專利名稱：半透過型tft-lcd陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示裝置及其制造方法，特別是一種半 透過型TFT-LCD陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平 板顯示器市場占據(jù)了主導地位。液晶顯示裝置包括透過型LCD和反射型LCD, 透過型LCD在面板后方設(shè)置背光源，通過面板控制背光的透光量，即使在較 暗的環(huán)境下也可以正常顯示；反射型LCD是利用太陽光或室內(nèi)光線作為光源， 通過面板反射進行正常顯示。近年出現(xiàn)的半透過型LCD兼顧了透過型LCD的透過功能和反射型LCD的 反射功能，具有較好的發(fā)展前景。但目前半透過型LCD中，為了形成反射區(qū) 域和透射區(qū)域，需要增加額外的樹脂工藝，以在反射區(qū)域形成凸出部分，因 此陣列基板結(jié)構(gòu)需要7次掩膜(筒稱7 Mask )工藝，較現(xiàn)有LCD陣列基板結(jié) 構(gòu)的5次掩膜(簡稱5 Mask)工藝復雜，而且為了形成反射區(qū)域和透射區(qū)域 的樹脂的段差，還需要經(jīng)過更為復雜的漏光等工藝。另外，形成反射膜壓花 的樹脂工藝中所使用的樹脂材料和用作透明電極的ITO (氧化銦錫)之間的 粘著力比較差，容易導致不良。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種半透過型TFT-LCD陣列基板及其制造方法，通 過在陣列基板上設(shè)置同時具備透射區(qū)域和反射區(qū)域的金屬珠粒絕緣層，從而6
簡單工藝、減少不良。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面提供了一種半透過型TFT-LCD陣列 基板，包括形成在玻璃基板上的陣列結(jié)構(gòu)，所述陣列結(jié)構(gòu)中包含有同時具備 透射區(qū)域和反射區(qū)域的金屬珠粒絕緣層。所述金屬珠粒絕緣層包括由絕緣物質(zhì)形成的絕緣薄膜層和數(shù)個金屬珠 粒，所述金屬珠粒散布在所述絕緣薄膜層內(nèi)。進一步地，所述金屬珠粒為圓 形、橢圓形或扁圓形，所述金屬珠粒的直徑為ljnm-10jum，所述金屬珠粒 之間的間距為1罪~ 100 ju m。在上述陣列基板技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述陣列結(jié)構(gòu)可以包括柵電極，形成在所述玻璃基板上；第一金屬珠粒絕緣層，形成在所述柵電極之上并覆蓋整個玻璃基板，使 間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域； 有源層，形成在所述金屬珠粒絕緣層上，并位于柵電極之上； 源漏電極層，形成在所述有源層上；鈍化層，形成在源漏電極層上，并覆蓋整個玻璃基板，所述鈍化層上開 設(shè)有過孔；透明電極，形成在所迷鈍化層上，通過所述過孔與所述源漏電極層連接。在上述陣列基板技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述陣列結(jié)構(gòu)也可以包括才冊電極，形成在所述玻璃基板上；柵絕緣層，形成在所述柵電極之上并覆蓋整個玻璃基板；有源層，形成在所述柵絕緣層上，并位于柵電極之上；源漏電極層，形成在所述有源層上；第二金屬珠粒絕緣層，形成在源漏電極層上，并覆蓋整個玻璃基板，使 間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域，所述第二金 屬珠粒絕緣層上開設(shè)有過孔；透明電極，形成在所述第二金屬珠粒絕緣層上，通過所述過孔與所述源漏電極層連接。
在上述陣列基板技術(shù)方案J^出上，所述陣列結(jié)構(gòu)還可以包括 第三金屬珠粒絕緣層，形成在所述玻璃基板上，使間隔設(shè)置在透明電極 區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域；柵電極，形成在所述第三金屬珠粒絕緣層上； 柵絕緣層，形成在所述柵電極之上并覆蓋整個玻璃基板； 有源層，形成在所述柵絕緣層上，并位于柵電極之上； 源漏電極層，形成在所述有源層上；鈍化層，形成在源漏電極層上，并覆蓋整個玻璃基板，所述鈍化層上開 設(shè)有過孔；透明電極，形成在所述鈍化層上，通過所述過孔與所述源漏電極層連接。 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第二方面提供了一種半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法，在玻璃基板上形成具備透射區(qū)域和反射區(qū)域金屬珠粒絕緣層的陣列結(jié)構(gòu)。
