專利名稱：用于有機器件的封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有有機物質(zhì)的電子器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)，該電子器件尤
其為OLED或者其它有機光電子器件，本發(fā)明還涉及生產(chǎn)該薄膜封裝結(jié)構(gòu) 的方法和用該結(jié)構(gòu)裝配的電工部件。
背景技術(shù)：
對于有機電子器件，尤其是OLED (有機發(fā)光二極管)，需要不透氣 和防潮的封裝，使得來自環(huán)境的氧氣和尤其是濕氣不接觸敏感有機物質(zhì)和 電極，因為這些敏感有機物質(zhì)和電極通常會起反應(yīng)。為此目的，已經(jīng)廣泛 地建立了這樣的實踐即通過使用所謂的吸氣材料制成的插件提供密封的玻 璃和金屬殼體以使氧氣和濕氣不靠近或者在到達(dá)有機物質(zhì)之前至少由吸氣 材料截取。然而，這樣的密封殼體的質(zhì)量較大，相應(yīng)的尺寸也較大，使得 密封殼體不適于某些應(yīng)用，此外需要很多精力去制造。而且，金屬不透 明，使得金屬也不適于某些應(yīng)用。
由于防止這樣缺點的公知方法是薄膜封裝，在該薄膜封裝中，為了限 制或者防止水和/或氧氣的傳輸，殼體配置有各種薄層的堆疊。
例如，在WO 03/050894 A2中描述了這種薄膜封裝，其提出了多個不
同介電層。該介電層優(yōu)選地由無機層形成，并且無機層具有高的屏障效 應(yīng)。然而，由于無機層彈性較低，因而幾乎對分散機械應(yīng)力沒有幫助，所 以無機層的堆疊易于導(dǎo)致裂開，使得水和氧氣能夠通過裂縫進(jìn)入。由于這 個原因，已經(jīng)公知在無機層之間設(shè)置有機層或者聚合物層，這些有機層或 者聚合物層具有更高彈性，并且因而抑制開裂。這樣的層結(jié)構(gòu)例如在WO 03/016589 Al中提出。
從EP 777 280， US 6,198,217， DE 102 22 958和US 2005/0029513 Al 中還公知以疊層形式的有機和無機層的組合。
盡管由此獲得良好的結(jié)果，但是現(xiàn)有技術(shù)的層的缺點是需要很多精力 生產(chǎn)多個層。此外，已經(jīng)知道盡管有各種層，但是密封功能最終不令人滿 思。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的
因而本發(fā)明的目的是提供一種薄膜封裝以及生產(chǎn)該薄膜封裝的方法， 該方法用少的費用(即，盡可能少的層)相對于現(xiàn)有技術(shù)顯示改進(jìn)的密 封，同時維持其它基本條件(例如，可見波長范圍內(nèi)的高的光傳輸性或者 簡單的處理控制)。
本發(fā)明目的的技術(shù)解決方案
本發(fā)明目的是用具有權(quán)利要求14的特征的薄膜封裝結(jié)構(gòu)、根據(jù)權(quán)利 要求14的具有相應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)的電工部件以及具有權(quán)利要求17的特征的產(chǎn) 生薄膜封裝結(jié)構(gòu)的方法。優(yōu)選實施例是從屬權(quán)利要求的目的。
本發(fā)明的特征在于發(fā)明者已經(jīng)認(rèn)識到， 一個主要觀點是不平度、微粒 沉積物一例如，由于在真空涂覆設(shè)備自身中產(chǎn)生的微粒一或者將要封裝的 表面上的結(jié)構(gòu)能夠不利影響封裝屬性。由于尤其是在OLED情況下，由于 相應(yīng)的結(jié)構(gòu)，出現(xiàn)這樣的以臺階或者凹部形式的表面不均勻性或者不平 度，并且由于成本壓力排除了與半導(dǎo)體電路制造相當(dāng)?shù)臒o塵環(huán)境下的制造 條件，為了有效和簡單封裝結(jié)構(gòu)的目的，必須借助于平坦化層減小不均勻 性或者不平度。
