專利名稱：掩膜盒與掩膜傳送盒及其支撐件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是有關(guān) 一 種掩膜盒以及掩膜傳送盒，特別是指其中可防止靜電放電破壞的掩膜盒以及傳送 合背景技術(shù)近代半導(dǎo)體科技發(fā)展迅速，其中光學(xué)光刻技術(shù)(Optical Lithography)扮演重要的角色，只要是關(guān)于 圖形(pattern)定義，皆需仰賴光學(xué)光刻技術(shù)。光學(xué)光刻技術(shù)在半導(dǎo)體的應(yīng)用上，是將設(shè)計(jì)好的 線路制作成具有特定形狀可透光的掩膜(photo mask)。 利用曝光原理，則光源通過掩膜投影至硅晶圓(silicon wafer)可曝光顯示特定圖案。由于任何附著于掩膜上 的塵埃顆粒(如微粒、粉塵或有機(jī)物)都會(huì)造成投影 成像的品質(zhì)劣化，用于產(chǎn)生圖形的掩膜必須保持絕對(duì) 潔凈，因此在 一 般的晶圓制程中，都提供無塵室(clean room)的環(huán)境以避免空氣中的顆粒污染。然而，目前室也無法達(dá)到絕對(duì)無塵狀態(tài)。現(xiàn)代的半導(dǎo)體制用抗污染的掩膜盒(reticle pod)進(jìn)行掩膜的保 輸，以使掩膜保持潔凈。知的掩膜盒多以高分子材質(zhì)所構(gòu)成，此種高分 具有成型容易、價(jià)格低廉以及可形成透明體的 此種絕緣電阻高的高分子材質(zhì)容易因?yàn)槟ゲ粱?產(chǎn)生靜電，尤其是無塵室的作業(yè)環(huán)境需要保持 度，使高分子材質(zhì)的掩膜盒非常容易產(chǎn)生與累 。此外，在使用掩膜或是將掩膜移進(jìn)或是移出 時(shí)，掩膜表面也會(huì)因摩擦而產(chǎn)生靜電。掩膜表 電容易吸引空氣中的污染微粒，更甚者還會(huì)造 成掩膜上的金屬線出現(xiàn)靜電放電 (electrostaticdis c h argeESD )效應(yīng)。靜電放電所產(chǎn)生的瞬間電流會(huì)引起電花spark ) 或電弧 (arc )， 在電花與電弧發(fā)生的同時(shí)，強(qiáng)大的電流伴隨著高溫，導(dǎo)致金屬線的氧化與溶解，因而改變了掩膜的圖案。百_、 刖針對(duì)靜電放電所解決的方法有許多，首先是改善作業(yè)環(huán)境，使空氣中維持適當(dāng)?shù)臐穸?、作業(yè)人員穿著接地效應(yīng)的衣物或使用離子扇消除環(huán)境中的靜電但是改變作業(yè)環(huán)境的具有許多無法預(yù)測(cè)的變因，沒有辦法完全解決靜電對(duì)掩膜的傷害另種方法是改變掩膜盒組成組件的材質(zhì)國(guó)的無小 土程皆利存與運(yùn) 已子材質(zhì)優(yōu)點(diǎn)撥離而較低濕積電荷掩膜合 rm.面的靜專利號(hào)US 6 , 5 1 3,6 5 4提出，設(shè)置具接地功能的掩膜支撐件，在掩膜盒與配合機(jī)臺(tái)接觸時(shí)，掩膜支撐件可將掩膜上的電荷導(dǎo)出。另外美國(guó)專利號(hào)US 6 , 2 4 7,5 9 9提出，在掩膜盒的底盤、罩蓋或提把上增設(shè) 導(dǎo)電板，由此減少電荷的累積。然以上方法均須仰賴 導(dǎo)電組件接地時(shí)釋出電荷，但是當(dāng)靜電由導(dǎo)電組件釋 出時(shí)，仍會(huì)產(chǎn)生電流，還是會(huì)造成放電使得掩膜受到 損傷。有鑒于以上缺點(diǎn)，本實(shí)用新型所提供的掩膜支撐 件或限制件，乃針對(duì)先前技術(shù)加以改良。實(shí)用新型內(nèi)容基于解決上述先、' 目IJ技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型所提供的掩膜，是將與掩膜直接接觸的支撐件或限制件作材質(zhì)上的改變，利用靜電消散材質(zhì)做為該支撐件或限制件的材料，即便靜電消散材質(zhì)會(huì)因?yàn)槟ゲ炼a(chǎn)生電荷，但位于附近的金屬材料會(huì)隨即將電荷導(dǎo)出，避免電荷累積以及靜電放電效應(yīng)本實(shí)用新型的主要百的在于提供一種員有靜電消散材質(zhì)的掩膜支撐件，可減少電荷累積，并且防止靜電對(duì)掩膜所造成的傷害本實(shí)用新型的另.