速率低于AlAs的Alo.9Gao.,As的反射部102B2設(shè)于反射部102B1的上側(cè)上。因此，在制造表面發(fā)射激光器裝置100F的工藝中形成臺形狀時，可以防止蝕刻深度到達(dá)反射部102Bl，使得與表面發(fā)射激光器裝置IOOD相比可以更容易地制造表面發(fā)射激光器裝置IOOF。此外，可以通過反射部102B1將有源層104內(nèi)產(chǎn)生的熱量傳輸?shù)交?01,使得可以防止有源層104的溫度上升。結(jié)果，表面發(fā)射激光器裝置100F可具有高輸出。'根據(jù)如圖5A至5H所示的工藝，制造該表面發(fā)射激光器裝置100F。這種情況下，可將反射層102視為反射層102B。根據(jù)第七實施例的表面發(fā)射激光器裝置IOOF可以是將反射層102B應(yīng)用于表面發(fā)射激光器裝置IOOA、IOOB、IOOC、100D或IOOE。反射層102B可以形成第一反射層。在其他方面，第七實施例與第一至第六實施例相同。圖18為根據(jù)本發(fā)明第八實施例的使用圖1所示表面發(fā)射激光器裝置100的表面發(fā)射激光器陣列200的平面視圖。參考圖18，表面發(fā)射激光器陣列200包括表面發(fā)射激光器裝置201至210以及電極焊墊211至220。各個表面發(fā)射激光器裝置201至210是由圖1所示的表面發(fā)射激光器裝置l.OO形成。表面發(fā)射激光器裝置201至210—維地布置。分別與表面發(fā)射激光器裝置201至210相對應(yīng)地提供電極焊墊211至220。由于表面發(fā)射激光器裝置100為表面發(fā)射類型，表面發(fā)射激光器裝置100可以容易地以高的裝置位置精度布置成陣列。此外，表面發(fā)射激光器裝置IOO具有如上所述的改善的熱散逸特性。因此，與常規(guī)表面發(fā)射激光器陣列相比，表面發(fā)射激光器陣列200可以縮小裝置間隔而實現(xiàn)高的裝置密度。結(jié)果，可以獲得增加數(shù)目的芯片，使得可以降低成本。此外，當(dāng)應(yīng)用于寫光學(xué)系統(tǒng)時，將能夠進(jìn)行高輸出工作的多個表面發(fā)射激光器裝置IOO集成在同一基板上有利于使用多光束的同時寫入，從而顯著提高寫入速率，由此可以進(jìn)行打印而不降低打印速率，即使是寫入點密度增加。如果寫入點密度保持相同，則可以提高打印速率。此外，在通信應(yīng)用中，可以使用多光束同時進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，使得可以進(jìn)行高速度通信。另外，表面發(fā)射激光器裝置IOO以低功耗工作，且具體而言，在結(jié)合到及用于設(shè)備中時可以降低溫度上升。在表面發(fā)射激光器陣列200中，各個表面發(fā)射激光器裝置201至210還可以由表面發(fā)射激光器裝置IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、IOOE和IOOF中任意一種形成。此外，表面發(fā)射激光器陣列200還可以將多個表面發(fā)射激光器裝置二維地布置。圖19為根據(jù)本發(fā)明第九實施例的成像設(shè)備300的示意性圖示。參考圖19，成像設(shè)備300包括表面發(fā)射激光器陣列301、透鏡302和304、多角鏡303以及感光體305。表面發(fā)射激光器陣列301發(fā)射多個光束。透鏡302將從表面發(fā)射激光器陣列301發(fā)射的光束引導(dǎo)至多角鏡303。多角鏡303按預(yù)定速度順時針旋轉(zhuǎn)，從而使從透鏡302接收的該多個光束沿主掃描方向及子掃描方向掃描，并將光束引導(dǎo)至透鏡304。透鏡304將從多角鏡303反射的光束引導(dǎo)至感光體305。因此，根據(jù)成像設(shè)備300，通過使多角鏡303以高速旋轉(zhuǎn)并調(diào)整點位置的照明時間，使用由透鏡302和304以及多角鏡303形成的同一光學(xué)系統(tǒng)，將來自表面發(fā)射激光器陣列301的多個光束聚焦成作為掃描表面的感光體305上沿子掃描方向分離的多個光點。圖20為圖19所示的表面發(fā)射激光器陣列301的平面視圖。參考圖20,表面發(fā)射激光器陣列301具有基本上布置成菱形的mxn個表面發(fā)射激光器裝置3011。更具體而言，表面發(fā)射激光器陣列301具有布置成四(m=4)行(水平陣列)和十(n=10)列(垂直陣列)的40個表面發(fā)射激光器裝置3011。各個表面發(fā)射激光器裝置3011是由表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、100E和100F中任意一種形成。設(shè)各垂直相鄰的兩個表面發(fā)射激光器裝置3011之間的間隔(距離)為d,記錄密度是由d/n確定。因此，在表面發(fā)射激光器陣列301中，考慮記錄密度來確定沿主掃描方向的間隔d和陣列(線)數(shù)目n。對于圖20的情形，40個表面發(fā)射激光器裝置3011沿子掃描方向以40)im的間隔d且沿主掃描方向以40pm的間隔布置，使得表面發(fā)射激光器裝置3011的列(垂直陣列)沿子掃描方向分別連續(xù)偏移4pm。通過控制該40個表面發(fā)射激光器裝置3011的照明時間，可以在感光體305上沿子掃描方向以規(guī)則間隔寫入40個點。如果光學(xué)系統(tǒng)的功率不變，則沿子掃描方向的表面發(fā)射激光器陣列301的間隔d越窄時，寫入密度可以更高。由于表面發(fā)射激光器裝置3011是由表面發(fā)射激光器裝置100、100A、100B、100C、IOOD、100E和100F中任意一種形成，表面發(fā)射激光器裝置3011可以高密度地布置于表面發(fā)射激光器陣列301內(nèi)。結(jié)果，可以在成像設(shè)備300內(nèi)進(jìn)行高密度寫入。另外，由于40個點是同時可寫入的，因此可以進(jìn)行高速打印。此外，通過提高陣列的數(shù)目，可以進(jìn)一步提高打印速率。此外，由于各個表面發(fā)射激光器裝置3011的輸出高于常規(guī)的表面發(fā)射激光器裝置，因此打印速率可以高于形成許多常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置的陣列的情形。各個表面發(fā)射激光器陣列200和301以及表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、100E和100F還可以安裝在光學(xué)拾取單元上。結(jié)果，可以使用表面發(fā)射激光器陣列200和301以及表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、100E和100F作為光源，用于將數(shù)據(jù)記錄在光盤上與/或從光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)。圖21為根據(jù)本發(fā)明第十實施例的光學(xué)發(fā)送器模塊400的示意性圖示。參考圖21,光學(xué)發(fā)送器模塊400包括表面發(fā)射激光器陣列401和光纖402。表面發(fā)射激光器陣列401具有一維布置的多個表面發(fā)射激光器裝置，該表面發(fā)射激光器裝置可以是表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、IOOE或IOOF。光纖402包括多條塑料光纖(POF)。該多條塑料光纖與表面發(fā)射激光器陣列401的多個表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、IOOE或IOOF相對應(yīng)地布置。在光學(xué)發(fā)送器模塊400中，從各個表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、100E或100F發(fā)射的激光被傳送到相應(yīng)的塑料光纖。丙烯酸塑料光纖吸收損耗的底部位于650nm,且650nm表面發(fā)射激光器裝置已經(jīng)凈皮研究，這種表面發(fā)射激光器裝置由于不良的高溫特性而未4皮投入實用。已經(jīng)使用LED(發(fā)光二極管)作為光源，但是難以高速地調(diào)制LED。需要半導(dǎo)體激光器以實現(xiàn)比iGbps快的高速傳輸。上述的表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、IOOE和100F具有780nm的振蕩波長，但是具有改善的熱散逸特性、高輸出、以及出色的高溫特性。盡管光纖的吸收損耗增大，但是如果距離短，則傳輸是可在光學(xué)通信領(lǐng)域，已經(jīng)嘗試了使用集成多個半導(dǎo)體激光器的激光器陣列的并行傳輸，從而同時傳輸更多數(shù)據(jù)。因此，可以進(jìn)行高速并行傳輸，使得可以同時傳輸比常規(guī)更多的數(shù)據(jù)。在光學(xué)發(fā)送器才莫塊400中，表面發(fā)射激光器裝置100、100A、100B、100C、IOOD、IOOE或IOOF與塑料光纖是——對應(yīng)地設(shè)置。另一方面，通過將具有不同振蕩波長的多個表面發(fā)射激光器裝置布置成一維或二維陣列來進(jìn)行波長復(fù)用傳輸，則可以進(jìn)一步提高傳輸速率。此外，通過將表面發(fā)射激光器裝置100、100A、100B、100C、100D、100E或100F與不昂貴的POF結(jié)合，則可以低成本地形成光學(xué)發(fā)送器模塊400,而且通過在光學(xué)通信系統(tǒng)中使用低成本的光學(xué)發(fā)送器才莫塊400，則可以低成本地實現(xiàn)該光學(xué)通信系統(tǒng)。由于成本極低，光學(xué)發(fā)送器模塊400及使用其的光學(xué)通信系統(tǒng)在住宅內(nèi)、辦公室內(nèi)、以及設(shè)備內(nèi)部的短距離數(shù)據(jù)通信方面是有效的。圖22為根據(jù)本發(fā)明第十一實施例的光學(xué)收發(fā)器模塊500的示意性圖示。參考圖22，光學(xué)收發(fā)器模塊500包括表面發(fā)射激光器裝置501、光纖502和光接收元件503。表面發(fā)射激光器裝置501是由表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、IOOE和100F中任意一種形成，并將780nm的激光LB1發(fā)射到光纖502。光纖502是由塑料光纖形成。光纖502接收來自表面發(fā)射激光器裝置501的激光LB1，并將接收到的激光LB1發(fā)送到接收器模塊(未圖示)。此外，光纖502發(fā)送從另一發(fā)送器模塊(未圖示)接收的激光，并將激光LB2發(fā)射到光接收元件503。光接收元件503接收來自光纖502的激光LB2，并將接收到的激光LB2轉(zhuǎn)換成電信號。