專利名稱：光耦合型半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光耦合型半導(dǎo)體器件，其設(shè)置有在其上分別分離地安裝 光發(fā)射元件和光接收元件的引線框架和密封光發(fā)射元件和光接收元件的樹 脂密封件，還涉及用于生產(chǎn)光耦合型半導(dǎo)體器件和在其上已安裝了光耦合型 半導(dǎo)體器件的電子器件的方法。
背景技術(shù)：
近來半導(dǎo)體器件(例如光耦合型半導(dǎo)體器件，其是具有雙模結(jié)構(gòu)的半導(dǎo) 體器件)趨勢(shì)表明需要增加電流容量和縮小封裝尺寸。圖8為顯示具有雙模結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透視側(cè)視圖。 圖9為示出圖8中所示的傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的一般生產(chǎn)步驟的流程圖。具有雙模結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)半導(dǎo)體應(yīng)用于例如光耦合型半導(dǎo)體器件。換句話說，圖8顯示了作為半導(dǎo)體器件的光耦合型半導(dǎo)體器件。同樣，圖9顯示了 圖8中所示的光耦合型半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)步驟的流程圖。如圖9所示，通過進(jìn)行管芯鍵合步驟、引線鍵合步驟、成型步驟和其它 步驟的工藝形成光耦合型半導(dǎo)體器件。首先，光發(fā)射元件101和光接收元件102分別管芯鍵合到分離的引線框 架(光發(fā)射側(cè)引線構(gòu)架103和光接收側(cè)引線框架104 )(管芯鍵合步驟)， 和在用例如金線的引線(光發(fā)射側(cè)線105和光接收側(cè)線106)引線鍵合它們 中的每一個(gè)之后(引線鍵合步驟)，硅樹脂107作為預(yù)涂層應(yīng)用于光發(fā)射元 件101 (預(yù)涂層步驟)。接著，設(shè)置光發(fā)射元件101和光接收元件102，使得它們光學(xué)地面對(duì)彼 此，采用點(diǎn)焊光發(fā)射側(cè)引線框架103和光接收側(cè)引線框架104 (焊接步驟) 的方法、采用將它們?cè)O(shè)置到裝載框架(未顯示)上的方法或采用另 一種方法。然后，通過進(jìn)行用透明樹脂的初次成型而形成第一樹脂密封件108，使 得已被光學(xué)定位的光發(fā)射元件101和光接收元件102被封住(初次成型步 驟)。在去除初次成型中形成的樹脂毛刺之后，通過進(jìn)行用光攔截樹脂的第 二次成型而形成第二樹脂密封件109,使得第一樹脂密封件108的外圍被覆 蓋(第二次成型步驟)。隨后，在光發(fā)射側(cè)引線框架103和光接收側(cè)引線框架104的外端部分 103T和104T上實(shí)行鍍覆處理(外部鍍覆處理)、桿切斷、引線彎曲(形成 步驟)和其它，并且，在進(jìn)行了電性能檢查(測(cè)試步驟)和外觀檢查(外觀 檢查步驟)之后，實(shí)行封裝(封裝步驟)和運(yùn)輸。上文所描述的半導(dǎo)體器件作為獨(dú)立的光耦合型半導(dǎo)體器件已限制了散 熱性能。例如，當(dāng)封裝尺寸縮小同時(shí)保持常規(guī)電流容量時(shí)、或當(dāng)電流容量增 大同時(shí)保持常規(guī)封裝尺寸時(shí)，光耦合型半導(dǎo)體器件中的溫度過度升高，且引 起光發(fā)射元件101或光接收元件102的退化，其有時(shí)導(dǎo)致?lián)舸Ｒ虼?，在傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件中，當(dāng)電流容量超過特定水平時(shí)，需要通過增 加封裝體的尺寸、在第二樹脂密封件109的外部安裝散熱件或采用另一種方 法而提高散熱性能。例如，在JPH7-130934A (在下文稱為"專利文件1" ) 、 JPH9-213865A (在下文稱為"專利文件2")和JPH7-235689A(在下文稱為"專利文件3") 中，已經(jīng)公開了通過安裝散熱器等到半導(dǎo)體器件上而提高散熱性能的技術(shù)。在專利文件1中公開的半導(dǎo)體器件中，陶瓷基板與引線框架連接，在陶 瓷基板中在用于安裝半導(dǎo)體元件的焊盤部分的背面上形成凹凸，和半導(dǎo)體元 件安裝在陶瓷基板的焊盤部分上。換句話說，通過在已安裝了具有良好熱導(dǎo) 性的陶瓷基板的引線框架上安裝半導(dǎo)體元件，提高散熱性能，并且通過提供 具有凹凸的陶瓷基板來增加表面積而進(jìn)一 步提高散熱性能。