巨的在于提供種員有靜電消散材質(zhì)的掩膜支撐件，此種材料可持續(xù)導(dǎo)出電荷，避免瞬間放電對(duì)掩膜產(chǎn)生高溫傷害本實(shí)用新型的又巨的在于提供種員有靜電消散材質(zhì)的掩膜限制件，可減少電荷累積，并且防止靜電對(duì)掩膜所造成的傷害本實(shí)用新型的再巨的在于提供—種員有靜電消散材質(zhì)的掩膜限制件，此種材料可持續(xù)導(dǎo)出電荷，避免瞬間放電對(duì)掩膜產(chǎn)生高溫傷害本實(shí)用新型提供種掩膜盒，苴特征在于，該掩膜盒包括一第——芏體以及一第—生 ~^皿體，與第蓋體組合形成內(nèi)部空間可容置至少一掩膜g巾，該第以及第二蓋體至少中之有本體，該本體面對(duì)該內(nèi)部空間的表面上設(shè)有多數(shù)個(gè)支撐件或限制件，該支撐件或限制件材質(zhì)為靜電消散材。其中該靜電消散材質(zhì)電阻值為1 o 4— i o uq。其中該些支撐件及限制件為不同材質(zhì)所構(gòu)成。其中該些支撐件及限制件為相同材質(zhì)所構(gòu)成。 其中該本體面對(duì)該內(nèi)部空間的表面上設(shè)有 一 導(dǎo)電 板，該支撐件設(shè)于該導(dǎo)電板上與該導(dǎo)電板電性連接。中該第芏 皿體或第一生 —■ rm體為金屬材質(zhì)，中該支撐件的結(jié)構(gòu)包括一平面襯底連接第一斜面且該第 一 斜面再連接第一斜面以形成整體結(jié)構(gòu)，且于該整體結(jié)構(gòu)的兩側(cè)周邊區(qū)域即設(shè)個(gè)第—開口，其中每 一 該第—開0中配置上固定組件及下固定組件。中該支撐件的^士構(gòu)包括座體，以多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)固接于該掩膜傳送上生 皿體內(nèi)各角落的位置以及彎曲彈性組件，一彎曲的端部結(jié)合于該座體上，另彎曲的一山 乂而部則呈彈性懸浮狀態(tài)于該多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)之間，且進(jìn)步包括一頂持面及 一 扣壓面；中，當(dāng)該掩膜傳送盒的蓋合 一 掩膜時(shí)，該彎曲彈性組件的該頂持面及該扣壓面與該掩膜接觸并固定之種掩膜傳送盒添 培在于，該掩膜傳送盒包括:頂生 以及基座，與頂組合形成一內(nèi)部空間，可容置至少掩膜，該基座面對(duì)該內(nèi)部空間的表面上設(shè)有多數(shù)個(gè)支撐件，該支撐件材質(zhì)為靜電消散材。本實(shí)用新型提供-^種掩膜盒包括一第蘭體；一第一蘭體，與第一生 隱可容置至少掩膜，且該第之具有本體；多數(shù)個(gè)限制件，設(shè)置于面上;以及多數(shù)個(gè)支撐件，設(shè)置于面上，且材質(zhì)為靜電消散3巾該多數(shù)個(gè)限制件與份射出成型方法結(jié)合本實(shí)用新型提供種掩該掩膜傳送合包括一頂一基座與頂芏 皿組合形少掩膜，且該頂蘭 皿以及基體多數(shù)個(gè)限制件，設(shè)置于面上;以及多數(shù)個(gè)支撐件設(shè)置于膜盒，其特征在于，該掩體組合形成 一 內(nèi)部空間， 一以及第二蓋體至少其中該本體面對(duì)內(nèi)部空間的表 該本體面對(duì)內(nèi)部空間的表材；該多數(shù)個(gè)支撐件使用多成 膜傳送盒，其特征在于，成一內(nèi)部空間，可容置至 座至少其中之一具有一本該本體面對(duì)內(nèi)部空間的表該本體面對(duì)內(nèi)部空間的表面上，且材質(zhì)為靜電消散材；中該多數(shù)個(gè)限制件與該多數(shù):個(gè)支撐件使用多成份射出成型方法結(jié)合本實(shí)用新型提供種支撐件，其特征在于，該支撐件包括—■平面襯底連接一第一斜面且該第一斜面再連接第斜面以形成一整體結(jié)構(gòu)，且于該整體結(jié)構(gòu)的兩側(cè)周邊區(qū)域即設(shè)個(gè)第一開口 ，并于每一該第一開□中配置上固定組件及—下固定組件， 其中該支撐件的材質(zhì)部份或全部為靜電消散材。