因此，收發(fā)器^)t塊500發(fā)射激光LB1并通過光纖502傳輸激光LB1，接收來自另一發(fā)送器模塊的激光LB2并將接收到的激光LB2轉(zhuǎn)換成電信號。由于發(fā)送器模塊500是使用表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、100E或100F以及不昂貴的塑料光纖制造，因此可以低成本地實現(xiàn)光學(xué)通信系統(tǒng)。此外，由于光學(xué)502具有大的直徑，表面發(fā)射激光器裝置501和光纖502可以容易地耦合，使得可以降低安裝成本。結(jié)果，可以實現(xiàn)極低成本的光學(xué)收發(fā)器模塊。此外，表面發(fā)射激光器裝置501(=表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、IOOE或100F)具有改善的熱散逸特性、高輸出和出色的高溫特性，表面發(fā)射激光器裝置501可以一直用到高溫而無需冷卻，且可以以更低的成本實現(xiàn)光學(xué)收發(fā)器模塊。使用上述表面發(fā)射激光器裝置100、IOOA、IOOB、IOOC、IOOD、100E或100F的光學(xué)通信系統(tǒng)可以用做光學(xué)互聯(lián)，特別是用于如下所述的短距離通信，例如使用光纖的LAN(局域網(wǎng))計算機的設(shè)備之間的傳輸，以及設(shè)備內(nèi)電路板之間、電路板上的LSI之間、以及LSI內(nèi)的裝置之間的數(shù)據(jù)傳輸。近年來，LSI的處理性能已經(jīng)改善，且未來速率將由LSI連接處的傳輸速率決定。通過將系統(tǒng)內(nèi)的信號連接從常規(guī)電連接改變?yōu)楣鈱W(xué)連接，例如通過使用光學(xué)發(fā)送器模塊400或光學(xué)收發(fā)器模塊500來連接計算機系統(tǒng)內(nèi)的電路板、電路板上的LSI、以及LSI內(nèi)的裝置，則可以實現(xiàn)非常高速的計算機系統(tǒng)。此外，通過使用光學(xué)發(fā)送器模塊400或光學(xué)收發(fā)器模塊500連接多個計算機系統(tǒng)，可以構(gòu)建非常高速的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。具體而言，由于表面發(fā)射激光器與邊發(fā)射激光器相比功耗明顯更低且明顯更容易布置成二維陣列，因此表面發(fā)射激光器適于并行傳輸光學(xué)通信系統(tǒng)。圖23為根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的表面發(fā)射激光器裝置2100的示意性剖面視圖。參考圖23，表面發(fā)射激光器裝置2100包括基板2101、反射層2102，2103，2107及2108、腔阻擋層2104和2106、有源層2105、選擇性氧化層2109、接觸層2110、Si02層21U、絕緣樹脂2112、p側(cè)電極2113、以及n側(cè)電極2114。表面發(fā)射激光器裝置2100為780nm波段的表面發(fā)射激光器裝置?；?101由(100)n型砷化鎵(n-GaAs)形成，其表面取向朝(111)A面的方向傾斜了15度的傾斜角。反射層2102是由35.5個周期的[n-Al0.95Ga0.05As/n-Al0.35Gao.65As〗形成，其中以一對n-Al095GaO05As/n-Alo.35Gao.65As為1個周期，且形成于基板2101的主面上。i殳表面發(fā)射;敫光器裝置2100的振蕩波長為？i,則各個n-Al0.95Gao.o5As和n-Al0.35Gaa65As的膜厚為X/4n(其中n為各個半導(dǎo)體層的折射率)。反射層2103是由AlGalnP系材料形成為接觸反射層2102。腔阻擋層2104是由(Al(uGao.9)o.5lno.5P形成為接觸反射層2103。有源層2105是由3個周期的[Gao.6Ina2P0.2ASa6/(AlaiGaa9)a5In0.5P]形成，其中以一對Ga0.6In。.2P。.2Asa6/(A1Q.,Gao.9)o.5Ina5P為1個周期，且形成為接觸腔阻擋層2104。月空阻擋層2106是由(Al(uGao.9)o.5lno.sP形成，接觸有源層2105。反射層2107是由AlGalnP系材料形成為接觸腔阻擋層2106。反射層2108是由29.5個周期的[p-Alo.95Ga,As/p-Alo.35Gao.65As]形成，其中以一對p-Ala95Gao.05As/p-Ala35Ga0.65As為1個周期，且形成于反射層2107上。各個p-Al0.95Ga,As和p-Alo.35Gao.65As的膜厚為X/4n(n為各個半導(dǎo)體層的折射率)。選擇性氧化層2109是由p-AlAs形成并設(shè)于反射層2108內(nèi)。選4奪性氧化層2109包括未氧化區(qū)域2109a和氧化區(qū)域2109b,且膜厚為20nm。接觸層2110是由p-GaAs形成于反射層2108上。Si02層2111形成為覆蓋反射層2103的主面的一部分以及腔阻擋層2104、有源層2105、腔阻擋層2106、反射層2107和2108、選擇性氧化層2109和接觸層2110的側(cè)表面。絕緣樹脂2112形成為接觸Si02層2111。p側(cè)電極2113形成于接觸層2110—部分以及絕緣樹脂2112上。n側(cè)電極2114形成于基板2101的底側(cè)上。各個反射層2102、2103、2107和2108形成半導(dǎo)體分布式布拉格反射器，其通過多次布拉格反射而反射在有源層2105內(nèi)振蕩的振蕩光，從而將振蕩光限制在有源層2105內(nèi)。氧化區(qū)域2109b的折射率低于未氧化區(qū)域2109a。氧化區(qū)域2109b形成電流限制部，將從p側(cè)電極2113注入的電流流到有源層2105的路徑限制在該未氧化區(qū)域2109a，并將在有源層2105內(nèi)振蕩的振蕩光限制在該未氧化區(qū)域2109a內(nèi)。由此，該表面發(fā)射激光器裝置2100可以低閾值電流地振蕩。圖24為圖23所示的四個反射層2102,2103,2107和2108、兩個腔阻擋層2104和2106、以及有源層2105的一部分的剖面視圖。參考圖24,有源層2105包括阱層2105A、2105C和2105E以及壘層2105B和2105D。各48層阱層2105A、2105C和2105E是由Gao.8lno.2Po.2Aso.8形成，各層壘層2105B和2105D是由(Alo.Gao.9)o.5lna5P形成。因此，有源層2105是由三層阱層和兩層壘層形成。阱層2105A接觸腔阻擋層2104,阱層2105E接觸腔阻擋層2106。反射層2102是由交替堆疊的低折射率層21021和高折射率層21022形成。低折射率層21021是由n-Alo.95Gaao5As形成，高折射率層21022是由n-Alo.35Ga。.65As形成。最底下的一層低折射率層210214妄觸基板2101。反射層2103是由低折射率層21031和高折射率層21032形成。低折射率層21031是由n-(Al0.7Gaa3)a5In0.5P形成，高折射率層21032是由n-(AlMGao.9)o.5lno.5P形成。高折射率層21032(=n-(Al(MGaa9)o.5lno.5P)形成為接觸反射層2102的最頂上的一層低折射率層21021(=n-Ala95Ga。.Q5As)。低折射率層21031(=n-(Al07Ga0.3)0.5In0.5P)形成為接觸腔阻擋層2104(=(Al(uGao.9)。.5lno.5P)。反射層2107是由低折射率層21071和高折射率層21072形成。低折射率層21071是由p-(Ala7Gaa3)a5Ino.5P形成，高折射率層21072是由p-(Al。.,Gao.9)o.5lno.5P形成。反射層2108是由交替堆疊的低折射率層21081和高折射率層21082形成。低折射率層21081是由p-Alo.95Gao.Q5As形成，高折射率層21082是由p-Alo.35GaQ.65As形成。最頂上的一層高折射率層21082接觸接觸層2110。反射層2107內(nèi)的高折射率層21072(=p-(Al0lGa09)0.5In0.5P)形成為接觸反射層2108的最底下的一層低折射率層21081(=p-Ala95Gao.G5As)。反射層2107內(nèi)的低折射率層21071(=p-(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P)形成為接觸腔阻擋層2106(=(Alo.!Ga。.9)o.5lno.5P)。在表面發(fā)射激光器裝置2100中，腔阻擋層2104和2106以及有源層2105形成腔(諧振腔)，腔的長度為一個波長(=人)。圖25為圖24所示的兩個反射層2102和2108、兩個反射層2103和2107、以及腔(=腔阻擋層2104和2106以及有源層2105)的一部分的能帶圖。此外，圖26為示出鋁(Al)組分比例x與勢能之間的關(guān)系的曲線圖。在圖26,垂直軸代表勢能，水平軸代表Al組分比例x?；【€kll示出勢能和AlxGa,.xAs(0《x《1)的Al組分比例x之間的關(guān)系，弧線k12示出勢能和(AlxGa卜x)o.5lno.sP(0《x《1)之間的關(guān)系。參考圖25,反射層2103的低折射率層21031是由n-(Al0.7Gao.3)0.5In0.5P形成，反射層2107的低折射率層21071是由p-(Al。.7Gao.3)a5lna5P形成，有源層2105的各層阱層2105A、2105C和2105E是由Gao.8In0.2Pa2Aso.8形成，且有源層2105的各層壘層2105B和2105D是由(Al(uGao.9)o.5lno.5P形成。結(jié)果，腔的導(dǎo)帶的勢能約為0.22eV,各個低折射率層21031和21071的導(dǎo)帶的勢能約為0.38eV，使得其間存在0.16eV的差值。此外，各個由n-(Alo.,Gao.9)o.5lno.5P形成的高折射率層21032和由p-(Alo.,Ga().9)a5lna5P形成的高折射率層21072具有約-1.75eV的價帶勢能。(見圖26的弧線kl2)。此外，各個由n-Alo.95Gao.o5As形成的低折射率層21021和由p-Al。.95Ga,As形成的低折射率層21081具有約-1.84eV的價帶勢能。(見圖26的弧線kl1)。因此，其間存在-0.09eV的能量差值。圖27A和27B分別為常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置的腔和反射層的能帶圖。參考圖27A，在常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置2200中，腔是由Ga0.5Ina5P(—般而言，AlGalnP系材料)形成，低折射率層2200al(高Al結(jié)構(gòu))是由Al0.95Ga0.05As(—般而言，AlGaAs系材料)形成。結(jié)果，在表面發(fā)射激光器裝置2200中，腔的導(dǎo)帶的勢能約為0.22eV,各個低折射率層2200al的勢能約為0.30eV,使得其間存在0.08eV的能量差值。