專利名稱：具有晶圓黏片膠帶的集成電路及其封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路，特別是有關(guān)于一種半導(dǎo)體晶片的封裝
技術(shù)，且特別是有關(guān)于一種具有硅貫通電極(Through-Silicon Vias; TSV) 的半導(dǎo)體晶片的封裝技術(shù)。
背景技術(shù)：
硅貫通電極亦泛指穿透晶圓的電極(Through-wafer vias; TWV)，廣泛 地使用于集成電路。硅貫通電極適用于作晶片堆疊。在具有第一個晶片堆 疊在第二個晶片上的堆疊晶片中，第一個晶片可借由其硅貫通電極而電性 連接至第二個晶片的頂部表面。硅貫通電極亦廣泛地運用于提供晶片前表 面至背部表面的快速且低阻力的路徑。
圖1至圖3繪示在晶片內(nèi)形成硅貫通電極及借由硅貫通電極接地的傳 統(tǒng)制程中間階段的剖面示意圖。參照圖1,硅貫通電極12形成于晶片10內(nèi)， 并大體上自晶片10的前表面(頂部表面)延伸至基板14,基板14通常是由 硅所組成。硅貫通電極12可為晶片10內(nèi)的集成電路提供接地路徑。鑒于 制程(也就是，制造方法)的差異，硅貫通電極12可能具有不同長度L。
在圖2中，使用研漿(Slurry)侵蝕硅以研磨晶片IO的背部表面。為確 保所有的硅貫通電極12皆暴露于背部表面，需研磨硅基板14至一定程度 使至少部分硅貫通電極12稍微凸出于背部表面。由于硅貫通電極12的長 度不一致，因此有些硅貫通電極12會凸出較多。
在圖3中，借由銀膠18將晶片10固定于基板16上，基板16可能為 導(dǎo)線架或其他種類的封裝基板。 一般而言，銀膠18為液態(tài)。施加銀膠18 于基板16后，將晶片10壓合至銀膠18。銀膠18具有導(dǎo)電性，因此可電性 連接硅貫通電極12。晶片IO借由硅貫通電極12而接地。由于硅貫通電極 12可能會以不同長度L凸出于晶片IO的背部表面，因此晶片IO可能會傾 斜。此會導(dǎo)致可靠性的問題。例如，當(dāng)形成打線接合后，會施加模鑄材料 20。由于晶片IO的傾斜，打線接合的一部分(例如打線22)可能不會完全被 模鑄材料2 0所覆蓋，因此易遭受機械性傷害。
解決上述問題的途徑為在研磨完基板14之后，研磨凸出來的硅貫通電 極12。然而，硅貫通電極12通常是由銅所組成，其所需要的研漿與研磨硅 基板所用的研漿不同，故需要額外的研磨制程。再者，由于污染的問題， 研磨銅的制程的成本大于研磨硅。因此，研磨背部的硅貫通電極是非理想 的解決問題的辦法。于是需要新的方法，可以在不會導(dǎo)致上述問題的情況 下封裝晶片于基板上。
有鑒于上述現(xiàn)有的集成電路制成存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類 產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極 加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的集成電路結(jié)構(gòu)及其封裝結(jié)構(gòu)的形成方法， 使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進后， 終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于利用異方性導(dǎo)電膜做為晶片的電性連接層，可以吸 收硅貫通電極凸出長度的差異。如此可避免傳統(tǒng)封裝制程中晶片傾斜的情 況，當(dāng)封裝完畢后，晶片可平行于相對應(yīng)的封裝基板。
因此本發(fā)明的 一方面是提供一種集成電路結(jié)構(gòu)，包含晶片以及連接于
晶片背部表面的異方性導(dǎo)電膜(Anisotropic Conducting Film; ACF)。晶 片包含前表面、位于晶片的前表面的反面的背部表面以及暴露于晶片的背 部表面的硅貫通電極。
本發(fā)明的另 一方面是提供一種集成電路晶圓黏片膠帶，包含紫外線晶 圓黏片膠帶以及異方性導(dǎo)電膜，異方性導(dǎo)電膜位于紫外線晶圓黏片膠帶的 一面之上。
