專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置。液晶顯示裝置包括其上形成有薄膜晶體管的第 一基板、面對第 一基板的 第二基板、以及插置在兩者之間的液晶層。
技術(shù)背景在液晶顯示裝置顯示圖像所處的顯示模式中，垂直取向構(gòu)型(patterned vertically aligned, PVA )模式是一種VA模式，其中切割圖案形成在像素電 極和公共電極中以增加顯示視角。通過使用由這些切割圖案形成的邊緣場控 制液晶分子的定向從而增大視角。在PVA模式中，經(jīng)過液晶分子的光的遲滯度依賴于觀察的角度而有很 大的不同。這可以導致從側(cè)面觀看顯示時低灰度級的亮度急劇地增加，其可 降低可見度以及對比度。為克服該問題，已經(jīng)發(fā)展了超PVA (SPVA)模式， 其中像素被劃分成多個子域，不同數(shù)據(jù)電壓施加到該多個子域上。然而，PVA模式和SPVA模式裝置都可能發(fā)生瞬時余像，從而使圖像質(zhì) 量惡化。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了一種可減少余像的液晶顯示裝置。本發(fā)明的附加特征將在后文的描述中部分地得到闡述，并且部分地由該 描述而顯而易見，或者可通過實踐本發(fā)明而習知。在本發(fā)明的一個示范性實施例中，液晶顯示裝置包括第一基板，包括 像素電極和存儲電容線；第二基板，面對第一基板并且包括公共電極；液晶 層，插置在第一基板和第二基板之間；以及域形成構(gòu)件，布置在相應(yīng)于存儲 電容線的第一區(qū)域和鄰近于第一區(qū)域的第二區(qū)域之上，其中，具有不規(guī)則部 分的域形成構(gòu)件包括具有擴大寬度的第一不規(guī)則部分和具有減小寬度的第 二不規(guī)則部分，其中，形成在第二區(qū)域中的最靠近不規(guī)則部分第一區(qū)域的外6部不規(guī)則部分基于擴大的寬度。根據(jù)本發(fā)明的 一個示范性實施例，域形成構(gòu)件包括公共電極切割圖案。 根據(jù)本發(fā)明的 一個示范性實施例，公共電極切割圖案包括第 一子公共電極切割圖案和第二子公共電極切割圖案，并且第 一子公共電極切割圖案和第二子公共電極切割圖案在第 一 區(qū)域中交叉點處交會并且在不同方向上延伸。 根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，第 一 區(qū)域中的第 一子公共電極切割圖案和第二子公共電極切割圖案的每一個的長度大于從第一區(qū)域和第二區(qū)域之間邊界到外部不規(guī)則部分的第 一子公共電極切割圖案和第二子公共電極 切割圖案的每一個的長度。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，從交叉點到外部不規(guī)則部分的第一子 公共電極切割圖案和第二子公共電極切割圖案的每一個的寬度是恒定的。根據(jù)本發(fā)明的 一個示范性實施例，第 一 區(qū)域中的第 一子公共電極切割圖 案和第二子公共電極切割圖案的每一個形成有單獨的不規(guī)則部分。根據(jù)本發(fā)明的 一個示范性實施例，公共電極切割圖案還包括第三子公共 電極切割圖案，并且第三子公共電極切割圖案在交叉點處與第一子公共電極 切割圖案和第二子公共電極切割圖案交會。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，存儲電容線被延長，第一子公共電極 切割圖案和第二子公共電極切割圖案在存儲電容線周圍相互對稱，并且第一 不規(guī)則部分和第二不規(guī)則部分交替地布置在第一子公共電極切割圖案和第 二子公共電極切割圖案的每一個中。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，第三子公共電極切割圖案被延長并且 平行于存儲電容線。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，第一基板還包括布置在存儲電容線和 像素電極之間的絕緣層，絕緣層在相應(yīng)于存儲電容線的部分處最薄。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，絕緣層包括下部無機層和上部有機層。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，有機層在相應(yīng)于存儲電容線的部分處最薄。根據(jù)本發(fā)明的 一個示范性實施例，像素電極接觸在存儲電容線上的無機層。根據(jù)本發(fā)明的 一個示范性實施例，像素電極具有多個像素電極切割圖案，并且至少一個像素電極切割圖案形成有具有擴大寬度的第三不規(guī)則部 分。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，像素電極具有多個像素電極切割圖 案，至少一個像素電極切割圖案形成有具有增大寬度的第三不規(guī)則部分和具 有減小寬度的第四不規(guī)則部分，并且第三不規(guī)則部分和第四不規(guī)則部分交替 布置。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，像素電極具有多個像素電極切割圖 案，至少一個像素電極切割圖案形成有具有擴大寬度的第三不規(guī)則部分，并 且至少其它的一個像素電極切割圖案具有一致的寬度。