在圖27A中，參考數(shù)字2200a2表示高折射率層(低A1結(jié)構(gòu))。此外，參考圖27B,在常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置2200A中，腔是由Ga0.5In0.5P(一般而言,AlGalnP系材料)形成，低折射率層2200Abl(高Al組分)是由(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P(—般而言，AlGalnP系材料)形成，且高折射率層2200Ab2(低A1組分)是由Al0.35Ga065As(一般而言，AlGaAs系材料)形成。結(jié)果，各個低折射率層2200Abl的價帶的勢能約為-1.94eV,各個高折射率層2200Ab2的價帶的勢能約為-1.57eV,使得其間存在-0.37eV的能量差值。在圖27B中，參考數(shù)字2200Ab3表示低折射率層(高Al組分)。因此，根據(jù)本實施例的表面發(fā)射激光器裝置2100的腔與各個反射層2103及2107界面處的導(dǎo)帶之間的能量差值可以大于常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置2200。此外，表面發(fā)射激光器裝置2100的低折射率層21031和高折射率層21032之間的能量差值可以小于常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置2200A。結(jié)果，在表面發(fā)射激光器裝置2100中，可以將更多載流子限制在有源層2105內(nèi)并使反射層2103和2107的電阻顯著低于常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置，從而可以獲得高輸出。此外，反射層2103的高折射率層21032是由n-(AlojGao.9)o.5lno.5P形成，且反射層2102的低折射率層21021是由n-Ala95Ga。.05As形成。因此，含P材料/含As材料結(jié)界面21023(圖25)形成于反射層2103的高折射率層21032與反射層2102的最頂上低折射率層21021的界面。此外，反射層2017的高折射率層21072是由p-(AlaiGao.9)a5Ina5P形成，且反射層2108的低折射率層21081是由p-Ala95Gao.05As形成。因此，含P材料/含As材料結(jié)界面21083(圖25)形成于反射層2017的高折射率層21072與反射層2108的最底下的低折射率層21081的界面。另一方面，含P材料/含As材料結(jié)界面存在于常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置2200中腔與各個低折射率層2200al的界面，以及常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置2200A中各個低折射率層2200Abl與其相鄰的高折射率層2200Ab2的界面。因此，在表面發(fā)射激光器裝置2100中，與常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置2200及2200A相比，含P材料/含As材料結(jié)界面21023和21083置為更遠(yuǎn)離有源層2105。結(jié)果，表面發(fā)射激光器裝置2100可具有更長的使用壽命。反射層2103的[低折射率層21031/高折射率層21032]對的數(shù)目以及反射層2107的[低折射率層21081/高折射率層21082]對的數(shù)目不限于一個，可以是兩個以上。圖28為示出熱導(dǎo)率與Al組分比例x之間的關(guān)系的曲線圖。在圖28中，垂直軸表示熱導(dǎo)率，水平軸表示Al組分比例x。此外，弧線k3示出了熱導(dǎo)率與AlxGa,-xAs(0《x《1)中Al組分比例x之間的關(guān)系，弧線k4示出了熱導(dǎo)率與(AlxGa卜x)o.5ln。.5P((Kx《1)中Al組分比例x之間的關(guān)系。對于反射層2103和2107采用(AlxGa,-x)o.5ln。.5P((Kx《1)的情形，反射層2103和2107的熱導(dǎo)率低于其采用AlxGai.xAs系材料((Kx《I)的情形。(見弧線k3和k4)。因此，考慮到熱散逸特性，反射層2103的[J氐折射率層21031/高折射率層21032]對的數(shù)目以及反射層2107的[低折射率層21071/高折射率層21072]對的數(shù)目被確定為盡可能小。圖29A至29H為示出圖23所示的表面發(fā)射激光器裝置2100的制造方法的圖示。參考圖29A，當(dāng)一系列操作開始時，反射層2102和2103、腔阻擋層2104、有源層2105、腔阻擋層2106、反射層2107和2108、將用估文選4奪性氧化層2109的p-AlAs層、以及接觸層2110使用MOCVD(金屬有機物化學(xué)氣相沉積)連續(xù)堆疊在基板2101上。這種情況下，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、砷烷(AsH3)和硒化氫(H2Se)為材料形成反射層2102的n-Al0.95Gao.05As和n-Al0.35Ga,As,并以三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)、磷烷(PH3)和硒化氫(H2Se)為材料形成n-(Alo.7Gao.3)o.5In。.5P和n-(Al(uGao.9)o.5lno.5P。此外，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、三甲基銦(TMI)和磷烷(PH3)為材料形成腔阻擋層2104的(Alo.7Ga。.3)o.5lno.5P。此外，使用三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)、磷烷(PH3)和砷烷(AsH3)為材料形成有源層2105的Ga0.8In0.2P0.2As0.8,并以三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、三甲基銦(TMI)和磷烷(PH3)為材料形成有源層2105的(Alo.,Gao.9)o.5ln。.5P。此外，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、三甲基銦(TMI)和磷烷(PH3)為材料形成腔阻擋層2106的(Alo.7Gaa3)o.5lno.5P。此外，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、三曱基銦(TMI)、砷烷(AsH3)和四溴化碳(CBr4)為材料形成反射層2107的p-(Alo.7Gao.3)o.5lno.5P和p-(Ala,Gaa9)o.5lno.5P?？梢允褂枚趸\(DMZn)替代四溴化碳(CBr4)。此外，使用三曱基鋁(TMA)、三曱基鎵(TMG)、砷烷(AsH3)和四澳化碳(CBr4)為材料形成反射層2108的p-Al,Gao.Q5As和p-AlQ.35Gao.65As。這種情況下，也可以使用二甲基鋅(DMZn)替代四溴化碳(CBr4)。此外，使用三曱基鋁(TMA)、砷烷(AsH3)和四溴化碳(CBr4)為材料形成選擇性氧化層2109的p-AlAs，以及使用三甲基鋁(TMA)、砷烷(AsH3)和四溴化碳(CBr4)為材料形成接觸層2110的p-GaAs。這種情況下，也可以使用二甲基鋅(DMZn)替代四溴化碳(CBr4)。隨后，抗蝕劑應(yīng)用在接觸層2110上，且使用光學(xué)^U成工藝在接觸層2110上形成抗蝕劑圖案2120,如圖29B所示。一旦形成抗蝕劑圖案2120，使用所形成的抗蝕劑圖案2120為掩模，通過干法蝕刻除去腔阻擋層2104、有源層2105、腔阻擋層2106、反射層2107和2108、將用做選擇性氧化層2109的p-AlAs層、以及接觸層2110的外圍部分，且隨后除去抗蝕劑圖案2120，如圖29C所示。才艮據(jù)RIBE(反應(yīng)離子光束蝕刻)、ICP(感應(yīng)耦合等離子體)蝕刻、或者RIE(反應(yīng)離子蝕刻)，通過引入基于卣素的氣體例如Cl2、BCl3或SiCl4并使用等離子體，由此進(jìn)行該干法蝕刻。在表面發(fā)射激光器裝置2100的反射層2103和2107、腔阻擋層2104和2106以及有源層2105的區(qū)域中，使用了AlGalnP系材料。由于In氯化物的蒸氣壓低，包含In的材料的干法蝕刻速率低于由AlGaAs系材料形成的半導(dǎo)體分布式布拉格反射器(反射層2102和2108)的干法蝕刻速率。也就是i兌，視蝕刻條件而定，由腔阻擋層2104和2106以及有源層2105形成的力空區(qū)&戈可以作為蝕刻停止層。因此，可以吸收不同批次的蝕刻速率的變化以及蝕刻速率的面內(nèi)分布，使得可以蝕刻將用做選擇性氧化層2109的p-AlAs層且也可以防止蝕刻深度達(dá)到反射層2102。由此，使用卣素氣體通過干法蝕刻來蝕刻部分反射層2103,以及腔阻擋層2104、有源層2105、腔阻擋層2106、反射層2107和2108、將用估文選擇性氧化層2109的p-AlAs以及接觸層2110的外圍部分。在圖29C所示的工藝之后，在使用氮氣對加熱至85。C的水進(jìn)行鼓泡的氣氛中將該樣品(結(jié)構(gòu))加熱到425°C,則將用做選擇性氧化層2109的p-AlAs層從其外圍到中心被氧化，由此在p-AlAs層2109(選擇性氧化層2109)中形成未氧化區(qū)域2109a和氧化區(qū)域2109b,如圖29D所示。接著，通過CVD(化學(xué)氣相沉積)在樣品的整個表面上形成Si02層2111,2111,如圖29E所示。接下來，通過旋轉(zhuǎn)涂敷將絕緣樹脂2112應(yīng)用在整個樣品上，并從將用做出光部的區(qū)域除去該絕緣樹脂2112，如圖29F所示。在形成絕緣樹脂2112之后，具有預(yù)定尺寸的抗蝕劑圖案形成于將用做出光部的區(qū)域上，且p側(cè)電極材料通過氣相沉積而形成于樣品的整個表面上。隨后，該抗蝕劑圖案上的p側(cè)電極材料通過剝離而除去，使得p側(cè)電極2113形成，如圖29G所示。隨后，如圖29H所示，基才反2101的底側(cè)被研磨，且n側(cè)電極2114形成于基板2101的底側(cè)上。另外，通過退火形成p側(cè)電極2113和n側(cè)電極2114之間的歐姆導(dǎo)電。由此制成表面發(fā)射激光器裝置2100。如上所述，根據(jù)表面發(fā)射激光器裝置2100,在腔和各個反射層2103及2107之間的界面處的導(dǎo)帶之間能量差值可以大于常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置，且各個反射層2103及2107中價帶之間的能量差值可以小于常規(guī)表面發(fā)射激光器裝置。結(jié)果，在表面發(fā)射激光器裝置2100中，可以將更多載流子限制在有源層2105內(nèi)，使得可以獲得高輸出。此外，反射層2103的低折射率層21031和反射層2107的低折射率層21071如上所述是由(Alo.7Gao.3)o.5lno.sP形成。