在專利文件2中公開的半導(dǎo)體器件具有一種結(jié)構(gòu)，其包括引線框架，其 設(shè)置有用于安裝半導(dǎo)體元件的片、和用于支撐該片的片懸掛引腳、以及連接 到片懸掛引腳的的散熱件，該散熱件用于將半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱消散到外 部。換句話說，通過采用安裝到片懸掛引腳的散熱件將半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱 消散到外部而提高散熱性能。在專利文件3中公開的半導(dǎo)體器件是具有雙模結(jié)構(gòu)的光耦合型半導(dǎo)體器 件，并具有一種結(jié)構(gòu)，其中第二側(cè)引線框架具有光發(fā)射元件、光接收元件和 安裝在其上的功率控制半導(dǎo)體元件，并且第一側(cè)引線框架設(shè)置有反射部分和 散熱部分。換句話說，由功率控制半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱經(jīng)過用光攔截樹脂形 成的第二樹脂密封件而消散到外部。
然而，在上文提到的專利文件1和專利文件2中公開的半導(dǎo)體器件與雙 模結(jié)構(gòu)不相關(guān)并且它們很難應(yīng)用到光耦合型半導(dǎo)體器件中。例如，如果通過 簡(jiǎn)單地應(yīng)用專利文件2中公開的技術(shù)，將散熱件安裝在引線框架的片懸掛引 腳上，則光發(fā)射元件和光接收元件經(jīng)過散熱件彼此連接，導(dǎo)致光發(fā)射元件和 光接收元件之間的短路。作為該問題的解決方案，在安裝有散熱件的部分中夾置絕緣樹脂等的方 法是可以想到的，但是在這種情況下，不能滿足空氣清潔、絕緣的漏電距離 和其它由公共團(tuán)體規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)，例如日本電氣設(shè)備和材料安全法以及海外安 全標(biāo)準(zhǔn)。換句話說，在不損害安全的情況下，難于在確保絕緣的狀態(tài)下通過 安裝散熱件而提高散熱性能。同樣，在專利文件3公開的光耦合型半導(dǎo)體器件中，因?yàn)樾枰O(shè)置反射 部分以對(duì)應(yīng)于光發(fā)射元件和光接收元件，和需要設(shè)置光消散部分以對(duì)應(yīng)于功 率控制半導(dǎo)體元件，所以難于定位光發(fā)射元件、光接收元件和功率控制半導(dǎo)如上文所述，光耦合型半導(dǎo)體器件存在的問題在于，即它們的尺寸不能 被縮小，因?yàn)殡y于安裝散熱部分且因此限制了它們的散熱性能。換句話說， 當(dāng)需要確保散熱性能時(shí)，難于縮小光耦合型半導(dǎo)體器件的尺寸。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是考慮到上文所述的情況而得到的，且它的目的是提供一種具有 良好散熱性能的小尺寸光耦合型半導(dǎo)體器件， 一種用于生產(chǎn)光耦合型半導(dǎo)體 器件的方法和一種在其上已安裝了光耦合型半導(dǎo)體器件的電子器件。依照本發(fā)明的光耦合型半導(dǎo)體器件是一種光耦合型半導(dǎo)體器件，其設(shè)置 有在其上已經(jīng)分別分離地安裝光發(fā)射元件和光接收元件的引線框架、和密封 光發(fā)射元件和光接收元件的樹脂密封件，其中在引線框架上形成多個(gè)凸起部 分。這種構(gòu)造增加了引線框架的表面積，且能夠提高光耦合型半導(dǎo)體器件的 散熱性能。換句話說，由于減輕了通電時(shí)的熱生成，當(dāng)保持相同的電流容量 時(shí)，在不損害安全的情況下能夠得到比傳統(tǒng)光耦合型半導(dǎo)體器件更小的光耦 合型半導(dǎo)體器件。同樣，當(dāng)保持相同的樹脂密封件尺寸時(shí)，在不損害安全的情況下能夠得到具有比傳統(tǒng)光耦合型半導(dǎo)體器件的電流容量更大的電流容
量的光耦合型半導(dǎo)體器件。此外，在依照本發(fā)明的光耦合型半導(dǎo)體器件中，可以在從樹脂密封件的 側(cè)面引出的引線框架的引出部分上形成凸起部分。這種構(gòu)造可以在安裝基板時(shí)用凸起部分臨時(shí)固定到安裝基板。同樣，在依照本發(fā)明的光耦合型半導(dǎo)體器件中，凸起部分可形成在相對(duì) 安裝面的面上，在該安裝面上已經(jīng)安裝了已被樹脂密封件密封的引線框架的 頭部部分的光發(fā)射元件或光接收元件。當(dāng)凸起部分只形成在頭部部分上時(shí)由于凸起部分只存在于樹脂密封件同樣，由于當(dāng)凸起部分形成在頭部部分和引出部分上時(shí)引線框架的表面 積增大，能夠進(jìn)一步提高光耦合型半導(dǎo)體器件的散熱性能。換句話說，由于 進(jìn)一步減輕通電時(shí)的熱產(chǎn)生，在不損害安全的情況下確實(shí)能夠得到具有比傳 統(tǒng)光耦合型半導(dǎo)體器件的電流容量更大的電流容量的小尺寸光耦合型半導(dǎo) 體器件。