本發(fā)明的另一方面是提供一種方法以形成封裝結(jié)構(gòu)，包含提供晶片， 其具有前表面、位于前表面的反面的背部表面以及暴露于晶片的背部表面 的硅貫通電極。此方法更包含將異方性導(dǎo)電膜貼附于晶片的背部表面，其 中硅貫通電極穿透入異方性導(dǎo)電膜。
本發(fā)明的另 一方面是提供一種方法以形成封裝結(jié)構(gòu)，包含提供半導(dǎo)體 晶圓以及提供集成電路晶圓黏片膠帶。集成電路晶圓黏片膠帶具有紫外線 晶圓黏片膠帶以及異方性導(dǎo)電膜，異方性導(dǎo)電膜位于紫外線晶圓黏片膠帶 的 一面之上。此方法更包含將半導(dǎo)體晶圓貼附到集成電路晶圓黏片膠帶， 其中晶圓的背部表面和異方性導(dǎo)電膜相接觸。切割半導(dǎo)體晶圓以分離位于 半導(dǎo)體晶圓中的晶片。暴露紫外線晶圓黏片膠帶于紫外線下。將紫外線晶 圓黏片膠帶自異方性導(dǎo)電膜脫落。將從半導(dǎo)體晶圓分離的晶片固定于封裝 基板上，其中異方性導(dǎo)電膜介于晶片和封裝基板之間。
借由使用異方性導(dǎo)電膜做為電性連接層，可以吸收硅貫通電極凸出長 度的差異。當(dāng)封裝完畢后，晶片可平行于相對應(yīng)的封裝基板。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種集成電路結(jié)構(gòu)，包含 一晶片，其包含 一前表面；一 背部表面位于該晶片的該前表面的反面；以及一硅貫通電極暴露于該晶片
的該背部表面；以及一異方性導(dǎo)電膜貼附于該晶片的該背部表面。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來進一步實現(xiàn)。 前述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述的硅貫通電極凸出于該晶片的該背部
表面，并穿透入該異方性導(dǎo)電膜。
前述的集成電路結(jié)構(gòu)，其還包含一封裝基板，其中該異方性導(dǎo)電膜介
于該封裝基板及該晶片之間。
前述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述的異方性導(dǎo)電膜連接該封裝基板。 前述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述的封裝基板選自于由玻璃基板、雙馬
來亞酰胺三氮六環(huán)化合物基板、印刷電路基板及導(dǎo)線架所組成的群組。 前述的集成電路結(jié)構(gòu)，其還包含介于該封裝基板及該異方性導(dǎo)電膜的
間的一導(dǎo)電層。
前述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述的封裝基板包含一導(dǎo)電層，且其中該 導(dǎo)電層進一步電性連接至位于該晶片內(nèi)的該硅貫通電極及額外一硅貫通電 極。
前述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述的晶片是一晶圓的一部分，且其中該
集成電路結(jié)構(gòu)更包含和該異方性導(dǎo)電膜相連接的一紫外線晶圓黏片膠帶， 且其中該異方性導(dǎo)電膜及該紫外線晶圓黏片膠帶的大小不會小于該晶圓的大小。
前述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述的異方性導(dǎo)電膜與該紫外線晶圓黏片 膠帶相連接，該異方性導(dǎo)電膜不與該晶圓相連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種集成電路晶圓黏片膠帶，其包含一紫外線晶圓黏片膠帶； 以及一異方性導(dǎo)電膜位于該紫外線晶圓黏片膠帶的一面上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來進一步實現(xiàn)。
前述的集成電路晶圓黏片膠帶，其中所述的紫外線晶圓黏片膠帶連接 該異方性導(dǎo)電膜。
前述的集成電路晶圓黏片膠帶，其還包含介于該紫外線晶圓黏片膠帶 和該異方性導(dǎo)電膜之間的 一撓性導(dǎo)電層。
前述的集成電路晶圓黏片膠帶，其中所述的撓性導(dǎo)電層連接該異方性 導(dǎo)電膜。
