專利名稱：超快恢復(fù)二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電力電子領(lǐng)域，尤其涉及電力電子器件，具體地說是一種超 快恢復(fù)二極管芯片。
背景技術(shù)：
電力電子技術(shù)是一門介于自動控制技術(shù)、電子技術(shù)和電力技術(shù)之間的一門邊緣 技術(shù)，自從電力電子器件誕生起，發(fā)展十分迅速，應(yīng)用于電力的產(chǎn)生、變換和使用 的各個環(huán)節(jié)，在國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域大顯身手。它具有應(yīng)用廣泛、控制方便、高效 節(jié)能的特點，被各個國家列入重點發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。電力電子器件是電力電子 技術(shù)基礎(chǔ)和關(guān)鍵，每一個新型電力電子器件的產(chǎn)生都帶來了電力電子技術(shù)一次革命 性的發(fā)展。目前電力電子技術(shù)發(fā)展趨勢是高壓大容量化、快速高頻化和模塊智能化。 超快恢復(fù)二極管及其芯片是主要的快速高頻器件之一，隨著電力電子的高頻化發(fā)展， 超快恢復(fù)二極管及其芯片的市場需求增長很快。傳統(tǒng)的二極管與芯片是在工頻條件下進行工作的，只能適用于工作頻率是幾十 到幾百赫茲的場合。超快恢復(fù)二極管芯片是近年來問世的新型半導(dǎo)體器件，具有開 關(guān)特性好，反向恢復(fù)時間短等優(yōu)異性能。最先德國西門康、美國摩托羅拉等著名公 司研制開發(fā)?；趪獾纳a(chǎn)工藝，這些公司提供的均是經(jīng)切割加工玻璃鈍化后的 單純硅片，厚度在0.25毫米左右，上下兩面一般鍍鎳以用來后道的焊接加工。這種 產(chǎn)品的缺點是產(chǎn)品強度差，易損壞，對后道焊接加工工藝要求高，后道加工成品率 低，不適合國內(nèi)使用。由于硅片是十分易碎的物品，所以運輸、防護都比較難。發(fā)明內(nèi)容本實用新型要解決的是現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，旨在提供一種新型的超快 恢復(fù)二極管芯片。解決上述問題釆用的技術(shù)方案是超快恢復(fù)二極管芯片，包括硅片，其特征在于所述的硅片上、下表面均設(shè)有與硅片熱膨脹系相似材料的襯片。 本實用新型的超快恢復(fù)二極管芯片，具有以下優(yōu)點-1、 增強芯片的機械強度，保護芯片，使芯片不易破碎。2、 減小芯片在后道封裝過程中的應(yīng)力，所用襯片與硅片有相似的熱膨脹系數(shù)， 能有效緩沖芯片與下面所焊的底板間的應(yīng)力。3、 增加襯片能有效均勻分布電流，使工作電流較均勻地通過整個芯片的橫截面， 提高芯片的性能。4、 提高工作電流，減小反向恢復(fù)時間。根據(jù)本實用新型，所述上、下襯片采用金屬化的陶瓷片或氧化鈹片。 根據(jù)本實用新型，所述硅片與上、下襯片采用鉛錫合金熔接。采用焊接性能良好的焊料，芯片的上下二面都搪有焊料，十分適合國內(nèi)的焊接工藝，在焊接過程中自動填充焊接面間的空隙，使硅片與襯片接觸良好。根據(jù)本實用新型，所述硅片的周邊也采用鉛錫合金熔接封閉。


以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。 圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
參照圖l，超快恢復(fù)二極管芯片，包括硅片3，所述的硅片3上、下表面均 設(shè)有氧化鈹片2、 4。所述上、下氧化鈹片2、 4采用鉛錫合金與硅片3熔接。所 述硅片3的周邊也采用鉛錫合金熔接封閉。應(yīng)該理解到的是上述實施例只是對本實用新型的說明，而不是對本實用新 型的限制，任何不超出本實用新型實質(zhì)精神范圍內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均落入本實用新 型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、超快恢復(fù)二極管芯片，包括硅片(3)，其特征在于所述的硅片(3)上、下表面均設(shè)有與硅片(3)熱膨脹系相似材料的襯片(2、4)。
2、 如權(quán)利要求l所述的超快恢復(fù)二極管芯片，其特征在于所述上、下襯片(2、 4)采用金屬化的陶瓷片或氧化鈹片。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的超快恢復(fù)二極管芯片，其特征在于所述硅片(3)與 上、下襯片(2、 4)采用鉛錫合金熔接。
4、 如權(quán)利要求1所述的超快恢復(fù)二極管芯片，其特征在于所述硅片(3)的周邊 也采用鉛錫合金熔接封閉。
專利摘要本實用新型公開了一種超快恢復(fù)二極管芯片，包括硅片，其特征在于所述的硅片上、下表面均設(shè)有與硅片熱膨脹系相似材料的襯片。本實用新型的超快恢復(fù)二極管芯片，具有以下優(yōu)點1.增強芯片的機械強度，保護芯片，使芯片不易破碎。2.減小芯片在后道封裝過程中的應(yīng)力，所用襯片與硅片有相似的熱膨脹系數(shù)，能有效緩沖芯片與下面所焊的底板間的應(yīng)力。3.增加襯片能有效均勻分布電流，使工作電流較均勻地通過整個芯片的橫截面，提高芯片的性能。4.提高工作電流，減小反向恢復(fù)時間。所述上、下襯片采用金屬化的陶瓷片或氧化鈹片。所述硅片與上、下襯片采用鉛錫合金熔接。所述硅片的周邊也采用鉛錫合金熔接封閉。
文檔編號H01L29/66GK201117662SQ20072011377
公開日2008年9月17日 申請日期2007年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月29日
發(fā)明者偉 徐, 項衛(wèi)光 申請人:浙江正邦電力電子有限公司