其中，所述在玻璃基板上形成具備透射區(qū)域和反射區(qū)域金屬珠粒絕緣層 的陣列結(jié)構(gòu)可以具體為步驟ll、在玻璃基板上形成柵電極；步驟12、在完成步驟11的玻璃基板上形成第一金屬珠粒絕緣層，使間 隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域； 步驟13、在完成步驟12的玻璃基板上形成有源層； 步驟14、在完成步驟13的玻璃基板上形成源漏電極層； 步驟15、在完成步驟14的玻璃基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上 形成過孔；步驟16、在完成步驟15的玻璃基板上形成透明電極，使所述透明電極 通過過孔與源漏電極層連接。其中，所述在玻璃基板上形成具備透射區(qū)域和反射區(qū)域金屬珠粒絕緣層 的陣列結(jié)構(gòu)也可以具體為步驟21、在玻璃基板上形成柵電極；步驟22、在完成步驟21的玻璃基板上依次形成柵絕緣層和有源層；步驟23、在完成步驟22的玻璃基板上形成源漏電極層；步驟24、在完成步驟23的玻璃基板上形成第二金屬珠粒絕緣層，使間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域，并在所述第二金屬珠粒絕緣層上形成過孔；步驟25、在完成步驟24的玻璃基板上形成透明電極，使所述透明電極通過過孔與源漏電極層連接。其中，所述在玻璃基板上形成具備透射區(qū)域和反射區(qū)域金屬珠粒絕緣層的陣列結(jié)構(gòu)還可以具體為步驟31、在玻璃基板上形成第三金屬珠粒絕緣層，使間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域；步驟32、在完成步驟31的玻璃基板上形成柵電極；步驟33、在完成步驟32的玻璃基板上依次形成柵絕緣層和有源層；步驟34、在完成步驟33的玻璃基板上形成源漏電極層；步驟35、在完成步驟34的玻璃基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成過孔；步驟36、在完成步驟35的玻璃基板上形成透明電極，使所述透明電極 通過過孔與源漏電極層連接。在上述制造方法技術(shù)方案中，所述形成金屬珠粒絕緣層具體為步驟A、采用滾動印刷或噴墨方式按設(shè)定間距涂覆粘合劑層；步驟B、散布金屬珠粒，使金屬珠粒間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域；步驟C、通過熱固化工藝將金屬珠粒固定在粘合劑層上；步驟D、涂布透明絕緣材料，形成金屬珠粒絕緣層。所述步驟B中的金屬珠粒的直徑為1 jiim~ 10jam，所述步驟A中的設(shè)定
間距為lym~100|itn,所述步驟B中的金屬珠粒為圓形、橢圓形或扁圓形。本發(fā)明提出了 一種在陣列結(jié)構(gòu)中形成金屬珠粒絕緣層的半透過型 TFT-LCD陣列基板及其制造方法，金屬珠粒絕緣層同時具備透射區(qū)域和反射 區(qū)域，其中，金屬珠粒之間的間隔區(qū)域形成透射區(qū)域，當背光源開啟時，背 光源的光線從金屬珠粒之間的間隔射出，每個具有高反射率的金屬珠粒的上 部表面形成反射區(qū)域，當背光源關(guān)閉時，外部入射的光線在每個金屬珠粒的 上部表面形成反射。與現(xiàn)有技術(shù)7次掩膜的復雜工藝相比，本發(fā)明簡化了掩 膜工藝，提高了生產(chǎn)效率，同時避免了現(xiàn)有技術(shù)因樹脂材料和透明電極粘著 力差導致的不良，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，且反射區(qū)域壓花工程單一化，最大限度 地增大了光效率。下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細描述。