苴 7 、中該靜電消散材質(zhì)電阻值為10 4_10"Q。本實(shí)用新型提供一種支撐件，苴 z 、特征在于，該支撐件包括—■座體，是以多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)固接于該掩膜傳送合 JUL上主 皿體內(nèi)各角落的位置彎曲彈性組件，其一彎曲的端部結(jié)合于該座體上，另彎曲的一山 乂而部則呈彈性懸浮狀態(tài)于該多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)之間且進(jìn)一步包括一頂持面及一扣壓面；中，當(dāng)該掩膜傳送盒的蓋合 一 掩膜時(shí)，該彎曲彈性組件的該頂持面及該扣壓面與該掩膜接觸并固定之，且該支撐件的材質(zhì)部份或全部為靜電消散材中該靜電消散材質(zhì)電阻值為10 410i1 GI 。本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型提供的掩膜盒以及掩膜傳送合 Jul，是針對(duì)與掩膜直接接觸的掩膜支撐件或限制件的材質(zhì)改變?yōu)殪o電消散材質(zhì)，便可以提供靜電消散的途徑該靜電消散材質(zhì)是界于導(dǎo)電材質(zhì)與非導(dǎo)電材質(zhì)之間，苴 x 、特性在于導(dǎo)電速度慢，因此不易與掩膜或掩膜合 jul產(chǎn)生放電的現(xiàn)象，故不易因生熱而使得掩膜受到影響，有較佳的掩膜保護(hù)作用，且仍具有屏蔽作用，因此可大幅降低損壞掩膜的風(fēng)險(xiǎn)。


合實(shí)為 施進(jìn)及步說 附圖明 詳本 細(xì)實(shí)用新型的具體技術(shù)內(nèi)容以 說明如后，其中下結(jié)圖1是一掩膜合的分解示意圖。實(shí)施圖2 不是 思本實(shí) 圖。用新型掩膜支撐件與限制件的一較佳較佳圖 實(shí)3 施A至圖 結(jié)構(gòu)3 不D 思是本實(shí)用新型掩膜支撐件的 圖。另-*圖4是本實(shí)用新型掩膜支撐件的結(jié)構(gòu)示意圖—-圖5A與圖5B是本實(shí)用新型掩膜支撐件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本實(shí)用新型掩膜支撐的又—*較佳實(shí)施伊J結(jié)構(gòu)示思圖圖7是本實(shí)用新型掩膜支撐件與限制件的又較佳實(shí)施例結(jié)構(gòu)不息圖員體實(shí)施方式由于本實(shí)用新型是揭露種靜電消散材質(zhì)的支撐件與限制件，中所利用到的扭基本組件與彼此間的結(jié)合方式，己于先'、/ * 刖技術(shù)中詳細(xì)揭露，故以下文中的說明不再作兀整描述。同時(shí)，對(duì)于掩膜合主要結(jié)構(gòu)原理，屬于該領(lǐng)域員有通常知識(shí)的人士所能輕易理解的，亦不再贅述而以下文中所對(duì)昭的附圖，是表達(dá)與本實(shí)用新型特征有關(guān)的結(jié)構(gòu)不思并未亦不需要依據(jù)實(shí)際尺寸兀整夕厶制，需先敘明圖1是為本實(shí)用新型掩膜盒或掩膜傳送合 JUL結(jié)構(gòu)的示思圖，此掩膜合 JUL或掩膜傳送合 JUL100包括一第芏體或頂生 rrn—i02與第蓋:體或基座104，第蘭體或頂主l02與第蘭 rm.