此外，本發(fā)明特征在于這樣的事實，即僅僅在將要封裝的表面或者有 機器件上的主要屏障層之后布置平坦化層，這是因為這允許實現(xiàn)簡單生產(chǎn) 處理。主要無機屏障層的效果是保護有機物質(zhì)免受隨后層沉積的影響。這 便于有效和簡單地形成平坦化層，這對于借助于隨后布置在平坦化層的平 面上的輔助屏障層進(jìn)行有效的封裝是很重要的。
因而整個方法包括首先將主要無機屏障層直接布置在要保護的器件上 或者要封裝的表面上，以對該器件或者將要被封裝的表面提供初始的保 護。隨后，形成有機平坦化層，該平坦化層補償表面的不均勻性、層生產(chǎn)
缺陷或者結(jié)構(gòu)和機械應(yīng)力，并且形成了由此用幾個隨后的屏障層就可以獲 得的有效屏障效應(yīng)的基礎(chǔ)。因而，針對平坦化層上的輔助屏障層提供本發(fā) 明，由于不存在或者更少形成不均勻性(諸如臺階、凹部等)，能夠以很 有效的方式形成所述屏障層。
為了可以確保有機平坦化層可以對表面不均勻性或者結(jié)構(gòu)提供點消除 缺陷的補償，其厚度選擇成比主要屏障層的表面或者器件的表面或者主要 屏障層以下將要被封裝的表面的最高峰和最深谷之間距離的單值要大。
每個表面的最高峰和最深谷之間的距離的單值根據(jù)最大外形高度Ry (ISO/JIS/DIN 4762)的通常標(biāo)準(zhǔn)確定，并且定義為最高峰和最深谷距中 心線距離的總和。
優(yōu)選地，輔助屏障層具有若干個子層，且尤其是提供兩個或者多個無 機子層，這顯示對濕氣和氧氣尤其有利的屏障效果。提供若干個子層確保 子層中 一個子層的任何缺陷不會導(dǎo)致泄漏。
優(yōu)選地，至少一個有機子層(優(yōu)選若干個有機子層，尤其是兩個有機 子層)設(shè)置在輔助屏障層中，這些子層尤其是布置在無機子層之間或者夾 在無機子層中。通過有機子層相對于無機子層的增大的彈性，還有助于分 散機械應(yīng)力，并且因而防止開裂，因為開裂同樣會引起泄漏。
輔助屏障層的子層(尤其是有機子層)優(yōu)選地形成為其厚度至少對應(yīng)
于封裝結(jié)構(gòu)在器件或者將要保護的表面的方向上的相鄰層或者子層，或者 至少等于封裝結(jié)構(gòu)在器件或者將要保護的表面的方向上相鄰層或者子層的
最高峰和最深谷之間距離的單值。
相應(yīng)厚度的設(shè)定確保封裝在任何缺陷的情況下失效。
優(yōu)選地，調(diào)節(jié)有機子層，使得有機子層對應(yīng)于尤其在器件或者將要保
護的表面上的方向上相鄰無機子層的厚度，同時無機子層的厚度至少等于
在器件方向上的表面或者將要保護的表面的最高峰和最深谷之間距離的單 值，然而優(yōu)選地?zé)o機子層的厚度至少等于20nm。
在優(yōu)選的實施例中，疏水性層至少布置在第二或者輔助屏障層上，以 避免水或者濕氣堆積在表面上，從而從開始就避免濕氣進(jìn)入。因而，疏水 性層選擇成其表面能量很大，使得與水的接觸角優(yōu)選地大于80°。疏水性
層可以尤其由基于烴單體、碳氟化合物單體或者有機硅單體的聚合物(例 如通過施加等離子體的影響)而形成。
主要和/或輔助屏障層優(yōu)選具有由氮化硅、碳化硅、氧氮化硅或者有機
硅氧化物組成的無機子層，這些無機子層優(yōu)選地由低溫PEVCD (等離子 體增強氣相沉積)以低于180'C (優(yōu)選低于14(TC)的溫度形成。
在優(yōu)選實施例中平坦化層由輻射固化聚合物、光致抗蝕劑或者有機單 體形成，并且平坦化層借助于旋轉(zhuǎn)涂覆、噴涂或者印刷或者通過真空涂覆 技術(shù)(尤其是等離子體增強真空涂覆技術(shù))通過液體或者可流動聚合物的 蒸鍍或者機械施加。
有利地，平坦化層還可以是借助于輻射(例如，UV、 IR或者電子束 處理)的后處理，以可以進(jìn)行聚合化或者固化，結(jié)果，避免了光電子器件 或者襯底的有害熱應(yīng)力。
輔助屏障層的有機子層優(yōu)選由六甲基二硅氧烷(HMDSO)、烴單 體、輻射固化單體、光致抗蝕劑和/或聚合物形成。這些層還可以通過等離
子體增強施加方法形成。
對于具有發(fā)明性的薄膜封裝結(jié)構(gòu)，可以優(yōu)選實現(xiàn)水傳輸率^0X1(T 6g/m2'day，尤其是5 X l(T6g/m2'day，和實現(xiàn)可見波長范圍中的光傳輸大于 80%，優(yōu)選為85%。