然而在本發(fā)明中，低折射率層21031和21071不限于此，且一般而言可由(AlxGa^)o.5lno.5P((Kx《l)形成。此外，反射層2103的高折射率層21032和反射層2107的高折射率層21072如上所述是由(Al。.,Gao.9)。.5ln。.5P形成。然而在本發(fā)明中，高折射率層21032和21072不限于此，且一般而言可由(AlyGa,-y)。.5lno.5P((Ky〈x《1)形成。圖30為根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的表面發(fā)射激光器裝置2100A示意性剖面視圖。參考圖30,表面發(fā)射激光器裝置2100A與圖23所示的表面發(fā)射激光器裝置2100不同之處僅在于，分別使用反射層2103A和2107A替代表面發(fā)射激光器裝置2100的反射層2103和2107。圖31為圖30所示的兩個反射層2102和2103A的剖面視圖。參考圖31,反射層2103A與圖24所示反射層2103的不同之處僅在于，反射層2103A另外包括中間層21033。中間層21033是由n-(Ala4Gaa6)o.5Ino.5P形成于低折射率層21031和高折射率層21032之間。圖32為圖30所示的兩個反射層2107A和2108的剖面視圖。參考圖32,反射層2107A與圖24所示反射層2107的不同之處僅在于，反射層2107A另外包括中間層21073。中間層21073是由p-(Alo.4Gaa6)o.5Ina5P形成于低折射率層210"和高折射率層21072之間。圖33為圖30所示的兩個反射層2102和2108、兩個反射層2103A和2107A以及腔(=腔阻擋層2104和2106以及有源層2105)的一部分的能帶圖。參考圖33,中間層21033的帶隙介于高折射率層21032的帶隙和低折射率層21031的帶隙之間。此外，中間層21073的帶隙介于高折射率層21072的帶隙和低折射率層21071的帶隙之間。低折射率層21031的Al組分比例和高折射率層21032的Al組分比例之間的大的差值導(dǎo)致反射層2103內(nèi)價帶之間大的不連續(xù)。因此，具有介于4氐折射率層21031的Al組分比例和高折射率層21032的Al組分比例之間的中間Al組分比例的中間層21033夾置于低折射率層21031和高折射率層21032之間。結(jié)果，反射層2103A中的價帶不連續(xù)減小，使得可以降低反射層2103A的電阻。此外，低折射率層21071的Al組分比例和高折射率層21072的Al組分比例之間的大的差值導(dǎo)致反射層2107內(nèi)價帶之間大的不連續(xù)。因此，具有介于低折射率層21071的Al組分比例和高折射率層21072的Al組分比例之間的中間Al組分比例的中間層21073夾置于低折射率層21071和高折射率層21072之間。結(jié)果，反射層2107A中的價帶不連續(xù)減小，使得可以降^f氐反射層2107A的電阻。因此，通過分別在反射層2103A和2107A中提供中間層21033和21073，各個反射層2103A和2107A的電阻降低，使得表面發(fā)射激光器裝置2100A可具有高輸出。根據(jù)如圖29A至29H所示的工藝，制造該表面發(fā)射激光器裝置2100A。這種情況下，可以分別堆疊反射層2103A和2107A來替代圖29A的工藝中的反射層2103和2107。此外，中間層21033如上所述是由n-(Alo.4Gao.6)o.5lno.5P形成，且中間層21073如上所述是由p-(Alo.4Gao.6)o.5lno.5P形成。然而在本發(fā)明中，中間層21033和21073不限于此。中間層21033可以由n-(AlzGa,-z)。.5lno.5P(0《z《1,y<z<x)形成，且中間層21073可以由p-(AlzGa,-z)o.5lno.5P((Kz《1，y〈z〈x)形成。連續(xù)或者階躍地減小的多個n-(AlzGa!-z)o.5lno.5P層形成。此外，中間層21073可以由帶隙從低折射率層21071朝高折射率層21072連續(xù)或者階躍地減小的多個p-(AlzGa"o.5lno.5P層形成。在其他方面，第十三實施例與第十二實施例相同。圖34為根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的表面發(fā)射激光器裝置2100B示意性剖面視圖。參考圖34,表面發(fā)射激光器裝置2100B與圖23所示的表面發(fā)射激光器裝置2100不同之處僅在于，分別使用反射層2103B和2107B^齊代表面發(fā)射激光器裝置2100的反射層2103和2107。圖35為圖34所示的兩個反射層2102和2103B的剖面^L圖。參考圖35,反射層2103B與圖31所示反射層2103A的不同之處僅在于，反射層2103B包括附加的中間層21034。中間層21034是由n-(Ala4Gaa6)a5Ina5P形成于低折射率層21031和腔之間。圖36為圖34所示的兩個反射層2107B和2108的剖面視圖。參考圖36，反射層2107B與圖32所示反射層2107A的不同之處僅在于，反射層2107B包括附加的中間層21074。中間層21074是由p-(Ala4Gaa6)a5Ina5P形成于低折射率層21071和腔之間。圖37為圖34所示的兩個反射層2102和2108、兩個反射層2103B和2107B以及腔(=腔阻擋層2104和2106以及有源層2105)的一部分的能帶圖。參考圖37，中間層21034的帶隙介于腔阻擋層2104的帶隙和低折射率層21031的帶隙之間。此外，中間層21074的帶隙介于腔阻擋層2106的帶隙和低折射率層21071的帶隙之間。腔阻擋層2104的Al組分比例和低折射率層21031的Al組分比例之間的大的差值導(dǎo)致反射層2103A內(nèi)價帶之間大的不連續(xù)。因此，具有介于腔阻擋層2104的Al組分比例和低折射率層21031的Al組分比例之間的中間Al組分比例的中間層21034夾置于腔阻擋層2104和低折射率層21031之間。結(jié)果，反射層2103B中的價帶不連續(xù)減小，使得可以降低反射層2103B的電阻。此外，腔阻擋層2106的Al組分比例和低折射率層21071的Al組分比例之間的大的差值導(dǎo)致反射層2107A內(nèi)價帶之間大的不連續(xù)。因此，具有介于腔阻擋層2106的Al組分比例和^[氐折射率層21071的Al組分比例之間的中間Al組分比例的中間層21074夾置于腔阻擋層2106和#^斤射率層21071之間。結(jié)果，反射層2107B中的價帶不連續(xù)減小，使得可以降低反射層2107B的電阻。因此，通過分別在反射層2103B和2107B中提供中間層21034和21074,各個反射層2103B和2107B的電阻降低，使得表面發(fā)射激光器裝置2100B可具有高輸出。根據(jù)如圖29A至29H所示的工藝，制造該表面發(fā)射激光器裝置2100B。這種情況下，可以分別堆疊反射層2103B和2107B來替代圖29A的工藝中的反射層2103和2107。此外，中間層21034如上所述是由n-(Alo.4Gao.6)o.5Ina5P形成，且中間層21074如上所述是由p-(Alo.4Ga。.6)o.5lno.5P形成。然而在本發(fā)明中，中間層21034和21074不限于此。中間層21034可以由n-(AlzGa'-z)o.5lno.5P(0《z《1，y<z<x)形成，且中間層21074可以由p-(AlzGa)-z)0.5In。.5P(0<z《1,y<z<x)形成。此外，中間層21034可以由帶隙從低折射率層21031朝腔阻擋層2104連續(xù)或者階躍地減小的多個n-(AlzGa,-z)o.5lno.5P層形成。此外，中間層21074可以由帶隙從低折射率層21071朝腔阻擋層2106連續(xù)或者階躍地減小的多個p-(AlzGa,-z)o.5lno.5P層形成。在其他方面，第十四實施例與第十二實施例相同。圖38為根據(jù)本發(fā)明第十五實施例的使用圖23所示表面發(fā)射激光器裝置2100的表面發(fā)射激光器陣列2300的平面視圖。參考圖38,表面發(fā)射激光器陣列2300包括24個表面發(fā)射激光器裝置2301至2324。各個該24個表面發(fā)射激光器裝置2301至2324是由圖23所示的表面發(fā)射激光器裝置2100形成。表面發(fā)射激光器裝置2301至2324二維地布置。三個表面發(fā)射激光器的組，即，表面發(fā)射激光器裝置2301、2309和2317;表面發(fā)射激光器裝置2302、2310和2318;表面發(fā)射激光器裝置2303、2311和2319;表面發(fā)射激光器裝置2304、2312和2320;表面發(fā)射激光器裝置2305、2313和2321;表面發(fā)射激光器裝置2306、2314和2322;表面發(fā)射激光器裝置2307、2315和2323;以及表面發(fā)射激光器裝置2308、2316和2324沿第一基線等間距布置。此外，八個表面發(fā)射激光器裝置的組，即，表面發(fā)射激光器裝置2301至2308、表面發(fā)射激光器裝置2309至2316、以及表面發(fā)射激光器裝置2317至2324沿第二基線等間距布置。這種情況下，沿第二基線的各個相鄰兩個表面發(fā)射激光器裝置2301至2324按間距d，布置，如圖38所示。此外，各條第一基線與各條第二基線形成預(yù)定角度。因此，對于將每八57個表面發(fā)射激光器裝置2301至2308、2309至2316、或者2317至2324的中心點投影在第一基線上的情形，八個中心點以h的等間距被投影。由于表面發(fā)射激光器裝置2100為表面發(fā)射類型，表面發(fā)射激光器裝置2100可以容易地以高的裝置位置精度布置成陣列。此外，在表面發(fā)射激光器裝置2100中，反射層2103和2107的電阻降低，從而如上所述抑制熱量產(chǎn)生。因此，與常規(guī)表面發(fā)射激光器陣列相比，表面發(fā)射激光器陣列2300可以縮小裝置間隔而實現(xiàn)高的裝置密度。結(jié)果，可以獲得增加數(shù)目的芯片，使得可以降j氐成本。此外，當(dāng)應(yīng)用于寫光學(xué)系統(tǒng)時，將能夠進(jìn)行高輸出工作的多個表面發(fā)射激光器裝置2100集成在同一基板上有利于使用多光束的同時寫入，從而顯著提高寫入速率，由此可以進(jìn)行打印而不降低打印速率，即使是寫入點密度增加。如果寫入點密度保持相同，則可以提高打印速率。也就是說，通常，所有的表面發(fā)射激光器裝置2301至2324依據(jù)圖像數(shù)據(jù)在單次主掃描中被照明，且隨后進(jìn)行子掃描。通過重復(fù)這些過程來進(jìn)行圖像記錄。也就是說，設(shè)表面發(fā)射激光器陣列2300中包含的表面發(fā)射激光器裝置的總數(shù)為n,則在單次主掃描中進(jìn)行相當(dāng)于n條線的圖像記錄，使得可以在一時間內(nèi)記錄圖像，該時間僅為使用具有相同輸出的單個激光光源的情形下的時間的1/n。