體或基座104可組合并形成內(nèi)部六間，且此內(nèi)部六間可容置~■掩膜114，苴 z 、中該掩膜合 JUL或掩膜傳送合100的第主 JUL體102或第一蓋體104可為金屬材質(zhì)，或亦可另設(shè)置~■金屬內(nèi)襯于該掩膜合或掩膜傳送合100內(nèi)，形成屏蔽效果以隔絕外在的干擾第一蘭 rm體或基座104是由本體106、導(dǎo)電板i08、多數(shù)個(gè)支撐件i12及多數(shù)個(gè)限制件i10所組成，其中導(dǎo)電板108設(shè)于本體106面對(duì)內(nèi)部空間的表面上，且該導(dǎo)電板108為導(dǎo)電材質(zhì)，而多數(shù)個(gè)限制件110或支撐件112則是設(shè)于導(dǎo)電板108之上，該些支撐件i12及限制件110可為不同材質(zhì)或相同材質(zhì)所構(gòu)成，中支撐件112與導(dǎo)電板108電性相接，且材質(zhì)為電阻值為介于約10-約L 1〕11之間的靜電消散材質(zhì)此外由于將掩膜i14置于支撐件1i2上時(shí)，支撐件112與掩膜i14直接接觸，故使用靜電消散材質(zhì)可持續(xù)導(dǎo)出電荷，避免瞬間放電對(duì)掩膜產(chǎn)生高溫傷害，以減少電荷累積，并防止靜電對(duì)掩膜所造成的傷害圖2為配置于掩膜合 rrtv內(nèi)的多數(shù)個(gè)限制件或支撐件的一較佳實(shí)施例，其中該掩膜合100的第生 皿體104包含本體106、一導(dǎo)電板108、掩膜114、多數(shù)個(gè)限制件1i0與多數(shù)個(gè)支撐件112，中該掩膜品.100的第—芏 皿體102或第一生體104可為金屬材質(zhì)，或亦可另設(shè)置一金屬內(nèi)襯于該掩膜合 JUL或掩膜傳送合100內(nèi)形成屏蔽效果以隔絕夕卜乘積相加作為t時(shí)刻的火焰發(fā)生概率增量APp(t);將每一個(gè)煙霧特征標(biāo)志位Sj 與對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)權(quán)重SVj相乘，然后將所有的乘積相加作為t時(shí)刻的煙霧發(fā)生概 率增量APs(t)，即△PF(t)= :CFi' FVi△PS(t)= SSj. SVj在此，該預(yù)設(shè)權(quán)重根據(jù)特征參數(shù)在判斷中所起到的作用來決定，如 判斷火焰時(shí)，火焰的本質(zhì)特征面積率等，其不易受外部影響的，權(quán)重設(shè)得大一些，對(duì)于火焰探測(cè)的表面特征，如顏色等，易受外部影響，權(quán)重設(shè)得小一些；判斷煙霧時(shí)，反映煙霧的主要特征，如內(nèi)部運(yùn)動(dòng)特征、背景的紋理影響特 征等，權(quán)重設(shè)得大一些，對(duì)于顏色等，易受外部影響的特征，權(quán)重可以設(shè)得小 一些；步驟44，將得到的t時(shí)刻的火焰/煙霧發(fā)生概率增量與t-1時(shí)刻的火焰/煙 霧發(fā)生概率Pp(t)/Ps(t)相加得到t時(shí)刻的火焰/煙霧發(fā)生概率，即 PF(t) = PF(t-l) + APF(t) Ps(t) = Ps(t-l) + APs(t)步驟45，根據(jù)得到的t時(shí)刻的火焰發(fā)生概率和煙霧發(fā)生概率計(jì)算t時(shí)刻火 災(zāi)發(fā)生概率。在此，本實(shí)用新型可根據(jù)以下算法計(jì)算火突發(fā)生概率。 方法1:P(t) = k. Pp(t) + (l隱k) Ps(t)其中k為融合系數(shù)，與使用的場(chǎng)所相關(guān)，是一個(gè)描述場(chǎng)景火災(zāi)特性的參數(shù)， 例如對(duì)于防護(hù)區(qū)域中火災(zāi)主要表現(xiàn)為火焰的，可將k系數(shù)取大一些； 方法2:P(t)-kl'Px(t)，如果P(t)〉1， P(t)=l先出現(xiàn)煙霧，且煙霧發(fā)生概率Ps(t)大于Pthr，則Px(t) = Ps(t), kl = 1+ PF(t); 先出現(xiàn)火焰，且火焰發(fā)生概率PKt)大于Pthr，則Px(t) = PF(t)， kl = 1+ Ps(t); 其中，Pthr為選定的一個(gè)死區(qū)概率閾值，對(duì)于小于這一概率的情況，不予 計(jì)算P (t)。