專利名稱：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖像傳感器及其制造方法，更具體地，涉及一種將光電 二極管集成在晶體管電路上部的圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器是用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件，并且主要分為電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖 像傳感器。CMOS圖像傳感器包括位于每個(gè)像素單元中的光電二極管和MOS晶體 管，并且以開關(guān)模式依次檢測每個(gè)像素單元的電信號(hào)以獲得圖像。根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CMOS圖像傳感器包括用于接收光信號(hào)并將其轉(zhuǎn)換成 電信號(hào)的光電二極管區(qū)域，以及用于處理該電信號(hào)的晶體管區(qū)域。然而，在根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CMOS圖像傳感器中，光電二極管和晶體管是 水平設(shè)置的，并且光電二極管與晶體管電路設(shè)置于同一平面。盡管根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CMOS圖像傳感器克服了 CCD圖像傳感器的缺點(diǎn)， 但在該CMOS圖像傳感器中仍然存在問題。換句話說，在根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CMOS圖像傳感器中，位于襯底上的光電 二極管和晶體管彼此水平鄰近。因此，對(duì)于光電二極管需要額外的區(qū)域。由 此，會(huì)減小填充系數(shù)區(qū)域(fill factor area)，并限制分辨率。而且，在同時(shí)制造光電二極管和晶體管時(shí)，根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CMOS圖像 傳感器難以優(yōu)化制造工藝。換句話說，盡管為了實(shí)現(xiàn)低的片阻(sheet resistance)，快速晶體管制造工藝需要淺結(jié)(shallow junction)，但是對(duì)于 光電二極管制造工藝而言，淺結(jié)是不穩(wěn)定的。另外，在根據(jù)相關(guān)技術(shù)的CMOS圖像傳感器中，由于在CMOS圖像傳 感器中提供了額外的片上功能，就必須增加像素單元的尺寸以保持圖像傳感 器的靈敏度，或者必須減小用于光電二極管的面積以保持像素的尺寸。然而，如果增加像素的尺寸，就會(huì)減小CMOS圖像傳感器的分辨率，并且，如果減小用于光電二極管的面積，就會(huì)減小圖像傳感器的靈敏度。 發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的實(shí)施例提供了圖像傳感器及其制造方法，能夠提供晶體管電路和光電二極管的新的集成方案。本發(fā)明可提供能夠提高分辨率和靈敏度的圖像傳感器及其制造方法。 另外，根據(jù)實(shí)施例，能夠提供一種圖像傳感器及其制造方法，其中光電二極管形成在晶體管電路的上部，從而確保光電二極管的像素單元之間的絕緣性。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所提供的圖像傳感器包括襯底，設(shè)有晶體管電路和至少兩個(gè)下部互連件(interconnection);第一上部互連件，電連接到至少兩 個(gè)下部互連件中的第一下部互連件；第二上部互連件，電連接到至少兩個(gè)下 部互連件中的第二下部互連件；第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在該第一上部互連 件的至少一個(gè)側(cè)壁表面上；第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在該第二上部互連件的 至少一個(gè)側(cè)壁表面上；以及本征層，形成在第一和第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層之間。該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層、該本征層、以及該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層提供了水平設(shè)置 的二極管結(jié)構(gòu)。根據(jù)實(shí)施例，圖像傳感器的制造方法包括在襯底上形成晶體管電路和 至少兩個(gè)下部互連件；在至少兩個(gè)下部互連件中的第一下部互連件上形成第一上部互連件；在該第一上部互連件的至少一個(gè)側(cè)壁表面上形成第一導(dǎo)電型 導(dǎo)電層；在包括該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層和該第一上部互連件的襯底上形成本征 層；對(duì)應(yīng)于至少兩個(gè)下部互連件中的第二下部互連件，在該本征層中形成溝 槽；在該溝槽的至少一個(gè)側(cè)壁表面上形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層；以及在具有該 第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層的溝槽中形成第二上部互連件。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，圖像傳感器的制造方法包括在襯底上形成包括下 部互連件的晶體管電路；對(duì)應(yīng)于該襯底上的下部互連件，形成第一和第二互 連件；在該第一互連件的側(cè)面上形成第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層；在該第二互連件的 側(cè)面上形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層；以及在包括第一和第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層的襯底 上形成本征層。


圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的橫截面圖； 圖2至圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的制造過程的橫截面 圖；以及圖7至圖11是顯示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的圖像傳感器的制造過程 的橫截面圖。