圖1為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2a ~圖2e為本發(fā)明第一實施例的制造流程示意圖； 圖3為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4a~圖4d為本發(fā)明第二實施例的制造流程示意圖； 圖5為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法的第一實施流程圖； 圖7為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法的第二實施流程圖； 圖8為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法的第三實施流程圖。 附圖標記說明l一柵電極； 2—柵絕緣層；4 一源漏電極層； 5—鈍化層；10—玻璃基板； 11 一第一金y^^^i^l^;13—第三金yS^M^^彖罷；20—金屬珠粒；3—有源層；6—透明電極；12—第二金勘料鄉(xiāng)綠;30—過孔。
具體實施方式
第一實施例圖1為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本 實施例中，TFT-LCD陣列基板包括玻璃基板10、柵電極1、第一金屬珠粒絕 緣層ll、有源層3、源漏電極層4、鈍化層5和透明電極6，柵電極l形成在 玻璃基板10上；第一金屬珠粒絕緣層11形成在柵電極1之上，并覆蓋整個 玻璃基板10,使間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒20具有透射區(qū)域和反 射區(qū)域；有源層3形成在第一金屬珠粒絕緣層11上，并位于柵電極l之上； 源漏電極層4形成在有源層3上；鈍化層5形成在源漏電極層4上，并覆蓋 整個玻璃基板10，鈍化層5上開設(shè)有過孔30;透明電極6形成在鈍化層5上， 通過過孔30與源漏電極層4連接。本實施例上述技術(shù)方案通過在陣列結(jié)構(gòu)中形成第一金屬珠粒絕緣層，該 第一金屬珠粒絕緣層既作為柵絕緣層，又作為同時具有透射區(qū)域和反射區(qū)域 的金屬珠粒絕緣層，金屬珠粒絕緣層中間隔設(shè)置的金屬珠粒20位于透明電極 區(qū)域。金屬珠粒20之間的間隔區(qū)域形成本實施例的透射區(qū)域，當背光源開啟 時，背光源的光線A從金屬珠粒20之間的間隔射出；每個具有高反射率的金 屬珠粒20的上部表面形成本實施例的反射區(qū)域，當背光源關(guān)閉時，外部入射 的光線B在每個金屬珠粒20的上部表面形成反射，因此實現(xiàn)了本實施例半透 過型TFT-LCD陣列基板的結(jié)構(gòu)。圖2a 圖2e為本發(fā)明第一實施例的制造流程示意圖，可進一步說明本 實施例的技術(shù)方案。圖2a為本實施例形成柵電極的示意圖。如圖2a所示，在玻璃基板10上 制備一層金屬薄膜，用柵極掩模版通過曝光工藝和蝕刻工藝，在玻璃基板上 形成柵電極1。圖2b為本實施例形成第一金屬珠粒絕緣層的示意圖。如圖2b所示，采 用滾動印刷或噴墨方式按設(shè)定間距在玻璃基板10上涂覆粘合劑層，散布直徑
為D的金屬珠粒20,并使金屬珠粒20在透明電極區(qū)域上以間距L排列，通 過熱固化工藝將金屬珠粒固定在粘合劑層上，最后涂布具有絕緣特性的材料， 形成第一金屬珠粒絕緣層11。其中，金屬珠粒的直徑D為liam-lOjum,金 屬珠粒之間的間距L為lnm~100nm,可采用鋁等具有高反射率材料，根據(jù) 透射區(qū)域和反射區(qū)域的比例設(shè)置。進一步地，金屬珠粒20可以是圓形、橢圓 形、扁圓形或類圓形，也可以是其他形狀，只要金屬珠粒20的上部表面可以 形成本實施例反射區(qū)域，使外部入射的光線在每個金屬珠粒20的上部表面形 成反射。圖2c為本實施例形成有源層的示意圖。如圖2c所示，利用化學汽相沉 積方法在玻璃基板1上連續(xù)沉積a-Si非晶硅薄膜31和n+a-Si非晶硅薄膜 32,用有源層掩才莫版進行曝光后通過刻蝕形成硅島狀有源層3，有源層3由 a-Si非晶硅薄膜31和n+ a-Si非晶硅薄膜32組成。圖2d為本實施例形成源漏電極層的示意圖。如圖2d所示，沉積一層金 屬薄膜，通過源電極、漏電極掩模版在一定區(qū)域形成源漏電極層4，同時刻 蝕掉暴露的n+ a-Si非晶硅薄膜32。圖2e為本實施例形成鈍化層的示意圖。如圖2e所示，在整個陣列基板 上沉積一層鈍化層5，鈍化層5上位于源漏電極層4的位置形成過孔30。最后，在整個陣列基板上沉積一層透明電極材料，使過孔30內(nèi)也沉積透 明電極材料，通過透明電極掩模版刻蝕形成透明電極6,使透明電極6通過 過孔30與源漏電極層4連接(如圖1所示)。從本實施例制造流程可以看出，本實施例半透過型TFT-LCD陣列基板只 需要5次掩膜工藝即可完成，與現(xiàn)有技術(shù)7次掩膜的復雜工藝相比，簡化了 掩膜工藝，提高了生產(chǎn)效率，同時避免了現(xiàn)有技術(shù)因樹脂材料和透明電極粘 著力差導致的不良，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，且反射區(qū)域壓花工程單一化，最大限 度地增大了光效率。 第二實施例