前述的集成電路晶圓黏片膠帶，其中所述的異方性導(dǎo)電膜的厚度約為
25 iaM至75 jaM。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其包含提供一晶片，該晶片包含 一前表面； 一背部表面位于該前表面的反面；以及一硅貫通電極暴露于該 晶片的該背部表面；以及貼附一異方性導(dǎo)電膜于該晶片的該背部表面，其
中該石圭貫通電極穿透入該異方性導(dǎo)電膜。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來進一步實現(xiàn)。 前述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述的在貼附該異方性導(dǎo)電膜的步
驟包含提供一集成電路晶圓黏片膠帶，該膠帶包含 一紫外線晶圓勦片 月吏帶；以及一異方性導(dǎo)電膜位于該紫外線晶圓li片股帶的一面上；貼附一 半導(dǎo)體晶圓至該集成電路晶圓黏片膠帶，其中該晶片是該晶圓的一部分， 且其中該晶圓的該背部表面和該異方性導(dǎo)電膜相接觸；切割該半導(dǎo)體晶圓 以分離位于該半導(dǎo)體晶圓內(nèi)的多個晶片；暴露該紫外線晶圓黏片膠帶于一 紫外線中；以及將該紫外線晶圓黏片膠帶自該異方性導(dǎo)電膜上脫落。
前述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述的提供該晶圓的步驟包含提 供具有該晶片的一晶圓，其中該晶片包含許多硅貫通電極；以及研磨該晶 圓背部以暴露出所述硅貫通電極。
前述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，還包含固定該晶片及該異方性導(dǎo)電膜至 一封裝基板上，其中所述硅貫通電極包含至少二種不同的硅貫通電極長度， 且其中當(dāng)完成固定的步驟后，該晶片的一背部表面大體上與該封裝基板的 表面平4亍。
發(fā)明提出的一種封裝:構(gòu)的形成;法，、其包;提供二半導(dǎo):晶圓；'提供 一集成電路晶圓黏片膠帶，該膠帶包含 一紫外線晶圓黏片膠帶；以及一 異方性導(dǎo)電膜位于該紫外線晶圓黏片膠帶的一面上；貼附一半導(dǎo)體晶圓至 該集成電路晶圓黏片膠帶，其中該晶圓的一背部表面和該異方性導(dǎo)電膜相 接觸；切割該半導(dǎo)體晶圓以分離位于該半導(dǎo)體晶圓內(nèi)的多個晶片；暴露該 紫外線晶圓黏片膠帶于一紫外線中；將該紫外線晶圓黏片膠帶自該異方性 導(dǎo)電膜上脫落；以及固定與該半導(dǎo)體晶圓分離的 一晶片于 一封裝基板上， 其中該異方性導(dǎo)電膜介于該晶片及該封裝基板之間。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來進一步實現(xiàn)。
前述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述的晶片包含凸出于該晶片的一 背部表面的一硅貫通電極，且其中該固定晶片的步驟中，該硅貫通電極穿 透入該異方性導(dǎo)電膜。
前述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述的硅貫通電極至少有二個硅貫 通電極以不同長度凸出于該晶片的該背部表面。
前述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述在切割該半導(dǎo)體晶圓的步驟中， 切口延伸至該異方性導(dǎo)電膜。
前述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述的異方性導(dǎo)電膜更包含介于該 封裝基板與該異方性導(dǎo)電膜之間的 一導(dǎo)電層，且其中在將該紫外線晶圓黏 片膠帶自該異方性導(dǎo)電膜脫落的步驟之后，該導(dǎo)電層會貼附到該異方性導(dǎo) 電膜上。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點
首先，借由使用異方性導(dǎo)電膜，可將硅貫通電極長度的差異性加以吸收。
其次，晶片可因異方性導(dǎo)電/漢的1'吏用而和基4反維持平4亍。