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，第一基板還包括柵極線、數(shù)據(jù)線、以及連接到柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵電極；布置 在柵電極上的半導體層和歐姆接觸層；以及至少部分地布置在歐姆接觸層上 并且相互間隔開的源電極和漏電極，其中數(shù)據(jù)布線包括數(shù)據(jù)線、源電極、和 重疊于歐姆接觸層的漏電極。根據(jù)本發(fā)明的 一個示范性實施例，域形成構(gòu)件包括突起。 根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，液晶層具有垂直取向(VA)模式。 在本發(fā)明的一個示范性實施例中，液晶顯示裝置包括第一基板，包括 像素電極；第二基板，面對第一基板并且包括公共電極；以及液晶層，插置 在第一基板和第二基板之間并且具有垂直取向(VA)模式，公共電極具有 布置在第 一 區(qū)域和鄰近第 一 區(qū)域上的第二區(qū)域上方的公共電極切割圖案，在 該第 一 區(qū)域中第 一基板和第二基板之間的間隙不同于鄰近區(qū)域，其中具有不 規(guī)則部分的公共電極切割圖案包括具有擴大寬度的第一不規(guī)則部分、具有減 小寬度的第二不規(guī)則部分，和其中外部不規(guī)則部分是在第二區(qū)域中形成的不 規(guī)則部分中最接近于第 一 區(qū)域的并且具有擴大的寬度。根據(jù)本發(fā)明的 一 個示范性實施例，第 一 區(qū)域的間隙大于鄰近區(qū)域的間隙。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，公共電極切割圖案包括第一子公共電 極切割圖案和第二子公共電極切割圖案，并且第 一子公共電極切割圖案和第 二子公共電極切割圖案在第一區(qū)域中的交叉點處相交并且在不同方向上延伸。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，從交叉點到外部不規(guī)則部分的第一子公共電極切割圖案和第二子公共電極切割圖案的每一個的寬度是恒定的。根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，第 一 區(qū)域中的第 一子公共電極切割圖案和第二子公共電極切割圖案的每一個由單獨的不規(guī)則部分形成。根據(jù)本發(fā)明的 一個示范性實施例，公共電極切割圖案還包括第三子公共電極切割圖案，第三子公共電極切割圖案在交叉點處與第 一子公共電極切割圖案和第二子公共電極切割圖案交會。應(yīng)當理解，前述的和概括的描述以及接下來詳細的描述都是示范性的和 說明性的，并且旨在提供如權(quán)利要求書的本發(fā)明的進一步解釋。


'附圖被包括來提供本發(fā)明的進一步理解并且被結(jié)合及組成該說明書的 一部分，其闡述了本發(fā)明的實施例，并且連同說明書一起用來解釋本發(fā)明的 原理。圖1是根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的液晶顯示裝置的等效電路圖。圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的液晶顯示裝置的可見度改進的原理的視圖。圖3和圖4示出了根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的液晶顯示裝置的布局圖。圖5是沿圖3中線V-V得到的截面圖。 圖6是沿圖3中線VI-VI得到的截面圖。圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖IOA、圖IOB、圖IIA、 圖IIB、圖12A、圖12B、圖13A、圖13B、圖14A和圖14B是示出了根據(jù) 本發(fā)明第一示范性實施例的液晶顯示裝置的制造方法的視圖。圖15A和圖15B是示出了根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的液晶顯示裝 置中不規(guī)則部分的不同類型的視圖。圖16示出了根據(jù)本發(fā)明第二示范性實施例的液晶顯示裝置的布局圖。 圖17示出了根據(jù)本發(fā)明第三示范性實施例的液晶顯示裝置的布局圖。 圖18示出了根據(jù)本發(fā)明第四示范性實施例的液晶顯示裝置的布局圖。 圖19是根據(jù)本發(fā)明第五示范性實施例的液晶顯示裝置的截面圖。 圖20是根據(jù)本發(fā)明第六示范性實施例的液晶顯示裝置的截面圖。 圖21是示出了根據(jù)本發(fā)明第七示范性實施例的域形成構(gòu)件的視圖。圖22是根據(jù)本發(fā)明第八示范性實施例的液晶顯示裝置的等效電路圖。圖23示出了根據(jù)本發(fā)明第八示范性實施例的液晶顯示裝置的布局圖。 圖24示出了根據(jù)本發(fā)明第九示范性實施例的液晶顯示裝置的布局圖。 圖25是根據(jù)本發(fā)明第十示范性實施例的液晶顯示裝置的等效電路圖。
具體實施方式