圖3為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本 實施例中，TFT-LCD陣列基板包括玻璃基板10、柵電極l、柵絕緣層2、有源 層3、源漏電極層4、第二金屬珠粒絕緣層12和透明電極6，柵電極1形成 在玻璃基板10上；柵絕緣層2形成在柵電極1之上，并覆蓋整個玻璃基板 10;有源層3形成在柵絕緣層2上，并位于柵電極l之上；源漏電極層4形 成在有源層3上；第二金屬珠粒絕緣層12形成在源漏電極層4上，并覆蓋整 個玻璃基板10，使間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒20形成透射區(qū)域和 反射區(qū)域，第二金屬珠粒絕緣層12上還開設(shè)有過孔30;透明電極6形成在 第二金屬珠粒絕緣層12上，通過過孔30與源漏電極層4連接。本實施例上述技術(shù)方案通過在陣列結(jié)構(gòu)中形成第二金屬珠粒絕緣層，該 金屬珠粒絕緣層既作為鈍化層，又作為同時形成透射區(qū)域和反射區(qū)域的金屬 珠粒絕緣層，金屬珠粒絕緣層中間隔設(shè)置的金屬珠粒20位于透明電極區(qū)域。 本實施例透射區(qū)域和反射區(qū)域的原理與第一實施例相同，不再贅述。圖4a 圖4d為本發(fā)明第二實施例的制造流程示意圖，可進一步說明本 實施例的技術(shù)方案。圖4a為本實施例形成柵電極的示意圖。如圖4a所示，在玻璃基板10上 制備一層金屬薄膜，用柵極掩模版通過曝光工藝和蝕刻工藝，在玻璃基板上 形成柵電極l。圖4b為本實施例形成柵絕緣層和有源層的示意圖。如圖4b所示，利用 化學汽相沉積方法在玻璃基板1Q上連續(xù)沉積柵絕緣層2、 a-Si非晶硅薄膜 31和n+a-Si非晶硅薄膜32，用有源層掩模版進行曝光后通過刻蝕形成硅島 狀有源層3,有源層3由a-Si非晶硅薄膜31和n+a-Si非晶硅薄膜32組成。圖4c為本實施例形成源漏電極層的示意圖。如圖4c所示，沉積一層金 屬薄膜，通過源電極、漏電極掩模版在一定區(qū)域形成源漏電極層4,同時刻 蝕掉暴露的n+ a-Si非晶硅薄膜32。圖4d為本實施例形成第二金屬珠粒絕緣層的示意圖。如圖4d所示，采 用滾動印刷或噴墨方式按設(shè)定間距涂覆粘合劑層，散布金屬珠粒20,并使金 屬珠粒20在透明電極區(qū)域上間隔排列，通過熱固化工藝將金屬珠粒固定在粘 合劑層上，最后涂布具有鈍化層特性的材料，形成第二金屬珠粒絕緣層12， 第二金屬珠粒絕緣層12上位于源漏電極層的位置形成過孔30。其中，金屬 珠粒的直徑為1 ji m ~ 10 u m,金屬珠粒之間的間距為1 )a m ~ 100 jli m,可才艮據(jù) 透射區(qū)域和反射區(qū)域的比例設(shè)置。進一步地，金屬珠粒20可以是圓形、橢圓 形、扁圓形或類圓形，也可以是其他形狀，只要金屬珠粒20的上部表面可以 形成本實施例反射區(qū)域，使外部入射的光線在每個金屬珠粒20的上部表面形 成反射。最后，在整個陣列基板上沉積一層透明電極材料，使過孔30內(nèi)也沉積透 明電極材料，通過透明電極掩模版刻蝕形成透明電極6，使透明電極6通過 過孔30與源漏電極層4連接，(如圖3所示)。從本實施例制造流程可以看出，本實施例半透過型TFT-LCD陣列基板只 需要4次掩膜工藝即可完成，與現(xiàn)有技術(shù)7次掩膜的復雜工藝相比，簡化了 掩膜工藝，提高了生產(chǎn)效率。 第三實施例圖5為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。 本實施例中，TFT-LCD陣列基板包括玻璃基板10、第三金屬珠粒絕緣層13、 柵電極1、柵絕緣層2、有源層3、源漏電極層4、鈍化層5和透明電極6， 第三金屬珠粒絕緣層13形成在玻璃基板10上；柵電極1形成在第三金屬珠 粒絕緣層13上；柵絕緣層2形成在柵電極1之上，并覆蓋整個第三金屬珠粒 絕緣層13;有源層3形成在柵絕緣層2上，并位于柵電極l之上；源漏電極 層4形成在有源層3上；鈍化層5形成在源漏電極層4上，并開設(shè)有過孔30; 透明電極6形成在鈍化層5上，通過過孔30與源漏電極層4連接。本實施例的制造流程為采用滾動印刷或噴墨方式按設(shè)定間距在玻璃基 板上涂覆粘合劑層，散布金屬珠粒20,使金屬珠粒20在透明電極區(qū)域上間