再者，經(jīng)由本發(fā)明的技術(shù)方案，可將傳統(tǒng)上晶片封裝結(jié)構(gòu)可能暴露于 模鑄材料的情況降低。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細(xì)說明如下。


圖1至圖3是用以說明傳統(tǒng)制造及封裝半導(dǎo)體晶片的中間過程的代表圖。
圖4至圖8是用以說明制造本發(fā)明實施例的中間過程的代表圖。
10:晶片38:導(dǎo)電基質(zhì)
12'.硅貫通電極39:導(dǎo)電層
14:硅基板40:晶圓
16:基板42:晶片
18:銀膠44:半導(dǎo)體基板
20:模鑄材料45:電晶體
22:打線46:硅貫通電極
30:集成電路晶圓黏片膠帶48:接合墊
32:異方性導(dǎo)電膜50:封裝基板
34:紫外線晶圓黏片膠帶51:重布線^各
36:導(dǎo)電粒子52:模鑄材料
具體實施例方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、方法 特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
依照本發(fā)明 一較佳實施例的制造和使用詳述如下。本發(fā)明提供許多應(yīng) 用性的發(fā)明概念，能在許多廣大的特定本文中據(jù)以實施。在此所述的特定
實施例僅做為說明本發(fā)明特定的制造和使用，其并非用以限定本發(fā)明的范 圍。
在此提供一種嶄新的封裝結(jié)構(gòu)及其方法。并說明制造本發(fā)明實施例的 中間過程。本發(fā)明各種不同的觀點和說明的實施例，皆以類似的參考數(shù)字 標(biāo)示類1'"的元件。
參照圖4A,其繪示依照本發(fā)明一較佳實施例的一種集成電路晶圓l占片 膠帶(Integrated wafer-mount tape) 30，包含異方性導(dǎo)電膜32及紫外線 晶圓黏片膠帶34。如同已知技術(shù)，異方性導(dǎo)電膜32包含許多借由非導(dǎo)電基 質(zhì)38(可以為環(huán)氧樹脂)而彼此隔離開來的導(dǎo)電粒子36。每一個導(dǎo)電粒子36 可能是被導(dǎo)電物質(zhì)(例如鎳和金)所包覆的聚合球形。隔緣的導(dǎo)電粒子36以 此方式分布，以降低彼此之間偶然發(fā)生的接觸率。據(jù)此，導(dǎo)電粒子36可包 埋在基質(zhì)38里。在一示范性的實施例中，異方性導(dǎo)電膜32的厚度約為25 n M至75 nM。異方性導(dǎo)電膜32的厚度需比硅貫通電極46突出來的部分的 長度大(參照圖7)。細(xì)節(jié)詳述如后續(xù)的圖。
紫外線晶圓黏片膠帶34具有黏性，而當(dāng)暴露于紫外線的下則可能會失 去都性。在一實施中，如圖4A所示，異方性導(dǎo)電膜32及紫外線晶圓黏片 膠帶34彼此互相接觸。在另一實施例中，如圖4B所示，導(dǎo)電層39 (具有 撓性較佳)可能會形成于異方性導(dǎo)電膜32和紫外線晶圓黏片膠帶34的間。 在一示范性的實施例中，導(dǎo)電層39是由與異方性導(dǎo)電膜類似的材料所形成。 但導(dǎo)電層39的導(dǎo)電粒子的密度遠(yuǎn)大于異方性導(dǎo)電膜，使導(dǎo)電層39的傳導(dǎo) 度不僅為Y方向，也可以是X方向。導(dǎo)電層39也可由其他材料所組成，例 如鎳、金或其他類似物。
參照圖5，晶圓40借由晶圓背部和異方性導(dǎo)電膜32相接觸，而貼附到 集成電路晶圓黏片膠帶30。晶圓40包含許多晶片42,每一個晶片包含基 板44及許多硅貫通電極46。晶片42更包含半導(dǎo)體基板"及形成于半導(dǎo)體 基板44前表面的集成電路。電晶體45象征集成電路(未繪殺)。內(nèi)連線結(jié) 構(gòu)，包含形成于低k值介電層的金屬線及介層接觸，形成于集成電路之上， 作為集成電路的內(nèi)連線。硅貫通電極46可能會連接到晶片42內(nèi)的集成電 路。在一實施例中，接合墊48形成于晶片42的前表面，其中利用接合墊 48以連接晶片42到封裝基板或其他可能會層積在晶片42的晶片。