以下參考示出本發(fā)明實施例的附圖更充分地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明 可以以很多不同形式實現(xiàn)并且不應(yīng)當理解為對這里闡述的實施例的限制。然 而，提供了這些實施例使得該公開是完全的，并且將本發(fā)明的范圍充分地傳 達給所屬領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相 對尺寸。附圖中相同附圖標記指代相同的元件。應(yīng)當理解，當元件或?qū)颖惶峒?在……上"或"連接到"另一元件或?qū)?時，它可以直接在其它元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到其它元件或?qū)樱蛘呖梢源?在中間元件或?qū)?。相反，當元件被提?直接在……上"或"直接連接到" 另一元件或?qū)訒r，則沒有中間元件或?qū)哟嬖凇D1是根據(jù)本發(fā)明第一示范性實施例的液晶顯示裝置的等效電路圖。如圖1中所示，第一液晶電容器Qx,和第二液晶電容器Cic2連接到薄 膜晶體管T。第一液晶電容器Qx;,形成在第一像素電極PEl和公共電極CE 之間。第一像素電極PE1直接連接到薄膜晶體管T。第二液晶電容器Qx2 形成在第二像素電極PE2和公共電極CE之間。第二像素電極PE2經(jīng)由耦合 電容器CCP間接連接到薄膜晶體管T。這里，第一像素電極PE1與第二像素電極PE2分離。現(xiàn)在，將參考圖2描述在根據(jù)第一示范性實施例的液晶顯示裝置中可見 度可以提高的原因。來自薄膜晶體管T的數(shù)據(jù)信號直接施加到第一像素電極PE1，而來自薄 膜晶體管T的數(shù)據(jù)信號經(jīng)由耦合電容器CCP間接施加到第二像素電極PE2。 因此，第二像素電極PE2中所施加數(shù)據(jù)信號的強度弱于第一像素電極PE1 中所施加數(shù)據(jù)信號的強度，從而導致相應(yīng)于第一像素電極PE1的第一域的亮 度與相應(yīng)于第二像素電極PE2的第二域的亮度不同。具體地，施加到第二像 素電極PE2的電壓可以是施加到第 一像素電極PE1的電壓的50 % -卯％ 。如此， 一個像素可以具有多個具有不同伽瑪(gamma)曲線的域。這允許在前面和側(cè)面的亮度和顏色相互補償，從而改進側(cè)面可見度。以下，將參考圖3、圖4、圖5和圖6描述根據(jù)第一示范性實施例的液 晶顯示裝置。參考圖5和圖6，液晶顯示裝置1包括第一基板100、面對第 一基板100的第二基板200、以及插置在兩者之間的液晶層300。首先，將描述第一基板IOO。柵極布線形成在第一絕緣基板111上。柵極布線可以是單金屬層或多金 屬層。柵極布線包括在水平方向上延伸的4冊極線122、連接到柵極線122的 柵電極126、以及與像素電極182交迭以形成存儲電容的存儲電容線128。 存儲電容線128跨過像素的中間部分并且平行于柵極線122延伸。由例如氮化硅(SiNx)的無機材料制成的柵極絕緣薄膜130覆蓋第一絕 緣基板111上的柵極布線。由例如非晶硅的半導體材料制成的半導體層142形成在柵電極126的柵 極絕緣薄膜130上。由例如硅化物或重摻雜n型雜質(zhì)的n+價氬化非晶硅的 材料制成的歐姆^^妻觸層155和156形成在半導體層142上。歐姆"l妻觸層155 和156被排除在源電極165和漏電極166之間的溝道區(qū)域外。數(shù)據(jù)布線形成在歐姆接觸層155和156上。數(shù)據(jù)布線也可以是單金屬層 或多金屬層。數(shù)據(jù)布線包括基本上垂直于柵極線122而形成并且與柵極線 122交叉以形成像素的數(shù)據(jù)線162,從數(shù)據(jù)線162分支并且在歐姆接觸層155 上延伸的源電極165,以及與源電極165間隔開并且在歐姆接觸層156上延 伸的漏電極166。漏電極166包括第一漏電極166a和在第二像素電極182b下方延伸的第 二漏電極166b,該第一漏電極166a連接到第一像素電極182a并且將電信號 直接施加到第一像素電極182a。第二漏電極166b和第二像素電極182b連同 鈍化膜171 —起形成耦合電容器Ccp。鈍化膜171形成在數(shù)據(jù)布線和沒有被數(shù)據(jù)布線覆蓋的一部分半導體層 142上，該鈍化膜171可以由例如氮化硅(SiNx)的無機材料制成。有機層 175形成在鈍化膜171上。有機層175比柵極絕緣膜130和鈍化膜171厚， 并且可以由包括旋轉(zhuǎn)涂覆、縫隙涂覆、屏幕印刷及其它本領(lǐng)域公知技術(shù)在內(nèi) 的各種方法來形成。有機層175可以由苯環(huán)丁烯、烯烴、丙稀酸樹脂、聚酰 亞胺和氟化樹脂中之一制成。有機層175是厚的，以達到增加數(shù)據(jù)線162和像素電極182之間的距離的目的，從而抑制數(shù)據(jù)線162和像素電極182之間形成電容。這允許像素電 極182鄰近于數(shù)據(jù)線162或部分地重疊于數(shù)據(jù)線162而形成，從而增加孔徑 比。由于有機層1.75的低介電常數(shù)，它還可抑制數(shù)據(jù)線162和像素電極182 之間形成電容。暴露出漏電極166的接觸孔176形成在鈍化膜171和有機層175中。鈍177。凹陷部分177減少存儲電容線128和像素電極182之間的距離，以促 進存儲電容的形成。作為替代，鈍化膜171可以部分地或完全地保留在凹陷部分177中。像素電極182形成在有機膜175上。像素電極182可以由例如銦錫氧化 物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導電材料制成。另一方面，凹陷部分177導致位于存儲電容線128上的像素電極182和 相鄰像素電極182之間高度的不同。換句話說，所有的絕緣層130、 171和 175存在于第一絕緣基板11和像素電極182之間的不存在存儲電容線128 的區(qū)域中，而絕緣層130、 171和175的厚有機膜175不存在于存儲電容線 128上。