專利名稱：封裝基板及其制法的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種封裝基板及其制法，尤指一種于打線墊上形成打 線金屬層的封裝基板結構及其制法。
背景技術：
隨著電子產業(yè)的蓬勃發(fā)展，電子產品亦逐漸邁入多功能、高性能
的研發(fā)方向。為滿足半導體封裝件高積集度(Integration)以及微型 化(Miniaturization)的封裝需求，承載半導體芯片的封裝基板，逐 漸由單層板演變成多層板(Multi-layer Board),從而于有限的空間 下，通過層間連接技術(Interlayer Connection)以擴大封裝基板上 可利用的線路面積，以因應高電子密度的集成電路(Integrated Circuit)的使用需求。
目前用以承載半導體芯片的封裝基板包括有打線式封裝基板、芯 片尺寸封裝(CSP)基板及覆晶基板(FCBGA)等；且為因應微處理器、芯 片組、與繪圖芯片的運算需要，布有線路的電路板亦需提升其傳遞芯 片信號、改善頻寬、控制阻抗等功能，以因應高I/0數(shù)封裝件的發(fā)展。 然而，為符合半導體封裝件輕薄短小、多功能、高速度及高頻化的開 發(fā)方向，電路板已朝向細線路及小孔徑發(fā)展?，F(xiàn)有電路板制法從傳統(tǒng) 100微米(um)的線路尺寸包括線路寬度(Line width)、線路間距 (Space)等，已縮減至25微米(ym)以下，并持續(xù)朝向更小的線路精度 發(fā)展。
請參閱圖1A及圖1B，為現(xiàn)有封裝基板的打線墊上形成打線金屬層 的制法剖視圖；首先提供一基板本體IO，于該基板本體10的至少一表 面具有多個打線墊101，且該打線墊101具有電鍍導線102，并于該基 板本體10及打線墊101上形成有一絕緣保護層11，于該絕緣保護層 11中形成有多個絕緣保護層開孔110，以對應顯露各該打線墊101及 基板本體10的部分表面(如圖1A所示)；通過該電鍍導線102作為電流傳導路徑，以于該打線墊101上形成如鎳/金的打線金屬層12(如圖 1B所示)。
但是，該打線墊101上形成打線金屬層12是通過電鍍導線102電 鍍形成，于該基板本體10上即必須布設電鍍導線102，如此則占用該 基板本體10的面積，而無法達到高密度布線及打線墊之間的細間距的 目的。
請參閱他2A及圖2B，為現(xiàn)有封裝基板的打線墊上形成打線金屬層 的另一制法剖視圖；首先提供一基板本體20，于該基板本體20的至少 一表面具有多個打線墊201，并于該基板本體20及打線墊201上形成 有一絕緣保護層21,于該絕緣保護層21中形成有多個絕緣保護層開孔 210，以對應顯露各該打線墊201及基板本體20的部分表面(如圖2A 所示)；于該打線墊201上以化學沉積形成打線金屬層22(如圖2B所 示)。
上述以化學沉積法雖可于該打線墊201上形成打線金屬層22，但 因若欲得足夠厚度的打線金屬層22，則制造成本昂貴，并且因化學沉 積形成的打線金屬層22質地較軟，與后續(xù)打線接合的金線之間的結合 性不佳，而不利于高腳數(shù)的使用所需。
請參閱圖3A至圖3H所示，是以無電鍍導線(Non Plating Line， NPL) 制法于該打線墊上電鍍形成打線金屬層的制法；首先，提供一表面具 有多個打線墊301的基板本體30，于該基板本體30的部分表面及打 線墊301上形成一導電層32 (如圖3B所示)；于該導電層32上形成有 第一阻層33a，且該第一阻層33a中形成有第一開口 330a，以顯露該 打線墊301區(qū)域的導電層32(如圖3C所示)；移除該第一開口 330a中 的導電層32(如圖3D所示)；于該第一阻層33a及其第一開口 330a中 形成有一第二阻層33b，且該第二阻層33b中形成有第二開口 330b， 