本結(jié)構(gòu)還確保例如在串聯(lián)設(shè)備中執(zhí)行的簡單生產(chǎn)。


使用所附分附圖從以下實施例的詳細(xì)描述中，其它優(yōu)點、特性和特征 變得明顯。附圖完全以示意形式示出
圖1是具有發(fā)明性的0LED部件的層結(jié)構(gòu)的示意剖視圖；和
圖2是用于生產(chǎn)具有發(fā)明性的薄膜封裝結(jié)構(gòu)的安裝的示意側(cè)視圖。
具體實施例方式
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的具有薄膜封裝結(jié)構(gòu)12的OLED部件。 在襯底1上的兩個電極層2和4之間設(shè)置有機電致發(fā)光單元3，其中
襯底1可以是例如適合的玻璃面板或者柔性透明膜，有機電致發(fā)光單元3 可以由若干子層(此處沒有示出)組成。層2至4形成有機光電子器件13
(在圖1所示的實施例中是OLED)。然而，也可以想到其它的有機電子 器件(例如，光電器件)。
為了保護有機光電子器件13，應(yīng)用了具有發(fā)明性的薄膜封裝結(jié)構(gòu)12。
薄膜封裝結(jié)構(gòu)12包括總計六層5至10，這六層將在下面詳細(xì)描述。
主要屏障層5由無機物質(zhì)制成，這些無機物質(zhì)例如是氮化硅、碳化 硅、氧氮化硅或者由有機氧化硅制成的硅化合物，主要屏障層施加到有機 器件13的電極層4。由于有機器件13具有結(jié)構(gòu)(structuring) 11或者顆粒 沉積，諸如臺階、凹部等的結(jié)構(gòu)11形成在電極層4和主要屏障層5之間的 邊界表面處。這些結(jié)構(gòu)還可以由襯底1的不均勻性引起，或者由沒有被有 機器件13的層結(jié)構(gòu)平坦化的表面引起。所述結(jié)構(gòu)在施加主要屏障層5吋 在然后形成的主要屏障層的表面處重新形成。
為了補償這些結(jié)構(gòu)或者不均勻性，本發(fā)明提供液體或者可流動聚合 物用于施加平坦化層6，這補償了結(jié)構(gòu)11，使得在與主要屏障層5相對的 表面處形成平坦化層6的光滑或者平坦表面。輔助屏障層14由子層7至9 形成，并且形成在平坦化層6上。
子層7至9由兩個無機子層7至9和有機中間層或者補償層8形成， 其中無機子層7至9可以由氮化硅、碳化硅、氧氮化硅或者由有機氧化硅 制成的化合物形成，有機中間層或者補償層8例如由通過等離子體極化產(chǎn) 生的聚合物制成。該補償層8用來補償應(yīng)力，并且具有比無機層7和9更 大的彈性。
最后，薄膜封裝結(jié)構(gòu)12的上側(cè)設(shè)置有疏水性層10，該疏水性層10 尤其具有這樣的表面能量屬性，使得對水的接觸角度》80。。以此方式， 可以減小濕氣沉積在薄膜封裝結(jié)構(gòu)12上的趨勢。
如薄膜封裝結(jié)構(gòu)12所示，主要屏障層確保有機器件13在進(jìn)一步施 加或者封裝之前不受環(huán)境影響。因為表面結(jié)構(gòu)會影響隨后的屏障層的施 加，平坦化層6用作補償不平度和不均勻性的目的，這種不平度或者不均
勻性由襯底1或者有機器件13的結(jié)構(gòu)引起。
由于平坦化層6提供的平坦表面，可以用幾個子層形成有效的輔助
屏障層14，該輔助屏障層14有效地防止?jié)駳饣蛘哐鯕膺M(jìn)入有機器件13。 輔助屏障層14的若干子層的組合確?？赡艹霈F(xiàn)的缺陷不會連續(xù)延伸通過 整個屏障層。尤其是補償層8提供了分散機械應(yīng)力的可能性，該機械應(yīng)力 還會是由子層7和9引起的，且子層優(yōu)選地由無機材料組成。因而形成了 層結(jié)構(gòu)，該層結(jié)構(gòu)在有機器件13上首先提供由無機材料5制成的主要屏 障層，然后是優(yōu)選地由有機材料制成的平坦化層6，隨后是輔助屏障層14 的無機子層7。在無機子層7上布置有機補償層或者子層8，隨后是輔助 屏障層14的無機子層9。最后，提供疏水性功能層IO。