具體實(shí)施方式
在下文中，將參照

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器及其制造方法。在以下的說明中，用語"形成在每層的上面/下面"可以包括"直接形成 在每層的上面/下面"和"間接形成在每層的上面/下面"這兩種含義。 圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的圖像傳感器的橫截面圖。參見圖1，根據(jù)實(shí)施例，圖像傳感器包括第一和第二互連件140和145， 它們在襯底上彼此分離；第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150，形成在該第一互連件140 的側(cè)面；第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180，形成在該第二互連件145的側(cè)面；以及本 征層170，形成在第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150與第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180之間?？梢詫?duì)應(yīng)于形成在層間介電層(ILD) 110中的下部互連件120，形成該 第一和第二互連件140和145?？梢栽谠摰谝换ミB件140的一個(gè)側(cè)面或兩個(gè)或兩個(gè)以上側(cè)面上形成該第 一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150。當(dāng)在該第一互連件140的兩個(gè)或兩個(gè)以上側(cè)面上形成 該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150時(shí)，該第一互連件140可以作為公共互連件或節(jié)點(diǎn)?？梢栽谠摰诙ミB件145的一個(gè)側(cè)面或兩個(gè)或兩個(gè)以上側(cè)面上形成該第 二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180。當(dāng)在該第二互連件145的兩個(gè)或兩個(gè)以上側(cè)面上形成 該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180時(shí)，該第二互連件145可以作為公共互連件或節(jié)點(diǎn)。在根據(jù)這些實(shí)施例的圖像傳感器中，光電二極管位于晶體管電路上方， 從而填充系數(shù)能夠接近100%，并且相對(duì)于相關(guān)技術(shù)的同樣像素尺寸，能夠 實(shí)現(xiàn)更高的靈敏度。而且，根據(jù)實(shí)施例，能夠降低制造成本以達(dá)到與相關(guān)技術(shù)一樣的分辨率， 并且能夠用更復(fù)雜的電路實(shí)現(xiàn)每個(gè)像素單元而不減小靈敏度。另外，可以包括額外的片上電路以提高該圖像傳感器的性能，減小器件 的尺寸，并降低該器件的制造成本。而且，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在晶體管電路上方形成光電二極管，從而 能夠確保光電二極管的像素單元之間的絕緣性，以隔離和減小像素單元之間 的色度亮度串?dāng)_。在下文中，將參照?qǐng)D2至圖6說明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器的制造方法的細(xì)節(jié)。參見圖2，在襯底上形成包括下部互連件120的CMOS電路(未示出)。在一個(gè)實(shí)施例中，可以在包括該下部互連件120的層間介電層(ILD) 110上形成阻擋金屬(未示出)。該阻擋金屬例如可以是鉤、鈦、鉭、氮化 鎢、氮化鈦、或氮化鉭。在可選實(shí)施例中，可以不形成該阻擋金屬。隨后，在下部互連件120上形成第一互連件140。該第一互連件140可 以形成為電連接到多個(gè)下部互連件120中的一個(gè)。該第一互連件140可以由導(dǎo)電材料例如金屬、合金、和硅化物形成。例 如，該第一互連件140可以包含鋁、銅、或鈷。再請(qǐng)參見圖2，可以在包括該第一互連件140的襯底的整個(gè)表面上形成 第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150。該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150可以作為PIN二極管的"N"層。盡管將該第 一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150描述為N型導(dǎo)電型導(dǎo)電層，但是實(shí)施例不限于此。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150包括N摻雜非晶硅，但是實(shí) 施例不限于此。換句話說，該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150例如可以由用鍺、碳、氮、或氧(非 晶硅標(biāo)記為a-Si)摻雜非晶硅得到的a-Si:H、 a-SiGe:H、 a-SiC:H、 a-SiN:H、 或a-SiO:H形成?？梢酝ㄟ^化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝，例如等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉 積(PECVD)工藝，來形成該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150。在實(shí)施例中，可通過 應(yīng)用硅烷氣體(SiH4) 、 PH3和P2Hs的混合氣體，經(jīng)PECVD工藝，用非晶 硅形成該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150。然后，參見圖3，對(duì)該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150實(shí)施回蝕(etch-back)工 藝，以在該第一互連件140的兩側(cè)形成該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層。之后，參見圖4，在包括該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150的襯底上形成本征層 170，并且在本征層170中形成溝槽172。這時(shí)，根據(jù)實(shí)施例，該本征層170可作為PIN二極管的"I"層?？梢圆捎梅蔷Ч栊纬稍摫菊鲗?70?？