度近似90度，然此角度亦可隨著實(shí)施伊J而調(diào)整，而第一斜面206與第斜面20 4也會(huì)形成角度，作用在提供個(gè)可以平順滑動(dòng)的面接著于支撐件200的整體結(jié)構(gòu)的兩側(cè)周邊區(qū)域即設(shè)—個(gè)第開□208，并于每第開□ 20 8中再配置一個(gè)上固定組件210及個(gè)下固定組件2 12當(dāng)片掩膜114置于掩膜傳送盒10 0的基座104內(nèi)時(shí)，于頂生 皿102與基座104合一的過程中，以便能經(jīng)支撐件200第斜面206的推送，讓掩膜114能夠平順的導(dǎo)入掩膜114至掩膜傳送盒100中適當(dāng)且不晃動(dòng)的位置，然后由上固定組件210及下固定組件212來支撐及固定掩膜另外根據(jù)圖3A，匿1 3B、圖3 C、圖3D為配置于掩膜傳送合 mi支撐件的另.較佳實(shí)施例，圖3B的特征在、'-目'J述實(shí)施例的支撐件200的整體結(jié)構(gòu)的中央?yún)^(qū)域再開設(shè)第—開□214，而此第二開□214的配置可視不同的實(shí)施方式而可增設(shè)在整體結(jié)構(gòu)的中央?yún)^(qū)域或在第一斜面206上形成多數(shù)個(gè)開P經(jīng)由此第開214的設(shè)計(jì)，可以減少掩膜114與支撐件200的接觸面積，因此可以降低塵粒產(chǎn)生的機(jī)率接著請(qǐng)繼續(xù)參考圖3C及圖3 D，其是本實(shí)用新型支撐件的又二實(shí)施伊J特征是在接近中央?yún)^(qū)域增設(shè)至少導(dǎo)軌2 16 ，同時(shí)也可配合第二開口 21 4的位置將導(dǎo)軌2 1 6設(shè)在開口的兩側(cè)上，此導(dǎo)軌2 1 6設(shè)計(jì)的目的之 一 ，即可進(jìn) 一 步減少掩膜1 1 4與支撐件2 00在接觸及滑動(dòng)時(shí)的接觸面積，使得制程良率能提高。另外，為了要使支撐件2 0 Q能夠固定在掩膜傳送盒1 0 0頂蓋1 0 2中，因此在支撐件2 0 0的平面襯底2 0 2的底面兩側(cè)周邊區(qū)域還增設(shè) 一 對(duì)接合組件21 8 ，如圖4所示，以便讓支撐件2 0 0固定在頂蓋1 0 2的 一 側(cè)邊上。而上述的支撐件2 0 0可使用電 阻值為介于約1 0 4 _約1 0 ' 之間的靜電消散材質(zhì) 來形成或是使用 一 種彈性材料來形成。圖5A、圖5B、圖6為配置于掩膜盒內(nèi)的多數(shù)個(gè)支撐件的又 一 較佳實(shí)施例，該支撐件3 0 0包含 一 座體3 Q 2 ，并在座體3 0 2上設(shè)置單或多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)3 0 4 ，可以使座體3 0 2固接于掩膜傳送盒1 0 0的頂蓋1 0 2的各角落上；同時(shí)，還有 一 個(gè)彎曲彈性組件3 0 6與座體3 0 2相連接，其中彎曲彈性組件3 0 6的 一 端自座體3 0 2上整體延伸而出，而彎曲 彈性組件3 0 6的另 一 個(gè)端部則呈彈性懸浮狀態(tài)于此單或多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)3 0 4之間；此彎曲彈性組件3 06進(jìn)一步具有一扣壓面3 Q 8及一頂持面3 1 0的設(shè)計(jì)，以便當(dāng)掩膜傳送盒1 0 0的頂蓋1 0 2與基座10 4生 皿合掩膜114時(shí)，由此彎曲彈性組件306的扣壓面308及頂持面310與掩膜114接觸并且扣合固定另外,本實(shí)用新型中的支撐件300上的單或多數(shù)個(gè)支撐占 304，可設(shè)計(jì)成具有角度配置，此角度可以隨著實(shí)施例而調(diào)整，而本實(shí)用新型以多數(shù)個(gè)支撐占 八 、304為例此外，支撐件300的材質(zhì)為電阻值為介于約10 'i i_約10之間的靜電消散材質(zhì)，并且該支撐件300可使用拆卸的方式與掩膜傳送合 JUL100頂蘭 mrf-102結(jié)合之圖7為配置于掩膜顯內(nèi)的多數(shù)個(gè)限制件或支撐件的再較佳實(shí)施例，苴 z 、掩膜品-100包括一第生 rm—體1 02與第一生 皿體104第蓋體102與第蓋體104組合形成內(nèi)部空間，且此內(nèi)部空間可谷置一掩膜114，苴 z 、中該掩膜盒或掩膜傳送合100的第一芏 rm—體102或第生體104可為金屬材質(zhì)，或亦可另設(shè)置一金屬內(nèi)襯于該掩膜顯或掩膜傳送合10 0內(nèi)，形成屏蔽效果以隔絕外在的干擾。