平坦化層6的厚度尤其選擇為比主要屏障層表面上出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)11的 最高峰和最深谷之間距離的單值要大，結(jié)構(gòu)11是由于襯底的不平度或者 有機器件13的結(jié)構(gòu)或者微粒沉積引起的。
輔助屏障層14的無機子層7優(yōu)選形成的厚度大于20nm。 有機中間層或者補償層8優(yōu)選具有的厚度與相鄰的無機子層7相同。
圖2是用于生產(chǎn)如圖1所示的薄膜封裝結(jié)構(gòu)的安裝示意表示。如圖2 所示，這樣薄膜封裝結(jié)構(gòu)能夠根據(jù)本發(fā)明在串聯(lián)設(shè)備100中制造。
串聯(lián)設(shè)備IOO包括真空處理室104，在真空處理室104中，主要屏障 層由低溫PECVD (等離子體化學(xué)氣相沉積)沉積。等離子體能夠例如由 高頻交流電壓產(chǎn)生，為此，在真空室104中設(shè)置電極102，該電極102和 用作相反電極的襯底承載器101和電壓源114 一起能夠產(chǎn)生相應(yīng)的等離子 體。必要的處理氣體經(jīng)由入口 103引入到真空處理室104中。
在借助于低溫PECVD形成主要屏障層之后，將要涂覆的襯底從襯底 承載器101運輸?shù)较噜徥?05，在該相鄰室105中不必提供真空的條件。 因而，在兩個室104和105之間可以提供相應(yīng)的鎖止機構(gòu)。
在處理室105中，設(shè)定大氣優(yōu)選僅僅是惰性氣體，在其中平坦化層6 例如通過噴嘴106的噴涂而形成。然而，其它施加方法也是可以想到的， 諸如旋轉(zhuǎn)涂覆、印刷、蒸鍍等。
隨后，將襯底承載器101上的襯底置于其它真空涂覆室107、 108、 109和110，在那里，通過等離子體增強方法形成其余層7至10。因而， 各個處理室107至110的每個具有電極111和用于襯底承載器101的相應(yīng) 的電力連接112。此外，入口 113中每個還以次序布置成使得用于低溫 PECVD沉積或者等離子體聚合的相應(yīng)處理氣體可以弓i入相應(yīng)處理室中。
因而，處理室107中的無機子層7由低溫PECVD沉積，而有機子層 8在處理室108中由等離子體聚合形成。在處理室109中再次通過低溫 PECVD形成另外的無機子層9之后，再次通過等離子體聚合在處理室110 沉積疏水性層10。
下面，所描述的實施例以封裝結(jié)構(gòu)12的制造處理為例子。
真空室104抽空至1Pa以下的起始壓力，然后處理氣體以SiH4的 100sccm的流速、NH3的300sccm的流速和N2的300sccm的流速引入到 處理室104。施加具有500W輸出的高頻電壓，并且點燃等離子體達(dá)60 秒，從而沉積氮化硅層。
此后，光致抗蝕劑通過噴涂、印刷或者旋轉(zhuǎn)涂覆施加到處理室105 中。隨后，以同真空處理室104中相同的方式，無機層(尤其是氮化硅) 在處理室107和109中形成。
在處理室108中，在等離子體聚合步驟中使用含碳?xì)怏w(諸如 CH4)以400sccm的流速和100W的HF輸出達(dá)60秒來沉積烴層。
最后，使用含氟工作氣體(諸如CHF3) 、 IOOW的HF輸出和等離子 體點燃達(dá)IO秒在處理室110中形成疏水性氟代烴層。
此處主要屏障層5的層厚度是20至100nm，平坦化層6的層厚度是 3至100/im，子層7的層厚度是20至100nm，子層8的層厚度是3至 100/mi，子層9的層厚度是20至100nm，疏水性層10的層厚度是5至 100000nm。
盡管已經(jīng)通過前述實施例詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是對于本領(lǐng)域技術(shù) 人員清楚的是本發(fā)明不限于這些，而是在所附的權(quán)利要求的內(nèi)容中，由權(quán) 利要求保護范圍覆蓋的變化和替換是可行的。尤其是，在不脫離本發(fā)明保 護范圍的情況下，本發(fā)明的不同特性可以組合或者交換，并且單個特性還
可以省略:
權(quán)利要求