梢酝ㄟ^CVD工藝，例如PECVD 工藝來形成該本征層170。例如，通過應(yīng)用硅烷氣體SiH4，經(jīng)PECVD工藝， 用非晶硅形成該本征層170。在形成該本征層170之后，在用于第二互連件145的位置形成溝槽172。 對(duì)應(yīng)于下部互連件120形成該第二互連件145。參見圖5，第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180形成在該襯底的整個(gè)表面上，并包括 形成在本征層170的溝槽172的側(cè)面上。根據(jù)實(shí)施例，該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180可以作為該P(yáng)IN二極管的P層。 盡管將該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180描述為P型導(dǎo)電型導(dǎo)電層，但是實(shí)施例不限 于此?？梢酝ㄟ^化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝，例如等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉 積(PECVD)工藝，來形成該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180。例如，通過應(yīng)用硅烷 氣體SiH4和硼的混合氣體，經(jīng)PECVD工藝，用非晶硅形成該第二導(dǎo)電型導(dǎo) 電層180。然后，參見圖6，在一個(gè)實(shí)施例中，可以平坦化(planarize)該形成有 第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180的襯底，從而暴露出該第一互連件140。例如，通過 化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝平坦化該襯底。該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180的形成 在該溝槽172底面的部分也被移除。通過實(shí)施蝕刻工藝移除這個(gè)部分。在實(shí) 施例中，通過回蝕工藝，從該包括本征層170的襯底的表面以及該溝槽172 的底面移除該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180。在另一個(gè)實(shí)施例中，也可以移除該第 二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180的形成在該溝槽172的其中一個(gè)側(cè)壁上的部分。在移除該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180從而使該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180僅保留 在該溝槽172的一或多個(gè)側(cè)壁上之后，在該溝槽172中形成第二互連件145。 可以用與該第一互連件140相同的材料形成該第二互連件145。因此，在晶體管電路上形成了光電二極管，并能夠確保隔離和減小光電 二極管的像素單元之間的色度亮度串?dāng)_。而且，由于光電二極管形成在晶體管電路之上并具有水平結(jié)構(gòu)，所以，可以省略用于上部互連件(例如透明電極)的工藝。因此，通過典型的半導(dǎo) 體制造工藝，而不采用用于制造透明電極的額外設(shè)備，能夠制造根據(jù)上述實(shí) 施例的圖像傳感器。圖7至圖11是顯示根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的圖像傳感器的制造方法的橫截 面圖。不同于參照?qǐng)D2-圖6說明的實(shí)施例，參照?qǐng)D7-圖11說明的實(shí)施例的特 征在于，減少了對(duì)于本征層170的蝕刻工序，從而防止在光電二極管中出現(xiàn) 缺陷。參見圖7，可以在襯底上形成包括下部互連件120的CMOS電路(未示出)。然后，可以在襯底上形成對(duì)應(yīng)于下部互連件120第一和第二互連件140 和145。之后，參見圖8，在該第一互連件140的側(cè)面形成第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150。 為了實(shí)施上述工序，可形成覆蓋該第二互連件145并暴露出該第一互連件140的第一光致抗蝕劑圖案152。然后，在該暴露的第一互連件140上形成該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150。 之后，對(duì)該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150實(shí)施回蝕工藝，從而將該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150保留在該第一互連件140的側(cè)壁上。然后，移除該第一光致抗蝕劑圖案152。下一步，參見圖9，在該第二互連件145的側(cè)面形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180。為了實(shí)施上述工序，可形成覆蓋該第一互連件140并暴露出該第二互連 件145的第二光致抗蝕劑圖案154。之后，在該暴露的第二互連件145上形成該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180。然后，參見圖IO，對(duì)于該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180實(shí)施回蝕工藝，從而將 該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180保留在該第二互連件145的側(cè)壁上。然后，移除該 第二光致抗蝕劑圖案154。下一步，參見圖11，在包括該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層150和該第二導(dǎo)電型導(dǎo) 電層180的襯底上形成本征層170。沉積本征層170以填充該第一導(dǎo)電型導(dǎo) 電層150和該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層180之間的空隙。然后，在一個(gè)實(shí)施例中，平坦化該襯底直到暴露出該第一和第二互連件140和145為止。因此，最大程度地減少了用于本征層170的蝕刻工藝，從而防止在該光電二極管中發(fā)生缺陷。