在表面發(fā)射激光器陣列2300中，各個表面發(fā)射激光器裝置2301至2324還可以由表面發(fā)射激光器裝置2100A和2100B中任意一種形成。圖39為示出根據(jù)本發(fā)明第十六實施例的光學(xué)掃描器2400的示意性圖示。參考圖39，光學(xué)掃描器2400包括表面發(fā)射激光器陣列2401、準(zhǔn)直透鏡2402、多角鏡2403以及f0透鏡2404。表面發(fā)射激光器陣列2401是由圖38所示的表面發(fā)射激光器陣列2300形成，并發(fā)射多個光束。準(zhǔn)直透鏡2402準(zhǔn)直從表面發(fā)射激光器陣列2401發(fā)射的多個光束，并將準(zhǔn)直的光束引導(dǎo)至多角鏡2403。多角鏡2403按預(yù)定速度順時針旋轉(zhuǎn)，從而使從準(zhǔn)直透鏡2402接收的多個光束沿主掃描方向及子掃描方向掃描，并將光束引導(dǎo)至fB透鏡2404。傷透鏡2404將從多角鏡2403反射的多個光束引導(dǎo)至感光體2405。這種情況下，fB透鏡2404引導(dǎo)從多角鏡2403反射的多個光束，使得光束聚焦在感光體2405上。因此，根據(jù)光學(xué)掃描器2400,通過使多角鏡2403以高速旋轉(zhuǎn)并調(diào)整點位置的照明時間，使用由準(zhǔn)直透鏡2402和多角鏡2403形成的同一光學(xué)系統(tǒng)，將來自表面發(fā)射激光器陣列2401的多個光束聚焦成作為掃描表面的感光體2405上沿子掃描方向分離的多個光點。對于使用光學(xué)掃描器2400寫入圖像的情形，通過考慮表面發(fā)射激光器裝置2301至2324相對于第一基線的各個偏移，可以將來自表面發(fā)射激光器裝置2301至2324的光束布置在感光體2405上的單一直線上。此外，在光學(xué)寫入系統(tǒng)中，如果激光光束的數(shù)目從1增大至n，如果光輸出和多角鏡旋轉(zhuǎn)速度保持不變，則使感光體2405完成一次旋轉(zhuǎn)所需的寫入時間減小為1/n。因此，可以以比常規(guī)情形高得多的速率進(jìn)行寫入。圖40為示出根據(jù)本發(fā)明第十七實施例的光學(xué)掃描器2400A的示意性圖示。參考圖40，光學(xué)掃描器2400A與圖39所示光學(xué)掃描器2400不同之處僅在于，光學(xué)掃描器2400A另外包括光接收元件2406和移動部2407。移動部2407在激光光學(xué)路徑外部的位置a和激光光學(xué)路徑上的位置b之間移動該光接收元件2406。當(dāng)光接收元件2406移動到激光光學(xué)路徑上的位置b時，光接收元件2406探測從表面發(fā)射激光器陣列2401發(fā)射的激光并測量其輸出。當(dāng)光學(xué)掃描器2400A寫圖像時，移動部2407將光接收元件2406置于激光光學(xué)路徑外部的位置a。當(dāng)光學(xué)掃描器2400A不寫圖像時，移動部2407將光接收元件2406置于激光光學(xué)路徑上的位置b。使用半導(dǎo)體激光器已經(jīng)確認(rèn)的一般規(guī)則為，長時間來看，輸出隨激勵或發(fā)射時間而逐漸降低。該現(xiàn)象或多或少適用于每種半導(dǎo)體激光器。激光輸出的變化表現(xiàn)為在形成潛像時感光體2405上電勢的變化，且最終是觀測到圖像密度的不均勻。因此，激光輸出應(yīng)該均勻以形成均勻密度的圖像。因此，當(dāng)光學(xué)掃描器2400A不進(jìn)行圖像記錄操作時，光接收元件2406被移動置于激光的光軸上，使得從表面發(fā)射激光器陣列2401發(fā)射的多個激光束的輸出可以被測量。通過基于該測量來控制注入該表面發(fā)射激光器陣列2401的多個表面發(fā)射激光器裝置的電流，使得多個激光束的輸出基本上保持不變，則可以在感光體2405上形成均勻密度的圖像。在其他方面，圖39的說明同樣適用。圖41為示出根據(jù)本發(fā)明第十八實施例的光學(xué)掃描器2400B的示意性圖示。參考圖41,光學(xué)掃描器2400B與圖39所示光學(xué)掃描器2400不同之處僅在于，光學(xué)掃描器2400B另外包括半反射鏡(halfmirror)2408(光引導(dǎo)部)和光接收元件2409。半反射鏡2408置于準(zhǔn)直透鏡2402和多角鏡2403之間的光學(xué)路徑上。半反射鏡2408將來自準(zhǔn)直透鏡2402的激光的一部分傳輸?shù)蕉嘟晴R2403，并將部分激光反射朝向光接收元件2409。光接收元件2409接收來自半反射鏡2408的光。通過使用半反射鏡2408反射部分激光并使用光接收元件2409探測該反射光，可以測量從表面發(fā)射激光器陣列2401發(fā)射的多個激光束的輸出而不提供任何移動部。此外，通過基于該測量來控制注入該表面發(fā)射激光器陣列2401的多個表面發(fā)射激光器裝置的電流，使得多個激光束的輸出基本上保持不變，則可以在感光體2405上形成均勻密度的圖像。在其他方面，圖39的說明同樣適用。圖42為示出根據(jù)本發(fā)明第十九實施例的光學(xué)掃描器2400C的示意性圖示。參考圖42，光學(xué)掃描器2400C與圖41所示光學(xué)掃描器2400B不同之處僅在于，光學(xué)掃描器2400C另外包括放大器2410(放大部)。放大器2410可以是放大透鏡。放大器2410置于半反射鏡2408和光接收元件2409之間。放大器2410以預(yù)定放大倍數(shù)放大來自半反射鏡2408的多個激光束，并將放大的激光束引導(dǎo)至光4妻收元件2409。由于從表面發(fā)射激光器陣列2401發(fā)射的多個激光束窄間隔地布置，因此難以通過將光束相互分離來〗笨測該激光束。因此，通過將多個激光束引導(dǎo)至光接收元件2409且其光束節(jié)距被放大器2410放大，則可以精確地測量該多個激光束的輸出。結(jié)果，基于該精確測量可以精確地控制注入表面發(fā)射激光器陣列2401的多個表面發(fā)射激光器裝置的電流，使得多個激光束的輸出基本上保持不變，則可以在感光體2405上精確地形成均勻密度的圖像。放大器2410可以添加到圖40所示的光學(xué)掃描器2400A。這種情況下，移動部2407將放大器2410與光接收元件2406同時地移動到位置a或b。在其他方面，圖39和41的說明同樣適用。圖44為示出根據(jù)本發(fā)明第二十一實施例的電子照相設(shè)備的示意性圖示。參考圖44，電子照相設(shè)備2500包括感光體鼓2501、光學(xué)掃描器2502、清洗單元2503、荷電單元2504、顯影單元2505、調(diào)色劑2506、轉(zhuǎn)印單元2507以及釋放單元2508。光學(xué)掃描器2502、清洗單元2503、顯影單元2505、調(diào)色劑2506、轉(zhuǎn)印單元2507以及釋放單元2508設(shè)于感光體鼓2501周圍。光學(xué)掃描器2502是由圖39所示的光學(xué)掃描器2400形成，并使用根據(jù)上述方法使用多個激光束在感光體鼓2501上形成潛像。清洗單元2503除去殘留在感光體鼓2501上的調(diào)色劑2509。荷電單元2504使感光體鼓2501的表面荷電。顯影單元2505將調(diào)色劑2506引導(dǎo)至感光體鼓2501的表面上，并使用調(diào)色劑2506顯影由光學(xué)掃描器2502形成的潛像。轉(zhuǎn)印單元2507轉(zhuǎn)印調(diào)色劑圖4象。釋放單元2508擦除感光體鼓2501上的潛像。當(dāng)電子照相設(shè)備2500內(nèi)開始一系列操作時，荷電單元2504使感光體鼓2501的表面荷電，且光學(xué)掃描器2502使用多個激光束在感光體鼓2501上形成潛像。顯影單元2505使用調(diào)色劑2506顯影由光學(xué)掃描器2502形成的潛像，且轉(zhuǎn)印單元2507轉(zhuǎn)印該調(diào)色劑圖像。由此，調(diào)色劑圖像被轉(zhuǎn)印在記錄紙2510上。隨后，該調(diào)色劑圖像經(jīng)歷使用定影單元(未圖示)的加熱定影，電子照相圖像由此形成。另一方面，釋》文單元2508纟察除感光體鼓2501上的潛i象，且清洗單元2503除去殘留在感光體鼓2501上的調(diào)色劑2509。由此，一系列4喿作結(jié)光束。通過重復(fù)上述操作，可以高速地連續(xù)輸出電子照相圖像。在電子照相設(shè)備2500中，光學(xué)掃描器2502還可以由光學(xué)掃描器2400A、2400B、2400C和2400D的任意一種形成。本發(fā)明可以應(yīng)用于可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置。本發(fā)明可以應(yīng)用于包含可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列。此外，本發(fā)明可以應(yīng)用于包含可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置的成像設(shè)備。此外，本發(fā)明可以應(yīng)用于包含可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置或使用其的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)拾取單元。此外，本發(fā)明可以應(yīng)用于包含可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置或使用其的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)發(fā)送器模塊。此外，本發(fā)明可以應(yīng)用于包含可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置或使用其的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)收發(fā)器模塊。此外，本發(fā)明可以應(yīng)用于包含可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置或使用其的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)通信系統(tǒng)。此外，本發(fā)明可以應(yīng)用于包含可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置形成的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描器。