1.一種薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其用于具有有機物質(zhì)的電子器件，所述電子器件尤其是OLED或者其它有機光電子器件，所述封裝結(jié)構(gòu)具有主要無機屏障層(5)、平坦化層(6)和輔助屏障層(14)，所述主要無機屏障層(15)直接布置在所述器件上或者將要被封裝的表面上，所述平坦化層(6)布置在所述主要無機屏障層上，所述平坦化層的厚度選擇為比所述主要屏障層的所述表面或者所述主要屏障層下的所述器件的表面或者將要封裝的表面的最高峰和最深谷之間的距離的單值要大，所述輔助屏障層(14)布置在所述平坦層上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述輔助屏障層(14)至 少具有一個無機子層(7、 9)，優(yōu)選為兩個或者多個無機子層(7、 9)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述輔助屏障層至少 具有一個有機子層(8)，優(yōu)選為兩個有機子層(8)，所述有機子層(8)尤其是布置在無機子層(7、 9)之間或者夾在無機子層(7、 9)之 間，且優(yōu)選地所述有機子層的所述表面與水的接觸角度優(yōu)選地大于80°。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述子層形成為其厚度至少對應(yīng)于所述封裝結(jié)構(gòu)中所述器件的方向上 相鄰層或者子層的厚度，或者至少等于所述封裝結(jié)構(gòu)中所述器件的方向上 所述相鄰層或者所述子層的最高峰和最深谷之間所述距離的所述單值。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述有機子層的厚度至少 是在所述器件的所述方向上的所述相鄰無機子層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述無機子層的厚度至少 是20nm。
7. 根據(jù)在前權(quán)利要求中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述輔助屏障 層(14)精確地包括兩個無機子層(7、 9)，且有機子層(8)布置在所 述兩個無機子層(7、 9)之間。
8. 根據(jù)在前權(quán)利要求中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，疏水性層 (10)布置在所述輔助屏障層上，所述疏水性層(10)的表面能量使得與 水的接觸角優(yōu)選大于80°。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述疏水性層(10)包括 以下組中一個或者多個成分，所述組包括聚合物、碳氟化合物單體、氟代 烴、烴和有機硅單體和其化合物。
10. 根據(jù)在前權(quán)利要求中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述主屏障 層和/或輔助屏障層，尤其是無機子層，包括以下組中一個或者多個成分， 所述組包括氮化硅、碳化硅、氧氮化硅和由有機硅氧化物制成的化合物。
11. 根據(jù)在前權(quán)利要求中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述平坦化 層(6)包括以下組中一個或者多個成分，所述組包括聚合物、光致抗蝕 劑、烴、氟代烴、輻射固化單體和有機單體。
12. 根據(jù)在前權(quán)利要求中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述輔助屏 障層的有機子層包括以下組中一個或者多個成分，所述組包括有機硅化合 物、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、烴單體和聚合物。
13. 根據(jù)在前權(quán)利要求中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述結(jié)構(gòu)具 有小于10X10—^/m^day的水傳輸率和大于80%的可見波長范圍內(nèi)的光傳 輸率，水傳輸率尤其小于5X10—6g/m2'day，優(yōu)選的光傳輸率是85%。