同樣，在依照本發(fā)明的光耦合型半導(dǎo)體器件中，可以采用一種構(gòu)造，其 中樹脂密封件由覆蓋光發(fā)射元件和光接收元件的第 一樹脂密封件和覆蓋第 一樹脂密封件的外圍的第二樹脂密封件組成，并且凸起部分的底面與第 一樹 脂密封件的外圍面接觸。由于這種構(gòu)造縮短了凸起部分的頂面與第二樹脂密封件的外圍面之間 的距離，進(jìn)一步提高了散熱性能。同樣，在依照本發(fā)明的光耦合型半導(dǎo)體器件中，可以采用一種構(gòu)造，其 中樹脂密封件由覆蓋光發(fā)射元件和光接收元件的第 一樹脂密封件和覆蓋第 一樹脂密封件的外圍的第二樹脂密封件組成，并且頭部部分的安裝面與第一 樹脂密封件的外圍面接觸。由于這種構(gòu)造進(jìn)一 步縮短了凸起部分的頂面與第二樹脂密封件的外圍 面之間的距離，進(jìn)一步提高了散熱性能。同樣，在依照本發(fā)明的光耦合型半導(dǎo)體器件中，凸起部分的頂面可以與 第二樹脂密封件的外圍面接觸。由于在這種構(gòu)造中凸起部分的頂面暴露于第二樹脂密封件的外部，進(jìn)一 步提高了散熱性能。同樣，在依照本發(fā)明的光耦合型半導(dǎo)體器件中，凸起部分的頂面可以從 第二樹脂密封件的外圍面突出。由于在這種構(gòu)造中凸起部分的頂面暴露到第二樹脂密封件的外部，進(jìn)一 步提高了散熱性能。同樣，依照本發(fā)明的光耦合型半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法是這樣一種生產(chǎn)方 法，其包括分別安裝光發(fā)射元件和光接收元件到分離的引線框架上的步驟和 用樹脂密封光發(fā)射元件和光接收元件的步驟，這種光耦合型半導(dǎo)體器件的生 產(chǎn)方法設(shè)置有在引線框架上形成多個(gè)凸起部分的步驟。這種構(gòu)造增大引線框架的表面積，且使得可以容易地以普通方法生產(chǎn)出 具有良好散熱性能的光耦合型半導(dǎo)體器件。也就是說，由于能夠生產(chǎn)在通電 時(shí)減輕熱產(chǎn)生的光耦合型半導(dǎo)體器件，所以可以生產(chǎn)具有比傳統(tǒng)光耦合型半 導(dǎo)體器件的電流容量大的電流容量的小尺寸光耦合型半導(dǎo)體器件。同樣，本發(fā)明提供一種電子器件，在其上已經(jīng)安裝了一種本發(fā)明的光耦 合型半導(dǎo)體器件。這種構(gòu)造可以在不損害安全的情況下實(shí)現(xiàn)電子器件的尺寸縮小。


圖1為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例1的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 視側(cè)視圖。圖2為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例2的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透視側(cè)視圖。圖3為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例3的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 視側(cè)視圖。圖4為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例4的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 -f見側(cè)視圖。圖5為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例5的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 視側(cè)視圖。圖6為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例6的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 視側(cè)視圖。圖7為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例7的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 視側(cè)視圖。圖8為顯示依照傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透視側(cè)視圖。