此外，本發(fā)明可以應(yīng)用于使用包含可具有高輸出的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的電子照相設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該第一腔阻擋層包括一半導(dǎo)體材料，該半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于形成該第二腔阻擋層的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該有源層包括由GaJn,.aPbAsLb(0Sa^1，(^b^l)形成的阱層，以及由帶隙大于該阱層的帶隙的(GacIn,-c)dP^As(0》S1,OSd^l)形成的壘層；該第一反射層包括由AlxGai-xAs(0<x$l)形成的多個低折射率層以及由AlyGa^As(0<y<x^l)形成的多個高折射率層；該第一和第二腔阻擋層至少之一的一部分是由AlGalnP形成；置為最靠近該有源層的形成該第二反射層的低折射率層之一是由(AleGa,-e)flnwP(0<《1，OSfSl)形成；且置為最靠近該有源層的形成該第一反射層的低折射率層之一是由熱導(dǎo)率大于所述(AleGa卜e)flnwP的AlxGa"xAs(0<x^l)形成。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該有源層包括由GaJn,.aPbAsi.b(05a^l,OSbSl)形成的阱層，以及由帶隙大于該阱層的帶隙的(GaJjiLc)dPwAs(，(^c^l)形成的壘層；該第一反射層包括由AlxGa"xAs(0<x$l)形成的多個低折射率層以及由AlyGa^As(0<y<x^l)形成的多個高折射率層；該第二腔阻擋層的一部分是由(AleGa,-e)fln,.fP(0<d,0SfSl)形成;且在該第二腔阻擋層包括所述(AleGa,-e)fln,-fP的位置相對于該有源層對稱的位置，該第一腔阻擋層包括一半導(dǎo)體材料，該半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于所述(AleGa,.e)fIn,.fP的熱導(dǎo)率。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該第一反射層包括多個低折射率層且該第二反射層包括多個低折射率層；以及置為最靠近該有源層的該第一反射層的低折射率層之一的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于置為最靠近該有源層的該第二反射層的低折射率層之一的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，在表面發(fā)射激光器裝置中，置于有源層的基板側(cè)上的腔阻擋層與/或反射層是由半導(dǎo)體材料形成，該半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于置于該有源層的輸出側(cè)上的腔阻擋層和反射層的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率。因此，在該有源層內(nèi)產(chǎn)生的熱量發(fā)射到該基板，使得有源層內(nèi)的溫度上升得到抑制。因此，該表面發(fā)射激光器裝置的溫度特性得到改善，使得該表面發(fā)射激光器裝置可具有高輸出。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列。由于該表面發(fā)射激光器陣列包括一個或多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置，可以減小該表面發(fā)射激光器裝置布置的間隔，使得可以高密度地布置該表面發(fā)射激光器裝置。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括該表面發(fā)射激光器陣列作為寫入用光源的成像設(shè)備，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置。由于該成像設(shè)備包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列，該成像設(shè)備可以使用增大數(shù)目的表面發(fā)射激光器裝置在感光體上進(jìn)行寫入。也就是說，該成像設(shè)備可以以增大的點密度在感光體上進(jìn)行寫入。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源的光學(xué)拾取單元。由于該光學(xué)拾取單元包括一個或多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該光學(xué)拾取單元可以使用多個激光束將信息記錄在光盤上或者從光盤再現(xiàn)信息。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源的光學(xué)發(fā)送器模塊。由于該光學(xué)發(fā)送器模塊包括一個或多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該光學(xué)發(fā)送器模塊可以使用多個激光束發(fā)送信號。也就是說，該光學(xué)發(fā)送器模塊可以以高的發(fā)送率來發(fā)送信號。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源的光學(xué)收發(fā)器模塊。由于該光學(xué)收發(fā)器模塊包括一個或多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該光學(xué)收發(fā)器模塊可以使用多個激光束傳達(dá)信號。也就是說，該光學(xué)收發(fā)器模塊可以以高的速率傳達(dá)信號。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源的光學(xué)通信系統(tǒng)。由于該光學(xué)通信系統(tǒng)包括一個或多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置或表面發(fā)射激光器陣列作為光源，可以增大整個系統(tǒng)的速度。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第二反射層；包括有源層的腔，該腔形成為接觸該第二反射層；形成為接觸該腔的第三反射層；以及形成為接觸該第三反射層的第四反射層，其中該腔是由AlGalnPAs系材料形成；該第二反射層包括交替堆疊的n個第一高折射率層和n個第一低折射率層的分層體，其中n為正整數(shù)；該第三反射層包括交替堆疊的m個第二高折射率層和m個第二低折射率層的分層體，其中m為正整數(shù)；各個該n個第一低折射率層和該m個第二低折射率層是由(AlxGa、—x)。.5lno.5P((^x3)形成；各個該n個第一高折射率層和該m個第二高折射率層是由(AlyGa,.y)o.5lna5P(0^y<x^l)形成；該n個第一低折射率層之一接觸該腔，且該n個第一高折射率層之一接觸形成該第一反射層的AlGaAs系材料；以及該m個第二〗氐折射率層之一接觸該腔，且該m個第二高折射率層之一接觸形成該第四反射層的AlGaAs系材料。在根據(jù)本發(fā)明一個實施例的表面發(fā)射激光器裝置中，形成為接觸腔的反射層的低折射率層是由(AlxGa^)。.5lno.5P(0￡x$l)形成，形成為接觸腔的反射層的高折射率層是由(AlyGa,-y)o.5lno.5P(0^y<x￡l)形成，且該腔是由AlGalnPAs系材料形成。結(jié)果，可以將載流子限制在有源層內(nèi)，并降低形成為接觸該腔的該反射層的電阻。因此，該表面發(fā)射激光器裝置可具有高輸出。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列，其中該表面發(fā)射激光器裝置置于多條等間距第一基線和多條等間距第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括包含多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描器，其中該表面發(fā)射激光器裝置置于多條等間距第一基線和多條等間距第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度；光接收部配置成接收從該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的激光；以及移動部配置成在除了圖像記錄時間之外的時間將該光接收部移動到所發(fā)射的激光的光軸上。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括包含多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列的光學(xué)掃描器，其中該表面發(fā)射激光器裝置置于多條等間距第一基線和多條等間距第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度；光接收部配置成接收從該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的激光的一部分；以及光引導(dǎo)部配置成將所發(fā)射的激光的一部分引導(dǎo)至該光接收部。根據(jù)本發(fā)明一個實施例，提供了一種包括光學(xué)掃描器的電子照相設(shè)備，該光學(xué)掃描器包括包含多個根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列，其中該表面發(fā)射激光器裝置置于多條等間距第一基線和多條等間距第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度；光接收部配置成接收從該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的激光的一部分；以及光引導(dǎo)部配置成將所發(fā)射的激光的一部分引導(dǎo)至該光接收部。本發(fā)明不限于具體所披露的實施例，在不背離本發(fā)明的范圍的情況下可以進(jìn)行變化和調(diào)整。本申請是基于下述作為優(yōu)先權(quán)的日本專利申請2006年2月3日提交的No.2006-027466、2006年3月3日提交的No.2006-057535以及2006年9月15日提交的No.2006-250384,其全部內(nèi)容引用結(jié)合于此。權(quán)利要求1.一種表面發(fā)射激光器裝置，包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該第一腔阻擋層包括一半導(dǎo)體材料，該半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于形成該第二腔阻擋層的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率。2.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中形成該第一腔阻擋層的半導(dǎo)體材料和形成該第二腔阻擋層的半導(dǎo)體材料關(guān)于該有源層是不對稱的。