14. 一種至少具有一種有機物質(zhì)的電工部件，尤其是OLED，所述電工 部件的一側(cè)是根據(jù)在前權(quán)利要求中任一項的封裝結(jié)構(gòu)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的部件，其中，所述部件具有襯底，在所述 襯底上設(shè)置有機光電子器件，尤其當(dāng)完全封裝時在所述光電子器件和/或所 述襯底上設(shè)置所述封裝結(jié)構(gòu)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)或者根據(jù)權(quán)利要求 14或15所述的電工部件，其中，其通過具有隨后權(quán)利要求特征的方法生 產(chǎn)。
17. —種生產(chǎn)薄膜封裝結(jié)構(gòu)的方法，所述薄膜封裝結(jié)構(gòu)用于具有有機物 質(zhì)的電子器件、尤其是OLED或其它有機光電子器件或者相應(yīng)的電子部 件，其中，在所述器件(13)和/或部件上以下列順序形成以下層主要無機屏障層(5)，有機平坦化層(6)，布置在所述主要無機屏障層(5)上，所述平坦 化層的厚度選擇成比所述主要屏障層的表面或者所述主要屏障層下的所述 器件或者部件的表面的最高峰和最深谷之間的距離要大，和 輔助屏障層(14)，其布置在所述平坦化層上。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，疏水性層(10)布置在所述輔助屏障層(14)上。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的方法，借助于低溫PECVD (等離子 體增強氣相沉積)，尤其是在低于18(TC的襯底溫度下，優(yōu)選為低于140 。C溫度下生產(chǎn)所述主要屏障層和/或輔助屏障層，尤其是所述輔助屏障層的 無機子層。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17至19所述的方法，其中，借助于等離子體聚合化 生產(chǎn)聚合物層，尤其是所述輔助屏障層的有機子層和/或疏水性表面層。
21. 根據(jù)權(quán)利要求17至20所述的方法，其中，通過對液體或者流體聚 合物蒸鍍或機械施加，尤其是通過旋轉(zhuǎn)涂覆、噴涂或者印刷，或者通過真 空涂覆技術(shù)，尤其是等離子體增強的，生產(chǎn)所述平坦化層和/或有機子層。
22. 根據(jù)權(quán)利要求17至2i所述的方法，其中，借助于輻射而后處理所 述平坦化層和/或有機子層。
23. 根據(jù)權(quán)利要求17至22所述的方法，其中，在串聯(lián)設(shè)備中執(zhí)行所述 方法。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜封裝結(jié)構(gòu)以及相應(yīng)的部件和用于生產(chǎn)薄膜封裝結(jié)構(gòu)的方法，薄膜封裝結(jié)構(gòu)用于具有有機物質(zhì)的電子器件，尤其是OLED或者其它有機光電子器件，封裝結(jié)構(gòu)具有主要無機屏障層(5)、平坦化層(6)和輔助屏障層(14)，主要無機屏障層(5)直接布置在器件上或者將要封裝的表面上，平坦化層(6)布置在主要無機屏障層上，平坦化層的厚度選擇為比主要屏障層的表面或者主要屏障層下的器件的表面或者將要封裝的表面的最高峰和最深谷之間的距離的單值要大，輔助屏障層(14)布置在平坦層上。
文檔編號H01L51/42GK101106178SQ20071011077
公開日2008年1月16日 申請日期2007年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月13日
發(fā)明者烏里·霍夫曼, 克勞斯·斯加德, 卓斯·曼紐爾·迪格茨-加波, 弗蘭克·斯達(dá)爾 申請人:應(yīng)用材料合資有限公司