圖9為示出傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件的一般生產(chǎn)步驟的流程圖。具體實(shí)行方式在下文中，將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。 <實(shí)施例1>圖1為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例1的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透視側(cè)視圖。光發(fā)射元件1和光接收元件2分別安裝到分離的引線框架(光發(fā)射側(cè)引 線框架3和光接收側(cè)引線框架4 )的頭部部分(光發(fā)射側(cè)3H和光接收側(cè) 4H )。光發(fā)射元件1和光接收元件2采用例如金線的引線(光發(fā)射側(cè)線5和 光接收側(cè)線6)進(jìn)行引線鍵合。同樣，硅樹脂7作為預(yù)涂層涂布于光發(fā)射元 件1。設(shè)置光發(fā)射元件1和光接收元件2使得它們光學(xué)地面對(duì)彼此，且采用樹 脂密封件(第一樹脂密封件8和第二樹脂密封件9)密封元件(光發(fā)射元件 l和光接收元件2)。更具體地，光發(fā)射元件l、光接收元件2以及引線框架 3和4的頭部部分3H和4H的整體都采用透明樹脂形成的第一樹脂密封件8 進(jìn)行密封，此外用由光攔截樹脂形成的第二樹脂密封件9整體涂布第一樹脂 密封件8的外圍面8L。從第二樹脂密封件9的側(cè)面引出的引線框架3和4的引出部分(光發(fā)射 側(cè)3T和光接收側(cè)4T)具有多個(gè)形成在其上的凸起部分(光發(fā)射側(cè)31 和光接收側(cè)41)。換句話說，采用了一種結(jié)構(gòu)，其中可通過形成多個(gè)凸起 部分31和41增大引線框架3和4的表面積而提高散熱性能。因此，減輕了通電時(shí)的熱量產(chǎn)生且由于能夠縮小封裝尺寸，或當(dāng)保持同 樣的封裝尺寸時(shí)能夠增大電流容量，所以可以得到具有比傳統(tǒng)光耦合型半導(dǎo) 體器件的電流容量大的小尺寸光耦合型半導(dǎo)體器件。同樣，凸起部分31和41形成在引出部分3T和4T上^^而具有一種結(jié)構(gòu)， 其使得可以在安裝基板上進(jìn)行安裝時(shí)用凸起部分31和41臨時(shí)固定。此外，以與傳統(tǒng)光耦合型半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)步驟幾乎相同的生產(chǎn)步驟 (見圖9)生產(chǎn)依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件。換句話說，通過進(jìn)行 分別安裝光發(fā)射元件1和光接收元件2到分離的引線框架上(光發(fā)射側(cè)引線 框架3和光接收側(cè)引線框架4 )的步驟(管芯鍵合步驟和引線鍵合步驟)、用 樹脂密封光發(fā)射元件和光接收元件的步驟(初次成型步驟和第二次成型步 驟)以及其它步驟而形成依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件。然而，在依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法中，提供了在 引線框架(光發(fā)射側(cè)引線框架3和光接收側(cè)引線框架4)上形成多個(gè)凸起部分(光發(fā)射側(cè)31和光接收側(cè)41)的步驟，和由此能夠生產(chǎn)出具有良好散 熱性能的光耦合型半導(dǎo)體器件。如果先于管芯鍵合步驟進(jìn)行了在引線鍵合3和4上形成凸起部分31和 41的步驟，與傳統(tǒng)生產(chǎn)方法相似的生產(chǎn)方法能夠應(yīng)用到管芯鍵合步驟種和此 后的步驟中以有利于生產(chǎn)。<實(shí)施例2〉圖2為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例2的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 視側(cè)視圖。由于依照此實(shí)施例的克耦合型半導(dǎo)體器件的基本構(gòu)造與依照實(shí)施例1的 光耦合型半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相似，下文將描述與依照實(shí)施例1的光耦合型半 導(dǎo)體器件的不同點(diǎn)。在依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件中，凸起部分(光發(fā)射側(cè)31 和光接收側(cè)41)形成在相對(duì)安裝面(光發(fā)射側(cè)3F和光接收側(cè)4F)的 面上，在該安裝面上安裝引線框架(光發(fā)射側(cè)引線框架3和光接收側(cè)引線框 架4)的頭部部分(光發(fā)射側(cè)3H和光接收側(cè)4H)的光發(fā)射元件1或光 接收元件2。