配置于掩膜盒100內(nèi)的多數(shù)個(gè)支撐件112則可分為第支撐件1i2與第—支撐件300兩種型態(tài)，且第支撐件1i2設(shè)于第蘭 mi-體104上，第支撐件300設(shè)于第~■生 皿體上i02將導(dǎo)電板108設(shè)于第一生 ~~■ 皿體i04的本體i06上多數(shù)個(gè)限制件11019或支撐件112則設(shè)于一導(dǎo)電板10 8上，且支撐件1 1 2與導(dǎo)電板1 08電性相接，該些限制件11 0及支撐件112可為不同材質(zhì)或相同材質(zhì)所構(gòu)成， 其中第一限制件11 0與支撐件112是使用多成份射出成型方法^口 n，該嵌入件為支撐件112，且其材質(zhì)為電阻值為介于約1o 4 —約10之間的靜電消散材質(zhì)。第支撐件30 0包含座體302，并在座體30 2上設(shè)置單或多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)304，可以使座體30 2固接于掩膜品 100的第一生 fTTI-體102的各角落上；同時(shí)，還有一個(gè)彎曲彈性組件306與座體3 02相連接， 其中彎曲彈性組件306的~ 丄山 c^i 順自座體30 2上整體延伸而出，而彎曲彈性組件30 6的另一個(gè)端部則呈彈性懸浮狀態(tài)于此單或多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)3 04之間。當(dāng)掩膜1 14被置入掩膜合 fTfl.100內(nèi)第 ~■蓋體104后，掩膜114會(huì)被多數(shù)限制件1 10及第一支撐件1 12支撐，并受限制件10的限制而固定在第蓋體10 4上，且圍繞于掩膜11 4周圍限制件i10的作用則在于減少掩膜100于運(yùn)送中產(chǎn)生振動(dòng)并減少?zèng)_擊而導(dǎo)致掩膜114發(fā)生碰撞，故以多數(shù)'個(gè)支撐件1 12與多數(shù)個(gè)限制件11 0搭配使用的，當(dāng)?shù)谝惶m體102與第二生 JUL體104蓋合 一 掩膜1i4時(shí)，設(shè)置于第~■坐 JUL體102上的第二支撐件3 0 Q的彎曲彈性組件3 0 6進(jìn) 一 步具有 一 扣 壓面3 0 8及 一 頂持面3 1 Q的設(shè)計(jì)，由此彎曲彈性 組件3 0 6的扣壓面3 0 8及頂持面3 1 0與掩膜1 1 4接觸并且扣合固定并共同支撐掩膜1 1 4 。此外 由于將掩膜1 1 4與第 一 支撐件1 1 2 、第二支撐件 3 0 0為直接接觸，故使用電阻值為介于約1 0 4 —約 1 0 1 'Q之間的靜電消散材質(zhì)可持續(xù)導(dǎo)出電荷，避免瞬 間放電對(duì)掩膜產(chǎn)生高溫傷害，以減少電荷累積，并防 止靜電對(duì)掩膜所造成的傷害。本實(shí)用新型進(jìn) 一 步提供再 一 較佳實(shí)施例，為配置 于掩膜傳送盒內(nèi)的多數(shù)個(gè)限制件或支撐件，其掩膜傳送盒l(wèi) 0 Q包括一頂蓋l 0 2與一基座1 0 4，頂蓋1 0 2與基座1 0 4組合形成 一 內(nèi)部空間，且此內(nèi)部空間可容置 一 掩膜1 1 4 ，其中該掩膜傳送盒1 0 0 為金屬材質(zhì)或亦可另設(shè)置一金屬內(nèi)襯于該掩膜傳送盒1 0 0內(nèi)，形成屏蔽效果以隔絕外在的干擾。配置于 掩膜盒1 0 0內(nèi)的多數(shù)個(gè)支撐件1 1 2則可分為第一 支撐件1 1 2 、第二支撐件2 0 0與第三支撐件3 00三種型態(tài)，第一支撐件l 1 2設(shè)于基座1 0 4上， 第二支撐件2 0 0與第三支撐件3 0 0設(shè)于頂蓋1 02上。