隔排列，通過熱固化工藝將金屬珠粒固定在粘合劑層上，最后涂布透明樹脂，形成第三金屬珠粒絕緣層13。其中，金屬珠粒的直徑為lnm~10Mm,金屬 珠粒之間的間距為l|am~100|im，可根據(jù)透射區(qū)域和反射區(qū)域的比例設(shè)置。 進一步地，金屬珠粒20可以是圓形、橢圓形、扁圓形或類圓形，也可以是其 他形狀，只要金屬珠粒20的上部表面可以形成本實施例反射區(qū)域，使外部入 射的光線在每個金屬珠粒20的上部表面形成反射。之后采用傳統(tǒng)的4次掩膜 或5次掩膜工藝依次形成柵電極l、柵絕緣層2、有源層3、源漏電極層4、 鈍化層5和透明電極6，不再贅述。本實施例半透過型TFT-LCD陣列基板的 制造流程雖比第一實施例和第二實施例增加了在玻璃基板上形成金屬珠粒絕 緣層的工藝，但與現(xiàn)有技術(shù)7次掩膜的復雜工藝相比，仍簡化了掩膜工藝， 提高了生產(chǎn)效率。本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法為在玻璃基板上形成具 備透射區(qū)域和反射區(qū)域金屬珠粒絕緣層的陣列結(jié)構(gòu)。圖6為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法的第一實施流程圖， 具體為步驟ll、在玻璃基板上形成柵電極；步驟12、在完成步驟11的玻璃基板上形成第一金屬珠粒絕緣層，使間 隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域； 步驟13、在完成步驟12的玻璃基板上形成有源層； 步驟14、在完成步驟13的玻璃基板上形成源漏電極層； 步驟15、在完成步驟14的玻璃基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上 形成過孔；步驟16、在完成步驟15的玻璃基板上形成透明電極，使所述透明電極 通過過孔與源漏電極層連接。本實施流程通過在形成陣列結(jié)構(gòu)的同時形成第一金屬珠粒絕緣層，該第 一金屬珠粒絕緣層既作為柵絕緣層，又作為同時具有透射區(qū)域和反射區(qū)域的金屬珠粒絕緣層。金屬珠粒之間的間隔區(qū)域形成本實施例的透射區(qū)域，當背光源開啟時，背光源的光線從金屬珠粒之間的間隔射出；每個金屬珠粒的上 部表面形成本實施例的反射區(qū)域，當背光源關(guān)閉時，外部入射的光線在每個 金屬珠粒的上部表面形成反射，形成半透過型TFT-LCD陣列基板結(jié)構(gòu)。步驟ll中，在玻璃基板上制備一層金屬薄膜，用柵極掩模版通過曝光工 藝和蝕刻工藝，在玻璃基板上形成柵電極。步驟12中，采用滾動印刷或噴墨方式按設(shè)定間距在玻璃基板上涂覆粘合 劑層，散布金屬珠粒，并使金屬珠粒在透明電極區(qū)域上以設(shè)定間距排列，通 過熱固化工藝將金屬珠粒固定在粘合劑層上，最后涂布具有絕緣特性的材料， 形成第一金屬珠粒絕緣層。其中，金屬珠粒的直徑為l|am~10jLiin，金屬珠 粒之間的間距為l|Lim~100|am，可根據(jù)透射區(qū)域和反射區(qū)域的比例設(shè)置。進 一步地，金屬珠粒20可以是圓形、橢圓形、扁圓形或類圓形，也可以是其他 形狀，只要金屬珠粒20的上部表面可以形成本實施例反射區(qū)域，使外部入射 的光線在每個金屬珠粒20的上部表面形成反射。步驟13中，利用化學汽相沉積方法在玻璃基板上連續(xù)沉積a-Si非晶硅 薄膜和n+a-Si非晶硅薄膜，用有源層掩模版進行曝光后通過刻蝕形成硅島狀 有源層，有源層由a-Si非晶硅薄膜和n+a-Si非晶硅薄膜組成。步驟14中，沉積一層金屬薄膜，通過源電極、漏電極掩模版在一定區(qū)域 形成源漏電極層，同時刻蝕掉暴露的n+a-Si非晶硅薄膜。步驟15中，在整個陣列基板上沉積一層鈍化層，鈍化層上位于源漏電極 層的位置形成過孔。步驟16中，在整個陣列基板上沉積一層透明電極材料，使過孔內(nèi)也沉積 透明電極材料，通過透明電極掩模版刻蝕形成透明電極，使透明電極通過過 孔與源漏電極層連接。從本實施流程可以看出，本實施流程只需要5次掩膜工藝即可完成，與 現(xiàn)有技術(shù)7次掩膜的復雜工藝相比，簡化了掩膜工藝，提高了生產(chǎn)效率，同
時避免了現(xiàn)有技術(shù)因樹脂材料和透明電極粘著力差導致的不良，提高了產(chǎn)品 質(zhì)量，且反射區(qū)域壓花工程單一化，最大限度地增大了光效率。圖7為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法的第二實施流程圖， 具體為步驟21、在玻璃基板上形成柵電極；步驟22、在完成步驟21的玻璃基板上依次形成柵絕緣層和有源層；步驟23、在完成步驟22的玻璃基板上形成源漏電極層；步驟24、在完成步驟23的玻璃基板上形成第二金屬珠粒絕緣層，使間 隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域，并在所述第二 金屬珠粒絕緣層上形成過孔；步驟25、在完成步驟24的玻璃基板上形成透明電極，使所述透明電極 通過過孔與源漏電極層連接。