由于形成在絕緣層130、 171和175上的凹陷部分177,存儲電容線 128上的單元間隙CG1大于相鄰單元間隙CG2。像素電極182包括第一像素電極182a和第二像素電極182b,其通過像 素電極切割圖案183而彼此分隔開。第二像素電極182b具有梯形形狀并且 其三邊被第一像素電極182a圍繞。像素電極切割圖案184分別在第一像素 電極182a和第二像素電極182b中平行于像素電極切割圖案183而形成。第一像素電極182a經(jīng)由接觸孔176間接地與第一漏電極166a接觸。相 互面對的第二像素電極182b和第二漏電極166b形成耦合電容器Ccp，并且 第二像素電極182b經(jīng)由耦合電容器Ccp間接地連接到第二漏電極166b。將在下文描述的像素電極切割圖案183和184以及公共電極切割圖案 252將液晶層300分成多個子域。在該示范性實施例中，子域被圖案183、 184和252圍繞，'并且在傾斜方向上延長。隨后，將描述第二基板200。黑色矩陣221形成在第二絕緣基板2U上。黑色矩陣221防止光直接照 射到形成在第一基板IOO上的薄膜晶體管T上。黑色矩陣221可以由包含例 如炭黑或氧化鈦的黑顏料的光致抗蝕劑有機材料制成。濾色器231包括在第二絕緣基板211上圖案化的紅、綠和藍濾色器，黑 色矩陣221作為邊界插置在其之間。濾色器231可以由感光有機材料制成并 且用來給從背光單元(未示出)發(fā)射并經(jīng)過液晶層300的光提供顏色。覆蓋層241形成在濾色器231以及沒被濾色器231覆蓋的部分的黑色矩 陣221上。覆蓋層241用來平面化(planarize)并且保護濾色器231并且可 以由環(huán)氧丙烯酸(acryl epoxy )材料制成。公共電極251形成在覆蓋層241上。公共電極251可以由例如ITO或IZO 的透明導電材料制成。公共電極251與第一基板100上的像素電極1S2—起 直接施加電壓到液晶層300。公共電極切割圖案252形成在公共電極251中。公共電極切割圖案252 平行于像素電極切割圖案183和184而形成。上述圖案183、 184和252可以以多種不同形狀形成，而不局限于該示 范性實施例。液晶層300布置在第 一基板100和第二基板200之間。在該示范性實施 例中，液晶層300以垂直耳又向(VA)模式工作，在其中當沒有施加電壓時 液晶分子垂直取向。在施加電壓情況下，由于液晶分子具有負介電各向異性， 液晶分子處于垂直于電場的狀態(tài)。在那時，如果上述圖案183、 184和252 沒有形成，液晶分子可以隨機地布置，因為它們的定向不確定，并且在具有 不同定向的液晶層300區(qū)域的邊界處產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)位移線(disclination line )。上述圖案183、 184和252形成邊緣場以確定當電壓施加到液晶層300 時液晶分子的定向。此外，液晶層300依賴于圖案183、 184和252的布置 而被分成多個子域。上述液晶顯示裝置可具有余像問題，尤其在單元間隙不同的存儲電容線 128的邊緣上。在該示范性實施例中，像素電極切割圖案183和184以及公 共電極切割圖案252設(shè)計成防止這種余像。不規(guī)則部分185、 253和254形成在像素電極切割圖案183和公共電極 切割圖案252中。具有擴大寬度的第一不規(guī)則部分253和具有減小寬度的第 二不規(guī)則部分254交替地形成在公共電極切割圖案252中。具有擴大寬度的 第三不規(guī)則部分185形成在像素電極切割圖案183中，而像素電極切割圖案 184具有一致的寬度。不頭見則部分185、 253和254確定子域之間邊界處的液晶層300的定向，從而抑制子域之間邊界處斑點或余像的發(fā)生。形成在公共電極切割圖案252中、尤其在單元間隙變化的存儲電容線128的附近的第一不規(guī)則部分253和第二不規(guī)則部分254可以有效減輕余像?，F(xiàn)在，將參考圖4和圖5詳細描迷存儲電容線128附近中的公共電極切 割圖案252的不規(guī)則部分253和254。存儲電容線128被延長并平行于柵極線122。公共電極切割圖案252在 相應(yīng)于存儲電容線128的第一區(qū)域中分支有三個子公共電極切割圖案252a、 252b和252c。具體地，三個子公共電極切割圖案252a、 252b和252c在作 為第一區(qū)域一部分的交叉點處相互交叉。兩個子公共電極切割圖案252a和252b在存儲電容線128周圍相互垂直 對稱并且延伸到鄰近于第 一 區(qū)域的第二區(qū)域。剩余的子公共電極切割圖案 252c平行于存儲電容線128延伸。在第一示范性實施例中，凹陷部分177具有與存儲電容線128大約相同 的尺寸并且大體重疊于存儲電容線128。相應(yīng)地，相應(yīng)于存儲電容線128的 第 一 區(qū)域具有大的單元間隙，而第二區(qū)域具有小的單元間隙。子公共電極切割圖案252a和252b在第一區(qū)域中不具有不規(guī)則部分。出 于以下原因，在不規(guī)則部分253和254中最接近于第一區(qū)域的外部不規(guī)則部 分253a具有擴大的寬度。液晶的奇點(singular point )在三個公共電極切割圖案252a、 252b和252c 相互交會的交叉點處具有"+，，符號。液晶奇點在外部不規(guī)則部分253a和具 有擴大寬度的第一不規(guī)則部分253處具有"+，，符號，而液晶奇點在具有減 小寬度的第二不規(guī)則部分254處具有"-"符號?？