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖像傳感器及其制造方法中，可以將光電二極管設(shè)置于晶體管電路上方。根據(jù)實(shí)施例，填充系數(shù)可以接近100%。另外，對(duì)于同樣的像素尺寸，可以提供比相關(guān)技術(shù)更高的靈敏度。 根據(jù)某些實(shí)施例，為了實(shí)現(xiàn)與相關(guān)技術(shù)同樣的分辨率，可以降低制造成本。根據(jù)實(shí)施例，每個(gè)像素單元可以實(shí)現(xiàn)為更復(fù)雜的電路而不減小靈敏度。 而且，根據(jù)實(shí)施例集成的額外的片上電路，能夠提高圖像傳感器的性能， 減小器件尺寸，并減小該器件的制造成本。另外，光電二極管形成在晶體管電路之上，從而確保隔離和減少光電二 極管的像素單元之間的色度亮度串?dāng)_。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，可以在光電二極管上設(shè)置濾色器陣列。 說明書中所涉及的任何"一個(gè)實(shí)施例"、"實(shí)施例"、"示例性實(shí)施例"等， 其含義是結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性包括在本發(fā)明的至少一 個(gè)實(shí)施例中。本說明書中出現(xiàn)于各處的這些詞語不一定都指同一個(gè)實(shí)施例。 此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例說明特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為其落在本領(lǐng)域 技術(shù)人員結(jié)合其它實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)、或特性的范圍內(nèi)。盡管以上參考本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例而對(duì)實(shí)施例進(jìn)行了描述，但可 以理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以推導(dǎo)出許多其它改型和實(shí)施例，而落 入本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍之內(nèi)。尤其是，可以在本公開、附圖和所 附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對(duì)主要組合配置中的組件和/或配置進(jìn)行各種變化和改 型。除組件和/或配置的變化和改型之外，其它可選擇的應(yīng)用對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù) 人員而言也是顯而易見的。
權(quán)利要求
1、一種圖像傳感器，包括襯底，設(shè)有晶體管電路和至少兩個(gè)下部互連件；第一上部互連件，電連接到所述至少兩個(gè)下部互連件中的第一下部互連件；第二上部互連件，電連接到所述至少兩個(gè)下部互連件中的第二下部互連件；第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在該第一上部互連件的至少一個(gè)側(cè)壁表面上；第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在該第二上部互連件的至少一個(gè)側(cè)壁表面上；以及本征層，形成在該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層和該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層之間；其中，該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層、該本征層、以及該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層提供水平設(shè)置的二極管結(jié)構(gòu)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層形 成在該第一上部互連件的一個(gè)側(cè)壁表面上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層形 成在該第一上部互連件的至少兩個(gè)側(cè)壁表面上。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器，其中，該第一上部互連件作為 一個(gè)以上二極管的公共節(jié)點(diǎn)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層形 成在該第二上部互連件的一個(gè)側(cè)壁表面上。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層形 成在該第二上部互連件的至少兩個(gè)側(cè)壁表面上。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中，該第二上部互連件作為 一個(gè)以上二極管的公共節(jié)點(diǎn)。
8、 一種圖像傳感器的制造方法，包括 在襯底上形成晶體管電路和至少兩個(gè)下部互連件；在所述至少兩個(gè)下部互連件中的第一下部互連件上形成第一上部互連件；在該第一上部互連件的至少一個(gè)側(cè)壁表面上形成第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層；在包括該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層和該第一上部互連件的襯底上，形成本征層；對(duì)應(yīng)于所述至少兩個(gè)下部互連件中的第二下部互連件，在該本征層中形成溝槽；在該溝槽的至少一個(gè)側(cè)壁表面上形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層；以及 在具有該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層的溝槽中形成第二上部互連件。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在該第一上部互連件的至少一 個(gè)側(cè)壁表面上形成第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層的步驟包括在包括該第一上部互連件的襯底的整個(gè)表面上形成第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層； 對(duì)該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層實(shí)施回蝕工藝，從而使該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層保留 在該第一上部互連件的側(cè)壁表面上。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括在該本征層中形成溝槽 之前，實(shí)施平坦化工藝以暴露出該第一上部互連件的頂面。
