專利名稱：整流晶片端子構造的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種整流晶片端子構造，尤其是一種應用于功率整 流器的整流晶片端子構造。
背景技術：
一般所指的整流端子，是專門配置于汽車發(fā)電機的電極上，可 使交流電轉為直流電，這種端子設有一平臺，于該平臺上置有一錫 片，再將一晶片置于該錫片上，待錫片受熱熔固后，該晶片即能被 焊于平臺上，最后再以塑料或樹脂順端子的圓周加以封裝。而傳統(tǒng) 整流端子中，其導電元件常因外力碰撞或拉扯而變形彎曲，且其端 子部的設計，讓組裝時易造成種種的不便及問題的產生。
已知技術如本申請人申請并獲核準的中國臺灣專利公告第
M257516號的"整流晶片端子構造"，通過焊錫且經灌膠將整流晶片 固設于端子內，并插接于電路基板的樞接孔上，其主要是利用該整 流晶片端子中導電元件的 一緩沖部及一基座的構造設計，達到避免
具有一應力緩沖區(qū)，可避免卡入組裝時，造成晶片破裂及防止水氣 進入，也不會因熱膨脹使封裝玻璃破裂，并可順利插接于電路基板 的樞接孔及將封裝材料勾卡固定使之不易脫出的功效。
上述已知技術雖具有結構穩(wěn)固且具緩沖能力的特點，但實質上 仍存在一些缺點 一般整流晶片端子多半為小體積化的設計以節(jié)省 間，該已知沖支術也是如此，而體積縮小的情況下也帶來一些工藝
工
上的困擾，如焊錫的過程中，易受到該基座外緣凸出的結構所干涉， 而增加焊錫的困難度，進一步導致產品的質量不佳，或者因施工的
難度提高，而造成工藝需耗費更多的時間；電子化時代來臨的同時， 電子元件或產品都要求輕、薄、短、小且成本低廉、生產快速，故 該已知技術顯然有違現(xiàn)今社會的潮流。因此本申請人構思出一種完 整改良構造，能夠使四面施予的外力不會超越導電元件本身的疲勞 限度，也能解決端子部的構造所衍生的問題。
發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于，提出一種整流晶片端子構造，本發(fā)明 不但便于組裝制造，更可節(jié)省生產過程所需的時間。
經由以上可知，為達上述目的，本發(fā)明^R出一種整流晶片端子 構造，其主要包括一底座、 一整流晶片、 一導電元件及一套環(huán)，該 底座內部具有一組裝平臺以裝i殳周》彖i殳有一絕多彖部的該整流晶片， 該導電元件設置于該整流晶片上且具有一基部，該基部延伸出一緩 沖區(qū)段，而該套環(huán)裝設于該底座的端緣并于內部容i殳一封裝材料， 其中，該套環(huán)兩端纟彖的面積不同于其內緯J壬一截面積。
本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明更可簡化制造過程，而節(jié)省生產 過程所需的時間，且通過該導電元件上設有緩沖區(qū)段，以^更防止當 外力施加于該導電元〗牛時而造成該整 流晶 片破裂。
圖1是本發(fā)明的立體外^L示意圖， 圖2是本發(fā)明的結構分解示意圖， 圖3-1及圖3-2是本發(fā)明的剖面示意圖，
圖4是本發(fā)明的另一實施方式示意圖， 圖5是本發(fā)明的再一實施方式示意圖， 圖6是本發(fā)明的又一實施方式示意圖。
具體實施例方式
有關本發(fā)明的詳細說明及技術內容，現(xiàn)結合
如下
請參照圖1、圖2及圖3-1所示，是本發(fā)明的立體外觀、結構 分解及剖面示意圖；如圖所示，本發(fā)明所提出的整流晶片端子構造， 其主要包4舌一底座10、一整;克晶片20、一導電元^f牛30及一套環(huán)40; 該套環(huán)40裝設于該底座10的端緣并于其內部容設一封裝材津牛42 (如環(huán)氧樹脂)，且該套環(huán)40兩端緣的面積與其內緣任一截面的 面積不同，4吏該封裝材料42凝固后不致脫離該套環(huán)40,在本發(fā)明 的實施例附圖中，該套環(huán)40兩端緣的面積小于其內緣任一截面的 面積(如圖3-1所示)，該套環(huán)40兩端緣的面積還可大于其內緣任 一截面的面積(如圖3-2所示)，且該套環(huán)40內鄉(xiāng)彖呈弧面結構，更 包括一種斜面設計(圖中未示)；該底座10內部具有一組裝平臺 11,該組裝平臺11于中心位置凸i殳一第一凸點架構12以裝設該整 流晶片20，該整流晶片20周緣設有一絕緣部21,在本實施例中， 該絕多彖部21可為一厚度略大于該整流晶片20的去于裝^皮璃，用以形 成絕緣而避免該整流晶片20產生短路，此外，該組裝平臺11周》彖 i殳有一 自軸心向外傾殺牛的卡勾部13，用以卡扣該去于裝材^1" 42 4吏該 封裝材料42不致脫離，且該卡勾部13可將該組裝平臺11與該底 座10內鄉(xiāng)彖區(qū)分出一間隔區(qū)4殳14，用以防止水氣沿著內壁滲入，也 可防止該封裝材津牛42應力造成該整流晶片20石皮裂，該導電元件30 具有一基部31,且該基部31的一側凸設一第二凸點架構32以連接 該整流晶片20，如此構成本發(fā)明整流晶片端子構造。
組裝時，是將該整流晶片20及該導電元件30的第二凸點架構 32依序焊錫而迭i殳于該組裝平臺11的該第一凸點架構12,再將該 套環(huán)40與該底座10以對應螺紋或黏合的方式相結合，再以該封裝 材料42注入套環(huán)40內部，^寺該封裝材泮牛42固化后即形成該整流 晶片端子構造的成品，利用該套環(huán)40與該座體10采用的分離設計， 使本發(fā)明于焊錫過程中可具有較大的操作空間，并且節(jié)省工藝時 間；通過該第一、二凸點架構12、 32相4妄于該整流晶片20的兩側 而區(qū)隔出對應的空間，用以避免當封裝材并牛42因熱膨月長而l吏該絕 緣部21石皮裂或受沖齊壓而損壞的事情，而該基部31另一側延伸出一 緩沖區(qū)段33,當外力介入時可提供一緩沖抗振的效果，避免該整流 晶片20因外力過大而破裂，而通過該套環(huán)40兩端緣的面積小于其 內緣任一截面的面積，另外，該卡勾部13呈自軸心向外傾殺牛的結 構，使該封裝材料42限位于該套環(huán)40內而不致脫離，此外，該底 座10 i殳有第一導入4牛角16，而該套環(huán)40 i殳有第二導入殺牛角41, 該第一、二導入斜角16、 41是用以導正該整流晶片端子與待接物 相接設的角度，該底座還設有一握持部15,該握持部15環(huán)設多個 間隔排列的凸紋。