換句話說，凸起部分31和41能通過增大引線框架3和4的表面積提高 散熱，它們不形成在引出部分(光發(fā)射側(cè)3T和光接收側(cè)4T)上而形成 在將包封在樹脂密封件中(第一樹脂密封件8)的頭部部分3H和4H上，使 得能夠采用與傳統(tǒng)技術(shù)相似的方法實(shí)行基板安裝。<實(shí)施例3>圖3為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例3的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透視側(cè)視圖。由于依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件的基本構(gòu)造與依照實(shí)施例1和 2的光耦合型半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相似，下文將描述與依照實(shí)施例1和2的光 耦合型半導(dǎo)體器件的不同點(diǎn)。在依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件中，凸起部分(光發(fā)射側(cè)31
和光接收側(cè)41 )形成在引線框架(光發(fā)射側(cè)引線框架3和光接收側(cè)引線框 架4)的引出部分(光發(fā)射側(cè)3T和光接收側(cè)4T)上和頭部部分上(光發(fā) 射側(cè)3H和光接收側(cè)4H )。頭部部分3H和4H的凸起部分31和41形成 在相對(duì)安裝面(光發(fā)射側(cè)3F和光接收側(cè)4F)的面上，在該安裝面上安 裝光發(fā)射元件1或光接收元件2。換句話說，由于凸起部分31和41形成在頭部部分3H和4H上和引出 部分3T和4T上，引線框架3和4的表面積比相同封裝尺寸的依照實(shí)施例1 和2的光耦合型半導(dǎo)體器件的大，且散熱性能進(jìn)一步得到提高。因此，進(jìn)一步減輕通電時(shí)的熱產(chǎn)生，并且由于封裝尺寸能進(jìn)一步縮小， 或當(dāng)保持相同封裝尺寸時(shí)電流容量能進(jìn)一步增大，所以可以得到具有比傳統(tǒng) 光耦合型半導(dǎo)體器件的電流容量大的小尺寸光耦合型半導(dǎo)體器件。<實(shí)施例4>圖4為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例4的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 視側(cè)視圖。由于依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件的基本構(gòu)造與依照實(shí)施例1至 3的光耦合型半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相似，下文將描述與^^照實(shí)施例1至3的光 耦合型半導(dǎo)體器件的不同點(diǎn)。在依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件中，凸起部分(光發(fā)射側(cè)31 和光接收側(cè)41)形成在引線框架(光發(fā)射側(cè)引線框架3和光接收側(cè)引線框 架4)的頭部部分(光發(fā)射側(cè)3H和光接收側(cè)4H)上，與依照實(shí)施例2 的光耦合型半導(dǎo)體器件相似(見圖2)。換句話說，凸起部分31和41形成在 相對(duì)安裝面(光發(fā)射側(cè):3F和光接收側(cè)4F)的面上，在該安裝面上安裝 光發(fā)射元件1或光接收元件2。然而，與依照實(shí)施例2的光耦合型半導(dǎo)體器件不同的是，凸起部分31 和41的底面(光發(fā)射側(cè)31B和光接收側(cè)41B )與第一樹脂密封件8的外 圍面8L相接觸，使得凸起31和41包封在第二樹脂密封件9中。凸起部分 31和41的底面31B和41B是不具有形成在其上的凸起部分31或41的部分 并且是與引線框架3和4的外圍面相匹配的部分。換句話說，與相同封裝尺寸的依照實(shí)施例2的光耦合型半導(dǎo)體器件相比 較，在凸起部分31和41 (光發(fā)射側(cè)31T和光接收側(cè)41T)的頂面與第二 樹脂密封件9的外圍面9L之間的距離更短了 ，并且此結(jié)構(gòu)有利于通電時(shí)產(chǎn)