本實施流程通過在陣列結(jié)構(gòu)中形成第二金屬珠粒絕緣層，該第二金屬珠 粒絕緣層既作為鈍化層，又作為同時形成透射區(qū)域和反射區(qū)域的金屬珠粒絕 緣層，金屬珠粒絕緣層中間隔設(shè)置的金屬珠粒位于透明電極區(qū)域。本實施流 程透射區(qū)域和反射區(qū)域的原理與第一實施流程相同，不再贅述。步驟21中，在玻璃基板上制備一層金屬薄膜，用柵極掩模版通過曝光工 藝和蝕刻工藝，在玻璃基板上形成柵電極。步驟22中，利用化學汽相沉積方法在玻璃基板上連續(xù)沉積柵絕緣層、 a-Si非晶硅薄膜和n+a-Si非晶硅薄膜，用有源層掩模版進行曝光后通過刻 蝕形成硅島狀有源層，有源層由a-Si非晶硅薄膜和n+a-Si非晶硅薄膜組成。步驟23中，沉積一層金屬薄膜，通過源電極、漏電極掩模版在一定區(qū)域 形成源漏電極層，同時刻蝕掉暴露的n+a-Si非晶硅薄膜。步驟24中，采用滾動印刷或噴墨方式按設(shè)定間距涂覆粘合劑層，散布金 屬珠粒，并使金屬珠粒在透明電極區(qū)域上間隔排列，通過熱固化工藝將金屬 珠粒固定在粘合劑層上，最后涂布具有鈍化層特性的材料，形成第二金屬珠
粒絕緣層，并在第二金屬珠粒絕緣層上形成過孔。其中，金屬珠粒的直徑為ljLim 10iam,金屬珠庫立之間的間3巨為l|am~100Mm，可才艮才居透射區(qū)i或和反 射區(qū)域的比例設(shè)置。進一步地，金屬珠粒20可以是圓形、橢圓形、扁圓形或 類圓形，也可以是其他形狀，只要金屬珠粒20的上部表面可以形成本實施例 反射區(qū)域，使外部入射的光線在每個金屬珠粒20的上部表面形成反射。步驟25中，在整個陣列基板上沉積一層透明電極材料，使過孔內(nèi)也沉積 透明電極材料，通過透明電極掩模版刻蝕形成透明電極，使透明電極通過過 孔與源漏電極層連接。同樣，從本實施流程可以看出，本實施流程只需要4次掩膜工藝即可完 成，與現(xiàn)有技術(shù)7次掩膜的復雜工藝相比，簡化了掩膜工藝，提高了生產(chǎn)效 率。圖8為本發(fā)明半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法的第三實施流程圖， 具體為步驟31、在玻璃基板上形成第三金屬珠粒絕緣層，使間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域；步驟32、在完成步驟31的玻璃基板上形成柵電極；步驟33、在完成步驟32的玻璃基板上依次形成柵絕緣層和有源層；步驟34、在完成步驟33的玻璃基板上形成源漏電極層；步驟35、在完成步驟34的玻璃基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成過孔；步驟36、在完成步驟35的玻璃基板上形成透明電極，使所述透明電極 通過過孔與源漏電極層連接。步驟31中，采用滾動印刷或噴墨方式按設(shè)定間距在玻璃基板上涂覆粘合 劑層，散布金屬珠粒，使金屬珠粒在透明電極區(qū)域上間隔排列，通過熱固化 工藝將金屬珠粒固定在粘合劑層上，最后涂布透明樹脂，形成第三金屬珠粒 絕緣層。其中，金屬珠粒的直徑為l|am~10|am，金屬珠粒之間的間距為1jam-100jnm，可根據(jù)透射區(qū)域和反射區(qū)域的比例設(shè)置。進一步地，金屬珠粒 20可以是圓形、橢圓形、扁圓形或類圓形，也可以是其他形狀，只要金屬珠 粒20的上部表面可以形成本實施例反射區(qū)域，使外部入射的光線在每個金屬 珠粒20的上部表面形成反射。本實施流程中使用的透明樹脂為有粘性的si族熱硬化樹脂，可以起固定 金屬珠粒的作用，具有較好光透射率，并且同時具有si族樹脂特性，可以經(jīng) 過約30(TC的熱工程，滿足后續(xù)陣列工程條件。步驟32 ~步驟36為傳統(tǒng)的4次掩膜或5次掩膜工藝，依次形成柵電極、 柵絕緣層、有源層、源漏電極層、鈍化層和透明電極，不再贅述。本實施流程雖比第一實施流程和第二實施流程增加了在玻璃基板上形成 第三金屬珠粒絕緣層的工藝，但與現(xiàn)有技術(shù)7次掩膜的復雜工藝相比，仍簡 化了掩膜工藝，提高了生產(chǎn)效率。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當 理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技 術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1. 