3.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中形成該第二腔阻擋層的半導(dǎo)體材料包括(AldGaw)flnwP(0<cK1，(Kf《1)。4.如權(quán)利要求3所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中形成該第一腔阻擋層的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于所述(AldGa^)flriLfP的熱導(dǎo)率。5.如權(quán)利要求4所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第一腔阻擋層包括帶隙小于所述(AldGa,.d)fInwP的帶隙的(AlgGarg)hIn|—hP(0《g《l，CKh<1)。6.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第一腔阻擋層包括AlzGa卜zAs(0<z《1)。7.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第一腔阻擋層包括形成為接觸該第一反射層并具有第一熱導(dǎo)率的第一腔阻擋層；以及形成為接觸該第一腔阻擋層和該有源層并具有低于該第一熱導(dǎo)率的第二熱導(dǎo)率的第二腔阻擋層。8.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中置為最靠近該有源層的該第一反射層的半導(dǎo)體材料之一的熱導(dǎo)率大于置為最靠近該有源層的該第二反射層的半導(dǎo)體材料之一的熱導(dǎo)率。9.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第一反射層包括至少由AlxGa,-xAs(0<x《1)形成的層；以及該第二反射層包括由(AldGa,—d)fln卜fP((KcKl,0《f《l)形成的層，且該層置于與由所述AlxGai—xAs形成的層關(guān)于該有源層對稱的位置。10.如權(quán)利要求9所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中所述AlxGa^As為AlAs。11.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第一反射層包括均由AlAs形成的多個低折射率層。12.如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第二反射層包括電流限制部；以及該第一反射層包括形成為接觸該基板并包括由AlAs形成的低折射率層的第一反射部；及形成于該第一反射部的有源層側(cè)上并包括由Al」Ga,-jAs(0<j<l)形成的低折射率層的第二反射部。13.—種表面發(fā)射激光器陣列，包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。14.一種成像設(shè)備，包括表面發(fā)射激光器陣列作為寫入用光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。15.—種光學(xué)拾取單元，包括如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。16.—種光學(xué)拾取單元，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。17.—種光學(xué)發(fā)送器模塊，包括如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。18.—種光學(xué)發(fā)送器模塊，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。19.一種光學(xué)收發(fā)器模塊，包括如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。20.—種光學(xué)收發(fā)器模塊，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。21.—種光學(xué)通信系統(tǒng)，包括如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。>22.—種光學(xué)通信系統(tǒng)，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求1所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。23.—種表面發(fā)射激光器裝置，包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該有源層包括由Gaaln,-aPbAs)形成的阱層;及由帶隙大于該阱層的帶隙的(GacIn,-c)dP卜dAs(0》￡1,OSdSl)形成的壘層；該第一反射層包括由AlxGai-xAs(0<xSl)形成的多個低折射率層；及由AlyGai-yAs(0<y<x^l)形成的多個高折射率層；該第一和第二腔阻擋層至少之一的一部分是由AlGalnP形成；置為最靠近該有源層的形成該第二反射層的低折射率層之一是由(AleGa,-e)麵-fP((Ke化O^f^l)形成;且置為最靠近該有源層的形成該第一反射層的低折射率層之一是由熱導(dǎo)率大于所述(AUGa,-e)fln,-fP的AlxGa,.xAs(0<xSl)形成。24.如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第一反射層中包含的各個低折射率層包括AlAs。25.如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第二反射層包括電流限制部；以及該第一反射層包括形成為接觸該基板并包括由AlAs形成的低折射率層之一的第一反射部；及形成于該第一反射部的有源層側(cè)上并包括由Al」GaHAs(0<j<l)形成的低折射率層之一的第二反射部。26.—種表面發(fā)射激光器陣列，包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。27.—種成像設(shè)備，包括表面發(fā)射激光器陣列作為寫入用光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。28.—種光學(xué)拾取單元，包括如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。29.—種光學(xué)拾取單元，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。30.—種光學(xué)發(fā)送器模塊，包括如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。31.—種光學(xué)發(fā)送器模塊，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。32.—種光學(xué)收發(fā)器模塊，包括如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。33.—種光學(xué)收發(fā)器模塊，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。.34.—種光學(xué)通信系統(tǒng)，包括如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。35.—種光學(xué)通信系統(tǒng)，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求23所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。36.—種表面發(fā)射激光器裝置，包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該有源層包括由GaaIni-aPbASl_b(0^aSl，O^b^l)形成的阱層，及由帶隙大于該阱層的帶隙的(GacIn,-c)dP,.dAs(0ScSl，O^d^l)形成的壘層；該第一反射層包括由AlxGa,-xAs(0<x^l)形成的多個低折射率層；及由AlyGa、-yAs(0<y<x^l)形成的多個高折射率層；該第二腔阻擋層的一部分是由(AleGa"fln，-fP(0<d,OSf^l)形成；且在該第二腔阻擋層包括所述(AleGai-e)fln,.fP的位置相對于該有源層對稱的位置，該第一腔阻擋層包括一半導(dǎo)體材料，該半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于所述(AleGa^)flnLfP的熱導(dǎo)率。37.如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第一反射層中包含的各個低折射率層包括AlAs。38.如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第二反射層包括電流限制部；以及該第一反射層包括形成為接觸該基板并包括由AlAs形成的低折射率層之一的第一反射部；及形成于該第一反射部的有源層側(cè)上并包括由AljGa卜jAs(0<j<l)形成的低折射率層之一的第二反射部。39.—種表面發(fā)射激光器陣列，包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。40.—種成像設(shè)備，包括表面發(fā)射激光器陣列作為寫入用光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。41.一種光學(xué)拾取單元，包括如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。42.—種光學(xué)拾取單元，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。43.—種光學(xué)發(fā)送器模塊，包括如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。44.一種光學(xué)發(fā)送器模塊，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。45.—種光學(xué)收發(fā)器模塊，包括如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。46.—種光學(xué)收發(fā)器模塊，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。47.