生的熱消散到第二樹脂密封件9的外部。也就是說，依照此實(shí)施例的光耦合 型半導(dǎo)體器件具有比相同封裝尺寸的依照實(shí)施例2的光耦合型半導(dǎo)體器件更好的散熱性能。與依照實(shí)施例3的光耦合型半導(dǎo)體器件(見圖3)相似，通過在引線框 架3和4的引出部分3T和4T上設(shè)置凸起部分31和41同樣可進(jìn)一步提高散 熱性能。<實(shí)施例5>圖5為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例5的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 視側(cè)視圖。由于依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件的基本構(gòu)造與依照實(shí)施例1至 4的光耦合型半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相似，下文將描述與依照實(shí)施例1至4的光 耦合型半導(dǎo)體器件的不同點(diǎn)。在依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件中，凸起部分(光發(fā)射側(cè)31 和光接收側(cè)41)形成在引線框架(光發(fā)射側(cè)引線框架3和光接收側(cè)引線框 架4)的頭部部分(光發(fā)射側(cè)3H和光接收側(cè)4H)上，與依照實(shí)施例2 和4的光耦合型半導(dǎo)體器件相似(見圖2和4 )。換句話說，凸起部分31和 41形成在相對(duì)安裝面(光發(fā)射側(cè)3F和光接收側(cè)4F)的面上，在該安裝 面上安裝光發(fā)射元件1或光接收元件2。然而，與依照實(shí)施例2和4不同的是，頭部部分3H和4H的安裝面3F 和4F與第一樹脂密封件8的外圍面8L相接觸，且頭部部分3H和4H包封 在第二樹脂密封件9中。換句話說，與相同封裝尺寸的依照實(shí)施例4的光耦合型半導(dǎo)體器件相比 較，在凸起部分31和41的頂面31T和41T與第二樹脂密封件9的外圍面 9L之間的距離還是更短了，并且此結(jié)構(gòu)進(jìn)一步有利于通電時(shí)產(chǎn)生的熱消散 到第二樹脂密封件9的外部。也就是說，依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器 件仍具有比相同封裝尺寸的依照實(shí)施例4的光耦合型半導(dǎo)體器件更好的散熱 性能。與依照實(shí)施例3的光耦合型半導(dǎo)體器件(見圖3)相似，通過在引線框 架3和4的引出部分3T和4T上設(shè)置凸起部分31和41同樣可進(jìn)一步提高散熱性能。<實(shí)施例6〉
圖6為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例6的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 視側(cè)視圖。由于依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件的基本構(gòu)造與依照實(shí)施例1至5的光耦合型半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相似，下文將描述與依照實(shí)施例1至5的光 耦合型半導(dǎo)體器件的不同點(diǎn)。在依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件中，凸起部分(光發(fā)射側(cè)31 和光接收側(cè)41 )形成在引線框架(光發(fā)射側(cè)引線框架3和光接收側(cè)引線框 架4)的頭部部分(光發(fā)射側(cè)3H和光接收側(cè)4H)上，與依照實(shí)施例2、 4和5的光耦合型半導(dǎo)體器件相似(見圖2、 4和5 )。換句話說，凸起部分 31和41形成在相對(duì)安裝面(光發(fā)射側(cè)3F和光接收側(cè)4F )的面上，在該 安裝面上安裝光發(fā)射元件1或光接收元件2。同樣，與依照實(shí)施例5的光耦合型半導(dǎo)體器件(見圖5)相似，頭部部 分3H和4H的安裝面3F和4F與第一樹脂密封件8的外圍面8L相接觸。此外，依照此實(shí)施例，凸起部分31和41的頂面(光發(fā)射側(cè)31T和光 接收側(cè)41T)與第二樹脂密封件9的外圍面9L相接觸。換句話說，依照此 實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件具有一種結(jié)構(gòu)，其中凸起部分31和41的頂面 31T和41T暴露到第二樹脂密封件9的外部，并且與相同封裝尺寸的依照實(shí) 施例5的光耦合型半導(dǎo)體器件相比較，此結(jié)構(gòu)進(jìn)一步有利于通電時(shí)產(chǎn)生的熱 消散到第二樹脂密封件9的外部。