一種半透過型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，包括形成在玻璃基板上的陣列結(jié)構(gòu)，所述陣列結(jié)構(gòu)中包含有同時具備透射區(qū)域和反射區(qū)域的金屬珠粒絕緣層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透過型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述金屬珠粒絕緣層包括由絕緣物質(zhì)形成的絕緣薄膜層和數(shù)個金屬珠粒，所述 金屬珠粒散布在所述絕緣薄膜層內(nèi)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半透過型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所 述金屬珠粒為圓形、橢圓形或扁圓形。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半透過型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所 述金屬珠粒的直徑為1 ju m ~ 10 jn m。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半透過型TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所 述金屬珠粒之間的間距為1 |i m ~ 100 m m。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一權(quán)利要求所述的半透過型TFT-LCD陣列基 板，其特征在于，所述陣列結(jié)構(gòu)包括柵電極，形成在所述玻璃基板上；第一金屬珠粒絕緣層，形成在所述柵電極之上并覆蓋整個玻璃基板，使 間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域； 有源層，形成在所述金屬珠粒絕緣層上，并位于柵電極之上； 源漏電極層，形成在所述有源層上；鈍化層，形成在源漏電極層上，并覆蓋整個玻璃基板，所述鈍化層上開 設(shè)有過孔；透明電極，形成在所述鈍化層上，通過所述過孔與所述源漏電極層連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一權(quán)利要求所述的半透過型TFT-LCD陣列基 板，其特征在于，所述陣列結(jié)構(gòu)包括柵電極，形成在所述玻璃基板上； 柵絕緣層，形成在所述柵電極之上并覆蓋整個玻璃基板； 有源層，形成在所述柵絕緣層上，并位于柵電極之上； 源漏電極層，形成在所述有源層上；第二金屬珠粒絕緣層，形成在源漏電極層上，并覆蓋整個玻璃基板，使 間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域，所述第二金 屬珠粒絕緣層上開設(shè)有過孔；透明電極，形成在所述第二金屬珠粒絕緣層上，通過所述過孔與所述源 漏電極層連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一權(quán)利要求所述的半透過型TFT-LCD陣列基 板，其特征在于，所述陣列結(jié)構(gòu)包括第三金屬珠粒絕緣層，形成在所述玻璃基板上，使間隔設(shè)置在透明電極 區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域；柵電極，形成在所述第三金屬珠粒絕緣層上； 柵絕緣層，形成在所述柵電極之上并覆蓋整個玻璃基板； 有源層，形成在所述柵絕緣層上，并位于柵電極之上； 源漏電極層，形成在所述有源層上；鈍化層，形成在源漏電極層上，并覆蓋整個玻璃基板，所述鈍化層上開 設(shè)有過孔；透明電極，形成在所述鈍化層上，通過所述過孔與所述源漏電極層連接。