紤]到液晶指示器布置的連續(xù)性，"-"奇點發(fā)生在具有"+"奇點的交 叉點和具有"+"奇點的外部不規(guī)則部分253a之間的中間點處。然而，由于dl大于距離d2,其中dl指的是交叉點和第一區(qū)域邊界之間 的子公共電極切割圖案252a和252b的長度，d2指的是第一區(qū)域邊界和外部 不規(guī)則部分253a之間的子公共電極切割圖案252a和252b的長度，所以"-" 奇點發(fā)生在第一區(qū)域中。所發(fā)生的"-"奇點對余像沒有影響，因為其覆蓋 有存儲電容線128。長度dl可以在距離d2的110%和300%之間。另一方面，外部不規(guī)則部分253a以對余像沒有影響的方式對發(fā)生在外 部不規(guī)則部分253a處的"+"奇點進行控制。以下，將參考圖7A、圖7B、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖IOA、 圖IOB、圖IIA、圖IIB、圖12A、圖12B、圖13A、圖13B、圖14A和圖 14B描述根據(jù)第一實施例的制造液晶顯示裝置的方法。首先，如圖7A和圖7B中所示，沉積柵極金屬層并將其圖案化以形成 柵極線122、柵電極126、以及存儲電容線128。接下來，如圖8A和8B中所示，由氮化硅制成的柵極絕緣膜130、半導 體層140以及歐姆接觸層150使用化學氣相沉積(CVD)方法依次分別沉積 1500A-5000A、 500A-2000A以及300A-600A的厚度。隨后，數(shù)據(jù)金屬層160 形成來構(gòu)成數(shù)據(jù)布線，并且隨后，光致抗蝕劑膜410涂覆于其上1 |um-2iam 的厚度。其后，光致抗蝕劑膜410經(jīng)由掩膜受到光的輻射并且光致抗蝕劑膜410 顯影來形成光致抗蝕劑圖案412和414,如圖9A和圖9B中所示。在這種情 況下，其位于薄膜晶體管的溝道區(qū)域C即源電極165和漏電極166之間的光 致抗蝕劑膜圖案412和414的第一部分414形成為薄于位于^:據(jù)布線區(qū)域A 即將形成數(shù)據(jù)布線的區(qū)域中的第二部分412，并且位于其它區(qū)域B中的光致 抗蝕劑薄膜圖案412和414被完全地去除。這時，保留在溝道區(qū)域C中的光 致抗蝕劑薄膜414的厚度對保留在數(shù)據(jù)布線區(qū)域A中的光致抗蝕劑膜412 的厚度的比率可以依賴于以下將描述的蝕刻工藝中工藝條件而改變。第 一部 分414的厚度可以少于第二部分412厚度的1/2,例如少于4000A。光致抗蝕劑膜圖案的厚度可以以不同方式改變。具有縫隙或柵格形狀的 圖案或半透明薄膜可以形成在用于數(shù)據(jù)布線區(qū)域A的掩膜上，以便達到調(diào)整 穿過數(shù)據(jù)布線區(qū)域A的光的透射率。在這種情況下，狹縫或圖案之間的間隙，即狹縫寬度，可以小于曝光器 的分辨率。如果使用半透明薄膜，具有不同透射率或不同厚度的薄膜可以在 制造掩膜時用來調(diào)整透射率。當光致抗蝕劑膜經(jīng)由掩膜受到光的輻射時，直接暴露在光下的部分中的 聚合物可以完全被分解。然而，形成狹縫圖案或半透明膜的部分中的聚合物 可以部分地分解，因為該部分上的輻射量小，而覆蓋有光屏蔽膜的部分中的 聚合物可以不被分解。隨后，當光致抗蝕劑膜顯影時，只有聚合物沒有分解 的部分留下了 ，并且照射有少量光的中央部分處的光致抗蝕劑膜的厚度小于 完全沒有光照射部分處的光致抗蝕劑膜的厚度。此時，可以調(diào)節(jié)曝光時間，使得所有聚合物沒有被分解。通過使用具有透明部分和不透明部分的傳統(tǒng)掩膜來對由可回流材料制 成的光致抗蝕劑膜進行曝光并顯影可以形成光致抗蝕劑圖案414,并且隨后 回流所顯影的光致抗蝕劑膜，使得一些光致抗蝕劑膜向下流到光致抗蝕劑膜 沒有保留的部分。隨后，光致抗蝕劑圖案414和其下方的層即數(shù)據(jù)金屬層160、歐姆接觸 層150以及半導體層140以下述方式被蝕刻，即數(shù)據(jù)布線和其下方薄膜保留 在數(shù)據(jù)布線區(qū)域A中，半導體層140剩余在溝道區(qū)域C中，而三個層160、 150和140都在區(qū)域B中被去除以暴露柵極絕緣膜130。首先，如圖IOA和圖10B中所示，使用干蝕刻處理或濕蝕刻處理去除 暴露在區(qū)域B中的數(shù)據(jù)金屬層160以暴露其下方的歐姆接觸層150。這時， 當數(shù)據(jù)金屬層160被蝕刻時光致抗蝕劑圖案412和414幾乎沒有被蝕刻是具 有優(yōu)勢的。然而，在干蝕刻處理情況下，光致抗蝕劑圖案412和414也可^皮 燭刻，因為很難僅蝕刻數(shù)據(jù)金屬層160而沒有蝕刻光致抗蝕劑圖案412和 414。對于干蝕刻處理，第一部分414比在濕處理中形成的厚，并且被部分 地蝕刻，所以數(shù)據(jù)金屬層160沒有暴露。因而，如圖IOA和圖10B中所示，其它部分B的^:據(jù)金屬層16(H皮完 全去除，從而暴露歐姆接觸層150。這時，保留的數(shù)據(jù)金屬層167具有與數(shù) 據(jù)布線相同的形狀，除了源電極165和漏電極166互連而不是相互分隔開。 此外，在干蝕刻處理情況下，光致抗蝕劑膜圖案412和414被蝕刻到特定的 厚度。隨后，如圖IIA和圖11B中所示，暴露在其它區(qū)域B中的歐姆接觸層 150以及其下方的.半導體層140連同光致抗蝕劑膜的第一部分414 一起通過 干蝕刻處理被同時去除。