換句話說，依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo) 體器件仍具有比相同封裝尺寸的依照實(shí)施例5的光耦合型半導(dǎo)體器件更好的 散熱性能。如上所述，依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件具有一種結(jié)構(gòu)，其中頭 部部分3H和4H的安裝面3F和4F與第 一樹脂密封件8的外圍面8L相接觸， 但是由于凸起部分31和41的頂面31T和41T暴露到第二樹脂密封件9的外 部，所以甚至在具有與依照實(shí)施例4的光耦合型半導(dǎo)體器件(見圖4)相似 的結(jié)構(gòu)的光耦合型半導(dǎo)體器件中(在這種結(jié)構(gòu)中凸起部分31和41的底面31B 和41B與第一樹脂密封件8的外圍面8L接觸且此外凸起部分31和41的頂 面31T和41T與第二樹脂密封件9的外圍面9L接觸)，也能夠得到與依照 此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件的效果相似的效果。同樣，與依照實(shí)施例3的光耦合型半導(dǎo)體器件(見圖3)相似，通過在 虧1線框架3和4的引出部分3T和4T上設(shè)置凸起部分31和41同樣可進(jìn)一步 提高散熱性能。 <實(shí)施例7>圖7為顯示依照本發(fā)明實(shí)施例7的光耦合型半導(dǎo)體器件的示意構(gòu)造的透 一見側(cè)浮見圖。由于依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件的基本構(gòu)造與依照實(shí)施例1至 6的光耦合型半導(dǎo)體器件的構(gòu)造相似，下文將描述與依照實(shí)施例1至6的光 耦合型半導(dǎo)體器件的不同點(diǎn)。在依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件中，凸起部分(光發(fā)射側(cè)31 和光接收側(cè)41 )形成在引線框架(光發(fā)射側(cè)引線框架3和光接收側(cè)引線框 架4)的頭部部分(光發(fā)射側(cè)3H和光接收側(cè)4H)上，與依照實(shí)施例2、 4至6的光耦合型半導(dǎo)體器件相似(見圖2、 4至6)。換句話說，凸起部分 31和41形成在相對(duì)安裝面(光發(fā)射側(cè)3F和光接收側(cè)4F )的面上，在該 安裝面上安裝光發(fā)射元件1或光"l妄收元件2。同樣，與依照實(shí)施例5和6的光耦合型半導(dǎo)體器件(見圖5和6 )相似， 頭部部分3H和4H的安裝面3F和4F與第一樹脂密封件8的外圍面8L相接 觸。此外，凸起部分31和41的頂面31T和41T從第二樹脂密封件9的外圍 面9L突出。換句話說，依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件具有一種結(jié)構(gòu)， 其中凸起部分31和41的頂面31T和41T從第二樹脂密封件9突出，并且與 相同封裝尺寸的依照實(shí)施例6的光耦合型半導(dǎo)體器件相比較，此結(jié)構(gòu)進(jìn)一步 有利于通電時(shí)產(chǎn)生的熱消散到第二樹脂密封件9的外部。也就是說，依照此 實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件仍具有比相同封裝尺寸的依照實(shí)施例6的光耦 合型半導(dǎo)體器件更好的散熱性能。如上所述，依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件具有一種結(jié)構(gòu)，其中頭 部部分3H和4H的安裝面3F和4F與第 一樹脂密封件8的外圍面8L相接觸， 但是由于凸起部分(光發(fā)射側(cè)31和光接收側(cè)41 )的頂面31T和41T從 第二樹脂密封件9突出，所以甚至在具有與依照實(shí)施例4的光耦合型半導(dǎo)體 器件(見圖4)相似的結(jié)構(gòu)的光耦合型半導(dǎo)體器件中(在這種結(jié)構(gòu)中凸起部 分31和41的底面31B和41B與第 一樹脂密封件8的外圍面8L接觸且此外 凸起部分31和41的頂面31T和41T從第二樹脂密封件9的外圍面9L突出)， 也能夠得到與依照此實(shí)施例的光耦合型半導(dǎo)體器件的效果相似的效果。