在頂蓋l Q 2的四個(gè)角落上，配置有多數(shù)個(gè)第 二支撐件2 0 0或第三支撐件3 0 Q ，并且以座體30 2上的單或多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)3 0 4或接合組件2 1 8以可拆卸的方式固接于頂蓋1 0 2內(nèi)各角落的位置，因此可以再提供多數(shù)個(gè)扣壓面3 08及頂持面3 1 0作為固定及支撐點(diǎn)、。當(dāng)掩膜1 1 4被置入掩膜傳送盒1 00內(nèi)的基座10 4后，掩膜11 4會(huì)被多數(shù)限制件110及第支撐件1 1 2支撐，并受限制件1 10的限制而固定在基座1 0 4上，當(dāng)頂蓋1 0 2蓋合時(shí)，由于頂蘭 皿102的相對(duì)基座10 4內(nèi)的近似"n ，:字形結(jié)構(gòu)的開□側(cè)配置有第二支撐件2 0 0 ，故可由第二支撐件200上的第二斜面20 6來將掩膜1 14推至近似門"字形的定位，此時(shí)因頂蓋1 0 2的各個(gè)角落上還配置有多數(shù)個(gè)第三支撐件3 0 0 ，因此當(dāng)掩膜114被第二支撐件2 0 0上的第二斜面2 06推至定位后，還會(huì)被第二支撐件2 0 0上的上固定件210及下固定件2 1 2以及多數(shù)個(gè)第三支撐件30 0上的彈性組件3 0 6的扣壓面3 0 8及頂持面31 0共同支撐及固定掩膜1 1 4 。此外由于將掩膜11 4與第支撐件1 1 2 、第二支撐件2 0 0及第三支撐件300為直接接觸，故使用電阻值為介于約1-纟'"0 '1 Q之間的靜電消散材質(zhì)可持續(xù)導(dǎo)出電荷，避免瞬間放電對(duì)掩膜產(chǎn)生高溫傷害，以減少電荷累積，并防止靜電對(duì)掩膜所造成的傷害。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并 非用以限定本實(shí)用新型的申請(qǐng)專利權(quán)利；同時(shí)以上的 描述，對(duì)于熟知本技術(shù)領(lǐng)域的專門人士應(yīng)可明了及實(shí) 施，因此其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的 等效改變或修飾，均應(yīng)包含在下述的申請(qǐng)專利范圍中。
權(quán)利要求1、一種掩膜盒，其特征在于，該掩膜盒包括一第一蓋體；以及一第二蓋體，與第一蓋體組合形成一內(nèi)部空間，可容置至少一掩膜；其中，該第一以及第二蓋體至少其中之一具有一本體，該本體面對(duì)該內(nèi)部空間的表面上設(shè)有多數(shù)個(gè)支撐件或限制件，該支撐件或限制件材質(zhì)為靜電消散材。
2 、如權(quán)利要求1所述的掩膜盒，其特征在于， 其中該靜電消散材質(zhì)電阻值為1 0 4 — 1 0 11 Q 。
3 、如權(quán)利要求1所述的掩膜盒，其特征在于， 其中該些支撐件及限制件為不同材質(zhì)所構(gòu)成。
4 、如權(quán)利要求1所述的掩膜盒，其特征在于， 其中該些支撐件及限制件為相同材質(zhì)所構(gòu)成。
5 、如權(quán)利要求1所述的掩膜盒，其特征在于， 其中該本體面對(duì)該內(nèi)部空間的表面上設(shè)有 一 導(dǎo)電板，該支撐件設(shè)于該導(dǎo)電板上與該導(dǎo)電板電性連接。
6 、如權(quán)利要求1所述的掩膜盒，其特征在于， 其中該第一蓋體或第二蓋體為金屬材質(zhì)。
7 、如權(quán)利要求1所述的掩膜盒，其特征在于，其中該支撐件的結(jié)構(gòu)包括一平面襯底連接一第一斜面且該第一斜面再連接 一第二斜面以形成 一 整體結(jié)構(gòu)，且于該整體結(jié)構(gòu)的兩 側(cè)周邊區(qū)域即設(shè)二個(gè)第一開口，其中每一該第一開口 中配置 一 上固定組件及 一 下固定組件。