—種光學(xué)通信系統(tǒng)，包括如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。48.—種光學(xué)通信系統(tǒng)，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求36所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。49.一種表面發(fā)射激光器裝置，包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層，其中該第一反射層包括多個低折射率層且該第二反射層包括多個低折射率層；以及置為最靠近該有源層的該第一反射層的低折射率層之一的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于置為最靠近該有源層的該第二反射層的低折射率層之一的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率。50.如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中置為最靠近該有源層的該第二反射層的低折射率層之一包括(AleGaue)flni—fP(0<《1,0《^1);且置為最靠近該有源層的該第一反射層的低折射率層之一包括熱導(dǎo)率大于所述(AleGaLe)flm.fP的AlxGa^As(0<x^l)。51.如權(quán)利要求50所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中所述AlxGai_xAs為AlAs。52.如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第一和第二腔阻擋層至少之一的一部分是由AlGalnP形成。53.—種表面發(fā)射激光器陣列，包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。54.—種成像設(shè)備，包括表面發(fā)射激光器陣列作為寫入用光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。55.—種光學(xué)拾取單元，包括如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。56.—種光學(xué)拾取單元，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。57.—種光學(xué)發(fā)送器模塊，包括如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。58.—種光學(xué)發(fā)送器模塊，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。59.—種光學(xué)收發(fā)器模塊，包括如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。60.—種光學(xué)收發(fā)器模塊，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。61.—種光學(xué)通信系統(tǒng)，包括如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置作為光源。62.—種光學(xué)通信系統(tǒng)，包括表面發(fā)射激光器陣列作為光源，該表面發(fā)射激光器陣列包括多個表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該表面發(fā)射激光器裝置是由如權(quán)利要求49所述的表面發(fā)射激光器裝置形成。63.—種表面發(fā)射激光器裝置，包括由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第二反射層；包括有源層的腔，該腔形成為接觸該第二反射層；形成為接觸該腔的第三反射層；以及形成為接觸該第三反射層的第四反射層，其中該腔是由AlGalnPAs系材料形成；該第二反射層包括交替堆疊的n個第一高折射率層和n個第一低折射率層的分層體，其中n為正整數(shù)；該第三反射層包括交替堆疊的m個第二高折射率層和m個第二低折射率層的分層體，其中m為正整數(shù)；各個該n個第一低折射率層和該m個第二低折射率層是由(AlxGai-x)0.5In0.5P(0^1)形成；各個該n個第一高折射率層和該m個第二高折射率層是由(AlyGa^VsIno.sP(0^y<x^l)形成；該n個第一低折射率層之一接觸該腔，且該n個第一高折射率層之一接觸形成該第一反射層的AlGaAs系材料；以及該m個第二低折射率層之一接觸該腔，且該m個第二高折射率層之一接觸形成該第四反射層的AlGaAs系材料。64.如權(quán)利要求63所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第二反射層還包括設(shè)于該n個第一低折射率層之一與相應(yīng)的該n個第一高折射率層之一之間的第一中間層，該第一中間層的帶隙介于該n個第一低折射率層的帶隙和該n個第一高折射率層的帶隙之間；以及該第三反射層還包括設(shè)于該m個第二低折射率層之一與相應(yīng)的該m個第二高折射率層之一之間的第二中間層，該第二中間層的帶隙介于該m個第二^(氐折射率層的帶隙和該m個第二高折射率層的帶隙之間。65.如權(quán)利要求64所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該第一和第二中間層包括帶隙階躍變化的多種半導(dǎo)體材料。66.如權(quán)利要求64所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中該第二反射層還包括形成為接觸該腔的第三中間層，該第三中間層的帶隙介于該腔的帶隙和該n個第一低折射率層的帶隙之間；以及該第三反射層還包括形成為接觸該腔的第四中間層，該第四中間層的帶隙介于該腔的帶隙和該m個第二低折射率層的帶隙之間。67.如權(quán)利要求66所述的表面發(fā)射激光器裝置，其中各個該第三和第四間層包括帶隙階躍變化的多種半導(dǎo)體材料。68.—種表面發(fā)射激光器陣列，包括分別由如權(quán)利要求63所述的表面發(fā)射激光器裝置形成的多個表面發(fā)射激光器裝置，其中該多個表面發(fā)射激光器裝置布置于多條等間距布置的第一基線和多條等間距布置的第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度。69.—種光學(xué)掃描器，包括包含分別由如權(quán)利要求63所述的表面發(fā)射激光器裝置形成的多個表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列，其中該多個表面發(fā)射激光器裝置布置于多條等間距布置的第一基線和多條等間距布置的第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度；光接收部，配置成接收從該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的激光；以及移動部，配置成在除了圖像記錄時間以外的時間將該光接收部移動到所發(fā)射的激光的光軸上。70.如權(quán)利要求69所述的光學(xué)掃描器，還包括放大部，配置成放大該激光并將放大的激光引導(dǎo)至該光接收部。71.如權(quán)利要求69所述的光學(xué)掃描器，還包括附加的光接收元件，布置于該激光的掃描的末端。72.—種光學(xué)掃描器，包括包含分別由如權(quán)利要求63所述的表面發(fā)射激光器裝置形成的多個表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列，其中該表面發(fā)射激光器裝置布置于多條等間距布置的第一基線和多條等間距布置的第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度；光接收部，配置成接收從該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的激光的一部分；以及光引導(dǎo)部，配置成將所發(fā)射的激光的該部分引導(dǎo)至該光4妻收部。73.如權(quán)利要求72所述的光學(xué)掃描器，還包括放大部，配置成放大激光的該部分并將放大的激光的該部分引導(dǎo)至該光接收部。74.如權(quán)利要求72所述的光學(xué)掃描器，其中該光接收部布置于激光的該部分的掃描的末端。75.—種電子照相設(shè)備，包括光學(xué)掃描器，該光學(xué)掃描器包括包含分別由如權(quán)利要求63所述的表面發(fā)射激光器裝置形成的多個表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列，其中該表面發(fā)射激光器裝置布置于多條等間距布置的第一基線和多條等間距布置的第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度；光接收部，配置成接收從該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的激光；以及移動部，配置成在除了圖像記錄時間以外的時間將該光接收部移動到所發(fā)射的激光的光軸上。76.—種電子照相設(shè)備，包括光學(xué)掃描器，該光學(xué)掃描器包括包含分別由如權(quán)利要求63所述的表面發(fā)射激光器裝置形成的多個表面發(fā)射激光器裝置的表面發(fā)射激光器陣列，其中該表面發(fā)射激光器裝置布置于多條等間距布置的第一基線和多條等間距布置的第二基線的相應(yīng)交叉點，該第二基線分別與該第一基線形成預(yù)定角度；光接收部，配置成接收從該表面發(fā)射激光器陣列發(fā)射的激光的一部分；以及光引導(dǎo)部，配置成將所發(fā)射的激光的該部分引導(dǎo)至該光接收部。全文摘要本發(fā)明公開了一種表面發(fā)射激光器裝置，其包括連接到熱沉的基板；由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成于該基板上的第一反射層；形成為接觸該第一反射層的第一腔阻擋層；形成為接觸該第一腔阻擋層的有源層；形成為接觸該有源層的第二腔阻擋層；以及由半導(dǎo)體分布式布拉格反射器形成為接觸該第二腔阻擋層的第二反射層。該第一腔阻擋層包括一半導(dǎo)體材料，該半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率大于形成該第二腔阻擋層的半導(dǎo)體材料的熱導(dǎo)率。文檔編號H01S5/183GK101322291SQ200780000490公開日2008年12月10日申請日期2007年2月2日優(yōu)先權(quán)日2006年2月3日發(fā)明者佐藤俊一,敬原,軸谷直人申請人:株式會社理光