以顯露該打線墊301，并覆蓋位于該第一開口 330a中未被該第一阻層 33a所覆蓋的導電層32(如圖犯所示)；由于該導電層32電性連接該 打線墊301，從而通過該導電層32以于該第二開口 330b中的打線墊 301電鍍形成打線金屬層34(如圖3F所示)；移除該第二阻層33b、第 一阻層33a及其所覆蓋的導電層32，以顯露該打線墊301及其上的打 線金屬層34(如圖3G所示)；于該打線金屬層34上形成一絕緣保護層35，且該絕緣保護層35中形成有絕緣保護層開孔350以顯露該打線墊 301上的打線金屬層34(如圖3H所示)。
上述(NPL)制法以電鍍若欲得足夠厚度的打線金屬層34，成本可低 于化學沉積，并且因電鍍形成的打線金屬層34質地較硬，故與后續(xù)打 線接合的金線之間的結合性佳，但是該制法的步驟繁煩，因而增加制 造成本；且該絕緣保護層35在打線金屬層34后形成，易導致打線金 屬層34污染，影響后續(xù)打線質量較不穩(wěn)定。
因此，如何提供一種于打線墊上形成打線金屬層的封裝基板結構 與方法，得以提供高密度布線及打線墊之間的細間距及提高結合性以 利高腳數(shù)的使用所需，實已成為目前業(yè)界亟待克服的難題。
發(fā)明內容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本發(fā)明的一目的是提供一種封裝 基板及其制法，能提供高密度布線及打線墊之間的細間距。
本發(fā)明的又一目的是提供一種封裝基板及其制法，能提高與打線 接合的金線之間的結合性以利細間距的高腳數(shù)的使用所需。
為達到上述及其它目的，本發(fā)明提供一種封裝基板，包括 一基 板本體，具有兩相對的置晶側及植球側，于該置晶側及植球側分別具 有多個打線墊及多個焊球墊，且該置晶側及植球側上分別具有一第一 絕緣保護層及一第二絕緣保護層，并分別在該第一及第二絕緣保護層 開設有多個第一開孔及多個第二開孔以顯露該打線墊及焊球墊； 一化 鍍金屬層，設于該打線墊及焊球墊表面上；以及一打線金屬層，設于 打線墊上的化鍍金屬層表面上。
依上述的結構，該化鍍金屬層為鎳/金(Ni/Au)及鎳/鈀/金 (Ni/Pd/Au)的其中一者，且金(AU)是形成在較外層；該打線金屬層為 電鍍金屬；該打線金屬層為金(Au)。
本發(fā)明復提供一種封裝基板的制法，包括提供一具有兩相對的 置晶側及植球側的基板本體，其中該置晶側及植球側分別具有多個打 線墊及多個悍球墊，且于該置晶側及植球側上分別形成一第一絕緣保 護層及一第二絕緣保護層，并分別在該第一及第二絕緣保護層形成多 個第一開孔及多個第二開孔以顯露該打線墊及悍球墊；于該打線墊及焊球墊表面上形成一化鍍金屬層；于該第一絕緣保護層及打線墊的化 鍍金屬層上形成一第一導電層；于該第一導電層上形成一第一阻層， 且于該基板本體的置晶側上的第一阻層形成多個第一開口以顯露該些 打線墊區(qū)域的第一導電層，且該第一開口大于第一開孔，又該第一阻 層具有設于第一開口中并位于打線墊上的延伸部以覆蓋部分的第一導 電層；移除該第一開口中的第一導電層以顯露打線墊上的化鍍金屬層; 于該打線墊上的化鍍金屬層表面上以電鍍形成一打線金屬層；以及移 除該第一阻層及其所覆蓋的第一導電層以顯露第一絕緣保護層及第一 開孔中的打線墊上的打線金屬層。
依上述的制法，該化鍍金屬層為鎳/金(Ni/Au)及鎳/鈀/金 (Ni/Pd/Au)的其中一者，且金(Au)形成在較外層；該第一導電層的形 成方法為化學沉積及物理沉積的其中一者，且該第一導電層為銅(Cu); 該打線金屬層為金(Au)。
又依上述的制法，還包括于該第二絕緣保護層及焊球墊的化鍍金 屬層上形成一第二導電層。
本發(fā)明再提供一種封裝基板的制法，包括提供一具有兩相對的