8 、如權(quán)利要求1所述的掩膜盒，其特征在于， 其中該支撐件的結(jié)構(gòu)包括一座體，以多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)固接于該掩膜傳送盒上 蓋體內(nèi)各角落的位置；以及一彎曲彈性組件，其 一 彎曲的端部結(jié)合于該座體 上，另 一 彎曲的端部則呈彈性懸浮狀態(tài)于該多數(shù)個(gè)支 撐點(diǎn)之間，且進(jìn) 一 步包括 一 頂持面及 一 扣壓面；其中，當(dāng)該掩膜傳送盒、的蓋合 一 掩膜時(shí)，該彎曲 彈性組件的該頂持面及該扣壓面與該掩膜接觸并固定 之。
9 、 一種 盒包括一頂蓋；一基座， 少 一 掩膜，該 個(gè)支撐件，該掩膜傳送盒，以與 基 支其特征在于，該掩膜傳送頂芏組合形成一內(nèi)部空間， 可容置座面對(duì)該內(nèi)部空間的表面上設(shè)有多撐件材質(zhì)為靜電消散材，l 0、一種掩膜盒，其特征在于， 該掩膜盒包括一第一蓋體；一第二蓋體， 與第一蓋體組合形成一內(nèi)部空間，可容置至少一掩膜， 且該第一以及第二蓋體至少其中之一具有一本體；多數(shù)個(gè)限制件， 設(shè)置于該本體面對(duì)內(nèi)部空間的表面上； 以及多數(shù)個(gè)支撐件， 設(shè)置于該本體面對(duì)內(nèi)部空間的表面上， 且其材質(zhì)為靜電消散材；其中該多數(shù)個(gè)限制件與該多數(shù)個(gè)支撐件使用多成份射出成型方法結(jié)合。l l、一種掩膜傳送盒， 其特征在于， 該掩膜傳送盒包括一項(xiàng)蓋；一基座， 與項(xiàng)蓋組合形成一內(nèi)部空間， 可容置至少一掩膜， 且該項(xiàng)蓋以及基座至少其中之一具有一本體；多數(shù)個(gè)限制件， 設(shè)置于該本體面對(duì)內(nèi)部空間的表面上； 以及多數(shù)個(gè)支撐件， 設(shè)置于該本體面對(duì)內(nèi)部空間的表面上， 且其材質(zhì)為靜電消散材；3中該鄉(xiāng)數(shù)個(gè)限制件與該多數(shù)個(gè)支撐件使用多成份射出成型方法結(jié)合i2、種支撐件，其特征在于，該支撐件包括平面襯底連接一第一斜面且該第一斜面再連接一第斜面以形成一整體結(jié)構(gòu)，且于該整體結(jié)構(gòu)的兩側(cè)周邊區(qū)域即設(shè)一個(gè)第一開口，并于每一該第一開口中配置上固定組件及 一 下固定組件，其中該支撐件的材質(zhì)部份或全部為靜電消散材。i3、一種支撐件，其特征在于，該支撐件包括座體，是以多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)固接于該掩膜傳送盒上蘭 rm—體內(nèi)各角落的位置；彎曲彈性組件，其 一 彎曲的端部結(jié)合于該座體上，另彎曲的上山 順部則呈彈性懸浮狀態(tài)于該多數(shù)個(gè)支撐點(diǎn)之間，且進(jìn)步包括一頂持面及一扣壓面；苴 z 、中，當(dāng)該掩膜傳送盒的蓋合 一 掩膜時(shí)，該彎曲彈性組件的該頂持面及該扣壓面與該掩膜接觸并固定之，且該支撐件的材質(zhì)部份或全部為靜電消散材。i4、如權(quán)利要求1 2或1 3所述的支撐件，其特征在于中該靜電消散材質(zhì)電阻值為1 o 4 — 1 0
專利摘要本實(shí)用新型的掩膜盒以及掩膜傳送盒，是用于避免環(huán)境中微粒對(duì)掩膜造成污染，以及防止掩膜上的電荷累積所產(chǎn)生的靜電放電破壞。此掩膜盒由兩蓋體所組成；其中至少一蓋體上的支撐件或限制件的材料為靜電消散材，此種材質(zhì)可減少電荷累積，并防止靜電對(duì)掩膜所造成的傷害。
文檔編號(hào)H01L21/673GK201091030SQ20072017750
公開日2008年7月23日 申請(qǐng)日期2007年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月30日
發(fā)明者王建峰 申請(qǐng)人:家登精密工業(yè)股份有限公司