在這種情況下，干蝕刻處理必須以下述種方式執(zhí)行， 即光致抗蝕劑圖案412和414、歐姆接觸層150、以及半導體層140同時被 蝕刻并且柵極絕緣膜130沒有被蝕刻。具體地，光致抗蝕劑圖案412和414 可以具有與半導體層140大約相同的蝕刻率。因而，如圖11A和圖11B中所示，溝道區(qū)域C的第一部分414被去除 以暴露用于源電極和漏電極的數(shù)據(jù)金屬層167,并且區(qū)域B的歐姆接觸層150 和半導體層140被去除以暴露柵極絕緣膜130。另一方面，數(shù)據(jù)布線區(qū)域C 的第二部分412也被蝕刻以變薄。此外，在該步驟中，完成了半導體層142。附圖標記157指示數(shù)據(jù)金屬層167下方的歐姆接觸層。另一方面，溝道區(qū)域C的第一部分414可以在用于數(shù)據(jù)金屬層167的氧 等離子體處理中被去除。隨后，殘留在溝道區(qū)域C的數(shù)據(jù)金屬層167上的光致抗蝕劑可以通過灰 化處理而被去除。接下來，如圖12A和圖12B中所示，溝道C的數(shù)據(jù)金屬層167以及其 下方的歐姆接觸層157被蝕刻掉。由于不易發(fā)現(xiàn)歐姆接觸層157的蝕刻停止點，半導體層142可以部分地 去除以變薄，并且同時，光致抗蝕劑圖案的第二部分412可以被蝕刻到特定 厚度?？梢詧?zhí)行該蝕刻使得柵極絕緣膜130沒有被蝕刻。當然，光致抗蝕劑 膜圖案可以如此厚以至于其下方的數(shù)據(jù)布線沒有通過第二區(qū)域412的蝕刻而 暴露。因而，數(shù)據(jù)布線以及其下方的歐姆接觸層155和156通過彼此分隔開的 源電極165和漏電極166而完成。其后，保留在數(shù)據(jù)布線區(qū)域A中的光致抗蝕劑膜的第二部分412被去除。 可替代地，第二部分412可以在溝道區(qū)域C的數(shù)據(jù)金屬層167被去除之后歐 姆接觸層157被去除之前被去除。接下來，如圖13A和圖13B中所示，形成鈍化薄膜171和有機層175。 有機層175可以通過在鈍化膜171上形成有機涂覆層并且曝光和顯影該有機 涂覆層而形成。有機層175形成有相應(yīng)于漏電極166的接觸孔176以及相應(yīng)于存儲電容 線128的凹陷部分177。有機層175從接觸孔176和凹陷部分177完全去除。隨后，如圖14A和圖14B中所示，使用有機層175作為掩膜去除接觸 孔176和凹陷部分177下方的鈍化膜171。另一方面，在圖案化有機層175 中，如果有機層175保留在凹陷部分177中，至少一些鈍化膜171可以保留 在凹陷部分177中。最后，如圖5和圖6中所示，具有400A-500A厚度的ITO層或IZO層 被沉積并光刻以形成連接到漏電極166的像素電極182。當像素電極182形 成時，像素電極切割圖案183和184也可以同時形成。第二基板200可以根據(jù)任何已知或其它適合的方法而制造，因此將省略 解釋。在完成基板100和200兩者之后，液晶層300注射到基板100和200兩者之間以完成液晶顯示裝置1。在上述第一示范性實施例中，不規(guī)則部分253和254可以以不同方式修改。如圖15A中所示，不^L則部分253和254^皮擴大或減少成半圓形形狀。如圖15B中所示，擴大的第一不規(guī)則部分253具有三角形狀，而減少的第二不規(guī)則部分254具有半圓形形狀?，F(xiàn)在，將參考圖16描述本發(fā)明的第二示范性實施例。 像素電極切割圖案183和184形成有具有擴大寬度的第三不規(guī)則部分185和具有減小寬度的第四不規(guī)則部分186。第三不規(guī)則部分185和第四不規(guī)則部分186交替設(shè)置?，F(xiàn)在，將參考圖17描述本發(fā)明的第三示范性實施例。 寬度減少的內(nèi)部不規(guī)則部分254a還形成在第一區(qū)域中的子公共電極切割圖案252a和252b中。內(nèi)部不規(guī)則部分254a具有"-，，奇點。形成在交叉點的"+"奇點和外部不規(guī)則部分253a的"+，，奇點之間的"-"奇點的位置由內(nèi)部不規(guī)則部分254a確定。內(nèi)部不失見則部分254a位于存儲電容線128上，所以其可以對余像沒有影響。現(xiàn)在，將參考圖18描述本發(fā)明的第四示范性實施例。 寬度擴大的內(nèi)部不規(guī)則部分253b還形成在第一區(qū)域中的子公共電極切割圖案252a和252b中。內(nèi)部不規(guī)則部分253b位于存儲電容線128上，所以其可以對余像沒有影響?，F(xiàn)在，將參考圖19描述本發(fā)明的第五實施例。圖19是沿圖3中的線 V-V得到的截面圖。電容性半導體層148、電容性歐姆接觸層158、以及電容性數(shù)據(jù)線164 形成在存儲電容線128上。鈍化膜171和電容性數(shù)據(jù)線164上的有機膜175 一皮去除以形成凹陷部分177。在第五示范性實施例中，凹陷部分177形成為窄于存儲電容線128。因 此，低于其它區(qū)域的第一區(qū)域形成為窄于存儲電容線128。作為替代，第一區(qū)域可以不重疊或可以部分地重疊于存儲電容線128?，F(xiàn)在，將參考圖20描述本發(fā)明的第六示范性實施例。圖20是沿圖3中 的線VI-VI得到的截面圖。數(shù)據(jù)布線沒有完全重疊于歐姆接觸層155和156。即，歐姆接觸層15518和156不存在于數(shù)據(jù)線162的下方，而漏電極166部分地重疊于歐姆接觸層 156。