專利名稱：瑕疵存儲(chǔ)器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
瑕爽存儲(chǔ)器封裝結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域本新型涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種瑕瘋存儲(chǔ)器的封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景當(dāng)存儲(chǔ)器中存在壞的存儲(chǔ)塊時(shí)，該存儲(chǔ)器為瑕瘋存儲(chǔ)器，這些壞的存 儲(chǔ)塊不能被使用，而好的存儲(chǔ)塊仍可以被正常使用，目前，為了充分利用有缺陷的存儲(chǔ)器，行業(yè)內(nèi)做各種IC芯片來(lái)配合使用有缺陷的存儲(chǔ)器專利號(hào)為200410086950.7的中國(guó)專利文件提出了 一種利用瑕瘋存儲(chǔ)器 的方法和裝置，現(xiàn)有技術(shù)在實(shí)施時(shí)，還必須先檢測(cè)存儲(chǔ)器的壞塊區(qū)域，根 據(jù)檢測(cè)結(jié)果對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行分塊，設(shè)置電氣開關(guān)，通過(guò)手工操作該電氣開關(guān) 的方式進(jìn)行控制。這種以電氣開關(guān)做成的利用瑕瘋存儲(chǔ)器的裝置，在使用時(shí)，由于該電 氣開關(guān)較大，不能與瑕瘋存儲(chǔ)器封裝在一起，因此其一般是將這些裝置(IC 芯片)封裝好以后，與封裝好的DDRII存儲(chǔ)顆粒配合使用，即是將其與存 儲(chǔ)器顆粒分別焊接在PCB板上，即該電氣開關(guān)需要連接到瑕瘋存儲(chǔ)器的印 刷電路板(Printed Circuit Board, PCB)上，而PCB板設(shè)計(jì)前不會(huì)預(yù)留連 接該電氣開關(guān)的引腳和電路，這種使用方式需要更改原有PCB設(shè)計(jì)，可見 現(xiàn)有技術(shù)的電氣開關(guān)與DDR2存儲(chǔ)器配合使用的結(jié)構(gòu)無(wú)法實(shí)現(xiàn)與DDR2存 儲(chǔ)器封裝在一起的效果，且需要更改生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)起來(lái)較繁瑣，不利于 生產(chǎn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種利用瑕瘋存儲(chǔ)器的封裝結(jié)構(gòu)，以克服現(xiàn)有技術(shù)中需要更改原有的PCB板生產(chǎn)工藝，不方便生產(chǎn)的缺陷，以使帶有 解決缺陷的裝置與原有瑕瘋存儲(chǔ)器使用的PCB兼容。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種利用瑕瘋存儲(chǔ)器的封裝結(jié) 構(gòu)是這樣實(shí)現(xiàn)的一種瑕瘋內(nèi)存顆粒的封裝結(jié)構(gòu)，其包^^碼IC，內(nèi)存顆?？闷琍CB 板，焊接用錫球和封膠，其中，所述的譯碼IC為利用瑕瘋存儲(chǔ)器的裝置。瑕瘋內(nèi)存顆?？闷囊粋?cè)與PCB板固設(shè)在一起；瑕瘋內(nèi)存顆?？闷牧硪粋?cè)與譯碼IC固設(shè)在一起；焊接用的錫球位于PCB板的另一側(cè)下方；PCB板裝有錫球的一面的 兩側(cè)上在錫球的空余處的各3個(gè)位置設(shè)有引腳，所述引腳與IC譯碼芯片相連；所述瑕瘋內(nèi)存顆?？闷CB板、譯碼IC、焊接用錫球和引腳由封膠 封裝在一起。所述的瑕瘋內(nèi)存顆?？闷瑸殍Ο侱DR1/DDR2/DDR3內(nèi)存顆粒棵片。 所述的瑕瘋內(nèi)存顆粒的封裝結(jié)構(gòu)，其譯碼IC是用膠水將固設(shè)在瑕瘋內(nèi) 存顆?？闷?。采用上述方案后，由于譯碼IC和瑕疵內(nèi)存顆粒封裝在一起，因?yàn)樵谑?用時(shí)，其不需要更改原有PCB板的任何設(shè)計(jì)，與習(xí)用相比，其克服了現(xiàn)有 技術(shù)中需要更改原有的PCB板生產(chǎn)工藝，不方便生產(chǎn)的缺陷，可以使帶有 解決缺陷的裝置與原有瑕瘋存儲(chǔ)器使用的PCB兼容。附困說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型瑕瘋存儲(chǔ)顆粒的封裝結(jié)構(gòu)側(cè)視圖2為本實(shí)用新型DDR2內(nèi)存顆粒的封裝結(jié)構(gòu)的底^L圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型中提出的利用瑕瘋存儲(chǔ)器的裝置(即譯碼IC)是芯片，一 般地都有成熟的工藝可以將芯片打磨的很薄，這樣，由本發(fā)明提出的利用 瑕瘋存儲(chǔ)器的裝置，有以下內(nèi)存顆粒的封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。