如同已知技術(shù)，硅貫通電極46的形成，包含形成大體上由晶圓40前 表面延伸至半導(dǎo)體基板44的介層窗通道，并利用導(dǎo)電材料(如銅或銅合金) 填充通道。接著研磨晶圓40的背部表面以暴露出硅貫通電極46。鑒于制程 的差異，硅貫通電極46可能會包含不同長度，并以不同長度凸出于晶片42 的背部表面。
當(dāng)晶圓40貼覆到集成電路晶圓黏片膠帶30后，需施加適當(dāng)?shù)牧α浚?br> 使硅貫通電極46凸出的部分能穿入至少一部分的異方性導(dǎo)電膜32。接著沿 著切割線切割晶圓40以分離晶片42。以切口較佳系延伸至異方性導(dǎo)電膜， 異方性導(dǎo)電膜亦因此亦可分離成晶片大小的片段。
接著將紫外線晶圓黏片膠帶34暴露于紫外線下，使的不具翁性。晶片 42可因此自紫外線晶圓黏片膠帶34上脫落。其產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)，如同圖6所示， 每一個晶片42的背部會貼附到每一個異方性導(dǎo)電膜的片段。
圖7A繪示將晶片42固定到封裝基板50。封裝基板50可能是玻璃基板、 雙馬來亞酰胺三氮六環(huán)化合物(Bismaleimide Trianzine, BT)基板、印刷 電路板或其他可封裝晶片的常用基板。封裝基板也可以是導(dǎo)線架。接合墊 或金屬導(dǎo)線架(未繪示)可能會形成于封裝基板的表面，并和異方性導(dǎo)電膜 32相接觸。在實施例中，硅貫通電極46為接地的目的。封裝基板50表面 可能包含導(dǎo)電層52以縮短硅貫通電極46。
接著施加壓力及熱于圖7A所示的結(jié)構(gòu)上來作用基質(zhì)38以確保異方性 導(dǎo)電膜32能貼附到封裝基板50上。在壓力作用之下，導(dǎo)電粒子36會被吸 附住，且隔離材料38會被排開而使硅貫通電極46借由導(dǎo)電粒子36電性連 接封裝基板50。在一示范性實施例中，作用溫度約為150。C至210°C。然而 最適當(dāng)壓力當(dāng)視硅貫通電極46的數(shù)目而定。在最后產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)中，硅貫通 電極46彼此之間導(dǎo)通及借由導(dǎo)電層52而與接地導(dǎo)通。
在另一實施例中，如圖7B所示，若集成電路晶圓黏片膠帶30包含導(dǎo) 電層39，則當(dāng)移除紫外線晶圓黏片膠帶34時，會遺留導(dǎo)電層39于異方性 導(dǎo)電膜32上。硅貫通電極46會借由導(dǎo)電層39而與接地導(dǎo)通。
在又一實施例中，如圖7C所示，硅貫通電極46并非用以做為接地的 目的。硅貫通電極46借由異方性導(dǎo)電膜連接封裝基板50中的電性隔離的 接合墊及重布電路(redistribution traces) 51。
圖8中，晶片42借由打線接合電性連接封裝基板50。接著形成模鑄材 料52以保護所產(chǎn)生的封裝基板。
本發(fā)明的實施例具有數(shù)個下列優(yōu)勢的特色。首先，借由異方性導(dǎo)電膜 32，硅貫通電極46長度的差異會被異方性導(dǎo)電膜所吸收。使晶片42平行 于封裝基板50。因而降低所產(chǎn)生的封裝結(jié)構(gòu)部分暴露于模鑄材料之外的可 能性。
雖然本發(fā)明及其優(yōu)點已詳細(xì)揭露如上，在不脫離本發(fā)明后附申請專利 范圍的精神和范籌內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動、取代與潤飾。此外，本發(fā)明的 應(yīng)用范圍并未局限于上述說明書中的特定實施例的制程、機器、制品、物 質(zhì)組成、工具、方法及步驟。任何熟習(xí)此技藝者將立即察知所揭露的本發(fā) 明、制程、機器、制品、物質(zhì)組成、工具、方法或步驟，和已存在或日后
所發(fā)展的物，系與本發(fā)明所述的相對應(yīng)實施例大體上執(zhí)行相同功能或達(dá)到