本發(fā)明的具體實施方式
中，該套環(huán)40以其外纟彖4妄-沒于該底座 10的內緣(如圖3-1所示)，或者，該套環(huán)40以其內緣與該底座 10的外纟彖相結合(如圖5所示)；而該導電元件30的該緩沖區(qū)l殳 33可為排列緊密的螺紋，或以 一距離間隔排列的螺紋形成另 一緩沖 區(qū)段33a(如圖4所示)，其中，該緩沖區(qū)^爻33a間隔排列的距離 其外徑小于該導電元件30的外徑，當外力施于該導電元件30時， 可通過該緩沖區(qū)段33、 33a提供一緩沖抗振的能力，以防止該整流 晶片20受外力而石皮損；另外，如圖6所示的絕緣部21還可為一種 纟色緣膠，填充于該導電元件30及該組裝平臺ll之間而包覆該整流 晶片20的周參彖，避免該整流晶片20形成短路的現(xiàn)象。
以上所述 <又為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā) 明。在上述實施例中，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明 的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包 含在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種整流晶片端子構造，主要包含底座(10)、整流晶片(20)、導電元件(30)及套環(huán)(40)，所述底座(10)內部具有組裝平臺(11)以裝設周緣設有絕緣部(21)的所述整流晶片(20)，所述導電元件(30)設置于所述整流晶片(20)上且具有基部(31)，所述基部(31)延伸出緩沖區(qū)段(33)，其特征在于所述套環(huán)(40)裝設于所述底座(10)的端緣并于內部容設封裝材料(42)，且所述套環(huán)(40)兩端緣的面積不同于其內緣任一截面積。
2. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 組裝平臺(11 )設有與所述整流晶片(20)連接的第一凸點架 構(12)。
3. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 基部(31 >沒有與所述整流晶片(20 )連接的第二凸點架構(32 )。
4. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 絕緣部(21)是厚度略大于所述整流晶片(20)的封裝玻璃。
5. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 絕緣部(21 )包括絕緣膠。
6. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 緩沖區(qū)段(33)可為排列緊密的螺紋。
7. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 緩沖區(qū)段(33a)可為距離間隔排列的螺紋，所述距離的外徑 小于所述導電元件(30)的外徑。
8. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 套環(huán)(40)兩端鄉(xiāng)彖的面積大于其內鄉(xiāng)彖的^f壬一截面的面積。
9. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 套環(huán)(40)兩端緣的面積小于其內緣的任一截面的面積。
10. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 套環(huán)(40)內》彖為《瓜面。
11. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 套環(huán)(40)內鄉(xiāng)彖為在牛面。
12. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 底座(10)設有第一導入斜角(16)。
13. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 套環(huán)(40) i殳有第二導入斜角(41)。
14. 根據(jù)權利要求1所述的整流晶片端子構造，其特征在于，所述 底座(10 )設有握持部(15 ),所述握持部(15 )環(huán)i殳多個間 隔4非列的凸紋。
全文摘要
本發(fā)明是一種整流晶片端子構造，其主要包括一底座、一整流晶片、一導電元件及一套環(huán)，該底座內部具有一組裝平臺以裝設周緣設有一絕緣部的該整流晶片，該導電元件設置于該整流晶片上且具有一基部，該基部延伸出一緩沖區(qū)段，而該套環(huán)裝設于該底座的端緣并于內部容設一封裝材料，其中，該套環(huán)兩端緣的面積不同于其內壁任一截面積，如此構成一種便于焊錫組合的整流晶片端子構造，通過焊錫且經灌膠將整流晶片固設于端子內，并插接于電路基板的樞接孔上，不但便于組裝制造，更可節(jié)省生產過程所需的時間。
文檔編號H01R39/04GK101373875SQ20071014529
公開日2009年2月25日 申請日期2007年8月21日 優(yōu)先權日2007年8月21日
發(fā)明者黃文火 申請人:嵩镕精密工業(yè)股份有限公司