置晶側及植球側的基板本體，其中該置晶側及植球側上分別具有多個 打線墊及多個焊球墊，且于該置晶側及植球側分別形成一第一絕緣保 護層及一第二絕緣保護層，并分別在該第一及第二絕緣保護層形成多
個第一開孔及多個第二開孔以顯露該些打線墊及焊球墊；于該打線墊 及焊球墊表面上形成一化鍍金屬層；于該第一絕緣保護層及打線墊的 化鍍金屬層上形成一第一導電層；于該導電層上形成一第一阻層，且 于該基板本體的置晶側上的第一阻層形成多個第一開口以顯露該打線 墊區(qū)域的第一導電層，且該第一開口小于第一開孔以覆蓋打線墊上的 部分第一導電層；移除該第一開口中的第一導電層以顯露打線墊上的 化鍍金屬層；于該基板本體的置晶側上的第一阻層上形成一第三阻層， 且該第三阻層形成小于第一開口的第三開口以顯露打線墊上的化鍍金 屬層；于該打線墊上的化鍍金屬層表面上以電鍍形成一打線金屬層； 以及移除該第三阻層、第一阻層及其所覆蓋的第一導電層以顯露該第 一絕緣保護層及第一開孔中的打線墊上的打線金屬層。
依上述的制法，該化鍍金屬層為鎳/金(Ni/Au)及鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)的其中一者，且金(Au)形成在較外層；該導電層的形成方
法為化學沉積及物理沉積的其中一者，且該第一導電層為銅(CU);該
打線金屬層為金(Au)。
又依上述的制法，還包括于該第二絕緣保護層及焊球墊的化鍍金 屬層上形成一第二導電層。
本發(fā)明又提供一種封裝基板的制法，包括提供一具有兩相對的 置晶側及植球側的基板本體，于該置晶側及植球側分別具有多個打線 墊及多個焊球墊，且該置晶側及植球側上分別形成一第一絕緣保護層 及一第二絕緣保護層，并分別在該第一及第二絕緣保護層形成多個第 一開孔及多個第二開孔以顯露該打線墊及焊球墊，其中，該基板本體 復具有多條電鍍導線以電性連接至該些打線墊；于該打線墊及焊球墊 表面上形成一化鍍金屬層；于該第二絕緣保護層及第二開孔中的該焊 球墊上的化鍍金屬層上形成一第二阻層；通過該電鍍導線以于該打線 墊上的化鍍金屬層表面上電鍍形成一打線金屬層；以及移除該第二阻 層以顯露該第二絕緣保護層及第二開孔中的焊球墊上的化鍍金屬層。
依上述的制法，該化鍍金屬層為鎳/金(Ni/Au)及鎳/鈀/金 (Ni/Pd/Au)的其中一者，且金(Au)形成在較外層；該打線金屬層為金 (Au)。
本發(fā)明的封裝基板及其制法，是于該基板本體的置晶側及植球側 先分別形成第一及第二絕緣保護層后，再于該打線墊上依序形成化鍍 金屬層及電鍍金的打線金屬層，因此金層厚度是厚于焊球墊僅以化鍍 形成金屬層的金層厚度，且電鍍金的質地較化鍍金硬，從而提高與后 續(xù)打線接合的金線之間的結合性，且本發(fā)明的前兩種制法免除布設電 鍍導線以提供高密度布線及打線墊之間細間距的使用所需。
圖1A及圖1B為現(xiàn)有于封裝基板的打線墊上以電鍍導線電鍍形成 打線金屬層的制法剖視示意圖2A及圖2B為現(xiàn)有封裝基板的打線墊上以化學沉積形成打線金 屬層的制法剖視示意圖3A至圖3H為現(xiàn)有于封裝基板的打線墊上無電鍍導線(NPL)電鍍形成打線金屬層的制法剖視示意圖4A至圖4G為本發(fā)明封裝基板及其制法的第一實施例剖視示意
圖4C，為圖4C的另一實施例剖視示意圖4D'為圖4D的立體剖視示意圖4G'及圖4G"為圖4G的立體剖視示意圖5A至圖5E為本發(fā)明封裝基板及其制法的第二實施例剖視示意
圖5A'為圖5A的另一實施例剖視示意圖5C'為圖5C的立體剖視示意圖5E，及圖5E"為圖5E的立體剖視示意圖；以及
圖6A至圖6E為本發(fā)明封裝基板及其制法的第三實施例剖視示意圖。
主要元件符號說明
10、 20、 30 、 40 基板本體
101、 201、 301、 401 打線墊
102、 403 電鍍導線
11、 21、 35 絕緣保護層
110、 210、 350 絕緣保護層開孔
12、 22、 34、 45 打線金屬層 32 導電層