在根據(jù)第六示范性實施例的制造液晶顯示裝置的方法中，在半導體層 142以及歐姆接觸層155和156圖案化后，形成數(shù)據(jù)金屬層并將其圖案化以 形成數(shù)據(jù)布線。即，歐姆接觸層155和156以及數(shù)據(jù)布線使用不同掩膜來圖 案化。現(xiàn)在，將參考圖21描述本發(fā)明的第七示范性實施例。 第一示范性實施例中的切割圖案183、 184和252是將液晶層300分成多個子域的域形成構(gòu)件。在第七示范性實施例中，公共電極252可以不形成有切割圖案。提供突起255作為設(shè)置在公共電極252上的域形成構(gòu)件。. 突起255形成為接觸液晶層300并且形成有擴大部分255a和減少部分255b。突起255可以由光致抗蝕劑材料形成。現(xiàn)在，將參考圖22和圖23描述本發(fā)明的第八示范性實施例。 像素電極182包括相互分離開的第一像素電極182a和第二像素電極182b。第二像素電極182b具有彎曲形狀并且位于像素電極182的中間部分。 第一像素電極182a和第二像素電極182b連接到不同的薄膜晶體管Tl和T2并且接收不同的數(shù)據(jù)電壓?，F(xiàn)在，將參考圖24描述本發(fā)明的第九示范性實施例。像素電極182三重彎曲并且垂直地延長。像素電極182包括相互分離開的第一像素電極182a和第二像素電極182b。第二像素電極182b具有彎曲形狀并且位于像素電極182的中間部分。如果第一像素電極182a直接連接到薄膜晶體管，第二像素電極182b可以經(jīng)由耦合電容器CCP間接連接到薄膜晶體管，類似于第 一示范性實施例?？商娲兀谝幌袼仉姌O182a和第二像素電極182b可以連接到不同的薄膜晶體管，類似于第八示范性實施例。最后，將參考圖25描述本發(fā)明的第十示范性實施例。像素電極PE單獨地提供而沒有與另一像素電極分離開。像素電極PE可以以例如矩形形狀、彎曲形狀、三重彎曲形狀等不同形狀提供。如從上述描述中顯而易見的那樣，本發(fā)明提供了 一種可以減少余像的液晶顯示裝置。對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明進行不同的修改和改變。因而，本發(fā)明旨在覆蓋在^l利要 求書及其等價物范圍內(nèi)提供的本發(fā)明的修改和改變。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示裝置，包括第一基板，包括像素電極和存儲電容線；第二基板，面對第一基板并且包括公共電極；液晶層，插置在所述第一基板和所述第二基板之間；以及域形成構(gòu)件，布置在相應(yīng)于所述存儲電容線的第一區(qū)域和鄰近于該第一區(qū)域的第二區(qū)域的上方，其中，所述域形成構(gòu)件具有不規(guī)則部分，該不規(guī)則部分包括具有擴大寬度的第一不規(guī)則部分和具有減小寬度的第二不規(guī)則部分，并且其中，在所述第二區(qū)域中形成的所述不規(guī)則部分中最接近所述第一區(qū)域的外部不規(guī)則部分具有擴大的寬度。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中，所述域形成構(gòu)件包括公共 電極切割圖案。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2的液晶顯示裝置，其中，所述公共電極切割圖案包 括第 一子公共電極切割圖案和第二子公共電極切割圖案，并且所述第一子公共電極切割圖案和所述第二子公共電極切割圖案在所述 第 一區(qū)域中的交叉點處相交會并且在不同方向上延伸。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3的液晶顯示裝置，其中，所述第一區(qū)域中的所述第 一子公共電極切割圖案和所述第二子公共電極切割圖案的每一個的長度大 于從所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間邊界到所述外部不規(guī)則部分的所述 第 一子公共電極切割圖案和所述第二子公共電極切割圖案的每一個的長度。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3的液晶顯示裝置，其中，從所述交叉點到所述外部 不規(guī)則部分的所述第一子公共電極切割圖案和所述第二子公共電極切割圖 案的每一個的寬度是恒定的。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3的液晶顯示裝置，其中，所述第一區(qū)域中的所述第 一子公共電極切割圖案和所述第二子公共電極切割圖案的每一個形成有單 獨的不關(guān)見則部分。
7、 根據(jù)權(quán)利要求3的液晶顯示裝置，其中，所述公共電極切割圖案還 包括第三子公共電極切割圖案，并且該第三子公共電極切割圖案在所述交叉點處與所述第一子公共電極切割圖案和所述第二子公共電極切割圖案交會。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7的液晶顯示裝置，其中，所述存儲電容線被延長， 所述第一子公共電極切割圖案和所述第二子公共電極切割圖案在所述存儲電容線周圍相互對稱，并且所述第一不規(guī)則部分和所述第二不規(guī)則部分交替布置在所述第一子公 共電極切割圖案和所述第二子公共電極切割圖案的每一個中。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8的液晶顯示裝置，其中，所述第三子公共電極切割 圖案被延長并且平行于所述存儲電容線。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中，所述第一基板還包括布置 在所述存儲電容線和所述像素電極之間的絕緣層，所述絕緣層在相應(yīng)于所述 存儲電容線的部分處最薄。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示裝置 無^L層和上部的有機層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11的液晶顯示裝置 儲電容線的部分處最薄。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12的液晶顯示裝置 儲電容線上接觸所述無機層。