9. 一種半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，在玻璃基 板上形成具備透射區(qū)域和反射區(qū)域金屬珠粒絕緣層的陣列結(jié)構(gòu)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其 特征在于，所述在玻璃基板上形成具備透射區(qū)域和反射區(qū)域金屬珠粒絕緣層 的陣列結(jié)構(gòu)具體為步驟ll、在玻璃基板上形成柵電極；步驟12、在完成步驟11的玻璃基板上形成第一金屬珠粒絕緣層，使間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬^M立形成透射區(qū)域和反射區(qū)域； 步驟13、在完成步驟12的玻璃基板上形成有源層； 步驟14、在完成步驟13的玻璃基板上形成源漏電極層； 步驟15、在完成步驟14的玻璃基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上形成過孔；步驟16、在完成步驟15的玻璃基板上形成透明電極，使所述透明電極 通過過孔與源漏電極層連接。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其 特征在于，所述在玻璃基板上形成具備透射區(qū)域和反射區(qū)域金屬珠粒絕緣層 的陣列結(jié)構(gòu)具體為步驟21、在玻璃基板上形成柵電極；步驟22、在完成步驟21的玻璃基板上依次形成柵絕緣層和有源層；步驟23、在完成步驟22的玻璃基板上形成源漏電極層；步驟24、在完成步驟23的玻璃基板上形成第二金屬珠粒絕緣層，使間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域，并在所述第二金屬珠粒絕緣層上形成過孔；步驟25、在完成步驟24的玻璃基板上形成透明電極，使所述透明電極通過過孔與源漏電極層連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法，其 特征在于，所述在玻璃基板上形成具備透射區(qū)域和反射區(qū)域金屬珠粒絕緣層 的陣列結(jié)構(gòu)具體為步驟31、在玻璃基板上形成第三金屬珠粒絕緣層，使間隔設(shè)置在透明電 極區(qū)域的金屬珠粒形成透射區(qū)域和反射區(qū)域；步驟32、在完成步驟31的玻璃基板上形成柵電極；步驟33、在完成步驟32的玻璃基板上依次形成柵絕緣層和有源層；步驟34、在完成步驟33的玻璃基板上形成源漏電極層； 步驟35、在完成步驟34的玻璃基板上形成鈍化層，并在所述鈍化層上 形成過孔；步驟36、在完成步驟35的玻璃基板上形成透明電極，使所述透明電極 通過過孔與源漏電極層連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10、 11或12所述的半透過型TFT-LCD陣列基板的制 造方法，其特征在于，所述形成金屬珠粒絕緣層具體為步驟A、采用滾動印刷或噴墨方式按設(shè)定間距涂覆粘合劑層； 步驟B、散布金屬珠粒，使金屬珠粒間隔設(shè)置在透明電極區(qū)域； 步驟C、通過熱固化工藝將金屬珠粒固定在粘合劑層上； 步驟D、涂布透明絕緣材料，形成金屬珠粒絕緣層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法， 其特征在于，所述步驟B中的金屬珠粒的直徑為1 |im~ lOiam。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法， 其特征在于，所述步驟A中的設(shè)定間距為1 |a m ~ 100 n m。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的半透過型TFT-LCD陣列基板的制造方法， 其特征在于，所述步驟B中的金屬珠粒為圓形、橢圓形或扁圓形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半透過型TFT-LCD陣列基板及其制造方法，陣列基板包括形成在玻璃基板上的陣列結(jié)構(gòu)，所述陣列結(jié)構(gòu)中包含有同時具備透射區(qū)域和反射區(qū)域的金屬珠粒絕緣層；制造方法為在玻璃基板上形成具備透射區(qū)域和反射區(qū)域金屬珠粒絕緣層的陣列結(jié)構(gòu)。本發(fā)明陣列結(jié)構(gòu)中形成有金屬珠粒絕緣層，金屬珠粒之間的間隔區(qū)域形成透射區(qū)域，當背光源開啟時，背光源的光線從金屬珠粒之間的間隔射出，每個具有高反射率的金屬珠粒的上部表面形成反射區(qū)域，當背光源關(guān)閉時，外部入射的光線在每個金屬珠粒的上部表面形成反射。本發(fā)明簡化了掩膜工藝，提高了生產(chǎn)效率，避免了不良，提高了產(chǎn)品質(zhì)量，最大限度地增大了光效率。
文檔編號H01L21/84GK101399271SQ20071012235
公開日2009年4月1日 申請日期2007年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月24日
發(fā)明者宋泳錫, 崔承鎮(zhèn) 申請人:北京京東方光電科技有限公司