33a、 44a 第一阻層
330a、 440a 第一開口
33b、 44b 第二阻層
330b第二開口
402 焊球墊
40a置晶側
40b 植球側
41a第一絕緣保護層
410a第一開孔
41b第二絕緣保護層410b第二開孔 42 化鍍金屬層 43a第一導電層 43b第二導電層 44c第三阻層 440c第三開口 441a延伸部 450矩形缺口 45(T缺口
具體實施例方式
以下通過特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術 人員可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功 效。
第一實施例
請參閱圖4A至圖4G，是顯示本發(fā)明的封裝基板制法第一實施例的 示意圖。
如圖4A所示，首先提供一基板本體40，具有兩相對的置晶側40a 及植球側40b，于該置晶側40a及植球側40b分別具有多個打線墊401 及多個焊球墊402，且于該置晶側40a及植球側40b分別形成一第一絕 緣保護層41a及一第二絕緣保護層41b，該第一絕緣保護層41a及一第 二絕緣保護層41b分別形成多個第一開孔410a及多個第二開孔410b 以對應顯露該打線墊401及焊球墊402。有關于基板本體的制法技術繁 多，且是業(yè)界所周知的制法技術，其非本發(fā)明的技術重點，故未再予 贅述。
如圖4B所示，于該些打線墊401及焊球墊402表面上以化學沉積 形成一化鍍金屬層42，該化鍍金屬層42為鎳/金(Ni/Au)及鎳/鈀/金 (Ni/Pd/Au)的其中一者，且金(An)形成在最外層。
如圖4C及4C'所示，于該第一絕緣保護層41a及打線墊401的化 鍍金屬層42上形成一為銅(Cu)的第一導電層43a，且于該第二絕緣保護層41b及焊球墊402的化鍍金屬層42上形成一第二導電層43b (如圖 4C所示)；或僅于該第一絕緣保護層41a及打線墊401的化鍍金屬層 42上形成一第一導電層43a，而該第二絕緣保護層41b及焊球墊402 的化鍍金屬層42上并無形成導電層(如圖4C，所示)。該第一及第二導 電層43a、 43b形成方法為化學沉積或物理沉積。
如圖4D及圖4D，所示，其中該圖4D，為對應該圖4D的立體剖視 圖，接著于該第一導電層43a上形成一第一阻層44a，且于該基板本體 40的置晶側40a上的第一阻層44a形成多個第一開口 440a以顯露所述 打線墊401區(qū)域的第一導電層43a，且該第一開口 440a大于該第一開 孔410a，又該第一阻層44a具有設于該第一開口 440a中并位于該打線 墊401上的延伸部441a，以覆蓋部分的第一導電層43a;于該第二導 電層43b上形成一第二阻層44b，若依前述的圖4C，所示的結構，則 于該第二絕緣保護層41b及焊球墊402的化鍍金屬層42上形成第二阻 層44b。該第一及第二阻層44a、 44b可為一例如千膜或液態(tài)光阻等光 阻層(Photoresist),其是利用印刷、旋涂或貼合等方式形成于該第一 導電層43a及第二導電層43b上，再通過曝光、顯影等方式加以圖案 化，使該第一阻層44a形成該第一開口 440a以顯露該第一導電層43a 的部分表面。
如圖犯所示，移除該第一開口 440a中的第一導電層43a以顯露 該打線墊401上的化鍍金屬層42。
如圖4F所示，之后于該打線墊401上的化鍍金屬層42表面上以 電鍍形成一為金(Au)的打線金屬層45，而得免除布設電鍍導線以提供 高密度布線及打線墊之間的細間距，且于該打線墊401上先形成該化 鍍金屬層42再形成該打線金屬層45，從而提高結合性以利于細間距的 高腳數(shù)的使用所需。