相同結(jié)果。因此，權(quán)利要求包含此類的制程、機器、制品、物質(zhì)組成、工 具、方法或步驟。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實 施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對 以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù) 方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于包含一晶片，其包含一前表面；一背部表面位于該晶片的該前表面的反面；以及一硅貫通電極暴露于該晶片的該背部表面；以及一異方性導(dǎo)電膜貼附于該晶片的該背部表面。
2、 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該硅貫通電極 凸出于該晶片的該背部表面，并穿透入該異方性導(dǎo)電膜。
3、 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于還包含一封裝基板， 其中該異方性導(dǎo)電膜介于該封裝基板及該晶片之間。
4、 如權(quán)利要求3所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該異方性導(dǎo)電 膜連接該封裝基板。
5、 如權(quán)利要求3所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其其特征在于中該封裝基板選 自于由玻璃基板、雙馬來亞酰胺三氮六環(huán)化合物基板、印刷電路基板及導(dǎo) 線架所組成的群組。
6、 如權(quán)利要求3所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于還包含介于該封裝 基板及該異方性導(dǎo)電膜的間的 一 導(dǎo)電層。
7、 如權(quán)利要求3所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該封裝基板包 含一導(dǎo)電層，且其中該導(dǎo)電層進一步電性連接至位于該晶片內(nèi)的該硅貫通 電極及額外 一硅貫通電極。
8、 如權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該晶片是一晶 圓的一部分，且其中該集成電路結(jié)構(gòu)更包含和該異方性導(dǎo)電膜相連接的一 紫外線晶圓#占片膠帶，且其中該異方性導(dǎo)電膜及該紫外線晶圓黏片膠帶的 大小不會小于該晶圓的大小。
9、 如權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該異方性導(dǎo)電 膜與該紫外線晶圓黏片膠帶相連接，該異方性導(dǎo)電膜不與該晶圓相連接。
10、 一種集成電路晶圓黏片膠帶，其特征在于包含 一紫外線晶圓黏片膠帶；以及一異方性導(dǎo)電膜位于該紫外線晶圓黏片膠帶的一面上。
11、 如權(quán)利要求10所述的集成電路晶圓黏片膠帶，其特征在于其中該 紫外線晶圓黏片膠帶連接該異方性導(dǎo)電膜。
12、 如權(quán)利要求10所述的集成電路晶圓黏片膠帶，其特征在于還包含 介于該紫外線晶圓黏片膠帶和該異方性導(dǎo)電膜之間的一撓性導(dǎo)電層。
13、 如權(quán)利要求IO所述的集成電路晶圓黏片膠帶，其特征在于其中該 撓性導(dǎo)電層連接該異方性導(dǎo)電膜。
14、 如權(quán)利要求IO所述的集成電路晶圓黏片膠帶，其特征在于其中該 異方性導(dǎo)電膜的厚度約為25juM至75/LiM。
15、 一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于包含 提供一晶片，該晶片包含一前表面；一背部表面位于該前表面的反面；以及 一硅貫通電極暴露于該晶片的該背部表面；以及 貼附一異方性導(dǎo)電膜于該晶片的該背部表面，其中該硅貫通電極穿透 入該異方性導(dǎo)電膜。