11、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在該溝槽的至少一個(gè)側(cè)壁表面 上形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層的步驟包括在包括該溝槽的本征層上形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層；以及 移除該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層位于該本征層的頂面以及該溝槽的底面的部分。
12、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，移除該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層的 該部分的步驟包括對(duì)該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層實(shí)施回蝕工藝，從而使該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層保留 在該溝槽的側(cè)壁表面上。
13、 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，移除該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層的該部分的步驟包括實(shí)施化學(xué)機(jī)械研磨工藝以移除該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層位于該本征層的頂面的部分；以及實(shí)施回蝕工藝以移除該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層位于該溝槽中的部分。
14、 一種圖像傳感器的制造方法，包括 在襯底上形成晶體管電路和至少兩個(gè)下部互連件；對(duì)應(yīng)于所述至少兩個(gè)下部互連件中的第一下部互連件和第二下部互連件，分別在該襯底上形成第一上部互連件和第二上部互連件；在該第一上部互連件的至少一個(gè)側(cè)壁表面上，形成第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層； 在該第二上部互連件的至少一個(gè)側(cè)壁表面上，形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層；以及在包括該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層和該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層的襯底上形成本征層。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在該第一上部互連件的至少一個(gè)側(cè)壁表面上形成第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層的步驟包括在該襯底上形成覆蓋該第二上部互連件并暴露出該第一上部互連件的第一光致抗蝕劑圖案；在暴露出的第一上部互連件上形成該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層；以及 對(duì)該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層實(shí)施回蝕工藝，從而在該第一上部互連件的側(cè)壁表面上形成該第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層。
16、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在該第二上部互連件的至少 一個(gè)側(cè)壁表面上形成第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層的步驟包括在該襯底上形成覆蓋該第一上部互連件并暴露出該第二上部互連件的第二光致抗蝕劑圖案；在暴露出的第二上部互連件上形成該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層；以及 對(duì)該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層實(shí)施回蝕工藝，從而在該第二上部互連件的側(cè)壁表面上形成該第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層。
17、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括平坦化該本征層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種圖像傳感器及其制造方法。所述圖像傳感器包括襯底，設(shè)有晶體管電路；第一和第二互連件，在所述襯底上彼此分離；第一導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在所述第一互連件的側(cè)面；第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層，形成在所述第二互連件的側(cè)面；以及本征層，形成在所述第一和第二導(dǎo)電型導(dǎo)電層之間，從而形成P-I-N結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，光電二極管形成在晶體管電路的上部，從而確保光電二極管的像素單元之間的絕緣性，并且隔離和減小光電二極管的像素單元之間的色度亮度串?dāng)_，以提高圖像傳感器的分辨率和靈敏度。
文檔編號(hào)H01L21/82GK101262001SQ20071016186
公開日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2007年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月9日
發(fā)明者金升炫 申請(qǐng)人:東部高科股份有限公司