如圖4G、圖4G'及圖4G"所示，其中圖4G'及圖4G"為對應圖 4G不同方向的立體剖視圖；最后，移除該第一阻層44a及其所覆蓋的 第一導電層43a，以顯露該第一絕緣保護層41a及第一開孔410a中的 打線墊401上的打線金屬層45，且該打線金屬層45于近第一絕緣保護 層端41a形成一位于該打線墊401上方的矩形缺口 450，以顯露該打線 墊401上的化鍍金屬層42;同時并移除該第二阻層44b及該第二導電層43b;或者，若依前述的圖4C'的結構，則僅移除該第二阻層44b， 以顯露該第二絕緣保護層41b及焊球墊402的化鍍金屬層42。
第二實施例
請參閱圖5A至圖5E，是顯示本發(fā)明的封裝基板制法第二實施例的 示意圖。
如圖5A及圖5A'所示，首先提供一如前述實施例圖4C所示的結 構，并于該第一導電層43a上形成一第一阻層44a，于該第一阻層44a 形成多個第一開口 440a以對應顯露該打線墊401區(qū)域的第一導電層 43a，且該第一開口 440a小于第一絕緣保護41a的第一開孔410a，以 覆蓋該打線墊401上的部分第一導電層43a，而于該第二導電層43b 上形成一第二阻層44b(如圖5A所示)；若依前述的圖4C，所示的結構， 則于該第二絕緣保護層41b及焊球墊402的化鍍金屬層42上形成第二 阻層44b(如圖5A'所示)。
如圖5B所示，移除該第一開口 440a中的第一導電層43a以顯露 該打線墊401上的化鍍金屬層42。
如圖5C及圖5C'所示，其中該圖5C，為圖5C的立體剖視圖，于 該第一阻層44a上形成一第三阻層44c，且該第三阻層44c形成小于該 第一開口 440a的第三開口 440c以顯露該打線墊401上的化鍍金屬層 42，且覆蓋外露出該第一阻層44a的第一導電層43a。
如圖5D所示，于該打線墊401上的化鍍金屬層42表面上以電鍍 形成一打線金屬層45。
如圖5E、圖5E，及圖5E"所示，其中該圖5E，及圖5E"為對應 圖5E不同方向的立體剖視圖；最后，移除該第三阻層44c、第一阻層 44a及其所覆蓋的第一導電層43a以顯露該第一絕緣保護層41a及第一 開孔410a中的打線墊401上的打線金屬層45，且該打線金屬層45于 近第一絕緣保護層端41a形成一橫跨該打線墊401的缺口 450'以顯露 該化鍍金屬層42;同時并移除該第二導電層43b及第二阻層44b;或 者，若為圖5A'所示的結構，于最后則僅移除該第二阻層44b，以顯 露該第二絕緣保護層41b及焊球墊402的化鍍金屬層42。第三實施例
請參閱圖6A至6E，是顯示本發(fā)明的封裝基板制法第三實施例的示 意圖，與前述實施例的不同處在于該打線墊是通過電鍍導線作為電鍍 的電流傳導路徑，以于該打線墊上電鍍形成打線金屬層。
如圖6A所示，首先提供一如前述實施例圖4A所示的結構，且該 打線墊401電性連接電鍍導線403。
如圖6B所示，接著于該基板本體40的置晶側40a及植球側40b 上的打線墊401及焊球墊402上形成化鍍金屬層42。
如圖6C所示，于該第二絕緣保護層41b及焊球墊402的化鍍金屬 層42上形成一第二阻層44b，而該第一絕緣保護層41a并未形成阻層。
如圖6D所示，之后于該打線墊401上的化鍍金屬層42表面上通 過該電鍍導線403以電鍍形成一為金(Au)的打線金屬層45，由于該打 線墊401上先形成該化鍍金屬層42再形成該打線金屬層45，從而能提 高結合性以利于細間距的高腳數(shù)的使用所需。
如圖6E所示，移除該第二阻層44b，以顯露該第二絕緣保護層41b 及焊球墊402的化鍍金屬層42。
本發(fā)明還提供一種封裝基板，包括基板本體40，具有兩相對的 置晶側40a及植球側40b，于該置晶側40a及植球側40b分別具有多個 打線墊401及多個焊球墊402，且該置晶側40a及植球側40b上分別具 有一第一絕緣保護層41a及一第二絕緣保護層41b，該第一絕緣保護層 41a及一第二絕緣保護層41b分別具有多個第一開孔410a及多個第二 開孔410b以對應顯露該打線墊401及焊球墊402;化鍍金屬層42，設 于該些打線墊401及焊球墊402上；以及打線金屬層45，設于該打線 墊401上的化鍍金屬層42上。
