專利名稱：一種發(fā)光二極管封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及發(fā)光二極管，特別是一種發(fā)光二極管封裝結構。
背景技術：
傳統(tǒng)的發(fā)光二極管都是將發(fā)光芯片置于一個金屬支架上，將發(fā)光 芯片的正負極與金屬支架的正負極分別電連接形成通路，然后按極性 給金屬支架通電，發(fā)光芯片就會發(fā)光。由于金屬支架一端被封裝層完 全包覆在里面，露在外面的一端很難分辨出極性，因此很容易地將金 屬支架的正負極弄反而接反電源導致燒壞發(fā)光芯片的情況。發(fā)光芯片 對靜電非常敏感，而承受能力有限，很容易就被外部環(huán)境所產生的靜 電所損毀。由于發(fā)光二極管是正向導通的，所以只能是相對發(fā)光芯片 為逆向的靜電才會對發(fā)光芯片造成傷害。綜上所述，逆向電壓成為影 響發(fā)光二極管使用壽命的一個比較突出的因素，所以必須要有一種裝 置來防止逆向電壓損壞發(fā)光二極管。 發(fā)明內容
本實用新型提供一種發(fā)光二極管封裝結構，這種結構中的組件能 防止逆向龜壓損壞發(fā)光二極管，起到保護發(fā)光二極管的作用。
解決上述問題的方案如下 一種發(fā)光二極管封裝結構，包括發(fā)光 芯片和兩個電極支架，電極支架的頂端帶有碗杯，發(fā)光芯片置于該碗 杯內，其特征是在電極支架的頂端帶有一個凹孔，該凹孔內設有逆向
電壓保護裝置，且逆向電壓保護裝置的正極與發(fā)光芯片的負極連接， 逆向電壓保護裝置的負極與發(fā)光芯片的正極連接，另外所述逆向電壓
保護裝置的頂面低于發(fā)光芯片的頂面，所述逆向電壓保護裝置為齊納
二極管(Zener Diode)、肖特基二極管(Schottky Diode)或瞬變電 壓抑制二極管(Transient voltage Suppressor Diocie)中任意一款。
采用上述方案之后，本實用新型與現(xiàn)有的傳統(tǒng)發(fā)光二極管相比， 對逆向電壓的危害有了很大的抵抗能力，在一定程度上增加了它的使 用壽命，而且不會影響到發(fā)光二極管的發(fā)光效果。

圖1為本實用新型電極支架的立體圖； 圖2為本實用新型電極支架的俯視圖； 圖3為圖2中的A-A剖示圖； 圖4為本實用新型電路連接示意圖。
具體實施方式

參照圖1、圖2和圖3，本實用新型包括發(fā)光芯片12禾II兩個電極 支架，第一電極支架l的頂端帶有碗杯ll，發(fā)光芯片12置于該碗杯 11內，第二電極支架2的頂端帶有一個凹孔21，該凹孔內設有逆向 電壓保護裝置22。凹孔21也可設于第一電極支架1上，但這樣必須 增大第一電極支架1的體積，使LED的體積灘大，打線也不方便， 因此通常的做法是將凹孔21與碗杯11設于不同的電極支架上。參照 圖4，逆向電壓保護裝置22與發(fā)光芯片12并聯(lián)，逆向電壓保護裝置 22的正極與發(fā)光芯片12的負極連接，逆向電壓保護裝置22的負極 與發(fā)光芯片12的正極連接。當電流正向加載于發(fā)光芯片12時，發(fā)光 芯片12導通不會受此電流影響；當電流逆向通過加載于發(fā)光芯片12
時，逆向電壓保護裝置22導通，電流則不經(jīng)過發(fā)光芯片12，發(fā)光芯 片12也不受影響。因此，不論電壓電流的方向如何，發(fā)光芯片12都 不受影響，能承受靜電產生的影響，不會受到浪涌電壓電流的影響， 大大提高了使用壽命。
本實用新型中的逆向保護裝置22，可以是齊納二極管(Zener Diode)、肖特基二極管(Schottky Diode)或瞬變電壓抑制二極管 (Transient voltage Suppressor Diode)中任意一款。'為了使逆向保護裝置 不擋住或吸收光線，將逆向保護裝置安置于凹孔21內，如圖3中所 示，并且使逆向保護裝置22的頂面比發(fā)光芯片12的頂面低。
權利要求1、一種發(fā)光二極管封裝結構，包括發(fā)光芯片和兩個電極支架，電極支架的頂端帶有碗杯，發(fā)光芯片置于該碗杯內，其特征在于在電極支架的頂端還帶有一個凹孔，該凹孔內設有逆向電壓保護裝置。
2、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所 述逆向電壓保護裝置的正極與發(fā)光芯片的負極連接，逆向電壓保護裝置 的負極與發(fā)光芯片的正極連接。
3、 根據(jù)權利要求t所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所 述逆向電壓保護裝置的頂面低于發(fā)光芯片的頂面。
4、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所述逆向電壓保護裝置為齊納二極管(ZenerDiode)。
5、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所 述逆向電壓保護裝置為肖特基二極管(SchottkyDiode)。
6、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于所 述逆向電壓保護裝置為瞬變電壓抑制二極管(Transient voltage Suppressor Diode)。
專利摘要本實用新型是一種發(fā)光二極管封裝結構，包括發(fā)光芯片和兩個電極支架，其中第一電極支架的頂端帶有碗杯，發(fā)光芯片置于該碗杯內，其特征是上述兩個電極中，第二電極支架的頂端帶有一個凹孔，該凹孔內設有逆向電壓保護裝置，能防止逆向電壓損壞發(fā)光二極管，起到保護發(fā)光二極管的作用。
文檔編號H01L33/00GK201007992SQ20072004839
公開日2008年1月16日 申請日期2007年2月2日 優(yōu)先權日2007年2月2日
發(fā)明者樊邦弘 申請人:鶴山麗得電子實業(yè)有限公司