16、 如權(quán)利要求15所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于其中該貼 附該異方性導(dǎo)電膜的步驟包含 '提供一集成電路晶圓黏片膠帶，該膠帶包含 一紫外線晶圓黏片膠帶；以及 一異方性導(dǎo)電膜位于該紫外線晶圓黏片膠帶的一面上； 貼附 一 半導(dǎo)體晶圓至該集成電路晶圓黏片膠帶，其中該晶片是該晶圓 的一部分，且其中該晶圓的該背部表面和該異方性導(dǎo)電膜相接觸； 切割該半導(dǎo)體晶圓以分離位于該半導(dǎo)體晶圓內(nèi)的多個晶片； 暴露該紫外線晶圓黏片膠帶于一紫外線中；以及 將該紫外線晶圓黏片膠帶自該異方性導(dǎo)電膜上脫落。
17、 如權(quán)利要求15所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于其中該提 供該晶圓的步驟包含提供具有該晶片的一晶圓，其中該晶片包含許多硅貫通電極；以及 研磨該晶圓背部以暴露出所述硅貫通電極。
18、 如權(quán)利要求17所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于還包含固定該晶片及該異方性導(dǎo)電膜至一封裝基板上，其中所述硅貫通電極包含至 少二種不同的硅貫通電極長度，且其中當(dāng)完成固定的步驟后，該晶片的一背部表面大體上與該封裝基板的表面平行。
19、 一種封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于包含 提供一半導(dǎo)體晶圓；提供一集成電路晶圓黏片膠帶，該膠帶包含 一紫外線晶圓黏片膠帶；以及一異方性導(dǎo)電膜位于該紫外線晶圓黏片膠帶的一面上； 貼附 一 半導(dǎo)體晶圓至該集成電路晶圓黏片膠帶，其中該晶圓的 一 背部 表面和該異方性導(dǎo)電膜相4妄觸；切割該半導(dǎo)體晶圓以分離位于該半導(dǎo)體晶圓內(nèi)的多個晶片；暴露該紫外線晶圓黏片膠帶于 一 紫外線中； 將該紫外線晶圓黏片膠帶自該異方性導(dǎo)電膜丄脫落；"及 固定與該半導(dǎo)體晶圓分離的一晶片于一封裝基板上，其中該異方性導(dǎo) 電膜介于該晶片及該封裝基板之間。
20、 如權(quán)利要求19所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于其中該晶 片包含凸出于該晶片的 一 背部表面的 一 硅貫通電極，且其中該固定晶片的 步驟中，該硅貫通電極穿透入該異方性導(dǎo)電膜。
21、 如權(quán)利要求19所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于其中所述 硅貫通電極至少有二個硅貫通電極以不同長度凸出于該晶片的該背部表 面。
22、 如權(quán)利要求19所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于其中在切割該半導(dǎo)體晶圓的步驟中，切口延伸至該異方性導(dǎo)電膜。
23、 如權(quán)利要求19所述的封裝結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于其中該異方性導(dǎo)電膜更包含介于該封裝基板與該異方性導(dǎo)電膜之間的一導(dǎo)電層，且 其中在將該紫外線晶圓黏片膠帶自該異方性導(dǎo)電膜脫落的步驟之后，該導(dǎo) 電層會貼附到該異方性導(dǎo)電膜上。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種具有晶圓黏片膠帶的集成電路及其封裝方法。該集成電路包含晶片及連接于晶片背部表面的異方性導(dǎo)電膜。晶片具有前表面、位于晶片前表面的反面的背部表面以及暴露于晶片背部表面的硅貫通電極。本發(fā)明利用異方性導(dǎo)電膜作為晶片的電性連接層，可以吸收硅貫通電極凸出長度的差異。如此可避免傳統(tǒng)封裝制程中晶片傾斜的情況，當(dāng)封裝完畢后，晶片可平行于相對應(yīng)的封裝基板。
文檔編號H01L23/488GK101350337SQ20071030199
公開日2009年1月21日 申請日期2007年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月16日
發(fā)明者蘇昭源 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司