該打線墊401復可電性連接有電鍍導線403;該化鍍金屬層42為 鎳/金(Ni/Au)或鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)，且金(Au)設在較外層；該打線 金屬層45為電鍍金屬，且該打線金屬層45為金(Au)。
本發(fā)明的封裝基板及其制法，是于該基板本體的置晶側及植球側 先分別形成第一及第二絕緣保護層后，再于該打線墊上依序形成化鍍 金屬層及電鍍金的打線金屬層，因此金層厚度是厚于焊球墊僅以化鍍 形成金屬層的金層厚度，且電鍍金的質地較化鍍金硬，從而提高與后續(xù)打線接合的金線之間的結合性，且本發(fā)明的前兩種制法免除布設電 鍍導線以提供高密度布線及打線墊之間細間距的使用所需。
上述實施例是用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于 限制本發(fā)明。任何本領域技術人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇 下，對上述實施例進行修改。因此本發(fā)明的權利保護范圍，應以權利 要求書的范圍為依據。
權利要求
1. 一種封裝基板，包括一基板本體，具有兩相對的置晶側及植球側，于該置晶側及植球側分別具有多個打線墊及多個焊球墊，且該置晶側及植球側上分別形成有一第一絕緣保護層及一第二絕緣保護層，并分別在該第一及第二絕緣保護層開設有多個第一開孔及多個第二開孔以顯露該打線墊及焊球墊；一化鍍金屬層，設于該打線墊及焊球墊表面上；以及一打線金屬層，設于打線墊上的化鍍金屬層表面上。
2. 根據權利要求1所述的封裝基板，其中，該化鍍金屬層為鎳/金 (Ni/Au)及鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)的其中一者，且金(Au)形成在較外層。
3. 根據權利要求1所述的封裝基板，其中，該打線金屬層為電鍍 金屬。
4. 根據權利要求l所述的封裝基板，其中，該打線金屬層為金(Au)。
5. —種封裝基板的制法，包括提供一具有兩相對的置晶側及植球側的基板本體，其中該置晶側 及植球側分別具有多個打線墊及多個焊球墊，且于該置晶側及植球側 上分別形成一第一絕緣保護層及一第二絕緣保護層，并分別在該第一 及第二絕緣保護層形成多個第一開孔及多個第二開孔以顯露該打線墊 及焊球墊；于該打線墊及焊球墊表面上形成一化鍍金屬層； 于該第一絕緣保護層及打線墊的化鍍金屬層上形成一第一導電層；于該第一導電層上形成一第一阻層，且于該基板本體的置晶側上的第一阻層形成多個第一開口以顯露該打線墊區(qū)域的第一導電層，且第一開口大于第一開孔，又該第一阻層具有設于第一開口中并位于打 線墊上的延伸部以覆蓋部分的第一導電層；移除該第一開口中的第一導電層以顯露打線墊上的化鍍金屬層； 于該打線墊上的化鍍金屬層表面上以電鍍形成一打線金屬層；以及移除該第一阻層及其所覆蓋的第一導電層以顯露第一絕緣保護層 及第一開孔中的打線墊上的打線金屬層。
6. 根據權利要求5所述的封裝基板的制法，其中，該化鍍金屬層 為鎳/金(Ni/Au)及鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)的其中一者，且金(Au)形成在 較外層。
7. 根據權利要求5所述的封裝基板的制法，復包括于該第二絕緣 保護層及焊球墊的化鍍金屬層上形成一第二導電層。
8. 根據權利要求5所述的封裝基板的制法，其中，該第一導電層 的形成方法為化學沉積及物理沉積的其中一者。
9. 根據權利要求5所述的封裝基板的制法，其中，該第一導電層 為銅(Cu)。