同樣，與依照實(shí)施例3的光耦合型半導(dǎo)體器件(見圖3)相似，通過在可1線框架3和4的引出部分3T和4T上設(shè)置凸起部分31和41同樣可進(jìn)一步 提高散熱性能。 <實(shí)施例8>依照此實(shí)施例的電子器件(未顯示)是在其上安裝了依照實(shí)施例1至7 中任意之一的光耦合型半導(dǎo)體器件的電子器件。由于電子器件具有安裝在其 上散熱性能良好的小尺寸光耦合型半導(dǎo)體器件，所以可以得到高安全性的'J、尺寸電子器件。如果應(yīng)用在那些需要增大電流容量的電子器件中，例如電源設(shè)備、辦公 自動(dòng)化設(shè)備、家用電器和工廠自動(dòng)化設(shè)備，或當(dāng)電子器件需要縮小尺寸同時(shí) 保持電流容量時(shí)，能夠獲得很大的效果。在不背離本發(fā)明的精神或本質(zhì)特征的情況下本發(fā)明可以包含各種其它的形式。本申請(qǐng)中公開的實(shí)施例在所有方面被認(rèn)為是說明性的而非限制性 的。本發(fā)明的范圍是由所附的權(quán)利要求而不是由前述的描述所闡述的，并且 在權(quán)利要求的等同物的意義和范圍內(nèi)產(chǎn)生的所有修改或變化都旨在包括在其中。本申請(qǐng)要求于2006年10月16日在日本提交的專利申請(qǐng)第2006-281552號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其所有內(nèi)容以引用的方式引入于此。
權(quán)利要求
1.一種光耦合型半導(dǎo)體器件，包括在其上已經(jīng)分別分離地安裝光發(fā)射元件和光接收元件的引線框架和密封所述光發(fā)射元件和光接收元件的樹脂密封件，其中多個(gè)凸起部分形成在所述引線框架上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的光耦合型半導(dǎo)體器件，其中所述凸起部分形成在從 所述樹脂密封件的側(cè)面引出的所述引線框架的引出部分上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的光耦合型半導(dǎo)體器件，其中所述凸起部分可形成在 相對(duì)安裝面的面上，在所述安裝面上已經(jīng)安裝了已被所述樹脂密封件密封的 所述引線框架的頭部部分的所述光發(fā)射元件或光接收元件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的光耦合型半導(dǎo)體器件，其中樹所述脂密封件包括覆 蓋所述光發(fā)射元件和光接收元件的第 一樹脂密封件和覆蓋第 一樹脂密封件 的外圍的第二樹脂密封件，和其中所述凸起部分的底面與第一樹脂密封件的所述外圍面接觸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3的光耦合型半導(dǎo)體器件，其中樹脂密封件包括覆蓋所 述光發(fā)射元件和光接收元件的第 一樹脂密封件和覆蓋第 一樹脂密封件的外 圍的第二樹脂密封件，和其中所述頭部部分的所述安裝面與第一樹脂密封件的所述外圍面接觸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5的光耦合型半導(dǎo)體器件，其中所述凸起部分的頂 面與第二樹脂密封件的所述外圍面接觸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4或5的光耦合型半導(dǎo)體器件，其中所述凸起部分的頂 面從第二樹脂密封件的所述外圍面突出。
8. —種光耦合型半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法，包括分別安裝光發(fā)射元件和光 接收元件到分離的引線框架上的步驟和用樹脂密封所述光發(fā)射元件和光接 收元件的步驟，所述光耦合型半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法包括在所述引線框架上形成多個(gè) 凸起部分的步驟。
9. 一種電子器件，在其上已經(jīng)安裝了根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意之一的 光耦合型半導(dǎo)體器件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光耦合型半導(dǎo)體器件及其制造方法和包括其的電子器件。該光耦合型半導(dǎo)體器件包括在其上已經(jīng)分別分離地安裝光發(fā)射元件和光接收元件的引線框架和密封所述光發(fā)射元件和光接收元件的樹脂密封件，其中多個(gè)凸起部分形成在所述引線框架上。這種構(gòu)造增加了引線框架的表面積，且能夠提高光耦合型半導(dǎo)體器件的散熱性能。
文檔編號(hào)H01L31/12GK101165926SQ20071015248
公開日2008年4月23日 申請(qǐng)日期2007年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月16日
發(fā)明者佐田尚記 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社