14、 根據(jù)權(quán)利要求2的液晶顯示裝置，其中，所述像素電極具有多個像 素電極切割圖案，并且該像素電極切割圖案中至少一個形成有具有擴大寬度的第三不規(guī)則部分。
15、 根據(jù)權(quán)利要求2的液晶顯示裝置，其中，所述像素電極具有多個像 素電極切割圖案，該像素電極切割圖案中至少 一個形成有具有擴大寬度的第三不規(guī)則部 分以及具有減小寬度的第四不規(guī)則部分，并且該第三不規(guī)則部分和該第四不規(guī)則部分交替布置。
16、 根據(jù)權(quán)利要求2的液晶顯示裝置，其中，所述像素電極具有多個像 素電極切割圖案，該像素電極切割圖案中至少一個形成有具有擴大寬度的第三不規(guī)則部 分，并且該像素電極切割圖案中至少另外一個具有一致的寬度。
17、 根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中，所述第一基板還包括柵極 線、數(shù)據(jù)線、以及連接到該柵極線和該數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括 柵電極；布置在該柵電極上的半導體層和歐姆接觸層；以及源電極和漏電極，至少部分地布置在該歐姆接觸層上并且相互分離開，并且其中，數(shù)據(jù)布線包括與該歐姆接觸層交疊的該漏電極、該源電極、和該 數(shù)據(jù)線。
18、 根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中，所述域形成構(gòu)件包括突起。
19、 根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示裝置，其中，所述液晶層具有垂直取向 模式。
20、 一種液晶顯示裝置，包括 第一基板，包括像素電極；第二基板，面對該第一基板并且包括公共電極；以及液晶層，插置在該第一基板和該第二基板之間并且具有垂直取向模式，公共電極，具有布置在第一區(qū)域以及鄰近于該第一區(qū)域的第二區(qū)域上方的公共電極切割圖案，在該第 一 區(qū)域處該第 一基板和該第二基板之間的間隙不同于鄰近區(qū)域，其中，具有不規(guī)則部分的該公共電極切割圖案包括具有擴大寬度的第一 不規(guī)則部分、具有減小寬度的第二不規(guī)則部分，和其中，形成在第二區(qū)域中的該不規(guī)則部分中的最接近于第一區(qū)域的外部 不規(guī)則部分具有擴大的寬度。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20的液晶顯示裝置，其中，所述第一區(qū)域的所述間 隙大于所述鄰近區(qū)域的所述間隙。
22、 根據(jù)權(quán)利要去20的液晶顯示裝置，其中，所述公共電極切割圖案 包括第 一子公共電極切割圖案和第二子公共電極切割圖案，并且該第 一子公共電極切割圖案和該第二子公共電極切割圖案在所述第一 區(qū)域中的交叉點處交會并且在不同方向上延伸。
23、 根據(jù)權(quán)利要求22的液晶顯示裝置，其中，從所述交叉點到所述外 部不規(guī)則部分的所述第一子公共電極切割圖案和所述第二子公共電極切割圖案的每一個的寬度是恒定的。
24、 根據(jù)權(quán)利要求22的液晶顯示裝置，其中，所述第一區(qū)域中的所述 第一子公共電極切割圖案和所述第二子公共電極切割圖案的每一個形成有 單獨的不規(guī)則部分。
25、 根據(jù)權(quán)利要求22的液晶顯示裝置，其中，所述公共電極切割圖案 還包括第三子公共電極切割圖案，并且該第三子公共電極切割圖案在所述交叉點處與所述第一子公共電極切 割圖案和所述第二子公共電極切割圖案交會。
全文摘要
一種液晶顯示裝置，包括包括像素電極和存儲電容線的第一基板；面對第一基板并且包括公共電極的第二基板；插置在第一基板和第二基板之間的液晶層；以及布置在相應(yīng)于存儲電容線的第一區(qū)域和鄰近于第一區(qū)域的第二區(qū)域上方的域形成構(gòu)件，其中，具有不規(guī)則部分的域形成構(gòu)件包括具有擴大寬度的第一不規(guī)則部分和具有減小寬度的第二不規(guī)則部分，并且其中，在第二區(qū)域中形成的不規(guī)則部分中最接近第一區(qū)域的外部不規(guī)則部分具有擴大的寬度。
文檔編號H01L29/786GK101246288SQ20071016916
公開日2008年8月20日 申請日期2007年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月28日
發(fā)明者劉惠蘭, 文鉉喆, 柳承厚, 梁成勛, 鄭美惠, 都熙旭 申請人:三星電子株式會社