該瑕瘋內(nèi)存顆粒的封裝結(jié)構(gòu)包M碼IC1，內(nèi)存顆?？闷?，PCB板3， 焊接用錫球4和封膠5，所述的瑕疵內(nèi)存顆?？闷?為瑕疵 DDR1/DDR2/DDR3，或其它類似的內(nèi)存顆粒棵片，下面以所述的瑕瘋內(nèi)存 顆?？闷瑸镈DR2內(nèi)存顆粒棵片為例說(shuō)明。如圖1所示，瑕瘋內(nèi)存顆?？闷?的一側(cè)與PCB板3固設(shè)在一起。所述的譯碼IC1為利用瑕瘋存儲(chǔ)器的裝置。瑕瘋內(nèi)存顆粒棵片2的另一側(cè)與譯碼IC1固設(shè)在一起，其可以用膠水 將譯碼IC1粘貼在瑕疵內(nèi)存顆?？闷?上。由于譯碼IC1被打磨的很薄， 因此用封膠5將瑕瘋存儲(chǔ)器封裝起來(lái)后，其整體厚度并不比原來(lái)厚多少。PCB板3的另一側(cè)下方有焊接用的錫球4。圖2為瑕瘋內(nèi)存顆粒的封裝結(jié)構(gòu)的底視圖。其外觀與原來(lái)不包括譯碼 IC的封裝結(jié)構(gòu)相比，只在圖中所示位置多了 6個(gè)引腳，兩側(cè)各3個(gè)，而原 來(lái)的封裝結(jié)構(gòu)在這6個(gè)位置上是沒(méi)有引腳的。這六個(gè)位置位于原來(lái)的PCB 板的外側(cè)錫球規(guī)則排列的空余處。本發(fā)明可以利用這6個(gè)位置作為6個(gè)引 腳，可以與IC譯碼芯片相連，供IC譯碼芯片測(cè)試、編程使用。由于譯碼IC和瑕疵內(nèi)存顆粒封裝在一起，因?yàn)樵谑褂脮r(shí)，其不需要更 文原有PCB板的任何設(shè)計(jì)，與習(xí)用相比，其克服了現(xiàn)有技術(shù)中需要更改原 有的PCB板生產(chǎn)工藝，不方便生產(chǎn)的缺陷，可以使帶有解決缺陷的裝置與 原有瑕瘋存儲(chǔ)器使用的PCB兼容。雖然通過(guò)實(shí)施例描繪了本實(shí)用新型，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員知道，本發(fā)
明有許多變形和變化而不脫離本新型的精神，希望所附的權(quán)利要求包括這 些變形和變化而不脫離本新型的精神。
權(quán)利要求1、一種瑕疵內(nèi)存顆粒的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括譯碼IC，瑕疵內(nèi)存顆粒裸片，PCB板，焊接用錫球和封膠，其中，所述的譯碼IC為利用瑕疵存儲(chǔ)器的裝置。瑕疵內(nèi)存顆粒裸片的一側(cè)與PCB板固設(shè)在一起；瑕疵內(nèi)存顆粒裸片的另一側(cè)與譯碼IC固設(shè)在一起；焊接用的錫球位于PCB板的另一側(cè)下方；PCB板裝有錫球的一面的兩側(cè)上在錫球的空余處的各3個(gè)位置設(shè)有引腳，所述引腳與IC譯碼芯片相連；所述瑕疵內(nèi)存顆粒裸片、PCB板、譯碼IC、焊接用錫球和引腳由封膠封裝在一起。
2、 如權(quán)利要求l所述的瑕瘋內(nèi)存顆粒的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 的瑕疵內(nèi)存顆粒棵片為瑕瘋DDR1/DDR2/DDR3內(nèi)存顆?？闷?br> 3、 如權(quán)利要求2所述的瑕瘋內(nèi)存顆粒的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于譯碼 IC是用膠水將固設(shè)在瑕瘋內(nèi)存顆?？闷?。
專利摘要本新型提供一種瑕疵內(nèi)存顆粒的封裝結(jié)構(gòu)，其包括譯碼IC，內(nèi)存顆粒裸片，PCB板，焊接用錫球和封膠，其中，所述的譯碼IC為利用瑕疵存儲(chǔ)器的裝置；瑕疵內(nèi)存顆粒裸片的一側(cè)與PCB板固設(shè)在一起；瑕疵內(nèi)存顆粒裸片的另一側(cè)與譯碼IC固設(shè)在一起；焊接用的錫球位于PCB板的另一側(cè)下方；PCB板裝有錫球的一面的兩側(cè)上在錫球的空余處的各3個(gè)位置設(shè)有引腳，所述引腳與IC譯碼芯片相連；所述瑕疵內(nèi)存顆粒裸片、PCB板、譯碼IC、焊接用錫球和引腳由封膠封裝在一起；本新型克服了現(xiàn)有技術(shù)中需要更改原有的PCB板生產(chǎn)工藝，不方便生產(chǎn)的缺陷，可以使帶有解決缺陷的裝置與原有瑕疵存儲(chǔ)器使用的PCB兼容。
文檔編號(hào)H01L23/488GK201017883SQ20072011865
公開日2008年2月6日 申請(qǐng)日期2007年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月16日
發(fā)明者張華龍, 殷立定, 羅魏熙 申請(qǐng)人:深圳市芯邦微電子有限公司