10. 根據權利要求5所述的封裝基板的制法，其中，該打線金屬層 為金(Aii)。
11. 一種封裝基板的制法，包括提供一具有兩相對的置晶側及植球側的基板本體，其中該置晶側 及植球側分別具有多個打線墊及多個焊球墊，且于該置晶側及植球側 分別形成一第一絕緣保護層及一第二絕緣保護層，并分別在該第一及 第二絕緣保護層形成多個第一開孔及多個第二開孔以顯露該打線墊及 焊球墊；于該打線墊及焊球墊表面上形成一化鍍金屬層； 于該第一絕緣保護層及打線墊的化鍍金屬層上形成一第一導電層；于該導電層上形成一第一阻層，且于該基板本體的置晶側上的第 一阻層形成多個第一開口以顯露該打線墊區(qū)域的第一導電層，且該第 一開口小于第一開孔以覆蓋打線墊上的部分第一導電層；移除該第一開口中的第一導電層以顯露打線墊上的化鍍金屬層；于該基板本體的置晶側上的第一阻層上形成一第三阻層，且該第 三阻層形成小于第一開口的第三開口以顯露打線墊上的化鍍金屬層；于該打線墊上的化鍍金屬層表面上以電鍍形成一打線金屬層；以及移除該第三阻層、第一阻層及其所覆蓋的第一導電層以顯露該第一絕緣保護層及第一開孔中的打線墊上的打線金屬層。
12. 根據權利要求11所述的封裝基板的制法，其中，該化鍍金屬 層為鎳/金(M/Au)及鎳/鈀/金(M/Pd/Au)的其中一者，且金(Au)形成 在較外層。
13. 根據權利要求11所述的封裝基板的制法，復包括于該第二絕 緣保護層及焊球墊的化鍍金屬層上形成一第二導電層。
14. 根據權利要求11所述的封裝基板的制法，其中，該導電層的 形成方法為化學沉積及物理沉積的其中 一者。
15. 根據權利要求11所述的封裝基板的制法，其中，該第一導電 層為銅(Cu)。
16. 根據權利要求11所述的封裝基板的制法，其中，該打線金屬 層為金(Au)。
17. —種封裝基板的制法，包括提供一具有兩相對的置晶側及植球側的基板本體，于該置晶側及 植球側分別具有多個打線墊及多個焊球墊，且該置晶側及植球側上分 別形成一第一絕緣保護層及一第二絕緣保護層，并分別在該第一及第 二絕緣保護層形成多個第一開孔及多個第二開孔以顯露該打線墊及焊 球墊，其中，該基板本體復具有多條電鍍導線以電性連接至該打線墊；于該打線墊及焊球墊表面上形成一化鍍金屬層；于該第二絕緣保護層及第二開孔中的該焊球墊上的化鍍金屬層上 形成一第二阻層；通過該電鍍導線以于該打線墊上的化鍍金屬層表面上電鍍形成一 打線金屬層；以及移除該第二阻層以顯露該第二絕緣保護層及第二開孔中的焊球墊 上的化鍍金屬層。
18. 根據權利要求17所述的封裝基板的制法，其中，該化鍍金屬 層為鎳/金(Ni/Au)及鎳/鈀/金(Ni/Pd/Au)的其中一者，且金(Au)形成 在較外層。
19. 根據權利要求17所述的封裝基板的制法，其中，該打線金屬 層為金(Au)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種封裝基板，包括一基板本體，具有兩相對的置晶側及植球側，于該置晶側及植球側分別具有多個打線墊及多個焊球墊，且該置晶側及植球側上分別具有一第一絕緣保護層及一第二絕緣保護層，并分別在該第一及第二絕緣保護層開設有多個第一開孔及多個第二開孔以對應顯露該打線墊及焊球墊；一化鍍金屬層，設于該打線墊及焊球墊表面上；以及一打線金屬層，設于該打線墊上的化鍍金屬層表面上。本發(fā)明能免除布設電鍍導線以提供高密度布線及細間距，又于該于打線墊上先形成化鍍金屬層再形成電鍍的打線金屬層，從而提高與打線接合的金線之間的結合性以利細間距的高腳數(shù)的使用所需。另外，本發(fā)明還提供一種封裝基板的制法。
文檔編號H01L23/498GK101414595SQ200710163700
公開日2009年4月22日 申請日期2007年10月18日 優(yōu)先權日2007年10月18日
發(fā)明者許詩濱 申請人:全懋精密科技股份有限公司